Постановление Правительства РФ от 19 июля 2022 г. N 1299 "Об утверждении списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль" (с изменениями и дополнениями)

Раздел 1

Категория 1. Специальные материалы и связанные с ними оборудование и снаряжение

1.1.

Системы, оборудование и компоненты

1.1.1.

Компоненты, изготовленные из фторированных соединений:

1.1.1.1.

Уплотнения, прокладки, уплотнительные материалы или топливные баки, специально разработанные для использования в летательных или аэрокосмических аппаратах и изготовленные из материалов, содержащих более 50 процентов (по весу) любого материала, определенного в пункте 1.3.9.1 или 1.3.9.2;

3919 90 000 0;

3926;

8807

1.1.2.

Конструкции из следующих композиционных материалов объемной или слоистой структуры:

1.1.2.1.

Состоящие из любых следующих материалов:

3926 90 920 0;

3926 90 970

а) органической матрицы и волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10.3 или 1.3.10.4; или

б) препрегов и преформ, определенных в пункте 1.3.10.5;

1.1.2.2.

Состоящие из металлической или углеродной матрицы и любого из следующего:

1.1.2.2.1.

Углеродных волокнистых или углеродных нитевидных материалов, имеющих все следующие характеристики:

3801;

3926 90 920 0;

3926 90 970;

6903 10 000 0

а) удельный модуль упругости, превышающий 10,15 x 10 ⁶ м; и

б) удельную прочность при растяжении, превышающую 17,7 x 10 ⁴ м; или

Примечание.

Пункт 1.1.2.2.1 не применяется:

а) к полуготовым конструкциям, имеющим максимум двухмерное переплетение нитей и специально разработанным для следующего использования:

1) в печах для термообработки металлов;

2) в оборудовании для производства кремниевых булей;

б) к механически разрубленным, измельченным или обрезанным углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее

1.1.2.2.2.

Материалов, определенных в пункте 1.3.10.3

Примечания:

1. Пункт 1.1.2 не применяется к элементам конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, изготовленным из пропитанных эпоксидной смолой углеродных волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:

а) площадь, не превышающую 1 м ²;

б) длину, не превышающую 2,5 м; и

в) ширину более 15 мм.

2. Пункт 1.1.2 не применяется к частично изготовленным конструкциям, специально разработанным для следующего только гражданского использования:

а) в спортивных товарах;

б) в автомобильной промышленности;

в) в станкостроительной промышленности;

г) в медицинских целях.

3. Пункт 1.1.2 не применяется к полностью изготовленным товарам (конструкциям), специально разработанным для конкретного использования

Особое примечание.

В отношении конструкций из композиционных материалов, указанных в пунктах 1.1.2 - 1.1.2.2.2, см. также пункт 1.1.1 раздела 2 и пункт 1.1.1 раздела 3

1.1.3.

Изделия из неплавких ароматических полиамидов (арамидов) в виде пленки, листа, ленты или полосы, имеющие любую из следующих характеристик:

3919 90 000 0;

3920 99 900 0

а) толщину более 0,254 мм; или

б) покрытие или ламинирование углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами

Примечание.

Пункт 1.1.3 не применяется к изделиям, покрытым или ламинированным медью и разработанным для производства электронных печатных плат

Особое примечание.

Для плавких ароматических полиамидов (арамидов) в любом виде см. пункт 1.3.8.1.3

1.1.4.

Защитное снаряжение, аппаратура систем обнаружения и комплектующие изделия, не специально разработанные для военного применения:

1.1.4.1.

Противогазы, фильтрующие коробки противогазов и оборудование для их обеззараживания, разработанные либо модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты:

8421 39 200 8;

9020 00 000 0;

9033 00 000 0

а) бактериологических (биологических) агентов;

б) радиоактивных материалов;

в) химикатов, используемых в химическом оружии; или

г) химических средств для борьбы с массовыми беспорядками, включающих:

б-бромбензенолацетонитрил (бромбензилцианид) (CA) (CAS 5798-79-8);

[(2-хлорфенил) метилен] пропандинитрил

(о-хлорбензилмалононитрил) (CS)

(CAS 2698-41-1);

2-хлор-1-фенилэтанол, фенилацетил хлорид

(-хлорацетофенон) (CN) (CAS 532-27-4);

дибенз-(b, f)-1,4-оксазепин (CR)

(CAS 257-07-8);

10-хлор-5,10-дигидрофенарсазин, (хлористый фенарсазин), (адамсит) (DM) (CAS 578-94-9);

N-нонаноилморфолин (MPA) (CAS 5299-64-9)

Примечание.

Пункт 1.1.4.1 включает противогазы с принудительной подачей воздуха, разработанные или модифицированные для защиты от поражающих факторов, перечисленных в пункте 1.1.4.1

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.1.4.1:

а) противогазами также называются полнолицевые маски;

б) фильтрующие коробки противогазов также включают фильтрующие картриджи;

1.1.4.2.

Защитные костюмы, перчатки и обувь, специально разработанные или модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов:

3926 20 000 0;

4015 12 000 9;

4015 19 000 0;

4015 90 000 0;

6204 23;

6210 40 000 0;

6210 50 000 0;

6216 00 000 0;

6401 92;

6401 99 000 0;

6402 91;

6402 99 100 0;

6402 99 930 0;

6404 19 900 0

а) бактериологических (биологических) агентов;

б) радиоактивных материалов; или

в) химикатов, используемых в химическом оружии;

1.1.4.3.

Системы, специально разработанные или модифицированные для обнаружения или распознавания любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты:

9027 10 100 0;

9027 10 900 0;

9027 81 000 0;

9027 90 800 0;

9030 10 000 0;

9030 89 300 0;

9030 89 900 9;

9030 90 850 0;

а) бактериологических (биологических) агентов;

б) радиоактивных материалов; или

в) химикатов, используемых в химическом оружии

1.1.4.4.

Электронное оборудование и его компоненты, разработанные для автоматического обнаружения или распознавания наличия следов взрывчатых веществ (ВВ) с использованием методов их обнаружения (например, поверхностной акустической волны, спектрометрии подвижных ионов, в том числе с дифференциальной подвижностью, масс-спектрометрии)

9027 10 100 0;

9027 30 000 0;

9027 81 000 0;

9027 90 800 0;

9030 89 300 0

Техническое примечание.

Под обнаружением следов понимается обнаружение менее миллионной части испарения или 1 мг твердого вещества или жидкости

Примечание.

Пункт 1.1.4.4 не применяется:

а) к оборудованию, специально разработанному для лабораторного использования;

б) к пропускным порталам безопасности для бесконтактного контроля

Примечание.

Пункт 1.1.4 не применяется:

а) к персональным радиационным дозиметрам;

б) к снаряжению или системам, применяемым в системе стандартов безопасности труда, конструктивно или функционально ограниченным защитой от факторов риска в целях обеспечения безопасности в гражданской области, например:

в горном деле;

при работе в карьерах;

в сельском хозяйстве;

в фармацевтической промышленности;

в медицинской промышленности;

в ветеринарии;

при работах по охране окружающей среды;

при сборе и утилизации отходов;

в пищевой промышленности

Технические примечания:

1. Пункт 1.1.4 включает снаряжение, системы и их компоненты, которые были сертифицированы, либо их работоспособность в отношении обнаружения или защиты от радиоактивных материалов, бактериологических (биологических) агентов, химикатов, используемых в химическом оружии, имитирующих продуктов (заменителей) или химических средств для борьбы с массовыми беспорядками была подтверждена испытаниями, проведенными в соответствии с национальными стандартами, или иным способом, даже если такие системы, снаряжение или их компоненты используются в гражданских областях, таких как горное дело, работы в карьерах, сельское хозяйство, фармацевтическая и медицинская промышленность, ветеринария, охрана окружающей среды, сбор и утилизация отходов или пищевая промышленность.

2. Имитирующие продукты (заменители) - вещества или материалы, которые используются вместо токсичных веществ (химических или биологических) для обучения, исследования, опробования или оценки.

3. Для целей пункта 1.1.4 радиоактивными материалами являются радиоизотопы, выделенные или модифицированные для нанесения вреда человеку или животным, выведения из строя оборудования, нанесения ущерба урожаю или окружающей среде

1.1.5.

Бронежилеты и компоненты для них:

1.1.5.1.

Бронежилеты, изготовленные не по военным стандартам или техническим условиям или неравноценные им по характеристикам, и специально разработанные для них компоненты, в том числе (включая) гибкие защитные элементы;

6211 43 900 0;

6914 90 000 0

1.1.5.2.

Жесткие пластины для бронежилетов, обеспечивающие класс баллистической защиты, равный IIIA или менее в соответствии со стандартом Национального института юстиции США NIJ 0101.06 (июль 2008 г.) или эквивалентными стандартами

3926 90 920 0;

6914 90 000 0;

7326 19 100 0;

7326 19 900 9;

7326 90 940 9;

7326 90 980 7

Примечания:

1. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, которые вывозятся пользователем для собственной индивидуальной защиты.

2. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, разработанным для обеспечения только фронтальной защиты как от осколков, так и от взрыва невоенных взрывных устройств.

3. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, разработанным для защиты только от колюще-режущих или тупых предметов

Особое примечание.

Для нитевидных и волокнистых материалов, используемых в производстве бронежилетов, см. пункт 1.3.10

1.1.6.

Оборудование, специально разработанное или модифицированное для обезвреживания самодельных взрывных устройств, приведенное ниже, а также специально разработанные компоненты и принадлежности для него:

1.1.6.1.

Дистанционно управляемые транспортные средства;

1.1.6.2

Подрыватели (разрушители)

8424 30;

8424 89 000 9;

8479 89 970 7

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.1.6.2 подрывателями (разрушителями) являются устройства, специально разработанные для предотвращения срабатывания взрывного устройства путем воздействия жидкостью, твердым или сыпучим снарядом

Примечание.

Пункт 1.1.6 не применяется к оборудованию, которым оснащается непосредственно оператор

1.1.7.

Оборудование и устройства, специально разработанные для инициации зарядов и устройств, содержащих энергетические материалы, воздействием электричества:

1.1.7.1.

Запускающие устройства (запальные системы), разработанные для приведения в действие детонаторов взрывчатого вещества, определенных в пункте 1.1.7.2;

8543 70 800 0;

9306 90 900 0

1.1.7.2.

Электродетонаторы взрывчатого вещества, такие как:

1.1.7.2.1.

Детонаторы со взрывающимся мостиком (ВМ) (искровые детонаторы);

3603 60 000 0

1.1.7.2.2.

Детонаторы со взрывающейся перемычкой из провода (токовые детонаторы);

3603 60 000 0

1.1.7.2.3.

Детонаторы с ударником (пробойником) (детонаторы ударного действия);

3603 30 000 0

1.1.7.2.4.

Инициаторы со взрывающейся фольгой

3603 60 000 0

Технические примечания:

1. Понятие "детонатор" также включает понятие "инициатор" или "зажигатель".

2. Для целей пункта 1.1.7.2 во всех описанных в нем детонаторах используется небольшой электрический проводник (мостик, перемычка из провода или фольга), который испаряется со взрывом, вызванным прохождением через него короткого сильноточного электрического импульса. В детонаторах безударного действия взрывающийся проводник инициирует химическую детонацию в контактирующем с ним бризантном взрывчатом веществе, таком как ТЭН (PETN) - тетранитропентаэритрит. В детонаторах ударного действия (типа "Слэппер") вызванное взрывом испарение электрического проводника приводит в действие боек или пробойник, который воздействует на взрывчатое вещество и инициирует химическую детонацию. В некоторых конструкциях ударник приводится в движение силой магнитного поля. Термин "инициатор со взрывающейся фольгой" может относиться как к ВМ, так и к детонатору ударного действия (типа "Слэппер")

1.1.8.

Заряды, устройства и компоненты:

1.1.8.1.

Кумулятивные заряды, имеющие все нижеперечисленные характеристики:

3604 90 000 0

а) количество нетто ВВ (КНВ) более 90 г; и

б) внешний диаметр оболочки, равный или больше 75 мм;

1.1.8.2.

Кумулятивные линейные заряды для резки, имеющие все нижеперечисленные характеристики, и специально разработанные для них компоненты:

3604 90 000 0

а) заряд ВВ более 40 г/м; и

б) ширину, равную или больше 10 мм;

1.1.8.3.

Шнур детонирующий с внутренним зарядом ВВ более 64 г/м;

3603 20 000

1.1.8.4.

Резаки, отличные от определенных в пункте 1.1.8.2, и другие отрезные средства, имеющие КНВ более 3,5 кг

3604 90 000 0

Техническое примечание.

Кумулятивные заряды - устройства, концентрирующие действие ВВ в процессе его взрыва

Примечание.

К зарядам и устройствам, определенным в пункте 1.1.8, относятся только те заряды, которые содержат ВВ, перечисленные в таблице к этому пункту, и их смеси

N пункта

Наименование взрывчатых веществ

1.

Аминодинитробензофуроксан (ADNBF; 7-амино-4,6-динитробензофуразан-1-оксид) (CAS 97096-78-1)

2.

Цис-бис(5-тетранитразолато) тетраамин-кобальт (III) перхлорат (BNCP) (CAS 117412-28-9)

3.

Диаминодинитробензофуроксан (CL-14; 5,7-диамино-4,6-динитробензофуразан-1-оксид) (CAS 117907-74-1)

4.

Гексанитрогексаазаизовюрцитан (CL-20; HNIW) (CAS 135285-90-4); клатраты (соединения/включения) вещества CL-20

5.

2-(5-цианотетразолато)пентаамин-кобальт (III) перхлорат (CP)

(CAS 70247-32-4)

6.

1,1-диамино-2,2-динитроэтилен (DADE; FOX7) (CAS 145250-81-3)

7.

Диаминотринитробензол (DATB) (CAS 1630-08-6)

8.

1,4-динитродифуразанопиперазин (DDFP)

9.

2,6-диамино-3,5-динитропиразин-1-оксид (DDPO; PZO)

(CAS 194486-77-6)

10.

3,3'-диамино-2,2',4,4',6,6'-гексанитробифенил (DIPAM; дипикрамид) (CAS 17215-44-0)

11.

Динитрогликольурил (DNGU; DINGU) (CAS 55510-04-8)

12.

Фуразаны:

а) диаминоазоксифуразан (DAAOF);

б) диаминоазофуразан (DAAzF) (CAS 78644-90-3)

13.

Октоген (HMX) и его производные:

а) циклотетраметилентетранитрамин (HMX; октоген; октагидро-1,3,5,7-тетранитро-1,3,5,7-тетразин; 1,3,5,7-тетранитро-1,3,5,7-тетразациклооктан) (CAS 2691-41-0);

б) дифтораминированные аналоги октогена;

в) 2,4,6,8-тетранитро-2,4,6,8-тетраазабицикло [3,3,0]-октанон-3 (тетранитросемигликоурил; кето-бициклический октоген; K-55)

(CAS 130256-72-3)

14.

Гексанитроадамантан (HNAD) (CAS 143850-71-9)

15.

Гексанитростильбен (HNS) (CAS 20062-22-0)

16.

Имидазолы:

а) октагидро-2,5-бис(нитроимино)имидазо [4,5-d]имидазол (BNNII);

б) 2,4-динитроимидазол (DNI) (CAS 5213-49-0);

в) 1-фтор-2,4-динитроимидазол (FDIA);

г) N-(2-нитротриазоло)-2,4-динитроимидазол (NTDNIA);

д) 1-пикрил-2,4,5-тринитроимидазол (PTIA)

17.

1-(2-нитротриазоло)-2-динитрометиленгидразин (NTNMH)

18.

3-нитро-1,2,4-триазол-5-он (NTO; ONTA) (CAS 932-64-9)

19.

Полинитрокубаны с числом нитрогрупп более четырех

20.

2,6-бис(пикриламино)-3,5-динитропиридин (PYX) (CAS 38082-89-2)

21.

Гексоген (RDH) и его производные:

а) циклотриметилентринитрамин (гексоген; RDX; циклонит; T4; гексагидро-1,3,5-тринитро-1,3,5-триазин; 1,3,5-тринитро-1,3,5-триазациклогексан) (CAS 121-82-4);

б) кето-гексоген (Keto-RDX; K-6; 2,4,6-тринитро-2,4,6-триазациклогексанон) (CAS 115029-35-1)

22.

Триаминогуанидиннитрат (TAGN) (CAS 4000-16-2)

23.

Триаминотринитробензол (TATB) (CAS 3058-38-6)

24.

3,3,7,7-тетрабис(дифторамин) октагидро-1,5-динитро-1,5-диазоцин (TEDDZ)

25.

Тетразолы:

а) нитротриазоламинотетразол (NTAT);

б) 1-N-(2-нитротриазоло)-4-нитротетразол (NTNT)

26.

Тринитрофенилметилнитрамин (тетрил) (CAS 479-45-8)

27.

1,4,5,8-тетранитро-1,4,5,8-тетраазадекалин (TNAD) (CAS 135877-16-6)

28.

1,3,3-тринитроазетидин (TNAZ) (CAS 97645-24-4)

29.

Тетранитрогликольурил (TNGU; SORGUYL) (CAS 55510-03-7)

30.

1,4,5,8-тетранитропиридазино[4,5-d]пиридазин (TNP) (CAS 229176-04-9)

31.

Триазины:

а) 2-окси-4,6-динитроамино-S-триазин (DNAM) (CAS 19899-80-0);

б) 2-нитроимино-5-нитро-гексагидро-1,3,5-триазин (NNHT) (CAS 130400-13-4)

32.

Триазолы:

а) 5-азидо-2-нитротриазол;

б) 4-амино-3,5-дигидразино-1,2,4-триазол динитрамид (ADHTDN) (CAS 1614-08-0);

в) 1-амино-3,5-динитро-1,2,4-триазол (ADNT);

г) бис(динитротриазол)амин) (BDNTA);

д) 3,3'-динитро-5,5-би-1,2,4-триазол (DBT) (CAS 30003-46-4);

е) динитробистриазол (DNBT) (CAS 70890-46-9);

ж) 1-N-(2-нитротриазоло) 3,5-динитротриазол (NTDNT);

з) 1-пикрил-3,5-динитротриазол (PDNT);

и) тетранитробензотриазолобензотриазол (TACOT) (CAS 25243-36-1)

33.

