Приложение А (обязательное). Спецификации декларативных знаний по техническим характеристикам

Приложение А
(обязательное)

Спецификации декларативных знаний по техническим характеристикам

Таблица А.1 - Перечень ТХ ЭКБ группы: 1.1 "ФТХ с"

УН ТХ	Наименование ТХ	Тип данных	Единица измерения	Квалификатор	Определение (физический смысл ТХ)
1.1.1	Время выборки (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 103) Синонимы: - Время выборки интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	с	ВП	Интервал времени между подачей на вход микросхемы заданного сигнала и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 103)
1.1.2	Время задержки распространения при включении (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 90) Синонимы: - Время задержки распространения при включении интегральной микросхемы; - Время задержки распространения сигнала при включении (по ГОСТ 18683.2-83, пункт 2.3.2)	Дробное десятичное число	с	ВП	Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 90)
1.1.3	Время задержки распространения при выключении (по ГОСТ Р 57441-2017, пункт 2, N 91) Синонимы: - Время задержки распространения при выключении интегральной микросхемы; - Время задержки распространения сигнала при выключении (по ГОСТ 18683.2-83, пункт 2.3.2)	Дробное десятичное число	с	ВП	Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 91)
1.1.4	Время задержки импульса интегральной микросхемы Синонимы: - Время задержки; - Задержка переключения (ТУ)	Дробное десятичное число	с	ВП	Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока
1.1.5	Время преобразования (по ГОСТ 29109-91, глава II, пункт 2.3.1)	Дробное десятичное число	с	ВП	Время, прошедшее между подачей команды на выполнение преобразования и появлением на выходе преобразователя полного цифрового представления аналоговой входной величины. П р и м е ч а н и е - Максимальная заданная скорость преобразования меньше, чем обратная величина максимального времени преобразования, поскольку необходимо дополнительное время на установление и восстановление (по ГОСТ 29109-91, глава II, пункт 2.3.1)
1.1.6	Время преобразования электронного датчика (по ГОСТ Р 51086-97, пункт 13) Синонимы: - Время цикла измерения (ТУ); - Время срабатывания (ТУ)	Дробное десятичное число	с	ВП	Время преобразования электронного датчика [преобразователя физической величины] - интервал времени от момента начала изменения входного сигнала электронного датчика [преобразователя физической величины] до момента появления соответствующего выходного сигнала (по ГОСТ Р 51086-97, пункт 13)
1.1.7	Время нарастания выходного сигнала (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 98) Синонимы: - Время нарастания сигнала интегральной микросхемы (ТУ); - Время нарастания сигнала (ТУ); - Время нарастания импульса (ТУ); - Время нарастания импульса выходного напряжения (ТУ)	Дробное десятичное число	с	ВП	Интервал времени нарастания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 от заданного значения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 98)
1.1.8	Время спада выходного сигнала (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 99) Синонимы: - Время спада сигнала интегральной микросхемы (ТУ); - Время спада сигнала (ТУ); - Время спада импульса (ТУ); - Время спада импульса выходного напряжения (ТУ)	Дробное десятичное число	с	ВП	Интервал времени убывания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от заданного значения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 99)
1.1.9	Время включения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 85) Синонимы: - Время включения интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	с	ВП	Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 85)
1.1.10	Время выключения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 86) Синонимы: - Время выключения интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	с	ВП	Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 86)
1.1.11	Время задержки включения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 88) Синонимы: - Время задержки включения интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	с	ВП	Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 88)
1.1.12	Время задержки выключения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 89) Синонимы: - Время задержки выключения интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	с	ВП	Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 89)
1.1.13	Время перехода при включении Синонимы: - Время перехода при включении интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	с	ВП	Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения
1.1.14	Время перехода при выключении Синонимы: - Время перехода при выключении интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	с	ВП	Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения
1.1.15	Время переключения частоты [1]	Дробное десятичное число	с	ВП	Время, за которое делитель входной частоты перестраивается на новый коэффициент деления [1]
1.1.16	Время установления (по ГОСТ 29107-91, глава II, пункт 1.4.4) Синонимы: - Время установления входных сигналов интегральной микросхемы; - Время установления входных сигналов	Дробное десятичное число	с	ВП	Интервал времени между подачей сигнала, который поддерживается на заданном выводе входа, и последующим активным переходом на другом заданном выводе входа (по ГОСТ 29107-91, глава II, пункт 1.4.4). П р и м е ч а н и я 1 Время установления измеряется между моментами, когда два сигнала достигают заданных значений в зоне перехода между двумя уровнями сигнала. 2 Время установления - это время между подачей двух сигналов; оно может быть недостаточным для получения желаемого результата. Учитывается минимальное значение, т.е. самый короткий интервал, при котором гарантируется правильная работа цифровой схемы. 3 Время установления может иметь отрицательное значение, в этом случае минимальный предел определяет самый длинный интервал (между моментом активного перехода и моментом подачи другого сигнала), при котором гарантирована правильная работа цифровой схемы
1.1.17	Время включения защиты (ТУ) Синонимы: - Время включения защиты в автоматическом режиме (ТУ) [2]	Дробное десятичное число	с	ВП	Значение времени, от начала превышения тока потребляемого нагрузкой выше допустимого значения до отключения нагрузки [2]
1.1.20	Время цикла (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 100) Синонимы: - Время цикла интегральной микросхемы; - Максимальная длительность рабочего цикла (ТУ); - Максимальная длительность цикла (ТУ)	Дробное десятичное число	с	ВП	1 Время цикла микросхемы - длительность периода сигналов на одном из управляющих входов, в течение которой микросхема выполняет одну из функций (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 100). 2 Максимальное значение параметра интегральной микросхемы - наибольшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям
1.1.22	Длительность фронта входного сигнала Синонимы: - Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы; - Фронт входного импульса (ТУ)	Дробное десятичное число	с	НП	1 Интервал времени нарастания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 номинального значения. 2 Фронт импульса (по ГОСТ 16465-70, приложение 1). 3 Активная длительность фронта (среза) импульсного сигнала - интервал времени нарастания (убывания) значения амплитуды сигнала от 0,1 до 0,9 (от 0,9 до 0,1) номинального значения (по ГОСТ 26.013-81, приложение 1)
1.1.23	Длительность спада входного сигнала Синонимы: - Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы; - Срез входного импульса (ТУ)	Дробное десятичное число	с	НП	1 Интервал времени убывания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 номинального значения. 2 Срез импульса (по ГОСТ 16465-70, приложение 1). 3 Активная длительность фронта (среза) импульсного сигнала - интервал времени нарастания (убывания) значения амплитуды сигнала от 0,1 до 0,9 (от 0,9 до 0,1) номинального значения (по ГОСТ 26.013-81, приложение 1)
1.1.24	Время установления выходного напряжения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 109) Синонимы: - Время установления напряжения (ТУ)	Дробное десятичное число	с	ВП	Интервал времени с момента достижения выходным напряжением уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданной величины (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 109)

Таблица А.2 - Перечень ТХ ЭКБ группы: 1.2 "ФТХ бит"

