Приказ Министерства промышленности и энергетики РФ от 7 августа 2007 г. N 311 "Об утверждении Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года"

Паспорт Стратегии

 

 1.   Наименование стратегии       Стратегия    развития     электронной

                                   промышленности России  на  период  до

                                   2025 г.

  2.  Дата, номер и наименование   Поручение  Правительства  РФ    от 26

      нормативного акта о          сентября    2005 г.     N МФ-П9-4838,

      подготовке стратегии         одобрена на  заседании  Правительства

                                   РФ от 21  сентября  2006 г.  протокол

                                   N 33

  3.  Государственный              Министерство         промышленности и

      заказчик-координатор         энергетики Российской Федерации

      Стратегии

  4.  Основные разработчики        Министерство         промышленности и

      Стратегии                    энергетики   Российской    Федерации,

                                   Федеральное              агентство по

                                   промышленности, Министерство  обороны

                                   Российской   Федерации,   Федеральное

                                   агентство   по    атомной    энергии,

                                   Федеральное  космическое   агентство,

                                   Федеральное  агентство  по    науке и

                                   инновациям, Федеральное агентство  по

                                   образованию

  5.  Системная                    Основная      системная      проблема

      социально-экономическая      заключается  в   увеличении   объемов

      проблема, решаемая           продаж   отечественной    электронной

      Стратегией                   компонентной базы (ЭКБ),  преодоление

                                   уровня  технологического   отставания

                                   отечественной             электронной

                                   промышленности от мирового  уровня  и

                                   повышение  конкурентоспособности   ее

                                   продукции  на  внутреннем  и  мировом

                                   рынках сбыта

  6.  Ожидаемые результаты         -   выполнение   целей       и задач,

      реализации стратегии,        поставленных   Президентом    РФ    в

      целевые индикаторы           "Основах     политики      Российской

                                   Федерации    в    области    развития

                                   электронной  компонентной     базы на

                                   период  до   2010 г.   и   дальнейшую

                                   перспективу", а также в  национальных

                                   проектах   Российской     Федерации в

                                   области здравоохранения, образования,

                                   доступного    жилья    и    сельского

                                   хозяйства;

                                   - увеличение объемов  продаж  ЭКБ  на

                                   внутреннем и внешнем рынках;

                                   -  снижение  уровня  технологического

                                   отставания России в области ЭКБ;

                                   -       обеспечение       необходимых

                                   тактико-технических     характеристик

                                   ВВСТ в соответствии с Государственной

                                   программой вооружений;

                                   -     удовлетворение     потребностей

                                   отраслей   народного      хозяйства в

                                   современной отечественной электронной

                                   компонентной базе и,  как  следствие,

                                   повышение       конкурентоспособности

                                   отечественной продукции на мировом  и

                                   внутреннем рынках сбыта;

                                   -  весомый  вклад  в  решение  задачи

                                   удвоения ВВП за десятилетний  период,

                                   так  как  отрасль  дает  значительный

                                   мультипликативный  эффект  в  смежных

                                   областях;

                                   -   повышение   уровня    потребления

                                   электронной   продукции    населением

                                   России.

                                   Целевым    индикатором     реализации

                                   Стратегии   является      освоенный в

                                   производстве технологический  уровень

                                   электронной продукции

  7.  Цели и задачи стратегии      1.      Реформирование      структуры

                                   электронной           промышленности,

                                   оптимизация  методов   и   механизмов

                                   государственного         управления и

                                   государственно-частного партнерства.

                                   2.   Реконструкция   и    техническое

                                   перевооружение            электронных

                                   производств.

                                   3.  Развитие  сети    межотраслевых и

                                   отраслевых   центров   проектирования

                                   микроэлектронных        компонентов и

                                   "систем на кристалле".

                                   4.       Приоритетное        развитие

                                   технологической  и   производственной

                                   базы   твердотельной   и    вакуумной

                                   СВЧ-электроники.

                                   5. Приоритетное развитие разработок и

                                   производства радиационно стойкой ЭКБ,

                                   включая вакуумную.

                                   6.       Приоритетное        развитие

                                   микросистемотехники.

                                   7.       Приоритетное        развитие

                                   микроэлектроники.

                                   8.       Приоритетное        развитие

                                   наноэлектроники.

                                   9. Приоритетное развитие  электронных

                                   материалов и структур.

                                   10.  Принятие  мер  по  существенному

                                   расширению  позиций   на   внутреннем

                                   рынке.

                                   11.   Принятие   мер   по   изменению

                                   существующего       законодательства,

                                   обеспечивающих реализацию мероприятий

                                   данной Стратегии

  8.  Сроки и этапы реализации     Стратегия  будет    реализовываться в

      Стратегии                    2007-2025 годах в три этапа:

                                   первый этап - 2007-2011 годы;

                                   второй этап - 2012-2015 годы;

                                   третий этап - 2016-2025 годы

  9.  Перечень основных            1.  Создание   и   развитие   базовых

      мероприятий                  центров  системного   проектирования,

                                   национальной  сети   дизайн-центров и

                                   Межотраслевого Центра проектирования,

                                   каталогизации     и      изготовления

                                   фотошаблонов.

                                   2.     Развитие          разработок и

                                   реконструкция      и      техническое

                                   перевооружение            производств

                                   СВЧ-электроники.

                                   3.     Развитие          разработок и

                                   реконструкция      и      техническое

                                   перевооружение            производств

                                   радиационностойкой ЭКБ.

                                   4.  Развитие  разработок  и  создание

                                   производств микросистемной техники на

                                   базе  интеллектуальных     сенсоров и

                                   передовых           полупроводниковых

                                   технологий.

                                   5.     Реконструкция      действующих

                                   производств        микроэлектроники и

                                   создание            микроэлектронного

                                   производства      с       современным

                                   технологическим   уровнем,    включая

                                   корпусирование ЭКБ.

                                   6.  Развитие  базовых    технологий и

                                   конструкций приборов оптоэлектроники,

                                   квантовой  и  магнитной  электроники,

                                   пассивных            радиоэлектронных

                                   компонентов.

                                   7. Создание новых высокотехнологичных

                                   материалов    для       электроники и

                                   организация их серийного производства

 10.  Объемы и источники

      финансирования Стратегии

      (в ценах соответствующих

      лет), в том числе:

      1 этап (2007-2011 годы)      49442,22 млн. руб., в том числе:

                                   30478,32   млн.   руб.    федеральный

                                   бюджет;

      2 этап (2012-2015)

                                   63250 млн. руб., в том числе:

                                   38916 млн. руб. федеральный бюджет;

      3 этап (2016-2025 годы)

                                   115000,0 - 135000,0 млн. руб., в  том

                                   числе:

                                   70000,0   -   80000,0       млн. руб.

                                   федеральный бюджет

Введение

 

Под Стратегией развития электронной промышленности России (далее Стратегия) понимается взаимоувязанная по целям, задачам, срокам реализации, финансовому обеспечению и мерам государственной поддержки совокупность целевых функций, принципов и решений, которые должны реализовываться в федеральных целевых, межотраслевых и отраслевых программах, инвестиционных проектах и комплексах внепрограммных мероприятий, обеспечивающих динамичное развитие отрасли на перспективу.

Стратегия, в первую очередь, согласуется с целями государства в области высоких технологий и направлена на реализацию мероприятий по обеспечению разработки и организации выпуска отечественной электронной компонентной базы (ЭКБ).

Инструментом Стратегии являются федеральные, межгосударственные, межотраслевые, отраслевые и ведомственные целевые программы и подпрограммы.

Так, например, в 2007 году основой Стратегии будет Подпрограмма "Развитие электронной компонентной базы на 2007-2011 гг." ФЦП "Национальная технологическая база России на 2007-2011 годы". С 2008 года базой реализации Стратегии до 2015 года будет новая федеральная целевая программа "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы.

Одновременно развитие ЭКБ будет проводиться в рамках следующих программ "Развитие оборонно-промышленного комплекса РФ на 2007-2010 годы и на период до 2015 года" и "Глобальная навигационная система".

В соответствии с поставленной Советом Безопасности от 20 июня 2006 года задачей разработки прогноза и программы научного и технологического развития российской экономики до 2025 года Стратегия развития электронной промышленности с учетом достигаемых результатов реализации Подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы на 2007-2011 годы" и новых задач по обеспечению отечественной ЭКБ охватывает ближний период до 2011 года, средний период до 2015 года и дальний период 2025 года. Конкретизация задач Стратегии на указанные периоды будет определяться в рамках федеральных целевых программ, в первую очередь определяемыми установленными приоритетами государственной политики.

"Основами политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу", утвержденными Президентом Российской федерации 11 апреля 2002 г., развитие ЭКБ отнесено к числу приоритетов технической политики российского государства. Данный документ учитывает, что с середины ХХ века электронная промышленность - ключевая отрасль для благосостояния государства. Мировой опыт показывает, что:

- электроника производит больше добавочной стоимости, чем любая другая промышленная отрасль;

- электронная промышленность контролирует в три раза больше рабочих мест, чем производит;

- большинство других отраслей и государственных структур не смогут работать без использования достижений электроники;

- электроника составляет 30% от общих инвестиций в промышленность;

- в последующие 10 лет электронная промышленность увеличит более чем в два раза мировой ВВП.

Электронная промышленность самая быстро развивающаяся отрасль. За период 1980-2005 годы совокупные темпы годового роста составили в электронике - 7,5%, гражданской авиации - 5%, химической промышленности - 5%, автомобильной промышленности - 3%, нефтяной промышленности - 2%, мировом ВВП - 3%.

Однако состояние отечественной технологической базы, разработок, серийного производства ЭКБ свидетельствует о том, что электронная промышленность Российской Федерации находится в глубоком структурно-технологическом кризисе. На фоне динамичного развития мировой электроники отечественная электронная промышленность последние 10-15 лет стагнирует.

Основными причинами, сдерживающими развитие отечественной ЭКБ, являются:

- резкое падение объемов производства и сокращение номенклатуры серийно выпускаемых электронных компонентов военного назначения;

- постоянное повышение доли устаревшей ЭКБ, рост применения зарубежных электронных компонентов при одновременном снижении уровня обеспеченности отечественными электронными компонентами ведущихся разработок и серийного производства систем вооружения, военной и специальной техники (ВВСТ);

- моральное и физическое старение технологического оборудования и основных фондов электронной промышленности из-за отсутствия инвестиционных средств на техническое перевооружение в течение последних 15 лет;

- практически полное отсутствие отечественного гражданского сектора производства наиболее наукоемких видов ЭКБ, применяемой в вычислительной технике, средствах связи и телекоммуникациях, навигационном обеспечении и т.д.;

- открытие российского рынка для зарубежных производителей бытовой электронной техники при отсутствии какой-либо государственной протекционистской политики. За 15 лет импортная электроника и средства мобильной связи стали практически доминирующими на российском рынке.