ВВ, не поименованные в настоящем перечне, имеющие при максимальной плотности скорость детонации более 8700 м/с или давление детонации более 34 ГПа (340 кбар)

34.

Нитроцеллюлоза с содержанием азота более 12,5 процента (CAS 9004-70-0)

35.

Нитрогликоль (CAS 628-96-6)

36.

Тетранитропентаэритрит (пентаэритриттетранитрат; пентаэритритолтетранитрат; ТЭН; PETN) (CAS 78-11-5)

37.

Пикрилхлорид (CAS 88-88-0)

38.

2,4,6-тринитротолуол (TNT) (CAS 118-96-7)

39.

Нитроглицерин (NG) (CAS 55-63-0)

40.

Триацетонтрипероксид (TATP) (CAS 17088-37-8)

41.

Гуанидин нитрат (CAS 506-93-4)

42.

Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7)

43.

2,4-динитроанизол (DNAN) (CAS 119-27-7)

44.

4,10-динитро-2,6,8,12-тетраокса-4,10-диазаизовюрцитан (TEX)

45.

динитрамид гуанил-мочевины (GUDN) FOX-12 (CAS 217464-38-5)

46.

Тетразины:

а) бис(2,2,2-тринитроэфир)-3,6-диаминотетразин (BTAT)

б) 3,6-диамино-1,2,4,5-тетразина-1,4-диоксид (LAX-112)

47.

Энергетические ионные материалы, плавящиеся при температурах от 343 K (70°C) до 373 K (100°C) и имеющие скорость детонации более 6800 м/с или давление взрывной волны более 18 ГПа (180 кбар)

48.

Бис (2,2,2-тринитроэтил) нитрамин (BTNEN) (CAS 19836-28-3)

49.

5,6-(3',4'-фуразана)-1,2,3,4-тетразина-1,3-диоксид (FTDO)

50.

Этилендинитрамин (EDNA) (CAS 505-71-5)

51.

Дигидроксиламмония 5,5'-бистетразол-1,1'-диолат (ТКХ-50)

N пункта

Наименование*

Код ТН ВЭД*

1.2.

Испытательное, контрольное и производственное оборудование

1.2.1.

Оборудование, приведенное ниже, для производства или контроля конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, определенных в пункте 1.1.2, или волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10, а также специально разработанные для него компоненты и вспомогательные устройства:

1.2.1.1.

Машины для намотки волокон, специально разработанные для производства конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры из волокнистых или нитевидных материалов, в которых движения, связанные с позиционированием, пропиткой и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более осям основного сервопозиционирования;

8445 40 000;

8445 90 000 1

1.2.1.2.

Машины для выкладки ленты, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой ленты, координируются и программируются по пяти или более осям основного сервопозиционирования и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов

8445 40 000;

8445 90 000 1

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.2.1.2 машины для выкладки ленты имеют способность выкладки одной нитевидной ленты или более шириной от более 25,4 мм до 304,8 мм включительно, а также резки ленты и возобновления отдельных операций в течение процесса выкладки;

1.2.1.3.

Многокоординатные ткацкие машины или машины для плетения, включая приспособления и устройства, специально разработанные или модифицированные для плетения, ткачества или переплетения волокон для конструкций из композиционных материалов объемной структуры

8446 30 000 0;

8447 90 000

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.2.1.3 плетение включает вязание;

1.2.1.4.

Оборудование, специально разработанное или приспособленное для производства армирующих волокон:

1.2.1.4.1.

Оборудование для превращения полимерных волокон (таких как полиакрилонитриловые, вискозные, пековые или поликарбосилановые) в углеродные или карбидкремниевые волокна, включая специальное оборудование для натяжения волокон при нагреве;

8456 40 000 0;

8456 90 000 0;

8515 80 900 0

1.2.1.4.2.

Оборудование для химического осаждения элементов или соединений из паровой фазы на нагретую нитевидную подложку в целях производства карбидкремниевых волокон;

8419 89 989 0

1.2.1.4.3.

Оборудование для получения тугоплавких керамических волокон (например, из оксида алюминия) по мокрому способу;

8445 90 000 9

1.2.1.4.4

Оборудование для преобразования путем термообработки волокон алюминийсодержащих прекурсоров в волокна оксида алюминия;

8514 11 000 0;

8514 19 900 0;

8514 20 100 0;

8514 20 800 0;

8514 31 000 0;

8514 32 000 0;

8514 39 000 0;

8514 40 000 0

1.2.1.5.

Оборудование для производства препрегов, определенных в пункте 1.3.10.5, методом горячего плавления;

8451 80 800 9;

8477 59 100 0;

8477 59 800 0

1.2.1.6.

Оборудование для неразрушающего контроля, специально разработанное для композиционных материалов, такое как:

1.2.1.6.1.

Системы рентгеновской томографии для трехмерного обнаружения дефектов;

9022 12 000 0;

9022 19 000 0;

9022 29 000 0

1.2.1.6.2.

Установки ультразвуковой дефектоскопии с числовым программным управлением, в которых перемещения для позиционирования трансмиттеров или приемников одновременно координируются и программируются по четырем или более осям, чтобы отслеживать трехмерные контуры обследуемого объекта;

9031 80 380 0

1.2.1.7.

Машины для выкладки жгута, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой жгута, координируются и программируются по двум или более осям основного сервопозиционирования и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов

8445 40 000;

8445 90 000 1

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.2.1.7 машины для выкладки жгута имеют способность выкладки одной нитевидной ленты или более шириной 25,4 мм или менее, а также резки ленты и возобновления отдельных операций в процессе выкладки

Технические примечания:

1. Для целей пункта 1.2.1 основное сервопозиционирование (позиционирование от основного сервопривода) означает управление положением рабочего органа (например, головки) в пространстве с помощью задающей направление компьютерной программы для его точной ориентации относительно осей координат обрабатываемой детали и достижения заданных требований обработки.

2. Для целей пункта 1.2.1 нитевидной лентой является непрерывная полоса в виде ленты, выполненной из жгута или нити, полностью или частично пропитанных смолой. Полностью или частично пропитанными смолой являются в том числе нитевидные ленты, покрытые сухим порошком, которые приклеиваются при нагревании

1.2.2.

Оборудование для производства порошков металлических сплавов или зернистых материалов, имеющее все следующие характеристики:

а) специально разработано для исключения загрязнения; и

б) специально разработано для использования в одном из процессов, определенных в пункте 1.3.2.3.2

1.2.3.

Инструменты, пресс-формы, матрицы или арматура для формообразования в условиях сверхпластичности или диффузионной сварки титана, алюминия или их сплавов, специально разработанные для производства любого из следующего:

8207 30 100 0

а) корпусных конструкций летательных аппаратов или авиационно-космических средств;

б) двигателей для летательных аппаратов или авиационно-космических средств; или

в) компонентов, специально разработанных для конструкций, определенных в подпункте "а" пункта 1.2.3, или двигателей, определенных в подпункте "б" пункта 1.2.3

1.3.

Материалы

Техническое примечание.

Термины "металлы" и "сплавы", если специально не оговорено иное, относятся к следующим необработанным формам и полуфабрикатам:

а) необработанные формы - аноды, блюмы, болванки, брикеты, бруски, гранулы, губка, дробь, катоды, кольца, кристаллы, спеки, заготовки металла неправильной формы, листы, окатыши, плитки, поковки, порошки, прутки (включая надрубленные прутки и заготовки для проволоки), слитки, слябы, стаканы, сутунки, чушки, шары;

б) полуфабрикаты (независимо от того, имеют они плакирование, покрытие, сверления, пробитые отверстия или нет):

1) материалы, подвергнутые обработке давлением или иным способом, полученные путем прокатки, волочения, штамповки выдавливанием, ковки, штамповки ударным выдавливанием, прессования, гранулирования, распыления и размалывания, а именно: диски, изделия прессованные и штампованные, кольца, ленты, листы, плиты, поковки, полосы, порошки, профили, прутки (включая непокрытые сварочные прутки, присадочную проволоку и катанку), пудры, трубы круглого и квадратного сечения, уголки, фасонные профили, фольга и тонкие листы, чешуйки, швеллеры;

2) отливки, полученные литьем в любые формы (песчаные, металлические, гипсовые и другие), включая полученные литьем под давлением, а также спеченные заготовки и заготовки, полученные методами порошковой металлургии.

Цель контроля не должна нарушаться при экспорте не указанных выше заготовок или полуфабрикатов, выдаваемых за готовые изделия, но, по существу, представляющих собой контролируемые заготовки или полуфабрикаты

1.3.1.

Материалы, специально разработанные для поглощения электромагнитного излучения, или полимеры, обладающие собственной проводимостью:

1.3.1.1.

Материалы для поглощения электромагнитных волн в области частот от 2 x 10 ⁸ Гц

до 3 x 10 ¹² Гц

3815 19;

3910 00 000 2;

3910 00 000 8

Примечания:

1. Пункт 1.3.1.1 не применяется:

а) к поглотителям войлочного типа, изготовленным из натуральных и синтетических волокон, содержащим немагнитный наполнитель;

б) к поглотителям, не имеющим магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности;

в) к плоским поглотителям, имеющим все нижеперечисленные характеристики:

1) изготовленным из любых следующих материалов:

вспененных полимерных материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связующие, обеспечивающих более 5 процентов отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на 15 процентов, и неспособных выдерживать температуры, превышающие 450 K (177°C); или

керамических материалов, обеспечивающих более 20 процентов отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на 15 процентов, и не способных выдерживать температуры, превышающие 800 K (527°C)

Техническое примечание.

Для целей подпункта 1 пункта "в" примечания 1 к пункту 1.3.1.1 образцы для проведения испытаний на поглощение должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн средней частоты и располагаться в дальней зоне излучающего элемента;

2) прочность при растяжении менее 7 x 10 ⁶ Н/м ²; и

3) прочность при сжатии менее 14 x 10 ⁶ Н/м ²;

г) к плоским поглотителям, выполненным из спеченного феррита и имеющим все нижеперечисленные характеристики:

удельный вес более 4,4 г/см ³; и

максимальную рабочую температуру 548 K (275°C) или менее;

д) к плоским поглотителям (абсорберам), не имеющим магнитных потерь, изготовленным из поропластов с плотностью 0,15 г/см ³ или менее

Техническое примечание.

Поропластами называются эластичные пористые материалы, имеющие воздухонаполненную внутреннюю структуру. Поропластами также являются сетчатые пеноматериалы.

2. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании 1 к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках

1.3.1.2.

Материалы, непрозрачные для видимого света и специально разработанные для поглощения ближних инфракрасных (NIR) излучений, имеющих длину волны от более 810 нм до менее 2000 нм (частоты более 150 ТГц, но менее 370 ТГц)

3815 19;

3910 00 000 2;

3910 00 000 8

Примечание.

Пункт 1.3.1.2 не применяется к материалам, специально разработанным или определенным для применения в лазерной маркировке или сварке полимеров;

1.3.1.3.

Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью выше 10 000 См/м (Сименс/м) или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 Ом/м ², полученные на основе любого из следующих полимеров:

1.3.1.3.1.

Полианилина;

3909 39 000 0

1.3.1.3.2.

Полипиррола;

3911 20 000 0

1.3.1.3.3.

Политиофена;

3911 20 000 0

1.3.1.3.4.

Полифенилен-винилена; или

3911 20 000 0

1.3.1.3.5.

Политиенилен-винилена

3919 90 000 0

Техническое примечание.

Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или ее национальным эквивалентом

Примечание.

Пункт 1.3.1.3 не применяется к материалам в жидком виде

Особое примечание.

В отношении материалов, указанных

в пунктах 1.3.1 - 1.3.1.3.5, см. также

пункты 1.3.1 - 1.3.1.3.5 разделов 2 и 3

1.3.2.

Металлические сплавы, порошки металлических сплавов и легированные материалы следующих типов:

1.3.2.1.

Алюминиды:

1.3.2.1.1.

Алюминиды никеля, содержащие от 15 до 38 процентов (по весу) алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент;

7502 20 000 9

1.3.2.1.2.

Алюминиды титана, содержащие 10 процентов (по весу) или более алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент;

8108 20 000

8108 90 300 8;

8108 90 500 8;

8108 90 600 2;

8108 90 600 7;

8108 90 900 8;

9021 10 800 4;

9021 29 000 4

1.3.2.2.

Металлические сплавы, приведенные ниже, изготовленные из порошков или частиц материалов, определенных в пункте 1.3.2.3:

1.3.2.2.1.

Никелевые сплавы с:

7502 20 000 9

а) ресурсом длительной прочности 10000 часов или более при напряжении 676 МПа и температуре 923 K (650°C); или

б) малоцикловой усталостью 10000 циклов или более при температуре 823 K (550°C) и максимальном напряжении цикла 1095 МПа;

1.3.2.2.2.

Ниобиевые сплавы с:

8112 49 000 0;

8112 92 410 0;

8112 99 400 0

а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 400 МПа и температуре 1073 K (800°C); или

б) малоцикловой усталостью 10000 циклов или более при температуре 973 K (700°C) и максимальном напряжении цикла 700 МПа;

1.3.2.2.3.

Титановые сплавы с:

8108 20 000;

8108 90 300 8;

8108 90 500 8;

8108 90 600 2;

8108 90 600 7;

8108 90 900 8;

9021 10 800 4;

9021 29 000 4

а) ресурсом длительной прочности 10000 часов или более при напряжении 200 МПа и температуре 723 K (450°C); или

б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 723 K (450°C) и максимальном напряжении цикла 400 МПа;

1.3.2.2.4.

Алюминиевые сплавы с пределом прочности при растяжении:

7601 20;

7604 29 100 9;

7608 20 810 8;

7608 20 890 7

а) 240 МПа или выше при температуре 473 K (200°C); или

б) 415 МПа или выше при температуре 298 K (25°C);

1.3.2.2.5.

Магниевые сплавы:

8104

а) с пределом прочности при растяжении

345 МПа или выше; и

б) со скоростью коррозии в 3-процентном водном растворе хлорида натрия менее 1 мм в год, измеренной в соответствии со стандартной методикой ASTM G-31 или ее национальным эквивалентом;

1.3.2.3.

Порошки металлических сплавов или частицы материала, имеющие все следующие характеристики:

1.3.2.3.1.

Изготовленные из любых следующих по составу систем:

Техническое примечание.

X в дальнейшем соответствует одному или более легирующим элементам

1.3.2.3.1.1.

Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), для деталей или компонентов газотурбинных двигателей, содержащие менее трех неметаллических частиц размером более 100 мкм (введенных в процессе производства) на 109 частиц сплава;

7504 00 000 9

1.3.2.3.1.2.

Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti);

8112 41 000 9;

8112 92 410 0

1.3.2.3.1.3.

Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al);

8108 20 000 5

1.3.2.3.1.4.

Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или

7603

1.3.2.3.1.5.

Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); и

8104 30 000 0

1.3.2.3.2.

Изготовленные в контролируемой среде с использованием одного из нижеследующих процессов:

а) вакуумное распыление;

б) газовое распыление;

в) центробежное распыление;

г) скоростная закалка капли;

д) спиннингование расплава и последующее измельчение;

е) экстракция расплава и последующее измельчение;

ж) механическое легирование; или

з) плазменное распыление; и

1.3.2.3.3.

Могущие быть исходными материалами для получения сплавов, определенных в пункте 1.3.2.1 или 1.3.2.2;

1.3.2.4.

Легированные материалы, характеризующиеся всем нижеследующим:

7504 00 000;

7505 12 000 9;

7506 20 000;

7603 20 000 0;

7604 29 100 9;

7606 12 920 8;

7606 92 000 0;

7607 19;

8104 30 000 0;

8104 90 000 0;

8108 20 000 5;

8108 90 300 8

8108 90 500 8

8112 92 410 0

8112 99 400 0

а) изготовлены из любых систем, определенных в пункте 1.3.2.3.1;

б) имеют форму неизмельченных чешуек, ленты или тонких стержней; и

в) изготовлены в контролируемой среде любым из следующих методов:

скоростная закалка капли;

спиннингование расплава; или

экстракция расплава

Примечание.

Пункт 1.3.2 не применяется к металлическим сплавам, порошкам металлических сплавов и легированным материалам, рецептура которых специально разработана для нанесения покрытий

Технические примечания:

1. К металлическим сплавам, указанным в пункте 1.3.2, относятся сплавы, которые содержат больший процент (по весу) указанного металла, чем любых других элементов.

2. Ресурс длительной прочности следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-139 или ее национальным эквивалентом. 3. Малоцикловую усталость следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-606 "Технические рекомендации по испытаниям на малоцикловую усталость при постоянной амплитуде" или ее национальным эквивалентом. Образцы должны нагружаться в осевом направлении при среднем значении показателя нагрузки, равном единице, и коэффициенте концентрации напряжения (Kt), равном единице. Средний показатель нагрузки определяется как частное от деления разности максимальной и минимальной нагрузок на максимальную нагрузку.

3. Вакуумное распыление - процесс распыления струи расплавленного металла на капли диаметром 500 мкм или менее в результате быстрого выделения растворенного в металле газа в вакуум.

4. Газовое распыление - процесс распыления струи расплавленного металлического сплава на капли диаметром 500 мкм или менее в газовой струе высокого давления.

5. Центробежное распыление - процесс превращения струи или находящегося в ванне расплавленного металла посредством центробежной силы в капли диаметром 500 мкм или менее.

6. Скоростная закалка капли - процесс быстрого затвердевания расплавленного металла, ударяющегося об охлажденное препятствие с образованием хлопьевидного продукта.

7. Спиннингование расплава - процесс быстрого затвердевания струи расплавленного металла, падающей на вращающийся охлаждаемый барабан, формирующий продукт в виде проволоки, ленты или чешуек.

8. Измельчение - процесс получения частиц материала (порошка) посредством дробления или размалывания.

9. Экстракция расплава - процесс быстрого затвердевания сплава и экстракции продукта в виде ленты посредством введения короткого сегмента вращающегося охлаждаемого диска в ванну с расплавленным металлическим сплавом.

