Доработанный текст проекта Постановления Правительства Российской Федерации "О внесении изменений в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники"на 2008-2015 годы" (подготовлен Минпромторгом России 15.02.2016)

Правительство Российской Федерации постановляет:

Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы, утвержденную постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. N 809 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, N 51, ст. 6361; 2009, N 9, ст. 1130; 2011, N38, ст. 5383; 2013, N18, ст. 2266; 2014, N 5, ст. 503; N 35, ст. 4756).

Председатель Правительства Российской Федерации

Д. Медведев

УТВЕРЖДЕНЫ
постановлением Правительства Российской Федерации
от 201_ г. N ___

Изменения,
которые вносятся в федеральную целевую программу "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы (далее - Программа)

1. В паспорте Программы:

а) в подразделе, касающемся основных задач Программы, добавить абзац пятый и шестой в следующем изложении "повышение эффективности расходования бюджетных средств; формирование механизмов и инструментов внедрения создаваемого научно-технологического задела в различных отраслях народного хозяйства для создания импортозамещающей продукции в приоритетных направлениях";

б) в абзаце пятом позиции, касающейся важнейших целевых индикаторов и показателей, цифры "56" заменить цифрами "55", цифры "110" заменить цифрами "104";

в) в позиции, касающейся объемов и источников финансирования Программы:

в абзаце первом цифры "172103,3593" заменить цифрами "166546,0758";

в абзаце втором цифры "102752,5207" заменить цифрами "99802,4732", цифры "61861,2257" заменить цифрами "61796,3332", цифры "40891,295" заменить цифрами "38006,14";

г) в абзаце третьем цифры "69350,8386" заменить цифрами "66743,6026";

в абзацах втором и третьем слова "научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы" заменить словами "прикладные научные исследования и экспериментальные разработки, выполняемые по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ,";

д) в абзаце тринадцатом позиции, касающейся ожидаемых конечных результатов реализации Программы и показателей социально-экономической эффективности, цифры "126802,6" заменить цифрами "128335,4";

е) в подразделе, касающемся ожидаемых конечных результатов реализации Программы и показателей социально-экономической эффективности, добавить абзац пятнадцатый в следующем изложении "создание методологической базы для эффективного внедрения в отечественную экономику полученных в ходе реализации программы результатов"

2. В разделе I:

а) в абзаце пятнадцатом слова "научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы" заменить словами "прикладные научные исследования и экспериментальные разработки, выполняемые по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ,";

б) в абзаце двадцать восьмом слова "планов научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ" заменить словами "планов прикладных научных исследований и экспериментальных разработок, выполняемых по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ, ";

в) в абзаце тридцатом:

- слова "расходы на осуществление научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ" заменить на слова "расходы на осуществление прикладных научных исследований и экспериментальных разработок, выполняемых по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ,";

- слова "научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы" заменить словами "прикладные научные исследования и экспериментальные разработки, выполняемые по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ,";

- слова "комплекс научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ" заменить словами "комплекс прикладных научных исследований и экспериментальных разработок, выполняемых по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ,";

г) после абзаца тридцать второго добавить слова " Стоит отметить, что в период с 2014 по 2015 годы в общей конъюнктуре отечественного рынка радиоэлектроники произошли масштабные изменения, связанные с воздействием внешнеэкономических и политических факторов, повлекшие за собой изменения объемов и пропорций импорта и экспорта комплектующих и конечных изделий, усложнение процесса получения отечественными предприятиями зарубежного современного оборудования и технологий. Помимо этого, задачей первостепенной важности стало широкомасштабное импортозамещение радиоэлектронной продукции, критически важной для поддержания внутренней экономической стабильности. В связи с данными факторами особую значимость имеет задача Программы, направленная на формирование механизмов и инструментов внедрения создаваемого научно-технологического задела в различных отраслях народного хозяйства для создания импортозамещающей продукции в приоритетных направлениях.";

д) в подразделе, касающемся Участия в реализации национальных проектов в части Электроники и сельского хозяйства в абзаце седьмом слова "обеспечит практическую направленность научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ" заменить словами "обеспечит практическую направленность прикладных научных исследований и экспериментальных разработок, выполняемых по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ,".

3. В разделе II:

а) а) после абзаца седьмого добавить слова "повышение эффективности расходования бюджетных средств;

формирование механизмов и инструментов внедрения создаваемого научно-технологического задела в различных отраслях народного хозяйства для создания импортозамещающей продукции в приоритетных направлениях."

б) в абзаце четвертом подраздела, касающегося целевых индикаторов и показателей реализации Программы, в предложении третьем слова "в 93" заменить словами "в 90".

