Постановление Совета Министров Союзного государства от 23 апреля 2010 г. N 7 "О научно-технической программе Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (с изменениями и дополнениями)

Постановление Совета Министров Союзного государства от 23 апреля 2010 г. N 7
"О научно-технической программе Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"

С изменениями и дополнениями от:

26 марта 2012 г.

Совет Министров Союзного государства постановляет:

1. Утвердить научно-техническую программу Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (далее - Программа), представленную Министерством промышленности и торговли Российской Федерации и Министерством промышленности Республики Беларусь (прилагается).

2. Осуществить финансирование работ по реализации мероприятий Программы в 2010 - 2013 годах из бюджета Союзного государства в объеме 1500000,0 тыс. рублей, в том числе за счет долевых отчислений Российской Федерации - 975000,0 тыс. рублей, за счет долевых отчислений Республики Беларусь - 525000,0 тыс. рублей.

3. Финансирование работ по реализации мероприятий Программы в 2010 году в объеме 195000,0 тыс. рублей (доля Российской Федерации - 127000,0 тыс. рублей, доля Республики Беларусь - 68000,0 тыс. рублей) осуществить в соответствии со статьями 6 и 12 Декрета Высшего Государственного Совета Союзного государства "О бюджете Союзного государства на 2010 год" от 10 декабря 2009 г. N 3 по согласованию с Парламентским Собранием Союза Беларуси и России.

4. Постоянному Комитету Союзного государства в месячный срок внести изменения в сводную бюджетную роспись доходов и расходов бюджета Союзного государства на 2010 год по расходам, предусмотренным в пункте 3 настоящего постановления, и направить необходимые документы о внесении изменений в установленном порядке в Министерство финансов Республики Беларусь и Министерство финансов Российской Федерации.

5. Настоящее постановление вступает в силу со дня его подписания.

Председатель Совета Министров Союзного государства

В. Путин

Информация об изменениях:

Постановлением Совета Министров Союзного государства от 26 марта 2012 г. N 4 настоящая Программа изложена в новой редакции

Научно-техническая программа
Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"
(в редакции постановления Совета Министров Союзного государства
от 26 марта 2012 г. N 4)
(утв. постановлением Совета Министров Союзного государства
от 23 апреля 2010 г. N 7)

ГАРАНТ:

Об итогах выполнения настоящей научно-технической программы Союзного государства см. постановление Совета Министров Союзного государства от 29 сентября 2015 г. N 21

1. Содержание проблемы, обоснование ее актуальности и необходимости разработки программы для решения проблемы

Программа Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (далее - Программа) разработана в соответствии с постановлением Совета Министров Союзного государства от 19 августа 2008 года N 35.

Основной проблемой, на решение которой направлена Программа, является обеспечение стратегически значимых радиоэлектронных систем государств-участников Союзного государства электронной компонентной базой (ЭКБ) специального назначения и двойного применения, разработанной на предприятиях электронной промышленности Беларуси и России.

Основными причинами ее возникновения являются:

постоянное повышение доли устаревшей специальной ЭКБ в системах вооружения, военной и специальной техники (ВВСТ);

рост применения зарубежных электронных компонентов при одновременном снижении уровня обеспеченности отечественными электронными компонентами ведущихся разработок и серийного производства систем ВВСТ (как отмечено в Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 г., во вновь разрабатываемых отечественных системах ВВСТ применяется до 70% иностранных электронных компонентов);

действие за рубежом ограничений на поставку в Россию специальных электронных компонентов, в силу чего разработчикам радиоэлектронных систем приходится довольствоваться не соответствующей необходимым требованиям заказчиков номенклатурой импортной ЭКБ, что приводит к целому ряду негативных моментов и, в частности, к дополнительным затратам на вынужденную проверку изделий при ее применении;

утрата технологии производства ЭКБ разработки 70-80-х годов, хотя и устаревшей, но являющейся основой находящихся в настоящее время на вооружении образцов ВВСТ, причем наиболее существенные потери понесло производство радиационно-стойкой компонентной базы;

значительное ослабление или полное отсутствие производственной кооперации и координации работ организаций электронной промышленности России со значительной частью крупных организаций отрасли, оставшихся за ее пределами.

Таким образом, широкое применение в создаваемых системах ВВСТ зарубежной ЭКБ и ослабление государственного контроля в этой области в сочетании с утратой Россией и Беларусью передовых научно-технических позиций в сфере разработки и производства специальной ЭКБ создало реальную угрозу национальной безопасности государств-участников Союзного государства.

Поэтому в "Основах политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу" и в "Государственной Программе развития и повышения эффективности работы микроэлектронной отрасли Республики Беларусь на 2001 - 2010 гг." ставится задача по достижению технологической независимости от иностранных государств в разработке, производстве и применении ЭКБ, используемой в электронных системах, имеющих стратегическое значение для национальной безопасности России и Беларуси.

Основные принципы решения этой задачи определены в Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года, а базовым инструментом ее решения является федеральная целевая программа "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы.

Однако ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы не предусматривает разработку конкретных типономиналов ЭКБ. Ее основными задачами являются разработка базовых промышленных технологий и базовых конструкций радиоэлектронных компонентов и приборов, техническое перевооружение предприятий и организаций радиоэлектронного комплекса на основе передовых технологий, опережающее развитие вертикально интегрированных систем автоматизированного проектирования сложных электронных компонентов, аппаратуры и систем.

Поэтому проблема разработки и освоения производства конкретных типономиналов специальной ЭКБ, в частности интегральных микросхем (ИМС) и полупроводниковых приборов, является актуальной и стратегически важной для создания конкурентоспособных радиоэлектронных систем и систем ВВСТ государств-участников Союзного государства.

Особенности специальной ЭКБ:

широкая номенклатура ЭКБ;

повышенные требования по эксплуатации (температура, влажность, радиационная стойкость, повышенная надежность, устойчивость к механическим воздействиям и так далее);

относительно небольшие объемы выпуска заказываемой продукции;

требуемый длительный жизненный цикл поставляемых изделий, включая необходимость воспроизводства в течение 10-15 лет.

В силу этого российские производители ЭКБ, являющиеся, как правило, акционерными обществами, в которых значительно ослаблено государственное влияние и контроль за деятельностью, не проявляют заинтересованности в разработке специальной ЭКБ за счет собственных средств. Ведущее предприятие электронной промышленности Беларуси ОАО "ИНТЕГРАЛ" не может на равных условиях участвовать в реализации федеральных целевых программ по развитию ЭКБ.

Поэтому непринятие межгосударственных мер по решению проблемы разработки специальной ЭКБ в Беларуси и России (инерционный сценарий) приведет к дальнейшему увеличению доли импортной ЭКБ в радиоэлектронных военных комплексах и в системах ВВСТ, что негативно отразится на состоянии обороноспособности и информационной безопасности государств-участников Союзного государства.

Наиболее эффективным путем решения этой проблемы является активный сценарий, связанный с принятием комплексно-целевой программы Союзного государства по разработке и освоению производства серии конкретных типономиналов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения. Это позволит, во-первых, оптимизировать номенклатуру разрабатываемых микросхем и полупроводниковых приборов и исключить дублирование работ; во-вторых, будут выработаны и согласованы с разработчиками радиоэлектронных систем и средств ВВСТ общие технические требования к разрабатываемой ЭКБ, в том числе в части стойкости к внешним воздействующим специальным факторам; в-третьих, в полной мере будет задействован научно-технический и производственный потенциал белорусского ОАО "ИНТЕГРАЛ" для разработки и освоения широкой номенклатуры специальной ЭКБ в интересах российских потребителей; в-четвертых, будет предусмотрена возможность изготовления опытных образцов и освоения производства отдельных типов разрабатываемой ЭКБ на действующих и создаваемых в России производственных линиях высокого технологического уровня; наконец, будет оказана необходимая государственная финансовая поддержка предприятиям электронной промышленности Беларуси и России в разработке конкретных типов специальной ЭКБ.

Ожидаемый результат - разработка и освоение производства конкретных типономиналов специальной ЭКБ для вновь разрабатываемых стратегически значимых радиоэлектронных систем управления, связи, обработки и защиты информации, систем радиоэлектронной борьбы и электронного противодействия, систем ВВСТ, что полностью соответствует приоритетам государственной политики по укреплению обороноспособности и информационной безопасности государств-участников Союзного государства.

Целесообразность программного решения проблемы на союзном уровне обусловлена следующими причинами:

межотраслевым, межведомственным и межгосударственным характером проблемы, так как в разрабатываемой специальной ЭКБ заинтересован целый ряд министерств и ведомств России и Беларуси, в том числе силовых;

необходимостью принятия решений на уровне Совета Министров Республики Беларусь, Правительства Российской Федерации и Совета Министров Союзного государства, поскольку номенклатура (типономиналы) разрабатываемой специальной ЭКБ и ее основные технические характеристики будут во многом определять тактико-технические характеристики вновь разрабатываемых систем ВВСТ государств-участников Союзного государства;

комплексностью подхода, необходимостью увязки союзной программы по разработке интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения с другими национальными (включая ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы), межгосударственными и союзными программами.

2. Основные цели и задачи, этапы и сроки реализации Программы

В соответствии со статьей 17 Договора о создании Союзного государства объединенная система технического обеспечения Вооруженных сил государств-участников относится к исключительному ведению Союзного государства.

В системах ВВСТ доля радиоэлектронной аппаратуры достигает 70%, так что без расширения номенклатуры электронной компонентной базы, повышения ее технического и технологического уровня невозможно осуществлять создание перспективных и модернизацию существующих образцов вооружений и военной техники России и Беларуси.

Поэтому актуальность Программы обусловлена, во-первых, необходимостью расширения номенклатуры выпускаемых в России и Беларуси интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения; во-вторых, реализация Программы станет реальным шагом на пути снижения зависимости России и Беларуси от импорта зарубежной ЭКБ и повышения экспортного потенциала оборонно-промышленного комплекса государств- участников. Программа полностью отвечает Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года, в которой указывается на необходимость расширить состав совместных межгосударственных российско-белорусских программ по разработке специальной ЭКБ для задач реализации совместных крупномасштабных проектов и интеграции экономик.

Целью Программы является создание импортозамещающей ЭКБ специального и двойного применения для стратегически значимых радиоэлектронных систем и систем ВВСТ.

Задача Программы - создание типономиналов ЭКБ повышенной степени интеграции с высокими надежностными, функциональными и точностными характеристиками и соответствующей группой стойкости к специальным внешним воздействующим факторам и освоение производства разработанной ЭКБ на предприятиях России и Беларуси.

Эта задача может быть решена только программными методами в масштабе Союзного государства в увязке с проблемами, стоящими как перед радиоэлектронной, так и перед другими отраслями промышленности России и Беларуси.

Показателями эффективности выполнения программных мероприятий является количество освоенных в производстве конкретных типономиналов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения (к 2014 г. - не менее 90 типономиналов).

Реализация Программы планируется в один этап с 2010 года по 2013 год.

3. Система программных мероприятий

Мероприятия, которые предлагается реализовать для достижения целей Программы, приведены в таблице 1 и структурированы по следующим направлениям:

- НИОКР по разработке интегральных микросхем, в том числе:

- микропроцессоров и микроконтроллеров,

- программируемых логических интегральных схем (ПЛИС) и базовых матричных кристаллов (БМК),

- матричных кремниевых мультиплексоров,

- микросхем запоминающих устройств (ЗУ),

- схем интерфейса,

- схем для источников вторичного электропитания,

- операционных усилителей, компараторов, аналого-цифровых схем,

- микросхем для устройств отображения информации,

- "систем на кристалле";

- ряда других микросхем для аппаратуры специального и двойного применения;

- НИОКР по разработке полупроводниковых приборов, в том числе:

- ДМОП-транзисторов и канальных МОП-транзисторов,

- биполярных транзисторов с изолированным затвором,

- стабилитронов,

- импульсных диодов Шоттки;

- НИР по разработке нормативно-правовой базы, повышению качества и информационно-аналитическому обеспечению разработок ЭКБ, в том числе:

- по разработке методов ускоренных испытаний на безотказность и наработку на отказ применительно к микросхемам с субмикронными размерами элементов;

- по исследованию надёжности элементной базы КМОП ИМС с субмикронными проектными нормами.