В результате негативного проявления указанных факторов в электронной промышленности имеют место следующие тенденции:

- во вновь разрабатываемых отечественных ВВСТ применяется до 70% иностранных электронных компонентов. В силу действующих за рубежом ограничений на поставку в Россию специальных электронных компонентов, разработчикам радиоэлектронных средств приходится довольствоваться не соответствующей необходимым требованиям заказчиков номенклатурой импортной ЭКБ, что приводит к целому ряду негативных моментов и в частности к дополнительным затратам на вынужденную проверку изделий при ее применении;

- утрачены технологии производства ЭКБ разработки 70 - 80-х годов, хотя и устаревшей, но являющейся основой находящихся в настоящее время на вооружении образцов ВВСТ, причем потери технологий составляют 40-50%. Частично это связано с распадом СССР, после которого часть электронных производств осталась вне России (Украина, Беларусь, Прибалтика, Армения), нарушилась сложившаяся кооперация. Наиболее существенные потери понесло производство радиационно стойкой компонентной базы;

- из-за технологического отставания в области твердотельной СВЧ электроники имеются серьезные проблемы в создании современного радиолокационного вооружения, использующего активные фазированные антенные решетки (зенитно-ракетные системы, радиолокаторы наземного и авиационного базирования, связные системы).

Сегодня очевидно, что дальнейшее отставание России в такой ключевой области промышленности как производство электронных компонентов крайне опасно и недопустимо, поскольку не позволит перейти от "сырьевой" экономики к экономике "знаний" и обеспечить первоочередное развитие высокотехнологичных отраслей промышленности, решение задач по обеспечению безопасности государства.

Главная задача представляемой Стратегии - предложить на основе всестороннего анализа существующего состояния российской и мировой электроники оптимальный путь развития отечественной электронной промышленности, выбрать приоритеты, сконцентрировать финансовые усилия, как государства, так и частного сектора на ключевых направлениях этого развития.

Реализация настоящей Стратегии должна обеспечить:

- выполнение целей и задач, поставленных Президентом РФ в "Основах политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу", "Основах политики Российской Федерации в области развития оборонно-промышленного комплекса на период до 2012 года и дальнейшую перспективу", "Основах военно-технической политики Российской Федерации на период до 2015 года и дальнейшую перспективу", "Основных направлениях развития вооружения, военной и специальной техники до 2020 года и дальнейшую перспективу".

- ликвидация критического научно-технологического отставания России в области ЭКБ микроэлектроники от развитых стран;

- обеспечение развития тех направлений электронной промышленности, в которых имеются отечественные научно-технические решения и продукция, опережающие мировой уровень, в частности вакуумной СВЧ-электроники;

- достижение необходимых тактико-технических характеристик ВВСТ в соответствии с Государственной программой вооружений;

- удовлетворение потребностей отраслей народного хозяйства в современной отечественной электронной компонентной базе и, как следствие, повышение конкурентоспособности и качества отечественной продукции на мировом и внутреннем рынках сбыта;

- весомый вклад в решение задачи удвоения ВВП за десятилетний период, так как продукция отрасли дает значительный мультипликативный эффект в смежных областях;

- повышение уровня потребления электронной продукции населением России;

- формирование рыночно-ориентированных бизнес-структур на основе развития взаимодействия государства и бизнеса (государственно-частного партнерства).

- Успешную реализацию программных мероприятий федеральных, межгосударственных и межведомственных целевых программ, таких как: "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы, "Развитие ОПК РФ на 2007-2010 годы и на период до 2015 года", "Развитие гражданской авиационной техники России на 2002-2010 годы и на период до 2015 года", "Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации" на 2007-2010 годы, "Совершенствование федеральной системы разведки и контроля воздушного пространства Российской Федерации (2007-2010 годы)", "Антитеррор" (2008-2012 годы) с разделом "Научно-техническое и технологическое обеспечение борьбы с терроризмом", "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса на 2007-2012 годы", "Функциональная СВЧ-электроника-2", Программа СНГ "Радионавигация", новые программы Союзного государства, находящиеся в стадии согласования, "Создание и сертификация современного оборудования для управления воздушным движением", "Создание наукоемкой медицинской техники с использованием критических технологий двойного назначения, разработанных организациями ОПК" на 2007-2009 годы, "Радиотелевизионные цифровые технологии ОПК в интересах телевещания".

Стратегия исходит из реалий нынешней политической, экономической и социальной ситуации в России, опирается на имеющийся научно-технический потенциал отрасли, действующую законодательную базу и ставит задачи с учетом их приоритета в рамках развития экономической инфраструктуры государства и требований отечественного рынка.

1. Системная проблема и ожидаемый результат реализации Стратегии

 

Основная системная проблема заключается в ликвидации критического научно-технологического отставания отечественной электронной промышленности от мирового уровня, повышении конкурентоспособности ее продукции на внутреннем и мировом рынках сбыта и увеличении объемов продаж электронной компонентной базы.

Эта проблема обусловлена низким технологическим уровнем большей части продукции отечественной электронной промышленности, что не позволяет обеспечить конкурентоспособность всей промышленности страны в целом, и становится одним из критических факторов, влияющих на обеспечение обороноспособности и безопасности государства.

Электронная промышленность Российской Федерации - совокупность зарегистрированных на территории страны в соответствии с законодательством Российской Федерации, независимо от организационно-правовых форм и форм собственности, подведомственных Роспрому, электронных организаций, организаций производящих электронные материалы, организаций электронного машиностроения, научно-исследовательских и опытно-конструкторских организаций, обеспечивающих весь цикл разработки, производства, ремонта и утилизации электронной компонентной базы и отдельных ее элементов специального и гражданского назначения.

В настоящее время в состав электронной промышленности входят 200 организаций, в том числе 121 промышленная организация, 18 научно-производственных организаций, 61 научные организации. В их числе 36 федеральных государственных унитарных предприятий и 164 открытых акционерных обществ, в том числе 98 ОАО с государственным участием (из них в 47 обществах государство обладает контрольным пакетом акций) и 66 обществ, акционированных без госучастия.

Ожидается, что в 2007 году в электронной промышленности темп роста промышленного производства в сопоставимых ценах составит более 115,0%, в том числе по специальной продукции - 112,0%. Удельный вес специальной продукции в общем объеме электронной промышленности более 40,0%, а удельный вес работ специального назначения в общем объеме научно-технической продукции более 60,0%. Численность работников электронной промышленности составит 101,0 тыс. чел., из которых в промышленных организациях будет занято - 84,0 тыс. чел. Среднемесячная заработная плата составит соответственно на производственных и в научных организациях в среднем 8,0 тыс. руб. и 12,0 тыс. руб.

В структуре выпускаемой продукции организациями электронной промышленности объем производства изделий электронной компонентной базы составляют 57,3% от общего объема продукции выпущенной организациями.

В России серийно выпускается широкая номенклатура ЭКБ, которая делится на 24 класса, 336 подгрупп (10397 типов) изделий электронной техники и 6 классов, 250 подгрупп (2569 типов) изделий электротехники.

В 2006 году выпущено:

 - интегральных микросхем                             1256,9 млн. шт.,

 в том числе СБИС и ССИС                              356,7 млн. шт.;

 - полупроводниковых приборов                         54,0 млн. шт.;

 - электровакуумных приборов                          129,6 млн. шт.;

 - приборов СВЧ                                       151,2 тыс. шт.;

 -  приборов   оптоэлектронных   и   индикаторов

 знакосинтезирующих                                   9,6 млн. шт.;

 - электронно-оптических приборов и усилителей        253,7 тыс. шт.;

 - радиокомпонентов (конденсаторов,  резисторов,

 соединителей электрических,  изделий  моточных,

 установочных и коммутационных изделий)               495,0 млн. шт.

 

В структуре выпускаемой электронной компонентной базы изделия микроэлектроники (интегральные микросхемы и полупроводниковые приборы) составляют 22,7%, приборы СВЧ - 19,0%, электровакуумные приборы - 13,8%, изделия оптоэлектроники - 1,2%.

Среди пассивных радиокомпонентов на долю соединителей электрических приходится 14,3%, изделий коммутационных и установочных - 8,2%, конденсаторов - 7,3%, резисторов - 4,2%.

За последние 15 лет в результате кардинального изменения структуры государственного управления значительно ослаблено государственное влияние и контроль за деятельностью ведущих организаций отечественной электронной промышленности, таких как: ОАО "Ангстрем", ОАО "НИИ молекулярной электроники с заводом "Микрон", ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов" и др. Полностью отсутствуют производственная кооперация и координация работ организаций отечественной электронной промышленности со значительной частью крупных организаций отрасли, оставшихся за пределами России. Утеряна база разработки и выпуска специального технологического оборудования и специальных материалов. Большинство организаций электронной промышленности стали малорентабельными и убыточными. Преобладающей стала стратегия "выживания", а не лидерства в своей области.

При резком падении заказов от государства организации в большей степени стали ориентироваться на экспортные рынки дешевой низкотехнологичной продукции. Была освоена технология массового производства электронной компонентной базы для конечной продукции бытового назначения (микрокалькуляторов, часов, электронных игр, радиотелевизионной аппаратуры низкого и среднего качества и т.д.).

Объемы реальной товарной продукции, при этом, резко возросли, однако технологический уровень производства остался фактически замороженным, так как общий объем выручки от экспорта (суммарно не более 70-80 млн. долларов в год) не позволял осуществлять сколько-нибудь масштабные инвестиции в развитие производства.

Ситуацию существенно усложнило:

- снижение в 6-8 раз заказов Минобороны России на продукцию электронной промышленности;

- отсутствие государственных капитальных вложений в реконструкцию и строительство передовых производств микроэлектроники, что не позволило обеспечить своевременное освоение новых технологических уровней 0,5-0,35 - 0,25-0,18 мкм. В этот же период времени зарубежная электронная промышленность успешно освоила уровни 0,18-0,13 мкм и перешла к освоению диапазона 0,09-0,065 мкм;

- отсутствие преференций для отечественных производителей на внутреннем рынке по сравнению с зарубежными поставщиками и значительное налоговое бремя (только в 2006 г. в бюджеты всех уровней промышленные организации электронной промышленности перечислили более 3,5 млрд. руб.);

- сокращение объема научных исследований, как в научно-исследовательских институтах, так и институтах Академии наук и высшей школы нарушило сложившиеся связи науки с производством и не дало возможности внедрения новых технологических процессов.