4. В разделе III:

в подразделе, касающегося направления "Обеспечивающие работы", после абзаца четвертого добавить слова с следующем изложении: "разработка модели взаимодействия предприятий различных отраслей промышленности при совместном производстве финишной продукции;

разработаны модели инновационного развития радиоэлектронной промышленности во взаимосвязи с другими отраслями;

подготовлены материалы оперативного контроля реализации программных мероприятий;

подготовлены результаты мониторинга финансово-экономического состояния организаций-исполнителей комплекса программных мероприятий;

подготовлены материалы оценки эффективности и результативности инвестиционного обеспечения развития предприятий радиоэлектронной промышленности;

разработаны механизмы и инструменты стратегического развития отрасли и повышения конкурентоспособности создаваемой отечественной продукции;

разработаны единые принципы и механизмы контроля и прогнозирования инвестиционного развития радиоэлектронной промышленности.".

5. В разделе IV:

а) в абзаце первом цифры "172103,3593" заменить цифрами "166546,0758";

б) в абзаце втором цифры "102752,5207" заменить цифрами "99802,4732";

в) в абзаце третьем слова "научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - 61861,2257 млн. рублей;" заменить словами "прикладные научные исследования и экспериментальные разработки, выполняемые по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ, - 61796,3332 млн. рублей";

г) в абзаце четвертом цифры "40891,295" заменить цифрами "38006,14";

д) в абзаце пятом цифры "69347,3086" заменить цифрами "66743,6026";

е) в абзаце седьмом слова "Объем финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ" заменить словами "Объем финансирования прикладных научных исследований и экспериментальных разработок, выполняемых по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ,";

ж) в абзаце девятом слова "привлекаемых для выполнения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ" заменить словами "привлекаемых для выполнения прикладных научных исследований и экспериментальных разработок, выполняемых по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ,".

6. В разделе V в абзаце четвертом слова "по планируемым научно-исследовательским и опытно-конструкторским работам," заменить словами "по планируемым прикладным научным исследованиям и экспериментальным разработкам, выполняемым по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ,".

7. В разделе VI:

а) в абзаце шестом цифры "68686,2" заменить цифрами "71662,6";

б) в абзаце седьмом цифры "126802,6" заменить цифрами "128335,4";

в) в абзаце девятом цифры "1,6" заменить цифрами "2,9".

8. В приложении N2 внести следующие изменения:

1) В позиции N 181

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "379,9" заменить цифрами "368,3381", в знаменателе цифры "200" заменить цифрами "188,4381";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "72" заменить цифрами "60,4381", в знаменателе цифры "36" заменить цифрами "24,4381";

2) В позиции N 182

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "3200" заменить цифрами "1600", в знаменателе цифры "1600" заменить цифрами "1212";

в столбце "2013 год" в числителе цифры "1080" заменить цифрами "540";

в столбце "2014 год" в числителе цифры "1202" заменить цифрами "672";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "918" заменить цифрами "388", в знаменателе цифры "388" заменить цифрами "0,0";

в столбце "Площадь объекта (кв.м.)" цифру "15000" заменить цифрой "3500";

3) В позиции N 183

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "1720" заменить цифрами "1694,1861", в знаменателе цифры "860" заменить цифрами "834,1861";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "370" заменить цифрами "344,1861", в знаменателе цифры "185" заменить цифрами "159,1861";

4) В позиции N 187

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "1230" заменить цифрами "1213,2805", в знаменателе цифры "615" заменить цифрами "598,2805";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "270" заменить цифрами "253,2805", в знаменателе цифры "135" заменить цифрами "118,2805";

5) В позиции N 188

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "800" заменить цифрами "790,0471", в знаменателе цифры "400" заменить цифрами "390,0471";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "180" заменить цифрами "170,0471", в знаменателе цифры "90" заменить цифрами "80,0471";

6) В позиции N 189

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "960" заменить цифрами "945,135", в знаменателе цифры "480" заменить цифрами "465,135";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "230" заменить цифрами "215,135", в знаменателе цифры "115" заменить цифрами "100,135";

7) В позиции N 191

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "2060" заменить цифрами "2014,4366", в знаменателе цифры "1030" заменить цифрами "984,4366";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "430" заменить цифрами "384,4366", в знаменателе цифры "215" заменить цифрами "169,4366";

8) В позиции N 194

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "350" заменить цифрами "348,9612", в знаменателе цифры "175" заменить цифрами "173,9612";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "90" заменить цифрами "88,9612", в знаменателе цифры "45" заменить цифрами "43,9612";

9) В позиции N 201

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "420" заменить цифрами "407,986", в знаменателе цифры "210" заменить цифрами "197,986";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "90" заменить цифрами "77,986", в знаменателе цифры "45" заменить цифрами "32,986";