Таблица 1

Укрупненный перечень мероприятий Программы

N мероприятия	Наименование мероприятий	Объемы финансирования (млн. росс. руб.): всего, в том числе: из бюджета Союзного государства ------------------------------- из внебюджетных источников					Ожидаемые результаты
		2010 - 2013 гг. (в ценах соотв. лет)	2010 г.	2011 г.	2012 г.	2013 г.
1. НИОКР по разработке интегральных микросхем.
1.1	Разработка ряда 8-, 16-, 32- разрядных микропроцессоров и микроконтроллеров, в том числе устойчивых к специальным внешним воздействующим факторам (СВВФ), а также кристаллов для контактных и бесконтактных (радиочастотных) средств идентификации, в том числе:
1.1.1	Разработка ряда микропроцессоров и микроконтроллеров, в том числе устойчивых к СВВФ.	192,4	21,5	38,9	48,3	83,7	Опытные образцы RISC-микроконтроллера с EEPROM-памятью, устойчивого к СВВФ (косвенный функциональный аналог AT90S2333, ф. Atmel); микросхемы многоканального формирователя временных интервалов, устойчивой к СВВФ (основные технические характеристики: напряжение питания: ; частота сигнала синхронизации: 100 МГц; точность установки фронтов импульсов: 10 нс; разрядность кодов фронтов импульсов: 8 бит; диапазон рабочих температур: от минус 60 до +125°С; устойчивость к СВВФ: 2Ус); БИС для электронного паспорта изделий (частота операционного поля 13,56 МГц, объём ЭСППЗУ 1024 байта); микроконтроллера с 10-разрядным АЦП, устойчивого к СВВФ (система команд семейства MCS-51); микросхемы автономного CAN-контроллера, устойчивого к воздействию СВВФ (функциональный аналог МСР 2515 ф. Microchip).
		96,2 ---- 96,2	11,5 ---- 10,0	21,2 ---- 17,7	25,0 ---- 23,3	38,5 ---- 45,2
		в том числе: Беларусь:
		192,4	21,5	38,9	48,3	83,7
		96,2 ---- 96,2	11,5 ---- 10,0	21,2 ---- 17,7	25,0 ---- 23,3	38,5 ---- 45,2
		Россия:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
1.1.2	Разработка 8-разрядного микроконтроллера с загружаемой памятью программ, 32-разрядного микроконтроллера с Ethernet интерфейсом, 32-разрядного микроконтроллера с 12- разрядными АЦП и ЦАП, устойчивых к СВВФ; радиационно-стойкого 32-разрядного процессора цифровой обработки сигналов с плавающей запятой; микропроцессорной СБИС типа "система на кристалле" с встроенной операционной системой для интеллектуальных карт и электронных документов.	250,0	30,5	52,7	76,0	90,8	Опытные образцы: 8-разрядного спецстойкого микроконтроллера с загружаемой памятью программ (система команд - PIC17); 32-разрядного микроконтроллера с Ethernet интерфейсом, устойчивого к СВВФ (функциональный аналог по системе команд ST32F103 ф. STM); 32-разрядного микроконтроллера с 12-разрядными АЦП и ЦАП, устойчивого к СВВФ (функциональный аналог LPC 1111 ф.NХР); радиационно-стойкого 32- разрядного процессора цифровой обработки сигналов с плавающей запятой, функционально совместимого с серийно выпускаемыми процессорами линейки 1867 (тактовая частота 50 МГц; производительность 50 MFLOPS; внутреннее ОЗУ данных 2Кх32, бит; Кэш ОЗУ 64x32, бит; внутреннее ПЗУ программ 4Кх32, бит; два последовательных порта с организацией 8/16/24/32 бит; мультипроцессорный интерфейс; блок прямого доступа к памяти (DMA); два 32-разрядных таймера); микропроцессорной СБИС типа "система на кристалле" с встроенной операционной системой для интеллектуальных карт и электронных документов (зарубежные аналоги SLE66LX640P, ф. Infineon; ST19WR66, STM; P5CD072, ф. Philips).
		125,0 ---- 125,0	16,3 ---- 14,2	26,4 ---- 26,3	41,4 ---- 34,6	40,9 ---- 49,9
		в том числе: Беларусь:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
		Россия:
		250,0	30,5	52,7	76,0	90,8
		125,0 ---- 125,0	16,3 ---- 14,2	26,4 ---- 26,3	41,4 ---- 34,6	40,9 ---- 49,9
1.2	Разработка микросхем СОЗУ емкостью 64К, 256К, 1М, 4М и 8М, ряда ЭСППЗУ, однократно и многократно программируемых ПЗУ для изделий специального назначения и двойного применения, в том числе:
1.2.1	Разработка однократно электрически программируемого ЗУ емкостью 1М, стойкого к спецфакторам, микросхем статических ОЗУ емкостью 4 и 8 Мбит и многократно программируемого ПЗУ для задания конфигурации ПЛИС.	312,0	38,0	65,9	95,0	113,1	Опытные образцы: микросхемы однократно электрически программируемого ЗУ емкостью 1М, стойкого к спецфакторам (разрядность слова - 8; емкость - 1 Мбит; время доступа по чтению - 40 нс; напряжение программирования - напряжение питания 3,3 В; тип ячейки - antifuse; диапазон напряжения питания - 3,0-5,5 В); микросхем статических ОЗУ емкостью 4 Мбит и 8 Мбит (аналог CY7C1049 ф. Cypress) и многократно программируемого ПЗУ емкостью 1 Мбит для задания конфигурации ПЛИС (функциональный аналог AT17LV010 ф. Atmel).
		156,0 ---- 156,0	20,3 ---- 17,7	33,1 ---- 32,8	51,8 ---- 43,2	50,8 ---- 62,3
		в том числе: Беларусь:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
		Россия:
		312,0	38,0	65,9	95,0	113,1
		156,0 ---- 156,0	20,3 ---- 17,7	33,1 ---- 32,8	51,8 ---- 43,2	50,8 ---- 62,3
1.2.2	Разработка элементной базы, библиотек проектирования и микросхем двухпортового СОЗУ емкостью 256 К; FRAM ЗУ емкостью. 64 К; ОЗУ емкостью 256 К, устойчивого к СВВФ; ЭСППЗУ емкостью 256 К.	178,4	20,4	29,7	40,3	88,0	Элементная база, библиотеки проектирования и опытные образцы микросхем: двухпортового СОЗУ емкостью 256 К (прототип IDT7007, ф. IDT); FRAM ЗУ емкостью 64 К (прототип FM24C256-SE, ф. Ramtron); ОЗУ емкостью 256 К, устойчивого к СВВФ; ЭСППЗУ емкостью 256 К (прототип АТ24С256 ф. Atmel).
		89,2 ---- 89,2	9,8 ---- 10,6	15,9 ---- 13,8	26,8 ---- 13,5	36,7 ---- 51,3
		в том числе: Беларусь:
		178,4	20,4	29,7	40,3	88,0
		89,2 ---- 89,2	9,8 ---- 10,6	15,9 ---- 13,8	26,8 ---- 13,5	36,7 ---- 51,3
		Россия:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
1.3	Разработка семейства ПЛИС и БМК, в том числе устойчивых к СВВФ, для аппаратуры специального назначения и двойного применения, а также разработка программных средств для перевода проектов, реализованных на зарубежных ПЛИС, в полузаказные СБИС на отечественных БМК, в том числе:
1.3.1	Разработка стойкой к СВВФ ПЛИС с системой устойчивости к одиночным сбоям, ряда базовых матричных кристаллов (БМК), семейства радиационно-стойких КМОП БМК с компилированными ОЗУ, семейства радиационно-стойких ПЛИС с энергонезависимой сегнетоэлектрической (FRAM) памятью.	272,0	33,2	57,5	82,8	98,5	Опытные образцы: стойкой к СВВФ ПЛИС емкостью 30 тысяч вентилей с системой устойчивости к одиночным сбоям (напряжение питания, В: 2,5 - 3,3; типовая логическая ёмкость: 30 тыс. вентилей; количество логических элементов: 1728; объём встроенной памяти, бит: 12288; разрабатываемая ПЛИС функционально совместима с ПЛИС FLEX 10К30 ф. Altera); базовых матричных кристаллов (БМК) с числом вентилей до 1 000 000 и тактовой частотой 200 МГц; радиационно-стойких КМОП БМК с компилированными ОЗУ (эквивалентное число вентилей - до 200 000; аналоги: семейство БМК серии 1537ХМ (Россия), семейство БМК MG2RTP (ф. Atmel)); семейство радиационно-стойких ПЛИС с энергонезависимой сегнетоэлектрической (FRAM) памятью (эквивалентное число вентилей: 60000 - 100000; емкость сегнетоэлектрической (FRAM) памяти: 256 Кбит; напряжение питания: 3,3 или 5,0 В).
		136,0 ---- 136,0	17,8 ---- 15,4	28,8 ---- 28,7	45,2 ---- 37,6	44,2 ---- 54,3
		в том числе: Беларусь:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
		Россия:
		272,0	33,2	57,5	82,8	98,5
		136,0 ---- 136,0	17,8 ---- 15,4	28,8 ---- 28,7	45,2 ---- 37,6	44,2 ---- 54,3
1.3.2	Разработка серии однократно программируемых логических схем на 2 К и 8 К вентилей, устойчивых к СВВФ; аналогового базового матричного кристалла для создания полузаказных аналоговых СБИС, устойчивых к СВВФ; программных средств для перевода проектов, реализованных на ПЛИС фирмы Xilinx, в заказные СБИС.	89,8	13,8	17,5	39,5	19,0	Опытные образцы однократно программируемых логических схем на 2 К и 8 К вентилей, устойчивых к СВВФ (функциональные аналоги RH1020, RH1280, ф. Actel); аналогового базового матричного кристалла для создания полузаказных аналоговых СБИС, устойчивых к СВВФ (напряжение питания: 3 - 15 В; 36 типовых операционных усилителей; 512 двухвходовых вентилей; 64 двухтактных триггера; масочное программирование). Программные средств для перевода проектов, реализованных на ПЛИС ф. Xilinx, в заказные СБИС (библиотеки функциональных и структурных описаний элементов отечественных СБИС; программные средства перепроектирования (синтеза) в базисах библиотек отечественных СБИС; программные средства преобразования и оптимизации RTL-описаний логических схем; программные средства синтеза макроэлементов, реализующих математические функции; программные средства логической верификации процесса повторного синтеза).
		44,9 ---- 44,9	7,5 ---- 6,3	9,0 ---- 8,5	21,4 ---- 18,1	7,0 ---- 12,0
		в том числе: Беларусь:
		89,8	13,8	17,5	39,5	19,0
		44,9 ---- 44,9	7,5 ---- 6,3	9,0 ---- 8,5	21,4 ---- 18,1	7,0 ---- 12,0
		Россия:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
1.4	Разработка библиотеки элементов и СФ-блоков для создания унифицированного типоразмерного ряда кремниевых мультиплексоров для ИК ФПУ и разработка опытных образцов мультиплексора для фотоприемных матриц третьего поколения дальнего ИК диапазона и БИС управления и обработки сигналов мультиплексора, в том числе разработка элементной базы матричных кремниевых мультиплексоров для фотоприемных устройств, микросхемы стабилизаторов напряжения отрицательной полярности и микросхемы широкополосного видео мультиплексора 4x1.	89,4	15,7	19,8	37,4	16,5	Опытные образцы элементной базы матричных кремниевых мультиплексоров для фотоприемных устройств (накопитель для матрицы изображения 320x240 пикселов); микросхемы стабилизаторов напряжения отрицательной полярности (функционально-электрический аналог МС 79ХХ) и микросхемы широкополосного видео мультиплексора 4x1 (прототип AD9300, ф. Analog Devices).
		44,7 ---- 44,7	8,0 ---- 7,7	10,2 ---- 9,6	20,5 ---- 16,9	6,0 ---- 10,5
		в том числе: Беларусь:
		89,4	15,7	19,8	37,4	16,5
		44,7 ---- 44,7	8,0 ---- 7,7	10,2 ---- 9,6	20,5 ---- 16,9	6,0 ---- 10,5
		Россия:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
1.5	Разработка ряда схем интерфейса, в том числе устойчивых к СВВФ, для аппаратуры специального назначения и двойного применения, в том числе:
1.5.1	Разработка комплекта интерфейсных интегральных микросхем приёмо-передатчиков стандарта RS-485 и комплекта микросхем интерфейсных приёмопередатчиков манчестерского кода.	57,2	10,0	15,1	13,8	18,3	Опытные образцы микросхем приёмопередатчиков стандарта RS-485 с пониженным до 3 В напряжением питания (аналоги МАХ 3485, МАХ 3486, ф. Maxim) и микросхем интерфейсных приёмопередатчиков манчестерского кода с пониженным напряжением питания 3.3 В (аналоги HI-1573, HI-1574, ф. Holt Integrated Circuits), устойчивых к СВВФ.
		28,6 ---- 28,6	6,3 --- 3,7	7,0 --- 8,1	7,9 ---- 5,9	7,4 ---- 10,9
		в том числе: Беларусь:
		57,2	10,0	15,1	13,8	18,3
		28,6 ---- 28,6	6,3 --- 3,7	7,0 --- 8,1	7,9 --- 5,9	7,4 ---- 10,9
		Россия:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
1.5.2	Разработка микросхемы приемо-передатчика интерфейса LVDS.	42,0	4,9	9,0	13,0	15,1	Опытные образцы микросхемы приемопередатчика интерфейса LVDS, устойчивой к СВВФ (аналог DS90LV049 ф. NS).
		21,0 ---- 21,0	2,5 --- 2,4	4,6 --- 4,4	7,1 --- 5,9	6,8 ---- 8,3
		в том числе: Беларусь:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
		Россия:
		42,0	4,9	9,0	13,0	15,1
		21,0 ---- 21,0	2,5 ---- 2,4	4,6 ---- 4,4	7,1 ---- 5,9	6,8 ---- 8,3
1.6	Разработка ряда микросхем для источников вторичного электропитания в аппаратуре специального назначения и двойного применения, в том числе:
1.6.1	Разработка микросхем микромощного стабилизатора напряжения, малошумящего двухдиапазонного источника опорного напряжения, регулятора напряжения положительной полярности с низким остаточным напряжением для источников питания.	68,0	5,1	11,0	14,9	37,0	Опытные образцы микросхем: микромощного стабилизатора напряжения (входное напряжение: 6 - 16 В; выходное напряжение: ; ток потребления: не более 6 мкА; температурный коэффициент выходного напряжения: не более мВ/°С; ближайший функциональный аналог ADM663 ф. Analog Devices); малошумящего двухдиапазонного источника опорного напряжения (аналог AD780, ф. Analog Devices); регулятора напряжения положительной полярности с низким остаточным напряжением для источников питания (аналог AMS1117А, ф. Advanced Monolitic Systems).
		34,0 ---- 34,0	2,6 ---- 2,5	5,0 ---- 6,0	9,4 ---- 5,5	17,0 ---- 20,0
		в том числе: Беларусь:
		68,0	5,1	11,0	14,9	37,0
		34,0 ---- 34,0	2,6 ---- 2,5	5,0 ---- 6,0	9,4 ---- 5,5	17,0 ---- 20,0
		Россия:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
1.6.2	Разработка СБИС повышающего преобразователя напряжения (DCDC) для применения в устройствах и системах, использующих низковольтные источники питания.	44,0	5,4	9,3	13,4	15,9	Опытные образцы СБИС повышающего преобразователя напряжения DCDC (аналог RICOH RH5RIXX).
		22,0 ---- 22,0	2,9 ---- 2,5	4,7 ---- 4,6	7,3 ---- 6,1	7,1 ---- 8,8
		в том числе: Беларусь:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
		Россия:
		44,0	5,4	9,3	13,4	15,9
		22,0 ---- 22,0	2,9 ---- 2,5	4,7 ---- 4,6	7,3 ---- 6,1	7,1 ---- 8,8
1.7	Разработка ряда операционных усилителей, компараторов, аналого-цифровых схем для аппаратуры специального назначения и двойного применения, в том числе:
1.7.1	Разработка биполярных интегральных функционально полных ЦАП и АЦП на 16 двоичных разрядов, шестиканального 16-разрядного АЦП с напряжением питания 3 В и 5 В.	120,0	14,7	25,4	36,5	43,4	Опытные образцы: биполярных интегральных функционально полных ЦАП (время установления выходного сигнала от Ufs= 10 В - не более 5 мкс; число разрядов 16) и АЦП (время преобразования выходного сигнала Ufs= 10 В - не более 16 мкс; число разрядов 16); шестиканального 16-разрядного АЦП с напряжением питания 3 В и 5 В (аналог AD73360 ф. Analog Devices).