В настоящее время доля России на мировом рынке электронной компонентной базы составляет только 0,23% от объема мирового рынка. В 2005 году мировая электронная промышленность осуществляла производство электронной компонентной базы для военно-промышленного комплекса в размере 5,7%, автомобильной электроники - 9,1%, бытовой электроники - 12,4%, промышленной электроники - 17,6%, телекоммуникаций - 23,6%, электронной обработки данных - 31,6%. Прогноз развития мирового рынка электронной компонентной базы до 2010 года показывает следующие структурные изменения: военно-промышленный комплекс - 5,3% (- 0,4%), автомобильная электроника - 10,4% (+1,3%), бытовая электроника - 13,1% (+0,7%), промышленная электроника - 16,8% (-0,8%), телекоммуникации - 24,4% (+0,8%), электронная обработка данных - 29,8% (-1,8%). Ожидается, что в мире совокупные темпы годового роста электронной компонентной базы до 2012 года составит 6%.

Обобщенные сведения о структуре мирового рынка основных наиболее востребованных и перспективных типах ЭКБ приведены ниже:

 

Таблица 1

 

Структура мирового рынка основных типов ЭКБ, млрд. долларов

 

Тип ЭКБ	2004	2005	2006	2007	2008	2009	2010
Микропроцессоры Микроконтролле- ры DSP ASIC ПЛИС SоC Драйверы дисплеев Аналоговые системы МОМ-память Итого	31,227 11,491 7,053 8,415 3,19 24,020 5,472 30,960 39,314 161,142	34,965 12,655 8,309 9,377 3,832 28,358 6,551 35,719 46,237 186,003	36,584 13,124 9,125 10,188 4,404 32,323 7,621 38,830 47,305 199,504	39,748 14,067 10,173 10,430 4,808 34,350 8,396 40,243 49,566 211,781	44,892 15,655 11,660 11,221 5,547 37,738 9,649 45,443 59,336 241,140	51,257 17,632 13,459 12,561 6,436 42,506 11,273 52,200 72,591 279,917	57,299 19,344 15,072 13,749 7,218 46,258 12,713 58,887 81,774 312,24 3

Значительно ослаблены позиции отечественных производителей электроники на внутреннем рынке - доля импортной ЭКБ в настоящее время составляет 60% от объема электронных изделий, продающихся в России.

Структура современного отечественного рынка электронной техники обусловлена не только потребностями экономики и сферы потребления страны, но и возможностями производства организаций электронной промышленности и импорта иностранной электронной компонентной базы и готовых изделий. Емкость отечественного рынка радиоэлектронной аппаратуры в 2006 году оценивается в 7,9 млрд. долларов, из которых продукция отечественного производства составляет только 3,5 млрд. долларов.

Наиболее значимыми сегментами отечественного рынка радиоэлектронной аппаратуры являются:

- системы электронной обработки данных ~ 2,0 млрд. долларов

- телекоммуникации и связь ~ 1,7 млрд. долларов

- бытовая электроника ~ 1,1 млрд. долларов

- специальная электроника ~ 0,9 млрд. долларов

-промышленная электроника ~ 0,7 млрд. долларов

- прочие виды электроники, включая автомобильную, медицинскую, научную и т.д. ~ 1,5 млрд. долларов

При этом продажа ЭКБ отечественного производства составила только 439 млн. долларов (или 37,5%) из 1,17 млрд. долларов электронных изделий, представленных на внутреннем рынке. Это обусловлено значительным технологическим отставанием и, как следствие, низкой конкурентоспособностью отечественной ЭКБ.

В настоящее время на российский рынок ЭКБ поставляются изделия 162 организаций радиоэлектронного комплекса, а также продукция 24 предприятий-производителей из стран ближнего зарубежья и СНГ.

Более 600 компаний из стран дальнего зарубежья являются активными участниками российского рынка ЭКБ.

Основные сегменты отечественного рынка ЭКБ по количеству участников среди российских организаций и организаций стран СНГ распределились следующим образом:

- интегральные схемы - 52 бренда,

- полупроводниковые приборы - 49,

- оптоэлектроника - 46,

- приборы СВЧ-техники и электровакуумные приборы - 41,

- пьезо- и акустоэлектроника - 32,

- RLC (резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели, катушки

индуктивности) - 75,

- материалы и структуры электронной техники - 25.

Объем продаж микроэлектронной ЭКБ (интегральные схемы и полупроводниковые приборы) на российском рынке в 2006 году составил 630 млн. долларов, в том числе отечественной микроэлектроники на сумму 40 млн. долларов, импортной - на 590 млн. долларов.

Модернизация отечественной экономики в направлении приоритетного развития высокотехнологичных отраслей неизбежно приведет к увеличению объема внутреннего рынка электронной техники, что, в свою очередь, потребует наращивания объемов отечественной ЭКБ новых технологических уровней. Ожидается, что объем отечественного рынка ЭКБ к 2015 г. должен увеличиться в 2,0-2,5 раза. Очевидно, что изменится структура рынка электронной техники в связи с появлением новых перспективных и емких сегментов, таких как системы радиочастотной идентификации, в том числе электронные паспорта с биометрическими данными, средства навигационного и координатного обеспечения, цифровое радио и телевидение и т.д.

Очень важным обстоятельством является то, что в ближайшие годы в России открываются новые рыночные ниши, еще не занятые иностранным производителем. Наличие такого потенциального рынка создает реальные условия для быстрого развития электронного производства. Ниже приведены особенности развития некоторых сегментов рынка.

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 2

 

Оценка инвестиций в 2006 году, млрд. долларов

 

Название фирмы	Инвестиции	Ведущие зарубежные фирмы	Инвестиции
Intel Samsung Hynix TSMC Toshiba Sony Epida UMC	5,5 5,5 3,2 2,7 2,2 1,7 1,5 1,5	Micron Infineon AMD STMicroelectronics SMIC Texas Instruments Matsushita IM flash	1,45 1,4 1,4 1,25 1,2 1,1 1,0 1,0

Для освоения все более дорогостоящих технологий даже крупные фирмы-производители не в состоянии использовать только собственные средства, поэтому они вынуждены создавать технологические альянсы и консолидировать свои средства с государством. В США с этой целью был создан Консорциум правительства и частных компаний SEMATECH, который успешно обеспечил ликвидацию отставания США от Японии в технологии микроэлектроники. В Японии, в свою очередь, при участии государства создана организация SELIT с целью возврата утраченного приоритета в области микроэлектроники.

Страны Европейского союза выполняют комплексные программы освоения новых технологических уровней микро- и нанотехнологии в рамках организационных структур программы "EP7", финансируемых из бюджета ЕС; реализуют комплексную программу MEDIA+, ориентированную на задачу - "Европа становится лидером по системным инновациям в полупроводниковых технологиях, ориентированных на электронную экономику".

Китай уже выполнил государственную программу развития микроэлектроники - "Программа 909" стоимостью более 10 млрд. долларов - и в настоящее время стал в ряд крупнейших производителей ЭКБ. Вновь построенные китайские микроэлектронные производства характеризуются уровнем технологии 0,18-0,13 мкм, что позволяет решать задачи массового выпуска электронной компонентной базы для развивающегося приборостроения самого современного мирового уровня.

В период осуществления текущей пятилетки в КНР, по данным министерства информационных технологий, предполагается осуществить инвестиции в микроэлектронику на сумму 37-45 млрд. долларов для создания:

- пяти крупных фирм проектирования СБИС (стоимость от 375 млн. долларов до 624, 2 млн. долларов);

- десяти электронных компаний, занятых разработкой технологий, материалов и спецтехнологического оборудования (стоимость от 125 млн. долларов до 375 млн. долларов);

- пятнадцати кремниевых заводов по обработке пластин 200 мм (10 заводов) и 300 мм (5 заводов).

В КНР планируется за 11-ю пятилетку достичь полного самообеспечения всем комплексом средств для обработки 150 мм пластин (чистые среды, материалы, оборудование), освоить и коммерциализировать оборудование литографии (главный определяющий фактор освоения технологии) для пластин 200 мм и оборудование лазерной обработки для технологий уровня 65 нм. Решение этих задач позволяет КНР избавиться от технологической зависимости и наращивать объемы производства ЭКБ в соответствии с потребностями растущего внутреннего производства аппаратуры и систем.

Среднегодовые темпы роста производства СБИС за этот период составят 28,1%. К 2010 г. КНР станет крупнейшим в мире производителем полупроводниковых приборов - около 150 млрд. долларов.

Как показали итоги 2005 г. наилучшие позиции заняли китайские фирмы в тех секторах рынка ИС, по которым проводились специализированные программы. Программа по введению биометрических паспортов, средств доступа на основе смарт-карт осуществляется по государственной программе, предусматривающей использование только отечественных кристаллов СБИС, что обеспечивает необходимую безопасность на государственном уровне. Также ставится задача максимального обеспечения стратегических и специальных систем, включая космическую программу, ЭКБ собственного производства.

Другим примером является программное развитие изделий микросистемотехники в США и Японии, объем производства которых в США в 2005 году составил более 10 млрд. долларов, а Япония планирует достичь годового уровня производства в 17 млрд. долларов. В нашей стране это направление пока находится в зародышевом состоянии.

В последнее десятилетие четко прослеживается тенденция перемещения производства микроэлектронной техники в страны Юго-Восточной Азии, что позволяет США, Японии, Европе резко усилить научные направления поиска новых перспективных технологий (нанотехнология, микросистемотехника, биоэлектроника и др.). При этом правительства развитых западных государств оказывают поддержку данным ключевым направлениям науки, техники и производства.

В мире действуют "Международная карта развития полупроводниковых приборов", которая определяет главные показатели развития микроэлектроники до 2018 г. и ежегодно обновляется. Это, по сути дела, программный документ развития, по которому страны с передовой электроникой сверяют достигнутые технологические уровни и осуществляют формирование программ развития.

Таким образом, практически все ведущие экономики мира стимулируют развитие микроэлектроники путем комбинированных инвестиций за счет средств государственных бюджетов и частного капитала, признавая ведущую роль этой отрасли в развитии общества.

Выше приведенные данные по развитию мировой электроники в очередной раз подчеркивают необходимость планового развития электроники и определяющую роль государства в ее финансовой и организационной поддержке.

В период 2002-2006 гг. основное развитие отечественной электроники осуществлялось в процессе реализации раздела "Электронная компонентная база" Федеральной целевой программы "Национальная технологическая база", завершение действующей редакции которой было осуществлено в 2006 году.

