Часть V. Категория 3

Часть V - Категория 3

Категория 3 - Электроника

3А Системы, оборудование и компоненты

Примечание 1: Статус контроля оборудования и компонентов, описанных в 3А001 или 3А002, отличных от указанных в 3А001.а.3. - 3А001.а.10. или 3A001.a.12. - 3A001.a.14., которые специально разработаны или имеют такие же функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по статусу контроля другого оборудования.

Примечание 2: Статус контроля интегральных схем, описанных в 3А001.а.3. - 3А001.а.9., или 3А001.а.12. - 3A001.a.14., которые не предусматривают перепрограммирования или разработаны для выполнения конкретных функций для другого оборудования, определяется по статусу контроля другого оборудования.

N.B.: Если производитель или заявитель не могут определить статус контроля другого оборудования, статус контроля интегральных схем определяется в соответствии с 3А001.а.3. - 3А001.а.9. и 3А001.а.12. - 3A001.a.14.

Примечание 3: Статус кристаллических пластин (готовых или незаконченных), в которых функция была определена, должен оцениваться по параметрам 3A001.a., 3A001.b., 3A001.d., 3A001.e.4., 3A001.g., 3A001.h., или 3A001.i.

3A001 Следующие электронные изделия:

a. Интегральные микросхемы общего назначения, а именно:

Примечание: Интегральные микросхемы включают в себя следующие типы:

- "монолитные интегральные микросхемы";

- "гибридные интегральные микросхемы";

- "многокристальные интегральные схемы";

- "интегральные схемы пленочного типа", включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире";

- "оптические интегральные схемы";

- "трехмерные интегральные схемы";

- "монолитные интегральные схемы диапазона СВЧ (MMICs)".

1. Интегральные микросхемы, предназначенные или рассматриваемые в качестве защищенных от радиоактивного излучения, способные выдерживать:

a. общую дозу Гр (кремний) или выше;

b. сбой мощности дозы Гр (кремний)/с или выше; или

c. плотность потока (интегральная доза) нейтронов (эквивалентно 1 МэВ) или выше на кремний или его эквивалент для других материалов;

Примечание: 3A001.a.1.c. не относится к структуре металл-диэлектрик-полупроводник (MIS).

2. "Микросхемы микропроцессора", "микросхемы микрокомпьютера", микросхемы микроконтроллеров, интегрированные микросхемы памяти, изготовленные из полупроводникового соединения, аналого-цифровые преобразователи, интегральные схемы, содержащие аналого-цифровые преобразователи и хранящие или обрабатывающие оцифрованные данные, цифро-аналоговые преобразователи, электрооптические или "оптические интегральные схемы", предназначенные для "обработки сигнала", логические схемы, программируемые потребителем, интегральные микросхемы частного применения, в отношении которых неизвестны функция или статус контроля оборудования, в котором будет использоваться интегральная микросхема, процессоры быстрого преобразования Фурье (FFT), статическое запоминающее устройство с произвольной выборкой (SRAMs), 'блоки энергонезависимой памяти', обладающие любой из следующих характеристик:

a. рассчитаны на работу при температуре окружающей среды свыше 398 K (125°C);

b. рассчитаны на работу при температуре окружающей среды ниже 218 K (- 55°C); или

c. рассчитаны на работу за пределами диапазона температур окружающей среды от 218 K (- 55°C) до 398 K (125°C);

Примечание: 3A001.a.2. не относится к интегральным микросхемам, предназначенным для применения в гражданском автомобильном и железнодорожном транспорте.

Техническое примечание:

'Блоки энергонезависимой памяти' - блоки памяти для удерживания данных в течение определенного промежутка времени после отключения питания.

3. "Микросхемы микропроцессора", "микросхемы микрокомпьютера" и микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводникового соединения и функционирующие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц;

Примечание: 3A001.a.3. включает в себя цифровые процессоры сигналов, процессоры на цифровой матрице и цифровые сопроцессоры.

4. Не применяется;

5. Интегральные схемы для аналого-цифрового преобразователя (ADC) и цифро-аналогового преобразователя (DAC), а именно:

a. ADCs со следующими характеристиками:

N.B.: СМ. ТАКЖЕ 3A101

1. разрешающая способность 8 бит или более, но менее 10 бит, с "частотой выборки" более 1,3 млрд выборок в секунду (GSPS);

2. разрешающая способность 10 бит или более, но менее 12 бит, с "частотой выборки" более 600 млн выборок в секунду (MSPS);

3. разрешающая способность 12 бит или более, но менее 14 бит, с "частотой выборки" более 400 MSPS;

4. разрешающая способность 14 бит или более, но менее 16 бит, с "частотой выборки" более 250 MSPS; или

5. разрешающая способность 16 бит или более с "частотой выборки" более 65 MSPS;

N.B.: Для интегральных схем, которые содержат аналого-цифровые преобразователи, хранят или обрабатывают оцифрованные данные, см. 3A001.a.14.

Технические примечания:

1. Разрешающая способность в n бит соответствует квантованию уровней.

2. Разрешающая способность ADC - количество бит цифрового вывода, который представляет собой измеренный аналоговый ввод. Разрядность аналого-цифрового преобразователя (ENOB) не применяется для определения разрешающей способности ADC.

3. Для "многоканальных ADCs" "частота выборки" не объединяется, и "частота выборки" - максимальная скорость на выходе любого канала;

4. Для "чередующихся ADCs" или для "многоканальных ADCs", которые имеют чередующийся режим работы, "частота выборки" объединяется, и "частота выборки" - максимальная объединенная общая скорость на выходе всех чередующихся каналов.

b. Цифро-аналоговые преобразователи (DAC), имеющие любые следующие характеристики:

1. разрешающая способность 10 бит или более, но менее 12 бит, с 'приведенной частотой обновления', превышающей 3500 MSPS; или

2. разрешающая способность 12 бит или более и любая следующая характеристика:

a. 'приведенная частота обновления' свыше 1 250 MSPS, но не более 3 500 MSPS, и обладает любой следующей характеристикой:

1. время установления менее 9 нс с точностью 0,024% полной шкалы от шага полной шкалы; или

2. 'Динамический диапазон, свободный от гармоник' (SFDR) более 68 дБн (несущая частота), при синтезе аналогового сигнала полной шкалы в 100 МГц или наивысшей частоте аналогового сигнала полной шкалы, установленной ниже 100 МГц; или

b. 'приведенная частота обновления' более 3500 MSPS;

Технические примечания:

1. 'Динамический диапазон, свободный от гармоник' (SFDR) определяется как отношение среднеквадратичного значения (RMS) несущей частоты (максимального компонента сигнала) на входе DAC к среднеквадратичному значению (RMS) следующего наибольшего компонента шума или гармонического искажения на его выходе.

2. SFDR определяется непосредственно из таблицы спецификаций или из планов характеристик SFDR по отношению к частоте.

3. Сигнал определяется как сигнал полной шкалы, когда его амплитуда более -3 дБпш (полная шкала).

4. 'Приведенная частота обновления' для DACs:

а. Для традиционных DACs (без интерполяции) 'приведенная частота обновления' - это скорость, на которой цифровой сигнал преобразуется в аналоговый сигнал и выходные аналоговые значения изменяются посредством DAC. Что касается DACs, в которых режим интерполяции может быть обойден (коэффициент интерполяции 1), DAC следует рассматривать как традиционный DAC (без интерполяции);

b. Для интерполирующих DACs (DACs с дополнительной выборкой) 'приведенная частота обновления' определяется как частота обновления DAC, деленная на наименьший коэффициент интерполяции. Для интерполирующих DACs 'приведенная частота обновления' может именоваться различными терминами, в том числе:

- входная скорость передачи;

- скорость ввода слова;

- скорость ввода выборок;

- максимальная общая скорость шины ввода;

- максимальная тактовая частота DAC для входного тактового сигнала DAC.

6. Электрооптические и "оптические интегральные схемы", предназначенные для "обработки сигнала" и имеющие все следующие характеристики:

a. один или несколько внутренних "лазерных" диодов;

b. один или несколько внутренних оптических элементов; и

c. оптические волноводы;

7. Логические схемы, программируемые потребителем, имеющие любые следующие характеристики:

a. максимальное количество несимметричных цифровых входов/выходов более 700; или

b. 'совокупная односторонняя пиковая скорость передачи данных последовательного радиопередатчика' 500 Гб/с или выше;

Примечание: 3A001.a.7. включает в себя:

- Сложную программируемую логическую интегральную схему (CPLDs);

- Программируемые пользователем вентильные матрицы (FPGAs);

- Логические матрицы, программируемые пользователем (FPLAs);

- Межсоединения, программируемые пользователем (FPICs);

N.B.: В том, что касается интегральных микросхем, имеющих логические устройства, программируемые пользователем, и объединенных с аналого-цифровым преобразователем, см. 3A001.a.14.

Технические примечания:

1. Максимальное количество цифровых входов/выходов в 3А001.а.7.а. также называется максимальным количеством пользовательских средств входов/выходов или максимальным количеством доступных входов/выходов, вне зависимости от того, заключена ли интегральная микросхема в корпус или является бескорпусным кристаллом.

2. 'Совокупная односторонняя пиковая скорость передачи данных последовательного радиопередатчика' является произведением пиковой скорости передачи данных последовательного одностороннего радиопередатчика на количество радиопередатчиков на FPGA.