УН ТХ	Наименование ТХ	Тип данных	Единица измерения	Квалификатор	Описание (физический смысл ТХ)
1.2.1	Емкость оперативного запоминающего устройства (по ГОСТ Р 55893-2013, пункт 3.2) Синонимы: - Емкость ОЗУ (ТУ)	Натуральное число	бит	Н	1 Информационная емкость оперативного запоминающего устройства - наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в запоминающем устройстве (по ГОСТ 25492-82, пункт 26). 2 Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) - Random access memory (RAM): 1) Запоминающее устройство, в котором выборка каждой ячейки (элемента) может быть произведена с помощью соответствующих электрических сигналов, подаваемых на вход, а хранимая информация может: а) либо считываться на соответствующих выходах; б) либо изменяться другими соответствующими электрическими сигналами, подаваемыми на вход (по ГОСТ 29107-91, пункт 3.3.2). 2) Запоминающее устройство, непосредственно связанное с центральным процессором и предназначенное для данных, оперативно участвующих в выполнении арифметико-логических операций (по ГОСТ 25492-82, пункт 5)
1.2.2	Емкость постоянного запоминающего устройства (по ГОСТ Р 55893-2013, пункт 3.2) Синонимы: - Емкость ПЗУ (ТУ)	Натуральное число	бит	Н	1 Информационная емкость оперативного запоминающего устройства - наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в запоминающем устройстве (по ГОСТ 25492-82, пункт 26). 2 Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) - Read-only memory (ROM): 1) Устройство, содержимое которого предназначено только для считывания и не должно изменяться в условиях нормальной работы (по ГОСТ 29107-91, пункт 3.3.1). 2) Запоминающее устройство, из которого может производиться только считывание данных (по ГОСТ 25492-82, пункт 6)
1.2.3	Скорость передачи данных (по ГОСТ Р 55893-2013, пункт 3.2) Синонимы: - Скорость передачи битов данных (по ГОСТ 17657-79, пункт 95); - Скорость передачи битов (по ГОСТ 17657-79, пункт 95); - Максимальная скорость передачи данных (ТУ)	Дробное десятичное число	бит/с	НП	Скорость передачи символов данных, выраженная числом битов данных, переданных в единицу времени. П р и м е ч а н и е - Единицей измерения этой скорости является бит/с (по ГОСТ 17657-79, пункт 95)
1.2.4	Информационная емкость (по ГОСТ Р 55893-2013, пункт 3.3) Синонимы: - Информационная емкость запоминающего устройства (по ГОСТ 25492-82, пункт 26); - Объем памяти (ТУ); - Объем встроенной памяти (ТУ)	Натуральное число	бит	Н	Информационная емкость запоминающего устройства - наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в запоминающем устройстве (по ГОСТ 25492-82, пункт 26)

Таблица А.3 - Перечень ТХ ЭКБ группы: 1.3 "ФТХ -"