10. Механическое легирование - процесс приготовления сплава, заключающийся в образовании химических связей, разрушении, разрыве и образовании одних и тех же связей между порошками чистых компонентов и порошками мастер-сплавов путем механического воздействия. В сплав могут быть введены и неметаллические частицы путем добавления соответствующих порошков.

11. Плазменное распыление - процесс распыления струи расплавленного металла на капли диаметром 500 мкм или менее с использованием плазмотронов в среде инертного газа.

12. Быстрое затвердевание - процесс, в котором затвердевание расплава материала происходит при скоростях охлаждения, превышающих 1000 К/с

1.3.3.

Магнитные металлические материалы всех типов и в любой форме, имеющие любую из следующих характеристик:

1.3.3.1.

Начальную относительную магнитную проницаемость 120000 или более и толщину 0,05 мм или менее

8505 11 000 0;

8505 19 100 0;

8505 19 900 0;

Техническое примечание.

Измерение начальной относительной магнитной проницаемости следует проводить на полностью отожженных материалах;

1.3.3.2.

Магнитострикционные сплавы, имеющие любую из следующих характеристик:

2846 90 100 0;

2846 90 200 0;

2846 90 300 0;

2846 90 900 0

а) магнитострикцию насыщения более 5 x 10 ^-4; или

б) коэффициент магнитомеханической связи (к) более 0,8; или

1.3.3.3.

Ленты из аморфных или нанокристаллических сплавов, имеющие все следующие характеристики:

7226 11 000 0;

7506;

8105

а) содержание железа, кобальта или никеля не менее 75 процентов (по весу);

б) магнитную индукцию насыщения (Bs) 1,6 Т или более; и

в) любое из нижеследующего:

толщину ленты 0,02 мм или менее; или

удельное электрическое сопротивление

2 x 10 ^-4 Ом·см или более

Техническое примечание.

К нанокристаллическим материалам, указанным в пункте 1.3.3.3, относятся материалы, имеющие размер кристаллических зерен 50 нм или менее, определенный методом рентгеновской дифракции

1.3.4.

Урано-титановые сплавы или вольфрамовые сплавы с матрицей на основе железа, никеля или меди, имеющие все следующие характеристики:

2844 10 900 0;

8101 94 000 0;

8101 96 000 0;

8101 99 100 0;

8101 99 900 0;

8108 20 000;

8108 90 300 8;

8108 90 600 2;

8108 90 600 7;

8108 90 900 8;

9021 10 800 4;

9021 29 000 4

а) плотность выше 17,5 г/см3;

б) предел упругости выше 880 МПа;

в) предел прочности при растяжении выше 1270 МПа; и

г) относительное удлинение более 8 процентов

1.3.5.

Следующие сверхпроводящие проводники из композиционных материалов длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г:

1.3.5.1.

Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько ниобийтитановых нитей, имеющих все нижеперечисленное:

8544

а) уложенных в матрицу не из меди или не на основе меди; и

б) имеющих площадь поперечного сечения менее 0,28 x 10-4 мм2 (6 мкм в диаметре для нитей круглого сечения);

1.3.5.2.

Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, выполненных не из ниобийтитана, имеющих все нижеперечисленное:

8544

а) критическую температуру при нулевом магнитном поле, превышающую 9,85 K

(-263,31°C); и

б) остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре 4,2 K (-268,96°C) в магнитном поле, ориентированном в любых направлениях, перпендикулярных продольной оси проводника, и соответствующем магнитной индукции 12 Т, при пропускании электрического тока критической плотностью более 1750 А/мм ² по всему сечению проводника;

1.3.5.3.

Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, остающихся в сверхпроводящем состоянии

при температуре выше 115 K (-158,16°C)

8544

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.3.5 нити могут быть в виде проволоки, цилиндра, пленки, ленты или полосы

1.3.6.

Жидкости и смазочные материалы:

1.3.6.1.

Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функциональных групп или их смесей

2909 30 900;

2930 80 000 0;

2930 90 950

1.3.6.1.1.

Исключен с 2 мая 2023 г. - Постановление Правительства России от 26 января 2023 г. N 105

1.3.6.1.2.

Исключен с 2 мая 2023 г. - Постановление Правительства России от 26 января 2023 г. N 105

1.3.6.2.

Амортизаторные или флотационные жидкости, отвечающие всему следующему:

2903 76 900 0;

3904 69 200 0;

3904 69 800 0

а) имеющие чистоту более 99,8 процента;

б) содержащие менее 25 частиц размером

200 мкм или более на 100 мл; и

в) полученные по меньшей мере на 85 процентов из любого из следующего:

дибромтетрафторэтана (CAS 25497-30-7,

CAS 124-73-2, CAS 27336-23-8);

полихлортрифторэтилена (только маслообразные и воскообразные модификации); или

полибромтрифторэтилена;

1.3.6.3.

Фторуглеродные жидкости, разработанные для охлаждения электроники и имеющие все следующие характеристики:

2903 77 600 0;

2903 77 900 0;

3824 99 960 8

а) содержащие 85 процентов (по весу) или более любого из следующих веществ или любой из их смесей:

мономерных форм перфторполиалкилэфиртриазинов или перфторалифатических эфиров;

перфторалкиламинов;

перфторциклоалканов; или

перфторалканов;

б) плотность 1,5 г/мл или более при температуре 298 K (25°C);

в) жидкое состояние при температуре 273 K (0°C); и

г) содержащие 60 процентов (по весу) или более фтора

Примечание.

Пункт 1.3.6.3 не применяется к материалам, определенным и упакованным как медицинская продукция

1.3.7.

Керамические порошки, композиционные материалы с керамической матрицей и соответствующие прекурсоры:

1.3.7.1.

Керамические порошки из диборида титана (TiB2) (CAS 12045-63-5), имеющие суммарно металлические примеси, исключая специальные добавки, менее 5000 частей на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньше 5 мкм, и при этом не более 10 процентов частиц имеют размер более 10 мкм;

2850 00 900 0

1.3.7.2.

Композиционные материалы с керамической матрицей:

1.3.7.2.1.

Композиционные материалы типа керамика-керамика с оксидными или стеклянными матрицами, усиленными любым из следующего:

а) непрерывными волокнами любой из следующих систем: AL2O3 (CAS 1344-28-1); или

Si-C-N; или

2849;

2850 00;

8807 90 000 2;

8807 90 000 3;

8807 90 000 9;

9306 90

Примечание.

Подпункт "а" пункта 1.3.7.2.1 не применяется к композиционным материалам, армированным указанными волокнами из этих систем, имеющими предел прочности при растяжении ниже 700 МПа при температуре 1273 К (1000°C) или деформацию ползучести более 1 процента при напряжении 100 МПа и температуре 1273 K (1000°C) за 100 ч

б) волокнами, имеющими все следующие характеристики:

изготовлены из любых следующих материалов:

Si-N;

Si-C;

Si-Al-O-N; или

Si-O-N; и

имеют удельную прочность при растяжении, превышающую 12,7 x 103 м;

1.3.7.2.2.

Композиционные материалы типа керамика-керамика с непрерывной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора

2849 20 000 0;

2849 90 100 0;

2850 00 200 0;

8113 00 200 0;

8113 00 900 0

Особое примечание.

В отношении материалов, определенных в пункте 1.3.7.2, см. также пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 2;

1.3.7.3.

Следующие материалы-предшественники, специально разработанные для производства материалов, определенных в пункте 1.3.7.3:

а) полидиорганосиланы;

б) полисилазаны;

в) поликарбосилазаны

3910 00 000 2;

3910 00 000 8

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.3.7 материалы-предшественники - это полимерные или металлоорганические материалы специализированного назначения, используемые для производства карбида кремния, нитрида кремния и керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами;

1.3.8.

Нефторированные полимерные вещества:

1.3.8.1.

Нижеперечисленные плавкие имиды в жидкой или твердой форме, в том числе в виде смол, порошков, гранул, пленок, листов, лент или полос:

1.3.8.1.1.

Бисмалеимиды;

2925 19 950 0

1.3.8.1.2.

Ароматические полиамид-имиды (PAI), имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 563 K (290°C);

3908 90 000 0

1.3.8.1.3.

Ароматические полиимиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 505 K (232°C);

3911 20 000 0

1.3.8.1.4.

Ароматические полиэфиримиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 563 K (290°C)

3907 29 900 9;

3907 91 900 0

Особое примечание.

Для неплавких ароматических полиимидов в форме пленки, листа, ленты или полосы см. пункт 1.1.3;

1.3.8.2.

Полиариленовые кетоны;

3907 99

1.3.8.3.

Полиариленовые сульфиды, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации;

3911 90 190 0

1.3.8.4.

Полибифениленэфирсульфоны, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 563 K (290°C)

3911 90 190 0

Технические примечания:

1. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для термопластичных материалов, указанных в пункте 1.3.8.1.2, и материалов, указанных в пунктах 1.3.8.1.4 и 1.3.8.4, определяется с использованием метода, описанного в международном стандарте ISO 11357-2(1999) или его национальном эквиваленте.

2. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для термореактивных материалов и материалов, определенных в пунктах 1.3.8.1.2 и 1.3.8.1.3 соответственно, определяется с использованием метода трехточечного изгиба, описанного в международном стандарте ASTM D 7028-07 или его национальном эквиваленте. Испытание должно проводиться на сухом образце, который достиг минимум 90 процентов степени отверждения при стандартных термореактивных процессах с максимальной температурой перехода в стеклообразное состояние, как это определено в стандарте ASTM E 2160-04 или его национальном эквиваленте

1.3.9.

Необработанные фторированные соединения:

1.3.9.1.

Фторированные полиимиды, содержащие 10 процентов (по весу) или более связанного фтора;

3904 69 800 0

1.3.9.2.

Фторированные фосфазеновые эластомеры, содержащие 30 процентов (по весу) или более связанного фтора

3904 69 200 0;

3904 69 800 0

1.3.10.

Волокнистые или нитевидные материалы:

Технические примечания:

1. Для целей расчета удельной прочности при растяжении, удельного модуля упругости либо удельного веса волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пунктах 1.3.10.1, 1.3.10.2, 1.3.10.3 или пункте 2 подпункта "а" пункта 1.3.10.5, их значения должны определяться с использованием Метода А, описанного в международном стандарте ISO 10618 (2004) или его национальном эквиваленте.

2. Оценка удельной прочности при растяжении, удельного модуля упругости либо удельного веса волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10, должна основываться на механических свойствах содержащихся в них однонаправленных моноволокон до их переработки в неоднонаправленные волокнистые или нитевидные материалы

1.3.10.1.

Органические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:

5402 11 000 0;

5404 12 000 0;

5404 19 000 0;

5501 11 000 0

а) удельный модуль упругости более

12,7 x 10 ⁶ м; и

б) удельную прочность при растяжении более 23,5 x 10 ⁴ м

Примечание.

Пункт 1.3.10.1 не применяется к полиэтилену;

1.3.10.2.

Углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:

6815 12 000 0;

6815 13 000 0

а) удельный модуль упругости более

14,65 x 10 ⁶ м; и

б) удельную прочность при растяжении более 26,82 x 10 ⁴ м

Примечание.

Пункт 1.3.10.2 не применяется:

а) к элементам конструкций из волокнистых или нитевидных материалов объемной или слоистой структуры для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:

площадь, не превышающую 1 м ²;

длину, не превышающую 2,5 м; и

ширину более 15 мм;

б) к механически штапелированным, валяным или резаным (кусковым) углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее;

1.3.10.3.

Неорганические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:

8101 96 000 0;

8101 99 900 0;

8108 90 300 8;

8108 90 900 8;

9021 10 800 4;

9021 29 000 4

а) соответствующие любому из следующего:

состоящие из 50 процентов или более по весу диоксида кремния и имеющие удельный модуль упругости, превышающий 2,54 x 10 ⁶ м; или

имеющие иной чем указан в абзаце втором настоящего подпункта химический состав и удельный модуль упругости, превышающий

5,6 x 10 ⁶ м; и

б) точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую температуру 1922 K (1649°C)

Примечание.

Пункт 1.3.10.3 не применяется:

а) к дискретным, многофазным, поликристаллическим волокнам оксида алюминия в виде рубленых волокон или волокон, беспорядочно уложенных в матах, содержащим 3 процентов или более (по весу) диоксида кремния и имеющим удельный модуль упругости менее 10 x 10 ⁶ м;

б) к молибденовым волокнам и волокнам из молибденовых сплавов;

в) к волокнам бора;

г) к дискретным керамическим волокнам с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде ниже 2043 K (1770°C)

1.3.10.4.

Волокнистые или нитевидные материалы, имеющие любой из следующих составов:

1.3.10.4.1.

Состоящие из любого из нижеследующих материалов:

1.3.10.4.1.1.

Полиэфиримидов, определенных

в пункте 1.3.8.1.4; или

5402 11 000 0;

5402 20 000;

5402 49 000 0;

5404 12 000 0;

5404 19 000 0;

5501 11 000 0;

5501 20 000 0;

5501 90 000 0;

5503 20 000 0;

5503 90 000 0

1.3.10.4.1.2.

Материалов, определенных в пунктах 1.3.8.3 и 1.3.8.4; или

5402 20 000;

5402 49 000 0;

5404 12 000 0;

5404 19 000 0;

5501 20 000 0;

5501 90 000 0;

5503 20 000 0;

5503 90 000 0

1.3.10.4.2.

Состоящие из материалов, определенных в пункте 1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2, и связанные с волокнами других типов, определенных в пункте 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3

Техническое примечание.

Связанные волокна - состоящая из связанных между собой термопластичных и армирующих волокон волоконная заготовка, в которой волокна первого типа являются прекурсором матрицы;

Особое примечание.

В отношении материалов, указанных

в пунктах 1.3.10.3 - 1.3.10.4.2, см. также пункты 1.3.3 - 1.3.3.2.2 раздела 2;

1.3.10.5.

Волокнистые или нитевидные материалы, полностью или частично пропитанные смолой или пеком (препреги), волокнистые или нитевидные материалы, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы, имеющие все следующее:

3801;

3926 90 970 6;

6815 13 000 0;

6815 99 000;

7019 11 000 0;

7019 12 000 0;

7019 19;

7019 51 000 0;

7019 61 000 0;

7019 63 000 0;

7019 64 000 0;

7019 65 000 1;

7019 65 000 9;

7019 66 000 1;

7019 66 000 9;

7019 90 002 1;

7019 90 002 9

а) имеющие любое из следующего:

1) неорганические волокнистые или нитевидные материалы, определенные в пункте 1.3.10.3; или

2) органические или углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующее:

удельный модуль упругости, превышающий

10,15 x 10 ⁶ м; и

удельную прочность при растяжении, превышающую 17,7 x 10 ⁴ м; и

б) имеющие любое из следующего:

1) смолу или пек, определенные в пункте 1.3.8 или 1.3.9.2; или

2) температуру перехода в стеклообразное состояние по динамическому - термомеханическому анализу (DMA Tg), равную 453 K (180°C) или выше, а также феноло альдегидный полимер; или

3) температуру перехода в стеклообразное состояние по динамическому - термомеханическому анализу (DMA Tg), равную 505 K (232°C) или выше, а также смолу или пек, не определенные в пункте 1.3.8 или 1.3.9.2, и не являющиеся феноло-альдегидным полимером

Технические примечания:

1. Углеродные волокнистые преформы - упорядоченно расположенные непокрытые или покрытые волокна, образующие каркас изделия, который затем заполняется матрицей, в результате чего формируется композиционный материал.

2. Температура перехода в стеклообразное состояние по динамическому (во времени) - термомеханическому (гранулометрическому) анализу (DMA Tg) для материалов, определенных в пункте 1.3.10.5, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 7028-07 или его национальном эквиваленте, на сухом образце для испытаний.

Для термореактивных материалов степень отверждения сухого образца для испытаний должна быть минимум 90 процентов, как это определяется стандартом ASTM E 2160-04 или его национальным эквивалентом

Примечания:

1. Волокнистые или нитевидные материалы, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы, не пропитанные смолой или пеком, определяются как волокнистые или нитевидные материалы по пункту 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3.

2. Пункт 1.3.10.5 не применяется:

а) к элементам конструкций объемной или слоистой структуры из углеродных волокнистых или нитевидных материалов, пропитанных матрицей из эпоксидной смолы (препрегов), для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:

площадь, не превышающую 1 м ²;

длину, не превышающую 2,5 м; и

ширину более 15 мм;

б) к механически штапелированным, валяным или резаным (кусковым) углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее, полностью или частично пропитанным смолами или пеками, отличными от определенных в пунктах 1.3.8 или 1.3.9.2

1.3.11.

Следующие металлы и соединения:

1.3.11.1.

Металлы в виде частиц с размерами менее

60 мкм сферической, пылевидной, сфероидальной форм, чешуйчатые или измельченные, изготовленные из материала, содержащего 99 процентов или более циркония, магния или их сплавов

8104 30 000 0;

8109 21 000 0;

8109 29 000 0

Техническое примечание.

При определении содержания циркония в него включается природная примесь гафния (обычно 2 - 7 процентов)

Примечание.

Металлы или сплавы, определенные

в пункте 1.3.11.1, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;

1.3.11.2.

Бор или его сплавы, приведенные ниже, с размерами частиц 60 мкм или менее:

2804 50 100 0;

2849 90 100 0

а) бор чистотой 85 процентов по весу или выше;

б) сплавы бора с содержанием бора 85 процентов по весу или выше

Примечание.

Металлы или сплавы, определенные в пункте 1.3.11.2, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;

1.3.11.3.

Гуанидин нитрат (CAS 506-93-4);

2925 29 000 0

1.3.11.4.

Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7)

2925 29 000 0

1.3.12.

Следующие материалы:

1.3.12.1.

Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония-238 более 50 процентов

(по весу)

2844 20 510 0;

2844 20 590 0;

2844 20 990 0

Примечание.

Пункт 1.3.12.1 не применяется:

а) к поставкам, содержащим плутоний в количестве 1 г или менее;

б) к поставкам, содержащим три эффективных грамма плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах;

Техническое примечание.

Эффективный грамм для изотопа плутония определяется как вес изотопа в граммах;

1.3.12.2.

Предварительно обогащенный нептуний-237 в любой форме

2844 43 000 0

Примечание.