В процессе выполнения НИОКР получены следующие основные результаты:

- В области микроэлектронных технологий реализованы проекты по созданию отдельных процессов для базовых технологий производства новых поколений СБИС и ССИС с минимальными размерами элементов 0,1-0,25 мкм, в том числе спецстойких БИС с технологическими нормами 0,5-0,8 мкм, а также по разработке технологической среды, ориентированной на сквозное проектирование аппаратуры и перспективной ЭКБ с использованием библиотек стандартных элементов и СФ-блоков. Номенклатура разрабатываемых СФ-блоков ориентирована на создание конкурентоспособных систем мультимедиа, космического мониторинга, телекоммуникаций, систем радиолокации, радионавигации, транспорта, средств связи, цифрового телевидения, систем безналичного расчета и идентификации. Впервые в стране проработаны основные положения создания трехуровневой системы автоматизированного проектирования перспективной аппаратуры на основе СБИС типа "система на кристалле".

- В области СВЧ электроники значительное внимание уделено работам по созданию современных широкозонных полупроводниковых соединений и производственно-технологического базиса производства МИС СВЧ на основе гетероструктур материалов группы А3В5, а также по разработке широкой гаммы мощных СВЧ полупроводниковых приборов. Впервые в стране на материале группы А3В5 получены образцы транзисторов с Т-образным затвором длиной 0,1 мкм и разработана технология получения малошумящих транзисторов. Заложены основы технологии производства МИС СВЧ уровня 0,1 мкм.

- В области обеспечивающих работ проведены аналитические исследования по разработке классификации и определению приоритетных направлений развития СФ-блоков и СБИС типа "система на кристалле" для стратегически значимых радиоэлектронных систем.

- В рамках федеральной целевой программы "Реформирование и развитие оборонно-промышленного комплекса" (2002-2006 гг.) проводились в основном работы институционального характера, направленные на реформирование структуры радиоэлектронного комплекса.

Однако, несмотря на данные отдельные положительные результаты, следует признать, что российская электроника находится в кризисном состоянии.

Проблема глобального отставания отечественной электроники явилась следствием отсутствия целенаправленной государственной научно-технической политики в электронной промышленности России, пассивностью и неподготовленностью государства к реформированию отрасли в условиях действия рыночных механизмов хозяйствования.

Непринятие мер по устранению этой проблемы (инерционный сценарий) наиболее вероятно приведет к следующим последствиям:

1. Продолжится отставание отечественной электроники от мирового уровня, которое достигнет критического значения. Увеличится технологический разрыв, что в свою очередь приведет к отставанию тактико-технических параметров отечественных радиоэлектронных военных комплексов обнаружения, управления, связи, разведки и др., а значит неминуемо негативно отразится на состоянии обороноспособности страны.

2. Не будет обеспечена информационная и экономическая безопасность государства в связи с обвальным использованием в стратегических системах управления, обработки и защиты информации, борьбы с помехами, электронного противодействия, средствах массовой информации и др. импортной элементной базы.

3. России придется смириться с завоеванием отечественного рынка импортной электронной техникой, прежде всего телевизионной (в т.ч. цифровой), связной, автомобильной, навигационной, медицинской, коммунальной, бытовой.

4. Невозможно будет развивать другие отрасли промышленности, снизится конкурентоспособность их продукции, а значит поставится под угрозу возможность активного перехода к инновационной экономике (экономике "знаний").

Инерционный сценарий не может обеспечить решение проблемы ни при каких условиях.

Единственная возможность преодоления кризиса отечественной электроники связана с реализацией активного сценария на всех стадиях реализации Стратегии, а именно, с принятием государством продуманной и взвешенной протекционистской политики в решении структурных и технологических проблем электронной промышленности, оказании необходимой финансовой помощи для развития нового уровня технологического и производственного базиса.

Именно активный сценарий реализации Стратегии позволит решить комплекс проблем стоящих перед электронной промышленностью. Во-первых, будет ликвидирована структурная диспропорция электронной промышленности, связанная с несоответствием масштаба и структуры отрасли, ее научно-технического и производственного потенциала объему и структуре платежеспособного спроса на основную продукцию отрасли. Во-вторых, добиться комплексного развития отрасли и ликвидировать одностороннее развитие, связанное с развитием спецтехники. В-третьих, устранить несовершенство отечественного законодательства и финансовой инфраструктуры электронной промышленности.

Результативность преодоления кризиса будет определяться правильным установлением отношений между государством и бизнесом на принципах государственно-частного партнерства.

Базисом и основой планирования и реализации намечаемых мер по подъему российской электроники должен стать программно-целевой подход с обязательным участием государства, успешно использованный для решения аналогичных задач в ведущих странах мира - США, Японии, Китае, ЕС и др.

Ожидаемый результат - решение проблемы снижения уровня отечественного технологического отставания от мирового уровня, повышение востребованности отечественной электронной промышленности продукции на внутреннем и мировом рынках сбыта.

Эффект от достижения указанного результата будет многоуровневым.

На макроуровне:

- увеличивается объем продаж отечественной ЭКБ на внутреннем и внешнем рынках;

- значительно сокращается технологическое отставание российской электронной промышленности от мирового уровня;

- обеспечиваются существенно большие возможности для развития всех отраслей промышленности, и осуществляется переход к экономике "знаний";

- создаются условия для более эффективной реализации национальных проектов, объявленных Президентом;

- создается рыночно-ориентированная инфраструктура электронной промышленности с учетом реструктуризации бизнеса в этой области (системоориентированные центры проектирования, дизайн-центры, "кремниевые фабрики" и т.д.);

- расширяется экспорт отечественной высокотехнологичной продукции;

- активизируется инновационная деятельность и ускоряется внедрение результатов научно-технической деятельности в массовое производство;

- обеспечивается возможность создания вооружения, военной и специальной техники нового поколения, что повысит обороноспособность и безопасность государства, создаст условия для равноправной конкуренции с лучшими образцами ВВСТ армий ведущих мировых держав.

На микроуровне:

- обеспечивается обновляемость основных фондов организаций электронной отрасли и стимулируется создание современных высокотехнологичных производств;

- создаются крупные и эффективные диверсифицированные структуры (холдинги, концерны), способные конкурировать с лучшими западными фирмами, работающими в области электроники;

- организуется производство массовой интеллектуально насыщенной и конкурентоспособной высокотехнологичной радиоэлектронной продукции и обеспечение разнообразными современными телекоммуникационными услугами, включая радио и телевидение, электронные СМИ.

В социально-экономической сфере:

- увеличится число рабочих мест в электронной отрасли, снизится отток талантливой части научно-технических кадров, повысится спрос на квалифицированные научно-технические кадры, обеспечится привлечение молодых специалистов и ученых и тем самым снизится возрастная структура кадров;

- повысится качество жизни населения, которое приблизится к стандартам высокоразвитых стран мира в связи с интеллектуализацией среды обитания в результате расширения возможности использования электроники и информационных систем.

В бюджетной сфере:

- будет обеспечено увеличение базы налогообложения за счет значительного повышения объема продаж изделий электронной отрасли.

 

Сроки реализации Стратегии

 

Планируется, что Стратегия будет реализовываться в три этапа:

первый этап - 2007-2011 годы;

второй этап - 2012-2015 годы;

третий этап - 2016-2025 годы.

 

Показатели и индикаторы

 

Для оценки результатов, достигнутых при реализации Стратегии, применяется интегрированная система обобщенной оценки, включающая индикатор и показатели.

Основным индикатором успешной реализации Стратегии принят освоенный в производстве технологический уровень изделий электронной техники. Ожидается, что в организациях электронной промышленности в 2011 г. будет освоен технологический уровень в 0,13-0,09 мкм, что обеспечит создание производственно-технологической базы для выпуска необходимых изделий электронной техники, соответствующей потребностям отечественных потребителей.

Претерпит существенное изменение показатель отражающий увеличение объемов продаж отечественной ЭКБ. В 2006 г. общий объем реализованной микроэлектронной продукции организаций электронной промышленности составил 13,0 млрд. руб. Ожидается, что в 2011 г. аналогичный показатель составит около 45 млрд. руб., в 2015 г. - 105 млрд. руб., а в 2025 г. - около 350 млрд. руб. Темпы роста объемов производства будут сопоставимы с мировыми показателями и соответствовать задаче новой экономической доктрины России по увеличению ВВП. Кроме того, существенно претерпит изменение и показатель оценивающий уровень электронных технологий мирового уровня, внедренных в отечественных организациях. Изменения индикатора и показателей реализации Стратегии приведены ниже в таблицах 3, 4 и 5.

 

Таблица 3

 

Достигаемый технологический уровень микроэлектроники

 

2007 год	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год
0,18 мкм 0,18 мкм 0,13 мкм 0,13 мкм 0,09 мкм
2012 год	2013 год	2014 год	2015 год	2025 год
0,09 мкм 0,09 мкм 0,065 мкм 0,065 мкм 0,018 мкм

 

Таблица 4

 

Увеличение объемов продаж изделий электронной промышленности

 

2007 год	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год
19 млрд. руб. 25 млрд. руб. 31 млрд. руб. 38 млрд. руб. 45 млрд. руб.
2012 год	2013 год	2014 год	2015 год	2025 год
56 млрд. руб. 68 млрд. руб. 84 млрд. руб. 105 млрд. руб. 350 млрд. руб

 

Таблица 5

 

Количество переданных в производство электронных технологий мирового уровня

 

2007 год	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год
1-2 5-6 5-6 7-8 9-12
2012 год	2013 год	2014 год	2015 год	2025 год
10-12 10-12 12-14 12-14 25-30

2. Обоснование основных направлений решения проблемы и оценка рисков

 

Направления решения проблемы развития отечественной электронной промышленности могут базироваться в рамках активного сценария на двух стратегических вариантах:

1. Государственная монополизация собственности организаций электронной отрасли и централизованное управление отраслью.

2. Государственно-частное партнерство в развитии отрасли, расширение всех форм международного кооперационного сотрудничества с учетом ключевых интересов государства.

Выбор того или иного варианта стратегического развития влияет на организационную структуру управления реализацией стратегии и уровень достижения результата.

 

Вариант 1

Выбор этого варианта означает, что ответственность за успех или неуспех в достижении амбициозной цели сокращения отставания отечественной электроники от мирового уровня практически целиком ложится на государство.

В этом случае государство берет на себя функции определения номенклатуры производимой продукции для государственных нужд, ответственность за правильность этого определения и, соответственно, за достигаемые результаты.

На бюджет ложится обязанность финансирования не только фундаментальных исследований и опережающих разработок "прорывных" продуктов, но и опытно-конструкторских разработок, подготовки производства, а также системы поддержания эксплуатации и последующей утилизации всего ряда продуктов.

Главным негативным моментом в случае выбора этого варианта является относительно малая доля закупок самого государства в общем объеме сбыта электронной промышленности и, как следствие, отсутствие реальной мотивации государства в развитии чисто коммерческих направлений отрасли, которые должны приносить основной объем доходов и обеспечивать необходимый приток капитала для расширения производства, как это делается в мировой практике.

