Приложение Б. Перечень электрических параметров модулей

Приложение Б

(рекомендуемое)

Перечень электрических параметров модулей

Параметры модулей выбирают в зависимости от вида применяемых полупроводниковых приборов, устанавливают в ТУ на модули конкретных типов и выбирают из приведенных ниже:

- максимально допустимое напряжение между беспотенциальным основанием модуля и его выводами (электрическая прочность изоляции);

- тепловое сопротивление переход - среда при работе с рекомендуемым типом охладителя;

- переходное тепловое сопротивление переход - корпус (при работе с рекомендуемым типом охладителя);

- тепловое сопротивление переход - корпус;

- переходное тепловое сопротивление переход - корпус.

Дополнительно для модулей на основе диодов всех видов указывают:

- напряжение пробоя (для модулей на основе лавинных диодов);

- неповторяющееся импульсное обратное напряжение;

- повторяющееся импульсное обратное напряжение;

- импульсное прямое напряжение;

- максимально допустимый средний прямой ток;

- ударный прямой ток;

- повторяющийся импульсный обратный ток;

- время обратного восстановления (для модулей на основе быстровосстанавливающихся диодов);

- ударную обратную рассеиваемую мощность в обратном непроводящем состоянии (для модулей на основе лавинных диодов с контролируемым пробоем).

Дополнительно для модулей на основе тиристоров указывают:

- повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии;

- неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (для модулей на основе симметричных тиристоров устанавливают для обоих направлений);

- неповторяющееся импульсное обратное напряжение (для модулей на основе тиристоров, не проводящих в обратном направлении);

- обратное напряжение пробоя (только для модулей на основе лавинных тиристоров);

- средний ток в открытом состоянии;

- повторяющийся импульсный обратный ток (для модулей на основе тиристоров, не проводящих в обратном направлении);

- повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (для модулей на основе симметричных тиристоров устанавливают для обоих направлений);

- импульсное напряжение в открытом состоянии (для модулей на основе симметричных тиристоров устанавливают для обоих направлений);

- импульсное напряжение в обратном проводящем состоянии (для модулей на основе тиристоров, проводящих в обратном направлении);

- ток удержания (кроме модулей на основе симметричных тиристоров);

- ударный ток в открытом состоянии;

- ударный ток в обратном проводящем состоянии (для модулей на основе тиристоров, проводящих в обратном направлении);

- критическую скорость нарастания тока в открытом состоянии;

- критическую скорость нарастания коммутационного напряжения (для модулей на основе тиристоров, проводящих в обратном направлении, и симметричных тиристоров);

- критическую скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (за исключением модулей на основе симметричных тиристоров);

- отпирающее постоянное напряжение управления;

- отпирающий постоянный ток управления;

- неотпирающее постоянное напряжение управления;

- время включения и задержки (для модулей на основе быстровключающихся, быстродействующих и запираемых тиристоров).

Дополнительно для модулей на основе запираемых тиристоров указывают:

- время выключения по управляющему электроду;

- неповторяющийся импульсный запираемый ток;

- повторяющийся импульсный запираемый ток;

- действующий ток в открытом состоянии;

- обратное импульсное напряжение управления;

- время медленного спада;

- ток медленного спада;

- постоянное обратное напряжение;

- постоянное напряжение в закрытом состоянии;

- ток перегрузки в открытом состоянии;

- прямой импульсный ток управления;

- среднюю рассеиваемую мощность управления;

- импульсную рассеиваемую мощность управления;

- неотпирающий постоянный ток управления;

- запирающее импульсное напряжение управления;

- запирающий импульсный ток управления;

- среднюю рассеиваемую мощность в открытом состоянии;

- скорость нарастания запирающего тока.

Дополнительно для модулей на основе биполярных транзисторов указывают:

- постоянное напряжение коллектор - база;

- постоянное напряжение эмиттер - база;

- предельное напряжение коллектор - эмиттер;

- напряжение насыщения коллектор - эмиттер и база - эмиттер;

- постоянный и импульсный токи базы;

- обратный ток коллектора;

- обратный ток эмиттера;

- обратный ток коллектор - эмиттер при заданных условиях в цепи базы;

- время включения;

- время выключения;

- статический коэффициент передачи тока.

Дополнительно для модулей на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором указывают:

- предельное (пробивное) напряжение коллектор - эмиттер;

- максимальную мощность рассеивания;

- напряжение затвор - эмиттер;

- импульсный ток коллектора;

- пороговое напряжение затвора;

- обратный ток коллектор - эмиттер при короткозамкнутых выводах затвора и эмиттера;

- прямую проводимость (коэффициент передачи);

- емкость полупроводниковую структура - корпус;

- входную емкость;

- выходную емкость;

- емкость обратной связи;

- паразитную индуктивность коллектор - эмиттер;

- время задержки включения;

- время задержки выключения;

- время нарастания тока;

- время спада;

- энергию потерь при запирании.

Дополнительно для модулей на основе полевых транзисторов с электростатической индукцией указывают:

- сопротивление сток - исток в открытом состоянии;

- максимальную мощность рассеивания;

- импульсный ток стока;

- напряжение затвор - исток;

- энергию одиночного импульса при лавинном пробое;

- ток лавинного пробоя;

- максимальную скорость восстановления напряжения на паразитном диоде;

- температурный коэффициент напряжения пробоя;

- пороговое напряжение затвор - исток;

- прямую проводимость;

- ток утечки сток - исток;

- прямой (обратный) ток утечки затвор - исток;

- полный заряд затвора;

- заряд затвор - исток;

- заряд затвор - сток;

- время задержки включения;

- время задержки выключения;

- время нарастания;

- время спада;

- внутреннюю индуктивность стока;

- внутреннюю индуктивность истока;

- входную емкость;

- выходную емкость;

- емкость обратной связи;

- емкость сток - охладитель.