		60,0 ---- 60,0	7,9 ---- 6,8	12,7 ---- 12,7	19,9 ---- 16,6	19,5 ---- 23,9
		в том числе: Беларусь:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
		Россия:
		120,0	14,7	25,4	36,5	43,4
		60,0 ---- 60,0	7,9 ---- 6,8	12,7 ---- 12,7	19,9 ---- 16,6	19,5 ---- 23,9
1.7.2	Разработка микросхемы регулируемого стабилизатора напряжения отрицательной полярности и комплекта микросхем для контроля питания, устойчивых к СВВФ.	58,0	0,0	8,0	11,5	38,5	Опытные образцы микросхемы регулируемого стабилизатора напряжения отрицательной полярности (аналог LM 337 ф. National Semiconductor); комплекта микросхем для контроля питания, устойчивых к СВВФ (аналог МАХ809/810, ф. Maxim): контроль питания +2,5В; +3,0В; +3,3В; +5,0В низким и высоким уровнями сигнала сброса; устойчивость к СВВФ: 2Ус; диапазон рабочих температур: от минус 60 до +125°С.
		29,0 ---- 29,0	0,0 ---- 0,0	2,0 ---- 6,0	8,5 ---- 3,0	18,5 ---- 20,0
		в том числе: Беларусь:
		58,0	0,0	8,0	11,5	38,5
		29,0 ---- 29,0	0,0 ---- 0,0	2,0 ---- 6,0	8,5 ---- 3,0	18,5 ---- 20,0
		Россия:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
1.8	Разработка интегральных схем для управления устройствами отображения информации, в том числе микросхемы драйвера с программируемым мультиплексом для сегментных ЖКИ и комплекта микросхем высоковольтных драйверов строк/столбцов для устройств управления информационными экранами на газоплазменных панелях.	75,0	4,0	20,5	34,5	16,0	Опытные образцы микросхемы драйвера с программируемым мультиплексом для сегментных ЖКИ (аналог НТ1621, ф. Holtek) и комплекта микросхем высоковольтных драйверов строк/столбцов для устройств управления информационными экранами на газоплазменных панелях (аналоги , ф. NEC).
		37,5 ---- 37,5	3,0 ---- 1,0	10,5 ---- 10,0	20,0 ---- 14,5	4,0 ---- 12,0
		в том числе: Беларусь:
		75,0	4,0	20,5	34,5	16,0
		37,5 ---- 37,5	3,0 ---- 1,0	10,5 ---- 10,0	20,0 ---- 14,5	4,0 ---- 12,0
		Россия:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
1.9	Разработка СБИС типа "система на кристалле" для построения новейших систем радиосвязи, радиолокации, цифрового телевидения и обработки видеосигналов.	520,0	63,2	109,8	158,3	188,7	Опытные образцы: СБИС цифровой системы приема и обработки высокочастотных сигналов (состав: аналого-цифровые преобразователи широкополосных сигналов, блок аппаратной поддержки предварительной обработки (гетеродинирования и фильтрации), процессорные ядра для цифровой обработки сигналов, ядро высокопроизводительного RISC процессора, внутренняя статическая память, двухбитовые порты ввода данных SIGN/MAGN, быстродействующие последовательные порты, последовательные интерфейсы UART и GPIO, JTAG-порт, цифро-аналоговые преобразователи (только в микросхеме управления и синтеза сигнала); основные технические характеристики: тактовая частота работы процессорных ядер цифровой обработки сигналов - не менее 320 МГц, производительность процессоров цифровой обработки сигналов - до 80000 миллионов операций умножения с накоплением в секунду (ММАС) или до 30 GFLOPS, производительность RISC процессора - не менее 320 MIPS, объем оперативной памяти - не менее 8 Мбит, разрядность - не менее 32 бит); комплекта СБИС для спутниковой мультимедийной системы по стандарту DVB-RCS в составе: СБИС типа "система на кристалле" декодера - демодулятора приёмника спутникового канала; БИС демодулятора и усилителя промежуточной частоты; СБИС ATM коммутатора; СБИС типа "система на кристалле" ATM процессора; СБИС кодеров - декодеров; чипсета на СБИС типа "система на кристалле" для радиоприёмника цифрового радиовещания в формате DRM (диапазон принимаемых частот - 150 кГц - 30 МГц; динамический ток потребления, мА - 150; рабочее напряжение питания, В - 1.8; 2.7; 3.6; температурный диапазон - минус 45°С - + 85°С).
		260,0 ---- 260,0	33,9 ---- 29,3	55,1 ---- 54,7	86,3 ---- 72,0	84,7 ---- 104,0
		в том числе: Беларусь:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
		Россия:
		520,0	63,2	109,8	158,3	188,7
		260,0 ---- 260,0	33,9 ---- 29,3	55,1 ---- 54,7	86,3 ---- 72,0	84,7 ---- 104,0
1.10	Разработка логических ИС, устойчивых к СВВФ, и ряда других ИС для аппаратуры специального и двойного применения, в том числе микросхемы программируемого цифрового термометра с EEPROM и последовательным интерфейсом, микросхемы часов реального времени с двухпроводным последовательным С интерфейсом и батарейным питанием, комплекта микросхем для малогабаритных кварцевых генераторов.	112,0	9,5	26,2	34,7	41,6	Опытные образцы комплекта микросхем для малогабаритных кварцевых генераторов в составе: 1) логический элемент "НЕ" (функциональный аналог TC7S04, ф. Toshiba, Япония; параметрический аналог 1554 ЛН1ТБН, ОАО "ИНТЕГРАЛ"); 2) стабилизаторы напряжения (функциональные аналоги: TK71728S, TK71730S, TK71740S, TK71750S., ф. ТОКО, Япония); 3) датчик контроля температуры (аналог LM135Z, ф. SGS-Thomson, Франция); 4) маломощный операционный усилитель (функциональный аналог LMC7101 ф. National Semiconductor); микросхемы программируемого цифрового термометра с EEPROM и последовательным интерфейсом (аналог DS1620 ф. MAXIM-Dallas Semiconductor), микросхемы часов реального времени с двухпроводным последовательным С интерфейсом и батарейным питанием (аналог DS1307 ф. MAXIM-Dallas Semiconductor).
		56,0 ---- 56,0	5,0 ---- 4,5	13,7 ---- 12,5	19,3 ---- 15,4	18,0 ---- 23,6
		в том числе: Беларусь:
		112,0	9,5	26,2	34,7	41,6
		56,0 ---- 56,0	5,0 ---- 4,5	13,7 ---- 12,5	19,3 ---- 15,4	18,0 ---- 23,6
		Россия:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
	Всего по разделу 1:	2480,2	289,9	516,3	749,9	924,1
		1240,1 ------ 1240,1	155,3 ----- 134,6	259,9 ----- 256,4	417,8 ----- 332,1	407,1 ----- 517,0
		в том числе: Беларусь:
		920,2	100,0	186,7	274,9	358,6
		460,1 ----- 460,1	53,7 ---- 46,3	94,5 ---- 92,2	158,8 ----- 116,1	153,1 ----- 205,5
		Россия:
		1560,0	189,9	329,6	475,0	565,5
		780,0 ----- 780,0	101,6 ---- 88,3	165,4 ----- 164,2	259,0 ----- 216,0	254,0 ----- 311,5
2. НИОКР по разработке полупроводниковых приборов.
2.1	Разработка ряда ДМОП транзисторов и канальных МОП транзисторов специального назначения и двойного применения, в т.ч.:
2.1.1	Разработка ряда силовых n- и р-канальных полевых транзисторов, ряда ДМОП транзисторов и составного биполярного n-р-n транзистора в малогабаритном металлокерамическом корпусе	67,6	17,7	18,5	15,7	15,7	Опытные образцы ряда стойких n-канальных (функциональный аналог IRLZ44, ф. IR) и р-канальных (функциональный аналог IRF9540, ф. IR) полевых транзисторов (стойкость к СВВФ - 3У); ряда ДМОП транзисторов с рабочими напряжениями до 800 В и токами до 80 А (функциональные аналоги IRF540N, STP5NA80 ф. SGS-Thomson, ERF830 ф. International, RFP50N06 ф. Fairchild Semiconductor); составного биполярного n- р-n транзистора в малогабаритном металлокерамическом корпусе: статический коэффициент передачи тока, (, ) - 1000; напряжение насыщения коллектор-эмиттер, (, ) - 1,3 В; напряжение насыщения база-эмиттер, (, ) - 1,9 В (функциональный аналог BSP52, ф. Philips).
		33,8 ---- 33,8	9,4 ---- 8,3	11,5 ---- 7,0	7,7 ---- 8,0	5,2 ---- 10,5
		в том числе: Беларусь:
		67,6	17,7	18,5	15,7	15,7
		33,8 ---- 33,8	9,4 ---- 8,3	11,5 ---- 7,0	7,7 ---- 8,0	5,2 ---- 10,5
		Россия:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
2.1.2	Разработка полного параметрического ряда мощных СВЧ линейных LDMOS транзисторов для передающих станций цифрового эфирного телевещания и передатчиков специального назначения.	54,0	6,6	11,4	16,5	19,5	Опытные образцы ряда мощных СВЧ LDMOS транзисторов (диапазон частот 470 - 860 МГц; выходная мощность 10,45, 75, 150, 300 Вт; коэффициент усиления по мощности не менее 13-16 дБ; коэффициент интермодуляционных искажений не более - -28 дБ; КПД не менее 40%; напряжение питания 32 В; диапазон рабочих температур -60 - +125°С; зарубежные аналоги: BLF1043, BLF2045, BLF861, BLF872, MRF9045, MRF373, MRF374, MRF6P3300).
		27,0 ---- 27,0	3,5 ---- 3,1	5,7 ---- 5,7	9,0 ---- 7,5	8,8 ---- 10,7
		в том числе: Беларусь:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
		Россия:
		54,0	6,6	11,4	16,5	19,5
		27,0 ---- 27,0	3,5 ---- 3,1	5,7 ---- 5,7	9,0 ---- 7,5	8,8 ---- 10,7
2.2	Разработка ряда биполярных транзисторов с изолированным затвором для радиоэлектронных средств вооружения.	154,0	18,7	32,5	46,8	56,0	Опытные образцы: ряда (3 типа) биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) на безэпитаксиальном кремнии и с антипараллельным ультрабыстрым диодом на одном кристалле (Uкэпроб=1200 - 2500 В, Iк=15 - 100 А, fpaб=50 - 100 кГц, Т = -60 - +125°С); ряда n-канальных и р-канальных МОП-транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором, изготавливаемых по технологии с углубленным затвором, с повышенной стойкостью к СВВФ (основные технические характеристики: п-канальные МОП транзисторы с напряжением 30 - 100 В и током до 100 А; р-канальные МОП транзисторы с напряжением - 30 - -100 В и током до 100 А; БТИЗ с напряжением 600 В током до 100 А, конструкция РТ; БТИЗ с напряжением 1200 В, током до 100 А, конструкция NPT; рабочая температура: -60°С - +125°С; стойкость к СВВФ - 5Ус).
		77,0 ---- 77,0	10,0 ---- 8,7	16,3 ---- 16,2	25,5 ---- 21,3	25,2 ---- 30,8
		в том числе: Беларусь:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
		Россия:
		154,0	18,7	32,5	46,8	56,0
		77,0 ---- 77,0	10,0 ---- 8,7	16,3 ---- 16,2	25,5 ---- 21,3	25,2 ---- 30,8
2.3	Разработка ряда диодов и стабилитронов для устройств стабилизации напряжения в аппаратуре специального назначения и двойного применения, в том числе:
2.3.1	Разработка импульсного диода и серии стабилитронов в металлостеклянных корпусах.	30,4	4,0	5,1	8,8	12,5	Опытные образцы импульсного диода в металлостеклянном корпусе (аналог BAV 103, ф. VISHAY). Опытные образцы серии стабилитронов мощностью 0,5 Вт в металлостеклянных корпусах (аналоги серии BZV55C, ф. PHILIPS/NXP): напряжение стабилизации: В; макс, ток стабилизации: мА; обратный ток: мкА; температурный коэффициент напряжения стабилизации: (+0,08 - минус 0,11)%/°С; диапазон рабочих температур: от минус 60 до +125°С; стойкость к СВВФ: 3Ус.
		15,2 ---- 15,2	2,0 ---- 2,0	2,7 ---- 2,4	5,0 ---- 3,8	5,5 ---- 7,0
		в том числе: Беларусь:
		30,4	4,0	5,1	8,8	12,5
		15,2 ---- 15,2	2,0 ---- 2,0	2,7 ---- 2,4	5,0 ---- 3,8	5,5 ---- 7,0
		Россия:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
2.3.2	Разработка серии ультрастабильных прецизионных стабилитронов с малым током стабилизации и с повышенной стойкостью к СВВФ.	122,0	14,6	25,7	37,3	44,4	Опытные образцы спецстойких по группе 5Ус ультрастабильных аттестуемых прецизионных стабилитронов: напряжение стабилизации при номинальном токе 0,5 мА : ; температурный коэффициент напряжения стабилизации , %/°C: 0,0005%/С; временная нестабильность напряжения стабилизации за 1000 часов , %: 0,002 - 0,001%; уровень бессбойной работы: 0,001 х 1Ус; рабочая температура: -60°С - +125°С.
		61,0 ---- 61,0	7,9 ---- 6,7	13,1 ---- 12,6	20,5 ---- 16,8	19,5 ---- 24,9
		в том числе: Беларусь:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
		Россия:
		122,0	14,6	25,7	37,3	44,4
		61,0 ---- 61,0	7,9 ---- 6,7	13,1 ---- 12,6	20,5 ---- 16,8	19,5 ---- 24,9
	Всего по разделу 2:	428,0	61,6	93,2	125,1	148,1
		214,0 ---- 214,0	32,8 ---- 28,8	49,3 ---- 43,9	67,7 ---- 57,4	64,2 ---- 83,9
		в том числе: Беларусь:
		98,0	21,7	23,6	24,5	28,2
		49,0 ---- 49,0	11,4 ---- 10,3	14,2 ---- 9,4	12,7 ---- 11,8	10,7 ---- 17,5
		Россия:
		330,0	39,9	69,6	100,6	119,9
		165,0 ---- 165,0	21,4 ---- 18,5	35,1 ---- 34,5	55,0 ---- 45,6	53,5 ---- 66,4
3. НИР по созданию нормативно-правовой базы, повышению качества и информационно-аналитическому обеспечению разработок ЭКБ.
3.1	Развитие методов ускоренных испытаний на безотказность и наработку до отказа применительно к микросхемам с субмикронными размерами элементов.	60,0	7,2	12,8	18,4	21,6	Научно-технический отчет о результатах исследований физических процессов, вызывающих отказы микросхем с субмикронными размерами элементов, и разработанных методах ускоренных испытаний на безотказность и наработку на отказ применительно к микросхемам с субмикронными размерами элементов.
		30,0 ---- 30,0	4,0 ---- 3,2	6,5 ---- 6,3	10,0 ---- 8,4	9,5 ---- 12,1
		в том числе: Беларусь:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
		Россия:
		60,0	7,2	12,8	18,4	21,6
		30,0 ---- 30,0	4,0 ---- 3,2	6,5 ---- 6,3	10,0 ---- 8,4	9,5 ---- 12,1
3.2	Исследование надёжности элементной базы КМОП ИМС с проектными нормами 0,5 - 0,35 мкм и разработка методик оперативного контроля надежности ИМС специального назначения в процессе производства с помощью тестовых структур.	31,8	6,3	7,7	6,6	11,2	Научно-технический отчет с результатами исследований показателей надежности элементной базы конкретного конструкторско-технологического исполнения и методиками прогнозирования надежности микросхем на этапе их изготовления.
		15,9 ---- 15,9	2,9 ---- 3,4	4,3 ---- 3,4	4,5 ---- 2,1	4,2 ---- 7,0
		в том числе: Беларусь:
		31,8	6,3	7,7	6,6	11,2
		15,9 ---- 15,9	2,9 ---- 3,4	4,3 ---- 3,4	4,5 ---- 2,1	4,2 ---- 7,0
		Россия:
		0,0	0,0	0,0	0,0	0,0
		0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0	0,0 --- 0,0
	Всего по разделу 3:	91,8	13,5	20,5	25,0	32,8
		45,9 ---- 45,9	6,9 ---- 6,6	10,8 ---- 9,7	14,5 ---- 10,5	13,7 ---- 19,1
		в том числе: Беларусь:
		31,8	6,3	7,7	6,6	11,2
		15,9 ---- 15,9	2,9 ---- 3,4	4,3 ---- 3,4	4,5 ---- 2,1	4,2 ---- 7,0
		Россия:
		60,0	7,2	12,8	18,4	21,6
		30,0 ---- 30,0	4,0 ---- 3,2	6,5 ---- 6,3	10,0 ---- 8,4	9,5 ---- 12,1
	Всего по Программе:	3000,0	365,0	630,0	900,0	1105,0
		1500,0 ------ 1500,0	195,0 ----- 170,0	320,0 ----- 310,0	500,0 ----- 400,0	485,0 ----- 620,0
		в том числе: Беларусь:
		1050,0	128,0	218,0	306,0	398,0
		525,0 ------ 525,0	68,0 ----- 60,0	113,0 ---- 105,0	176,0 ---- 130,0	168,0 ---- 230,0
		Россия:
		1950,0	237,0	412,0	594,0	707,0
		975,0 ------ 975,0	127,0 ---- 110,0	207,0 ---- 205,0	324,0 ---- 270,0	317,0 ---- 390,0

