Приложение Д (обязательное). Аналитические линии определяемых и неопределяемых элементов РФА методом и условия измерения их интенсивностей

Приложение Д
(обязательное)

Аналитические линии определяемых и неопределяемых элементов РФА методом и условия измерения их интенсивностей

Таблица Д.1 - Аналитические линии определяемых и неопределяемых элементов РФА методом и условия измерения их интенсивностей

Элемент	Спектральная линия	Длина волны (нм)	Кристалл-анализатор 1)	Коллиматор	Детектор	Фильтр первичного излучения 2), 3)	Режим работы рентгеновской трубки
							Напряжение, кВ	Ток, мА
Определяемые элементы
Sc		0,30313	РХ10	150	сцинт.	-	30	100
Mn		0,21021	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Fe		0,17569	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Y		0,08290	LIF220	150	сцинт.	Алюминиевый (200 мкм)	40	75
Nb		0,06657	LIF220	150	сцинт.	Латунный (100 мкм)	40	75
La		0,26663	РХ10	150	сцинт.	-	40	75
Се		0,22092	РХ10	150	сцинт.	-	40	75
Pr		0,22591	РХ10	150	сцинт.	-	40	75
Nd		0,21671	РХ10	150	сцинт.	-	40	75
Sm		0,19984	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Eu		0,18121	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Gd		0,18468	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Tb		0,19765	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Dy		0,17106	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Ho		0,16475	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Er		0,15873	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Tm		0,17268	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Yb		0,16719	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Lu		0,16195	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Та		0,15222	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Неопределяемые элементы, влияние которых необходимо учитывать
Р		0,61590	Ge 111-С	300	проточ	-	30	100
Са		0,33590	РХ10	300	проточ	-	30	100
Cr		0,22900	РХ10	150	сцинт.	-	40	75
Ni		0,16582	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Cu		0,15409	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Zn		0,14355	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
W		0,14767	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Hf		0,13744	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
Pb		0,09830	LIF220	150	сцинт.	Алюминиевый (200 мкм)	40	75
Rb		0,09257	LIF220	150	сцинт.	Алюминиевый (200 мкм)	40	75
Mo		0,06323	LIF220	150	сцинт.	Латунный (100 мкм)	40	75
Параметр стандарта-фона
Rh		0,05725	LIF220	150	сцинт.	-	40	75
1) Необходимо использовать кристаллы-анализаторы с межплоскостным расстоянием (d), равным для кристалла LiF200 2d = 0,2848 нм, для кристалла РХ10 2d = 0,4027 нм, для кристалла Ge 111-С 2d = 0,653 нм. 2) Допустимо использовать фильтр из алюминия толщиной от 200 до 500 мкм. 3) Вместо латунного допустимо использовать фильтр первичного излучения, изготовленный из меди.