10) В позиции N 202

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "300" заменить цифрами "292,3288", в знаменателе цифры "150" заменить цифрами "141,3288";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "76" заменить цифрами "66,3288", в знаменателе цифры "38" заменить цифрами "28,3288";

11) В позиции N 204

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "400" заменить цифрами "385,855", в знаменателе цифры "200" заменить цифрами "185,855";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "80" заменить цифрами "65,855", в знаменателе цифры "40" заменить цифрами "25,855";

12) В позиции N 205

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "400" заменить цифрами "390,7665", в знаменателе цифры "200" заменить цифрами "190,7665";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "80" заменить цифрами "70,7665", в знаменателе цифры "40" заменить цифрами "30,7665";

13) В позиции N 207

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "296,25" заменить цифрами "290,351", в знаменателе цифры "146,25" заменить цифрами "140,351";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "71,25" заменить цифрами "65,351", в знаменателе цифры "33,75" заменить цифрами "27,851";

14) В позиции N 208

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "1000" заменить цифрами "982,053", в знаменателе цифры "500" заменить цифрами "482,053";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "169,74" заменить цифрами "151,793", в знаменателе цифры "84,87" заменить цифрами "66,923";

15) В позиции N 209

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "594,16" заменить цифрами "556,5304", в знаменателе цифры "297,08" заменить цифрами "259,4504";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "120" заменить цифрами "82,3704", в знаменателе цифры "60" заменить цифрами "22,3704";

16) В позиции N 210

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "510" заменить цифрами "501,222", в знаменателе цифры "255" заменить цифрами "246,222";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "70" заменить цифрами "61,222", в знаменателе цифры "35" заменить цифрами "26,222";

17) В позиции N 212

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "360" заменить цифрами "349,7081", в знаменателе цифры "180" заменить цифрами "169,7081";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "90" заменить цифрами "79,7081", в знаменателе цифры "45" заменить цифрами "34,7081";

18) В позиции N 213

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "300" заменить цифрами "262,5", в знаменателе цифры "150" заменить цифрами "112,5";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "75" заменить цифрами "37,5", в знаменателе цифры "37,5" заменить цифрами "0,0";

19) В позиции N 215

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "300" заменить цифрами "293,4369", в знаменателе цифры "150" заменить цифрами "143,4369";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "75" заменить цифрами "68,4369", в знаменателе цифры "37,5" заменить цифрами "30,9369";

20) В позиции N 216

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "300" заменить цифрами "289,6947", в знаменателе цифры "150" заменить цифрами "139,6947";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "70" заменить цифрами "59,6947", в знаменателе цифры "35" заменить цифрами "24,6947";

21) В позиции N 217

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "400" заменить цифрами "396,5", в знаменателе цифры "200" заменить цифрами "196,5";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "50" заменить цифрами "46,5", в знаменателе цифры "25" заменить цифрами "21,5";

22) В позиции N 220

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "400" заменить цифрами "388,7433", в знаменателе цифры "200" заменить цифрами "188,7433";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "80" заменить цифрами "68,7433", в знаменателе цифры "40" заменить цифрами "28,7433";

23) В позиции N 222

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "800" заменить цифрами "790,9955", в знаменателе цифры "400" заменить цифрами "390,9955";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "180" заменить цифрами "170,9955", в знаменателе цифры "90" заменить цифрами "80,9955";

24) В позиции N 226

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "700" заменить цифрами "686,391", в знаменателе цифры "350" заменить цифрами "336,391";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "240" заменить цифрами "226,391", в знаменателе цифры "120" заменить цифрами "106,391";

25) В позиции N 229

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "280" заменить цифрами "278,1288", в знаменателе цифры "140" заменить цифрами "138,1288";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "176,08" заменить цифрами "174,2088", в знаменателе цифры "88,04" заменить цифрами "86,1688";

26) В позиции N 230

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "557,08" заменить цифрами "538,006", в знаменателе цифры "278,54" заменить цифрами "259,466";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "115" заменить цифрами "95,926", в знаменателе цифры "57,5" заменить цифрами "38,426";

27) В позиции N 231

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "594,16" заменить цифрами "565,4842", в знаменателе цифры "297,08" заменить цифрами "268,4042";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "120" заменить цифрами "91,3242", в знаменателе цифры "60" заменить цифрами "31,3242";

28) В позиции N 233

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "570" заменить цифрами "569,9826", в знаменателе цифры "285" заменить цифрами "284,9826";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "120" заменить цифрами "119,9826", в знаменателе цифры "60" заменить цифрами "59,9826";

29) В позиции N 238

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "240" заменить цифрами "233,731", в знаменателе цифры "120" заменить цифрами "113,731";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "50" заменить цифрами "43,731", в знаменателе цифры "25" заменить цифрами "18,731";