8. Не применяется;

9. Интегральные схемы нейронной сети;

10. Интегральные микросхемы частного применения, в отношении которых производителю неизвестны функция или статус контроля оборудования, в котором будет использоваться такая интегральная микросхема, обладающие любыми следующими характеристиками:

a. более 1 500 терминалов;

b. типичное "время задержки основного логического элемента" менее 0,02 нс; или

c. рабочая частота свыше 3 ГГц;

11. Цифровые интегральные схемы, кроме указанных в 3A001.a.3. - 3A001.a.10. и 3A001.a.12., основанные на полупроводниковом соединении и имеющие любую следующую характеристику:

a. эквивалентное количество транзисторных переключателей более 3000 (2 входных логических элемента); или

b. частота переброса более 1,2 ГГц;

12. Процессоры быстрого преобразования Фурье (FFT), имеющие номинальное время выполнения для N-точечного комплексного FFT менее (N log ₂ N)/20 480 мс, где N - количество точек;

Техническое примечание:

Если N равно 1024 точкам, время выполнения согласно формуле в 3A001.a.12. составляет 500 мкс.

13. Интегральные схемы цифрового генератора прямого синтеза (DDS), имеющие любые следующие характеристики:

a. тактовая частота цифро-аналогового преобразователя (DAC) - 3,5 ГГц или больше, разрешающая способность DAC - 10 бит или более, но менее 12 бит; или

b. тактовая частота DAC - 1,25 ГГц или более, разрешающая способность - 12 бит или более;

Техническое примечание:

Тактовая частота DAC может быть определена как задающая тактовая частота или тактовая частота на входе.

14. Интегральные схемы, которые выполняют или программируются для выполнения всех следующих функций:

a. аналого-цифровые преобразователи, отвечающие любым следующим требованиям:

1. разрешающая способность 8 бит или более, но менее 10 бит, с "частотой выборки" более 1,3 млрд выборок в секунду (GSPS);

2. разрешающая способность 10 бит или более, но менее 12 бит, с "частотой выборки" более 1,0 GSPS;

3. разрешающая способность 12 бит или более, но менее 14 бит, с "частотой выборки" более 1,0 GSPS;

4. разрешающая способность 14 бит или более, но менее 16 бит, с "частотой выборки" более 400 млн выборок в секунду (MSPS); или

5. разрешающая способность 16 бит или более с "частотой выборки" более 180 MSPS; и

b. любые из следующих функций:

1. хранение оцифрованных данных; или

2. обработка оцифрованных данных;

N.B.1.: В том, что касается интегральных схем аналого-цифровых преобразователей, см. 3A001.a.5.a.

N.B.2.: В том, что касается логических устройств, программируемых пользователем, см. 3A001.a.7.

Технические примечания:

1. Разрешающая способность в n бит соответствует квантованию 2 ⁿ уровней.

2. Разрешающая способность ADC - количество бит цифрового вывода ADC, который представляет собой измеренный аналоговый ввод. Разрядность аналого-цифрового преобразователя (ENOB) не применяется для определения разрешающей способности ADC.

3. Для интегральных схем с нечередующимися "многоканальными ADCs", "частота выборки" не объединяется, при этом "частота выборки" является максимальной скоростью любого отдельного канала.

4. Для интегральных схем с "чередующимися ADCs" или с "многоканальными ADCs", для которых был задан чередующийся режим работы, "частота выборки" объединяется, при этом "частота выборки" является максимальной суммарной скоростью всех чередующихся каналов.

b. Следующие компоненты микроволн или миллиметровых волн:

Техническое примечание:

Для целей 3A001.b., пиковая выходная мощность параметра в режиме насыщения также может упоминаться в технических паспортах изделия как выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая выходная мощность огибающей.

1. "Вакуумные электронные устройства" и катоды, а именно:

Примечание 1: 3A001.b.1. не относится к "вакуумным электронным устройствам", предназначенным или рассчитанным на работу в любой полосе частот и имеющим все следующие характеристики:

a. не превышают 31,8 ГГц; и

b. "выделяются по ITU" для использования в радиосвязи, но не для радиоопределения.

Примечание 2: 3A001.b.1. не относится к "вакуумным электронным устройствам", не "пригодным для использования в космических условиях", имеющим следующие характеристики:

a. средняя выходная мощность равна или меньше 50 Вт; и

b. предназначены или рассчитаны на работу в любой полосе частот и имеют все следующие характеристики:

1. более 31,8 ГГц, но менее 43,5 ГГц; и

2. "выделяются по ITU" для использования в радиосвязи, но не для радиоопределения.

a. "Вакуумные электронные устройства" с блуждающей волной, импульсной волной или непрерывной волной, а именно:

1. Устройства, функционирующие на частотах свыше 31,8 ГГц;

2. Устройства, имеющие подогреватель катода со временем включения до номинальной RF-мощности менее 3 секунд;

3. Устройства со связанными резонаторами или их производные, с "относительной шириной полосы частот" более 7% или пиковой мощностью, превышающей 2,5 кВт;

4. Устройства, основанные на спиральных, свернутых волноводных или змейковых волноводных схемах, или их производные, имеющие любые следующие характеристики:

a. "мгновенная ширина полосы частот" более одной октавы, средняя мощность (выраженная в кВт), умноженная на частоту (выраженную в ГГц), более 0,5;

b. "мгновенная ширина полосы частот" - одна октава или меньше, средняя мощность (выраженная в кВт), умноженная на частоту (выраженную в ГГц), более 1;

c. "пригодны для использования в космических условиях", или

d. имеют разграфленный электронный инжектор;

5. Устройства с "относительной шириной полосы частот", равной 10% или более, имеющие любые следующие характеристики:

a. кольцевой электронный луч;

b. неосесимметричный электронный луч; или

c. многочисленные электронные лучи;

b. "Вакуумные электронные устройства" усилителя магнетронного типа, с коэффициентом усиления более 17 дБ;

c. Термоэлектронные катоды, предназначенные для "вакуумных электронных устройств", создающие плотность тока эмиссии в рабочих условиях эксплуатации свыше 5 A/см ² или плотностью импульсного (непостоянного) тока в рабочих условиях эксплуатации свыше 10 A/см ²;

d. "Вакуумные электронные устройства", способные функционировать в 'двойном режиме'.

Техническое примечание:

'Двойной режим' означает, что ток луча "вакуумного электронного устройства" может быть намеренно изменен с режима эксплуатации непрерывной волны на импульсный режим посредством использования сетки и он создает пиковую выходную мощность импульса больше выходной мощности непрерывной волны.

2. Усилители мощности "монолитной интегральной схемы СВЧ-диапазона" (MMIC), обладающие любыми следующими характеристиками:

N.B.: В том, что касается усилителей "MMIC", имеющих интегральный фазовращатель, см. 3A001.b.12.

a. предназначены для работы на частотах, превышающих 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно, с "относительной шириной полосы частот" более 15% и имеющие любые следующие характеристики:

1. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 75 Вт (48,75 дБм) на любой частоте более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

2. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 55 Вт (47,4 дБм) на любой частоте более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

3. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБм) на любой частоте более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или

4. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБм) на любой частоте более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

b. предназначены для работы на частотах, превышающих 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно, с "относительной шириной полосы частот" более 10% и имеющие любые следующие характеристики:

1. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 10 Вт (40 дБм) на любой частоте более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или

2. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБм) на любой частоте более 8,5 ГГц до 16 ГГц включительно;

c. предназначены для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 3 Вт (34,77 дБм) на любой частоте, превышающей 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно, с "относительной шириной полосы" более 10%;

d. предназначены для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (- 70 дБм) на любой частоте, превышающей 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

e. предназначены для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБм) на любой частоте, превышающей 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно, с "относительной шириной полосы" более 10%;

f. предназначены для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 31,62 мВт (15 дБм) на любой частоте, превышающей 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно, с "относительной шириной полосы" более 10%;

g. предназначены для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 10 мВт (10 дБм) на любой частоте, превышающей 75 ГГц до 90 ГГц включительно, с "относительной шириной полосы" более 5%; или

h. предназначены для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (- 70 дБм) на любой частоте, превышающей 90 ГГц;

Примечание 1: Не применяется.

Примечание 2: Статус контроля "MMIC", установленная рабочая частота которых включает в себя частоты нескольких диапазонов, как указано в 3A001.b.2.a. - 3A001.b.2.h., определяется по наименьшему пороговому значению пиковой выходной мощности в режиме насыщения.

Примечание 3: Примечания 1 и 2 в разделе 3А означают, что 3А001.b.2. не относится к "MMICs", если они специально разработаны для иных применений, например для телекоммуникаций, РЛС, автомобилей.

3. Дискретные СВЧ-транзисторы, обладающие любыми следующими характеристиками:

a. предназначены для работы на частотах, превышающих 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно, и имеют любые следующие характеристики:

1. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 400 Вт (56 дБм) на любой частоте более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

2. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 205 Вт (53,12 дБм) на любой частоте более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

3. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 115 Вт (50,61 дБм) на любой частоте более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или

4. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 60 Вт (47,78 дБм) на любой частоте более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

b. предназначены для работы на частотах, превышающих 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно, и имеют любые следующие характеристики:

1. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБм) на любой частоте более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;

2. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 15 Вт (41,76 дБм) на любой частоте более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;

3. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБм) на любой частоте более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или

4. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 7 Вт (38,45 дБм) на любой частоте более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;

c. предназначены для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБм) на любой частоте, превышающей 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

d. предназначены для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБм) на любой частоте, превышающей 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно;

e. предназначены для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (- 70 дБм) на любой частоте, превышающей 43,5 ГГц; или

f. за исключением указанных в 3A001.b.3.a. - 3A001.b.3.e, предназначены для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 5 Вт (37,0 дБм) на всех частотах, превышающих 8,5 ГГц до 31,8 ГГц включительно;

Примечание 1: Статус контроля транзистора в пунктах 3A001.b.3.a. - 3A001.b.3.e., установленная рабочая частота которого включает в себя частоты нескольких диапазонов, как указано в 3A001.b.3.a. - 3A001.b.3.e., определяется по наименьшему пороговому значению пиковой выходной мощности в режиме насыщения.