УН ТХ	Наименование ТХ	Тип данных	Единица измерения	Квалификатор	Описание (физический смысл ТХ)
1.3.1	Амплитудная ошибка [3]	Дробное десятичное число	дБ	ВП	Максимальное отклонение амплитуды выходного напряжения от его значения при ослаблении, заданном состоянием на управляемых выводах [3] П р и м е ч а н и е - Применительно к аттенюаторам с цифровым управлением
1.3.3.1	Коэффициент деления частоты (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 123) Синонимы: - Коэффициент деления частоты интегральной микросхемы; - Коэффициент деления (ТУ)	Дробное десятичное число	-	Н	Коэффициент деления частоты - отношение частоты входного сигнала интегральной микросхемы к частоте выходного сигнала (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 123)
1.3.3.2	Коэффициент умножения частоты (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 123) Синонимы: - Коэффициент умножения частоты интегральной микросхемы; - Коэффициент умножения (ТУ)	Дробное десятичное число	-	Н	Отношение частоты выходного сигнала интегральной микросхемы к частоте входного сигнала (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 123)
1.3.4	Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 127) Синонимы: - Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики интегральной микросхемы; - Коэффициент нелинейности сигнала (ТУ)	Дробное десятичное число	%	ВП	Наибольшее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 127)
1.3.5	Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 125) Синонимы: - Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	дБ	HP	1 Отношение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 125). 2 Входное напряжение синфазное - напряжение между каждым из сигнальных входов микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и временное распределение которых совпадают (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 16)
1.3.7	Коэффициент передачи (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 16) Синонимы: - Коэффициент передачи интегральной микросхемы; - Статический коэффициент передачи (ТУ)	Дробное десятичное число	дБ	HP	Отношение приращения значения выходного напряжения к приращению значения входного напряжения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 131)
1.3.8	Коэффициент преобразования (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 133) Синонимы: - Коэффициент преобразования электронного датчика [преобразователя физической величины] (по ГОСТ Р 51086-97, раздел 2, пункт 14)	Дробное десятичное число	дБ	НП	1 Коэффициент преобразования - отношение приращения параметра выходного сигнала к вызвавшему его приращению параметра входного сигнала (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 133). 2 Коэффициент преобразования электронного датчика [преобразователя физической величины] - величина, характеризующая отношение параметров входного и выходного сигналов электронного датчика [преобразователя физической величины] (по ГОСТ Р 51086-97, раздел 2, пункт 14)
1.3.9	Коэффициент усиления напряжения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 117)	Дробное десятичное число	-	НП	Отношение приращения выходного напряжения к приращению входного напряжения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 117)
1.3.10	Коэффициент шума (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 117) Синонимы: - Коэффициент шума интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	дБ	ВП	Отношение среднеквадратического напряжения шумов на выходе интегральной микросхемы к среднеквадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 117)
1.3.11	Коэффициент стабилизации входного напряжения Синонимы: - Коэффициент стабилизации входного напряжения интегральной микросхемы; - Коэффициент стабилизации (ТУ)	Дробное десятичное число	-	ВП	Отношение относительного изменения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы к заданному относительному изменению входного напряжения при отсутствии других дестабилизирующих факторов
1.3.12	Коэффициент усиления тока (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 117) Синонимы: - Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы; - Коэффициент усиления по току (ТУ)	Дробное десятичное число	-	НП	Отношение приращения выходного тока к приращению входного тока (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 117)
1.3.13	Коэффициент полезного действия (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 129) Синонимы: - Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы; - КПД (ТУ)	Дробное десятичное число	%	НП	Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к потребляемой мощности (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 129)
1.3.14	Крутизна преобразования Синонимы: - Крутизна преобразования интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	А/В	Р	Отношение выходного тока смесителя к вызвавшему его приращению входного напряжения при заданном напряжении гетеродина интегральной микросхемы
1.3.15	Крутизна проходной характеристики (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 166) Синонимы: - Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы; - Крутизна характеристики (ТУ)	Дробное десятичное число	А/В	Р	Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного напряжения в заданном электрическом режиме (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 166)
1.3.17	Максимальная скорость нарастания выходного напряжения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 160) Синонимы: - Максимальная скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы; - Скорость нарастания выходного напряжения максимальная (по ГОСТ Р 57441-2017, АУТ, пункт 160); - Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы максимальная	Дробное десятичное число	В/с	НП	Отношение изменения выходного напряжения от уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 160)
1.3.18	Дифференциальная нелинейность (по ГОСТ Р 55893-2013, пункт 3,7.1, ГОСТ 29109-91, глава II, пункт 2.2.5.5, ГОСТ 24736-81, приложение) Синонимы: - Дифференциальная нелинейность цифроаналоговых преобразователей (по ГОСТ 24736-81, пункт 8); - Дифференциальная нелинейность аналого-цифровых преобразователей (по ГОСТ 24736-81, пункт 8); - Дифференциальная нелинейность ЦАП (ТУ); - Дифференциальная нелинейность АЦП (ТУ)	Дробное десятичное число	МЗР	Р	1 Дифференциальная нелинейность (линейного АЦП или ЦАП) - разность между действительным и идеальным (1 МЗР) значениями кванта (по ГОСТ 29109-91, глава II, пункт 2.2.5.5). Квант - абсолютное значение разности между уровнями двух смежных ступеней на характеристике преобразования (по ГОСТ 29109-91, глава II, пункт 2.1.11). 2 Максимальное отклонение разности двух аналоговых сигналов, соответствующих последовательной смене кодов, от значения, соответствующего единице младшего значащего разряда, %, или единица младшего значащего разряда (по ГОСТ 24736-81, приложение)
1.3.19	Нелинейность (по ГОСТ Р 55893-2013, пункт 3.7.1, ГОСТ 29109-91, глава II, пункт 2.2.5.4) Синонимы: - Нелинейность аналого-цифровых преобразователей (по ГОСТ 24736-81, приложение); - Нелинейность цифроаналоговых преобразователей (по ГОСТ 24736-81, приложение); - Интегральная нелинейность (по ГОСТ 30606-98, раздел 3); - Нелинейность функции преобразования (по ГОСТ 30606-98, раздел 3); - Нелинейность характеристики преобразования (ТУ); - Интегральная нелинейность ЦАП (ТУ); - Интегральная нелинейность АЦП (ТУ); - Нелинейность преобразования (ТУ)	Дробное десятичное число	%, МЗР	Р	1 Нелинейность (линейного и регулируемого АЦП или ЦАП). Нелинейность относительно прямой, проведенной через начальную и конечную точки характеристики преобразования (линейного и регулируемого АЦП), - разность между действительным значением аналоговой величины и идеальным значением межкодового перехода между любыми двумя смежными ступенями, определенная после сведения смещения и погрешности коэффициента преобразования к нулю (по ГОСТ 29109-91, пункт 2.2.5.4). 2 Нелинейность функции преобразования (интегральная нелинейность) - максимальное отклонение реальной функции преобразования от соответствующих точек на прямой линии, аппроксимирующей эту функцию (по ГОСТ 30606-98, раздел 3). 3 Нелинейность цифроаналоговых преобразователей - отклонение от установленной прямой линии характеристики преобразования, %, или единица МЗР (по ГОСТ 24736-81, приложение). 4 Нелинейность аналого-цифровых преобразователей - отклонение от установленной прямой линии точек характеристики преобразования, делящих пополам расстояние между средними значениями пороговых уровней, % или единица МЗР (по ГОСТ 24736-81, приложение)
1.3.20	Погрешность коэффициента преобразования (ТУ)	Дробное десятичное число	%	ВП	1 Относительное отклонение параметра интегральной микросхемы - отношение отклонения параметра интегральной микросхемы к его номинальному значению. 2 Коэффициент преобразования - отношение приращения параметра выходного сигнала к вызвавшему его приращению параметра входного сигнала (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 133)
1.3.23	Отношение сигнал/шум (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 167) Синонимы: - Отношение сигнал/шум интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	дБ	НП	Отношение эффективного значения выходного напряжения интегральной микросхемы, содержащего только низкочастотные составляющие, соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулированном сигнале в определенной полосе частот (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 167)
13.24.1	Ошибка измерения (ТУ)	Дробное десятичное число	См. Описание	ВП	1 Ошибка - алгебраическая разность между измеренным и истинным значениями измеряемой величины (по ГОСТ Р МЭК 60770-3-2016, пункт 3.16). 2 Единица измерения зависит от параметра, который измеряет датчик, например для датчика измерения температуры - единица измерения °C
1.3.24.2	Погрешность калибровки (ТУ)	Дробное десятичное число	См. Описание	ВП	1 Погрешность (абсолютная) - алгебраическая разность между фактическим значением выходного сигнала и его нормативным значением (по ГОСТ Р МЭК 60688-2015, пункт 3.7.1). 2 Калибровка - последовательность операций, устанавливающая в соответствии со стандартами зависимость, реализуемую при определенных условиях, между показаниями измерительного устройства и действительными значениями измеряемой величины. П р и м е ч а н и е - Зависимость между показаниями измерительного устройства и действительными значениями измеряемой величины может быть выражена с помощью калибровочной диаграммы (по ГОСТ Р МЭК 60770-3-2016, пункт 3.6) 3 Единица измерения зависит от параметра, который измеряет датчик, например для датчика измерения температуры - единица измерения °C
1.3.24.3	Разрешающая способность измерения (ТУ)	Дробное десятичное число	См. Описание	НП	1 Разрешающая способность измерительного прибора - наименьшая разность между показаниями, которая может быть заметно различима по [4]. П р и м е ч а н и е - Измеряемым параметром может быть амплитуда, цветовое различие и пр. 2 Единица измерения зависит от параметра, который измеряет датчик, например для датчика измерения температуры - единица измерения °C
1.3.26	Коэффициент нестабильности источника опорного напряжения (ТУ)	Дробное десятичное число	-	ВП	1 Нестабильность параметра интегральной микросхемы - отношение относительного отклонения параметра интегральной микросхемы к вызвавшему его дестабилизирующему фактору. 2 Опорное напряжение - постоянное напряжение с заданными требованиями по точности и стабильности его значения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 28)
1.3.27	Фазовая ошибка (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 169) Синонимы: - Ошибка фазовая (по ГОСТ Р 57441-2017, АУТ, пункт 169)	Дробное десятичное число	...°	ВП	Среднеквадратическое отклонение фазы выходного напряжения от значения фазы заданного входного сигнала (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 169)
1.3.35	Температурный коэффициент напряжения (по ГОСТ Р 55893-2013, пункт 3.4.1) Синонимы: - Температурный коэффициент регулируемого выходного напряжения (по ГОСТ 29108-91, глава II, пункт 2.2.4.1)	Дробное десятичное число	%	ВП	1 Температурный коэффициент регулируемого выходного напряжения (для стабилизаторов напряжения) - отношение относительного изменения выходного напряжения к заданному изменению температуры при отсутствии других дестабилизирующих факторов (по ГОСТ 29108-91, глава II, пункт 2.2.4.1). 2 Параметр используется для стабилизаторов напряжения (по ГОСТ Р 55893-2013, пункт 3.4.1)
1.3.36	Вносимые потери (ТУ) [5]	Дробное десятичное число	дБ	ВП	Величина ослабления входного сигнала [5]
1.3.37	Начальное ослабление [3]	Дробное десятичное число	дБ	ВП	Отношение уровня мощности сигнала на входе к уровню мощности полезного сигнала на выходе аттенюатора, выраженное в дБ [3]

Таблица А.4 - Перечень ТХ ЭКБ группы: 2.1 "ЭТХ В"