4. Ресурсное обеспечение программы

Определение объемов запрашиваемых финансовых средств произведено исходя из предлагаемых мероприятий Программы, существующего уровня и порядка ценообразования на сложную научно-техническую продукцию, обобщения заявок предприятий и организаций, специализирующихся в области разработки электронной компонентной базы, и предварительного анализа организаций, осуществляющих экспертизу технико-экономического обоснования.

Финансирование Программы осуществляется на 50% за счет средств бюджета Союзного государства и на 50% за счет внебюджетных средств.

При этом отчисления в бюджет Союзного государства по Программе составят 1 500,0 млн. рос. рублей, в том числе:

за счет долевых отчислений Республики Беларусь - 525,0 млн. рос. рублей - для исполнителей Программы от Республики Беларусь;

за счет долевых отчислений Российской Федерации - 975,0 млн. рос. рублей - для исполнителей Программы от Российской Федерации.

Все финансовые ресурсы Российской Федерации и Республики Беларусь будут направлены в полном объеме на проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ (НИОКР) для реализации мероприятий Программы.

При этом бюджетные средства будут направляться на те работы по выполнению НИОКР, которые связаны с исследованиями, разработкой эскизных и технических проектов, разработкой конструкторской и технологической документации, изготовлением, измерениями и испытаниями экспериментальных и опытных образцов изделий.

Источниками внебюджетных средств станут собственные средства исполнителей Программы; они будут направляться на те работы по выполнению НИОКР, которые связаны с обеспечением разработки микросхем и полупроводниковых приборов, с технологической подготовкой изготовления экспериментальных и опытных образцов, с подготовкой производства разработанных изделий, с изготовлением и проведением испытаний установочных партий разработанных микросхем и полупроводниковых приборов (разработка и изготовление нестандартного оборудования, развитие САПР, разработка оснастки, средств испытаний и измерений и т.п.).

Замещение внебюджетных средств, привлекаемых для выполнения НИОКР по Программе, средствами бюджета Союзного государства не допускается.

Капитальные вложения из средств бюджета Союзного государства не планируются.

Освоение производства разработанной ЭКБ будет осуществляться на предприятиях радиоэлектронной промышленности России и Беларуси за счет их собственных средств без привлечения дополнительных бюджетных ассигнований.

Объемы финансирования на реализацию Программы в целом и по каждому году с разбивкой по долевому участию Республики Беларусь и Российской Федерации и по направлениям расходования средств приведены в таблице 2.

Таблица 2

(млн. рос. рублей)

Финансирование Программы	Всего	2010 г.	2011 г.	2012 г.	2013 г.
Всего, из них:	3000,0	365,0	630,0	900,0	1105,0
из бюджета Союзного государства, всего, из них:	1500,0	195,0	320,0	500,0	485,0
за счет долевых отчислений Республики Беларусь для исполнителей Программы от Республики Беларусь, в том числе:	525,0	68,0	113,0	176,0	168,0
на НИОКР:	525,0	68,0	113,0	176,0	168,0
на капитальные вложения:	-	-	-	-	-
на прочие нужды:	-	-	-	-	-
за счет долевых отчислений Российской Федерации для исполнителей Программы от Российской Федерации, в том числе:	975,0	127,0	207,0	324,0	317,0
на НИОКР:	975,0	127,0	207,0	324,0	317,0
на капитальные вложения:	-	-	-	-	-
на прочие нужды:	-	-	-	-	-
из внебюджетных источников для исполнителей Программы, всего, из них:	1500,0	170,0	310,0	400,0	620,0
Республики Беларусь (внебюджетные средства белорусских участников)	525,0	60,0	105,0	130,0	230,0
Российской Федерации (внебюджетные средства российских участников)	975,0	110,0	205,0	270,0	390,0

5. Механизмы реализации программы

Реализация Программы будет осуществляться в соответствии с "Порядком разработки и реализации программ Союзного государства", утвержденным постановлением Совета Министров Союзного государства от 11 октября 2000 г. N 7 (в редакции постановления Совета Министров Союзного государства от 23 апреля 2010 г. N 8).

Учитывая сложившуюся структуру федеральных органов исполнительной власти Российской Федерации и органов государственного управления Республики Беларусь, а также общепромышленное значение выполнения Программы, государственным заказчиком Программы от Российской Федерации является Министерство промышленности и торговли Российской Федерации с приданием ему функций государственного заказчика-координатора (распорядитель средств бюджета Союзного государства из отчислений Российской Федерации), а государственным заказчиком от Республики Беларусь - Министерство промышленности Республики Беларусь (распорядитель средств бюджета Союзного государства из отчислений Республики Беларусь).

Минпромторг России:

осуществляет общее руководство реализацией Программы;

координирует действия Минпрома Беларуси по реализации Программы;

взаимодействует с органами Союзного государства по всем вопросам реализации и финансирования Программы;

несет ответственность за реализацию Программы и достижение ее целей, целевое и эффективное использование средств, выделяемых из бюджета Союзного государства, и осуществляет руководство реализацией Программы на территории Российской Федерации;

контролирует в пределах своей компетенции ход выполнения мероприятий и достижение целей Программы, целевое использование средств, выделяемых из бюджета Союзного государства на реализацию Программы.