Примечание 2: 3A001.b.3. включает в себя бескорпусные кристаллы, кристаллы, установленные на носителях, или кристаллы, помещенные в упаковку. Некоторые дискретные транзисторы также могут называться усилителями мощности, но статус указанных дискретных транзисторов определяется согласно 3A001.b.3.

4. Микроволновые усилители на твердом теле и микроволновые сборки/модули, содержащие микроволновые усилители на твердом теле, имеющие любые следующие характеристики:

a. предназначены для работы на частотах, превышающих 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно, с "относительной шириной полосы частот" более 15% и имеющие любые следующие характеристики:

1. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 500 Вт (57 дБм) на любой частоте более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

2. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 270 Вт (54,3 дБм) на любой частоте более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

3. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 200 Вт (53 дБм) на любой частоте более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или

4. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 90 Вт (49,54 дБм) на любой частоте более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

b. предназначены для работы на частотах, превышающих 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно, с "относительной шириной полосы частот" более 10% и имеющие любые следующие характеристики:

1. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 70 Вт (48,54 дБм) на любой частоте более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;

2. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБм) на любой частоте более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;

3. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 30 Вт (44,77 дБм) на любой частоте более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или

4. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБм) на любой частоте более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;

c. предназначены для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБм) на любой частоте, превышающей 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

d. предназначены для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 2 Вт (33 дБм) на любой частоте, превышающей 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно, с "относительной шириной полосы частот", превышающей 10%;

e. предназначены для работы на частотах, превышающих 43,5 ГГц, и имеющие любые следующие характеристики:

1. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 0,2 Вт (23 дБм) на любой частоте, превышающей 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно, с "относительной шириной полосы" более 10%;

2. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 20 мВт (13 дБм) на любой частоте, превышающей 75 ГГц до 90 ГГц включительно, с "относительной шириной полосы" более 5%; или

3. пиковая выходная мощность в режиме насыщения более 0,1 нВт (- 70 дБм) на любой частоте, превышающей 90 ГГц; или

f. Не применяется;

N.B.1.: В том, что касается усилителей мощности "MMIC", см. 3A001.b.2.

N.B.2.: В том, что касается 'модулей приема-передачи' и 'модулей передачи', см. 3A001.b.12.

N.B.3.: В том, что касается преобразователей и смесителей на высших гармониках, предназначенных для расширения рабочего диапазона или диапазона частот анализаторов сигнала, генераторов сигнала, сетевых анализаторов или микроволновых измерительных приемников, см. 3A001.b.7.

Примечание 1: Не применяется.

Примечание 2: Статус контроля изделия, установленная рабочая частота которого включает в себя частоты нескольких диапазонов, как указано в 3А001.b.4.а. - 3А001.b.4.е., определяется по наименьшему пороговому значению пиковой выходной мощности в режиме насыщения.

5. Полосовые или заградительные фильтры, настраиваемые электронным или магнитным способом, имеющие более 5 настраиваемых резонаторов, способные к настройке в диапазоне частоты 1,5:1 менее, чем за 10 мкс, обладающие любыми следующими характеристиками:

a. ширина полосы полосового фильтра более 0,5% относительно центральной частоты; или

b. ширина полосы заградительного фильтра менее 0,5% относительно центральной частоты;

6. Не применяется;

7. Преобразователи и смесители на высших гармониках, обладающие любыми следующими характеристиками:

a. предназначены для расширения диапазона частот "анализаторов сигнала" свыше 90 ГГц;

b. предназначены для расширения рабочего диапазона генераторов сигнала следующим образом:

1. свыше 90 ГГц;

2. до выходной мощности более 100 мВт (20 дБм) в любом диапазоне частот, превышающем 43,5 ГГц, но не превышающем 90 ГГц;

c. предназначены для расширения рабочего диапазона сетевых анализаторов следующим образом:

1. свыше 110 ГГц;

2. до выходной мощности более 31,62 мВт (15 дБм) в любом диапазоне частот, превышающем 43,5 ГГц, но не превышающем 90 ГГц;

3. до выходной мощности более 1 мВт (0 дБм) в любом диапазоне частот, превышающем 90 ГГц, но не превышающем 110 ГГц; или

d. предназначены для расширения диапазона частот микроволновых измерительных приемников свыше 110 ГГц;

8. Микроволновые усилители мощности, содержащие "вакуумные электронные устройства", указанные в 3A001.b.1., и имеющие все следующие характеристики:

a. рабочие частоты свыше 3 ГГц;

b. отношение средней выходной мощности к массе более 80 Вт/кг; и

c. объем менее 400 ;

Примечание: 3A001.b.8. не касается оборудования, предназначенного или разработанного для эксплуатации на любой полосе частот, которая "выделена по ITU" для использования в радиосвязи, но не для радиоопределения.

9. Силовые модули СВЧ-диапазона (MPM), состоящие как минимум из одного "вакуумного электронного устройства" блуждающей волны, "монолитной интегральной схемы СВЧ-диапазона" ("MMIC") и интегрального электронного преобразователя системы питания, обладающие всеми следующими характеристиками:

a. 'время включения' от выключенного до полностью функционирующего составляет менее 10 секунд;

b. объем меньше максимальной номинальной мощности в Ваттах, умноженный на 10 см ³/Вт; и

c. "мгновенная ширина полосы частот" более 1 октавы , имеющая любую следующую характеристику:

1. для частот, равных 18 ГГц или менее - выходная RF-мощность более 100 Вт; или

2. частоты выше 18 ГГц;

Технические примечания:

1. Для расчета объема в пункте 3A001.b.9.b. приводится следующий пример: для максимальной номинальной мощности 20 Вт объем будет составлять: 20 Вт х 10 = 200 .

2. 'Время включения' в пункте 3A001.b.9.a. относится ко времени, когда устройство полностью выключено, до момента его полного функционирования, т.е. включает время нагрева MPM.

10. Генераторы колебаний или сборки генераторов, разработанные для функционирования с фазовым шумом одной боковой полосы (SSB), в дБн/Гц, меньше (лучше) - в диапазоне ;

Техническое примечание:

В пункте 3A001.b.10. F - отклонение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц.

11. "Электронные сборки" 'синтезаторов частот', имеющие "время переключения частоты" согласно любому из следующего:

a. менее 143 пс;

b. менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающей 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 4,8 ГГц, но не выше 31,8 ГГц;

c. не применяется;

d. менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающей 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не выше 37 ГГц;

e. менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающей 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 37 ГГц, но не выше 90 ГГц; или

f. не применяется;

g. менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот выше 90 ГГц;

Техническое примечание:

'Синтезатор частот' - любой тип источника частот, вне зависимости от фактически используемой техники, обеспечивающий множество одновременных или альтернативных выходных частот из одного или нескольких выходов, управляемых меньшим количеством эталонных (ведущих) частот, производных от него или упорядоченных им.

N.B.: В том, что касается "анализаторов сигнала", генераторов сигнала, сетевых анализаторов и микроволновых измерительных приемников общего назначения, см. 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. и 3A002.f. соответственно.

12. 'Модули приема-передачи', 'MMICs приема-передачи', 'модули передачи' и 'MMICs передачи', предназначенные для работы на частотах выше 2,7 ГГц и имеющие все следующие характеристики:

a. пиковая выходная мощность в режиме насыщения (в ваттах), , больше 505,62, разделенная на максимальную рабочую частоту (в ГГц) в квадрате для любого канала;

b. "относительная ширина полосы частот" 5% или более для любого канала;

c. любая плоская сторона с длиной d (в см) равна или менее 15, разделенная на самую низкую рабочую частоту в ГГц , где N - количество каналов передачи или приема-передачи; и

d. Электрически управляемый фазовращатель на каждый канал.

Технические примечания:

1. 'Модуль приема-передачи' представляет собой многофункциональную "электронную сборку", которая обеспечивает двунаправленное управление амплитудой и сдвигом фазы для передачи и приема сигналов.

2. 'Модуль передачи' представляет собой "электронную сборку", которая обеспечивает управление амплитудой и сдвигом фазы для передачи сигнала.

3. 'MMIC приема-передачи' представляет собой многофункциональную "MMIC", которая обеспечивает двунаправленное управление амплитудой и сдвигом фазы для передачи и приема сигналов.

4. 'MMIC передачи' представляет собой "MMIC", который обеспечивает управление амплитудой и сдвигом фазы для передачи сигналов.

5. 2,7 ГГц следует использовать как самую низкую рабочую частоту в формуле в пункте 3A001.b.12.c. для модулей приема-передачи или модулей передачи, которые имеют номинальный рабочий диапазон, распространяющийся до частоты 2,7 ГГц и ниже .

6. Пункт 3A001.b.12. применяется к 'модулям приема-передачи' или 'модулям передачи' с радиатором или без него. Значение d в пункте 3A001.b.12.c. не включает в себя часть 'модуля приема-передачи' или 'модуля передачи', которая функционирует как радиатор.

7. 'Модули приема-передачи', 'модули передачи', 'MMICs приема-передачи' или 'MMICs передачи' могут иметь или не иметь N интегрированных элементов излучающих антенн, где N - количество каналов передачи или приема-передачи.

c. Следующие приборы на акустических волнах и специально разработанные компоненты для них:

1. Приборы на поверхностно-акустических волнах и приборы на приповерхностных (объемных) акустических волнах, имеющие любые следующие характеристики:

a. несущая частота свыше 6 ГГц;

b. несущая частота свыше 1 ГГц, но не более 6 ГГц, обладающие любой следующей характеристикой:

1. 'подавление сигналов боковых лепестков определенной частоты' более 65 дБ;

2. произведение максимального времени задержки и ширины полосы (время в мкс, ширина полосы в МГц) более 100;

3. ширина полосы более 250 МГц; или

4. дисперсионная задержка более 10 мкс; или

c. несущая частота 1 ГГц или менее, обладающие любой следующей характеристикой:

1. произведение максимального времени задержки и ширины полосы (время в мкс, ширина полосы в МГц) более 100;

2. дисперсионная задержка более 10 мкс; или

3. 'подавление сигналов боковых лепестков определенной частоты' более 65 дБ, а ширина полосы более 100 МГц;

Техническое примечание:

'Подавление сигналов боковых лепестков определенной частоты' - это максимальное значение подавления, как указано в паспорте технических данных.