Пункт 1.3.12.2 не применяется к поставкам, содержащим нептуний-237 в количестве 1 г или менее

Технические примечания:

1. Предварительно обогащенный - полученный с применением любого процесса в целях увеличения концентрации контролируемого изотопа.

2. Материалы, указанные в пункте 1.3.12, обычно используются для ядерных источников тепла

Особое примечание.

В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.12 - 1.3.12.2, см. также пункты 1.3.4 - 1.3.4.2 раздела 2 и пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 3

1.4.

Программное обеспечение

1.4.1.

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, определенного в пункте 1.2

1.4.2.

Программное обеспечение для разработки композиционных материалов с объемной или слоистой структурой на основе органических, металлических или углеродных матриц

Особое примечание.

В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 1.4.2, см. также пункт 1.4.1 раздела 2

1.4.3.

Программное обеспечение,

специально разработанное или модифицированное, для того чтобы дать возможность оборудованию/системам выполнять функции оборудования/систем, определенных в пункте 1.1.4.3 или 1.1.4.4;

1.5.

Технология

1.5.1.

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства конструкций из композиционных материалов, определенных в пункте 1.1.2, изделий из ароматических полиимидов, определенных в пункте 1.1.3, снаряжения, систем и комплектующих, определенных в пункте 1.1.4, бронежилетов и компонентов, определенных в пункте 1.1.5, оборудования, определенного в пункте 1.1.6.2, 1.1.7 или 1.2, или материалов, определенных в пункте 1.3

Особое примечание.

В отношении технологий, указанных в пункте 1.5.1, см. также пункт 1.5.1 разделов 2 и 3

1.5.2.

Иные нижеследующие технологии:

1.5.2.1.

Технологии разработки или производства полибензотиазолов или полибензоксазолов;

1.5.2.2.

Технологии разработки или производства фторэластомерных соединений, содержащих по крайней мере один винилэфирный мономер;

1.5.2.3.

Технологии разработки или производства следующих керамических порошков или некомпозиционных керамических материалов:

1.5.2.3.1.

Керамических порошков, обладающих всем нижеперечисленным:

а) любой из следующих композиций:

простые или сложные оксиды циркония и сложные оксиды кремния или алюминия;

простые нитриды бора (с кубической кристаллической решеткой);

простые или сложные карбиды кремния или бора; или

простые или сложные нитриды кремния;

б) суммарными металлическими примесями, исключая преднамеренно вносимые добавки, в количестве, не превышающем:

1000 частей на миллион для простых оксидов или карбидов; или

5000 частей на миллион для сложных соединений или простых нитридов; и

в) являющихся любым из следующего:

1) диоксидом циркония (CAS 1314-23-4), имеющим средний размер частиц, равный или меньше 1 мкм, и не более 10 процентов частиц размером, превышающим 5 мкм; или

2) другими керамическими порошками, имеющими средний размер частиц, равный или меньше 5 мкм, и не более 10 процентов частиц размером более 10 мкм;

1.5.2.3.2.

Некомпозиционных керамических материалов, состоящих из материалов, определенных в пункте 1.5.2.3.1

Примечание.

Пункт 1.5.2.3.2 не применяется к технологиям абразивных материалов;

1.5.2.4.

Технологии сборки, эксплуатации или восстановления материалов, определенных в пункте 1.3.1;

1.5.2.5.

Технологии восстановления конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, определенных в пункте 1.1.2, или композиционных материалов, определенных в пункте 1.3.7.3

Примечание.

Пункт 1.5.2.6 не применяется к технологиям ремонта элементов конструкций гражданских летательных аппаратов с использованием углеродных волокнистых или нитевидных материалов и эпоксидных смол, содержащимся в руководствах производителя летательных аппаратов

Особое примечание.

В отношении технологий, указанных в пунктах 1.5.2.5 и 1.5.2.6, см. также пункты 1.5.2.1 и 1.5.2.2 раздела 2;

1.5.2.6.

Библиотеки (параметрические технические базы данных), специально разработанные или модифицированные, для того чтобы дать возможность оборудованию/системам выполнять функции оборудования/систем, определенных в пункте 1.1.4.3 или 1.1.4.4

Категория 2. Обработка материалов

2.1.

Системы, оборудование и компоненты

2.1.1.

Подшипники качения, подшипниковые системы и компоненты:

2.1.1.1.

Шариковые и неразъемные роликовые радиальные и радиально-упорные подшипники качения, имеющие все допуски, определенные производителем, в соответствии с классом точности 4 или 2, или лучше по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту, в которых как кольца, так и тела качения изготовлены из медно-никелевого сплава или бериллия

8482 10 100 9;

8482 10 900;

8482 30 000 9;

8482 40 000 9;

8482 50 000 9;

8482 91 900 0;

8482 99 000 0

Примечание.

Пункт 2.1.1.1 не применяется к коническим роликовым подшипникам;

Технические примечания:

1. Кольцо - неотъемлемая часть радиального роликового подшипника с одной или несколькими дорожками качения (ISO 5593:1997).

2. Тело качения - шарик или ролик, перемещающийся по дорожкам качения (ISO 5593:1997);

2.1.1.2.

Активные магнитные подшипниковые системы, соответствующие любой из следующих характеристик, и специально разработанные для них компоненты:

8483 30 380 9;

8483 30 800 7;

8505 11 000 0;

8505 19 100 0;

8505 19 900 0;

8505 90 200 9;

8505 90 900 0

а) выполнены из материала с магнитной индукцией 2 Т или более и пределом текучести выше 414 МПа;

б) являются полностью электромагнитными с трехмерным униполярным подмагничиванием привода; или

в) имеют высокотемпературные, с температурой 450 K (177°C) и выше, позиционные датчики

2.2.

Испытательное, контрольное и производственное оборудование

Технические примечания:

1. Вторичные параллельные оси для контурной обработки (например, W-ось на горизонтально-расточных станках или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее количество осей. Ось вращения необязательно означает вращение на угол, больший 360 градусов. Вращение может задаваться устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой).

2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, по которым или вокруг которых в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом. Это не включает любые дополнительные оси, по которым или вокруг которых осуществляются другие относительные движения в станке. Такие оси включают:

а) оси систем правки шлифовальных кругов в шлифовальных станках;

б) параллельные оси вращения, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей;

в) коллинеарные оси вращения, предназначенные для манипулирования одной обрабатываемой деталью путем закрепления ее в патроне с разных концов.

3. Номенклатура осей определяется в соответствии с международным стандартом ISO 841:2001 "Системы промышленной автоматизации и интеграция. Числовое программное управление станками. Системы координат и обозначение перемещений".

4. Для целей настоящей категории качающийся шпиндель рассматривается как ось вращения.

5. Заявленная однонаправленная повторяемость позиционирования для каждой модели станка может использоваться для всех станков одной модели как альтернатива испытаниям отдельных станков и определяется следующим:

а) выбирается пять станков модели, подлежащей оценке;

б) измеряется повторяемость

     |

(R|, R )

линейных осей в соответствии с международным стандартом ISO 230-2:2014 и оценивается однонаправленная повторяемость позиционирования для каждой оси каждого из пяти станков выбранной модели;

в) определяется среднее арифметическое значение однонаправленной повторяемости позиционирования на основе значений показателей однонаправленной точности позиционирования для каждой аналогичной оси всех пяти станков выбранной модели.

Эти средние арифметические величины однонаправленной повторяемости позиционирования () становятся заявленной величиной для каждой оси конкретной модели (, , ...) станка;

г) поскольку каждый из станков, указанных в категории 2 настоящего раздела, имеет несколько линейных осей, количество заявленных величин однонаправленной повторяемости позиционирования их показателя точности должно быть равно количеству этих линейных осей;

д) если любая из осей какой-либо модели станка, не определенного в пунктах 2.2.1.1 - 2.2.1.3, имеет заявленную однонаправленную повторяемость позиционирования, равную или менее (лучше) определенной однонаправленной повторяемости позиционирования каждой модели станка плюс 0,7 мкм, то производитель обязан каждые 18 месяцев заново подтверждать величину точности позиционирования.

6. Для целей пункта 2.2 не следует учитывать погрешность измерения однонаправленной повторяемости позиционирования станков, определенную в соответствии с международным стандартом ISO 230-2:2014 или его национальным эквивалентом.

7. Для целей пункта 2.2 измерения осей должны проводиться в соответствии с методиками испытаний, описанными в пункте 5.3.2 международного стандарта ISO 230-2:2014.

Для осей длиной более 2 м испытания должны проводиться на отрезках более 2 м. Для осей длиной более 4 м требуется несколько испытаний (например, два испытания для осей длиной от более 4 м до 8 м и три испытания для осей длиной от более 8 м до 12 м). Каждое испытание должно проводиться с отрезками длиной более 2 м, равномерно распределенными по длине оси. Испытываемые отрезки равномерно распределяются вдоль полной длины оси с любыми излишками длины, равномерно разделенными в начале, посередине и в конце испытываемого отрезка. Указанное в отчете значение всех испытываемых отрезков является наименьшей однонаправленной повторяемостью позиционирования.

2.2.1.

Станки, определенные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими условиями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления:

Примечания:

1. Пункт 2.2.1 не применяется к станкам, ограниченным изготовлением зубчатых колес. Для таких станков см. пункт 2.2.3.

2. Пункт 2.2.1 не применяется к специальным станкам, ограниченным изготовлением любых из следующих изделий:

а) коленчатых или распределительных валов;

б) режущих инструментов;

в) червяков экструдеров;

г) гравированных или ограненных частей ювелирных изделий; или

д) зубных протезов.

3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3.

4. Станки, имеющие функцию аддитивного производства в дополнение к токарной, фрезерной или шлифовальной функциям, должны оцениваться на соответствие каждому из применимых пунктов 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3

Особое примечание.

Для станков чистовой обработки (финишных станков) оптики см. пункт 2.2.2

2.2.1.1.

Токарные станки с двумя или более осями, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, имеющие любую из следующих характеристик:

а) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 0,9 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м; или

б) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более

8458;

8464 90 000 0;

8465 20 000 0;

8465 99 000 0

Примечания:

1. Пункт 2.2.1.1 не применяется к токарным станкам, специально разработанным для производства контактных линз и имеющим все следующее:

а) контроллер станка ограничен программным обеспечением с частично программируемым вводом данных, используемых в офтальмологических целях;

б) отсутствие вакуумного патрона.

2. Пункт 2.2.1.1 не применяется к прутковым токарным станкам (токарным многоцелевым станкам продольного точения), которые предназначены для обработки деталей, поступающих только через прутковый питатель, имеют максимальный диаметр прутка 42 мм или менее и на которые невозможно установить держатели. Станки могут иметь возможность сверления или фрезерования для обрабатываемых деталей диаметром менее 42 мм;

2.2.1.2.

Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик:

8459 31 000 0;

8459 51 000 0;

8459 61;

8464 90 000 0;

8465 20 000 0;

8465 92 000 0

а) три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, имеющие любую из следующих характеристик:

1) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 0,9 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м; или

2) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более;

б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления и имеют любую из следующих характеристик:

1) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 0,9 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м;

2) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,4 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более и менее 4 м; или

3) однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 6 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 4 м или более;

в) для координатно-расточных станков однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше); или

г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики:

биение шпинделя и эксцентриситет менее (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (ППИ); и

повороты суппорта относительно трех ортогональных осей меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на 300 мм перемещения;

2.2.1.3.

Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик:

а) имеющие все следующие характеристики:

однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше); и три или четыре оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; или

б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, имеющие любое из следующего:

однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,1 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной менее 1 м;

однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 1,4 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 1 м или более и менее 4 м; или

однонаправленную повторяемость позиционирования вдоль одной линейной оси или более, равную 6 мкм или менее (лучше), с рабочей зоной 4 м или более

8460 12;

8460 19 100 0;

8460 22 100;

8460 23 100;

8460 24 100;

8460 29;

8464 20 800 0;

8465 20 000 0;

8465 93 000 0

Примечание.

Пункт 2.2.1.3 не применяется к следующим шлифовальным станкам:

а) круглошлифовальным, внутришлифовальным и универсальным шлифовальным станкам, обладающим семи следующими характеристиками:

предназначенным лишь для круглого шлифования; и

максимально возможной длиной или наружным диаметром обрабатываемой детали 150 мм;

б) станкам, специально разработанным как координатно-шлифовальные станки, не имеющие Z-оси или W-оси, с однонаправленной повторяемостью позиционирования, равной 1,1 мкм или меньше (лучше);

в) плоскошлифовальным станкам;

2.2.1.4.

Станки для электроискровой обработки (СЭО) беспроволочного типа, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;

8456 30

2.2.1.5.

Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов, имеющие все следующие характеристики:

8424 30 900 0;

8456 11 000 0;

8456 12 000 0;

8456 40 000 0;

8456 90 000 0

а) обработка материалов осуществляется любым из следующих способов:

струями воды или других жидкостей, в том числе с абразивными присадками;

электронным лучом; или

лазерным лучом; и

б) по крайней мере две оси вращения, имеющие все следующее:

возможность быть совместно скоординированными для контурного управления; и

точность позиционирования менее (лучше) 0,003 градуса;

2.2.1.6.

Сверлильные станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий более 5000 мм

8458;

8459 21 000 0;

8459 29 000 0;

2.2.2.

Станки с числовым программным управлением для чистовой обработки (финишные станки) асферических оптических поверхностей с выборочным снятием материала, имеющие все следующие характеристики:

8464 20 110 0;

8464 20 190 0;

8464 20 800 0;

8465 20 000 0;

8465 93 000 0

а) осуществляющие доводку контура до менее (лучше) 1,0 мкм;

б) осуществляющие чистовую обработку до среднеквадратичного значения шероховатости менее (лучше) 100 нм;

в) имеющие четыре или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и

г) использующие любой из следующих процессов:

магнитореологической чистовой обработки (МРЧО);

электрореологической чистовой обработки (ЭРЧО);

чистовой обработки пучками высокоэнергетических частиц;

чистовой обработки с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны; или

жидкоструйной чистовой обработки

Техническое примечание.

Для целей пункта 2.2.2:

а) под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем;

б) под ЭРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную жидкость, вязкость которой регулируется электрическим полем;

в) под чистовой обработкой пучками высокоэнергетических частиц понимается процесс, использующий плазму атомов химически активных элементов или пучки ионов для избирательного съема материала;

г) под чистовой обработкой с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны понимается процесс, в котором используется мембрана под давлением, деформирующая изделие при контакте с ней на небольшом участке;

д) под жидкоструйной чистовой обработкой понимается процесс, использующий поток жидкости для съема материала

2.2.3.

Станки с числовым программным управлением, специально разработанные для шевингования, полирования, шлифования или хонингования закаленных (Rc = 40 или более) прямозубых цилиндрических, косозубых и шевронных зубчатых колес, имеющие все следующие характеристики:

8461 40 710 0;

8461 40 790 0

а) диаметр делительной окружности более

1250 мм;

б) ширину зубчатого венца, равную 15 процентов от диаметра делительной окружности или более; и

в) качество после чистовой обработки по классу 3 в соответствии с международным стандартом ISO 1328

2.2.4.

Горячие изостатические прессы, имеющие все нижеперечисленное, и специально разработанные для них компоненты и приспособления:

8514 11 000 0

а) камеры с регулируемыми температурами внутри рабочей полости и внутренним диаметром полости камеры 406 мм и более; и

б) любую из следующих характеристик:

максимальное рабочее давление выше 207 МПа;

регулируемые температуры выше 1773 K

(1500°C); или

оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения

Техническое примечание.

Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой

2.2.5.

Оборудование, специально разработанное для осаждения неорганических покрытий, слоев, их обработки и активного управления процессом их нанесения и модификации поверхности, например для формирования подложек, определенных в колонке 2 таблицы к пункту 2.5.3.4, с использованием процессов, определенных в колонке 1 названной таблицы, а также специально разработанные для такого оборудования автоматизированные компоненты установки, позиционирования, манипулирования и регулирования:

2.2.5.1.

Производственное оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеющее все нижеследующее:

8419 89 989 0

а) процесс, модифицированный для реализации одного из следующих методов:

CVD с пульсирующим режимом;

термического осаждения с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD); или

CVD с применением плазменного разряда, модифицирующего процесс; и

б) включающее любое из следующего:

высоковакуумные (вакуум, равный 0,01 Па или ниже (лучше) вращающиеся уплотнения; или

средства регулирования толщины покрытия в процессе осаждения;

2.2.5.2.

Производственное оборудование ионной имплантации с током пучка 5 мА или более;

8543 10 000 0

2.2.5.3.

Технологическое оборудование для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом электронным пучком (EB-PVD), включающее силовые системы с расчетной мощностью более 80 кВт и имеющее любую из следующих составляющих:

8541 59 000 0

а) лазерную систему управления уровнем жидкой ванны, которая точно регулирует скорость подачи заготовок; или

б) управляемое компьютером контрольно-измерительное устройство, работающее на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимое для управления скоростью осаждения покрытия, содержащего два или более элемента;

2.2.5.4.

Производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик:

8419 89 300 0;

8419 89 98

а) работающее при пониженном давлении контролируемой атмосферы (равном или ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии до 300 мм над выходным сечением сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, которая перед началом процесса напыления может быть откачана до 0,01 Па; или

б) включающее средства регулирования толщины покрытия в процессе напыления;

2.2.5.5.

Производственное оборудование осаждения распылением, обеспечивающее плотность тока 0,1 мА/мм2 или более, со скоростью осаждения 15 мкм/ч или более;

8419 89 300 0;

8419 89 98

2.2.5.6.

Производственное оборудование катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления положением активного пятна дуги на катоде;

8541 59 000 0

2.2.5.7.

Производственное оборудование, способное к измерению в процессе ионного осаждения любого из следующего:

8541 59 000 0

а) толщины покрытия на подложке с управлением скоростью осаждения; или

б) оптических характеристик

Примечание.

Пункты 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5, 2.2.5.6 и 2.2.5.7 не применяются соответственно к оборудованию химического осаждения из паровой фазы (CVD), ионной имплантации, осаждения распылением, катодно-дугового напыления и ионного осаждения, специально разработанному для покрытия режущего или обрабатывающего инструмента

2.2.6.