Минпром Беларуси:

несет ответственность за реализацию Программы и достижение ее целей, целевое и эффективное использование средств, выделяемых из бюджета Союзного государства, и осуществляет руководство реализацией Программы на территории Республики Беларусь;

в пределах своей компетенции контролирует ход выполнения мероприятий и достижение целей Программы, целевое использование средств, выделяемых из бюджета Союзного государства на реализацию Программы;

оперативно взаимодействует с органами Союзного государства, государственным заказчиком-координатором Программы - Минпромторгом России, другими органами государственного управления Республики Беларусь по текущим вопросам реализации и финансирования Программы.

Минпромторг России совместно с Минпромом Беларуси обеспечивают в установленном порядке представление в Совет Министров Союзного государства, правительства и согласующие экономические органы Республики Беларусь и Российской Федерации отчетности о ходе работ по Программе и эффективности использования бюджетных средств на основе квартальной и годовой отчетности.

Для осуществления планирования и контроля за научно-техническим уровнем выполняемых работ Минпром Беларуси и Минпромторг России создают научно-технический координационный совет, в состав которого включаются ведущие ученые и специалисты Беларуси и России в области электронной компонентной базы, представители государственных заказчиков Программы, а также заинтересованных министерств и ведомств, предприятий и организаций радиоэлектронного комплекса Беларуси и России.

Реализацию Программы Минпром Беларуси и Минпромторг России будут осуществлять через головных исполнителей программных мероприятий соответственно в Республике Беларусь и в Российской Федерации.

Головные исполнители и исполнители отдельных НИОКР будут определяться на конкурсной основе.

Головные исполнители Программы осуществляют:

организационно-техническое обеспечение заседаний научно-технического координационного совета по Программе;

представление государственным заказчикам статистической (по форме "1-Союз"), аналитической и финансовой отчетности о ходе реализации Программы за отчетный год и планов работ на следующий год;

текущее планирование (на основе мероприятий Программы);

координацию работ исполнителей мероприятий Программы;

контроль использования исполнителями мероприятий Программы финансовых средств;

текущий контроль выполнения мероприятий Программы.

6. Организация управления программой и контроля за ходом ее реализации

В целях реализации Программы Минпром Беларуси и Минпромторг России заключают с соответствующими головными исполнителями государственные контракты на выполнение мероприятий Программы, реализуемых на территории Беларуси и России соответственно.

После заключения государственных контрактов и проведения конкурсов по определению исполнителей отдельных НИОКР головные исполнители заключают с ними договоры на выполнение соответствующих работ.

Приемка результатов выполнения отдельных НИОКР осуществляется комиссиями, формируемыми головными исполнителями Программы по согласованию с соответствующими государственными заказчиками. В состав комиссий могут включаться представители государственных заказчиков, заинтересованных министерств и ведомств, ведущие ученые и специалисты в соответствующей области. Состав комиссий утверждается приказами руководителей головных исполнителей Программы, согласованными с соответствующими государственными заказчиками.

Приемка результатов реализации Программы в целом осуществляется после завершения всех программных мероприятий совместной комиссией, формируемой государственным заказчиком-координатором по согласованию с государственным заказчиком от Республики Беларусь. В состав совместной комиссии по приемке результатов выполнения Программы в целом включаются представители государственных заказчиков, заинтересованных министерств и ведомств государств-участников, ведущие ученые и специалисты; в нее также могут входить представители Постоянного Комитета Союзного государства и контрольных органов. Состав совместной комиссии утверждается приказом руководителя государственного заказчика-координатора.

До принятия нормативных правовых актов Союзного государства в области создания и управления собственностью Союзного государства права на объекты интеллектуальной собственности и продукцию, созданную в рамках реализации Программы, регулируются в соответствии с национальными законодательствами государств-участников с учетом их долевых отчислений на финансирование Программы в бюджет Союзного государства. Объекты интеллектуальной собственности и продукция, созданные за счет долевых отчислений Республики Беларусь, принадлежат Республике Беларусь, а созданные за счет долевых отчислений Российской Федерации - Российской Федерации. На созданные в процессе разработки объекты интеллектуальной собственности исполнители обеспечивают получение охранных документов (патентов, свидетельств, авторских свидетельств) в порядке, установленном законодательствами государств-участников.

После создания нормативной правовой базы по учету, оценке и управлению активами, созданными и приобретенными за счет средств бюджета Союзного государства, урегулирование прав собственности на объекты интеллектуальной собственности и на имущество, созданное или приобретенное в рамках реализации Программы за счет средств бюджета Союзного государства, будет осуществляться в соответствии с Соглашением между Российской Федерацией и Республикой Беларусь о регулировании вопросов собственности Союзного государства от 24 января 2006 года.

Учет имущества, созданного и приобретенного в рамках реализации Программы за счет средств бюджета Союзного государства, будет осуществляться в соответствии с "Методикой выявления и инвентаризации имущества, созданного и приобретенного за счет средств бюджета Союзного государства, имущества, переданного государствами-участниками в собственность Союзного государства, и иного имущества, поступившего в собственность Союзного государства", утвержденной постановлением Совета Министров Союзного государства от 6 октября 2011 г. N 21.

7. Оценка эффективности социально-экономических и экологических последствий от реализации программы

Мероприятия Программы полностью соответствуют социально-экономической политике Союзного государства.

Реализация Программы будет способствовать углублению межгосударственных отношений, формированию единого социального и экономического пространства в рамках развития Союзного государства, что является важнейшим приоритетом внешней и внутренней политики Республики Беларусь и Российской Федерации.

В реализации Программы в качестве основных исполнителей и соисполнителей программных мероприятий будут участвовать коллективы около 40 научно-исследовательских институтов и промышленных предприятий Беларуси и России. Потребителями разрабатываемых микросхем будут более 80 российских и белорусских предприятий. В общей сложности в реализации Программы будут участвовать более 5 тысяч ученых, конструкторов, технологов, высококвалифицированных рабочих и специалистов. Это будет способствовать не только сохранению имеющихся, но и созданию новых рабочих мест. Высокий научно-технический уровень планируемых в рамках Программы НИОКР будет способствовать притоку в научно-исследовательские институты и на промышленные предприятия научно-технической и рабочей молодежи. Разработанные интегральные микросхемы и полупроводниковые приборы для аппаратуры специального назначения и двойного применения будут освоены в производстве на российских и белорусских предприятиях; потребителями микросхем, разработанных и изготовленных белорусскими предприятиями, будут, в основном, российские и некоторые белорусские предприятия ОПК. Такая кооперация белорусских и российских предприятий в рамках Программы будет способствовать углублению межгосударственных отношений.

Программные мероприятия полностью отвечают оборонным и экономическим интересам каждого государства-участника, так как реализация Программы позволит:

1) повысить тактико-технические характеристики новых систем ВВСТ, создаваемых на отечественной ЭКБ;

2) сократить долю импортной ЭКБ, разрешенной к применению в системах ВВСТ: микросхемы, предусмотренные к разработке в рамках Программы, уже запланированы к применению рядом российских и белорусских предприятий оборонно-промышленного комплекса более чем в 120 разрабатываемых системах ВВСТ, их модификациях и составных частях (в Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 г. ставится задача уже в 2011 году резко уменьшить долю используемой импортной ЭКБ в общем объеме ее закупок организациями радиоэлектронного комплекса и изменить существующее в настоящее время соотношение 65%:35% в пользу импортной ЭКБ на 70%:30% в пользу отечественной ЭКБ.);

3) наладить производство отечественной конкурентоспособной ЭКБ с повышенной степенью интеграции, стойкостью к специальным внешним воздействующим факторам, надежностными и точностными характеристиками (в ходе реализации Программы планируется разработать не менее 90 типономиналов новых микросхем и полупроводниковых приборов специального и двойного применения);

4) развить научно-технический потенциал радиоэлектронной промышленности, что важно как для Беларуси, не обладающей большими материально-энергетическими ресурсами, так и для России в плане снижения зависимости от импорта ЭКБ.

В результате реализации Программы будут разработаны, изготовлены и испытаны опытные образцы следующих типономиналов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения:

микропроцессоров и микроконтроллеров - 9 - 10;

микросхем ЗУ - 7 - 8;

ПЛИС и БМК - 11 - 12;

матричных кремниевых мультиплексоров - 2 - 3;

схем интерфейса - 4 - 5;

схем для источников вторичного электропитания - 3 - 4;

операционных усилителей, компараторов, аналого-цифровых схем - 5 - 6;

микросхем для устройств отображения информации - 2 - 3;

"систем на кристалле" - 2 - 3;

ряда других ИС для аппаратуры специального и двойного применения - 5 - 6;

полупроводниковых приборов (ДМОП-транзисторов, n- и р-канальных МОП-транзисторов, биполярных транзисторов с изолированным затвором, стабилитронов, импульсных диодов Шоттки) - 30 - 35.

Кроме того, будут развиты методы ускоренных испытаний на безотказность и наработку на отказ применительно к микросхемам специального и двойного применения с субмикронными размерами элементов.

Указанные интегральные микросхемы и полупроводниковые приборы будут включены в перечень изделий, разрешенных к применению во вновь разрабатываемых стратегически значимых радиоэлектронных системах и системах ВВСТ.

Внедрение в производство (постановка на производство) разработанных в рамках реализации Программы опытных образцов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов будет осуществляться в соответствии с государственным стандартом Республики Беларусь СТБ 972 - 2000 "Разработка и постановка продукции на производство. Общие положения" и государственным стандартом Российской Федерации ГОСТ Р 15.201-2000 "Система разработки и постановки продукции на производство. Продукция производственно технического назначения. Порядок разработки и постановки продукции на производство", а также в соответствии с аналогичными государственными военными стандартами Российской Федерации серии СРПП ВТ за счет собственных средств исполнителей Программы.

Использование результатов Программы будет заключаться в серийных поставках разработанных изделий заинтересованным предприятиям России и Беларуси (более 80 предприятий) для создания новых радиоэлектронных систем и систем ВВСТ.

Основными направлениями (областями) применения предлагаемых к разработке микросхем и полупроводниковых приборов являются:

- высокопроизводительные вычислительные комплексы для автоматизированных систем военного назначения, высокопроизводительные ЭВМ носимых и встроенных применений с повышенными требованиями к воздействию спецфакторов (космического, воздушного и наземного применения);

- АСУ атомных станций;

- встроенные системы управления и цифровой обработки сигналов различных средств ВВТ, в том числе перспективных ракетных комплексов, средства радиосвязи, модули электронной обработки сигналов и изображения, бортовые системы головок самонаведения и др., к которым предъявляются высокие требования по стойкости к спецфакторам;

- оптико-электронные системы пассивного обнаружения, наблюдения и наведения для различных видов вооружений;

- унифицированные электронные системы управления комплексов бортового оборудования космической и авиационной техники;

- системы управления летательными аппаратами, наземные контрольно-диагностические системы бортового оборудования, бортовые системы сбора и обработки данных;

- системы ПВО (как наземные радиолокационные станции обнаружения и слежения, так и бортовые РЛС), ракетная техника, авионика (бортовая аппаратура для самолетов 5-го поколения), космическая аппаратура, навигационная аппаратура пользователей систем космической навигации, цифровые устройства связи;

- прецизионные командные приборы электронных систем управления ракетно-космической техники, комплексы высокоточной военной техники всех видов базирования;

- специальные средства радиосвязи и радиоэлектронной борьбы, а также передающие станции эфирного телевещания стандарта DVB-T в IV - V телевизионных диапазонах;

- бортовые системы индикации, системы навигации и системы обработки данных;

- измерительно-информационные каналы чувствительных элементов (датчиков), устройств коммутации и нормализации сигналов, аналого-цифровых, цифро-аналоговых преобразователей, устройств ввода и распределения результирующих сигналов;

- системы контроля доступа, в том числе системы контроля доступа к защищенной информации и контроля доступа на режимные объекты; бесконтактные платежные средства; электронные идентификационные документы;

- системы сбора и обработки информации специального назначения, промышленная электроника, высокоточные электромеханические устройства и приборы, сотовая радиотелефония и цифровые системы звуковоспроизведения;

- комплексы мультимедийной цифровой бортовой платформы и трансиверы абонентской наземной станции в стандарте DVB-RCS;

- радиоприемники цифрового радиовещания в формате DRM и др.