2. Приборы на объемных акустических волнах, которые обеспечивают прямую обработку сигналов на частотах свыше 6ГГц;

3. Устройства акустико-оптической "обработки сигнала", использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, которые обеспечивают прямую обработку сигналов или изображений, включая спектральный анализ, корреляцию или свертывание;

Примечание: 3A001.c. не относится к приборам на акустических волнах, действие которых ограничивается однополосным фильтром, фильтром нижних или верхних частот, заграждающим фильтром или резонаторной функцией.

d. Электронные устройства и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из "сверхпроводящих" материалов, специально предназначенных для работы при температуре ниже "критической" как минимум одного из "сверхпроводящих" элементов и имеющие любую следующую характеристику:

1. Ток переключения для цифровых схем, использующих "сверхпроводящие" элементы с произведением времени задержки на элемент (в секундах) и рассеяния мощности на элемент (в ваттах) меньше Дж; или

2. Выбор частоты на всех частотах с использованием резонансных схем с Q-значениями, превышающими 10 000;

e. Высокоэнергетические устройства, а именно:

1. Следующие 'гальванические элементы':

a. 'первичные гальванические элементы', имеющие любые следующие характеристики при 20°C:

1. 'энергетическая плотность' свыше 550 Вт-ч/кг и 'плотность номинальной мощности' свыше 50 Вт/кг; или

2. 'энергетическая плотность' свыше 50 Вт-ч/кг и 'плотность номинальной мощности' более 350 Вт/кг; или

b. 'вторичные гальванические элементы', имеющие 'энергетическую плотность' более 350 Вт-ч/кг при 20°C;

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3А001.е.1. 'энергетическая плотность' (Вт-ч/кг) рассчитывается путем умножения значения номинального напряжения на значение номинальной производительности в ампер-часах (Ач) и деления на значение массы в килограммах. Если номинальная производительность не установлена, энергетическая плотность рассчитывается путем возведения в квадрат значения номинального напряжения и умножения на значение длительности разряда в часах и делением на значение разряда нагрузки в омах и массы в килограммах.

2. Для целей пункта 3А001.е.1. 'гальванический элемент' определяется как электрохимический прибор, имеющий положительный и отрицательный электроды, электролит и является источником электрической энергии. Он является основным структурным элементом батареи.

3. Для целей пункта 3А001.е.1.a. 'первичный гальванический элемент' представляет собой 'гальванический элемент', который не предназначен для зарядки любым другим источником.

4. Для целей пункта 3А001.е.1.b. 'вторичный гальванический элемент' представляет собой 'гальванический элемент', который предназначен для зарядки внешним электрическим источником.

5. Для целей пункта 3A001.e.1.a. 'плотность номинальной мощности' (Вт/кг) рассчитывается путем умножения значения номинального напряжения на определенное значение максимального тока непрерывного разряда в амперах (A) и деления на значение массы в килограммах. 'Плотность номинальной мощности' также называется удельной мощностью.

Примечание: Пункт 3A001.e.1. не включает в себя батареи, в том числе одноячеечные батареи.

2. Высокоэнергичные накопительные конденсаторы, а именно:

N.B.: СМ. ТАКЖЕ 3A201.a. и Контрольный перечень продукции военного назначения.

a. Конденсаторы с частотой повторения импульсов менее 10 Гц (однозарядные конденсаторы) и имеющие все следующие характеристики:

1. номинальное напряжение, равное или больше 5 кВ;

2. энергетическая плотность, равная или больше 250 Дж/кг; и

3. общая энергия, равная или больше 25 кДж;

b. Конденсаторы с частотой повторения импульсов 10 Гц или более (конденсаторы с частотой повторения), имеющие все следующие характеристики:

1. номинальное напряжение, равное или больше 5 кВ;

2. энергетическая плотность, равная или больше 50 Дж/кг;

3. общая энергия, равная или больше 100 кДж; и

4. продолжительность цикла зарядки/разрядки, равная или больше 10 000;

3. "Сверхпроводящие" электромагниты и соленоиды, специально разработанные для полной зарядки или разрядки менее чем, за одну секунду и имеющие все следующие характеристики:

N.B.: СМ. ТАКЖЕ 3А201.b.

Примечание: Пункт 3A001.e.3. не включает в себя "сверхпроводящие" электромагниты или соленоиды, специально разработанные для медицинского оборудования, используемого для магнитно-резонансной томографии (MRI).

а. энергия, освобождаемая во время разрядки, превышает 10 кДж в первую секунду;

b. внутренний диаметр токопроводящей обмотки более 250 мм; и

с. предназначены для магнитной индукции более 8 Т или "общей плотности тока" в обмотке более 300 А/мм;

4. Солнечные фотогальванические элементы, сборки, состоящие из гальванического элемента, соединения и стеклопокрытия (CIC), солнечные панели и солнечные батареи, "пригодные для использования в космических условиях", имеющие минимальную среднюю эффективность более 20% при рабочей температуре 301 К (28°C) и при смоделированной в условиях 'нулевой воздушной массы' ('АМ0') освещенности с излучением 1367 Вт на квадратный метр ;

Техническое примечание:

'АМ0' или 'нулевая воздушная масса' определяется как спектральное солнечное излучение во внешней атмосфере Земли, если расстояние между Землей и Солнцем составляет одну астрономическую единицу (АU).

f. Вращающиеся устройства, кодирующие абсолютное положение, имеющие "точность", равную или меньше (лучше) 1,0 угловой секунды, а также специально разработанные кольца, диски и шкалы кодирования для них;

g. Твердотельные импульсные силовые устройства, переключающие тиристоры, и 'тиристорные модули', использующие метод переключения, управляемый электрически, оптически или с помощью электронного излучения, и имеющие любые следующие характеристики:

1. максимальная скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) свыше 30000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более 1100 В; или

2. максимальная скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) свыше 2000 А/мкс и все следующие характеристики:

a. пиковое напряжение в закрытом состоянии равно или более 3000 В или более; и

b. пиковый (ударный) ток равен или более 3 000 A.

Примечание 1: Пункт 3А001.g. включает в себя:

- Кремниевые управляемые тиристоры (SCRs);

- Электрические тиристоры запуска (ETTs);

- Тиристоры фотозапуска (LTTs);

- Коммутируемые по затвору запираемые тиристоры (IGCTs);

- Тиристоры с запираемым вентилем (GTOs);

- МОП-управляемые тиристоры (MCTs);

- Солидтроны.

Примечание 2: Пункт 3А001.g не включает в себя тиристорные устройства и 'тиристорные модули', встроенные в оборудование, предназначенное для применения на гражданском железнодорожном транспорте и в "гражданской авиации".

Техническое примечание:

Для целей 3А001.g. 'тиристорные модули' включают в себя одно или несколько тиристорных устройств.

h. Твердотельные силовые полупроводниковые переключатели, диоды или 'модули', имеющие все следующие характеристики:

1. предназначены для функционирования при максимальной рабочей температуре p-n-перехода выше 488 К (215С);

2. периодическое напряжение в закрытом состоянии (запирающее блокирующее напряжение) более 300 В; и

3. постоянный ток более 1 А.

Примечание 1: Периодическое напряжение в закрытом состоянии в пункте 3А001.h. включает в себя напряжение сток-исток, напряжение коллектор-эмиттер, периодическое пиковое обратное напряжение и пиковое периодическое напряжение в закрытом состоянии.

Примечание 2: Пункт 3А001.h. включает в себя:

- Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFETs);

- Полевые транзисторы с вертикальным управляемым p-n-переходом (VJFETs);

- Полевые транзисторы со структурой металл-оксид-полупроводник (МОП) (MOSFETs);

- Полевые МОП-транзисторы, изготовленные методом двойной диффузии (DMOSFET);

- Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT);

- Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMTs);

- Биполярные плоскостные транзисторы (BJTs);

- Тиристоры и кремниевые управляемые выпрямители (SCRs);

- Тиристоры с запираемым вентилем (GTOs);

- Тиристоры с запираемым эмиттером (ETOs);

- PiN диоды;

- Диоды с барьером Шоттки.

Примечание 3: 3A001.h. не включает в себя переключатели, диоды или 'модули', встроенные в оборудование, предназначенное для применения в гражданских автомобилях, на гражданском железнодорожном транспорте или "в гражданской авиации".

Техническое примечание:

Для целей пункта 3А001.h. 'модули' содержат один или несколько твердотельных силовых полупроводниковых переключателей или диодов.

i. Электрооптические модуляторы интенсивности, амплитуды или фазы, предназначенные для аналоговых сигналов и обладающие любыми следующими характеристиками:

1. Максимальная рабочая частота более 10 ГГц, но менее 20 ГГц, оптические вносимые потери равны или меньше 3 дБ и имеют любые следующие параметры:

a. 'полуволновое напряжение' ('') менее 2,7 В при измерении на частоте 1 ГГц или ниже; или

b. '' менее 4 В при измерении на частоте более 1 ГГц; или

2. Максимальная рабочая частота равна или более 20 ГГц, оптические вносимые потери равны или меньше 3 дБ и имеют любые следующие параметры:

a. '' меньше 3,3 В при измерении на частоте 1 ГГц или ниже; или

b. '' меньше 5 В при измерении на частоте более 1 ГГц.

Примечание: 3A001.i. включает в себя электрооптические модуляторы, обладающие оптическими входными и выходными соединителями (например, оптико-волоконные гибкие соединительные проводники).