УН ТХ	Наименование ТХ	Тип данных	Единица измерения	Квалификатор	Описание (физический смысл ТХ)
2.1.1	Входное напряжение низкого уровня (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.1.3) Синонимы: - Входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы; - Напряжение низкого уровня входное	Дробное десятичное число	В	ВП	1 Входное напряжение в пределах наименее положительного (наиболее отрицательного) из двух диапазонов значений, используемых для представления двоичной переменной (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.1.3). 2 Напряжение низкого уровня на входе интегральной микросхемы. П р и м е ч а н и е - Напряжение низкого уровня - наименее положительное (наиболее отрицательное) напряжение
2.1.2	Входное напряжение высокого уровня (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.1.2) Синонимы: - Входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы; - Напряжение высокого уровня входное	Дробное десятичное число	В	НП	1 Входное напряжение в пределах наиболее положительного (наименее отрицательного) из двух диапазонов значений, используемых для представления двоичной переменной (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.1.2). 2 Напряжение высокого уровня на выходе интегральной микросхемы. П р и м е ч а н и е - Напряжение высокого уровня - наиболее положительное (наименее отрицательное) напряжение
2.1.3	Выходное напряжение (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 20) Синонимы: - Напряжение выходное (по ГОСТ Р 57441-2017, АУТ, пункт 20); - Напряжение интегральной микросхемы выходное; - Выходное напряжение интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	В	НП, ВП	Напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданном режиме (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 20)
2.1.4	Выходное напряжение низкого уровня (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.2.2) Синонимы: - Выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы; - Напряжение низкого уровня выходное; - Нижний уровень выходного напряжения (ТУ)	Дробное десятичное число	В	ВП	Напряжение на выходе, которое при заданных условиях на входе должно устанавливать на выходе состояние низкого уровня (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.2.2)
2.1.5	Выходное напряжение высокого уровня (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.2.2) Синонимы: - Выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы; - Напряжение высокого уровня выходное; - Верхний уровень выходного напряжения (ТУ)	Дробное десятичное число	В	НП	Напряжение на выходе, которое при заданных условиях на входе должно устанавливать на выходе состояние высокого уровня (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.2.1)
2.1.6	Входное напряжение открытой микросхемы (ТУ)	Дробное десятичное число	В	Р	1 Напряжение на входе интегральной микросхемы в замкнутом состоянии ключа (ключ включен и его сопротивление мало). 2 Входное напряжение интегральной микросхемы - напряжение на входе интегральной микросхемы в заданном режиме
2.1.7	Выходное напряжение открытой микросхемы (ТУ)	Дробное десятичное число	В	Р	1 Напряжение на выходе интегральной микросхемы в замкнутом состоянии ключа (ключ включен и его сопротивление мало). 2 Выходное напряжение интегральной микросхемы - напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданном режиме
2.1.9	Максимальное выходное напряжение Синонимы: - Максимальное выходное напряжение интегральной микросхемы; - Напряжение выходное максимальное	Дробное десятичное число	В	ВП	Выходное напряжение интегральной микросхемы при заданном сопротивлении нагрузки и напряжении входного сигнала, когда его приращение не вызывает приращения выходного напряжения
2.1.10	Максимальное отклонение выходного напряжения	Дробное десятичное число	В	ВП	1 Максимальное значение параметра интегральной микросхемы - наибольшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям. 2 Отклонение параметра интегральной микросхемы - разность между действительным значением параметра интегральной микросхемы и его номинальным значением. 3 Выходное напряжение - напряжение на выходе микросхемы в заданном режиме (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 20)
2.1.11	Напряжение питания (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 1) Синонимы: - Напряжение питания интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	В	HP	1 Напряжение i-го источника питания, обеспечивающего работу микросхемы в заданном режиме (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 1). 2 Значение напряжения на выводах питания интегральной микросхемы
2.1.12	Напряжение питания (ядра) микросхемы	Дробное десятичное число	В	HP	1 Напряжение питания - напряжение i-го источника питания, обеспечивающего работу микросхемы в заданном режиме (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 1). 2 Напряжение питания - значение напряжения на выводах питания интегральной микросхемы. 3 Вычислительное ядро (Core) микросхемы - основное исполнительное устройство, осуществляющее выполнение всех логических и арифметических операций [2]
2.1.13	Напряжение питания (периферии) микросхемы	Дробное десятичное число	В	HP	1 Напряжение питания - напряжение i-го источника питания, обеспечивающего работу микросхемы в заданном режиме (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 1). 2 Напряжение питания - значение напряжения на выводах питания интегральной микросхемы. 3 Периферия микросхемы - встроенные периферийные устройства, также выполняющие функции обработки данных, но только по специализированным алгоритмам, освобождая основной процессор от вспомогательных процедур
2.1.14	Напряжение отпускания (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 13) Синонимы: - Напряжение отпускания интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	В	ВП	Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 13)
2.1.15	Напряжение смещения нуля (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 15) Синонимы: - Напряжение смещения нуля интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	В	ВП	Постоянное напряжение, которое должно быть приложено ко входу интегральной микросхемы, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 15)
2.1.16	Напряжение стабилизации (ТУ)	Дробное десятичное число	В	НП	1 Стабилизатор напряжения [тока] (источника электропитания РЭА) - устройство, входящее в состав источника электропитания РЭА и осуществляющее стабилизацию выходного напряжения [тока] без изменения рода напряжения [тока] (по ГОСТ Р 52907-2008, пункт 6). 2 Стабилизация напряжения (тока) - поддержание значения напряжения (тока) в заданных пределах (по ГОСТ Р 52907-2008, приложение А). 3 Напряжение стабилизации - напряжение на выходе стабилизатора
2.1.18	Падение напряжения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 35) Синонимы: - Падение напряжения на интегральной микросхеме	Дробное десятичное число	В	ВП	Разность между входным и выходным напряжением интегральной микросхемы в заданном режиме (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 35)
2.1.19	Погрешность нуля (по ГОСТ 30606-98, раздел 3) Синонимы: - Смещение нуля (по ГОСТ 30606-98, раздел 3); - Погрешность смещения нуля (ТУ)	Дробное десятичное число	В	Р	Погрешность нуля (смещение нуля) - отклонение начальной точки характеристики преобразования от ее нулевого уровня на входном сигнале, равном нулю (по ГОСТ 30606-98, раздел 3)
2.1.20	Пороговое напряжение (по ГОСТ Р ИСО 12716-2009, пункт 2.57)	Дробное десятичное число	В	НП	Уровень напряжения, установленный на электронном компараторе, выше которого будут распознаны сигналы (по ГОСТ Р ИСО 12716-2009, пункт 2.57)
2.1.23	Напряжение срабатывания (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 12) Синонимы: - Напряжение срабатывания интегральной микросхемы; - Порог срабатывания	Дробное десятичное число	В	НП	Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 12)
2.1.24	Порог отключения схемы защиты [6] Синонимы: - Порог отключения защиты (ТУ)	Дробное десятичное число	В	ВП	Напряжение между входами микросхемы Vdd и Sense, формируемое на внешнем шунте в цепи питания защищаемых микросхем, при котором фиксируется состояние снижения уровня тока потребления до допустимого значения [6]
2.1.25	Опорное напряжение (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 28) Синонимы: - Опорное напряжение интегральной микросхемы; - Напряжение опорное (по ГОСТ Р 57441-2017, АУТ, пункт 28)	Дробное десятичное число	В	HP	Постоянное напряжение с заданными требованиями по точности и стабильности его значения (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 28)
2.1.26	Остаточное напряжение (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 29) Синонимы: - Остаточное напряжение интегральной микросхемы; - Напряжение интегральной микросхемы остаточное; - Напряжение остаточное (по ГОСТ Р 57441-2017, АУТ, пункт 29)	Дробное десятичное число	В	ВП	Падение напряжения на открытом (включенном) коммутирующем элементе при протекании через него коммутируемого тока заданной величины (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 29)

