Национальный стандарт РФ ГОСТ Р 59702-2021 "Монолитные интегральные схемы сверхвысокочастотного диапазона. Термины и определения" (утв. и введен в действие приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 14 октября 2021 г. N 1143-ст)

Monolithic microwave integrated circuits. Terms and definitions

УДК 621.3.049.774:006.354
ОКС 31.200

Дата введения - 1 марта 2022 г.
Введен впервые

ГАРАНТ:

Полужирный и светлый шрифты в тексте не приводятся

Предисловие

1 Разработан Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт")

2 Внесен Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"

3 Утвержден и введен в действие Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 14 октября 2021 г. N 1143-ст

4 Введен впервые

Введение

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при его использовании. Часть термина вне круглых скобок образует его краткую форму. Краткая форма может быть представлена аббревиатурой.

В алфавитном указателе данные термины размещены отдельно с указанием номера статьи.

Помета, указывающая на область применения многозначного термина, приведена в круглых скобках светлым шрифтом после термина. Помета не является частью термина.

В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.

В стандарте приведен алфавитный указатель терминов на русском языке, а также алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, - светлым.

1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области монолитных интегральных схем (далее - МИС) сверхвысокочастотного диапазона, применяемых в радиоэлектронной аппаратуре.

Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации на МИС, входящих в сферу работ по стандартизации и/или использующих результаты этих работ.

2 Термины и определения

1 монолитная интегральная схема сверхвысокочастотного диапазона; МИС: Интегральная схема неразрывно связанных элементов, изготовленных в объеме и/или на поверхности кристалла (подложки), сверхвысокочастотного диапазона (300 МГц - 300 ГГц), выполняющая функции модуля СВЧ и представляющая собой законченный одно- или многофункциональный узел аппаратуры.

monolithic microwave integrated circuit; MMIС

2

(интегральная) микросхема: Микроэлектронное изделие, состоящее из совокупности элементов (компонентов), электрически соединенных или не соединенных между собой в объеме и/или на поверхности подложки (кристалла), и предназначенное для выполнения заданной функции. [ГОСТ Р 57435-2017, статья 1]

integrated circuit

3

модуль СВЧ: Изделие радиоэлектронной техники СВЧ диапазона, имеющее законченное конструктивное и схемное выполнение, состоящее из одного или нескольких функциональных узлов СВЧ, неремонтопригодное в условиях эксплуатации, взаимозаменяемое. [ГОСТ 23221-78, статья 1а]

UHF module

4 бескорпусная МИС: МИС, предназначенная для монтажа в корпус или на плату с осуществлением микросварки проволочных соединений.	known good die
5 корпус (МИС): Сборочная единица и/или деталь, предназначенная для обеспечения защиты МИС от внешних воздействий, обеспечения теплопередачи, а также для организации электрических связей элементов с внешними электрическими цепями.	package
6 кристалл (МИС): Часть полупроводниковой пластины, в объеме и/или на поверхности которой сформированы элементы МИС, межэлементные соединения и контактные площадки, способная выполнять возложенные на МИС функции.	die; chip
7 подложка (МИС): Несущая конструкция, в объеме или на поверхности которой топологически сформированы схемотехнические элементы, межэлементные соединения и контактные площадки.	substrate
8 контактная площадка (МИС): Металлизированный участок на кристалле, предназначенный для присоединения кристалла к траверсам корпуса МИС или присоединения к контактным площадкам на плате (для бескорпусных МИС), обеспечивающий электрическое соединение с внешними электрическими цепями и контроль электрических параметров.	bonding pad
9 вывод (МИС): Элемент конструкции корпуса, предназначенный для соединения с внешней электрической цепью.	terminal

Алфавитный указатель терминов на русском языке

вывод	9
вывод МИС	9
корпус	5
корпус МИС	5
кристалл	6
кристалл МИС	6
микросхема	2
микросхема интегральная	2
МИС	1
МИС бескорпусная	4
модуль СВЧ	3
площадка контактная	8
площадка контактная МИС	8
подложка	7
подложка МИС	7
схема интегральная монолитная сверхвысокочастотного диапазона	1

Алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке

bonding pad	8
chip	6
die	6
integrated circuit	2
known good die	4
monolithic microwave integrated circuit	1
MMIC	1
package	5
substrate	7
terminal	9
UHF module	3

Ключевые слова: монолитные интегральные схемы сверхвысокочастотного диапазона, термины и определения.