Техническое примечание:

Для целей пункта 3A001.i. 'полуволновое напряжение' ('') - приложенное напряжение, необходимое для изменения фазы на 180 градусов в длине волны света, распространяющейся через оптический модулятор.

3A002 "Электронные сборки", модули и оборудование общего назначения, а именно:

a. Следующее записывающее оборудование и осциллографы:

1. Не применяется;

2. Не применяется;

3. Не применяется;

4. Не применяется;

5. Не применяется;

6. Цифровые регистраторы данных, имеющие все следующие характеристики:

a. устойчивая 'непрерывная пропускная способность' более 6,4 Гбит/с на диск или твердотельный накопитель; и

b. "обработка сигнала" данных радиочастотного сигнала во время их записи;

Технические примечания:

1. Для регистраторов с архитектурой шины с параллельной передачей данных скорость 'непрерывной пропускной способности' - максимальная скорость слова, умноженная на количество бит в слове.

2. 'Непрерывная пропускная способность' - это самая высокая скорость передачи данных, которую инструмент может записывать на диск или твердотельный накопитель без потери какой-либо информации при сохранении скорости ввода цифровых данных или скорости преобразования кодирующего преобразователя.

7. Осциллографы в режиме реального времени, обладающие вертикальным среднеквадратическим значением (rms) напряжения шума менее 2% от полной шкалы по вертикальной шкале, которая предусматривает самое низкое значение шума для любого ввода данных 3дБ на полосе частот 60 ГГц или выше на канал;

Примечание: 3A002.a.7. не включает в себя стробоскопические осциллографы, работающие в эквивалентном масштабе времени.

b. Не применяется;

c. "Анализаторы сигнала", а именно:

1. "Анализаторы сигнала", имеющие полосу частот по разрешению (RBW) 3 дБ более 40 МГц в любой точке частотного диапазона, превышающего 31,8 ГГц, но менее 37 ГГц;

2. "Анализаторы сигнала", имеющие отображаемый средний уровень шума (DANL) меньше (лучше) -150 дБм/Гц в любой точке частотного диапазона, превышающего 43,5 ГГц, но менее 90 ГГц;

3. "Анализаторы сигнала", имеющие частоту более 90 ГГц;

4. "Анализаторы сигнала", имеющие все следующие характеристики:

a. 'полоса частот в реальном времени' свыше 170 МГц; и

b. имеющие любую следующую характеристику:

1. 100% вероятность обнаружения со снижением менее чем на 3 дБ от полной амплитуды вследствие пробелов или эффекта "окон" сигналов, имеющих продолжительность 15 мкс или менее; или

2. функцию 'запуска по частотной маске' со 100% вероятностью запуска (улавливания) для сигналов, имеющих продолжительность 15 мкс или менее;

Технические примечания:

1. 'Полоса частот в реальном времени' - это самый широкий диапазон частот, для которого анализатор может непрерывно преобразовывать пространственно-временные данные полностью в результаты анализа в частотной области, используя преобразование Фурье или другое временное дискретное преобразование, которое обрабатывает каждый входящий момент времени, без уменьшения измеренной амплитуды более чем на 3 дБ ниже фактической амплитуды сигнала, вызванной пробелами или эффектами "окна", при выводе или отображении преобразованных данных.

2. Вероятность обнаружения в пункте 3A002.c.4.b.1. также называется вероятностью перехвата или вероятностью улавливания.

3. Для целей пункта 3A002.c.4.b.1. продолжительность для 100% вероятности обнаружения эквивалентна минимальной продолжительности сигнала, необходимой для неопределенности измерения нормативного уровня.

4. 'Запуск по частотной маске' - это механизм, в котором триггерная функция может выбирать диапазон частот, который будет запущен в качестве подмножества полосы захвата, игнорируя другие сигналы, которые также могут присутствовать в той же полосе захвата. 'Запуск по частотной маске' может cодержать более одного независимого набора ограничений.

Примечание: 3A002.c.4. не включает в себя "анализаторы сигнала", использующие только фильтры с постоянной относительной шириной полосы (также известные как октавные или фракционные октавные фильтры).

5. Не применяется;

d. Генераторы сигнала, имеющие любые следующие характеристики:

1. предназначенные для генерирования импульсно-модулированных сигналов, обладающих всеми следующими параметрами, в любой точке диапазона частот более 31,8 ГГц, но менее 37 ГГц:

a. 'длительность импульса' менее 25 нс; и

b. соотношение уровней во включенном и выключенном состоянии равно или превышает 65 дБ;

2. выходная мощность более 100 мВт (20 дБм) в любой точке диапазона частот более 43,5 ГГц, но менее 90 ГГц;

3. "время переключения частоты" определено любым следующим способом:

a. не применяется;

b. менее 100 мкс для любого изменения частоты свыше 2,2 ГГц в пределах диапазона частот более 4,8 ГГц, но менее 31,8 ГГц;

c. не применяется;

d. менее 500 мкс для любого изменения частоты свыше 500 МГц в пределах диапазона частот более 31,8 ГГц, но менее 37 ГГц; или

e. менее 100 мкс для любого изменения частоты свыше 2,2 ГГц в пределах диапазона частот более 37 ГГц, но менее 90 ГГц;

f. Не применяется;

4. однополосный (SSB) фазовый шум в дБс/Гц, характеризуемый любым следующим параметром:

a. меньше (лучше) чем в любой точке диапазона кГц в пределах диапазона частот более 3,2 ГГц, но менее 90 ГГц; или

b. меньше (лучше) чем в любой точке диапазона кГц в пределах диапазона частот более 3,2 ГГц, но менее 90 ГГц;

Техническое примечание:

В пункте 3A002.d.4. F - отклонение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц;

5. 'Полоса частот радиочастотной модуляции' цифрового сигнала модуляции, как указано в любом следующем пункте:

a. превышает 2,2 ГГц в пределах диапазона частот более 4,8 ГГц, но менее 31,8 ГГц;

b. превышает 550 МГц в пределах диапазона частот более 31,8 ГГц, но менее 37 ГГц; или

c. превышает 2,2 ГГц в пределах диапазона частот более 37 ГГц, но менее 90 ГГц; или

Техническое примечание:

'Полоса частот радиочастотной модуляции' - это радиочастотный (RF) диапазон, занимаемый цифровым кодированным сигналом основной полосы частот, модулированным на радиочастотный сигнал. Он также называется полосой частот информационного канала или полосой частот векторной модуляции. Цифровая модуляция I/Q-данных - это технический метод получения векторно-модулированного выходного радиочастотного сигнала, указанный выходной сигнал обычно определяется как имеющий 'полосу частот радиочастотной модуляции'.

6. Максимальная частота превышает 90 ГГц;

Примечание 1: Для целей пункта 3A002.d. генераторы сигнала включают в себя произвольную форму сигнала и генераторы функций.

Примечание 2: 3A002.d. не включает в себя оборудование, в котором частота выходного сигнала является результатом сложения или вычитания двух или более частот кварцевого осциллятора или результатом сложения или вычитания с последующим умножением результата.

Технические примечания:

1. Максимальная частота произвольной формы сигнала или генератора функций рассчитывается посредством деления частоты выборки, в образцах/секундах, на коэффициент 2,5.

2. Для целей пункта 3А002.d.1.а 'длительность импульса' определяется как временной интервал от точки на переднем фронте, т.е. 50% от амплитуды импульса, до точки на заднем фронте, т.е. 50% от амплитуды импульса.

e. Сетевые анализаторы, обладающие любыми следующими характеристиками:

1. выходная мощность превышает 31,62 мВт (15 дБм) в любой точке диапазона рабочих частот более 43,5 ГГц, но менее 90 ГГц;

2. выходная мощность превышает 1 мВт (0 дБм) в любой точке диапазона рабочих частот более 90 ГГц, но менее 110 ГГц;

3. 'функциональная возможность измерения нелинейного вектора' на частотах свыше 50 ГГц, но менее 110 ГГц; или

Техническое примечание:

'Функциональная возможность измерения нелинейного вектора' - это способность инструмента анализировать результаты испытаний приборов, введенные в область сигнала большого уровня или в диапазон нелинейного искажения.

4. максимальная рабочая частота более 110 ГГц;

f. Микроволновые измерительные приемники, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. максимальная рабочая частота свыше 110 ГГц; и

2. способность к одновременному измерению амплитуды и фазы;

g. Атомные стандарты частоты со следующими характеристиками:

1. "пригодны для использования в космических условиях";

2. являются нерубидиевыми и имеют долгосрочную стабильность меньше (лучше) /месяц; или

3. "непригодны для использования в космических условиях" и имеют все следующие характеристики:

a. являются рубидиевым стандартом;

b. имеют долгосрочную стабильность меньше (лучше) /месяц; и

c. общее потребление мощности менее 1 Вт;

h. "Электронные сборки", модули или оборудование, специально разработанные для выполнения всех следующих функций:

1. Аналого-цифровое преобразование, отвечающее всем следующим условиям:

а. разрешающая способность 8 бит или более, но менее 10 бит, с "частотой выборки" более 1,3 млрд выборок в секунду (GSPS);

b. разрешающая способность 10 бит или более, но менее 12 бит, с "частотой выборки" более 1,0 GSPS;

c. разрешающая способность 12 бит или более, но менее 14 бит, с "частотой выборки" более 1,0 GSPS;

d. разрешающая способность 14 бит или более, но менее 16 бит, с "частотой выборки" более 400 млн выборок в секунду (MSPS); или

e. Разрешающая способность 16 бит или более, с "частотой выборки" более 180 MSPS; и

2. Любые следующие функции:

а. вывод оцифрованных данных;

b. хранение оцифрованных данных; или

c. обработка оцифрованных данных.

N.B.: Регистраторы цифровых данных, осциллографы, "анализаторы сигнала", генераторы сигнала, сетевые анализаторы и микроволновые измерительные приемники указаны в пунктах 3A002.a.6., 3A002.a.7., 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. и 3A002.f. соответственно.