30) В позиции N 239

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "1100" заменить цифрами "1069,645", в знаменателе цифры "550" заменить цифрами "519,6457";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "275" заменить цифрами "244,6457", в знаменателе цифры "137,5" заменить цифрами "107,1457";

31) В позиции N 240

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "620" заменить цифрами "607,097", в знаменателе цифры "310" заменить цифрами "297,097";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "100" заменить цифрами "87,097", в знаменателе цифры "50" заменить цифрами "37,097";

32) В позиции N 241

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "460" заменить цифрами "437,648", в знаменателе цифры "230" заменить цифрами "207,648";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "155" заменить цифрами "132,648", в знаменателе цифры "77,5" заменить цифрами "55,148";

33) В позиции N 242

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "700" заменить цифрами "683,7937", в знаменателе цифры "350" заменить цифрами "333,7937";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "180" заменить цифрами "163,7937", в знаменателе цифры "90" заменить цифрами "73,7937";

34) В позиции N 243

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "3681" заменить цифрами "3512,6403", в знаменателе цифры "1840,5" заменить цифрами "1672,1403";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "1210" заменить цифрами "1041,6403", в знаменателе цифры "605" заменить цифрами "436,6403";

35) В позиции N 245

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "370,08" заменить цифрами "357,696", в знаменателе цифры "185,04" заменить цифрами "172,656";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "93" заменить цифрами "80,616", в знаменателе цифры "46,5" заменить цифрами "34,116";

36) В позиции N 247

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "300" заменить цифрами "291,8543", в знаменателе цифры "150" заменить цифрами "141,8543";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "100" заменить цифрами "91,8543", в знаменателе цифры "50" заменить цифрами "41,8543";

37) В позиции N 248

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "380" заменить цифрами "370,2295", в знаменателе цифры "190" заменить цифрами "180,2295";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "115" заменить цифрами "105,2295", в знаменателе цифры "57,5" заменить цифрами "47,7295";

38) В позиции N 250

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "315,5" заменить цифрами "311", в знаменателе цифры "155,5" заменить цифрами "151";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "90" заменить цифрами "85,5", в знаменателе цифры "45" заменить цифрами "40,5";

39) В позиции N 251

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "867,476" заменить цифрами "839,576", в знаменателе цифры "433,738" заменить цифрами "405,838";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "682" заменить цифрами "654,1", в знаменателе цифры "341" заменить цифрами "313,1";

40) В позиции N 252

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "100" заменить цифрами "98", в знаменателе цифры "50" заменить цифрами "48";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "40" заменить цифрами "38", в знаменателе цифры "20" заменить цифрами "18";

41) В позиции N 253

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "158" заменить цифрами "183,2101", в знаменателе цифры "79" заменить цифрами "104,2101";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "98" заменить цифрами "123,2101", в знаменателе цифры "49" заменить цифрами "74,2101";

42) В позиции N 277

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "2200" заменить цифрами "2111,6014", в знаменателе цифры "1100" заменить цифрами "1011,6014";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "545" заменить цифрами "456,6014", в знаменателе цифры "272,5" заменить цифрами "184,1014";

43) В позиции N 278

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "500" заменить цифрами "492,657", в знаменателе цифры "250" заменить цифрами "242,657";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "93,81" заменить цифрами "86,467", в знаменателе цифры "46,905" заменить цифрами "39,562";

44) В позиции N 290

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "490" заменить цифрами "470,5222", в знаменателе цифры "245" заменить цифрами "225,5222";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "105" заменить цифрами "85,5222", в знаменателе цифры "52,5" заменить цифрами "33,0222";

45) В позиции N 293

в столбце "2008-2015 годы - всего" в числителе цифры "340" заменить цифрами "328,2434", в знаменателе цифры "170" заменить цифрами "158,2434";

в столбце "2015 год" в числителе цифры "38" заменить цифрами "26,2434", в знаменателе цифры "19" заменить цифрами "7,2434";

ПРИЛОЖЕНИЕ N 1
к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектро ники" на 2008 - 2015 годы
(в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 201_ г. N )

Индикатор и показатели
реализации мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

	Единица измерения	2007 год	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год	2012 год	2013 год	2014 год	2015 год

Индикатор
Достигаемый технологический уровень электроники	мкм	0,18	0,18	0,13	0,13	0,09	0,09	0,09	0,09	0,045
Показатели
Увеличение объемов продаж изделий электронной и радиоэлектронной техники	млрд. рублей	19	58	70	95	130	170	210	250	300
Количество разработанных базовых технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом)	-	3 - 5	16 - 20	80 - 90	125 - 135	179 - 185	210	230	250	260 - 270
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)	-	1	8	10	14	29	29	30	34	42
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)	-	-	-	-	-	1	1	1	3	4
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)	-	-	-	-	-	-	1	2	3	5
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минобрнауки России, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)	-	-	1	1	2	2	3	4	4	4

Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)	-	-	1	5	8	18	22	32	37	89
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях ФСТЭК России (нарастающим итогом)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	1
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)	-	-	-	-	-	-	-	1	1	8
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	6
Количество завершенных поисковых технологических научно-исследовательских работ (нарастающим итогом)	-	1	3	9	9 - 10	10 - 12	12 - 14	14 - 16	16 - 18	20 - 22
Количество реализованных мероприятий по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом)	-	4	11 - 12	16 - 20	22 - 25	36 - 40	41 - 45	45 - 50	50 - 55	55 - 60
Количество создаваемых рабочих мест (нарастающим итогом)	-	450	1020- 1050	1800- 2200	3000- 3800	3800- 4100	4100- 4400	4400- 4700	4700- 5000	5000- 6000

ПРИЛОЖЕНИЕ N 2
к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
(в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 201_ г. N )

Перечень
мероприятий федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

		2008 - 2015 годы - всего	В том числе								Ожидаемые результаты
		2008 - 2015 годы - всего	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год	2012 год	2013 год	2014 год	2015 год	Ожидаемые результаты
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12
I. Прикладные научные исследования и экспериментальные разработки, выполняемые по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ
Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника
1.	Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы A3B5	128,624	66	62,624	0	0	0	0	0	0	создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы A3B5 для бортовой и наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
1.		84	44	40	0	0	0	0	0	0
2.	Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона	202	0	30,5	39,5	53,25	31,8	46,95	0	0	создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы A3B5 для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
2.		134	0	20	26	35,5	21,2	31,3	0	0
3.	Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур	212,75	141,75	71	0	0	0	0	0	0	создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации (2009 год)
3.		134,75	87,75	47	0	0	0	0	0	0
4.	Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур	531	0	20	77,5	163,5	118	152	0	0	создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для техники связи, радиолокации (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
4.		375	0	17	65	109	80	104	0	0
5.	Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложнофункциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"	149,257	85,757	63,5	0	0	0	0	0	0	создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
5.		101,7	59,7	42	0	0	0	0	0	0
6.	Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий"	248,55	0	5,6	65,8	177,15	0	0	0	0	создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
6.		158,1	0	5	35	118,1	0	0	0	0
7.	Разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе гетероструктур "кремний - германий"	448,408	253	195,408	0	0	0	0	0	0	разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
7.		308,75	169	139,75	0	0	0	0	0	0
8.	Разработка базовых технологий проектирования кремний-германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков	217,44	0	47	80,09	58,95	17	14,4	0	0	создание базовых технологий проектирования на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
8.		142	0	30	52	39,3	11,3	9,4	0	0
9.	Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры	114,9	60	54,9	0	0	0	0	0	0	создание базовых технологий производства элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
9.		74	40	34	0	0	0	0	0	0
10.	Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры	126,913	0	0	79,513	47,4	0	0	0	0	создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
10.		73,1	0	0	41,5	31,6	0	0	0	0
11.	Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X-, C-, S-, L- и P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью	226	151,2	74,8	0	0	0	0	0	0	создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
11.		152	102	50	0	0	0	0	0	0
12.	Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов X- и C-диапазонов на основе новых материалов	83,5	0	13	40,5	30	0	0	0	0	создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры X- и C-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов
12.		55	0	8	27	20	0	0	0	0
13.	Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов X- и C-диапазонов на основе новых материалов	109	0	0	64	45	0	0	0	0	создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры X- и C-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
13.		62	0	0	32	30	0	0	0	0
14.	Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов	13	0	13	0	0	0	0	0	0	создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
14.		8	0	8	0	0	0	0	0	0
15.	Разработка конструктивно-параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов	208,9	0	0	139,9	69	0	0	0	0	создание конструктивно-параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
15.		115,9	0	0	69,9	46	0	0	0	0
16.	Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства	32	18	14	0	0	0	0	0	0	разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании
16.		22	12	10	0	0	0	0	0	0
17.	Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения	149,416	84,916	64,5	0	0	0	0	0	0	создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
17.		102	59	43	0	0	0	0	0	0
18.	Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения	118,45	0	0	77,5	40,95	0	0	0	0	разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
18.		85,3	0	0	58	27,3	0	0	0	0
