Соглашение между Правительством Российской Федерации и Правительством Республики Белоруссия о сотрудничестве в области создания оптико-механического и контрольного оборудования для производства сверхбольших интегральных схем с топологическими элементами 0,8-0,5 мкм
(Москва, 13 июня 1996 г.)
Правительство Российской Федерации и Правительство Республики Белоруссия, в дальнейшем именуемые Сторонами, основываясь на положениях:
Соглашения о научно-техническом сотрудничестве в рамках государств - участников Содружества Независимых Государств, подписанного 13 марта 1992 г.,
Соглашения об общих условиях и механизме поддержки развития производственной кооперации предприятий и отраслей государств - участников Содружества Независимых Государств, подписанного 23 декабря 1993 г.,
согласились о нижеследующем:
Приложение
к Соглашению между Правительством
Российской Федерации и Правительством
Республики Белоруссия о сотрудничестве
в области создания оптико-механического и
контрольного оборудования для производства
сверхбольших интегральных схем
с топологическими элементами 0,8-0,5 мкм
Совместная российско-белорусская научно-техническая программа
"Разработка и создание оптико-механического и контрольного оборудования для производства сверхбольших интегральных схем с топологическими элементами 0,8-0,5 мкм"
1. Введение
Процессы литографии являются определяющими при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем (далее именуются - СБИС). Уровень специального технологического оптико-механического оборудования, устойчивость и прецизионность технологии генерации и переноса изображения служат базисом создания нового поколения СБИС. Все технологические программы США, Европы и Японии в качестве первичной и основополагающей задачи содержат разработку нового класса литографического оборудования (степперы, контрольное оборудование и т.д.), оптимизацию технологии (фазосдвигающие шаблоны, мембранные защитные покрытия, контроль и аттестация промежуточных шаблонов, высококонтрастные стабильные метки автоматического совмещения и т.д.).
Классификация уровня технологии СБИС по размерам элементов не является искусственной, а определяет соответствующий уровень технологии производства, в которой доминирующими являются литографические процессы.
2. Исполнители Программы
Исполнителями настоящей Программы являются ведущие предприятия микроэлектроники России и электронного машиностроения Белоруссии, входящие в научно-техническую ассоциацию по микроэлектронным технологиям "Субмикро". Головными организациями по ее выполнению определены: с Российской Стороны - научно-техническая ассоциация "Субмикро", с Белорусской Стороны - государственный научно-производственный концерн машиностроения "Планар".
3. Цель Программы
Целью настоящей Программы является разработка и создание оптико-механического и контрольного оборудования для производства СБИС с топологическими элементами 0,8-0,5 мкм и отработка технологических процессов на его базе.
4. Основные показатели Программы
4.1. Технология 0,6-0,8 мкм.:
Прецизионность - с0,15 мкм.
Погрешность совмещения - не более 0,15 мкм.
Размер единичного модуля - 20х20 мм.
Диаметр пластин - 150 мм.
Дефектность (размер дефекта более 0,2 мкм) - не более 0,05 дефектов/кв.см на слой.
Производительность - не менее 40 пластин/час (диаметр - 150 мм, площадь единичного модуля 400 кв.мм).
4.2. Технология 0,5 мкм.:
Прецизионность - с0,1 мкм.
Погрешность совмещения - не более 0,1 мкм.
Размер единичного модуля - 15х20 мм.
Диаметр пластин - 150 мм.
Дефектность (размер дефекта более 0,2 мкм) - не более 0,05 дефектов/кв.см на слой.
Производительность - не менее 30 пластин/час (диаметр - 150 мм, площадь единичного модуля 300 кв.мм).
5. Основные этапы выполнения Программы
5.1. Разработка и изготовление установок проекционной фотолитографии с совмещением:
степперы для СБИС 0,8 мкм;
степперы для СБИС 0,6 мкм;
степперы для СБИС 0,4-0,5 мкм.
5.2. Разработка и изготовление установок лазерной ретуши для промежуточных шаблонов.
5.3. Разработка и изготовление комплекта контрольного оборудования, всего 9 наименований.
5.4. Отработка технологических процессов - по мере готовности оборудования. Оборудование будет внедрено на пилотных линиях ведущих предприятий микроэлектроники России.