Кроме того, неизбежным последствием принятия такого решения станет фактическая национализация электронной отрасли и резкое увеличение потребности в ресурсном обеспечении такого варианта развития отрасли со стороны государства.

Дополнительным риском этого варианта стратегии развития отрасли является потеря интереса частных собственников к бизнесу в сфере электроники и использования ЭКБ для других отраслей вследствие невозможности влиять на принятие решений при перераспределении ресурсов для реализации тех или иных коммерческих проектов. В свою очередь, государство не будет заинтересовано в развитии коммерческих направлений, и отсутствие такого интереса может негативно сказаться на привлечении инвесторов. В результате доходные сферы бизнеса могут оказаться невостребованными и останутся без развития.

Совокупность отмеченных негативных факторов делает достижение ожидаемого результата при выборе первого варианта развития отрасли мало реалистичным.

 

Вариант 2

Альтернативным способом решения проблемы антикризисного развития электронной отрасли является объединение усилий государства и частного бизнеса (отечественного и зарубежного).

Партнерство с зарубежным бизнесом является в данном случае определяющим, так как именно зарубежные фирмы и организации являются лидерами данного направления в мире. Только они обладают необходимыми технологиями и опытом организации данного вида производств, а также их эффективной коммерческой эксплуатации.

Предлагаемая в рамках этого варианта модель развития основана на принципах тесного взаимодействия государства и частного бизнеса, в том числе и зарубежного, и позволяет эффективно сочетать государственные возможности концентрации ресурсов, использование различных преференций с мотивированностью частных собственников в отношении конечных результатов развития электронной отрасли.

Нагрузка на бюджет при развитии может быть существенно снижена за счет все возрастающего финансирования из внебюджетных источников - собственных средств организаций и их иностранных партнеров, коммерческих кредитов и инвестиций.

Однако повышение уровня внебюджетного финансирования развития отрасли не может произойти скачкообразно. Частные инвестиции в российскую электронную промышленность в ее нынешнем состоянии еще длительное время будут оставаться высокорискованными.

Именно поэтому необходима организация партнерства государства с отечественными инвесторами в сочетании с привлечением авторитетных зарубежных технологических партнеров под государственные гарантии для реализации таких проектов.

Наличие государственного партнерства и надежного технологического партнера является ключевым моментом обеспечения большего доверия инвесторов и их заинтересованности в таких проектах.

В рамках предлагаемой по второму варианту модели развития отрасли государству отводится важнейшая роль решения проблемы безопасности, в выстраивании системы государственно-частного партнерства, содействии бизнесу в организации инфраструктуры рынка электронной отрасли, в развитии международных кооперационных связей, вхождении в мировую систему разделения труда, продвижении продукции отрасли на мировые рынки, в поддержании и развитии национальной электронной компонентной базы, в обеспечении гарантированного рынка государственных закупок, в решении задачи обеспечения электронной промышленности высококвалифицированными специалистами, подготовленными в системе аттестованных государственных образовательных учреждений и с использованием практики стажировки в передовых мировых организациях.

В этой системе ответственность за определение номенклатуры коммерческой продукции и успех коммерческих проектов на внутреннем и мировом рынках возлагается на частный бизнес. Именно этот подход позволяет сконцентрировать ресурсы на наиболее приоритетных направлениях электронной компонентной базы и согласовывать с государственными ведомствами и заказчиками мероприятия, направленные на решение проблемы по целевым задачам, срокам и ресурсам в существующих, разрабатываемых и перспективных целевых программах, планах, отдельных проектах и комплексах мероприятий научно-технического, производственного, экономического, организационного и правового характера, в сфере электронной компонентной базы, в рамках данной Стратегии.

Таким образом, сопоставление двух направлений развития отечественной электроники показывает, что единственно реалистичным способом развития является государственно-частное партнерство с одновременным расширением форм международного сотрудничества с учетом ключевых интересов государства.

3. Основные цели и задачи Стратегии

 

Основная цель Стратегии - создание нового конкурентоспособного облика электронной промышленности на основе оптимизации состава электронных организаций и производственных мощностей, реконструкции и технического перевооружения, развития новых мощностей и процессов, совершенствование нормативно-правовой базы с учетом реальных рыночных секторов мирового и отечественного рынка, занятых отечественной отраслью.

Каждый из трех периодов реализации Стратегии имеет свою специфику, цель, задачи, количественные значения показателей и индикаторов, ресурсное обеспечение, но при этом сохраняются системные цели и задачи Стратегии.

Основная цель первого этапа реализации Стратегии (2007-2011 годы) - стабилизация устойчивых темпов развития электронной промышленности, создание новой инфраструктуры отрасли (дизайн-центры, центр фотошаблонов, кремниевые фабрики, интегрированные структуры), наращивание номенклатуры и объемов отечественной электронной компонентной базы.

В этот период основные усилия должны быть направлены на решение следующих задач:

- ликвидация критического технологического отставания электронной промышленности от мирового уровня;

- разработка новых критических технологий (научный задел) по приоритетным направлениям ЭКБ, позволяющих осуществить выпуск новой электронной компонентной базы;

- оптимизация действующих производственных мощностей с целью интеграции и специализации организаций в рамках единой инфраструктуры отрасли;

- создание и внедрение новой структуры проектирования и создания перспективной электронной компонентной базы, конкурентоспособной на рынке.

Годовой объем выпуска конечной продукции электронной промышленности в 2011 году должен составить 45 млрд. долларов.

Реализация целей и задач первого этапа развития Стратегии требует:

- реформирование структуры электронной промышленности, оптимизация методов и механизмов государственного управления и государственно- частного партнерства;

- реконструкции и технического перевооружения электронных производств;

- развития сети межотраслевых и отраслевых центров проектирования ЭКБ;

- приоритетного развития научно-производственной базы СВЧ-электроники и комплексированных СВЧ приборов;

- приоритетного развития разработок и производства радиационно-стойкой ЭКБ;

- приоритетного развития микросистемотехники;

- приоритетного развития микроэлектроники;

- приоритетного развития электронных материалов и структур;

- принятие мер по изменению существующего законодательства, обеспечивающих реализацию мероприятий данной Стратегии.

- Реформирование структуры электронной промышленности, оптимизация методов и механизмов государственного управления и государственно-частного партнерства.

Несмотря на определенные изменения, произошедшие в отрасли в последние 10-12 лет, электронная промышленность сохраняет во многом заложенную в период "мобилизационной экономики" полипродуктовую структуру обеспечения разработок и производства электронной продукции по принципу "натурального хозяйства".

При переходе к рыночной экономике это привело к образованию у организаций излишних и неиспользуемых производственных мощностей, обуславливающих большие издержки производства, что и стало для многих организаций главной причиной их неустойчивого финансового положения.

Улучшение экономического состояния отрасли возможно только при переходе ее на современные модели бизнеса, учитывающие рыночные отношения и предусматривающие углубление в специализации и расширение интеграции определенных организаций.

В мировой практике существует две принципиально разные модели бизнеса в электронике:

- интегрированный изготовитель продукции, поддерживающий все стадии создания, производства и сбыта продукции;

- разделение функций проектирования, организации бизнеса и производства продукции (fabless-foundry).

Вторая модель бизнеса все больше развивается в мире, так как позволяет отдельным организациям профессионально специализироваться на проблемах своего направления, отдавая несвойственные себе функции другим специализированным организациям.

При этом каждая из специализированных организаций обеспечивает более низкую себестоимость продукции по сравнению с неспециализированными аналогами.

Исторически сложилось, что отечественная электронная промышленность преимущественно использует первую модель бизнеса. Однако следование этой модели предполагает наличие значительных финансовых ресурсов, необходимых для поддержки всей инфраструктуры такого бизнеса на протяжении всего жизненного цикла, тогда как создание специализированных фирм по каждому направлению требует значительно меньше финансовых ресурсов и обеспечивает более высокую оборачиваемость инвестиций.

Именно это обстоятельство и делает вторую модель более привлекательной для развития бизнеса в электронике, которая является чрезвычайно капиталоемкой отраслью.

Поскольку удельные затраты на производство уменьшаются с ростом объемов выпуска, заводы контрактного производства (foundry) обеспечивают экономические преимущества перед неспециализированными организациями с меньшим объемом выпуска.

В свою очередь, создание специализированных дизайн-центров для организаций не требует большого объема инвестиций и обеспечивает быстрое вхождение на рынок с собственной продукцией, изготавливаемой на foundry.

Необходимо широко внедрить такую модель бизнеса в отечественной электронной промышленности с использованием как зарубежного, так и отечественного контрактного производства. С этой целью необходимо создать и развить сеть центров проектирования ЭКБ, в том числе в организациях -системных интеграторах.

Необходимо поставить задачу и проинвестировать создание нескольких тысяч рабочих мест в новых дизайн-центрах и освоить современную методологию проектирования. Для решения этой проблемы потребуются серьезные инвестиции, так как основной объем средств будет потрачен на закупку аппаратных средств и лицензионного программного обеспечения, а также подготовку кадров.

Параллельно с организацией сети дизайн-центров необходимо создать централизованный архив фотошаблонов, а также собственные производственные мощности по их изготовлению, так как именно на фотошаблонах находится конечная информация спроектированной элементной базы. Кроме того, с целью ускорения процесса разработки и доведения его до требований рынка (6 месяцев для коммерческой продукции, 2-3 года для продукции специального назначения) необходимо внедрить систему регистрации и накопления интеллектуальной собственности в сети дизайн-центров и организации ее повторного использования на лицензионной основе. Это должен быть государственный центр контроля за выполнением разработок и их использованием.

Переход промышленности к рассмотренной модели бизнеса обеспечит ее реструктуризацию в соответствии с современными требованиями и позволит сократить сроки выхода на рынок перспективной коммерческой продукции, а, значит, существенно увеличит объем сбыта и прибыли отрасли.

 

- Реконструкция и техническое перевооружение электронных производств.

Реконструкция и техническое перевооружение производственной базы должны выполняться с учетом перехода к новой модели структуры бизнеса (fabless-foundry). Однако полностью игнорировать исторически сложившуюся базу интегрированных изготовителей в отечественной электронной промышленности было бы нецелесообразно - в этих организациях имеется большой накопленный опыт такого производства. Основная задача этих организаций обеспечить серийный выпуск ЭКБ, необходимой для выполнения Государственного оборонного заказа.

Поэтому рациональной была бы первоочередная глубокая модернизация производства ведущих организаций с применением современных технологий и оборудования, не предъявляющих повышенных требований к технологическому обеспечению, которое может реализовываться только строительством новых производств, а не модернизацией действующих.

Такая модернизация в микроэлектронике до предельных уровней 0,35-0,25 мкм может быть проведена на имеющейся технологической базе и не потребует глубокой модернизации систем технологического обеспечения и капитального строительства. Следует учитывать, что строительство только одного современного микроэлектронного производства уровня 0,13-0,09 мкм потребовало бы инвестиций около 1,5-2,5 млрд. долларов, что вдвое превосходит все запрашиваемые средства на программу развития ЭКБ в целом.