19.	Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа и сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетеро-структурах с квантовыми дефектами	110,5	65,5	45	0	0	0	0	0	0	создание технологических процессов производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2008 год), создание базовой технологии получения сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
19.		75,5	45,5	30	0	0	0	0	0	0
20.	Разработка базовых конструкций и технологии производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа	84,5	0	0	50	34,5	0	0	0	0	создание конструктивных рядов и базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
20.		53	0	0	30	23	0	0	0	0
21.	Разработка базовой технологии сверхвысокочастотных p-i-n диодов, матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования	133,314	63,447	69,867	0	0	0	0	0	0	создание базовой технологии производства элементов и специальных элементов и блоков портативной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств связи, радиолокационных станций, радионавигации, измерительной техники, автомобильных радаров, охранных и сигнальных устройств (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
21.		88	42	46	0	0	0	0	0	0
22.	Разработка базовых технологий создания мощных вакуумных сверхвысокочастотных устройств	2313,261	338	295,11	364,822	380,85	320	189,8	210,129	214,55	создание конструктивных рядов и базовых технологий проектирования и производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год), мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год), малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год)
22.		1518,566	230	193,1	226,98	253,9	210	124,8	140,086	139,7
23.	Разработка базовых технологий создания мощных твердотельных сверхвысокочастотных устройств на базе нитрида галлия	1658,481	158,001	253,012	296,269	293,55	287,35	122,05	109,875	138,374	создание базовых конструкций и технологий изготовления сверхвысокочастотных мощных приборов на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая создание гетеропереходных полевых транзисторов с барьером Шоттки с удельной мощностью до 3 - 4 Вт/мм и рабочими напряжениями до 30 В, исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год), разработку технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год)
23.		1094,1	103	166,5	192,4	195,7	189,9	81,1	73,25	92,25
24.	Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов и структур, разработка технологических принципов их изготовления	1042,6735	0	0	0	160,2	99,5	274,5	299,72	208,7535	исследование технологических принципов формирования перспективных сверхвысокочастотных приборов и структур, включая создание наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц
24.		694,5335	0	0	0	106,8	67,02	183	200,09	137,6235
25.	Разработка перспективных методов проектирования и моделирования сложнофункциональной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы	1007,95	0	0	0	49,2	331,7	221,4	238,375	167,275	создание полного состава прикладных программ проектирования и оптимизации сверхвысокочастотной электронной компонентной базы, включая проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе
25.		671,1	0	0	0	32,8	224,7	147,6	157,625	108,375
	Всего по направлению 1	9670,7875	1485,571	1392,821	1375,394	1603,5	1205,35	1021,1	858,099	728,9525
	Всего по направлению 1	6382,3995	993,95	929,35	855,78	1069	804,12	681,2	571,051	477,9485
Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база
26.	Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм	106,65	60	46,65	0	0	0	0	0	0	создание технологии изготовления микросхем на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2009 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)
26.		79,65	38	41,65	0	0	0	0	0	0
27.	Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм	286,65	0	0	39,2	170,25	53,2	24	0	0	создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2013 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно стойкой элементной базы
27.		188,1	0	0	19,6	113,5	37,2	17,8	0	0
28.	Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе"с проектными нормами до 0,25 мкм	245,904	130	115,904	0	0	0	0	0	0	создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,25 мкм (2009 год)
28.		164	87	77	0	0	0	0	0	0
29.	Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм	365,35	0	0	108,6	166,05	67,7	23	0	0	создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,18 мкм
29.		235	0	0	54,3	110,7	52,6	17,4	0	0
30.	Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы	141,75	92	49,75	0	0	0	0	0	0	создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,35 мкм и базовой технологии создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2009 год)
30.		97,65	63	34,65	0	0	0	0	0	0
31.	Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы	257,45	0	0	74,6	130,35	42,3	10,2	0	0	создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2013 год)
31.		159,2	0	0	37,3	86,9	28,2	6,8	0	0
32.	Разработка технологии "кремний на сапфире" изготовления ряда лицензионно-независимых радиационно стойких комплементарных полевых полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса	110,736	58,609	52,127	0	0	0	0	0	0	разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микро-контроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения
32.		73	38	35	0	0	0	0	0	0
33.	Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире	370,802	0	0	82,952	190,35	72,6	24,9	0	0	создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2013 год)
33.		231,7	0	0	39,8	126,9	48,4	16,6	0	0