Прогнозируемая потребность предприятий радиоэлектронного комплекса Беларуси и России в предлагаемых к разработке интегральных микросхемах и полупроводниковых приборах на период 2014 - 2016 гг. составляет:

- микропроцессоров и микроконтроллеров - 600-700 тыс. шт./год (не менее 30 заинтересованных предприятий);

- микросхем ЗУ - 90-100 тыс. шт./год (не менее 12 заинтересованных предприятий);

- ПЛИС и БМК - 600-800 тыс. шт./год (не менее 15 заинтересованных предприятий);

- матричных кремниевых мультиплексоров - 20-25 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий);

- схем интерфейса - 60-70 тыс. шт./год (не менее 10 заинтересованных предприятий);

- схем для источников вторичного электропитания - 800-1 000 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий);

- операционных усилителей, компараторов, аналого-цифровых схем - 30-35 тыс. шт./год (не менее 8 заинтересованных предприятий);

- микросхем для устройств отображения информации - 15 - 20 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий);

- "систем на кристалле" - 600-800 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий);

- ряда других ИС для аппаратуры специального и двойного применения - 110-130 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий);

- полупроводниковых приборов (ДМОП-транзисторов, n- и р-канальных МОП-транзисторов, биполярных транзисторов с изолированным затвором, стабилитронов, импульсных диодов Шоттки) - 5 000 - 6 000 тыс. шт./год (не менее 40 заинтересованных предприятий).

При реализации Программы будут учтены экологические требования, предъявляемые к разработке электронной продукции.

Поэтому программные мероприятия, планируемые в рамках Программы, соответствуют как оборонным, так и социально-экономическим интересам государств-участников (статьи 17 и 18 Договора о создании Союзного государства).

Индикатор и показатели реализации мероприятий Программы приведены в приложении N 1.

Технико-экономическое обоснование Программы приведено в приложении N 2.

Паспорт
программы Союзного государства

Наименование программы	программа Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"
Уровень, дата и номер решений:
- о разработке программы	постановление Совета Министров Союзного государства от 19 августа 2008 г. N 35;
- об утверждении программы	постановление Совета Министров Союзного государства от 23 апреля 2010 г. N 7
Государственный заказчик-координатор	Министерство промышленности и торговли Российской Федерации
Государственные заказчики	Министерство промышленности Республики Беларусь
Основные разработчики программы	Министерство промышленности Республики Беларусь, Министерство промышленности и торговли Российской Федерации, ведущие ученые и специалисты предприятий радиоэлектронного комплекса Беларуси и России
Основные цели и задачи программы	целью Программы является создание импортозамещающей ЭКБ специального и двойного применения для стратегически значимых радиоэлектронных систем и СВВТ; задачей Программы является разработка и освоение производства типономиналов ЭКБ повышенной степени интеграции с высокими надежностными, функциональными и точностными характеристиками и соответствующей группой стойкости к специальным внешним воздействующим факторам и освоение производства разработанной ЭКБ на предприятиях России и Беларуси
Важнейшие целевые индикаторы и показатели	уровень разработанной ЭКБ будет оцениваться по освоенному в производстве технологическому уровню микропроцессоров и микроконтроллеров специального назначения и двойного применения, который выполняет роль целевого индикатора; основным целевым показателем реализации Программы принято увеличение количества типономиналов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения (ожидается, что к 2014 г. будет разработано не менее 90 типономиналов)
Сроки и этапы реализации программы	программа реализуется с 2010 г. по 2013 г. в один этап
Объемы и основные источники финансирования, направления расходования финансовых средств	финансирование Программы осуществляется на 50% за счет средств бюджета Союзного государства и на 50% за счет внебюджетных средств; при этом отчисления в бюджет Союзного государства по Программе составят 1 500,0 млн. рос. рублей, в том числе: за счет долевых отчислений Республики Беларусь - 525,0 млн. рос. рублей - для исполнителей Программы от Республики Беларусь, за счет долевых отчислений Российской Федерации - 975,0 млн. рос. рублей - для исполнителей Программы от Российской Федерации; все финансовые ресурсы Российской Федерации и Республики Беларусь будут направлены в полном объеме на проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ (НИОКР) для реализации мероприятий Программы; капитальные вложения из средств бюджета Союзного государства не планируются; освоение производства разработанной ЭКБ будет осуществляться на предприятиях радиоэлектронной промышленности России и Беларуси за счет их собственных средств без привлечения дополнительных бюджетных ассигнований
Ожидаемые конечные результаты реализации программы и показатели социально-экономической эффективности	в результате реализации Программы будут разработаны, изготовлены и испытаны опытные образцы не менее 90 типономиналов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения; потребителями разработанных микросхем и полупроводниковых приборов будут более 80 предприятий радиоэлектронного комплекса Беларуси и России

Приложение N 1
к научно-технической программе
Союзного государства "Разработка и
освоение серий интегральных микросхем
и полупроводниковых приборов
для аппаратуры специального назначения
и двойного применения"

Индикатор и показатели
реализации мероприятий программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"

	Единица измерения	2010 год	2011 год	2012 год	2013 год
Индикатор
Достигаемый технологический уровень радиационно-стойкой электронной компонентной базы, разработанной по программе в рамках завершаемых в 2013 г. мероприятий	мкм				0,35-0,18
Показатели
Количество разработанных эскизных и технических проектов микросхем и полупроводниковых приборов (нарастающим итогом)		2-3	44-47	55-59	55-59
Количество разработанных комплектов конструкторской и технологической документации микросхем и полупроводниковых приборов (нарастающим итогом)			10-12	55-59	55-59
Количество разработанных типономиналов микросхем микропроцессоров и микроконтроллеров (нарастающим итогом)	-	-	-	-	9-10
Количество разработанных типономиналов микросхем ЗУ (нарастающим итогом)	-	-	-	-	7-8
Количество разработанных типономиналов микросхем ПЛИС и БМК (нарастающим итогом)	-	-	-	-	11-12
Количество разработанных типономиналов микросхем матричных кремниевых мультиплексоров (нарастающим итогом)	-	-	-	-	2-3
Количество разработанных типономиналов микросхем схем интерфейса (нарастающим итогом)	-	-	-	-	4-5
Количество разработанных типономиналов микросхем для источников вторичного электропитания (нарастающим итогом)	-	-	-	-	3-4
Количество разработанных типономиналов микросхем операционных усилителей, компараторов, аналого-цифровых схем (нарастающим итогом)	-	-	-	-	5-6
Количество разработанных типономиналов микросхем для устройств отображения информации (нарастающим итогом)	-	-	-	-	2-3
Количество разработанных типономиналов микросхем типа "система на кристалле"(нарастающим итогом)	-	-	-	-	2-3
Количество разработанных типономиналов других ИС для аппаратуры специального и двойного применения (нарастающим итогом)	-	-	-	-	5-6
Количество разработанных типономиналов полупроводниковых приборов: ДМОП-транзисторов, n- и р-канальных МОП-транзисторов, биполярных транзисторов с изолированным затвором, стабилитронов, импульсных диодов Шоттки (нарастающим итогом)	-	-	-	-	30-35

Приложение N 2
к научно-технической программе
Союзного государства "Разработка и
освоение серий интегральных микросхем
и полупроводниковых приборов
для аппаратуры специального назначения
и двойного применения"

Технико-экономическое обоснование
программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"

Технико-экономическое обоснование программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (далее - Программа) базировалось на данных о бюджетных и внебюджетных ассигнованиях на НИОКР проекта Программы и ожидаемых объемах производства разработанных в рамках Программы интегральных схем и полупроводниковых приборов на предприятиях электронной промышленности России и Беларуси по годам расчетного периода (2010 - 2018 гг.).

Прогнозируемая потребность предприятий радиоэлектронного комплекса Беларуси и России в предлагаемых к разработке интегральных микросхемах и полупроводниковых приборах на период 2014 - 2016 гг. составляет:

- микропроцессоров и микроконтроллеров - 600-700 тыс. шт./год (не менее 30 заинтересованных предприятий);

- микросхем ЗУ - 90 - 100 тыс. шт./год (не менее 12 заинтересованных предприятий);

- ПЛИС и БМК - 600 - 800 тыс. шт./год (не менее 15 заинтересованных предприятий);

- матричных кремниевых мультиплексоров - 20 - 25 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий);

- схем интерфейса - 60-70 тыс. шт./год (не менее 10 заинтересованных предприятий);

- схем для источников вторичного электропитания - 800 - 1000 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий);

- операционных усилителей, компараторов, аналого-цифровых схем - 30 - 35 тыс. шт./год (не менее 8 заинтересованных предприятий);

- микросхем для устройств отображения информации - 15 - 20 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий);

- "систем на кристалле" - 600-800 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий);

- ряда других ИС для аппаратуры специального и двойного применения - 110 - 130 тыс. шт./год (не менее 5 заинтересованных предприятий);

- полупроводниковых приборов (ДМОП-транзисторов, n- и р-канальных МОП-транзисторов, биполярных транзисторов с изолированным затвором, стабилитронов, импульсных диодов Шоттки) - 5 000 - 6 000 тыс. шт./год (не менее 40 заинтересованных предприятий).

Эффективность Программы оценивается в течение расчетного периода, продолжительность которого определяется началом осуществления Программы вплоть до максимального уровня освоения разработанных изделий.

За начальный год расчетного периода принимается 1-й год осуществления инвестиций или 1-й год разработки интегральных схем и полупроводниковых приборов, в данном случае - 2010 год.

Конечный год расчетного периода, в данном случае - 2018 г., определяется полным освоением в серийном производстве радиоэлектронной аппаратуры специального и двойного применения, созданной с применением разработанных в период реализации Программы (2010 - 2013 гг.) интегральных схем и полупроводниковых приборов, и, соответственно, достижением объемов их реализации устойчивого прогнозного уровня.

Исходная информация по годовым объемам производства продукции была определена на основе прогнозных оценок предприятий, специализирующихся в области разработки и производства электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры.

При определении коммерческой и бюджетной эффективности Программы были приняты следующие условия:

- данные об ассигнованиях на НИОКР, а также об объемах производства приведены в ценах соответствующих лет;

- расчеты произведены с учетом фактора времени, т.е. приведения (дисконтирования) будущих затрат и результатов к расчетному году с помощью коэффициента дисконтирования (Е=0,15);

- величина всех налогов и отчислений, поступающих в бюджет и внебюджетные фонды, определена в соответствии с действующими в настоящее время Налоговым кодексом РФ и Налоговым кодексом РБ;

- расчеты всех экономических показателей произведены в ценах соответствующих лет с учетом индексов-дефляторов, установленных Министерством экономического развития РФ и Министерством экономики РБ до 2009 года с последующей экстраполяцией их до 2018 года (на период 2010 - 2018 гг. индекс-дефлятор для продукции радиоэлектронного комплекса в России и Беларуси принят равным 1,05).

В силу определенной специфики инвестиционной и операционной деятельности в России и Беларуси расчет экономической эффективности реализации Программы проводился сначала отдельно по мероприятиям, финансирование которых планируется соответственно из российской и белорусской долей отчислений в бюджет Союзного государства; затем определялась экономическая эффективность реализации Программы в целом.

Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности Программы, приведены в табл. 1(a), 1(б). Результаты расчетов приведены в табл. 2(a), 2(б).

Итоговые показатели эффективности Программы приведены в табл. 3.

Экономическая эффективность реализации Программы характеризуется следующими показателями.

При общей сумме инвестиций на выполнение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ 3 000,0 млн. руб., включая 1 500,0 млн. руб. бюджетных ассигнований и 1 500,0 млн. руб. внебюджетных ассигнований, реализация Программы позволит получить в сфере производства за расчетный период (2010 - 2018 гг.) чистый дисконтированный доход (ЧДД) в размере 913,2 млн. руб., а чистый дисконтированный доход государства (бюджетный эффект) составит 2 780,9 млн. руб.

Всего налоговых поступлений от реализации Программы ожидается (с учетом дисконтирования) в размере 3 951,4 млн. руб.

Срок окупаемости всех инвестиций (бюджетных и внебюджетных ассигнований) за счет чистой прибыли составит 7,4 года с начала реализации Программы (или 3,4 года после ее завершения), а бюджетных ассигнований за счет налоговых поступлений - 5,9 года с начала реализации Программы (1,9 года после ее завершения).

Соответственно индексы доходности (рентабельности) составят: для всех инвестиций - 1,39; для бюджетных ассигнований - 3,38.

Уровень безубыточности равен 0,39 при норме 0,7, что свидетельствует о высокой эффективности и степени устойчивости Программы к возможным отклонениям условий ее реализации.

Таблица 1(a)

Исходные данные для технико-экономического обоснования программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" в части мероприятий, выполняемых российскими исполнителями

в ценах соответствующих лет, млн. руб.