Технические примечания:

1. Разрешающая способность в n бит соответствует квантованию 2^ ⁿ уровней.

2. Разрешающая способность ADC - количество бит цифрового вывода ADC, который представляет собой измеренный аналоговый ввод. Разрядность аналого-цифрового преобразователя (ENOB) не применяется для определения разрешающей способности ADC.

3. Для нечередующихся многоканальных "электронных сборок", модулей или оборудования, "частота выборки" не объединяется, при этом "частота выборки" является максимальной скоростью любого отдельного канала.

4. Для чередующихся каналов в многоканальных "электронных сборках", модулях или оборудовании, "частота выборки" объединяется, при этом "частота выборки" является максимальной суммарной скоростью всех чередующихся каналов.

Примечание: 3A002.h. включает в себя карты ADC, дискретизаторы аналоговых сигналов, карты сбора данных, платы обработки сигналов и устройства регистрации переходных процессов.

3А003 Системы терморегулирования с оросительным охлаждением, в которых применяется ремонтное оборудование и оборудование для транспортировки жидкости с замкнутым циклом в герметичном корпусе, где диэлектрическая жидкость разбрызгивается на электронные компоненты с помощью специально разработанных распылительных форсунок, что позволяет поддерживать диапазон рабочих температур для электронных компонентов, а также специально разработанные компоненты таких систем.

3A101 Следующее электронное оборудование, приборы и компоненты, кроме указанных в 3A001:

a. аналого-цифровые преобразователи, применяемые в "ракетах", предназначенные для оборудования, приспособленного к тяжелым условиям эксплуатации согласно военным спецификациям;

b. ускорители, способные передавать электромагнитное излучение, возникающее при тормозном излучении ускоренных электронов 2МэВ или более, и системы, содержащие указанные ускорители.

Примечание: 3А001.b. не включает в себя оборудование, специально разработанное для медицинских целей.

3A102 'Тепловые батареи', разработанные или модифицированные для 'ракет'.

Технические примечания:

1. В пункте 3A102 'тепловые батареи' - это батареи для однократного применения, содержащие твердую непроводящую неорганическую соль в качестве электролита. Указанные батареи включают в себя пиролитический материал, который при воспламенении плавит электролит и активирует батарею.

2. В пункте 3А102 'ракета' означает полнокомплектные ракетные системы и комплексы беспилотных летательных аппаратов дальностью действия более 300 км.

3A201 Следующие электронные компоненты, за исключением тех, которые указаны в 3A001:

a. конденсаторы, обладающие любым из следующих наборов характеристик:

1. a. номинальное напряжение более 1,4 кВт;

b. накопление энергии более 10 Дж;

c. емкостное сопротивление более 0,5 мкФ; и

d. последовательная индуктивность менее 50 нГн; или

2. a. номинальное напряжение более 750 Вт;

b. емкостное сопротивление более 0,25 мкФ; и

c. последовательная индуктивность менее 10 нГн;

b. Сверхпроводящие электромагниты соленоидного типа, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. способны создавать магнитные поля более 2 Тл;

2. отношение длины к внутреннему диаметру более 2;

3. внутренний диаметр более 300 мм; и

4. однородность магнитного поля лучше 1% в пределах 50% внутреннего объема по центру;

Примечание: 3A201.b. не касается магнитов, специально предназначенных для медицинских ядерных магнитно-резонансных (NMR) систем отображения и экспортируемых 'в качестве их составных частей'. Слова 'в качестве их составных частей' необязательно означают физическую часть той же самой партии груза; отдельные отгрузки из различных источников допускаются при условии, что в соответствующих экспортных документах четко указывается, что партии отправляются 'в качестве составных частей' систем отображения.

c. Импульсные рентгеновские генераторы или импульсные электронные ускорители, обладающие любым из следующих наборов характеристик:

1. a. пиковая энергия электронов ускорителя 500 кэВ или более, но менее 25 МэВ; и

b. 'коэффициент добротности' (К) 0,25 или более; или

2. a. пиковая энергия электронов ускорителя 25 МэВ или более; и

b. 'пиковая мощность' более 50 МВт.

Примечание: 3A201.c. не касается ускорителей, которые являются составными частями устройств, предназначенных для целей, отличных от получения электронных пучков или рентгеновского излучения (электронная микроскопия, например) или устройств, предназначенных для медицинских целей.

Технические примечания:

1. 'Коэффициент добротности' K определяется по формуле:

V - пиковая энергия электронов в миллион электрон-вольтах.

Если длительность импульса пучка ускорителя меньше или равна 1 мкс, тогда Q - общий ускоренный заряд в кулонах. Если длительность импульса пучка укорителя более 1 мкс, тогда Q - максимальный ускоренный заряд в 1 мкс.

Q равен интегралу i до t, через наименьшую величину в 1 мкс или продолжительность импульса пучка , где i - ток пучка в амперах, t - время в секундах.

2. 'Пиковая мощность' = (пиковый потенциал в вольтах) х (пиковый ток пучка в амперах).

3. В устройствах, основанных на микроволновых ускоряющих резонаторах, длительность импульса пучка - наименьшее из 1 мкс или длительности сгруппированного пакета пучков, являющегося следствием одного импульса микроволнового модулятора.

4. В устройствах, основанных на микроволновых ускоряющих резонаторах, пиковый ток пучка - средняя величина тока во время длительности сгруппированного пакета пучков.

3A225 Преобразователи частоты или генераторы, кроме указанных в 0B001.b.13., используемые в качестве электрического привода с переменной или постоянной частотой, обладающие всеми следующими характеристиками:

N.B.1: "Программное обеспечение", специально предназначенное для повышения или раскрытия рабочих показателей преобразователя частоты или генератора для соответствия характеристикам 3A225, указано в 3D225.

N.B.2: "Технология" в виде кодов или ключей для повышения или раскрытия рабочих показателей преобразователя частоты или генератора для соответствия характеристикам 3A225, указана в 3E225.

a. многофазный выход, обеспечивающий мощность 40 ВА или более;

b. работают на частоте 600 Гц или более; и

c. регулировка частоты лучше (меньше) 0,2%.

Примечание: 3A225 не касается преобразователей частоты или генераторов, если они имеют ограничения, связанные с аппаратным обеспечением, "программным обеспечением" или "технологией", которые снижают рабочие показатели по сравнению с указанными выше значениями, при условии, что они соответствуют любому из следующего:

1. они должны быть возвращены первоначальному производителю для улучшения или снятия ограничений;

2. они требуют "программного обеспечения" согласно 3D225 для совершенствования или раскрытия рабочих показателей в целях соответствия характеристикам 3A225; или

3. они требуют "технологий" в виде ключей и кодов согласно 3E225 для совершенствования или раскрытия рабочих показателей в целях соответствия характеристикам 3A225.

Технические примечания:

1. Преобразователи частоты в 3A225 также известны как конвертеры или инвертеры.

2. Преобразователи частоты в 3A225 могут продаваться в качестве генераторов, электронного испытательного оборудования, источников питания переменного тока, электродвигателей с регулируемой скоростью вращения, приводов с переменной скоростью (VSDs), приводов с переменной частотой вращения (VFDs), приводов с регулируемой частотой (AFDs) или приводов с регулируемой скоростью вращения (ASDs).

3A226 Сверхмощные источники питания постоянного тока, кроме тех, что указаны в 0B001.j.6., обладающие всеми следующими характеристиками:

a. способны постоянно в течение 8 часов при 100 В или более обеспечивать выход тока в 500 А или более; и

b. стабильность тока или напряжения лучше 0,1% в течение 8 часов.

3A227 Источники питания постоянного тока высокого напряжения, кроме тех, что указаны в 0B001.j.5., обладающие всеми следующими характеристиками:

a. способны постоянно в течение 8 часов при 20 кВ или более обеспечивать выход тока в 1 А или более; и

b. стабильность тока или напряжения лучше 0,1% в течение 8 часов.

3A228 Переключающие устройства, а именно:

a. лампы с холодным катодом, с закаченным газом или без него, функционирующие как искровой разрядник, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. содержат три или более электрода;

2. пиковое номинальное напряжение анода 2,5 кВ или более;

3. пиковый номинальный ток анода 100 А или более; и

4. время запаздывания анода 10 мкс или менее;

Примечание: 3A228 включает в себя газоразрядные лампы (krytron) и вакуумные лампы (sprytron).

b. управляемые искровые разрядники, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. время запаздывания анода 15 мкс или менее; и

2. рассчитаны на пиковый ток 500 А или более;

c. модули или сборки с функцией быстрого переключения, кроме указанных в 3A001.g. или 3A001.h., обладающие всеми следующими характеристиками:

1. пиковое напряжение анода более 2 кВ;

2. пиковый ток анода 500 A или более; и

3. время включения 1 мкс или менее.

3A229 Сильнотоковые импульсные генераторы, а именно:

N.B.: СМ. ТАКЖЕ КОНТРОЛЬНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ПРОДУКЦИИ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ.

a. запускающие устройства детонатора (инициирующие системы, запальные устройства), в том числе электронно-заряжаемые, приводимые в движение взрывом и оптически запускающие устройства, кроме указанных в 1A007.a., предназначенные для запуска сложных управляемых детонаторов, указанных в 1A007.b.;

b. модульные электрические импульсные генераторы (пульсаторы), обладающие всеми следующими характеристиками:

1. предназначены для портативного, мобильного использования и использования в тяжелых условиях;

2. способны доставлять энергию менее чем за 15 мкс в нагрузки менее 40 Ом;

3. ток на выходе более 100 А;

4. размеры не более 30 см;

5. вес менее 30 кг; и

6. разработаны для эксплуатации в расширенном диапазоне температур от 223 K (-50°C) до 373 K (100°C) или пригодны для использования в космосе.