34.	Разработка базовой технологии и приборно-технологического базиса производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", радиационно стойкой силовой электроники для аппаратуры питания и управления	92,669	51	41,669	0	0	0	0	0	0	разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год)
34.		73,15	40	33,15	0	0	0	0	0	0
35.	Разработка элементной базы радиационно стойких интегральных схем на основе полевых эмиссионных микронанотриодов	74,471	36,2	38,271	0	0	0	0	0	0	создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования
35.		50,6	26,1	24,5	0	0	0	0	0	0
36.	Создание информационной базы радиационно стойкой электронной компонентной базы, содержащей модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы	256,6	0	0	21,4	25	92,4	117,8	0	0	разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний
36.		167,3	0	0	10,7	16,6	61,6	78,4	0	0
37.	Разработка библиотек стандартных элементов и сложнофункциональных блоков для создания радиационно стойких сверхбольших интегральных схем	847,488	0	0	0	105	184,5	251,2	195,038	111,75	создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год)
37.		565,025	0	0	0	70	123	167,5	130,025	74,5
38.	Разработка расширенного ряда радиационно стойких сверхбольших интегральных схем для специальной аппаратуры связи, обработки и передачи информации, систем управления	894,488	0	0	0	187,5	185	141,25	216,75	163,988	разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микро-нанотриодов и микро-нанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования
38.		586,825	0	0	0	125	123	94	144,5	100,325
39.	Разработка и совершенствование методов моделирования и проектирования радиационно стойкой элементной базы	810,1251	0	0	0	75	275	210,75	128,1551	121,22	разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний
39.		531,6317	0	0	0	50	183	140,5	85,4367	72,695
40.	Разработка и совершенствование базовых технологий и конструкций радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе" с топологическими нормами не менее 0,18 мкм	916,75	0	0	0	180	191	177,5	189,75	178,5	создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на сапфире" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2014 год), создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год)
40.		602	0	0	0	120	123	113,5	126,5	119
	Всего по направлению 2	5777,8831	427,809	344,371	326,752	1229,5	1163,7	980,6	729,6931	575,458
	Всего по направлению 2	3804,8317	292,1	245,95	161,7	819,6	780	652,5	486,4617	366,52
Направление 3. Микросистемная техника
41.	Разработка базовых технологий микроэлектромеханических систем	184,215	165,053	19,162	0	0	0	0	0	0	создание базовых технологий (2009 год) и комплектов технологической документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по 2 и 3 осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов
41.		117,9	105,9	12	0	0	0	0	0	0
42.	Разработка базовых конструкций микроэлектромеханических систем	423,712	0	87,238	73,473	108	82,5	72,501	0	0	разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике
42.		263,8	0	42,1	49,7	72	55	45	0	0
43.	Разработка базовых технологий микроакустоэлектромеханических систем	202,784	122,356	44,428	0	0	0	36	0	0	создание базовых технологий (2009 год) и комплектов необходимой технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники
43.		132,15	78,55	29,6	0	0	0	24	0	0
44.	Разработка базовых конструкций микроакустоэлектромеханических систем	411,574	0	52	103,825	88,5	0	167,249	0	0	разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов
44.		258,8	0	28	60,3	59	0	111,5	0	0
45.	Разработка базовых технологий микроаналитических систем	37	37	0	0	0	0	0	0	0	создание базовых технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов
45.	Разработка базовых технологий микроаналитических систем	25	25	0	0	0	0	0	0	0
46.	Разработка базовых конструкций микроаналитических систем	134	0	47	60	27	0	0	0	0	создание базовых конструкций микроаналитических систем, предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники, разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах
46.	Разработка базовых конструкций микроаналитических систем	78	0	20	40	18	0	0	0	0
47.	Разработка базовых технологий микрооптоэлектромеханических систем	42,444	15,358	27,086	0	0	0	0	0	0	создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал, микропереключателей и фазовращателей (2009 год)
47.		27	10,2	16,8	0	0	0	0	0	0
48.	Разработка базовых конструкций микрооптоэлектромеханических систем	109,278	0	33,95	48,328	27	0	0	0	0	разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения
48.		70	0	21	31	18	0	0	0	0
49.	Разработка базовых технологий микросистем анализа магнитных полей	55,008	55,008	0	0	0	0	0	0	0	создание базовых технологий изготовления микросистем анализа магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год)
49.		36	36	0	0	0	0	0	0	0
50.	Разработка базовых конструкций микросистем анализа магнитных полей	153,518	0	39,518	93	21	0	0	0	0	разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях
50.		98,018	0	22,018	62	14	0	0	0	0
51.	Разработка базовых технологий радиочастотных микроэлектромеханических систем	123,525	43,274	80,251	0	0	0	0	0	0	разработка и освоение в производстве базовых технологий изготовления радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год)
51.		80,662	28,45	52,212	0	0	0	0	0	0
52.	Разработка базовых конструкций радиочастотных микроэлектромеханических систем	142,577	0	35,6	63,477	43,5	0	0	0	0	разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий
52.		96	0	25	42	29	0	0	0	0
53.	Разработка методов и средств обеспечения создания и производства изделий микросистемной техники	38,915	38,915	0	0	0	0	0	0	0	создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии
53.		22,8	22,8	0	0	0	0	0	0	0
