Откройте актуальную версию документа прямо сейчас
Если вы являетесь пользователем интернет-версии системы ГАРАНТ, вы можете открыть этот документ прямо сейчас или запросить по Горячей линии в системе.
Вход
Купить систему ГАРАНТ
Получить демо-доступ
Узнать стоимость
Информационный банк
Подобрать комплект
Семинары
- Главная
- Закон Красноярского края от 26 декабря 2000 г. N 13-1094 "О краевой целевой программе "Создание производства полупроводникового кремния в Красноярском крае" на 2000-2002 годы"
- Приложение. Краевая целевая программа "Создание производства полупроводникового кремния в Красноярском крае" на 2000-2002 годы
Приложение. Краевая целевая программа "Создание производства полупроводникового кремния в Красноярском крае" на 2000-2002 годы
Приложение
к Закону края
от 26 декабря 2000 г. N 13-1094
Паспорт
краевой целевой программы
"Создание производства полупроводникового кремния
в Красноярском крае" на 2000-2002 годы
Наименование программы краевая целевая программа "Создание
производства полупроводникового кремния
в Красноярском крае" на 2000-2002 годы
Основание для разработки Соглашение между администрацией
программы Красноярского края и Министерством
Российской Федерации по атомной энергии
от 06.08.99 г. N 127 "О сотрудничестве при
создании производства полупроводникового
кремния в Красноярском крае"
Государственный заказчик комитет по науке и высшему образованию
программы администрации края
Основные разработчики комитет по науке и высшему образованию
программы администрации края;
cпециальное конструкторско-технологическое
бюро "Наука" Красноярского научного центра
Сибирского отделения РАН;
Красноярский государственный университет;
Лесосибирский педагогический институт
филиал Красноярского государственного
университета
Цель программы объединение научно-технического потенциала
края и промышленных предприятий для
ускорения создания комплексного
производства полупроводникового кремния в
Красноярском крае
Срок реализации программы 2000-2002 годы
Направления реализации привлечение научных организаций
программы Красноярского научного центра Сибирского
отделения РАН, вузов и промышленных
предприятий края для проведения научно-
исследовательских и опытно-конструкторских
работ для создания нестандартного
технологического и электротехнического
оборудования по производству кремния:
разработка системы контроля и сертификации
качества поликристаллического кремния на
основе требований международных стандартов;
разработка технологического регламента на
проектирование производственного участка
контроля и сертификации качества
поликристаллического кремния;
исследование процесса тепломассопереноса в
системе кристалл-расплав при выращивании
монокристаллического кремния;
разработка измерительно-вычислительного
комплекса для контроля удельного
электрического сопротивления контрольных
монокристаллов кремния двухзондовым
методом;
разработка и изготовление установки для
измерения времени жизни неосновных
носителей заряда в полупроводниковом
кремнии бесконтактным сверхвысокочастотным
методом;
разработка методик и измерительно-
вычислительного комплекса для измерения
основных параметров полупроводников на
основе эффекта Холла и инфракрасной
спектрометрии;
разработка установки для определения типа
электропроводности монокристаллического
кремния;
разработка измерительно-вычислительного
комплекса для контроля четырехзондовым
методом удельного электрического
сопротивления шайб кремния диаметром
до 200 мм;
подготовка специалистов для производства
полупроводникового кремния на базе вузов
и Красноярского научного центра Сибирского
отделения РАН
Главный распорядитель комитет по науке и высшему образованию
бюджетных средств администрации Красноярского края
| Объемы финансирования из краевого бюджета |
Всего | 2000 год | 2001 год | 2002 год |
| 6060 | 1250 | 3865 | 945 |
Ожидаемые конечные результаты аппаратура для определения
реализации программы электрофизических параметров
полупроводникового кремния.
Система контроля и сертификации качества
поликристаллического кремния на основе
требований международных стандартов (SEMI
и ASTM).
Технологический регламент на проектирование
производственного участка контроля и
сертификации качества поликристаллического
кремния.
Система контроля качества и
метрологического обеспечения производства
пластин монокристаллического кремния.
Методика и оборудование для измерения
электрофизических параметров
полупроводникового кремния на основе
эффекта Холла и инфракрасной спектрометрии.
Установка для измерения времени жизни
неосновных носителей заряда в
полупроводниковом кремнии бесконтактным
СВЧ-методом. Подготовка 20 специалистов для
производства полупроводникового кремния на
Горно-химическом комбинате
Организация контроля за комитет по науке и высшему образованию
исполнением программы администрации края
Обоснование
краевой целевой программы
"Создание производства полупроводникового кремния
в Красноярском крае" на 2000-2002 годы
На Горно-химическом комбинате Министерства Российской Федерации по атомной энергии на основании Указа Президента Российской Федерации от 25.01.95 г. N 72 "О государственной поддержке структурной перестройки и конверсии атомной промышленности в г.Железногорске Красноярского края" и Постановления Правительства Российской Федерации от 05.04.97 г. N 392 реализуется инвестиционный проект "Организация комплексного производства полупроводникового монокристаллического кремния на ГХК Министерства Российской Федерации по атомной энергии".