При проведении техперевооружения электронных производств должны быть учтены как потребность в сохранении производств ЭКБ, используемой в аппаратуре с длительным жизненным циклом с учетом ее возможной модернизации, так и необходимость восстановления утерянных производств ЭКБ. Альтернативным направлением решения проблемы обеспечения функционирования подобной аппаратуры на всех этапах ее жизненного цикла является создание необходимых страховых запасов ЭКБ.

Освоение технологического уровня 0,09 мкм и менее требует строительства новых специальных производств с дорогостоящей инженерной инфраструктурой, очищающей технологическую атмосферу от загрязнений на химическом (молекулярном) уровне.

В настоящее время такое производство можно организовывать только в альянсе с зарубежными партнерами в рамках международного проекта. Реализация продукции таких фабрик носит глобальный характер и, как правило, не может быть обеспечена только внутренним рынком.

Следует иметь в виду, что освоение каждого нового технологического уровня требует соответствующих изменений в метрологическом обеспечении микроэлектронного производства. Утеря собственного спецтехнологического машиностроения вызывает необходимость приобретения всего комплекта технологического и контрольного оборудования за рубежом. Стоимость его чрезвычайно высока, она составляет величину порядка млн. долларов за единицу и доходит до значений 8 - 10 млн. долларов за отдельные, но самые главные виды оборудования (фотолитографические установки).

Оценки показывают, что стоимость полного минимального набора оборудования для технологического уровня 0,13 мкм составляет около 220 - 260 млн. долларов (стоимость полного комплекта оборудования стандартного производства уровня 0,13 мкм около 1,2 - 1,4 млрд. долларов (50 - 55% от стоимости всей фабрики ~ 2,5 млрд. долларов).

Таким образом минимальные инвестиции на организацию только пилотного (опытного) производства уровня 0,13 мкм превысят значение 300-350 млн. долларов (еще около 80 млн. долларов на строительство и инженерное обеспечение линейки, удельная стоимость чистых площадей подобного класса превышает значение 15 тыс. долларов/м2).

Практически все организации микроэлектроники акционированы, и как следствие, они выбирают ту технико-экономическую стратегию развития (на первых этапах - стратегию выживания), которая может обеспечить максимальную прибыль и, естественно, не ориентируется на государственные интересы. Российские инвесторы еще не готовы вкладывать деньги в отечественную микроэлектронику в тех объемах, которые необходимы для подъема высокотехнологичного производства, а иностранные этого делать не будут, так как это противоречит интересам завоевания российского рынка.

Ситуация с развитием проектирования и производства ЭКБ осложняется отсутствием мощных потребителей на внутреннем рынке и низкой конкурентоспособностью создаваемой ЭКБ на внешнем.

Таким образом, продуктовая цепочка "электронные технологии - ЭКБ - радиоэлектронная аппаратура" не имеет главных стимулов развития из-за ограничений в потребности в высшем звене и значительного объема необходимых инвестиций в нижнем.

У государства в сложившейся ситуации реально сохраняются два рычага управления: бюджетные ассигнования и рынок госзакупок. Пользуясь этими рычагами, государство должно обеспечить реализацию своих интересов, создавая одинаковые правила и условия при взаимодействии с бизнес-структурами, реально владеющими активами микроэлектронных производств. Это должно стать основой будущего государственно-частного партнерства.

Необходимо обратить внимание и на межгосударственные формы партнерства.

Принимая во внимание важность научно-технического и экономического взаимодействия с Республикой Беларусь как стратегического и политического партнера и положительный опыт совместных программ по спецтехнологическому оборудованию и технологиям микроэлектроники, следует расширить состав совместных межгосударственных российско-белорусских программ по разработке специальной ЭКБ (силовая и автомобильная электроника; СБИС для цифрового телевидения, систем безопасности, информационных систем; микросистемная техника и сенсоры и т.д.) для задач реализации совместных крупномасштабных проектов и интеграции экономик.

 

- Развитие сети межотраслевых и отраслевых центров проектирования.

Развитие сети отраслевых и межотраслевых центров проектирования решает задачу по обеспечению создания стратегически значимых радиоэлектронных систем, а также массовой гражданской аппаратуры, требующей разработки в короткие сроки сотен типов микросхем: универсальных (процессоров, схем памяти, программируемых матриц и др.) и специализированных, в том числе уровня "система на кристалле" сложностью в десятки миллионов компонентов, требующих совместных усилий разработчиков и изготовителей как радиоэлектронных систем, так и микроэлектронных компонентов.

Причем количество дизайн-центров должно быть достаточным для загрузки как действующих модернизированных, так и вновь создаваемых мощностей.

Должно быть обеспечено создание проектной инфраструктуры, включающей:

- межотраслевые и отраслевые центры проектирования, центры системного уровня проектирования при крупных аппаратостроительных организациях (интегрированных структурах);

- дизайн-центры проектирования ЭКБ;

- межотраслевой центр проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов.

Созданных и достаточно успешно функционирующих в настоящее время центров проектирования ЭКБ (всего порядка 10) явно недостаточно для решения перечисленных проблем. Оценки показывают, что количество центров проектирования для решения задачи формирования новой базы проектирования основных видов ЭКБ и обеспечения рациональной региональной сети центров должно составлять около 60-70 центров.

В ходе реализации подпрограммы "Развитие электронной компонентной базы" в течение 2007-2011 гг. планируется создать разветвленную сеть центров проектирования (30-35 новых центров), в том числе 6-7 центров системного уровня при ведущих организациях Роспрома, Росатома и Роскосмоса, Минобразования, а также Межотраслевой центр проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов.

При этом созданная инфраструктура должна обеспечить завоевание конкурентоспособных позиций, позволяющих достигнуть заданного в Стратегии роста объемов продаж в следующих секторах мирового рынка:

 

- Приоритетное развитие научно-производственной базы твердотельной и вакуумной СВЧ-электроники.

Отличительной особенностью современного состояния СВЧ-техники в стране является то, что достигнутый технический уровень по ряду ключевых направлений (вакуумная СВЧ-техника) не уступает мировому, а в ряде случаев превосходит его, и разработанные изделия в основном являются конкурентоспособными. Основными составляющими рынка СВЧ-изделий являются:

- продукция, изготавливаемая в интересах Минобороны России и других заказчиков (радиолокационная аппаратура, включая АФАР, военная связь, в том числе спутниковая, аппаратура для антитеррористической и радиоэлектронной борьбы);

- продукция промышленного и бытового назначения (аэродромные и трассовые радиолокационные станции, спутниковая и наземная связь, цифровое телевидение, промышленная и бытовая электроника);

- продукция, изготавливаемая по международным контрактам (в основном военного назначения).

Вместе с тем, дальнейшее развитие отечественной СВЧ-техники сдерживается наметившимся отставанием в области твердотельной СВЧ-электроники, связанным с отсутствием современного технологического оборудования. Чтобы не уступить приоритет зарубежным производителям, необходим уровень 0,35-0,18 мкм для кремниевой технологии и 0,1-0,2 мкм для приборов на арсениде галлия и широкозонных полупроводниках.

Для достижения и развития нового уровня СВЧ-электроники в первую очередь необходимо сконцентрировать финансовые, технические и кадровые ресурсы в наиболее технологически развитых базовых организациях. Для поддержания критических технологий, способных обеспечить разработку и производство СВЧ- приборов в интересах перспективных систем вооружений и для гражданских применений, эти организации остро нуждаются в модернизации и техническом перевооружении действующих производственных мощностей. В отличие от микроэлектронных производств, ведущие центры СВЧ-электроники остались в государственной собственности. Государство имеет полный контроль над этими центрами. Наличие устойчивого рынка внутри страны и конкурентоспособность отечественных изделий СВЧ-техники на мировом рынке делает возможным получение максимального экономического и технического эффекта от реализации инвестиционных проектов по модернизации центров СВЧ-электроники и обеспечения развития производства исходных материалов и структур ("кремний на изоляторе", гетероструктуры). Необходимо предусмотреть дальнейшее развитие работ в институтах РАН, где имеется значительный задел по технологии СВЧ-приборов на наногетероструктурах.

Существенным является поддержание высокого уровня технологий СВЧ-приборов и создание нового поколения высоконадежных вакуумных мощных СВЧ-приборов и высокоэффективных гибридных малогабаритных СВЧ-модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками. В области вакуумной СВЧ-электроники необходимо в первую очередь развивать те технологии которые обеспечат мировое лидерство. Прежде всего это относится к СВЧ-электронике больших мощностей.

 

- Приоритетное развитие разработок и производства радиационно-стойкой ЭКБ.

Развитие специализированных разработок и производства радиационно-стойкой электронной компонентной базы в интересах организаций и организаций Росатома, Роскосмоса, Минобороны России и Роспрома необходимо для поддержания паритета в области стратегических ядерных вооружений и обеспечения возрастающей роли космических средств в системах управления и передачи данных как государственных, так и корпоративных структур, а также обеспечения функционирования объектов атомной энергетики.

Ввиду стратегической важности данного направления целесообразно сохранить и развивать специализированные центры разработок и производства по этому направлению в Нижнем Новгороде и Москве, в том числе в Зеленограде.

При этом должна обеспечиваться возможность перекрестного производства продукции в целях обеспечения безусловной стабильности ее поставок.

Данное направление технологии должно включать в себя комплекс углубленных исследований в области радиационной чувствительности материалов, полупроводниковых структур и специальных технологий. Информация подобного рода является закрытой и не может быть получена по каким-либо другим каналам, кроме проведения собственных исследований.

Следует также учесть, что для использования в специальных применениях радиационно-стойкая ЭКБ не может быть приобретена на мировом рынке, поэтому необходима разработка всей номенклатуры приборов.

Развитие радиационно - стойкой ЭКБ должно стать одним из важнейших приоритетов программного развития ЭКБ, так как это направление определяет национальную безопасность и не может само по себе развиваться на основе использования экономических (рыночных) механизмов. Во всем мире это направление находится под строгим контролем государства, а его развитие реализуется на базе постоянно проводимых государственных программ, согласованных с развитием систем и аппаратуры специального и двойного применения.

 

- Приоритетное развитие микросистемотехники.

На основе современных достижений микроэлектроники, микромеханики, нанотехнологии, оптоэлектроники, акустоэлектроники и других критических технологий сегодня в ведущих странах создается широкий ряд микромеханических устройств для систем навигации, автоматического контроля, управления, наведения в средствах вооружений ракетно-космического, авиационного, корабельного базирования, в промышленном оборудовании, в наземных транспортных средствах, для коммутации в высокоскоростных системах передачи информации и для многих других применений. По функциональному назначению такие устройства предназначены для измерения основных физических величин, угловых и линейных скоростей, ускорений, деформации, крутящего момента, давления, расхода жидкостей и газов, глубины погружения, вибраций, концентраций химических газов и других параметров.