Системы, оборудование, устройства обратной связи и электронные сборки для измерения или контроля размеров:

2.2.6.1.

Координатно-измерительные машины (КИМ) с компьютерным управлением или числовым программным управлением, имеющие в соответствии с международным стандартом ISO 10360-2 (2009) пространственную (объемную) максимально допустимую погрешность измерения длины (E0,MPE) в любой точке в пределах рабочего диапазона машины (то есть в пределах длины осей), равную или меньше (лучше) (1,7 + L/1000) мкм

(L - измеряемая длина в миллиметрах)

9031 80 320 0;

9031 80 340 0

Техническое примечание.

(E0,MPE) лучшей компоновки КИМ, определенная производителем например, лучшее из следующего: измерительная головка, длина измерительного наконечника, параметры хода, режим работы) и со всеми доступными компенсациями, должна сравниваться с пороговой величиной (1,7 + L/1000) мкм;

2.2.6.2.

Приборы или системы для измерения линейных перемещений, линейные устройства обратной связи и электронные сборки:

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0

Примечание.

Интерферометры и оптические кодирующие устройства систем измерения, содержащие лазер, определены только в пункте 2.2.6.2.3

2.2.6.2.1.

Измерительные системы бесконтактного типа с разрешением 0,2 мкм или меньше (лучше) при диапазоне измерений от 0 мм до 0,2 мм

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0

Технические примечания:

1. Для целей пункта 2.2.6.2.1 измерительные системы бесконтактного типа - системы для измерения расстояния между датчиком и измеряемым объектом вдоль одного вектора при условии, что датчик или измеряемый объект находится в движении.

2. Для целей пункта 2.2.6.2.1 диапазон измерений - величина, определяемая разницей между минимальным и максимальным рабочим расстоянием;

Примечание.

Пункт 2.2.6.2.1 не применяется к измерительным интерферометрическим системам с автоматическим управлением, разработанным для применения техники без обратной связи, содержащим лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения размеров или другого подобного оборудования;

2.2.6.2.2.

Линейные устройства обратной связи, специально разработанные для станков и имеющие точность менее (лучше) (800 + (600 x L/1000) нм (L - измеряемая длина в миллиметрах)

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0

Примечание.

Пункт 2.2.6.2.2 не применяется к оптическим приборам, таким как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала;

2.2.6.2.3.

Измерительные системы, имеющие все следующие характеристики:

а) содержащие лазер;

б) имеющие разрешение на полной шкале

0,2 нм или меньше (лучше); и

в) способные достигать погрешности измерения при компенсации показателя преломления воздуха в любой точке в пределах измеряемого диапазона, равной или меньше (лучше)

(1,6 + L/2000) нм (L - измеряемая длина в миллиметрах) и измеренной в течение

30 секунд при температуре 20°C 1°C; или

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0

Техническое примечание.

Для целей пункта 2.2.6.2 разрешением является наименьшее приращение показаний измерительного устройства, в цифровых приборах - младший бит

2.2.6.2.4.

Электронные сборки, специально разработанные для обеспечения возможности обратной связи в системах, определенных в пункте 2.2.6.2.3;

2.2.6.3.

Вращающиеся устройства обратной связи, специально разработанные для станков, или приборы для измерения угловых перемещений с точностью измерения по угловой координате, равной или меньше (лучше) 0,9 угловой секунды

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0

Примечание.

Пункт 2.2.6.3 не применяется к оптическим приборам, таким как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала;

2.2.6.4.

Оборудование, использующее принцип оптического рассеяния для измерения неровности (шероховатости) поверхности (включая дефекты поверхности) с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше)

9031 49 900 0

Примечание.

Пункт 2.2.6 включает станки, отличные от определенных в пункте 2.2.1, которые могут быть использованы в качестве измерительных машин, если их параметры соответствуют критериям, определенным для параметров измерительных машин, или превосходят их

2.2.7.

Роботы, имеющие любую из нижеперечисленных характеристик, и специально разработанные для них устройства управления и рабочие органы:

8479 50 000 0;

8537 10 100 0;

8537 10 910 0;

8537 10 980 0

а) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности применительно к условиям работы со взрывчатыми веществами, которые могут быть использованы в военных целях

Примечание.

Подпункт "а" пункта 2.2.7 не применяется к роботам, специально разработанным для применения в камерах для окраски распылением;

б) специально разработанные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие более 5 x 10 ³ Гр (по кремнию) [5 x 10 ⁵ рад] без ухудшения эксплуатационных характеристик; или

в) специально разработанные для работы на высотах, превышающих 30000 м

2.2.8.

Составные поворотные столы или качающиеся шпиндели, специально разработанные для станков:

2.2.8.1.

Составные поворотные столы, имеющие все следующие характеристики:

а) разработанные для токарных, фрезерных и шлифовальных станков; и

б) имеющие две вращающиеся оси, одновременно скоординированные для контурного управления

8466

Техническое примечание.

Составной поворотный стол - стол, позволяющий вращать и наклонять деталь относительно двух непараллельных осей;

2.2.8.2.

Качающиеся шпиндели, имеющие все следующие характеристики:

8466

а) разработанные для токарных, фрезерных и шлифовальных станков; и

б) одновременно скоординированные для контурного управления

2.2.9.

Станки для ротационной вытяжки и обкатные вальцовочные станки, которые в соответствии с технической документацией производителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерным управлением и которые имеют все следующие характеристики:

8463 90 000 0;

8485 10 000 0

а) три или более оси, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; и

б) усилие на валке/ролике более 60 кН

Техническое примечание.

Станки, объединяющие функции ротационной вытяжки и вальцовки методом обкатки, считаются для целей пункта 2.2.9 относящимися к обкатным вальцовочным станкам

2.3.

Материалы - нет

2.4.

Программное обеспечение

2.4.1.

Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 2.4.2:

2.4.1.1.

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2;

2.4.1.2.

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для применения подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1.2, или оборудования, определенного в пунктах 2.2.1, 2.2.3 - 2.2.9

Примечание.

Пункт 2.4.1 не применяется к программному обеспечению, которое генерирует коды числового программного управления для обработки различных деталей

Особое примечание.

В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, см. также

пункт 2.4.1 раздела 2

2.4.2.

Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное в электронное устройство или систему, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способный координировать одновременно более четырех осей для контурного управления

Примечания:

1. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному или модифицированному для работы изделий, не определенных в категории 2.

2. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению для изделий, определенных в пункте 2.2.2. Для такого программного обеспечения см. пункты 2.4.1 и 2.4.3.

3. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению, минимально необходимому для эксплуатации изделий, не определенных в категории 2, и экспортируемому совместно с этими изделиями

2.4.3.

Программное обеспечение, разработанное или модифицированное для эксплуатации станков, определенных в пункте 2.2.2, преобразующее функции оптического приспособления, измерения обрабатываемой детали и снятия материала в команды числового программного управления для получения заданной формы детали

2.5.

Технология

2.5.1.

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, оборудования, определенного в пункте 2.2, или программного обеспечения, определенного в пункте 2.4

Примечание.

Пункт 2.5.1 включает технологию встраивания систем щупов в КИМ, определенные

в пункте 2.2.6.1

2.5.2.

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2

Особое примечание.

В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также пункт 2.5.1 раздела 2

2.5.3.

Иные нижеследующие технологии:

2.5.3.1.

Технологии производственных процессов металлообработки:

2.5.3.1.1.

Технологии проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально разработанные для любого из следующих процессов:

а) формообразования в условиях сверхпластичности;

б) диффузионной сварки; или

в) гидравлического прессования прямого действия;

Особое примечание. Для технологии производственных процессов металлообработки компонентов газотурбинных двигателей см. пункт 9.5.3

2.5.3.1.2.

Исключен с 2 мая 2023 г. - Постановление Правительства России от 26 января 2023 г. N 105

Техническое примечание.

Гидравлическое прессование прямого действия - процесс деформирования, в котором применяется заполненная жидкостью гибкая камера, находящаяся в непосредственном контакте с заготовкой

2.5.3.2.

Технологии разработки или производства гидравлических прессов для штамповки с вытяжкой и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов;

2.5.3.3.

Технологии разработки комплексного программного обеспечения для включения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления;

2.5.3.4.

Технологии нанесения наружных слоев неорганических покрытий, в том числе для модификации поверхностей, определенных в колонке "Получаемое покрытие" таблицы к настоящему пункту, на подложки для неэлектронных приборов/компонентов, определенные в колонке "Подложки" указанной таблицы, с использованием процессов, определенных в колонке "Процесс нанесения покрытия" этой же таблицы и описанных в технических примечаниях к ней

Особое примечание.

Нижеприведенная таблица к пункту 2.5.3.4. должна рассматриваться для определения технологии конкретного процесса нанесения покрытия, только когда относящееся к этому процессу получаемое покрытие находится в абзаце таблицы, расположенном напротив выбранной подложки.

Например, технические характеристики процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD) (колонка таблицы "Процесс нанесения покрытия") включают нанесение силицидов (колонка таблицы "Получаемое покрытие") на подложки из углерод-углерода, композиционных материалов с керамической или металлической матрицей (колонка таблицы "Подложки"), но не включают их нанесение на подложки из металлокерамического карбида вольфрама (16), карбида кремния (18), так как во втором случае покрытие из силицидов не перечислено в абзаце колонки "Получаемое покрытие", расположенном непосредственно напротив абзаца соответствующего перечня колонки "Подложки" (металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

Процесс нанесения покрытия (1)**

Подложки

Получаемое покрытие

1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD)

Суперсплавы

алюминиды на поверхности внутренних каналов

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

силициды, карбиды, диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), нитрид бора

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)

2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом

2.1. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком

Суперсплавы

сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4)

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

диэлектрические слои (15)

коррозионно-стойкие стали (7)

MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

диэлектрические слои (15), бориды, бериллий

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15)

титановые сплавы (13)

бориды, нитриды

2.2. Ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом (ионное осаждение)

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

диэлектрические слои (15)

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

диэлектрические слои (15)

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

диэлектрические слои (15)

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

2.3. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной лазерным нагревом

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

силициды, диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

диэлектрические слои (15)

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

диэлектрические слои (15)

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

диэлектрические слои (15)

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

2.4. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной катодно-дуговым разрядом

Суперсплавы

сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5)

полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей

бориды, карбиды, нитриды, алмазоподобный углерод (17)

3. Твердофазное диффузионное насыщение (10)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)

титановые сплавы (13)

силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2)

тугоплавкие металлы и сплавы (8)

силициды, оксиды

4. Плазменное напыление

Суперсплавы

MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир, сплавы на основе алюминидов (2)

алюминиевые сплавы (6)

MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4)

тугоплавкие металлы и сплавы (8)

алюминиды, силициды, карбиды

коррозионно-стойкие стали (7)

MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)

титановые сплавы (13)

карбиды, алюминиды, силициды, сплавы на основе алюминидов (2), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир

5. Нанесение шликера

тугоплавкие металлы и сплавы (8)

оплавленные силициды, оплавленные алюминиды (кроме резистивных нагревательных элементов)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)

6. Осаждение распылением

Суперсплавы

сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), алюминиды, модифицированные благородным металлом (3), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4)

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

силициды, платина, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

титановые сплавы (13)

бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), карбиды

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

бориды, диэлектрические слои (15), бериллий

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

тугоплавкие металлы

и сплавы (8)

алюминиды, силициды, оксиды, карбиды

7. Ионная имплантация

высокотемпературные подшипниковые стали

присадки хрома, тантала или ниобия

титановые сплавы (13)

бориды, нитриды

бериллий и его сплавы

бориды

металлокерамический карбид вольфрама (16)

карбиды, нитриды

N пункта

Наименование*

Код ТН ВЭД*

Категория 3. Электроника

3.1.

Системы, оборудование и компоненты

Примечания:

Примечания:

1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1 (за исключением пунктов 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8, 3.1.1.1.10-3.1.1.1.12 и 3.1.1.2.11) и специально разработанных для другого оборудования или обладающих аналогичными функциональными характеристиками, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу этого другого оборудования.

2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7, 3.1.1.1.10 - 3.1.1.1.12 или 3.1.1.2.11, которые не могут быть перепрограммированы или разработаны для выполнения определенных функций в другом оборудовании, определяется по контрольному статусу этого другого оборудования.

Особое примечание.

В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус для интегральных схем определяется в соответствии с пунктами 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7 и 3.1.1.1.10 - 3.1.1.1.12

3.1.1.

Электронные изделия:

3.1.1.1.

Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:

3.1.1.1.1.

Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий:

8542

а) суммарную дозу 5 x 10 ³ Гр (по кремнию) [5 х 10 ⁵ рад] или выше;

б) мощность дозы 5 x 10 ⁶ Гр (по кремнию)/с [5 x 10 ⁸ рад/с] или выше; или

в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 10 ¹³ н/см2 или более по кремнию или его эквивалент для других материалов

Примечание.

Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре);

3.1.1.1.2.

Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, интегральные схемы, включающие в себя аналого-цифровые преобразователи и функцию хранения или обработки цифровых данных, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, заказные интегральные схемы

(при условии, что их функции неизвестны или неизвестно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы), процессоры быстрого преобразования Фурье, статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ) или энергонезависимые запоминающие устройства, имеющие любую из следующих характеристик:

8542

а) рассчитанные (пригодные) для эксплуатации при температуре окружающей среды выше 398 К (125°C);

б) рассчитанные (пригодные) для эксплуатации при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55°C); или

в) рассчитанные (пригодные) для эксплуатации во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55°C) до 398 К (125°C)

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным схемам, разработанным для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов;

Техническое примечание.

Энергонезависимые запоминающие

устройства - устройства с функцией сохранения данных после выключения источника питания;

3.1.1.1.3.

Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микро ЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные на основе сложных полупроводников и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц;

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 909 0

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры;

3.1.1.1.4.

Следующие интегральные схемы аналого-цифровых преобразователей (АЦП) и цифроаналоговых преобразователей (ЦАП):

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 901 0;

8542 39 909 0

а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:

разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более

1,3 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более

600 млн. выборок в секунду;

разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более

400 млн. выборок в секунду;

разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более

250 млн. выборок в секунду; или

разрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 65 млн. выборок в секунду

Особое примечание.

Для интегральных схем, включающих в себя аналого-цифровые преобразователи и функцию хранения или обработки цифровых данных, см. пункт 3.1.1.1.12

Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.

2. Разрешающей способностью АЦП является количество битов цифрового выходного сигнала, который представляет измеренный аналоговый входной сигнал. Эффективное количество битов не применяется для определения разрешающей способности АЦП.

3. Для многоканальных АЦП выходные сигналы не объединяются и частотой выборки является максимальная частота выборки любого канала.

4. Для АЦП с временным разделением каналов или многоканальных АЦП, которые в соответствии со спецификацией имеют режим с временным разделением каналов, частоты выборок объединяются и частотой выборки является максимальная объединенная общая частота выборки всех каналов с временным разделением;

б) цифроаналоговые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:

1) разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, с приведенной скоростью обновления более 3,5 млрд. выборок в секунду; или

2) разрешающую способность 12 бит или более и имеющие любое из следующего:

приведенную скорость обновления более

1,25 млрд. выборок в секунду, но менее

3,5 млрд. выборок в секунду, имеющие любую из следующих характеристик:

время установления сигнала менее 9 нс с точностью 0,024 процента полной шкалы от шага полной шкалы; или

динамический диапазон без паразитных составляющих (SFDR) более 68 дБнч (несущая частота) при синтезе аналогового сигнала полной шкалы в 100 МГц или наивысшей частоте аналогового сигнала полной шкалы, определенной ниже 100 МГц; или

приведенную скорость обновления более

3,5 млрд. выборок в секунду

Технические примечания:

1. Динамический диапазон без паразитных сигналов (SFDR) определяется как отношение среднеквадратичного значения несущей частоты (максимального компонента сигнала) на входе ЦАП к среднеквадратичному значению следующего наибольшего компонента шума или гармонического искажения сигнала на его выходе.

2. SFDR определяется непосредственно из справочных таблиц или графиков зависимости характеристик SFDR от частоты.

3. Сигнал определяется как сигнал полной шкалы, когда его амплитуда более - 3 дБпш (полная шкала).

4. Приведенная скорость обновления для ЦАП:

а) для обычных (неинтерполирующих) ЦАП приведенная скорость обновления - скорость, на которой цифровой сигнал преобразуется в аналоговый сигнал при помощи ЦАП. ЦАП, в которых интерполяционный режим может быть обойден (коэффициент интерполяции 1), следует рассматривать как обычные (неинтерполирующие) ЦАП;

б) для интерполирующих ЦАП (ЦАП с избыточной дискретизацией) приведенная скорость обновления определяется как скорость обновления ЦАП, деленная на наименьший коэффициент интерполяции. Для интерполирующих ЦАП приведенная скорость обновления может выражаться по-разному, в том числе как:

скорость ввода данных;

скорость ввода слов;

скорость ввода выборок;

максимальная общая скорость пропускания шины;

максимальная тактовая частота ЦАП для входного тактового сигнала ЦАП;

3.1.1.1.5.

Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие:

8542

а) один внутренний лазерный диод или более;

б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и

в) световоды;

3.1.1.1.6.

Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик:

8542 39 901 0

а) максимальное количество цифровых несимметричных входов/выходов - более 700; или

б) совокупную одностороннюю пиковую скорость передачи данных последовательного приемопередатчика (трансивера) 500 Гбит/с или более

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.6 включает:

сложные программируемые логические устройства (СПЛУ);

программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ);

программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ);

программируемые пользователем межсоединения (ППМС)

Особое примечание.

Для программируемых логических интегральных схем, совместимых с аналого-цифровыми преобразователями, см. пункт 3.1.1.1.12

Технические примечания:

1. Максимальное количество цифровых входов/выходов, определенное в подпункте "а" пункта 3.1.1.1.6, называется также максимальным количеством пользовательских входов/выходов или максимальным количеством доступных входов/выходов, независимо от того, является ли интегральная схема заключенной в корпус или бескорпусным кристаллом.

2. Совокупная односторонняя пиковая скорость передачи данных последовательного приемопередатчика является результатом произведения пиковой скорости передачи данных последовательного одностороннего приемопередатчика на количество приемопередатчиков на программируемой пользователем вентильной матрице (ППВМ);

3.1.1.1.7.