Создаваемое производство является одним из масштабных конверсионных проектов, способных в значительной степени решить проблему занятости персонала, высвобождаемого с военных производств, обеспечить выпуск конкурентоспособной продукции, обеспечить развитие научно-технического комплекса Красноярского края. На государственном предприятии "Красноярский машиностроительный завод" разработана и изготовлена установка по автоматическому выращиванию монокристаллов кремния диаметром до 150-200 мм 221УА100, в настоящее время идет отработка техпроцессов выращивания монокристаллов кремния.
Для производства поликристаллического кремния методом водородного восстановления хлорсиланов на государственном предприятии "Красноярский машиностроительный завод" изготовлена установка 221УП200, которая также проходит производственные испытания.
Полупроводниковый кремний является основным материалом современной полупроводниковой электроники, силовой электроники и солнечной энергетики. В развитых странах производство этого стратегического материала, элементов и устройств на его основе является исключительно важной составной частью национальной экономики и в значительной степени определяет уровень развития высокотехнологических отраслей промышленности, систем коммуникации и национальной безопасности. В течение ближайших десятилетий нельзя ожидать замены этого материала на какой-нибудь другой в производстве вычислительной техники, средств связи, систем автоматики и во всех других устройствах, основанных на твердотельной электронике.
Оценка существующего положения и перспектив развития мирового рынка полупроводникового кремния свидетельствует о явной тенденции к значительному возрастанию спроса на этот материал в ближайшие годы. Складывающаяся рыночная конъюнктура создает благоприятные условия для выхода на мировой рынок. Однако, по оценкам специалистов, эта благоприятная ситуация сохранится в течение ближайших 2-3 лет, после чего ниши на мировом рынке производителей полупроводникового кремния будут заняты. Это обстоятельство определяет необходимость высоких темпов развития его производства в России.
Учитывая большую перспективность наукоемких производств, администрация края подписала Соглашение "О сотрудничестве при создании полупроводникового кремния в Красноярском крае" с Министерством Российской Федерации по атомной энергии.
Настоящая программа является конкретизацией основных пунктов данного Соглашения и включает:
- привлечение научных организаций Красноярского научного центра Сибирского отделения РАН, вузов, промышленных предприятий края для изготовления нестандартного технологического и электротехнического оборудования для оснащения кремниевого производства;
- подготовку специалистов-технологов для кремниевого производства.
Основные цели и задачи программы
Основной целью программы является объединение научно-технического потенциала края и промышленных предприятий для ускорения создания комплексного производства полупроводникового кремния в Красноярском крае.
Основные задачи программы:
- на основе имеющегося научно-технического потенциала организаций Красноярского научного центра Сибирского отделения РАН и вузов Красноярского края ускорить выпуск конкурентоспособного на мировом рынке полупроводникового кремния;
- привлечь промышленные предприятия для выпуска нестандартного технологического и электротехнического оборудования для оснащения производства поликристаллического и монокристаллического кремния;
- осуществить на базе вузов г.Красноярска подготовку специалистов-технологов.
Механизм реализации программы
Реализацию программы обеспечивает комитет по науке и высшему образованию администрации края, который осуществляет организационные, методические и контрольные функции.
Комитет по науке и высшему образованию администрации края осуществляет координацию деятельности научных организаций Сибирского отделения РАН, вузов, предприятий и других организаций, принимающих участие в выполнении данной программы.
Выполнение мероприятий осуществляется на основе заключения договоров комитетом по науке и высшему образованию администрации края и головным исполнителем - специальным конструкторско-технологическим бюро "Наука" Красноярского научного центра Сибирского отделения РАН в установленном порядке.
Финансирование мероприятий краевой целевой программы "Создание производства полупроводникового кремния в Красноярском крае на 2000-2002 годы" осуществляется за счет средств краевого бюджета на основании актов приемки-сдачи работ.
Контроль за ходом реализации программы, контроль за ходом выполнения программы осуществляется комитетом по науке и высшему образованию администрации края.
Не реже одного раза в полугодие вопрос о реализации программы выносится на обсуждение координационного совета при Губернаторе края.
Распорядитель бюджетных средств ежеквартально предоставляет отчет о выполнении программы в Главное финансовое управление администрации края.
Приобретенное и изготовленное в процессе выполнения данной программы оборудование является собственностью комитета по науке и высшему образованию администрации края. Право на интеллектуальную собственность, созданную в процессе выполнения данной программы, принадлежит комитету по науке и высшему образованию администрации края.