Благодаря значительному снижению габаритов, массы, потребляемой мощности и особенно стоимости производства область применения их за рубежом быстро расширяется. Расширяются области применения таких устройств в качестве основного конструкционного элемента для микроробототехники, топливных элементов, приборов акустики, адаптивной оптики, космической техники (микроспутники) и т.д.

Сказанное свидетельствует о назревшей актуальной научно-технической проблеме создания отечественных высокоточных микромеханических систем для средств высокоточного оружия и перспективного конкурентоспособного гражданского применения. Ряд отечественных организаций на протяжении последних лет активно развивает работы в области микросистемотехники и газовой сенсорики.

Однако темпы отечественных разработок изделий микросистемотехники не соответствуют возрастающим потребностям организаций радиоэлектронного комплекса, поэтому данному направлению следует присвоить приоритет развития как одного из важнейших.

Задержка с развитием данного направления приведет к существенному отставанию радиоэлектронных средств управления по уровню их интеллектуализации как для оборонного, так и гражданского применения.

Успешный выход российской микросистемотехники на мировой уровень в короткие сроки возможен путем создания базовых центров проектирования, способных на высоком технологическом уровне проектировать и производить широкую номенклатуру прецизионных изделий микросистемотехники для обеспечения потребностей организаций Роспрома, Росатома, Роскосмоса и решения проблемы импортозамещения.

 

- Приоритетное развитие микроэлектроники.

Развитие микроэлектроники должно быть направлено на:

- разработку базовых технологий СБИС:

- КМОП технологии уровня 0,18-0,13 мкм на пластинах диаметром 200 мм с созданием опытного производства;

- опытной технологии КМОП СБИС с проектными нормами до 0,13 мкм и организация пилотной линии по выпуску специализированных СБИС на пластинах диаметром 200 мм;

- разработки технологии изготовления шаблонов с фазовым сдвигом и коррекцией оптического эффекта близости для производства СБИС и организацию межотраслевого центра проектирования, изготовления и каталогизации шаблонов технологического уровня до 0,13 мк;

- ускоренное развитие систем проектирования сложных СБИС, включая СБИС типа "система на кристалле", ориентированных на разработку конкурентоспособных электронных систем мультимедиа, телекоммуникаций, систем радиолокации, космического мониторинга, цифровых систем обработки и передачи информации, цифрового телевидения и радиовещания, систем управления технологическими процессами и транспортом, систем безналичного расчета, научного приборостроения и обучения, систем идентификации, сжатия и кодирования информации, медицинской техники и экологического контроля с использованием:

- унифицированных библиотек стандартных элементов (отечественных и зарубежных производств);

- библиотек макроблоков и СФ-блоков, ориентированных по классам ЭКБ;

- платформ и стандартных интерфейсов;

- программно-аппаратных средств архитектурного проектирования и программирования, включая генерацию тестов.

разработку новых поколений электронной компонентной базы:

- функционально полной номенклатуры аналоговых и логических БИС для комплектации и модернизации действующих радиоэлектронных систем и аппаратуры, включая задачи импортозамещения;

- СФ-блоков для обработки, сжатия и передачи информации в том числе:

- сигнальные и цифровые процессоры (в том числе программируемые) и микроконтроллеры;

- цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи;

- шины и интерфейсы (драйверы, приемопередатчики и т.д.);

- специализированные блоки для телекоммуникации, связи и АТМ технологии.

- комплектов специализированных СБИС типа "система на кристалле" сложностью до 10-50 млн. транзисторов для систем цифровой обработки сигналов (цифровое телевидение, радиовещание, сотовая и радиотелефонная связь, космический мониторинг, системы управления и контроля и т.д.);

- разработку приборов силовой электроники, включая:

- базовую технологию и конструкцию производства тиристоров и мощных транзисторов со структурой IGBT, силовых ключей прижимной конструкции на токи до 1500 А и напряжение до 6500 В;

- базовую технологию производства и конструкцию силовых микросхем, гибридных силовых приборов тиристорного типа, высоковольтных драйверов управления и интеллектуальных силовых модулей.

Системы на кристалле - новый класс перспективной электронной элементной базы, одно из наиболее динамично развивающихся направлений микроэлектронной техники востребованной на рынке.

Развитие технологий СБИС "система на кристалле" неразрывно связано с развитием рынка СФ-блоков.

 

Динамика мирового рынка объема продаж СФ-блоков

 

Таблица 6

 

Годы	Объем продаж, млн. руб.	Прирост, %
1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004	95 165 255 395 528 732 1038 1424 1893 2503	97,9 73,7 54,5 54,9 33,7 38,6 41,8 37,2 32,9 32,2

 

Анализ динамики мирового рынка СФ-блоков в период 2000-2004гг. показал, что среднегодовые темпы роста составили в среднем 36,5%, а в целом за десятилетний период объем продаж СФ-блоков в мире вырос более чем в 26 раз.

Темпы развития сектора многократно используемых СФ-блоков, повышающих надежность, ускоряющих и удешевляющих разработку СБИС "система на кристалле", имеют еще большую динамику: число конструкций таких СФ-блоков в период с 2000 по 2004 гг. увеличилось более чем в три раза, а за десятилетний период - в 41,7 раза.

 

- Приоритетное развитие электронных материалов и структур.

В области электронных материалов и структур планируется осуществить:

- разработку базовых технологий и организацию производства:

кремниевых пластин диаметром 200 мм технологического уровня 0,18-0,13 мкм;

структур типа "кремний на изоляторе", "кремний на сапфире" диаметром 150 мм и технологического уровня 0,5 - 0,35 мкм;

пластин радиационно облученного кремния диаметром 150 мм для приборов силовой электроники;

гетероструктур диаметром 100 - 150 мм с квантовыми эффектами для СВЧ твердотельной электроники, высокоинтенсивных приборов светотехники, лазеров и специальных матричных приемников;

керамических материалов и плат, материалов для пленочных технологий, компонентов и клеев, герметиков для выпуска новых классов радиоэлектронных компонентов и приборов, корпусов и носителей;

бессвинцовых сложных композиций для экологически чистой сборки ЭКБ и монтажа в составе РЭА.

- разработку технологий нанесения покрытий и формирования:

экологически чистой технологии нанесения гальванопокрытий с замкнутым циклом нейтрализации и утилизации;

высокоэффективных процессов формирования полимерных покрытий, алмазоподобных пленок и наноструктурированных материалов, самоформирования пространственных структур;

новых классов сложных полупроводниковых материалов с большой шириной запрещенной зоны для высоковольтной и высокотемпературной электроники (карбид кремния, алмазоподобные материалы, сложные нитридные соединения и т.д.);

новых классов полимерных пленочных материалов, включая многослойные и металлизированные, для задач политроники и сборочных процессов массового производства ЭКБ широкого потребления;

новых автоэмиссионных материалов на основе углеродных нанотрубок для катодов вакуумных СВЧ-приборов.

Основная цель второго этапа (2012-2015 годы) реализации Стратегии - ликвидация технологического отставания отечественной электронной промышленности от мирового уровня, широкомасштабная работа по реконструкции и техническому перевооружению действующих электронных организаций и строительство новых электронных производств.

В этот период основные усилия должны быть направлены на решение следующих задач:

- комплексная реструктуризация и техническое перевооружение действующих электронных организаций;

- проектирование и создание новых электронных производств;

- внедрение новых перспективных электронных технологий для создания конкурентоспособной качественной электронной компонентной базы;

- сокращение импорта зарубежной ЭКБ и запрет на использование ее в специальной технике и системах;

- развитие новой инфраструктуры электронной промышленности, в том числе интеграция с отечественными организациями работающими самостоятельно на рынках.

Ликвидация технологического отставания электронной промышленности от прогнозируемого мирового уровня должна происходить по двум направлениям:

- дизайна с использованием контрактного производства,

- технологии собственного производства продукции.

На период 2012-2015 гг. перед электронной промышленностью ставятся задачи полного сокращения отставания в области дизайна с использованием контрактного производства и отставания в области технологии собственного производства.

Решение этой задачи в области дизайна должно идти по пути создания совместных дизайн-центров с ведущими зарубежными фирмами с участием поставщиков систем автоматизированного проектирования.

В области технологии отставание может быть сокращено только путем организации соответствующих альянсов отечественных организаций с зарубежными технологическими партнерами.

Накопленный опыт взаимодействия с зарубежными партнерами в этой области показывает, что решающее значение при этом имеет возможность завоевания значительной доли внутреннего рынка в массовых секторах коммерческих изделий. Поэтому успех решения этой задачи будет полностью зависеть от решения проблем, связанных с расширением позиций на внутреннем рынке в период 2007-2011 гг.

Так называемые "ограничения экспортного контроля" при этом существенного значения не имеют в виду гражданского назначения основной массы такой продукции.

Годовой объем выпуска конечной продукции отечественной электронной промышленности к 2015 году должен составить 105,0 млрд. руб.

Основная цель третьего этапа (2016-2025 годы) реализации Стратегии - обеспечить полное возрождение отечественной электронной промышленности, конкурентоспособной с аналогичными промышленностями развитых стран, интегрированной с ведущими зарубежными фирмами.

На данном этапе основные усилия должны быть направлены на решение следующих задач:

- интеграции в рамках международных программ развития электроники с развитыми странами и ведущими электронными фирмами;

- завоевания значимых позиций в ряде секторов мирового рынка электронной компонентной базы;

- широкого внедрения достижений отечественных нанотехнологии, биоэлектроники и микросистемной техники в повседневной жизни человека, в сферах здравоохранения, образования, жилищно-коммунального хозяйства, транспорта и связи.

Годовой объем выпуска продукции электронной промышленности в 2025 году составит более 350 млрд. руб.

Ликвидация технологического отставания отечественной электроники не может быть решена без интеграции имеющихся у нас научно-исследовательских ресурсов в международные программы развития электроники.

Однако для этого необходимо иметь научно-технические заделы, представляющие интерес для наших потенциальных партнеров.

Только на основе такого интереса можно обеспечить обмен технологиями и таким образом существенно снизить затраты на их разработку.

Практические достижения в области наноматериалов для электроники, необходимый опыт создания сложных систем на базе современных компонентов типа "системы на кристалле" будут являться основой для такой интеграции.

Кроме этого у нас уже имеются практические достижения в области современных источников излучения для нанолитографии, используемых ведущими зарубежными фирмами - Intel, ASML, Lambda-Physik, Cymer и др., иммерсионной наноимплантации, атомно-слоевого осаждения и т.д.