Примечание: 3A229.b. включает в себя ксеноновые генераторы с импульсной лампой.

c. микроскопические запускающие блоки, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. размеры, не превышающие 35 мм;

2. напряжение равно или более 1кВ; и

3. емкость равна или более 100 нФ.

3A230 Высокоскоростные импульсные генераторы и 'импульсные головки' для них, обладающие всеми следующими характеристиками:

a. напряжение на выходе более 6 В при резистивной нагрузке менее 55 Ом; и

b. 'время нарастания импульса' менее 500 пс.

Технические примечания:

1. В 3A230 'время нарастания импульса' определяется как временной интервал между 10% и 90% амплитуды напряжения.

2. 'Импульсные головки' - формирующие импульсы сети, предназначенные для принятия функции перепада напряжения и преобразования ее в ряд форм импульса, которые могут включать в себя прямоугольные, треугольные, ступенчатые, импульсные, экспоненциальные или моноцикличные типы. 'Импульсные головки' могут быть составной частью импульсного генератора, они могут являться сменным модулем устройства или могут быть устройством с внешним соединением.

3A231 Системы нейтронных генераторов, в том числе трубки, обладающие всеми следующими характеристиками:

a. предназначены для функционирования без внешней вакуумной системы; и

b. используют любое из следующего:

1. электростатическое ускорение для индуцирования тритиево-дейтериевой ядерной реакции; или

2. электростатическое ускорение для индуцирования дейтериево-дейтериевой ядерной реакции, и способны обеспечить выпуск нейтронов/сек или более.

3A232 Следующие многоточечные инициирующие системы, кроме указанных в 1A007:

N.B.: СМ. ТАКЖЕ КОНТРОЛЬНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ПРОДУКЦИИ ВОЕННОГО НАЗНАЧЕНИЯ.

N.B.: См. 1A007.b. в отношении детонаторов.

a. не применяется;

b. устройства, использующие один или несколько детонаторов, предназначенные для практически одновременного инициирования взрывчатого вещества на поверхности более 5000 мм ² по одному сигналу запуска со временем распространения по поверхности менее 2,5 мкс.

Примечание: 3A232 не касается детонаторов, использующих только инициирующие взрывчатые вещества, например, азид свинца.

3A233 Следующие масс-спектрометры, кроме указанных в 0B002.g., способные измерять ионы в 230 атомных единиц массы или более и имеющие разрешающую способность лучше 2 частей на 230, а также источники ионов для них:

a. индуктивно-связанно-плазменные масс-спектрометры (ICP/MS);

b. масс-спектрометры тлеющего разряда (GDMS);

c. масс-спектрометры с термической ионизацией (TIMS);

d. масс-спектрометры с электронной бомбардировкой, обладающие всеми следующими характеристиками:

1. система впуска молекулярного пучка, которая подает коллимированный пучок анализируемых молекул в область источника ионов, где молекулы ионизируются пучком электронов; и

2. одна или несколько 'холодных ловушек', которые могут охлаждаться до температуры 193 K (-80°C);

e. не применяется;

f. масс-спектрометры, оборудованные микрофторированным источником ионов, предназначенные для актиноидов или фторидов актиноидов.

Технические примечания:

1. Масс-спектрометры с электронной бомбардировкой в 3A233.d. также известны как масс-спектрометры с электронным ударом или масс-спектрометры с электронной ионизацией.

2. В 3A233.d.2. 'холодная ловушка' - устройство, которое удерживает молекулы газа посредством конденсации или замораживания их на холодных поверхностях. Для целей 3A233.d.2. криогенный вакуумный насос с замкнутым контуром, содержащий газообразный гелий, не является 'холодной ловушкой'.

3А234 Полосковые линии для обеспечения низкого индуктивного пути к детонаторам со следующими характеристиками:

a. напряжение выше 2 кВ; и

b. индуктивность менее 20 нГн.

3B Испытательное, контрольное и производственное оборудование

3В001 Следующее оборудование для производства полупроводниковых устройств или материалов, а также специально разработанные компоненты и приспособления к ним:

N.B.: СМ. ТАКЖЕ 2B226.

a. Оборудование, предназначенное для эпитаксиального роста, а именно:

1. оборудование, разработанное или модифицированное для производства слоя из любого материала, за исключением кремния, с однородной толщиной менее % на длину 75 мм или более %;

Примечание: 3B001.a.1. включает в себя оборудование для эпитаксии атомных слоев (ALE).

2. реакторы для эпитаксии из газовой фазы на основе металлоорганических соединений (MOCVD), предназначенные для эпитаксиального роста сложных полупроводников из материалов, содержащих два или более следующих элементов: алюминий, галлий, индий, мышьяк, фосфор, сурьма или азот;

3. оборудование для эпитаксиального роста методом молекулярного пучка, с использованием газа или твердых источников;

b. Оборудование, предназначенное для ионной имплантации и имеющее любые следующие характеристики:

1. не применяется;

2. спроектировано и оптимизировано для работы с энергией пучка 20 кэВ или более и с током пучка 10 мА или более для имплантата из водорода, дейтерия или гелия;

3. способность прямой записи;

4. энергия пучка 65 кэВ или более и ток пучка 45 мА или более для высокоэнергетического кислородного имплантата в нагретой "подложке" из полупроводникового материала; или

5. спроектировано и оптимизировано для работы с энергией пучка 20 кэВ или более и с током пучка 10 мА или более для кремниевого имплантата в "подложке" из полупроводникового материала, нагретой до 600°C или выше;

c. Не применяется;

d. Не применяется;

e. Автоматически загружаемые многокамерные центральные системы для транспортировки полупроводниковых пластин, имеющие все следующие характеристики:

1. интерфейсы для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин, к которым могут быть присоединены более двух отличных по функциональным возможностям 'инструментов для обработки полупроводников', определенных в пунктах 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 или 3B001.b.; и

2. разработаны для формирования интегральной системы в вакуумной среде для 'последовательной многократной обработки полупроводниковых пластин';

Примечание: 3В001.е. не включает в себя автоматические робототехнические системы для транспортировки полупроводниковых пластин, специально разработанные для параллельной обработки полупроводниковых пластин.

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3B001.e. понятие 'инструменты для обработки полупроводников' относится к модульным инструментам, которые обеспечивают отличные по функциональным возможностям физические процессы производства полупроводников, например, осаждение, имплантация или термообработка.

2. Для целей пункта 3B001.e. понятие 'последовательная многократная обработка полупроводниковых пластин' означает наличие возможности обрабатывать каждую полупроводниковую пластину с помощью различных 'инструментов для обработки полупроводников', например, путем передачи каждой полупроводниковой пластины от первого инструмента ко второму и далее к третьему посредством автоматически загружаемых многокамерных центральных систем для транспортировки полупроводниковых пластин.

f. Следующее оборудование для литографии:

1. оборудование для обработки полупроводниковых пластин с использованием фотооптического или рентгеновского метода для выравнивания и экспонирования с последовательной шаговой мультипликацией (непосредственно на полупроводниковой пластине) или шаговым сканированием (сканер), имеющее любые следующие характеристики:

a. длина волны источника света короче 193 нм; или

b. способны производить модель с 'минимальным размером разрешения' (MRF) 45 нм или менее;

Техническое примечание:

'Минимальный размер разрешения' (MRF) рассчитывается по следующей формуле:

MRF = ((длина волны источника света, применяемого при экспонировании в нм) х (коэффициент К))/числовая апертура

где коэффициент К = 0,35

2. оборудование для импринт-литографии, способное создавать элементы размером 45 нм или менее;

Примечание: 3B001.f.2. включает в себя:

инструменты микроконтактной фотолитографии;

инструменты для горячего тиснения;

инструменты для нано-импринт литографии;

инструменты для шаговой и световой импринт-литографии (S-FIL);

3. оборудование, специально предназначенное для создания шаблона, обладающее всеми следующими характеристиками:

a. преломленный сфокусированный пучок электронов, пучок ионов или луч "лазера"; и

b. обладает любыми следующими характеристиками:

1. размер пятна по полной ширине на половине амплитуды (FWHM) меньше 65 нм и размещение изображения менее 17 нм (среднее значение + 3 сигма); или

2. не применяется;

3. погрешность совмещения второго слоя менее 23 нм (среднее значение + 3 сигма) на шаблоне;

4. оборудование, предназначенное для обработки устройство с использование методов непосредственного экспонирования, обладающее всеми следующими характеристиками:

a. преломленный сфокусированный пучок электронов; и

b. имеет любые следующие характеристики:

1. минимальный размер пучка равен или менее 15 нм; или

2. погрешность совмещения менее 27 нм (среднее значение +3 сигма);

g. Шаблоны и промежуточные фотошаблоны, предназначенные для интегральных микросхем, указанных в 3A001;

h. Многослойные шаблоны со слоем со смещением фазы, не указанные в 3B001.g. и предназначенные для применения оборудованием для литографии, обладающим длиной волны источника света менее 245 нм;

Примечание: 3В001.h. не включает в себя многослойные шаблоны со слоем со смещением фазы, разработанные для производства запоминающих устройств, не указанных в пункте 3А001.

N.B.: В том, что касается шаблонов и промежуточных фотошаблонов, специально разработанных для оптических сенсоров, см. 6B002.

i. трафареты для импринт-литографии, предназначенные для интегральных микросхем, указанных в 3A001.

j. "Заготовки подложки" шаблона со структурой многослойного отражателя, состоящего из молибдена и кремния, и имеющие все следующие характеристики:

1. специально разработаны для литографии при излучении в 'крайней ультрафиолетовой области спектра' ('EUV'); и

2. соответствует стандарту P37 для полупроводниковых приборов.

Техническое примечание:

'Крайняя ультрафиолетовая область спектра' ('EUV') относится к длине волн электромагнитного спектра более 5 нм и менее 124 нм.