Мероприятия краевой целевой программы
"Создание производства полупроводникового кремния
в Красноярском крае" на 2000-2002 годы
/----------------------------------------------------------------------------------------------------\
| | Главный рас- | | Объем финансирования |Форма расхо-|Источники|
| Мероприятия | порядитель | | (тыс.руб.) |дования бюд-|финанси- |
| | бюджетных |Исполнители|-----------------------------|жетных ср-в | рования |
| | средств | |Всего|2000 г.|2001 г.|2002 г.| | |
| | | | | | | | | |
|--------------------+--------------+-----------+-----+-------+-------+-------+------------+---------|
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------|
| I. Научно-исследовательские работы |
| |
|1.1. Исследование комитет по Красноярс- 140 40 75 25 оплата това- краевой |
|процессов тепломас- науке и высше- кий научный ров, работ, бюджет |
|сопереноса в системе му образованию центр СО услуг |
|кристалл-расплав, администрации РАН, СКТБ |
|оптимизация процес- края "Наука" |
|сов роста получения |
|монокристаллов боль- |
|шого диаметра (200- |
|300 мм) по методу |
|Чохральского с пре- |
|дельными параметрами |
|по чистоте (примес- |
|ному составу), одно- |
|родности и структур- |
|ного совершенства |
| |
|1.2. Исследование и 190 40 80 70 краевой |
|разработка систем бюджет |
|электромагнитного |
|воздействия на расп- |
|лав в тигле при вы- |
|ращивании кремния |
|диаметром 150-200 мм |
| |
|1.2.1. Привлечение Красноярс- 165 15 80 70 оплата това- |
|научных организаций кий научный ров, работ, |
| центр СО услуг, бюдж. |
| РАН, СКТБ инвестиции |
| "Наука" |
|1.2.2. Приобретение |
|оборудования (ком- |
|пьютер) 25 25 - - |
| |
|1.3. Исследование 390 70 250 70 краевой |
|процессов дефектооб- бюджет |
|разования при выра- |
|щивании монокристал- |
|лов кремния и его |
|термообработки |
| |
|1.3.1. Привлечение Красноярс- 357,6 49,4 238,2 70 оплата това- |
|научных организаций кий научный ров, работ, |
| центр СО услуг, бюдж. |
| РАН, СКТБ инвестиции |
| "Наука" |
|1.3.2. Приобретение |
|оборудования (ком- |
|пьютер, принтер) 32,4 20,6 11,8 - |
| |
|1.4. Разработка ме- 360 200 80 80 краевой |
|тодик и оборудования бюджет |
|для измерения основ- |
|ных параметров полу- |
|проводников на осно- |
|ве эффекта Холла и |
|инфракрасной спект- |
|рометрии. |
| |
|1.4.1. Привлечение Красноярс- 283,2 61,6 40 40 оплата това- |
|научных организаций кий научный ров, работ, |
| центр СО услуг |
| РАН, СКТБ |
| "Наука", |
|1.4.2. Приобретение Лесосибирс- |
|оборудования (ком- кий педаго- |
|пьютер - 2 шт., гический |
|принтер, сетевое институт бюджетные |
|оборудование) филиал инвестиции |
| КрасГУ 76,8 76,8 - - |
| |
| |
| II. Разработка и изготовление контрольно-метрологического |
| оборудования |
| |
|2.1. Разработать и Комитет по 950 300 600 50 краевой |
|изготовить вычисли- науке и высшему бюджет |
|тельный комплекс ко- образованию |
|нтроля удельного администрации |
|электросопротивления края |
|4-зондовым методом |
|шайб кремния диамет- |
|ром до 200 мм. |
| |
|2.1.1. Привлечение Красноярс- 528,7 84,1 394,6 50 оплата това- |
|научных организаций кий научный ров, работ, |
| центр СО услуг, бюдж. |
|2.1.2. Приобретение РАН, СКТБ инвестиции |
|оборудования (ком- "Наука" |
|пьютер - 2 шт., |
|принтер, модем, |
|программное обеспе- |
|чение, комплектующие |
|изделия и материалы) 421,3 215,9 205,4 - |
| |
|2.2. Выпуск опытной 1350 - 1000 350 краевой |
|партии вычислитель- бюджет |
|но-измерительного |
|комплекса |
| |
|2.2.1. Привлечение Красноярс- 1004,1 - 724,1 280 оплата това- |
|научных организаций кий научный ров, работ, |
| центр СО услуг, бюдж. |
|2.2.2. Приобретение РАН, СКТБ инвестиции |
|оборудования (ком- "Наука" |
|пьютер - 2 шт., |
|принтер, модем, |
|программное обеспе- |
|чение, комплектующие |
|изделия и материалы) 345,9 - 275,9 70 |
| |
|2.3. Разработать и 200 80 100 20 краевой |
|изготовить установку бюджет |
|для определения типа |