Показатели	2010	2011	2012	2013	2014	2015	2016	2017	2018	За расчетный период
Годовой объем выполненных НИОКР и реализованной продукции (объем продаж) в ценах соответствующих лет, без НДС	237,0	412,0	594,0	707,0	1945,6	3062,4	4288,0	5628,0	5908,0	22782,0
Инвестиции из всех источников финансирования по программе	237,0	412,0	594,0	707,0						1950,0
в том числе: 1. Средства бюджета Союзного государства из доли отчислений Российской Федерации на НИОКР, капитальные вложения и прочие нужды	127,0	207,0	324,0	317,0						975,0
из них: капитальные вложения
2. Внебюджетные средства на НИОКР и KB (собственные, заемные и пр.)	110,0	205,0	270,0	390,0						975,0
Налогооблагаемая база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно-производственных фондов (ОППФ) отрасли по остаточной стоимости)
Рентабельность выполненных НИОКР и реализованной продукции, %	5	5	5	5	40	40	40	40	40
Амортизационные отчисления, % к себестоимости	0	0	0	0	0	0	0	0	0
Материалы, % к себестоимости, без НДС	5	20	25	10	50	50	50	50	50
Фонд оплаты труда (ФОТ), % к себестоимости	25,0	25,0	25,0	25,0	25,0	25,0	25,0	25,0	25,0
Налог на имущество, %	2	2	2	2	2	2	2	2	2
Налог на прибыль, %	20,0	20,0	20,0	20,0	20,0	20,0	20,0	20,0	20,0
Подоходный налог, %	13,0	13,0	13,0	13,0	13,0	13,0	13,0	13,0	13,0
Единый социальный налог, %	26,0	26,0	26,0	26,0	26,0	26,0	26,0	26,0	26,0
Ставка НДС в объеме выполненных НИОКР и в объеме продаж, %	0,0	0,0	0,0	0,0	18,0	18,0	18,0	18,0	18,0
Ставка НДС в материальных затратах, %	0,0	0,0	0,0	0,0	18,0	18,0	18,0	18,0	18,0
Налог с продаж, %	-	-	-	-	-	-	-
Норма дисконта Е, %	15	15	15	15	15	15	15	15	15

Таблица 2(a)

Расчет коммерческой и бюджетной эффективности от реализации программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" в части мероприятий, выполняемых российскими исполнителями

в ценах соответствующих лет, млн. руб.

Наименование показателей	Расчетный период									за расчетный период
	2010	2011	2012	2013	2014	2015	2016	2017	2018
	номер шага (m)
	0	1	2	3	4	5	6	7	8
Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность)
Годовой объем выполненных НИОКР и реализованной продукции (объем продаж) в ценах соответствующих лет, без НДС	237,0	412,0	594,0	707,0	1945,6	3062,4	4288,0	5628,0	5908,0	22782,0
Себестоимость годового объема выполненных НИОКР и реализованной продукции	225,7	392,4	565,7	673,3	1389,7	2187,4	3062,9	4020	4220	16737,1
Прибыль от выполненных НИОКР и реализации продукции	11,3	19,6	28,3	33,7	555,9	875	1225,1	1608	1688	6044,9
Налогооблагаемая база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно-производственных фондов отрасли (ОППФ) по остаточной стоимости)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Налог на имущество	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Налогооблагаемая прибыль	11,3	19,6	28,3	33,7	555,9	875	1225,1	1608	1688	6044,9
Налог на прибыль	2,3	3,9	5,7	6,7	111,2	175	245	321,6	337,6	1209
Чистая прибыль	9	15,7	22,6	27	444,7	700	980,1	1286,4	1350,4	4835,9
Амортизационные отчисления в структуре себестоимости	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Материальные затраты в структуре себестоимости, без НДС	11,3	78,5	141,4	67,3	694,9	1093,7	1531,5	2010	2110	7738,6
Фонд оплаты труда (ФОТ) в структуре себестоимости	56,4	98,1	141,4	168,3	347,4	546,9	765,7	1005	1055	4184,2
НДС в объеме выполненных НИОКР и в объеме продаж	-	-	-	-	350,2	551,2	771,8	1013	1063,4	3749,6
НДС в материальных затратах	-	-	-	-	125,1	196,9	275,7	361,8	379,8	1339,3
Налог с продаж	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Подоходный налог	7,3	12,8	18,4	21,9	45,2	71,1	99,5	130,7	137,2	544,1
Единый социальный налог	14,7	25,5	36,8	43,8	90,3	142,2	199,1	261,3	274,3	1088
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды (приток в бюджет)	24,3	42,2	60,9	72,4	471,8	742,6	1039,7	1364,8	1432,7	5251,4
Сальдо от операционной деятельности. Чистый доход предприятий (чистая прибыль и амортизационные отчисления)	9	15,7	22,6	27	444,7	700	980,1	1286,4	1350,4	4835,9
Коэффициент дисконтирования (норма дисконта Е=0,15)	1	0,87	0,756	0,658	0,572	0,497	0,432	0,376	0,327
Сальдо от операционной деятельности с учетом дисконтирования. Чистый доход предприятий с учетом дисконтирования	9	13,7	17,1	17,8	254,4	347,9	423,4	483,7	441,6	2008,6
Величина инвестиций из всех источников финансирования (оттоки)	237	412	594	707	-	-	-	-	-	1950
Сальдо суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности без дисконтирования	-228	-396,3	-571,4	-680	444,7	700	980,1	1286,4	1350,4	2885,9
Величина инвестиций из всех источников финансирования (оттоки) с учетом дисконтирования	237	358,4	449,1	465,2	-	-	-	-	-	1509,7
Сальдо суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования	-228	-344,8	-432	-447,4	254,4	347,9	423,4	483,7	441,6	498,8
Сальдо накопленного суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования нарастающим итогом (чистый дисконтированный доход)	-228	-572,8	-1004,8	-1452,2	-1197,8	-849,9	-426,5	57,2	498,8
Срок окупаемости инвестиций (период возврата), лет										7 (3 после завершения Программы)
Индекс доходности (рентабельность инвестиций (ИДи))										1,33
Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность)
Средства бюджета Союзного государства из доли отчислений Российской Федерации на НИОКР, капвложения и прочие нужды (отток из бюджета)	127	207	324	317	-	-	-	-	-	975
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды	24,3	42,2	60,9	72,4	471,8	742,6	1039,7	1364,8	1432,7	5251,4
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования	24,3	36,7	46	47,6	269,9	369,1	449,2	513,2	468,5	2224,5
Отток бюджетных средств	127	207	324	317	-	-	-	-	-	975
Отток бюджетных средств с учетом дисконтирования	127	180,1	244,9	208,6	-	-	-	-	-	760,6
Сальдо суммарного потока от финансирования и операционной деятельности с учетом дисконтирования	-102,7	-143,4	-198,9	-161	269,9	369,1	449,2	513,2	468,5	1463,9
Чистый дисконтированный доход государства или бюджетный эффект (ЧДДб)	-102,7	-246,1	-445	-606	-336,1	33	482,2	995,4	1463,9
Индекс доходности бюджетных средств (ИДб)										2,92
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования	24,3	36,7	46	47,6	269,9	369,1	449,2	513,2	468,5	2224,5
Удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства)	0,54	0,5	0,55	0,45						0,5
Период возврата бюджетных средств, лет										5,9 (1,9 после завершения Программы)
Уровень безубыточности	0,32	0,37	0,39	0,33	0,35	035	0,35	0,35	0,35	0,35

Таблица 1(б)

Исходные данные для технико-экономического обоснования программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" в части мероприятий, выполняемых белорусскими исполнителями

в ценах соответствующих лет, млн. руб.

Показатели	2010	2011	2012	2013	2014	2015	2016	2017	2018	За расчетный период
Годовой объем выполненных НИОКР и реализованной продукции (объем продаж) в ценах соответствующих лет, без НДС	128,0	218,0	306,0	398,0						1050,0
Инвестиции из всех источников финансирования по программе	128,0	218,0	306,0	398,0						1050,0
в том числе:
1. Средства бюджета Союзного государства из доли отчислений Республики Беларусь на НИОКР, капитальные вложения и прочие нужды	68,0	113,0	176,0	168,0						525,0
из них:
капитальные вложения
2. Внебюджетные средства на НИОКР и KB (собственные, заемные и пр.)	60,0	105,0	130,0	230,0						525,0
Налогооблагаемая база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно-производственных фондов (ОППФ) отрасли по остаточной стоимости)
Рентабельность выполненных НИОКР и реализованной продукции, %	0	0	0	0	40	40	40	40	40
Амортизационные отчисления, % к себестоимости	0	0	0	0	0	0	0	0	0
Материалы, % к себестоимости, без НДС	5	15	20	10	50	50	50	50	50
Фонд оплаты труда (ФОТ), % к себестоимости	30,0	30,0	30,0	30,0	30,0	30,0	30,0	30,0	30,0
Налог на имущество, %	1	1	1	1	1	1	1	1	1
Налог на прибыль, %	24,0	24,0	24,0	24,0	24,0	24,0	24,0	24,0	24,0
Подоходный налог, %	12,0	12,0	12,0	12,0	12,0	12,0	12,0	12,0	12,0
Единый социальный налог, %	35,3	35,3	35,3	35,3	35,3	35,3	35,3	35,3	35,3
Ставка НДС в объеме выполненных НИОКР и в объеме продаж, %	0,0	0,0	0,0	0,0	18,0	18,0	18,0	18,0	18,0
Ставка НДС в материальных затратах,%	0,0	0,0	0,0	0,0	18,0	18,0	18,0	18,0	18,0
Налог с продаж, %	-	-	-	-	-	-	-
Норма дисконта Е, %	15	15	15	15	15	15	15	15	15

Таблица 2(б)

Расчет коммерческой и бюджетной эффективности от реализации программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" в части мероприятий, выполняемых белорусскими исполнителями

в ценах соответствующих лет, млн. руб.

Наименование показателей	Расчетный период									за расчетный период
	2010	2011	2012	2013	2014	2015	2016	2017	2018
	номер шага (ш)
	0	1	2	3	4	5	6	7	8
Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность)
Годовой объем выполненных НИОКР и реализованной продукции (объем продаж) в ценах соответствующих лет, без НДС	128	218	306	398	972,8	2552	3216	3376,8	3544,8	14712,4
Себестоимость годового объема выполненных НИОКР и реализованной продукции	128	218	306	398	694,9	1822,9	2297,1	2412	2532	10808,9
Прибыль от выполненных НИОКР и реализации продукции	-	-	-	-	277,9	729,1	918,9	964,8	1012,8	3903,5
Налогооблагаемая база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно-производственных фондов отрасли (ОППФ) по остаточной стоимости)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Налог на имущество	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Налогооблагаемая прибыль	-	-	-	-	277,9	729,1	918,9	964,8	1012,8	3903,5
Налог на прибыль	-	-	-	-	66,7	175	220,5	231,6	243,1	936,9
Чистая прибыль	-	-	-	-	211,2	554,1	698,4	733,2	769,7	2966,6
Амортизационные отчисления в структуре себестоимости	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Материальные затраты в структуре себестоимости, без НДС	6,4	32,7	61,2	39,8	347,5	911,5	1148,6	1206	1266	5019,7
Фонд оплаты труда (ФОТ) в структуре себестоимости	38,4	65,4	91,8	119,4	208,5	546,9	689,1	723,6	759,6	3242,7
НДС в объеме выполненных НИОКР и в объеме продаж	-	-	-	-	175,1	459,4	578,9	607,8	638,1	2459,3
НДС в материальных затратах	-	-	-	-	62,6	164,1	206,7	217,1	227,9	878,4
Налог с продаж	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Подоходный налог	4,6	7,8	11	14,3	25	65,6	82,7	86,8	91,2	389
Единый социальный налог	13,6	23,1	32,4	42,1	73,6	193,1	243,3	255,4	268,1	1144,7
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды (приток в бюджет)	18,2	30,9	43,4	56,4	277,8	729	918,7	964,5	1012,6	4051,5
Сальдо от операционной деятельности. Чистый доход предприятий (чистая прибыль и амортизационные отчисления)	-	-	-	-	211,2	554,1	698,4	733,2	769,7	2966,6
Коэффициент дисконтирования (норма дисконта Е=0,15)	1	0,87	0,756	0,658	0,572	0,497	0,432	0,376	0,327
Сальдо от операционной деятельности с учетом дисконтирования, Чистый доход предприятий с учетом дисконтирования	-	-	-	-	120,8	275,4	301,7	275,7	251,7	1225,3
Величина инвестиций из всех источников финансирования (оттоки)	128	218	306	398	-	-	-	-	-	1050
Сальдо суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности без дисконтирования	-128	-218	-306	-398	211,2	554,1	698,4	733,2	769,7	1916,6
Величина инвестиций из всех источников финансирования (оттоки) с учетом дисконтирования	128	189,66	231,34	261,88	-	-	-	-	-	810,88
Сальдо суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования	-128	-189,7	-231,3	-261,9	120,8	275,4	301,7	275,7	251,7	414,4
Сальдо накопленного суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования нарастающим итогом (чистый дисконтированный доход)	-128	-317,7	-549	-810,9	-690,1	-414,7	-113	162,7	414,4
Срок окупаемости инвестиций (период возврата), лет										7,4 (3,4 после завершения Программы)
Индекс доходности (рентабельность инвестиций (ИДи))										1,51
Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность)
Средства бюджета Союзного государства из доли отчислений Республики Беларусь на НИОКР, капвложения и прочие нужды (отток из бюджета)	68	113	176	168	-	-	-	-	-	525
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды	18,2	30,9	43,4	56,4	277,8	729	918,7	964,5	1012,6	4051,5
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования	18,2	26,9	32,8	37,1	158,9	362,3	396,9	362,7	331,1	1726,9
Отток бюджетных средств	68	113	176	168	-	-	-	-	-	525
Отток бюджетных средств с учетом дисконтирования	68	98,31	133,06	110,54	-	-	-	-	-	409,91
Сальдо суммарного потока от финансирования и операционной деятельности с учетом дисконтирования	-49,8	-71,41	-100,26	-73,44	158,9	362,3	396,9	362,7	331,1	1316,99
Чистый дисконтированный доход государства или бюджетный эффект (ЧДДб)	-49,8	-121,21	-221,47	-294,91	-136,01	226,29	623,19	985,89	1316,99
Индекс доходности бюджетных средств (ИДб)										4,21
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования	18,2	26,9	32,8	37,1	158,9	362,3	396,9	362,7	331,1	1726,9
Удельный вес средств республиканского бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства)	0,53	0,52	0,58	0,42						0,50
Период возврата бюджетных средств, лет										5,4 (1,4 после завершения Программы)
Уровень безубыточности										0,45

Таблица 3

Итоговые показатели эффективности программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"

млн. руб.