По всем этим направлениям необходимо организовать участие в международных программах Европейского союза как наших исследовательских организаций, так и промышленных организаций.

В этой связи необходимо переориентировать соответствующую программу Союзного государства на вопросы расширения мирового сотрудничества с использованием имеющихся у нас научно-технических заделов по микроэлектронике и нанотехнологии.

Завоевание значимых позиций на мировых рынках нишевых продуктов в области радиационно-стойкой электроники, СВЧ-электроники, беспроводных систем глобального обмена информацией, интегрированных систем на кристалле для стационарной и мобильной радиоэлектронной аппаратуры станет возможным благодаря приоритетному развитию отечественной ЭКБ.

Дополнительное расширение рынков сбыта может быть достигнуто за счет коммерциализации направлений двойного назначения.

Радиационно-стойкие микросхемы, например, широко востребованы на рынках спутниковых систем связи и навигации и систем управления объектами атомной энергетики.

Совокупный объем мирового рынка в данной области прогнозируется на уровне 150 млн. долларов в год. На внешнем рынке производители конечного оборудования в этих областях непрерывно ищут вторых поставщиков в связи с известной проблемой "вымывания" из номенклатуры поставок устаревающих типов ЭКБ.

Направление СВЧ имеет очень большие коммерческие перспективы в связи с постоянно расширяющимся применением беспроводных мобильных средств передачи информации в диапазонах 2,5; 5 и 12 ГГц. Изделия этого направления становятся массовым продуктом. Совокупный потенциальный объем продаж СВЧ электроники двойного назначения на внутреннем и внешнем рынках прогнозируется в размере 100-350 млн. долларов в год на период 2012-2015 гг.

Прогнозы развития электроники на пост-кремниевый период (после 2020 г.) предполагают широкое внедрение в промышленности достижений нанотехнологий.

Однако при этом не следует ожидать какого-либо существенного изменения технологической платформы микроэлектроники. Ее контуры видны уже сейчас, так как основное оборудование для наноэлектроники уже находится в стадии опытных образцов: степпер-сканер экстремального ультрафиолета (EUV), установки нанопечати (наноимпринт), системы безмасочной литографии, атоммарного импульса газофазного осаждения и т.д.

Промышленности в этот период времени необходимо быть готовой к резкому увеличению затрат на техническое перевооружение, так как стоимость комплексов нанооборудования в разы превосходит стоимость традиционных средств технологического оснащения микроэлектроники. Поэтому на период 2016-2025 гг. в бюджете должно быть предусмотрено не менее чем 3-5-кратное увеличение ресурсов на техническое перевооружение объектов приоритетного освоения производства изделий наноэлектроники.

Внедрение нанотехнологий должно еще больше расширить глубину ее проникновения в повседневную жизнь населения. Должна быть обеспечена постоянная связь каждого индивидуума с глобальными информационно-управляющими сетями типа Internet.

Наноэлектроника будет интегрироваться с биообъектами и обеспечивать непрерывный контроль за поддержанием их жизнедеятельности, улучшением качества жизни, и таким образом сокращать социальные расходы государства.

Широкое распространение получат встроенные беспроводные наноэлектронные устройства, обеспечивающие постоянный контакт человека с окружающей его интеллектуальной средой, получат распространение средства прямого беспроводного контакта мозга человека с окружающими его предметами, транспортными средствами и другими людьми. Тиражи такой продукции превысят миллиарды штук в год из-за ее повсеместного распространения.

Отечественная промышленность должна быть готова к этому вызову, так как способность производить все компоненты сетевых систем будет означать установление фактического контроля над всеми их пользователями, что неприемлемо для многих стран с точки зрения сохранения их суверенитета. Аналогичной точки зрения придерживаются эксперты стран ЕС в связи с глобальной экспансией производителей электроники из стран Юго-Восточной Азии и намерением США обеспечить себе постоянное технологическое лидерство в этой области. Поэтому в период 2016-2025 гг. следует ожидать очередного усиления роли электроники в жизни общества и быть экономически готовыми к новому витку глобальной конкуренции стран на базе наноэлектронной технологии.

Облик промышленного производства при этом все более будет напоминать микроэлектронно-фармацевтические производства, а не традиционные приборно-машиностроительные производства, существующие в настоящее время.

4. Основные программные мероприятия

 

На первом этапе (2007-2011 годы) Стратегию предполагается реализовывать по трем взаимосвязанным направлениям, в том числе:

5. Оценка необходимого финансового обеспечения
Источники финансирования

 

Оценка необходимых объемов финансирования Стратегии приведена по трем этапам реализации Стратегии (табл. 7 и 8). Если затраты первого этапа реализации Стратегии (2007-2011 годы) полностью соответствуют затратам, приведенным в подпрограмме "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы, проекта ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы, ФЦП "Глобальная навигационная система" и ФЦП "Развитие ОПК РФ на 2007-2010 годы и на период до 2015 года, второй этап (2012-2015 годы) основывается на проекте ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы и ФЦП "Развитие ОПК РФ на 2007-2010 годы и на период до 2015 года", данные третьего (2016-2025 годы) этапа реализации Стратегии носят ориентировочный характер и должны быть уточнены в зависимости от результатов полученных на первом и втором этапах.

Указанные финансовые средства приведены в вышеуказанных федеральных целевых программах в рамках программных мероприятий по разработке и производству электронной компонентной базы организациями электронной промышленности Российской Федерации. Объемы финансирования предусмотренные на реализацию программных мероприятий Стратегии находятся в пределах объемов бюджетных ассигнований предусмотренных Федеральным законом "О федеральном бюджете на 2008 год и на плановый период 2009 и 2010 годов".

 

Таблица 7

 

Объемы финансовых затрат на реализацию 1 этапа Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года

 

(млн. руб. в ценах соответствующих лет)

Наименование затрат	Источник финансирования	2007-2011 годы	2007 год	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год
Объемы научно-исследовательс- ких и опытно-конструкторских работ в том числе: Подпрограмма "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы ФЦП "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы ФЦП "Глобальная навигационная система" ФЦП "Развитие ОПК РФ на 2007-2010 годы и на период до 2015 года" Объемы капитальных вложений в том числе: Подпрограмма "Развитие электронной компонентной базы" на 2007-2011 годы ФЦП "Национальная технологическая база" на 2007-2011 годы ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы Итого по 1 этапу Стратегии	Всего: в том числе Федеральный бюджет Всего: в том числе Федеральный бюджет Всего: в том числе Федеральный бюджет Всего: в том числе Федеральный бюджет Всего: в том числе Федеральный бюджет Всего: в том числе Федеральный бюджет Всего: в том числе Федеральный бюджет Всего: в том числе Федеральный бюджет Всего: в том числе Федеральный бюджет	34802,22 23158,32 3900,0 2600,0 29175,0 19450,0 669,42 579,42 1057,8 528,9 14640,0 7320,0 2400,0 1200,0 12240,0 6120,0 49442,22 30478,32	4238,3 2826,6 3900,0 2600,0 - - 129,1 122,0 209,2 104,6 2400,0 1200,0 2400,0 1200,0 6638,3 4026,6	5798,32 3878,92 - - 5385,0 3590,0 200,32 182,42 213,0 106,5 2640,0 1320,0 - - 2640,0 1320,0 8438,32 5198,92	6722,6 4468,8 - - 6315,0 4210,0 190,0 150,0 217,6 108,8 2900,0 1450,0 - - 2900,0 1450,0 9622,6 5918,8	7035,0 4700,0 - - 6795,0 4530,0 150,0 125,0 90,0 45,0 3200,0 1600,0 - - 3200,0 1600,0 10235,0 6300,0	11008,0 7284,0 - - 10680,0 7120,0 - - 328,0 164,0 3500,0 1750,0 - - 3500,0 1750,0 14508,0 9034,0

 

Таблица 8

 

Объемы финансовых затрат на реализацию 2 этапа (2012-2015 годы) и 3 этапа (2016-2025 годы) Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года

 

(млн. руб. в ценах соответствующих лет)

Наименование затрат	Источник финансирования	2 этап 2012-2015 годы	3 этап 2016-2025 годы
Объемы научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в том числе: ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы ФЦП "Развитие ОПК РФ на 2007-2010 годы и на период до 2015 года" Объемы капитальных вложений в том числе: ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы Итого по 2 и 3 этапам Стратегии	Всего: в том числе Федеральный бюджет Всего: в том числе Федеральный бюджет Всего: в том числе Федеральный бюджет Всего: в том числе Федеральный бюджет Всего: в том числе Федеральный бюджет Всего: в том числе Федеральный бюджет	48050,0 31316,0 43740,0 29160,0 4310,0 2156,0 15200,0 7600,0 15200,0 7600,0 63250,0 38916,0	80000,0 - 95000,0 45000,0 - 50000,0 - - - - 35000,0 - 40000,0 25000,0 - 30000,0 - - 115000,0 - 135000,0

6. Заключение

 

Реализация комплекса взаимоувязанных специальной подпрограммы, инвестиционных проектов и внепрограммных мероприятий, составляющих основу предложенной Стратегии, позволит восстановить научно-технический и производственно-технологический потенциал электронной отрасли в целом и вывести ее на современный мировой уровень.

Ожидается, что уже в 2011 году объем продаж продукции электронной промышленности составит не менее 45 млрд. руб. в год, а в 2025 году - 350 млрд. руб., а технологический уровень изделий микроэлектроники в серийном производстве в 2011 году будет соответствовать 0,09 мкм, а в 2025 году - 0,018 мкм. Это позволит решить задачи обеспечения потребностей отраслей страны, в том числе создания стратегически важной аппаратуры и систем, а также уже в 2011 году резко уменьшить долю используемой импортной ЭКБ в общем объеме ее закупок организациями радиоэлектронного комплекса, т.е. позволит изменить существующее в настоящее время соотношение 65%: 35% в пользу импортной ЭКБ на 70%: 30% в пользу отечественной ЭКБ.

Проведение реконструкции и технического перевооружения ключевых производств электронной техники и оптимизация структуры отрасли на основе государственно-частного партнерства с одновременным созданием рыночной инфраструктуры должны обеспечить существенное улучшение экономического положения организаций и повысить рентабельность выпускаемой продукции.

С учетом высокого потенциального уровня отечественной науки в области электроники к 2025 году можно ожидать существенного развития международного научно-технического сотрудничества и прорыва в области новых технологий, в том числе нанотехнологий, биоэлектроники, оптоэлектроники, квантовых компьютеров и др.

Все это позволит повысить конкурентную среду отечественной электронной техники как на внутреннем, так и на внешнем рынке и обеспечит значительное укрепление обороноспособности и безопасности России.