Таблица А.5 - Перечень ТХ ЭКБ группы: 2.2 "ЭТХ А"

УН ТХ	Наименование ТХ	Тип данных	Единица измерения	Квалификатор	Описание (физический смысл ТХ)
2.2.1	Абсолютная погрешность выходного тока (ТУ)	Дробное десятичное число	А	ВП	1 Абсолютная - разность (положительная или отрицательная) между действительным и номинальным значением (по ГОСТ 29109-91, пункт 2.2.5.10.2). 2 Погрешность электронного датчика [преобразователя физической величины] - характеристика электронного датчика [преобразователя физической величины], количественно выражающая отклонение номинального значения измеряемой [контролируемой] физической величины данным электронным датчиком [преобразователем физической величины] от ее истинного значения (по ГОСТ Р 51086-97, пункт 20). 3 Выходной ток - ток, протекающий в выходной цепи микросхемы в заданном режиме (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 51)
2.2.2	Входной ток низкого уровня (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.1.5, ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 47) Синонимы: - Ток низкого уровня входной (по ГОСТ Р 57441-2017, АУТ, пункт 47); - Входной ток низкого уровня интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	А	ВП	1 Ток на выводе входа, на который подано напряжение низкого уровня (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.1.5) 2 Ток, протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении низкого уровня (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 47)
2.2.3	Входной ток высокого уровня (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.1.4, ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 48) Синонимы: - Ток высокого уровня входной (по ГОСТ Р 57441-2017, АУТ, пункт 48); - Входной ток высокого уровня интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	А	ВП	1 Ток, протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении высокого уровня (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 48). 2 Ток на выводе входа, на который подано напряжение высокого уровня (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.1.4)
2.2.4	Выходной ток низкого уровня (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.2.4, ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 52) Синонимы: - Ток низкого уровня выходной (по ГОСТ Р 57441-2017, АУТ, пункт 52); - Выходной ток низкого уровня интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	А	ВП, Р	1 Ток на выходе, который при заданных условиях на входе должен устанавливать на выходе состояние низкого уровня (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.2.4). 2 Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы при выходном напряжении низкого уровня (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 52)
2.2.5	Выходной ток высокого уровня (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.2.3, ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 53) Синонимы: - Ток высокого уровня выходной (по ГОСТ Р 57441-2017, АУТ, пункт 53); - Выходной ток высокого уровня интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	А	ВП, Р	1 Ток на выходе, который при заданных условиях на входе должен устанавливать на выходе состояние высокого уровня (по ГОСТ 29109-91, пункт 1.2.2.4). 2 Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы при выходном напряжении высокого уровня (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 53)
2.2.6	Выходной ток (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 51) Синонимы: - Выходной ток интегральной микросхемы; - Ток выходной (по ГОСТ Р 57441-2017, АУТ, пункт 51)	Дробное десятичное число	А	НП, ВП	Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы в заданном режиме (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 51)
2.2.7	Выходной ток каждого ключа закрытой микросхемы (ТУ)	Дробное десятичное число	А	ВП	1 Выходной ток - ток, протекающий в выходной цепи микросхемы в заданном режиме (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 51). 2 Выходной ток ключа интегральной микросхемы в разомкнутом состоянии (ключ выключен, его сопротивление бесконечно большое)
2.2.8	Коммутируемый ток Синонимы: - Коммутируемый ток интегральной микросхемы; - Ток коммутируемый	Дробное десятичное число	А	НП	Ток, протекающий через коммутирующий элемент интегральной микросхемы в замкнутом состоянии ключа
2.2.10	Температурный коэффициент выходного тока Синонимы: - Температурный коэффициент выходного тока интегральной микросхемы; - Коэффициент выходного тока интегральной микросхемы температурный; - Коэффициент выходного тока температурный	Дробное десятичное число	А/°C	ВП	Отношение относительного изменения выходного тока к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды или корпуса при отсутствии других дестабилизирующих факторов
2.2.11	Ток потребления (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 39) Синонимы: - Ток потребления интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	А	ВП	Ток, потребляемый микросхемой от источника питания (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 39)
2.2.12	Ток потребления в статическом режиме (по ГОСТ 29107-91, раздел II, пункт 4) Синонимы: - Ток потребления статический (ТУ)	Дробное десятичное число	А	ВП	1 Ток потребления - ток, потребляемый микросхемой от источника питания (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 39). 2 Статический режим - типовое и максимальное значения тока, потребляемого от каждого источника питания в нормальном рабочем режиме, и, если необходимо, в холостом режиме, при заданных значениях: напряжения(ий) питания; частоты синхронизации (по ГОСТ 29107-91, раздел III, пункт 5.1.1.)
2.2.13	Динамический ток потребления (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 43) Синонимы: - Динамический ток потребления интегральной микросхемы; - Ток потребления динамический (по ГОСТ Р 57441-2017, АУТ, пункт 43)	Дробное десятичное число	А	ВП	Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при переключении с заданной частотой (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 43)
2.2.14	Ток потребления i-го источника питания Синонимы: - Ток потребления i-го источника питания интегральной микросхемы; - Ток потребления от источника UCC1 (ТУ); - Ток потребления от источника UCC2 (ТУ)	Дробное десятичное число	А	ВП	Ток, потребляемый интегральной микросхемой от i-го источника питания в заданном режиме
2.2.16	Ток стабилизации (ТУ)	Дробное десятичное число	А	Р	1 Стабилизатор напряжения [тока] (источника электропитания РЭА) - устройство, входящее в состав источника электропитания радиоэлектронной аппаратуры и осуществляющее стабилизацию выходного напряжения [тока] без изменения рода напряжения [тока] (по ГОСТ Р 52907-2008, пункт 6). 2 Стабилизация напряжения (тока) - поддержание значения напряжения (тока) в заданных пределах (по ГОСТ Р 52907-2008, приложение А). 3 Ток стабилизации - ток на выходе стабилизатора
2.2.17	Ток утечки (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 57) Синонимы: - Ток утечки интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	А	ВП	Ток в цепи микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 57)
2.2.18	Разность входных токов (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 49) Синонимы: - Разность входных токов интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	А	Р	Разность значений токов, протекающих через инвертирующий и неинвертирующий входы в заданном режиме (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 49)

Таблица А.6 - Перечень ТХ ЭКБ группы: 2.3 "ЭТХ Гц"