Интегральные схемы для нейронных сетей;

8542

3.1.1.1.8.

Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю неизвестен статус контроля аппаратуры, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик:

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 901 0;

8542 39 909 0

а) максимальное число цифровых входов (выходов) 700 или более; или

б) суммарная максимальная скорость передачи данных последовательного одностороннего радиопередатчика 500 Гб/с или выше;

в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;

3.1.1.1.9.

Цифровые интегральные схемы, иные, нежели описанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 и пункте 3.1.1.1.10, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего:

8542

а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или

б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;

3.1.1.1.10.

Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log2 N)/20

480 мс, где N - количество точек

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 909 0

Техническое примечание.

В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.10 дает результат времени выполнения 500 мкс

3.1.1.1.11.

Интегральные схемы цифровых синтезаторов с прямым синтезом частот, имеющие любую из следующих характеристик:

8542 39 901 0;

8542 39 909 0

а) тактовую частоту цифроаналогового преобразователя (ЦАП) 3,5 ГГц или более и разрешающую способность ЦАП от 10 бит до 12 бит; или

б) тактовую частоту ЦАП 1,25 ГГц или более и разрешающую способность ЦАП 12 бит или более

Техническое примечание.

Тактовая частота ЦАП может быть определена как задающая тактовая частота или тактовая частота входного сигнала

3.1.1.1.12.

Интегральные схемы, выполняющие все следующее или программируемые для выполнения всего следующего:

8542 31 901 0;

8542 31 909 0;

8542 39 901 0;

8542 39 909 0

а) аналого-цифровые преобразования, имеющие любую из следующих характеристик:

разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более

1,3 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более

1 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более

1 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более

400 млн. выборок в секунду; или

разрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 180 млн. выборок в секунду; и

б) любое из следующего:

хранение цифровых данных; или

обработка цифровых данных

Особые примечания:

1. Для аналого-цифровых преобразователей см. подпункт "а" пункта 3.1.1.1.4.

2. Для программируемых пользователем логических устройств см. пункт 3.1.1.1.6

Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.

2. Разрешающей способностью АЦП является количество битов цифрового выходного сигнала, который представляет измеренный аналоговый входной сигнал. Эффективное количество битов не применяется для определения разрешающей способности АЦП.

3. Для многоканальных АЦП выходные сигналы не объединяются и частотой выборки является максимальная частота выборки любого канала.

4. Для АЦП с временным разделением каналов или многоканальных АЦП, которые в соответствии со спецификацией имеют режим с временным разделением каналов, частоты выборок объединяются и частотой выборки является максимальная объединенная общая частота выборки всех каналов с временным разделением

Примечания:

1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, должен оцениваться по параметрам, указанным в пунктах 3.1.1.1, 3.1.1.2, 3.1.1.4, 3.1.1.5.4, 3.1.1.7, 3.1.1.8 или 3.1.1.9.

2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы:

монолитные интегральные схемы;

гибридные интегральные схемы;

многокристальные интегральные схемы;

пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире";

оптические интегральные схемы;

трехмерные интегральные схемы;

монолитные микроволновые интегральные схемы;

3.1.1.2.

Изделия микроволнового или миллиметрового диапазона:

3.1.1.2.1.

Нижеперечисленные вакуумные электронные устройства и катоды:

3.1.1.2.1.1.

Вакуумные электронные устройства бегущей волны импульсного или непрерывного действия:

8540 79 000 9

а) работающие на частотах, превышающих

31,8 ГГц;

б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода вакуумного электронного устройства на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;

в) вакуумные электронные устройства с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7 процентов или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;

г) вакуумные электронные устройства, основанные на спирали, сложенном волноводе или извилистом волноводе, или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик:

мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;

мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1;

пригодные для применения в космосе; или

имеющие электронную пушку с координатной привязкой;

д) вакуумные электронные устройства с относительной шириной полосы частот, равной 10 процентов или более, имеющие любое из следующего: кольцевой пучок электронов;

пучок электронов, несимметричный относительно оси; или множественные пучки электронов;

3.1.1.2.1.2.

Вакуумные электронные устройства магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ;

8540 71 000 9

3.1.1.2.1.3.

Термоэлектронные катоды, разработанные

для вакуумных электронных устройств, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/см2, или в импульсном (прерывающемся) режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей

10 А/см2;

8540 99 000 0

3.1.1.2.1.4.

Вакуумные электронные устройства с возможностью работы в двухканальном режиме

8540 99 000 0

Техническое примечание.

Двухканальный режим означает, что вакуумное электронное устройство может переключаться между непрерывным и импульсным режимами работы через сеть и имеет пиковую выходную мощность больше, чем выходная мощность при непрерывном излучении

Примечания:

1. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к вакуумным электронным устройствам, разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:

а) частота не превышает 31,8 ГГц; и

б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения.

2. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к вакуумным электронным устройствам, непригодным для применения в космосе и имеющим все следующие характеристики:

а) среднюю выходную мощность, равную или меньше 50 Вт; и

б) разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:

частота выше 31,8 ГГц, но не превышает

43,5 ГГц; и

диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;

3.1.1.2.2.

Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик:

8542 31 300 0;

8542 31 901 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 33 900 0;

8542 39 300 0;

8542 39 901 0;

8543 90 000 0

Особое примечание.

ММИС - усилители мощности, имеющие интегрированные фазовращатели, должны оцениваться в соответствии

с пунктом 3.1.1.2.11

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15 процентов и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 75 Вт (48,75 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 55 Вт (47,4 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,6 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 10 Вт (40 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 16 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 3 Вт (34,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов;

г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов;

е) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) для работы на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов;

ж) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 10 мВт (10 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5 процентов; или

з) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт)

на любой частоте выше 90 ГГц

Примечания:

1. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной

в подпунктах "а" - "з" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.

2. Пункты 1 и 2 примечаний к пункту 3.1 подразумевают, что пункт 3.1.1.2.2 не применяется к ММИС, если они специально разработаны для применения, например, в телекоммуникациях, радиолокационных станциях, автомобилях;

3.1.1.2.3.

Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:

8541 21 000 0;

8541 29 000 0

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 400 Вт (56 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 205 Вт (53,12 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 115 Вт (50,61 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 60 Вт (47,78 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 15 Вт (41,76 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 7 Вт (38,45 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно;

д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 43,5 ГГц; или

е) отличные от указанных в подпунктах "а" - "д" настоящего пункта и определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 5 Вт

(37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 31,8 ГГц включительно

Примечания:

1. Контрольный статус транзисторов, определенных в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, приведенных в указанных подпунктах, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения.

2. Пункт 3.1.1.2.3 включает как бескорпусные транзисторы, транзисторные сборки и модули, так и корпусные транзисторы. Некоторые дискретные транзисторы могут также называться усилителями мощности, но контрольный статус таких дискретных транзисторов определяется пунктом 3.1.1.2.3

Особое примечание.

В отношении монолитных микроволновых интегральных схем (ММИС) - усилителей мощности и дискретных сверхвысокочастотных транзисторов, определенных в пунктах 3.1.1.2.2 и 3.1.1.2.3, см. также пункты 3.1.2 и 3.1.3 раздела 2;

3.1.1.2.4.

Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик:

8541 51 000 0

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15 процентов и имеющие все следующее:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 500 Вт (57 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,7 ГГц до 2,9 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 270 Вт (54,3 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2,9 ГГц до 3,2 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 200 Вт (53 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,2 ГГц до 3,7 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 90 Вт (49,54 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3,7 ГГц до 6,8 ГГц включительно;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов и имеющие все следующее:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 70 Вт (48,45 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6,8 ГГц до 8,5 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8,5 ГГц до 12 ГГц включительно;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 30 Вт (44,77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно;

в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31,8 ГГц до 37 ГГц включительно;

г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 2 Вт (33 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43,5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов;

д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и имеющие любое из следующего:

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,2 Вт (23 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 43,5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов;

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (13 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5 процентов; или

пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0,1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц;

Особые примечания:

1. Для оценки ММИС - усилителей мощности должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.2.

2. Для оценки приемо-передающего модуля должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.11.

3. В отношении преобразователей и смесителей на гармониках, разработанных для расширения частотного диапазона аппаратуры, см. пункт 3.1.1.2.6

Примечание.

Контрольный статус устройств, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, которые указаны в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения;

3.1.1.2.5.

Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5:1 (fmax/fmin) менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик:

8541 59 000 0

а) полосу пропускания частоты более 0,5 процента от резонансной частоты; или

б) полосу подавления частоты менее 0,5 процента от резонансной частоты;

3.1.1.2.6.

Преобразователи и смесители на гармониках, удовлетворяющие любому из следующих условий:

а) разработанные для расширения верхнего предела частотного диапазона анализаторов сигнала до уровня выше 90 ГГц;

б) разработанные для расширения следующих рабочих характеристик генераторов сигнала:

верхнего предела частотного диапазона до уровня выше 90 ГГц;

выходной мощности до уровня более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 43,5 ГГц до менее 90 ГГц;

в) разработанные для расширения рабочих характеристик схемных анализаторов (анализаторов цепей):

верхнего предела частотного диапазона до уровня выше 110 ГГц;

выходной мощности до уровня более 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 43,5 ГГц до менее 90 ГГц;

выходной мощности до уровня более 1 мВт

(0 дБ, отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 90 ГГц до менее 110 ГГц; или

г) разработанные для расширения верхнего предела частотного диапазона микроволновых приемников-тестеров до уровня выше 110 ГГц;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8541 59 000 0

3.1.1.2.7.

Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие вакуумные электронные устройства, определенные в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие характеристики:

8541 59 000 0

а) рабочие частоты выше 3 ГГц;

б) среднюю выходную мощность по отношению к массе, превышающую 80 Вт/кг; и

в) объем менее 400 см3

Примечание.

Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, разработанной или определенной изготовителем для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;

3.1.1.2.8.

Мощные СВЧ-модули, содержащие, по крайней мере, вакуумное электронное устройство бегущей волны, монолитную микроволновую интегральную схему и встроенный электронный стабилизатор напряжения, имеющие все следующие характеристики:

8540 79 000 9;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8541 59 000 0

8543 90 000 0

а) время включения от выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния менее 10 с;

б) физический объем ниже произведения максимальной номинальной мощности в ваттах на 10 см3/Вт; и

в) мгновенную ширину полосы частот более одной октавы (f _max>2f _min ) и любое из следующего:

для частот, равных или ниже 18 ГГц, радиочастотную выходную мощность более

100 Вт; или

частоту выше 18 ГГц

Технические примечания:

1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время включения относится к периоду времени от полностью выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния, то есть оно включает время готовности мощного СВЧ-модуля.

2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 приводится следующий пример расчета физического объема мощного СВЧ-модуля.

Для максимальной номинальной мощности 20 Вт физический объем определяется как 20 [Вт] x 10 [см ³/Вт] = 200 [см ³]. Это значение физического объема является контрольным показателем и сравнивается с фактическим физическим объемом мощного СВЧ-модуля;

3.1.1.2.9.

Генераторы или генераторные сборки, определенные для работы с фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) в единицах

(дБ по шкале C шумомера)/Гц меньше (лучше) - (126+20log ₁₀F-20log ₁₀f) в любом месте диапазона 10 Гц F 10 кГц

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 20 000 0

Техническое примечание.

В пункте 3.1.1.2.9: F - отстройка от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц;

3.1.1.2.10.

Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты, определенное любым из следующего:

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 20 000 0

а) менее 143 пс;

б) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше

4,8 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;

в) менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше

31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц;

г) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше

37 ГГц, но не превышающего 75 ГГц; или

д) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 5 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 75 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или

е) менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот выше 90 ГГц

3.1.1.2.11.

Приемо-передающие модули, приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, передающие модули и передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, предназначенные для работы на частотах выше 2,7 ГГц и имеющие все следующие характеристики:

8542 31 300 0;

8542 31 901 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 33 900 0;

8542 39 300 0;

8542 39 901 0;

8543 90 000 0

а) пиковую выходную мощность в режиме насыщения (Вт), Psat, большую, чем результат деления величины 505,62 на максимальную рабочую частоту (ГГц) в квадрате,

то есть: P _sat>505,62 Вт x ГГц ²/ для любого канала;

б) относительную ширину полосы частот 5 процентов или более для любого канала;

в) планарный корпус (корпус микросхем, предназначенных для монтажа на поверхность) с длиной d (в см), равной результату (или меньшей, чем результат) деления величины 15 на наименьшую рабочую частоту (ГГц), то есть:

d 15 см x ГГц x N/ f _ГГц,

где N - количество передающих или приемо-передающих каналов; и

г) фазовращатель с электронной регулировкой на канал;

Технические примечания:

1. Приемо-передающий модуль является многофункциональной электронной сборкой, обеспечивающей двунаправленную амплитуду и фазовое управление для передачи и приема сигналов.

2. Передающий модуль является электронной сборкой, обеспечивающей амплитуду и фазовое управление для передачи сигналов.

3. Приемо-передающая монолитная микроволновая интегральная схема является многофункциональной монолитной микроволновой интегральной схемой, обеспечивающей двунаправленную амплитуду и фазовое управление для передачи и приема сигналов.

4. Передающая монолитная микроволновая интегральная схема является монолитной микроволновой интегральной схемой, обеспечивающей амплитуду и фазовое управление для передачи сигналов.

5. Значение 2,7 ГГц должно использоваться как наименьшая рабочая частота (f _ГГц ) в формуле, определенной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, для приемо-передающих или передающих модулей, которые имеют заявленный рабочий диапазон, увеличивающий нисхождение

до 2,7 ГГц и ниже, то есть:

d 15 см x ГГц x N/2,7 ГГц.

6. Пункт 3.1.1.2.11 применяется к приемо-передающим модулям или передающим модулям с теплоотводом (радиатором) или без него. Значение длины (d), указанной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, не включает в себя части приемо-передающих модулей или передающих модулей, работающих в качестве теплоотвода (радиатора).

7. Приемо-передающие модули, или передающие модули, или приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, или передающие интегральные схемы могут иметь или не иметь N элементов встроенных излучающих антенн, где N - количество передающих или приемо-передающих каналов

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.1.1.2 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения может также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность.

2. Синтезатор частот - любой источник частоты, независимо от используемого фактического метода генерации, обеспечивающий множественность одновременных или альтернативных выходных частот (от одного или нескольких выходов), контролируемых, получаемых или регулируемых меньшим числом стандартных (или специальных) частот

Особое примечание.

Для анализаторов сигналов, генераторов сигналов, схемных анализаторов и микроволновых приемников-тестеров общего назначения см. пункты 3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 и 3.1.2.5 соответственно;

3.1.1.3.

Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты:

3.1.1.3.1.

Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое, имеющие любую из следующих характеристик:

8541 60 000 0

а) центральную частоту выше 6 ГГц;

б) центральную частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 6 ГГц, и имеющие любую из следующих характеристик:

частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ;

произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;

ширину полосы частот выше 250 МГц;

или

дисперсионную задержку более 10 мкс;

или

в) центральную частоту 1 ГГц и ниже и имеющие любую из следующих характеристик:

произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;

дисперсионную задержку более 10 мкс; или

частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ и ширину полосы частот, превышающую 100 МГц

Техническое примечание.

Частотное подавление боковых лепестков - максимальная величина подавления, определенная в перечне технических характеристик (проспекте изделия);

3.1.1.3.2.

Приборы на объемных акустических волнах, обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 6 ГГц;

8541 60 000 0

3.1.1.3.3.

Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку

8541 60 000 0

Примечание.

Пункт 3.1.1.3 не применяется к приборам на акустических волнах, ограниченным пропусканием сигнала через однополосный фильтр, фильтр низких или верхних частот или узкополосный режекторный фильтр или функцией резонирования;

3.1.1.4.

Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, и имеющие любое из следующего:

8540;

8541;

8542;

8543

а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10-14 Дж; или

б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10000;

3.1.1.5.

Нижеперечисленные мощные энергетические устройства:

3.1.1.5.1.

Элементы:

3.1.1.5.1.1.

Первичные элементы, имеющие любую из следующих характеристик при температуре

20°C:

8506

а) плотность энергии, превышающую

550 Вт·ч/кг, и плотность длительной мощности выше 50 Вт/кг; или

б) плотность энергии, превышающую

50 Вт·ч/кг, и плотность длительной мощности выше 350 Вт/кг;

3.1.1.5.1.2.

Вторичные элементы с плотностью энергии, превышающей 350 Втч/кг при температуре

20°C

8507

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением номинального напряжения в вольтах на номинальную емкость в ампер-часах, поделенным на массу в килограммах.

Если номинальная емкость не установлена, плотность энергии определяется произведением возведенного в квадрат номинального напряжения в вольтах на длительность разряда в часах, поделенным на произведение сопротивления нагрузки разряда в омах на массу в килограммах.

2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" определяется как электрохимическое устройство, имеющее положительные и отрицательные электроды и электролит и являющееся источником электроэнергии.

Он является основным компоновочным блоком батареи.

3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный элемент" определяется как "элемент", который не предназначен для заряда каким-либо другим источником энергии.

4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный элемент" определяется как "элемент", который предназначен для заряда каким-либо внешним источником энергии

5. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 плотность длительной мощности (Вт/кг) определяется как произведение номинального напряжения в вольтах на определенный максимальный продолжительный ток разряда в амперах, поделенное на массу в килограммах. Плотностью длительной мощности можно также считать определенную мощность

3.1.1.5.2.

Высокоэнергетические накопительные конденсаторы:

3.1.1.5.2.1.

Конденсаторы с частотой повторения ниже

10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:

8506;

8507;

8532

а) номинальное напряжение 5 кВ или более;

б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и

в) полную энергию 25 кДж или более;

3.1.1.5.2.2.

Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:

8506;

8507;

8532

а) номинальное напряжение 5 кВ или более;

б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;

в) полную энергию 100 Дж или более; и

г) количество циклов заряд-разряда 10000 или более;

3.1.1.5.3.

Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все следующие характеристики:

8504 50;

8505 90 200 9

а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;

б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и

в) номинальную магнитную индукцию более 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/мм2

Примечание.