|электропроводимости |
|монокристаллического |
|кремния |
| |
|2.3.1. Привлечение Красноярс- 154,5 69 65,5 20 оплата това- |
|научных организаций кий научный ров, работ, |
| центр СО услуг, бюдж. |
|2.3.2. Приобретение РАН, СКТБ инвестиции |
|оборудования (прин- "Наука" |
|тер, комплектующие |
|изделия и материалы) 45,5 11 34,5 - |
| |
|2.4. Выпуск опытной 300 - 250 50 краевой |
|партии установок бюджет |
| |
|2.4.1. Привлечение Красноярс- 150 - 100 50 оплата това- |
|научных организаций кий научный ров, работ, |
| центр СО услуг, бюдж. |
|2.4.2. Приобретение РАН, СКТБ инвестиции |
|оборудования (комп- "Наука" |
|лектующие изделия и |
|материалы) 150 - 150 - |
| |
|2.5. Разработка и 750 300 400 50 краевой |
|изготовление уста- бюджет |
|новки для измерения |
|времени жизни неос- |
|новных носителей за- |
|ряда в полупроводни- |
|ковом кремнии бес- |
|контактным СВЧ-ме- |
|тодом |
| |
|2.5.1. Привлечение Красноярс- 276,9 40,9 186 50 оплата това- |
|научных организаций кий научный ров, работ, |
| центр СО услуг, бюдж. |
|2.5.2. Приобретение РАН, СКТБ инвестиции |
|оборудования (ком- "Наука" |
|пьютер - 2 шт., |
|принтер, модем, |
|комплектующие изде- |
|лия и материалы) 473,1 259,1 214 - |
| |
|2.6. Выпуск опытной 750 - 700 50 краевой |
|партии установок бюджет |
| |
|2.6.1. Привлечение Красноярс- 408 - 358 50 оплата това- |
|научных организаций кий научный ров, работ, |
| центр СО услуг, бюдж. |
|2.6.2. Приобретение РАН, СКТБ инвестиции |
|оборудования (комп- "Наука" |
|лектующие изделия и |
|материалы) 342 - 342 - |
| |
|2.7. Разработка сис- Красноярс- 180 80 80 20 оплата това- краевой |
|темы контроля и сер- кий научный ров, работ, бюджет |
|тификации качества центр СО услуг |
|поликристаллического РАН, СКТБ |
|кремния на основе "Наука" |
|требований стандар- |
|тов SEMI и ASTM |
| |
|2.8. Разработка тех- Красноярс- 160 50 100 10 оплата това- краевой |
|нологического регла- кий научный ров, работ, бюджет |
|мента на проектиро- центр СО услуг |
|вание производствен- РАН, СКТБ |
|ного участка контро- "Наука" |
|ля и сертификации |
|качества поликрис- |
|таллического кремния |
| |
|2.9. Разработка сис- Красноярс- 190 40 100 50 оплата това- краевой |
|темы контроля и ка- кий научный ров, работ, бюджет |
|чества метрологичес- центр СО услуг |
|кого обеспечения РАН, СКТБ |
|производства пластин "Наука" |
|монокристаллического |
|кремния |
| |
| |
| III. Подготовка специалистов |
| |
|3.1. Подготовка спе- комитет по Красноярс- 150 50 50 50 оплата това- краевой |
|циалистов для произ- науке и высше- кий госу- ров, работ, бюджет |
|водства и контроля му образованию дарственный услуг |
|качества полупровод- администрации университет |
|никового кремния края |
| |
| |
|Итого по программе: 6060 1250 3865 945 |
\----------------------------------------------------------------------------------------------------/
Оценка социально-экономической эффективности
реализации программы
Реализация мероприятий программы позволит:
- обеспечить научно-методическое и метрологическое сопровождение производства полупроводникового кремния в крае;
- подготовить специалистов для производства и контроля качества полупроводникового кремния;
- ускорить запуск промышленного производства полупроводникового кремния, что даст возможность создать около четырех тысяч новых рабочих мест, а это значительно снизит остроту социальных проблем конверсионных предприятий края.
Бюджетная заявка на ассигнования
из краевого бюджета на 2000 год
| Наименование | Объемы финансирования, тыс.руб. |
| 111010 Оплата услуг научно-исследовате- льских организаций 591,6 240120 Приобретение непроизводственного оборудования и предметов длитель- ного пользования для государст- венных учреждений 608,4 111040 Прочие текущие расходы 50 800000 Итого 1250 |
|
|
<< Статья 2 Статья 2 |
||
|
Содержание Закон Красноярского края от 26 декабря 2000 г. N 13-1094 "О краевой целевой программе "Создание производства полупроводникового... |