Приложение А (справочное). Сокращения, используемые для основных видов современной оперативной памяти

Приложение А
(справочное)

Сокращения, используемые для основных видов современной оперативной памяти

Таблица А.1

Сокращение	Определение
Основные виды памяти
RAM	Random access memory - память с произвольным доступом
SRAM	Static random access memory - энергозависимая статическая память с произвольным доступом, использующая для хранения данных схему с бистабильной фиксацией.
	Примечание - Типичная ячейка хранения данных - триггер
DRAM	Dynamic Random Access Memory - тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом (RAM), где каждый бит информации хранится в отдельном конденсаторе интегральной схемы, а также ЗУ, наиболее широко используемое в качестве ОЗУ современных компьютеров
FRAM	Ferromagnetic Random Access non-volatile Memory - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память.
	Примечание - Тип памяти, принцип работы которого основывается на эффекте гистерезиса в сегнетоэлектрике
3D XPoint (Optane)	3D Cross Point - энергонезависимая память на фазовых переходах, разработанная совместно компаниями Intel и Micron.
	Примечание - Для записи информации в ячейках памяти используется изменение сопротивления материала
Модификации и поколения оперативной DRAM-памяти
SDRAM	Synchronous Dynamic Random Access Memory - разновидность DRAM, синхронная динамическая память с произвольным доступом, позволяющая совместную обработку данных
SGRAM	Synchronous Graphic Random Access Memory - модификация DRAM с синхронным доступом для использования в видеоадаптерах, особенностью которой является использование маскирования при записи блока.
	Примечание - Маскирование записи позволяет выбрать данные, которые будут изменены за одну операцию. В видеокартах такой способ (блочная запись) заполнения буфера данными для фонового изображения и изображения на переднем плане обрабатывается более эффективно, чем традиционная последовательность операций чтения, обновления и записи
DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR4 SDRAM, DDR5 SDRAM	Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory - синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных первого, второго, третьего, четвертого и пятого поколений соответственно
GDDR, GDDR2, GDDR3, GDDR4, GDDR5, GDDR6	Graphics Double Data Rate - Модификация энергозависимой динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) и удвоенной скоростью передачи данных (DDR), предназначенная для использования в графических картах (видеокартах) первого и последующих поколений соответственно.
	Примечание - GDDR отличается от более широко известных подтипов памяти DDR SDRAM, хотя их основные технологии являются общими, включая удвоенную скорость передачи данных
LPDDR, mDDR, Low Power DDR	Low Power DDR - это модификация памяти DDR SDRAM для мало потребляемых интерфейсов DDR с некоторыми изменениями для снижения энергопотребления, предназначенная специально для мобильных устройств
LPDDR, LPDDR2 LPDDR3, LPDDR4 и LPDDR4X LPDDR5 и LPDDR5X	Модификации LPDDR второго и последующих поколений
VRAM	Video RAM - оперативная память для временного хранения изображения (буфер кадра), сформированного видеоадаптером и передаваемого на видеомонитор.
	Примечание - Является двухпортовой памятью - может одновременно записывать данные для изменения изображения в то время, когда видеоадаптер непрерывно считывает содержимое для прорисовки его на экране
WRAM	Window RAM - является схемотехническим развитием памяти VRAM - в этой разновидности памяти добавлены электронные логические схемы, ускоряющие общие видеофункции
MDRAM	Multibank DRAM - много банковое ОЗУ. Модульная динамическая память для видеоадаптеров, в которой обеспечивается возможность одновременного независимого обращения к различным ее областям. Такая память состоит из набора модулей DRAM, ассортимент которых обычно настолько широк, что можно набрать требуемый объем памяти с минимальным неиспользуемым остатком
Часто используемые форм-факторы модулей памяти
DIMM	Dual In-line Memory Module - двухсторонний модуль памяти, форм-фактор модулей памяти DRAM.
	Примечание - Выпускаются в виде двусторонних модулей памяти с количеством контактов: 168, 184, 240, 288 шт.
SO-DIMM	Small Outline DIMM - модуль памяти уменьшенного размера.
	Примечание - Предназначен для использования в портативной цифровой технике. Выпускаются в виде двусторонних модулей памяти с количеством контактов: 144, 200, 204, 260 шт.
Модификации DIMM разных поколений памяти
U-DIMM	Unregistered DRAM - нерегистровая или небуферизованная память (оперативная память, которая не содержит буферов или регистров)
R-DIMM	Registered DIMM или иногда buffered memory - вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти.
	Примечание - Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Используется для повышения надежности, скорости и плотности подсистемы памяти
LR-DIMM	Load Reduced Dual In-Line Memory Modules (так называемый модуль со сниженной нагрузкой) - относительно новый тип памяти для серверов.
	Примечание - Поддерживается процессорами начиная с Intel Xeon Е5 и AMD Opteron 6200 начиная с 2012 г. Модули LR-DIMM очень похожи на "обычные" модули памяти типа Registered DIMM (R-DIMM) и даже используют те же печатные платы и чипы памяти DRAM. Однако принцип работы модулей существенно отличается
FB-DIMM	Fully Buffered DIMM - полностью буферизованная DIMM (вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти).
	Примечание - Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Стандарт компьютерной памяти, который используется для повышения надежности, скорости и плотности подсистемы памяти
HDIMM или HCDIMM	HyperCloud DIMM - модули с виртуальными рангами, которые имеют большую плотность и обеспечивают более высокую скорость работы