УН ТХ	Наименование ТХ	Тип данных	Единица измерения	Квалификатор	Описание (физический смысл ТХ)
2.3.1	Диапазон входных частот	Дробное десятичное число	ГЦ	Р	1 Частота входного сигнала - определение по наименованию (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 142). 2 Диапазон значений параметра интегральной микросхемы - область, в которую укладываются значения параметров всех интегральных микросхем данного типа или партии однотипных интегральных микросхем при заданном уровне доверительной вероятности
2.3.2	Диапазон выходных частот	Дробное десятичное число	Гц	Р	1 Частота выходного сигнала - определение по наименованию (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 143). 2 Диапазон значений параметра интегральной микросхемы - область, в которую укладываются значения параметров всех интегральных микросхем данного типа или партии однотипных интегральных микросхем при заданном уровне доверительной вероятности
2.3.3	Диапазон рабочих частот (по ГОСТ Р 55893-2013, пункт 3.9.2) Синонимы: - Рабочий диапазон частот (ТУ); - Диапазон частот рабочий (ТУ); - Полоса рабочих частот (ТУ); - Рабочая полоса частот (ТУ)	Дробное десятичное число	Гц	Р	Диапазон рабочих частот - интервал частот, в котором параметры и характеристики электронного компонента сохраняются в установленных пределах при его работе в заданном режиме
2.3.4	Диапазон промежуточных частот (ТУ)	Дробное десятичное число	Гц	Р	1 Диапазон значений параметра интегральной микросхемы - область, в которую укладываются значения параметров всех интегральных микросхем данного типа или партии однотипных интегральных микросхем при заданном уровне доверительной вероятности. 2 Промежуточная частота (ПЧ) - в радиотехнике, преобразовании и обработке сигналов - частота, образующаяся при смешивании сигнала вспомогательного генератора - гетеродина с сигналом [7]. 3 Гетеродинирование - преобразование частоты сигнала в пару различных сигналов с разными частотами, эти сигналы принято называть сигналами промежуточных частот
2.3.6	Максимальная тактовая частота (по ГОСТ 18683.2-83, пункт 4.4)	Дробное десятичное число	ГЦ	Н	Максимальную тактовую частоту (МТЧ) считают по формуле: МТЧ = частота следования импульсов на выходе генератора = частота следования импульсов на выходе микросхемы * n, где n - целое число, указанное в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов (по ГОСТ 18683.2-83, пункт 4.4)
2.3.7	Максимальная частота дискретизации	Дробное десятичное число	Гц	НП	1 Максимальное значение параметра интегральной микросхемы - наибольшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям. 2 Частота дискретизации - число импульсов сигнала в единицу времени (по ГОСТ IEC 61606-1-2014, пункт 3.1.17)
2.3.8	Полоса пропускания (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 149) Синонимы: - Полоса пропускания интегральной микросхемы; - Полоса пропускания входного сигнала (ТУ)	Дробное десятичное число	Гц	Р	Диапазон частот, в пределах которого коэффициент усиления снижается не более чем на 3 дБ по сравнению с коэффициентом усиления на заданной частоте в пределах заданного диапазона (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 149)
2.3.9	Опорная частота (по ГОСТ ИСО 8041-2006, пункт 3.1.11)	Дробное десятичное число	Гц	Н	Частота, на которой определяют коэффициент преобразования измерительной цепи средства измерений (по ГОСТ ИСО 8041-2006, пункт 3.1.11)
2.3.12	Разрешение по частоте [1]	Дробное десятичное число	Гц	НП	Минимальный шаг перестройки частоты [1]
2.3.13	Рабочая частота Синонимы: - Рабочая частота интегральной микросхемы; - Частота рабочая	Дробное десятичное число	Гц	Р	1 Частота, на которой электронный компонент должен обеспечивать определенные выходные параметры в заданном режиме. 2 Частота сигнала, подаваемого на вход интегральной микросхемы при заданных скважности и условиях на других входах, при которой на выходе обеспечиваются заданные уровни напряжений
2.3.14	Частота генерирования (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 144) Синонимы: - Частота генерирования интегральной микросхемы; - Частота генератора (ТУ)	Дробное десятичное число	Гц	Н	Определение следует из наименования (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 144)
2.3.17	Частота переключения (по ГОСТ 29107-91, глава IV, раздел II, пункт 1)	Дробное десятичное число	Гц	ВП	Количественная характеристика быстродействия цифровых микросхем, представляющая собой максимальную частоту переключения триггера, выполненного на базовых логических элементах [8]
2.3.18	Частота следования импульсов тактовых сигналов (по ГОСТ 57441-2017, раздел 2, пункт 145) Синонимы: - Частота следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы	Дробное десятичное число	Гц	Н	Определение следует из наименования (по ГОСТ 57441-2017, раздел 2, пункт 145)
2.3.19	Частота входного сигнала (по ГОСТ 57441-2017, раздел 2, пункт 142)	Дробное десятичное число	Гц	Н	Определение следует из наименования (по ГОСТ 57441-2017, раздел 2, пункт 142)
2.3.20	Максимальная частота выходного сигнала (ТУ)	Дробное десятичное число	Гц	ВП	1 Частота выходного сигнала - определение следует из наименования (по ГОСТ 57441-2017, раздел 2, пункт 143). 2 Максимальное значение параметра интегральной микросхемы - наибольшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям
2.3.21	Частота фазового детектора (ТУ)	Дробное десятичное число	Гц	Р	Фазовый детектор - детектор, напряжение на выходе которого зависит от разности фаз двух входных сигналов равной частоты (по ГОСТ 24375-80, пункт 362)
2.3.22	Шаг сетки рабочих радиочастот (по ГОСТ 24375-80, пункт 104) Синонимы: - Шаг сетки (по ГОСТ 24375-80, пункт 104); - Шаг частоты (ТУ)	Дробное десятичное число	Гц	Н	Шаг сетки рабочих радиочастот - разность между соседними дискретными значениями рабочих радиочастот, входящих в сетку рабочих частот (по ГОСТ 24375-80, пункт 104)

Таблица А.7 - Перечень ТХ ЭКБ группы: 2.4 "ЭТХ Ом"

УН ТХ	Наименование ТХ	Тип данных	Единица измерения	Квалификатор	Описание (физический смысл ТХ)
2.4.1	Входное сопротивление (по ГОСТ 57441-2017, раздел 2, пункт 72) Синонимы: - Сопротивление входное (по ГОСТ 57441-2017, АУТ, пункт 72); - Входное сопротивление интегральной микросхемы; - Сопротивление интегральной микросхемы входное	Дробное десятичное число	Ом	ВП	Отношение приращения входного напряжения интегральной микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 72)
2.4.2	Динамическое сопротивление (по ГОСТ 18986.14-85, пункт 4.3.2) Синонимы: - Дифференциальное сопротивление (по ГОСТ 18986.14-85, пункт 4.3.2)	Дробное десятичное число	Ом	Н	Дифференциальным сопротивлением нелинейного элемента в заданной точке А его характеристики называют отношение бесконечно малого приращения напряжения к соответствующему приращению тока: R(I)=dU (I)/dI [9]. Сопротивление является производной зависимости напряжения на элементе от силы тока по силе тока. Отсюда название "дифференциальное сопротивление". Термин "динамическое сопротивление" является синонимом термина "дифференциальное сопротивление" (по ГОСТ 18986.14-85, пункт 4.3.2)
2.4.3	Сопротивление в открытом состоянии (по ГОСТ 57441-2017, раздел 2, пункт 75) Синонимы: - Сопротивление в открытом состоянии интегральной микросхемы [10]; - Сопротивление открытого ключа (ТУ)	Дробное десятичное число	Ом	ВП	1 Сопротивление в открытом состоянии - отношение падения напряжения между входом и соответствующим выходом микросхемы к току, протекающему через этот выход, в заданном режиме (по ГОСТ 57441-2017, раздел 2, пункт 75). 2 Отношение падения напряжения между аналоговым входом к вызвавшему его току при открытом (включенном) канале [10]