6. Ожидаемые результаты реализации Программы
Выполнение настоящей Программы позволит создать базовое технологическое оборудование проекционной литографии для дальнейшей разработки и выпуска следующих видов СБИС: динамических оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит, базовых матричных кристаллов на 100000 - 1000000 логических вентилей, 32-разрядных микропроцессоров с тактовой частотой 60-200 МГц. Технологический процесс, реализованный на этом оборудовании, будет обладать высокой прецизионностью и устойчивостью к действию внешних факторов, низкой привносимой дефектностью, что обеспечит достижение 70-80 процентов выхода годных СБИС при условии решения всех остальных технологических проблем.
Экономический эффект от реализации настоящей Программы составит 80-100 миллиардов рублей в год в ценах мая 1995 г.
7. Финансирование Программы
(млн.рублей в ценах мая 1995 г.)
Стороны | Затраты всего |
В том числе | |||
1996 г. | 1997 г. | 1998 г. | 1999 г. |
Российская Федерация 24000 2000 16000 6000 -
Республика Белоруссия 24000 2000 8000 10000 4000
Приведенные в таблице данные отражают затраты Российской Стороны, связанные с разработкой и изготовлением опытных образцов оборудования.
Затраты Белорусской Стороны на подготовку производства 20-25 степперов и 30-40 единиц контрольного оборудования в год эквивалентны затратам Российской Стороны.
8. План реализации Программы
Наименование оборудования |
Сроки выпол- нения |
Объемы финансирования (млн. рублей в ценах мая 1995 г.) |
Ожидаемые резу- льтаты |
||||
1996 год |
1997 год |
1998 год |
всего |
1. Установка совме- апрель 650 2900 350 3900 Разработка техни-
щения и мульти- 1996 г.- ческого задания.
пликации для из- апрель Разработка, изго-
готовления СБИС 1998 г. товление и испы-
технологического тание двух опыт-
уровня 0,8 мкм ных образцов,
(размер модуля корректировка те-
16х16 мм с про- хнической докуме-
работкой возмо- нтации.
жности увеличе- Принятие темы,
ния до 20х20 мм) определение объе-
ма дальнейшего
выпуска
2. Эксперименталь- апрель 300 1700 1200 3200 Разработка техни-
ная установка 1996 г.- ческого задания.
совмещения и му- декабрь Разработка, изго-
льтипликации для 1998 г. товление и испы-
изготовления тание эксперимен-
СБИС технологи- тального образца,
ческого уровня корректировка те-
0,6 мкм хнической докуме-
(размер модуля нтации.
15х15 мм и 10х20 Принятие темы,
мм с проработкой определение по-
возможности уве- рядка дальнейшей
личения до 20х20 работы
мм)
3. Эксперименталь- октябрь 50 2050 1900 4000 Разработка техни-
ная установка 1996 г.- ческого задания.
совмещения и декабрь Разработка, изго-
проекционного 1998 г. товление и испы-
глубокого ульт- тание эксперимен-
рафиолетового тального образца,
экспонирования с корректировка те-
мультипликацией хнической докуме-
для исследования нтации.
ультрабольших и Принятие темы,
сверхскоростных определение по-
интегральных рядка дальнейшей
схем технологи- работы
ческого уровня
0,5 мкм (разре-
шение 0,35-0,45
мкм, размер мо-
дуля 10х20 мм с
проработкой воз-
можности увели-
чения до 15х20
мм)
4. Установка лазер- июль 50 1700 250 2000 Разработка техни-
ного устранения 1996 г.- ческого задания.
дефектов проме- июнь Разработка базо-
жуточных шабло- 1998 г. вой установки
нов комбинированной
ретуши промежуто-
чных шаблонов,
изготовление опы-
тного образца,
корректировка
технической доку-
ментации.
Принятие темы,
определение объе-
ма дальнейшего
выпуска
5. Доработка и из- июнь 200 900 100 1200 Разработка техни-
готовление ус- 1996 г.- ческого задания.
тановки контро- май Доработка устано-
ля топологии на 1998 г. вки,
промежуточных изготовление опы-
шаблонах (ЭМ- тного образца,
6029А) с адап- корректировка
тацией к систе- технической доку-
ме автоматизи- ментации.
рованного про- Принятие темы,
ектирования за- определение объе-
казчика ма дальнейшего
выпуска установок
контроля тополо-
гического рисунка
для СБИС динами-
ческих оператив-
ных запоминающих
устройств класса
16 мегабит
6. Установка авто- август 60 1115 525 1700 Разработка техни-
матического ко- 1996 г.- ческого задания.