Наименование показателей	2010 - 2018 годы
Всего инвестиций в программу (в ценах соответствующих лет) .....	3 000,0
в том числе:
средства бюджета Союзного государства .....	1 500,0
внебюджетные средства .....	1 500,0
Показатели коммерческой эффективности
Чистый дисконтированный доход (ЧДД) в 2018 году .....	913,2
Срок окупаемости инвестиций по чистой прибыли предприятий (), лет .....	7,4 (3,4 после завершения Программы)
Индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистой прибыли () .....	1,39
Уровень убыточности .....	0,39
Показатели бюджетной эффективности
Налоги, поступающие в бюджеты России и Беларуси и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования .....	3951,4
Бюджетный эффект () .....	2780,9
Индекс доходности (рентабельность) ассигнований из бюджета Союзного государства по налоговым поступлениям () .....	3,38
Удельный вес средств бюджета Союзного государства в общем объеме финансирования (степень участия государства) .....	0,5
Срок окупаемости ассигнований из бюджета Союзного государства по налоговым поступлениям (), лет .....	5,9 (1,9 (после завершения Программы)

Методика
оценки эффективности программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"

При разработке методики оценки эффективности (технико-экономического обоснования) программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (далее - Программа) были использованы "Методические рекомендации по оценке эффективности инвестиционных проектов" (вторая редакция), утвержденные Министерством экономики РФ, Министерством финансов РФ и Государственным комитетом РФ по строительной, архитектурной и жилищной политике 21 июня 1999 года N ВК 477 с учетом специфики Программы (участие в реализации Программы большого количества промышленных предприятий и организаций России и Беларуси; направление инвестиций на выполнение НИОКР; реализация Программы на действующих предприятиях; начало серийного производства и продаж разработанных в рамках Программы изделий после завершения Программы, что затрудняет прогноз объемов продаж и увеличивает риски; многообразие исходных данных по отдельным программным мероприятиям и др.).

Данная методика была использована при проведении ТЭО и оценки эффективности ряда федеральных целевых программ, в том числе ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы, а также ряда крупных инвестиционных проектов предприятий оборонного комплекса.

Оценка эффективности Программы включает в себя:

- оценку эффективности Программы в целом на основе определения показателей коммерческой эффективности, путем сопоставления чистой прибыли и амортизационных отчислений, остающихся в распоряжении предприятий, с суммарными затратами на реализацию Программы из всех источников финансирования (бюджетными и внебюджетными ассигнованиями);

- оценку эффективности участия в Программе государства на основе определения показателей бюджетной эффективности путем сопоставления расходов бюджетных средств с доходами, поступающими в бюджеты всех уровней в виде налогов.

Расчеты выполнены в действующих ценах каждого года (с учетом инфляции) с последующим дисконтированием затрат и результатов к началу расчетного (программного) периода (2010 - 2018 гг.), т.е. к 2010 году.

В расчетах применялись налоги и ставки налогообложения, действующие в России и Беларуси на момент проведения расчета.

В расчетах учитывались особенности, связанные с реализацией Программы на действующих предприятиях (п. 4.2 приложения 4 "Методических рекомендаций ..."). В частности, в расчетах не учитывалась амортизация основных производственных фондов предприятий, существовавших на предприятиях независимо от данной Программы и используемых для ее реализации; также не учитывался налог на имущество действующего предприятия в части, используемой для реализации Программы; налог на прибыль определялся исходя из дополнительной прибыли, обусловленной реализацией Программы и дальнейшими продажами продукции (интегральных микросхем и полупроводниковых приборов), разработанной в рамках Программы.

Показатели коммерческой эффективности

Чистый дисконтированный доход (ЧДД) является одним из основных показателей эффективности и характеризует интегральный эффект от реализации Программы. ЧДД определяется как сальдо суммарного денежного потока от операционной и инвестиционной деятельности предприятий с учетом дисконтирования за расчетный период по следующей формуле:

,

где:

- сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и операционной деятельности на m-ом шаге расчетного периода;

m - порядковый номер шага расчета (от 1 до М);

- коэффициент дисконтирования на m-ом шаге расчетного периода.

ЧДД характеризует превышение суммарных денежных притоков от инвестиционной и операционной деятельности предприятий над суммарными денежными оттоками за расчетный период от реализации Программы с учетом дисконтирования.

Эффективность Программы оценивается в течение расчетного периода, продолжительность которого определяется началом осуществления Программы вплоть до максимального уровня освоения разработанных изделий.

За начальный год расчетного периода () принимается 1-й год осуществления затрат (в данном случае 2010 год), конечный год расчетного периода () (в данном случае 2018 год) определяется полным освоением в серийном производстве радиоэлектронной аппаратуры специального и двойного применения, созданной с применением разработанных в период реализации Программы (2010 - 2013 гг.) интегральных схем и полупроводниковых приборов, и, соответственно, достижением объемов их реализации устойчивого прогнозного уровня.

В качестве расчетного года (tp) принят год приведения расчета, т.е. 2010 год.

Расчетный период (2010 - 2018 гг.) измеряется количеством шагов расчета.

В качестве шага расчета для данного технико-экономического обоснования принят один год. Номер шага обозначается числами - 1, 2, 3 и т.д. За начальный шаг принимается первый шаг.

Соизмерение разновременных затрат и результатов (учет фактора времени) производится путем их приведения (дисконтирования) к расчетному шагу.

Приведение будущих денежных ресурсов (инвестиций, производственных издержек, прибыли и т.д.) к расчетному году расчетного периода производится путем умножения затрат и результатов на коэффициент дисконтирования, величина которого (ат ) определяется по классической формуле сложных процентов:

,

где:

Е - годовая норма дисконтирования, принятая в размере 0,15;

m - порядковый номер шага расчетного периода от 1-го до М-го шага, а именно:

1 - базовый (начальный) шаг (год);

2 - первый шаг, следующий за базовым шагом;

3 - второй шаг, следующий за первым шагом и т.д.

Под нормой дисконтирования (Е) понимается минимально допустимая для инвестора величина дохода в расчете на единицу капитала, вложенного в реализацию Программы с учетом уровня инфляции.

При отсутствии утвержденных норм дисконта и обоснованных требований инвесторов в качестве нормы дисконтирования рекомендуется принимать процентную ставку за банковский кредит, т.е. ставку рефинансирования ЦБ РФ, действующую на момент проведения расчета (13%) с учетом фактора риска в размере 2%, т.е. Е=15%.

Для настоящего расчета норма дисконта принята в размере 15%.

В свою очередь, сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и операционной деятельности на m-ом шаге расчетного периода равно:

,

где:

- сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной деятельности на m-ом шаге расчетного периода;

- сальдо суммарного денежного потока от операционной деятельности на m-ом шаге расчетного периода.

Сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной деятельности на m-ом шаге расчетного периода () определяется как разность между затратами на реализацию Программы из всех источников финансирования (отток) и реализацией активов (приток), которые в данном случае равны 0.

Сальдо суммарного денежного потока от операционной деятельности на m-ом шаге расчетного периода () определяется как разность между объемом продаж (приток) и суммой издержек производства реализуемой продукции (без амортизационных отчислений), налога на имущество и налога на прибыль (отток). В итоге образуется сумма чистой прибыли и амортизационных отчислений, остающиеся у предприятий (чистый доход предприятий).

Срок окупаемости инвестиций или период возврата () - это период времени от начального момента времени, в течение которого чистый дисконтированный доход (ЧДД) становится неотрицательным.

Другое определение срока окупаемости - продолжительность периода, в конце которого суммарная величина дисконтированных инвестиций полностью возмещается суммарными дисконтированными доходами (суммой чистой прибыли и амортизационных отчислений) вследствие реализации Программы.

В зависимости от начального момента времени, принятого для определения срока окупаемости (периода возврата инвестиций), существует несколько его модификаций.

Как правило, за начальный момент времени принимается начало инвестиционной деятельности в календарном исчислении, т.е. календарное начало первого шага расчетного периода ть в данном случае 2009 год, принятый для расчета.

Срок окупаемости () определяется по данным расчета "Сальдо накопленного суммарного потока от операционной и инвестиционной деятельности с учетом дисконтирования".

Целая часть величины срока окупаемости определяется количеством шагов, имеющих отрицательное значение сальдо. Дробная часть периода возврата, добавляемая к целой части, определяется методом интерполяции.

Индекс доходности инвестиций () определяется как отношение дисконтированной величины сальдо от операционной деятельности, т.е. чистого дохода предприятий (чистой прибыли плюс амортизационные отчисления) за расчетный период к дисконтированной величине затрат из всех источников финансирования за тот же период.

Если индекс доходности инвестиций больше 1, Программа является эффективной, если меньше 1 - неэффективной. При ЧДД=0 индекс доходности ИД=1.

Уровень безубыточности определяется по формуле:

,

где:

- полные текущие издержки производства продукции на m-ом шаге;

- объем выручки на m-ом шаге;

- условно-переменная часть полных текущих издержек производства на m-ом шаге, которая в расчете экономической эффективности данной Программы принималась равной материальным затратам.

Показатели бюджетной эффективности.

Бюджетный эффект (БЭ) представляет собой превышение доходной части бюджета над его расходной частью в результате реализации Программы.

Бюджетный эффект за расчетный период определяется по следующей формуле:

,

где:

- превышение доходной части бюджета над его расходной частью на m-ом шаге расчетного периода;

- коэффициент дисконтирования на m-ом шаге расчетного периода;

m - порядковый номер шага расчета (от 1 до М).

В состав расходов бюджета включаются средства, выделяемые для прямого бюджетного финансирования Программы.

В состав доходов бюджета и приравненных к ним поступлениям во внебюджетные фонды включаются:

налог на имущество (в России - в размере 2%, в Беларуси - в размере 1% от среднегодовой стоимости основных промышленно-производственных фондов по остаточной стоимости;

налог на прибыль в размере 20% от налогооблагаемой прибыли (прибыли от реализации за вычетом налога на имущество) в России и в размере 24% от налогооблагаемой прибыли - в Беларуси;

налог на добавленную стоимость (НДС) в размере 18%;

подоходный налог в размере 13% от фонда оплаты труда (ФОТ) в России и 12% от ФОТ - в Беларуси;

единый социальный налог в размере 26% от ФОТ в России и 35,3% от ФОТ - в Беларуси.

Доходы бюджетных средств корректируются на коэффициент участия государства в данной Программе ().

Доля бюджетных ассигнований (коэффициент участия государства ) является важным показателем бюджетной эффективности и определяется как отношение дисконтированной величины бюджетных средств на реализацию Программы за расчетный период к дисконтированной величине суммарных затрат из всех источников финансирования за тот же период. Показатель характеризует степень финансового участия государства в реализации Программы и учитывается в бюджетном эффекте.

Срок окупаемости или период возврата средств бюджетных средств () - это период времени от начального шага времени, в течение которого бюджетный эффект (БЭ) становится неотрицательным.

Другое определение срока окупаемости бюджетных средств - продолжительность периода, в конце которого суммарная величина дисконтированных бюджетных средств полностью возмещается суммарными дисконтированными доходами бюджета (налоговыми поступлениями) вследствие реализации Программы.

Определение срока окупаемости (периода возврата) бюджетных средств производится аналогично определению срока окупаемости затрат из всех источников финансирования.

Индекс доходности бюджетных средств () определяется как отношение дисконтированной величины доходов бюджета за расчетный период от реализации Программы к дисконтированной величине расходов бюджета за тот же период.