Таблица А.8 - Перечень ТХ ЭКБ группы: 2.5 "ЭТХ Вт"

УН ТХ	Наименование ТХ	Тип данных	Единица измерения	Квалификатор	Описание (физический смысл ТХ)
2.5.5	Входная мощность (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 67) Синонимы: - Мощность входная (по ГОСТ Р 57441-2017, АУТ, пункт 67); - Мощность на входе (ТУ); - Максимальная входная мощность (ТУ)	Дробное десятичное число	дБм	ВП	1 Входная мощность (мощность входная) - мощность, потребляемая микросхемой от источника входного сигнала для обеспечения заданной мощности на нагрузке (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 67). 2 Максимальное значение параметра интегральной микросхемы - наибольшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям
2.5.6	Мощность на входе гетеродин (ТУ) Синонимы: - Мощность на входе в гетеродин	Дробное десятичное число	дБм	ВП	1 Входная мощность - мощность, потребляемая микросхемой от источника входного сигнала для обеспечения заданной мощности на нагрузке (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 67). 2 Гетеродин - генератор гармонических колебаний, используемый для преобразования частоты в радиоприемнике (по ГОСТ 24375-80, пункт 357)
2.5.11	Выходная мощность (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 68) Синонимы: - Выходная мощность интегральной микросхемы; - Мощность выходная (по ГОСТ Р 57441-2017, АУТ, пункт 68)	Дробное десятичное число	дБм	ВП	Мощность, выделяемая на нагрузке в заданном режиме (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 68)
2.5.12	Рассеиваемая мощность (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 69) Синонимы: - Рассеиваемая мощность интегральной микросхемы; - Мощность интегральной микросхемы рассеиваемая; - Мощность рассеиваемая (по ГОСТ Р 57441-2017, АУТ, пункт 69)	Дробное десятичное число	Вт	ВП	Мощность, рассеиваемая микросхемой, работающей в заданном режиме (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 69)

Таблица А.9 - Перечень ТХ ЭКБ группы: 2.6 "ЭТХ Ф"

УН ТХ

Наименование ТХ

Тип данных

Единица измерения

Квалификатор

Описание (физический смысл ТХ)

2.6.1

Диапазон измеряемых емкостей (ТУ)

Дробное десятичное число

1 Диапазон измерений (рабочий диапазон) - множество значений величин одного рода, которые могут быть измерены данным средством измерений или измерительной системой с указанными инструментальной неопределенностью или указанными показателями точности при определенных условиях.

П р и м е ч а н и я

1 В некоторых областях используют термин "измерительный интервал" или "интервал измерений".

2 Нижнюю границу диапазона измерений не следует путать с пределом обнаружения [4].

2 Измерение (величины) - процесс экспериментального получения одного или более значений величины, которые могут быть обоснованно приписаны величине.

П р и м е ч а н и я

1 Измерение подразумевает сравнение величин или включает счет объектов.

2 Измерение предусматривает описание величины в соответствии с предполагаемым использованием результата измерения, методику измерений и средство измерений, функционирующее в соответствии с регламентированной методикой измерений и с учетом условий измерений [4]

Таблица А.10 - Перечень ТХ ЭКБ группы: 2.7 "ЭТХ Тл"

УН ТХ	Наименование ТХ	Тип данных	Единица измерения	Квалификатор	Описание (физический смысл ТХ)
2.7.1	Индукция отпускания (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 165)	Дробное десятичное число	Тл	ВП	Наибольшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 165)
2.7.2	Индукция срабатывания (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 164)	Дробное десятичное число	Тл	НП	Наименьшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому (по ГОСТ Р 57441-2017, раздел 2, пункт 164)

Таблица А.11 - Перечень ТХ ЭКБ группы: 3 "ЭксплТХ"

УН ТХ

Наименование ТХ

Тип данных

Единица измерения

Квалификатор

Описание (физический смысл ТХ)

3.1

Рабочая температура (по ГОСТ 29106-91, глава VIII, пункт 2.1.3, ГОСТ 18725-83, пункт 1.5.1)

Дробное десятичное число

°C

1 Рабочая температура - значение температуры воздуха при эксплуатации, °C (диапазон от и до) (по ГОСТ 15150-69, пункт 3.2).

2 Если у микросхем имеются отдельные параметры, изменяющиеся в процессе и после воздействия спецфакторов, в том числе в диапазоне рабочих температур, то нормы на эти параметры приводят в ТУ с учетом допустимых пределов их изменения по отношению к нормам при приемке и поставке [11]

3.2

Число циклов перепрограммирования (по ГОСТ Р 55893-2013, пункт 3.3)

Синонимы:

- Число циклов программирование-стирание (по ГОСТ 29107-91, глава III, раздел 2);

- Количество циклов перепрограммирования (ТУ)

Натуральное число

ед

НП

1 Минимальное число циклов программирование-стирание, которые могут быть выполнены при заданных рабочих режимах.

П р и м е ч а н и е - Число циклов зависит от условий импульсов программирования и/или стирания, от времени работы и температуры (по ГОСТ 29107-91, глава III, раздел 2).

2 Цикл - последовательность операций, необходимых для осуществления одной из функций ЗУ. Различают четыре возможных цикла:

а) считывание;

б) запись;

в) считывание-запись;

г) запись-считывание.

3 Время цикла (см. примечания) - интервал времени, необходимый для выполнения одного цикла, т.е. интервал времени между началом цикла и его окончанием.

П р и м е ч а н и я

1 Термин "цикл считывание-переход-запись" иногда также используется вместо термина "цикл считывание-запись". Одно такое употребление не рекомендуется, так как термин "считывание-переход-запись" используется в другом контексте для указания того, что информация выбрана, обработана и вновь введена в ЗУ.

2 Эти параметры являются фактическими временными интервалами между двумя импульсами; они могут быть недостаточными для завершения операций ЗУ. В каждом случае оговаривается минимальное значение, т.е. самый короткий интервал времени, в течение которого ЗУ правильно выполнит соответствующую(ие) функцию(ии).

3 Под термином "окончание цикла" следует понимать момент, в который может начаться любой последующий цикл при нормальной работе ЗУ.