нтроля привно- декабрь Разработка, изго-
симых дефектов 1998 г. товление и испы-
промежуточных тание опытного
шаблонов образца,
корректировка
технической доку-
ментации.
Принятие темы,
определение объе-
ма дальнейшего
выпуска
7. Автоматизиро- июль 125 840 210 1175 Разработка техни-
ванный микро- 1996 г.- ческого задания.
скоп для опе- декабрь Разработка микро-
ративного ви- 1998 г. скопа для контро-
зуального ко- ля промежуточных
нтроля проме- шаблонов с пелли-
жуточных шаб- клами,
лонов с пле- изготовление опы-
ночной защитой тного образца,
корректировка
технической доку-
ментации.
Принятие темы,
определение объе-
ма дальнейшего
выпуска
8. Доработка опы- май 180 870 - 1050 Разработка техни-
тного образца 1996 г.- ческого задания.
установки кон- декабрь Доработка устано-
троля микроде- 1997 г. вки автоматичес-
фектов на полу- кого контроля де-
проводниковых фектов уровня
пластинах (ЭМ- СБИС динамических
6069) с авто- оперативных запо-
матизированной минающих уст-
загрузкой ройств класса 16
мегабит,
изготовление опы-
тного образца,
корректировка
технической доку-
ментации.
Принятие темы,
определение объе-
ма дальнейшего
выпуска
9. Доработка опыт- июль 80 340 - 420 Разработка техни-
ного образца 1996 г.- ческого задания.
установки конт- декабрь Доработка устано-
роля макродефе- 1997 г. вки контроля де-
ктов (ЭМ-6079) фектов технологи-
ческой обработки
пластин, изготов-
ление двух опы-
тных образцов,
корректировка
технической доку-
ментации.
Принятие темы,
определение объе-
ма дальнейшего
выпуска
10. Установка изме- июль 75 975 125 1175 Разработка техни-
рения координат 1996 г.- ческого задания.
элементов топо- август Разработка уста-
логии промежу- 1998 г. новки, обеспечи-
точных шаблонов вающей контроль
с контролем сов- промежуточных ша-
мещаемости ком- блонов уровня
плекта СБИС динамичес-
ких оперативных
запоминающих уст-
ройств 16-64 ме-
габит, изготовле-
ние опытного об-
разца, корректи-
ровка технической
документации.
Принятие темы,
определение объе-
ма дальнейшего
выпуска
11. Установка конт- июль 50 730 270 1050 Разработка техни-
роля профиля по- 1996 г.- ческого задания.
лупроводниковых декабрь Разработка уста-
структур с авто- 1998 г. новки контроля
матической за- технологических
грузкой структур, изгото-
вление опытного
образца,
корректировка
технической доку-
ментации.
Принятие темы,
определение объе-
ма дальнейшего
выпуска
12. Модернизация ус- август 100 790 185 1075 Разработка техни-
тановки измере- 1996 г.- ческого задания.
ния микроразме- июль Модернизация ус-
ров (ЭМ-6059) 1998 г. тановки измерения
микроразмеров,
изготовление опы-
тного образца,
корректировка
технической доку-
ментации.
Принятие темы,
определение объе-
ма дальнейшего
выпуска
13. Зондовый ав- июль 80 1090 885 2055 Разработка техни-
томат для пла- 1996 г.- ческого задания.
стин диаметром ноябрь Разработка зондо-
200 мм и эле- 1998 г. вого автомата,
ментом контак- изготовление двух
тирования 1 мкм опытных образцов,
корректировка
технической доку-
ментации.
Принятие темы,
определение объе-
ма дальнейшего
выпуска.
-------------------------------------------------------------------------
Итого 2000 16000 6000 24000
Примечания: 1. В процессе выполнения настоящая Программа может корректироваться по согласованию Сторон.
2. Координацию работ по Программе и контроль за ее выполнением осуществляет научно-техническая ассоциация по микроэлектронным технологиям "Субмикро".
Если вы являетесь пользователем интернет-версии системы ГАРАНТ, вы можете открыть этот документ прямо сейчас или запросить по Горячей линии в системе.
Соглашение между Правительством Российской Федерации и Правительством Республики Белоруссия о сотрудничестве в области создания оптико-механического и контрольного оборудования для производства сверхбольших интегральных схем с топологическими элементами 0,8-0,5 мкм (Москва, 13 июня 1996 г.)
Текст соглашения опубликован в Бюллетене международных договоров, 1997 г., N 1, стр. 79
Соглашение вступило в силу 16 июля 1996 г.