3В002 Следующее контрольное оборудование, специально предназначенное для тестирования готовых или незавершенных полупроводниковых устройств, а также специально разработанные компоненты и приспособления для него:

а. для проверки S-параметров устройств, указанных в 3A001.b.3.;

b. не применяется;

с. для тестирования изделий, указанных в 3А001.b.2.

3C Материалы

3С001 Гетеро-эпитаксиальные материалы, состоящие из "подложки", имеющей множественные выращенные эпитаксиально слои, расположенные один на другом, из любого следующего вещества:

a. кремния (Si);

b. германия (Ge);

c. карбида кремния (SiC); или

d. "соединений III/V" галлия или индия.

Примечание: Пункт 3C001.d. не включает в себя "подложку", имеющую один или несколько эпитаксиальных слоев Р-типа из GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP или InGaAlP, независимо от последовательности элементов, за исключением случаев, когда эпитаксиальный слой Р-типа находится между слоями N-типа.

3C002 Следующие резистные материалы и "подложки", покрытые следующими резистами:

a. Резисты, предназначенные для полупроводниковой литографии, а именно:

1. позитивные резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны менее 193 нм, но равной или более 15 нм;

2. резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны менее 15 нм, но более 1 нм;

b. Все резисты, предназначенные для использования с пучками электронов или ионов чувствительностью 0,01 мккулон/мм или лучше;

c. Не применяется;

d. Все резисты, оптимизированные для технологий формирования изображений поверхности;

e. Все резисты, предназначенные или оптимизированные для использования с оборудованием для импринт-литографии, указанным в 3B001.f.2., в котором применяются тепловые процессы или процессы фотоотверждения.

3C003 Органо-неорганические соединения, а именно:

a. Органо-металлические соединения алюминия, галлия или индия, обладающие чистотой (металлической основой) лучше 99,999%;

b. Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфора, имеющие чистоту (основу неорганического элемента) лучше 99,999%.

Примечание: 3С003 включает в себя только те соединения, металлические, частично металлические или неметаллические элементы которых прямо связаны с углеродом в органической части молекулы.

3С004 Водородные соединения фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту лучше 99,999%, даже разбавленные в инертных газах или водороде.

Примечание: 3С004 не включает в себя водородные соединения, содержащие 20% моль/л или более инертных газов или водорода.

3C005 Полупроводниковый материал с высоким удельным сопротивлением, а именно:

a. полупроводниковые "подложки" из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида алюминия-галлия или слитки, були или другие преформы из указанных материалов, обладающие удельным сопротивлением более 10 000 ом-см при 20°C;

b. поликристаллические "подложки" или поликристаллические керамические "подложки", обладающие удельным сопротивлением более 10 000 ом-см при 20°C и имеющие как минимум один неэпитаксиальный монокристаллический слой кремния (Si), карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида алюминия-галия (AlGaN) на поверхности "подложки".

3C006 Материалы, не указанные в 3C001, содержащие "подложку", указанную в 3C005, как минимум с одним эпитаксиальным слоем карбида кремния, нитрида галлия, нитрида алюминия или нитрида алюминия-галлия.

3D Программное обеспечение

3D001 "Программное обеспечение", специально предназначенное для "разработки" или "производства" оборудования, указанного в 3A001.b. - 3A002.h. или в разделе 3B.

3D002 "Программное обеспечение", специально предназначенное для "применения" оборудования, указанного в 3B001.a. - f., 3B002 или 3A225.

3D003 "Программное обеспечение" 'моделируемой литографии', специально спроектированное для "разработки" рельефов на шаблонах и промежуточных фотошаблонах литографии при излучении в крайней ультрафиолетовой области спектра.

Техническое примечание:

'Моделируемая литография' означает использование компьютерного моделирования для прогнозирования, коррекции, оптимизации и проверки производительности процесса литографии в различных моделях, процессах и системных условиях.

3D004 "Программное обеспечение", специально предназначенное для "разработки" оборудования, указанного в пункте 3А003.

3D005 "Программное обеспечение", специально разработанное для восстановления нормального функционирования микрокомпьютера, "микросхемы микропроцессора" или "микросхемы микрокомпьютера" в течение 1 мс после нарушения электромагнитного импульса (EMP) или электростатического разряда (ESD) без потери в продолжительности работы.

3D101 "Программное обеспечение", специально разработанное или модифицированное для "применения" оборудования, указанного в 3A101.b.

3D225 "Программное обеспечение", специально предназначенное для повышения или раскрытия рабочих показателей преобразователей частоты или генераторов для соответствия характеристикам 3A225.

3E Технологии

3E001 "Технология" в соответствии с Общим технологическим примечанием для "разработки" или "производства" оборудования или материалов, указанных в 3A, 3B или 3C.

Примечание 1: 3E001 не касается "технологии" для оборудования или компонентов, указанных в 3A003.

Примечание 2: 3E001 не касается "технологии" интегральных схем, указанных в 3A001.a.3. - 3A001.a.12., имеющих все следующие характеристики:

a. использование "технологии" на уровне 0,130 мкм или выше; и

b. содержат многослойные структуры с тремя или менее металлическими слоями.

Примечание 3: 3E001 не касается 'наборов проектирования процессов' ('PDKs'), если они не включают библиотеки, имплементирующие функции или технологии для элементов, указанных в 3A001.

Техническое примечание:

'Набор проектирования процессов' ('PDK') представляет собой инструмент программного обеспечения, предусмотренный производителем полупроводников, в целях гарантии того, что требуемые методы и правила проектирования учтены для успешного производства определенной конструкции интегральной схемы в определенном полупроводниковом процессе, в соответствии с технологическими и производственными ограничениями (каждый процесс производства полупроводника имеет свой особый 'PDK').

3E002 "Технологии" в соответствии с Общим технологическим примечанием, за исключением указанных в пункте 3E001, для "разработки" или "производства" "микросхем микропроцессора", "микросхем микрокомпьютера" или сердечника микросхемы микроконтроллера, имеющих арифметико-логическое устройство с шириной доступа 32 бита или более и любые следующие признаки или характеристики:

а. 'процессор векторной обработки', разработанный с целью выполнения более двух расчетов по вектору из чисел с 'плавающей точкой' (одномерные матрицы в 32 бита или больших значений) одновременно;

Техническое примечание:

'Процессор векторной обработки' - это элемент процессора со встроенными командами, которые выполняют множественные расчеты по вектору из чисел с 'плавающей точкой' (одномерные матрицы в 32 бита или больших значений) одновременно, имеющие как минимум одно векторное арифметико-логическое устройство и векторные регистры, содержащие как минимум 32 элемента каждый.

b. предназначены для выполнения более четырех 64-битных или более операций для 'плавающей точки' за цикл; или

c. предназначены для выполнения более восьми 16-битных результатов операции умножения с накоплением для 'неподвижной точки' за цикл (например, цифровые манипуляции аналоговой информацией, ранее преобразованной в цифровую форму, также известные как цифровая "обработка сигнала").

Технические примечания:

1. В целях пунктов 3E002.a. и 3E002.b. 'плавающая точка' определяется по IEEE-754.

2. Для целей пункта 3E002.c. 'неподвижная точка' относится к действительному числу фиксированной ширины как с целочисленным компонентом, так и с дробным компонентом, и которое не включает форматы только для целых чисел.

Примечание 1: 3Е002 не включает в себя "технологию" для мультимедийных расширений.

Примечание 2: 3Е002 не включает в себя "технологию" для микропроцессорных сердечников, имеющих все следующие характеристики:

а. использующие "технологию" на уровне 0,130 мкм или выше; и

b. включают многослойные структуры с пятью или менее металлическими слоями.

Примечание 3: 3Е002 включает в себя "технологию" для "разработки" или "производства" процессоров для цифровой обработки сигналов и процессоров на цифровых матрицах.

3E003 Иные "технологии" для "разработки" или "производства" следующего:

a. вакуумных микроэлектронных устройств;

b. гетеро-структурных полупроводниковых электронных устройств, например, транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ), биполярных транзисторов на гетероструктуре (НВТ), квантовых ям и устройств со сверхструктурой;

Примечание: 3Е003.b. не включает в себя "технологию" для транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетеропереходах (НВТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц.

c. "сверхпроводимых" электронных устройств;

d. подложек из алмазных пленок для электронных компонентов;

e. подложек со структурой типа кремний на диэлектрике (SOI) для интегральных схем, в которых изолятором является диоксид кремния;

f. подложек из карбида кремния для электронных компонентов;

g. "вакуумных электронных устройств", работающих на частотах 31,8 GHz или выше.

3E004 "Технологии", "требуемые" для разрезания, шлифования и полировки кремниевых пластин диаметром 300 мм, для достижения 'Диапазона наименьших квадратов передней поверхности участка' ('SFQR'), менее или равного 20 нм на любом участке размером 26 мм х 8 мм на передней поверхности пластины и исключения края менее или равного 2 мм.

Техническое примечание:

Для целей 3E004 'SFQR' - это диапазон максимального отклонения и минимального отклонения от передней основной плоскости, рассчитанный методом наименьших квадратов со всеми данными передней поверхности, включая границу участка в его пределах.

3Е101 "Технологии" в соответствии с Общим технологическим примечанием для "применения" оборудования или "программного обеспечения", указанного в 3А001.а.1. или 2., 3А101, 3А102 или 3D101.

3Е102 "Технологии" в соответствии с Общим технологическим примечанием для "разработки" "программного обеспечения", указанного в пункте 3D101.

3Е201 "Технологии" в соответствии с Общим технологическим примечанием для "применения" оборудования, указанного в 3А001.е.2., 3А001.е.3., 3А001.g., 3А201, 3А225 - 3А234.

3E225 "Технологии" в форме кодов или ключей для повышения или раскрытия рабочих характеристик переключателей частоты или генераторов для соответствия характеристикам 3A225.