4 Цикл всегда выполняется для определенного адреса (по ГОСТ 29107-91, глава II, пункты 3.4.1, 3.4.2)

Таблица А.12 - Перечень ТХ ЭКБ группы: 4 "КТХ"

УН ТХ	Наименование ТХ	Тип данных	Значение	Квалификатор	Описание (физический смысл ТХ)
4.1	Тип корпуса	Список			Корпус (микросхемы) - совокупность сборочных единиц и (или) деталей, предназначенных для обеспечения защиты микросхемы от внешних воздействий, обеспечения теплопередачи, а также для организации электрических связей элементов и (или) компонентов с внешними электрическими цепями (по ГОСТ Р 57435-2017, раздел 2, пункт 8)
			Тип 1		По ГОСТ Р 54844-2011, пункт 5.1.3
			Тип 2		По ГОСТ Р 54844-2011, пункт 5.1.3
			Тип 3		По ГОСТ Р 54844-2011, пункт 5.1.3
			Тип 4		По ГОСТ Р 54844-2011, пункт 5.1.3
			Тип 5		По ГОСТ Р 54844-2011, пункт 5.1.3
			Тип 6		По ГОСТ Р 54844-2011, пункт 5.1.3
			Тип 7		По ГОСТ Р 54844-2011, пункт 5.1.3
			Тип 8		По ГОСТ Р 54844-2011, пункт 5.1.3
4.2	Технология	Список			Должна быть указана технология изготовления, например полупроводниковая интегральная, тонкопленочная интегральная, гибридная интегральная схемы, микроблок и т.д. Должны быть указаны особенности полупроводниковой технологии, такие как МОП, КМОП, TTL с диодами Шоттки, ИМС с инжекционным питанием и т.д. (по ГОСТ 29109-91, глава III, раздел 2)
			Тонкопленочная интегральная		Пленочная интегральная микросхема - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде пленок
			Гибридная интегральная		Гибридная интегральная микросхема - интегральная микросхема, содержащая, кроме элементов, компоненты и (или) кристаллы
			Микроблок		Микроблок - микросхема, состоящая из различных компонентов и/или интегральных микросхем, которые имеют отдельное конструктивное оформление и могут быть испытаны до сборки и до установки в корпус
			Полупроводниковая интегральная, МОП логика		Полупроводниковая интегральная микросхема - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала. МОП-логика (металл-оксид-полупроводник логика) - микросхемы формируются из полевых транзисторов n-МОП или p-МОП типа
			Полупроводниковая интегральная, КМОП-логика		Полупроводниковая интегральная микросхема - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала. КМОП-логика (комплементарная МОП-логика) - каждый логический элемент микросхемы состоит из пары взаимодополняющих (комплементарных) полевых транзисторов (n-МОП и p-МОП)
			Полупроводниковая интегральная, РТЛ-логика		Полупроводниковая интегральная микросхема - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала. РТЛ - резисторно-транзисторная логика (устаревшая, заменена на ТТЛ)
			Полупроводниковая интегральная, ДТЛ-логика		Полупроводниковая интегральная микросхема - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала. ДТЛ - диодно-транзисторная логика (устаревшая, заменена на ТТЛ)
			Полупроводниковая интегральная, ТТЛ-логика		Полупроводниковая интегральная микросхема - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала. ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика) - микросхемы сделаны из биполярных транзисторов с многоэмиттерными транзисторами на входе
			Полупроводниковая интегральная, ТТЛШ-логика		Полупроводниковая интегральная микросхема - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала. ТТЛШ (транзисторно-транзисторная логика с диодами Шоттки) - усовершенствованная ТТЛ, в которой используются биполярные транзисторы с эффектом Шоттки
			Полупроводниковая интегральная, ЭСЛ-логика		Полупроводниковая интегральная микросхема - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала. ЭСЛ (эмиттерно-связанная логика) - логика на биполярных транзисторах, режим работы которых подобран так, чтобы они не входили в режим насыщения, что существенно повышает быстродействие
			Полупроводниковая интегральная, ИИЛ-логика		Полупроводниковая интегральная микросхема - интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала. Интегрально-инжекционная логика (ИИЛ) - в основе логики ИИЛ лежит использование "особых" транзисторов с объединенной базой. Эти транзисторы не способны проводить ток из-за нехватки носителей зарядов в базе. Поэтому рядом с транзистором находится "инжектор" - электрод, "инжектирующий" заряд в базу

Таблица А.13 - Перечень ТХ ЭКБ группы: 5 "СТХ"

УН ТХ	Наименование ТХ	Тип данных	Единицы измерения	Квалификатор	Описание (физический смысл ТХ)
5.1	Разрядность данных (по ГОСТ Р 55893-2013, пункт 3.2) Синонимы: - Количество разрядов (ТУ)	Натуральное число	ед	Н	Разрядность - максимальное число одновременно обрабатываемых двоичных разрядов [12]
5.2	Количество функциональных выводов (ТУ)	Натуральное число	ед	Н	1 Вывод (микросхемы) - элемент конструкции корпуса или бескорпусной микросхемы, предназначенный для соединения с внешней электрической цепью (по ГОСТ Р 57435-2017, раздел 2, пункт 27). 2 Вывод бескорпусной интегральной микросхемы - провод, соединенный с контактной площадкой бескорпусной интегральной микросхемы и предназначенный для электрического соединения с внешними электрическими цепями
5.3	Количество элементов (вентилей) (ТУ)	Натуральное число	ед	Н	Логический вентиль - базовый элемент цифровой схемы, выполняющий элементарную логическую операцию, преобразуя таким образом множество входных логических сигналов в выходной логический сигнал. Логика работы вентиля основана на битовых операциях с входными цифровыми сигналами в качестве операндов. При создании цифровой схемы вентили соединяют между собой, при этом выход используемого вентиля должен быть подключен к одному или к нескольким входам других вентилей [13]
5.4	Число разрядов (по ГОСТ 29109-91, глава II, пункт 2.2.2, ГОСТ 24736-81, приложение) Синонимы: - Число разрядов аналого-цифрового преобразователя (по ГОСТ Р 55893-2013, пункт 3.2); - Число разрядов цифроаналогового преобразователя (по ГОСТ Р 55893-2013, пункт 3.2); - Разрядность (ТУ)	Натуральное число	ед.	Н	1 Число разрядов - число n символов кода в выбранной системе счисления, необходимое для выражения общего числа ступеней (по ГОСТ 29109-91, глава II, пункт 2.2.2). 2 Число разрядов - двоичный логарифм максимального числа кодовых комбинаций на входе цифроаналоговых или на выходе аналого-цифровых преобразователей (по ГОСТ 24736-81, приложение). 3 Ступень (аналого-цифрового или цифроаналогового преобразования). В законе преобразования - любое отдельное соотношение. На характеристике преобразования - любая часть характеристики, отражающая отдельное соотношение. Для АЦП ступень представляет собой частичный диапазон аналоговой входной величины и соответствующий цифровой выходной код. Для ЦАП ступень представляет собой цифровой входной код и соответствующую дискретную аналоговую выходную величину (по ГОСТ 29109-91, глава II, пункт 2.1.5)
5.5	Число вычислительных ядер (по ГОСТ Р 55893-2013, пункт 3.2) Синонимы: - Количество ядер (ТУ)	Натуральное число	ед	Н	1 Вычислительное ядро (core): - В одноядерных процессорах: вычислительная часть процессора, остающаяся после вычета вспомогательных структур (контроллеров шин, кэшей и др.). - В многоядерных процессорах: набор обрабатывающих блоков и смежных с ними кэшей, минимально необходимый для исполнения любых команд и имеющийся в нескольких экземплярах [14]. 2 Ядро процессора - часть процессора, непосредственно интерпретирующая команды, осуществляющая преобразование информации (данных) и использующая для их получения интерфейс процессора (по ГОСТ Р 57700.27-2020, раздел 3, пункт 32)

<< Назад		Приложение >> Б (справочное). Спецификации декларативных знаний по техническим характеристикам
	Содержание Национальный стандарт РФ ГОСТ Р 59988.02.1-2022 "Системы автоматизированного проектирования электроники. Информационное обеспечение....

Приложение А (обязательное). Спецификации декларативных знаний по техническим характеристикам

Вы можете открыть актуальную версию документа прямо сейчас.