Пункт 3.1.1.5.3 не применяется к сверхпроводящим электромагнитам или соленоидам, специально разработанным для медицинской аппаратуры отображения магнитного резонанса (аппаратуры магниторезонансной томографии);

3.1.1.5.4.

Солнечные элементы, сборки электрически соединенных элементов под защитным стеклом, солнечные панели и солнечные батареи, пригодные для применения в космосе, имеющие минимальное значение среднего КПД элементов более 20 процентов при рабочей температуре 301 К (28°C) под освещением с поверхностной плотностью потока излучения 1367 Вт/м ² при имитации условий нулевой воздушной массы (АМО)

8541 42 000 0

8541 43 000 0

8541 49 000 0

Техническое примечание.

АМО (нулевая воздушная масса) определяется спектральной плотностью потока солнечного света за пределами атмосферы при расстоянии между Землей и Солнцем, равном одной астрономической единице (АЕ);

Примечание.

Пункт 3.1.1.5 не применяется к батареям, включая батареи, содержащие один элемент;

3.1.1.6.

Преобразователи абсолютного углового положения вала, имеющие точность на входе в код, равную 1,0 угловая секунда или меньше (лучше), и специально разработанные для них кольца, диски или счетчики;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0

3.1.1.7.

Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и тиристорные модули, использующие методы электрического, оптического или электронно-эмиссионного управления переключением, имеющие любую из следующих характеристик:

8536 50 040 0;

8541 51 000 0;

8541 59 000 0;

8541 30 000 9

а) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более

1100 В; или

б) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующее:

пиковое напряжение в закрытом состоянии, равное 3000 В или более; и

пиковый ток (ударный ток), равный или более 3000 А

Примечания:

1. Пункт 3.1.1.7 включает:

кремниевые триодные тиристоры;

электрические триггерные тиристоры;

световые триггерные тиристоры;

коммутационные тиристоры с интегральными вентилями;

вентильные запираемые тиристоры;

управляемые тиристоры на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник);

солидтроны.

2. Пункт 3.1.1.7 не применяется к тиристорным устройствам и тиристорным модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте или в гражданских летательных аппаратах

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль содержит одно или несколько тиристорных устройств;

3.1.1.8.

Твердотельные силовые полупроводниковые переключатели, диоды или модули, имеющие все следующие характеристики:

8504 40 830 0;

8536 50 040 0;

8536 50 060 0;

8541 10 000 9;

8541 21 000 0;

8541 29 000 0;

8541 30 000 9;

8541 51 000 0;

8541 59 000 0

а) рассчитанные для максимальной рабочей температуры p-n-перехода выше 488 К (215°C);

б) повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (блокирующее напряжение), превышающее 300 В; и

в) постоянный ток более 1 А

Примечания:

1. Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии в пункте 3.1.1.8 включает напряжение сток - исток, выходное остаточное напряжение, повторяющееся импульсное обратное напряжение и блокирующее импульсное напряжение в закрытом состоянии.

2. Пункт 3.1.1.8 включает:

канальные полевые транзисторы с p-n-переходом (JFET);

канальные полевые транзисторы с вертикальным p-n-переходом (VJFET);

канальные полевые униполярные транзисторы на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник) (MOSFET);

канальные полевые двойные диффузные металл-оксид полупроводниковые транзисторы (DMOSFET);

трехфазные тяговые преобразователи на транзисторных ключах (IGBN);

транзисторы с высокой подвижностью электронов (ВПЭ-транзисторы) (HMET);

биполярные плоскостные транзисторы (BJT);

тиристоры и управляемые кремниевые выпрямители (диоды) (SCR);

высоковольтные полупроводниковые запираемые тиристоры (GTO);

тиристоры с эмиттерами включения (ETO);

регулируемые резистивные диоды (PIN-диоды);

диоды Шоттки.

3. Пункт 3.1.1.8 не применяется к переключателям, диодам или модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте, в гражданских автомобилях или в гражданских летательных аппаратах

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.8 модуль содержит

один или несколько твердотельных силовых полупроводниковых переключателей или диодов

3.1.1.9.

Электрооптические модуляторы интенсивности, амплитуды или фазы, разработанные для аналоговых сигналов и имеющие любую из следующих характеристик:

а) максимальную рабочую частоту более

10 ГГц, но менее 20 ГГц, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:

1) полуволновое напряжение (В) менее 2,7 В, измеренное на частоте 1 ГГц или менее; или

2) полуволновое напряжение (В) менее 4 В, измеренное на частоте более 1 ГГц; или

б) максимальную рабочую частоту 20 ГГц или более, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:

1) полуволновое напряжение (В) менее 3,3 В, измеренное на частоте 1 ГГц или менее; или

2) полуволновое напряжение (В) менее 5 В, измеренное на частоте более 1 ГГц

Примечание.

Пункт 3.1.1.9 включает электрооптические модуляторы, имеющие оптические входные и выходные разъемы (например, оптоволоконные гибкие выводы)

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.9 полуволновым напряжением (В) является приложенное напряжение, необходимое для совершения фазового перехода в 180 градусов на длине волны распространения излучения через оптический модулятор

3.1.2.

Нижеперечисленные электронные сборки, модули и аппаратура общего назначения и принадлежности для них:

3.1.2.1.

Записывающая аппаратура и осциллографы:

Особое примечание.

Для приборов преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов см. пункт 3.1.2.7;

3.1.2.1.1.

Устройства записи цифровых данных, удовлетворяющие всем следующим условиям:

8471 50 000 0;

8471 60;

8471 70 200 0;

8471 70 300 0;

8471 70 500 0;

8519 89 900 9;

8521 90 000 9;

8522 90 400 0;

8522 90 810 0;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0

а) обладающие устойчивой пропускной способностью диска или твердотельной памяти более 6,4 Гбит/с; и

б) выполняющие обработку параметров радиочастотного сигнала одновременно с его записью

Технические примечания:

1. Для устройств записи с архитектурой на параллельной шине пропускная способность - произведение наивысшей скорости записи слов на количество бит (разрядов) в слове.

2. Пропускная способность - наивысшая скорость, с которой устройство может производить запись на диск или в твердотельную память без потери информации при сохранении скорости ввода данных или дискретизации;

3.1.2.1.2.

Осциллографы, работающие в реальном масштабе времени, имеющие среднеквадратичное напряжение собственных шумов по вертикальной оси менее 2 процентов полной шкалы при вертикальной настройке, обеспечивающей минимальный уровень шума в полосе пропускания 60 ГГц на канал или более по уровню 3 дБ на любом из выходов

9030 20

Примечание.

Пункт 3.1.2.1.2 не применяется к стробоскопическим осциллографам эквивалентного времени;

3.1.2.2.

Анализаторы сигналов:

3.1.2.2.1.

Анализаторы сигналов, имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 40 МГц в любой точке частотного диапазона выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц;

9030 84 000 9;

9030 89 300 0

3.1.2.2.2.

Анализаторы сигналов, имеющие отображаемый на дисплее средний уровень шума (ОСУШ) меньше (лучше) -150 дБм/Гц в любой точке частотного диапазона выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;

9030 84 000 9;

9030 89 300 0

3.1.2.2.3.

Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 90 ГГц;

9030 84 000 9;

9030 89 300 0

3.1.2.2.4.

Анализаторы сигналов, имеющие все следующие характеристики:

9030 20 300 9;

9030 32 000 9;

9030 39 000 9;

9030 84 000 9;

9030 89 300 0

а) полосу частот в реальном масштабе времени, превышающую 170 МГц; и

б) имеющие любую из следующих характеристик:

стопроцентную вероятность обнаружения сигналов длительностью 15 мкс или менее со снижением менее 3 дБ от полной амплитуды вследствие промежутков или эффектов окон; или

функцию механизма запуска по частотной маске (триггера маски частоты) со стопроцентной вероятностью захвата сигналов длительностью 15 мкс или менее

Технические примечания:

1. Полоса частот в реальном масштабе времени (для динамических анализаторов сигналов) - наиболее широкий диапазон частот сигнала, который анализатор может выдать на отображающее или запоминающее устройство без нарушения непрерывности анализа входной информации. Для многоканальных анализаторов при оценке полосы частот в реальном масштабе времени должна использоваться конфигурация канала с наибольшим значением данного параметра.

2. Вероятность обнаружения, указанная в подпункте "б" пункта 3.1.2.2.4, также может называться вероятностью перехвата или захвата сигнала.

3. Для целей подпункта "б" пункта 3.1.2.2.4 длительность сигнала, необходимая для стопроцентной вероятности его обнаружения, является эквивалентом минимальной длительности сигнала, необходимой для заданного уровня погрешности измерения.

4. Механизм запуска по частотной маске для анализаторов сигналов - механизм, при применении которого функция запуска способна выбрать частотный диапазон для запуска анализатора сигнала в пределах полосы пропускания, игнорируя при этом другие сигналы, которые могут также присутствовать в пределах этой полосы пропускания. Механизм запуска по частотной маске может содержать более одного независимого набора ограничений

Примечание.

Пункт 3.1.2.2.4 не применяется к анализаторам сигналов, использующим только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);

3.1.2.3.

Генераторы сигналов, имеющие любую из следующих характеристик:

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 20 000 0

а) определенные для создания импульсно-модулированных сигналов в любом месте диапазона частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц, имеющие все следующее:

длительность импульса менее 25 нс;

и отношение уровня генерируемого импульса к уровню просачивающегося сигнала в паузе 65 дБ или более

Техническое примечание.

Для целей абзаца первого подпункта "а" пункта 3.1.2.3 длительность импульса определяется как временной интервал от точки на переднем фронте импульса, который составляет 50 процентов амплитуды импульса, до точки на заднем фронте импульса, который составляет 50 процентов амплитуды импульса;

б) выходную мощность более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в любом месте диапазона частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;

в) время переключения частоты, определенное любым из следующего:

менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего

31,8 ГГц;

менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего

37 ГГц; или

менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона частот выше 37 ГГц, но не превышающего

90 ГГц;

г) фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале C шумомера)/Гц, как определено любым из следующего:

меньше (лучше)

-(126 + 20 log ₁₀F - 20 log ₁₀f) в любом месте диапазона 10 Гц F 10 кГц в пределах диапазона частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или

меньше (лучше) -(206 - 20 log ₁₀f) в любом месте диапазона 10 кГц < F 100 кГц в пределах диапазона частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 90 ГГц

Техническое примечание.

В подпункте "г" пункта 3.1.2.3 F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц

д) радиочастотную ширину полосы модулирующих частот цифровых немодулированных сигналов, обладающую любой из следующих характеристик:

превышающую 2,2 ГГц в пределах диапазона частот выше 4,8 ГГц, но не превышающего

31,8 ГГц;

превышающую 550 МГц в пределах диапазона частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего

37 ГГц; или

превышающую 2,2 ГГц в пределах диапазона частот выше 37 ГГц, но не превышающего

90 ГГц; или

Техническое примечание.

Радиочастотная ширина полосы модулирующих частот - радиочастотная ширина полосы частот, производимая цифровым немодулированным сигналом закодированного цифрового радиочастотного сигнала. Также называется шириной информационной полосы частот или векторной шириной полосы частот модуляции. I/Q цифровая модуляция является техническим методом, производящим векторно-модулированные радиочастотные выходные сигналы. Такие выходные сигналы обычно определяются как имеющие радиочастотную ширину полосы частот модуляции

е) максимальную частоту, превышающую

90 ГГц

Примечания:

1. Для целей пункта 3.1.2.3 генераторы сигналов включают в себя генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций

Техническое примечание.

Максимальная частота генератора импульсов произвольной формы или генератора функций определяется путем деления частоты выборки (выборка/с) на коэффициент 2,5

2. Пункт 3.1.2.3 не применяется к аппаратуре, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты;

3.1.2.4.

Схемные анализаторы, имеющие любое из следующего:

9030 40 000 0

а) выходную мощность, превышающую

31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего

90 ГГц;

б) выходную мощность, превышающую 1 мВт (0 дБ, отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 90 ГГц, но не превышающего 110 ГГц;

в) функцию нелинейного векторного анализа на частотах выше 50 ГГц, но не превышающих

110 ГГц; или

Техническое примечание.

Нелинейным вектором измерения функциональности является способность прибора анализировать результаты испытаний устройств, приводящих в область большого сигнала или в диапазон нелинейного искажения

г) максимальную рабочую частоту, превышающую 110 ГГц;

3.1.2.5.

Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики:

8517 69 390 0

а) максимальную рабочую частоту, превышающую 110 ГГц; и

б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу;

3.1.2.6.

Атомные эталоны частоты:

3.1.2.6.1.

Пригодные для применения в космосе

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 20 000 0

Особое примечание.

В отношении атомных эталонов частоты, указанных в пункте 3.1.2.6.1, см. также

пункт 3.1.1 раздела 2;

3.1.2.6.2.

Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие долговременную стабильность меньше (лучше) 1 x 10 ^-11 в месяц;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 20 000 0

3.1.2.6.3.

Рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе и имеющие все нижеследующее:

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0;

8543 20 000 0

а) долговременную стабильность меньше (лучше) 1 x 10 ^-11 в месяц; и

б) суммарную потребляемую мощность менее

1 Вт;

3.1.2.7.

Электронные сборки, модули или оборудование, предназначенные для выполнения всего следующего:

а) аналого-цифровых преобразований, имеющих любую из следующих характеристик:

разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более

1,3 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более

1 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более

1 млрд. выборок в секунду;

разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более

400 млн. выборок в секунду; или

разрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 180 млн. выборок в секунду; и

б) любых следующих действий:

вывода оцифрованных данных;

хранения оцифрованных данных; или

обработки оцифрованных данных

8471 90 000 0;

8541 59 000 0

Особое примечание.

Устройства записи цифровых данных, осциллографы, анализаторы сигналов, генераторы сигналов, сетевые анализаторы и микроволновые приемники-тестеры определены в пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 и 3.1.2.6 соответственно

Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.

2. Разрешающей способностью АЦП является количество битов цифрового выходного сигнала, который представляет измеренный аналоговый входной сигнал. Эффективное количество битов не применяется для определения разрешающей способности АЦП.

3. Для многоканальных электронных сборок, модулей или оборудования без временного разделения каналов выходные сигналы не объединяются и частотой выборки является максимальная частота выборки любого канала.

4. Для многоканальных электронных сборок, модулей или оборудования с временным разделением каналов частоты выборок объединяются и частотой выборки является максимальная объединенная общая частота выборки всех каналов с временным разделением

Примечание.

Пункт 3.1.2.7 включает платы АЦП, дискретизаторы аналоговых сигналов, платы сбора данных, платы обработки сигналов и устройства регистрации переходных процессов

3.1.3.

Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты

8419 89 989 0;

8424 89 000 9;

8479 89 970 7

3.2.

Испытательное, контрольное и производственное оборудование

3.2.1.

Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:

3.2.1.1.

Оборудование, разработанное для эпитаксиального выращивания:

3.2.1.1.1.

Оборудование, разработанное или модифицированное для производства слоя из любого материала, отличного от кремния, с отклонением равномерности толщины менее

2,5 процента на расстоянии 75 мм или более

8486 10 000 9

Примечание.

Пункт 3.2.1.1.1 включает оборудование для эпитаксиального выращивания атомного слоя;

3.2.1.1.2.

Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, разработанные для эпитаксиального выращивания полупроводниковых соединений из материала, содержащего два или более из следующих элементов: алюминий, галлий, индий, мышьяк, фосфор, сурьма или азот;

8486 20 900 9

3.2.1.1.3.

Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников;

3.2.1.2.

Оборудование, разработанное или оптимизированное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик:

8486 20 900 9

а) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для водородных, дейтериевых или гелиевых имплантатов;

б) возможность непосредственного формирования рисунка;

в) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; или

г) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для имплантации кремния в подложку полупроводникового материала, нагретую до температуры 600°C или более;

3.2.1.3.

Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральным транспортно-загрузочным устройством для пластин (подложек), имеющие все следующее:

8456 40 000 0;

8456 90 000 0;

8479 50 000 0;

8486 20 900 2;

8486 20 900 3

а) средства сопряжения для загрузки и выгрузки пластин (подложек), разработанные для возможности присоединения более двух отличных по функциональным возможностям инструментов для обработки полупроводников, определенных в пункте 3.2.1.1.1, 3.2.1.1.2, 3.2.1.1.3 или 3.2.1.2; и

б) разработанные для создания интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.2.1.5 инструменты для обработки полупроводников относятся к инструментам модульной конструкции, которые обеспечивают такие, отличные по функциональности, физические процессы производства полупроводников, как осаждение, имплантация или термообработка.

2. Для целей пункта 3.2.1.5 многопозиционная обработка пластин (подложек) означает возможность обрабатывать каждую пластину (подложку) с помощью различных инструментов для обработки полупроводников, например, путем передачи каждой пластины (подложки) от первого инструмента ко второму и далее к третьему посредством автоматически загружаемых многокамерных систем с центральным транспортно-загрузочным устройством

Примечание.

Пункт 3.2.1.5 не применяется к автоматическим роботизированным системам для загрузки-разгрузки пластин (подложек), специально разработанным для параллельной обработки пластин (подложек);

3.2.1.4.

Оборудование для литографии:

3.2.1.4.1.

Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего:

8443 39 390 0;

8486 10 000

а) источник света с длиной волны короче

193 нм; или

б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 45 нм и менее

Техническое примечание.

Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле:

МРР = (длина волны источника света в нанометрах) x (К фактор) / (числовая апертура), где К фактор = 0,35;

3.2.1.4.2.

Литографическое оборудование для печати, способное создавать элементы размером 45 нм или менее

8443 39;

8486 20 900

Примечание.

Пункт 3.1.2.4 включает:

а) инструментальные средства для микроконтактной литографии;

б) инструментальные средства для горячего тиснения;

в) литографические инструментальные средства для нанопечати;

г) литографические инструментальные средства для поэтапной и мгновенной печати;

3.2.1.4.3.

Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов, удовлетворяющее всем следующим условиям:

а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный, ионный или лазерный пучок; и

б) имеющее любую из следующих характеристик:

полную ширину пятна на полувысоте пучка менее 65 нм и на поверхности размещения изображения менее 17 нм (с вероятностью

+3 сигма); или

погрешность совмещения второго слоя менее 23 нм (с вероятностью +3 сигма) на шаблоне;

8456 11 000 0;

8456 12 000 0;

8486 20 900 3;

8486 40 000 1

3.2.1.4.4.

Производственное оборудование, разработанное для прямого формирования рисунка на подложке, удовлетворяющее всем следующим условиям:

а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный пучок; и

б) имеющее любую из следующих характеристик:

минимальный диаметр пучка 15 нм или менее; или

погрешность совмещения второго слоя менее 27 нм (с вероятностью +3 сигма);

8456 11 000 0;

8456 12 000 0;

8486 20 900 3;

8486 40 000 1

3.2.1.5.

Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1;

8486 90 900 3

3.2.1.6.

Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, иные чем определенные в пункте 3.2.1.6 и разработанные для применения в литографическом оборудовании, имеющем длину волны источника оптического излучения менее 245 нм

8486 90 900 3

Примечание.

Пункт 3.2.1.8 не применяется к многослойным шаблонам с фазосдвигающим слоем, разработанным для изготовления запоминающих устройств, иных чем определенных в пункте 3.1.1

Особое примечание.

Для масок и промежуточных шаблонов, специально разработанных для оптических датчиков см. пункт 6.2.2;

3.2.1.7.

Литографические шаблоны для печати, разработанные для интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1

8486 90 900 3

3.2.1.8.

Шаблонные заготовки (на подложке) со структурой многослойного зеркала, состоящие из молибдена и кремния и имеющие все следующие характеристики:

8486 90 900 3

а) специально разработанные для субмикронной ультрафиолетовой литографии; и

б) совместимые со стандартом SEMI P37

Техническое примечание.

"Субмикронная ультрафиолетовая" относится к длинам волны электромагнитного спектра более 5 нм и менее 124 нм

3.2.2.

Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления:

3.2.2.1.

Для измерения S-параметров изделий, определенных в пункте 3.1.1.2.3;

9031 80 380 0

3.2.2.2.

Для испытания изделий, определенных в пункте 3.1.1.2.2

9030;

9031 20 000 0;

9031 80 380 0

3.3.

Материалы

3.3.1.

Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов:

3.3.1.1.

Кремний (Si);

3818 00 100 0;

3818 00 900 0

3.3.1.2.

Германий (Ge);

3818 00 900 0

3.3.1.3.

Карбид кремния (SiC);

3818 00 900 0

3.3.1.4.

Соединения III - V на основе галлия или индия

3818 00 900 0

Примечание.

Пункт 3.3.1.4 не применяется к подложкам, имеющим один эпитаксиальный слой P-типа или более на основе соединений GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AllnP или InGaAlP, независимо от последовательности элементов, за исключением случаев, когда эпитаксиальный слой P-типа находится между слоями N-типа

3.3.1.5.

Оксид галлия (Ga2О3); или

3.3.1.6.

Алмаз (С)

3.3.2.

Резисты, определенные ниже, а также подложки, покрытые ими:

3.3.2.1.

Резисты, разработанные для полупроводниковой литографии:

3824 84 000 0;

3824 85 000 0;

3824 86 000 0;

3824 87 000 0;

3824 88 000 0;

3824 99 920 3;

3824 99 920 8;

3824 99 960 8

а) позитивные резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от 15 нм до 193 нм;

б) резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от более 1 нм

до 15 нм;

3.3.2.2.

Все резисты, разработанные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью

0,01 мкКл/мм2 или лучше;

3824 84 000 0;

3824 85 000 0;

3824 86 000 0;

3824 87 000 0;

3824 88 000 0;

3824 99 920 3;

3824 99 920 8;

3824 99 960 8

3.3.2.3.

Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка

3824 84 000 0;

3824 85 000 0;

3824 86 000 0;

3824 87 000 0;

3824 88 000 0;

3824 99 920 3;

3824 99 920 8

3824 99 960 8

3.3.2.4.

Все резисты, разработанные или приспособленные для применения с оборудованием для литографической печати, определенным в пункте 3.1.2.4 и использующим процесс термообработки или светоотверждения

3824 84 000 0;

3824 85 000 0;

3824 86 000 0;

3824 87 000 0;

3824 88 000 0;

3824 99 920 3;

3824 99 920 8;

3824 99 960 8

3.3.3.

Следующие органо-неорганические соединения:

3.3.3.1.

Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999 процента;

2931 90 000 9

3.3.3.2.

Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999 процента

2931

Примечание.

Пункт 3.3.3 применяется только к соединениям, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы

3.3.4.

Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999 процента, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде

2850 00 200 0;

2853 90 900 0

Примечание.

Пункт 3.3.4 не применяется к гидридам, содержащим 20 процентов или более молей инертных газов или водорода

3.3.5.

Материалы с высоким сопротивлением:

а) полупроводниковые подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN), нитрида галлия-алюминия (AlGaN), оксида галлия (Ga2O3), алмаза (С) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 10000 Ом·см при температуре 20°С;

б) поликристаллические или керамические подложки, имеющие сопротивление более 10000 Ом·см при температуре 20°С и как минимум один неэпитаксиальный монокристаллический слой из кремния (Si), карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN), нитрида галлия-алюминия (AlGaN), оксида галлия (Ga2O3) или алмаза (С) на поверхности подложки

3818 00 900 0

3.3.6.

Материалы, не определенные в пункте 3.3.1, состоящие из подложек, определенных в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN), нитрида галлия-алюминия (AlGaN), оксида галлия (Ga2O3) или алмаза (С)

3818 00 900 0

3.4.

Программное обеспечение

3.4.1.

Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, определенного

в пунктах 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или 3.2

3.4.2.

Программное обеспечение, специально разработанное для применения оборудования, определенного в пунктах 3.2.1.1 - 3.2.1.6 или 3.2.2

3.4.3.

Программное обеспечение для вычислительной литографии, специально разработанное для формирования рисунков на масках или промежуточных шаблонах, получаемых путем субмикронной ультрафиолетовой литографии

Техническое примечание.

Вычислительная литография - использование компьютерного моделирования для прогнозирования, корректировки, оптимизации и подтверждения качества формирования изображений литографического процесса с использованием различных шаблонов, процессов и состояний системы

3.4.4.

Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования (систем), определенного в пункте 3.1.3

3.4.5.

Программное обеспечение, специально разработанное для восстановления нормальной работы микроЭВМ, микросхем микропроцессора или микроЭВМ в течение

1 мс после воздействия на них электромагнитными импульсами или электростатическими разрядами без прекращения выполняемых операций

3.4.6.

Программное обеспечение электронных систем автоматизированного проектирования, специально разработанное для разработки интегральных схем с любым видом транзисторной геометрии, имеющим технологию полевого транзистора с круговым затвором, и имеющее любое из следующего:

а) специально разработанное для внедрения уровня регистровых передач в геометрическую базу данных стандарта II;

или

б) специально разработанное для оптимизации правил питания или синхронизации

Технические примечания.

1. Электронные системы автоматизированного проектирования - это категория программных продуктов, используемых для разработки, анализа, оптимизации и проверки работоспособности интегральной схемы или печатной платы.

2. Уровень регистровых передач - это проектная абстракция, моделирующая синхронную цифровую схему, исходя из потока цифровых сигналов между аппаратными регистрами и логическими операциями, выполняемыми по этим сигналам.

3. Геометрическая база данных стандарта II - это формат файла базы данных, который де-факто является отраслевым стандартом обмена данными интегральной схемы или макета интегральной схемы

3.5.

Технология

3.5.1.

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему списку для разработки или производства оборудования, определенного в пункте 3.1 или 3.2, или материалов, определенных в пункте 3.3

Примечание.

Пункт 3.5.1 не применяется:

а) к технологиям для оборудования (систем) или компонентов, определенных в пункте 3.1.3;

б) к технологиям для интегральных схем, определенных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и имеющих все следующее:

использующих технологии при разрешении 0,130 мкм или выше (хуже); и

содержащих многослойные структуры с тремя металлическими слоями или менее;

в) к инструментарию по технологической подготовке производства до тех пор, пока он не включает в себя библиотеки, выполняющие функции или включающие технологии для изделий, определенных в пункте 3.1.1

Техническое примечание.

К инструментарию по технологической подготовке производства относится пакет программного обеспечения, предоставленный производителем полупроводников, предназначенный для гарантирования того, что приняты во внимание требуемые практики и правила для успешного производства интегральных схем определенного дизайна в определенном полупроводниковом процессе в соответствии с технологическими и производственными ограничениями (каждый процесс производства полупроводников имеет свой собственный инструментарий по технологической подготовке производства)

3.5.2.

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему списку другие по сравнению с теми, которые определены в пункте 3.5.1, для разработки или производства ядра микросхем микропроцессора, микроЭВМ или микроконтроллера, имеющих арифметико-логическое устройство с длиной выборки

32 бит или более и любые из нижеприведенных особенностей или характеристик:

а) блок векторного процессора, предназначенный для выполнения более двух вычислений с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными

32-разрядными или более массивами) одновременно

Техническое примечание.

Блок векторного процессора является процессорным элементом со встроенными операторами, которые выполняют многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно, имеющим, по крайней мере, одно векторное арифметико-логическое устройство и векторные регистры с числом элементов не менее 32 в каждом;

б) разработанных для выполнения более четырех 64-разрядных или более операций с плавающей запятой, проходящих за цикл; или

в) разработанных для выполнения более восьми 16-разрядных операций умножения с накоплением с фиксированной запятой, проходящих за цикл (например, цифровая обработка аналоговой информации, которая была предварительно преобразована в цифровую форму, также известная как цифровая обработка сигналов)

Технические примечания:

1. Для целей подпунктов "а" и "б" пункта 3.5.2 плавающая запятая определяется в соответствии со стандартом IEEE-754.

2. Для целей подпункта "в" пункта 3.5.2 фиксированная запятая относится к моноширинному действительному числу одновременно с целым и дробным числами и не включает в себя исключительно целые числа

Примечания:

1. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям мультимедийных расширений.

2. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям ядер микропроцессоров, имеющих все следующее:

использующих технологии с разрешением

0,130 мкм или выше (хуже); и

содержащих многослойные структуры с пятью или менее металлическими слоями.

3. Пункт 3.5.2 включает технологии для разработки или производства процессоров цифровой обработки сигналов и цифровых матричных процессоров

3.5.3.

Прочие технологии разработки или производства:

а) вакуумных микроэлектронных приборов;

б) полупроводниковых электронных приборов на гетероструктурах, таких как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках

Примечание.

Подпункт "б" пункта 3.5.3 не применяется к технологиям для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц;

в) сверхпроводящих электронных приборов;

г) подложек из алмаза для электронных компонентов;

д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния;

е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов;

ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31,8 ГГц или выше;

з) подложек из оксида галлия для электронных компонентов

3.5.4.

Технологии, требуемые для резки, шлифовки и полировки кремниевых пластин диаметром

300 мм в целях достижения вычисленного методом наименьших квадратов расстояния от передней поверхности контактной площадки в 20 нм или менее для любой контактной площадки размером 26 мм x 8 мм на передней поверхности пластины и отклонения краев 2 мм или менее

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.5.4 расстояние от передней поверхности контактной площадки, вычисленное методом наименьших квадратов, - расстояние максимального и минимального отклонения от передней эталонной плоскости, вычисленное методом наименьших квадратов со всеми данными о передней поверхности, включая границы площадки в пределах контактной площадки

Категория 4. Вычислительная техника

Примечания:

1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 категории 5 (Телекоммуникации).

2. Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, устройства оперативной памяти или дисковые контроллеры, не рассматриваются как телекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 категории 5 (Телекоммуникации)

Особое примечание.

Для определения контрольного статуса программного обеспечения, специально разработанного для коммутации пакетов, следует применять пункт 5.4.1

Техническое примечание.

Оперативная память - основное место хранения данных или инструкций для быстрого доступа из центрального процессора. Состоит из внутренней памяти цифрового компьютера и любых иерархических расширений, таких как кэш-память или расширенная память параллельного доступа

4.1.

Системы, оборудование и компоненты

4.1.1.

ЭВМ и сопутствующее оборудование, специально разработанные, чтобы отвечать любому из нижеприведенных условий, а также электронные сборки и специально разработанные компоненты для них:

8471

а) быть определенными изготовителем для работы при температуре внешней среды ниже 228 К (-45°C) или выше 358 К (85°C); или

Примечание.

Подпункт "а" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских автомобилей, железнодорожных поездов или гражданских летательных аппаратов

б) быть радиационно стойкими при превышении любого из определенных ниже требований:

1) общей дозы 5 x 10 ³ Гр (по кремнию)

[5 x 10 ⁵ рад];

2) мощности дозы 5 x 10 ⁶ Гр (по кремнию)/с

[5 x 10 ⁸ рад/с]; или 3) сбоя от однократного события 10 ^-8 ошибок/бит/день

Примечание.

Подпункт "б" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских летательных аппаратов

Особое примечание.

В отношении ЭВМ и сопутствующего оборудования, соответствующих требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1, см. также пункт 4.1.1 раздела 2

4.1.2.

Цифровые ЭВМ, электронные сборки и сопутствующее оборудование, определенные ниже, а также специально разработанные для них компоненты:

Примечания:

1. Пункт 4.1.2 включает:

а) векторные процессоры;

б) матричные процессоры;

в) процессоры цифровой обработки сигналов;

г) логические процессоры;

д) оборудование для улучшения качества изображения.

2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.2, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если:

а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем;

б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и

Особые примечания:

1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально разработанного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом такого оборудования, даже если первое превосходит критерий основного элемента.

2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации)

в) технология цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5

4.1.2.1.

Цифровые ЭВМ, имеющие приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 70 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ);

8471 60;

8471 70;

8471 80 000 0;

8471 90 000 0

4.1.2.2.

Электронные сборки, специально разработанные или модифицированные для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, определенное в пункте 4.1.2.1

8471 60;

8471 70;

8471 80 000 0;

8471 90 000 0

Примечания:

1. Пункт 4.1.2.2 применяется только к электронным сборкам и программируемым взаимосвязям, не превышающим пределы, определенные в пункте 4.1.2.1, при поставке в виде необъединенных электронных сборок.

2. Пункт 4.1.2.2 не применяется к электронным сборкам, специально разработанным для отдельных изделий или целого семейства изделий, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, определенные в пункте 4.1.2.1

Особое примечание.

Для электронных сборок, модулей или аппаратуры, выполняющих аналого-цифровые преобразования, см. пункт 3.1.2.7;

4.1.2.3.

Устройства, специально разработанные для получения общей производительности цифровых ЭВМ, объединенных с помощью внешних соединений, которые имеют однонаправленную скорость передачи данных, превышающую 2,0 Гбайт/с на канал

8471 90 000 0;

8517 61 000 1;

8517 62 000

Примечание.

Пункт 4.1.2.3 не применяется к внутренним (например, соединительные платы, шины) или пассивным устройствам связи, контроллерам доступа к сети или контроллерам каналов связи

4.1.3.

ЭВМ, определенные ниже, и специально разработанные сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них:

4.1.3.1.

ЭВМ с систолической матрицей;

8471

4.1.3.2.

Нейронные ЭВМ;

8471

4.1.3.3.

Оптические ЭВМ

8471

Технические примечания:

1. ЭВМ с систолической матрицей - компьютер, в котором поток данных и их преобразование могут контролироваться динамически на уровне логической схемы пользователя.

2. Нейронная ЭВМ - вычислительное устройство, разработанное или модифицированное для имитации поведения нейрона или совокупности нейронов, например вычислительное устройство, характеризуемое способностью аппаратуры модулировать вес и количество взаимных связей множества вычислительных компонентов на основе предыдущей информации.

3. Оптическая ЭВМ - аппаратура, спроектированная или модифицированная в целях использования оптического излучения для представления данных, вычислительные логические элементы которой основаны на непосредственно связанных между собой оптических устройствах

4.1.4.

Системы, оборудование и компоненты, специально разработанные или модифицированные для создания, функционирования или внедрения с использованием средств связи программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети

8471;

8541 59 000 0;

8542 31 300 0;

8542 32 300 0;

8542 33 300 0;

8542 39 300 0

4.2.

Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет

4.3.

Материалы - нет

4.4.

Программное обеспечение

Примечание.

Контрольный статус программного обеспечения для оборудования, указанного в других категориях, определяется по описанию соответствующей категории

4.4.1.

Программное обеспечение следующих видов:

4.4.1.1.

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства оборудования или программного обеспечения, определенного в пункте 4.1 или 4.4 соответственно;

4.4.1.2.

Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 4.4.1.1, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства:

а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 24 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или

б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.4.1.2

Особое примечание.

В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 4.4.1, см. также пункт 4.4.1 раздела 2

4.4.3.

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для создания, функционирования или внедрения с использованием средств связи программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети

Примечание.

Пункт 4.4.3 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному для предоставления обновлений или модернизации программного обеспечения (ограниченного указанными функциями), соответствующему всему следующему:

а) обновление или модернизация запускается только при авторизации владельцем или администратором системы, получающей обновление или модернизацию; и

б) после обновления или модернизации обновленное или модернизированное программное обеспечение не является любым из следующего:

программным обеспечением, определенным в пункте 4.4.3; или

программным обеспечением, предназначенным для несанкционированного доступа в компьютерные сети

4.5.

Технология

4.5.1.

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или применения оборудования или программного обеспечения, определенного в пункте 4.1 или 4.4 соответственно

4.5.2.

Технологии иные, чем определенные

в пункте 4.5.1, специально разработанные или модифицированные для разработки или производства:

а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 24 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или

б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.5.2

4.5.3.

Технологии для разработки программного обеспечения несанкционированного доступа в компьютерные сети

Особое примечание.

В отношении технологий, указанных в пунктах 4.5.1 и 4.5.2, см. также пункт 4.5.1 раздела 2

Примечания:

1. Пункты 4.5.1 и 4.5.3 не применяются к технологиям обнаружения уязвимостей и реагирования на кибератаку.

2. Пункт 1 настоящего примечания не ограничивает право национального уполномоченного органа страны-экспортера убедиться в соответствии технологий условиям пунктов 4.5.1 и 4.5.3