54.	Разработка перспективных технологий и конструкций микрооптоэлектромеханических систем для оптической аппаратуры, систем отображения изображений, научных исследований и специальной техники	1052	0	0	0	0	345	315	256,5	135,5	создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения (2012 год), акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал, микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации оптического излучения (2015 год)
54.		693	0	0	0	0	230	210	171	82
55.	Разработка и совершенствование методов и средств контроля, испытаний и аттестации изделий микросистемотехники	788,75	0	0	0	150	262,5	142,5	112,5	121,25	создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники
55.		525	0	0	0	100	175	95	75	80
56.	Разработка перспективных технологий и конструкций микроаналитических систем для аппаратуры контроля и обнаружения токсичных, горючих, взрывчатых и наркотических веществ	858,5	0	0	0	0	360	253,5	156,75	88,25	создание перспективных технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год)
56.		569	0	0	0	0	240	169	104,5	55,5
	Всего по направлению 3	4757,8	476,964	466,233	442,103	465	1050	986,75	525,75	345
	Всего по направлению 3	3093,13	306,9	268,73	285	310	700	654,5	350,5	217,5
Направление 4. Микроэлектроника
57.	Разработка технологии и развитие методологии проектирования изделий микроэлектроники: разработка и освоение современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и "системы на кристалле" на основе каталогизированных сложнофункциональных блоков и библиотечных элементов, в том числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования, освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм	308,667	219,3	89,367	0	0	0	0	0	0	разработка комплекта нормативно-технической документации по проектированию изделий микроэлектроники, создание отраслевой базы данных с каталогами библиотечных элементов и сложнофункциональных блоков с каталогизированными результатами аттестации на физическом уровне, разработка комплекта нормативно-технической и технологической документации по взаимодействию центров проектирования в сетевом режиме
57.		178,4	129,5	48,9	0	0	0	0	0	0
58.	Разработка и освоение базовой технологии производства фотошаблонов с технологическим уровнем до 0,13 мкм в целях обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного)	34,569	22,7	11,869	0	0	0	0	0	0	разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров проектирования и центра изготовления фотошаблонов
58.		22,7	14,7	8	0	0	0	0	0	0
59.	Разработка семейств и серий изделий микроэлектроники: универсальных микропроцессоров для встроенных применений, универсальных микропроцессоров для серверов и рабочих станций, цифровых процессоров обработки сигналов, сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем, сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти, микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью, схем интерфейса дискретного ввода - вывода, схем аналогового интерфейса, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8 - 12 бит, схем приемо-передатчиков шинных интерфейсов, изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения, встроенных интегральных источников питания	852,723	350,836	501,887	0	0	0	0	0	0	разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства
59.		490,2	190,1	300,1	0	0	0	0	0	0
60.	Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 14 - 16 бит, микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров, сенсоров на основе магнитоэлектрических и пьезоматериалов, встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10 - 12 ГГц, систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов	2236,828	0	0	1129,878	971,95	135	0	0	0	разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства
60.		1299	0	0	592,3	616,7	90	0	0	0
61.	Разработка технологии и освоение производства изделий микроэлектроники с технологическим уровнем 0,13 мкм	545,397	304,9	240,497	0	0	0	0	0	0	разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической документации и ввод в эксплуатацию производственной линии
61.		308,8	168,3	140,5	0	0	0	0	0	0
62.	Разработка базовой технологии формирования многослойной разводки (7 - 8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu	939,45	0	0	196	360	154	229,45	0	0	разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
62.		587,3	0	0	102	240	99	146,3	0	0
63.	Разработка технологии и организация производства многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей	519,525	0	235,513	168,512	115,5	0	0	0	0	разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
63.		288,9	0	101	110,9	77	0	0	0	0
64.	Разработка новых методов технологических испытаний изделий микроэлектроники, гарантирующих их повышенную надежность в процессе долговременной (более 100000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов	133,8	67	66,8	0	0	0	0	0	0	разработка технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию специализированных участков
64.		133,8	67	66,8	0	0	0	0	0	0
65.	Разработка современных методов анализа отказов изделий микроэлектроники с применением ультраразрешающих методов (ультразвуковая гигагерцовая микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и др.)	243,77	131,9	111,87	0	0	0	0	0	0	разработка комплектов документации, включая утвержденные отраслевые методики, ввод в эксплуатацию модернизированных участков и лабораторий анализа отказов
65.		243,77	131,9	111,87	0	0	0	0	0	0
66.	Разработка базовых субмикронных технологий уровней 0,065 - 0,045 мкм	1166,795	0	0	0	0	310	354,45	285	217,345	создание технологии сверхбольших интегральных схем, создание базовой технологии формирования многослойной разводки сверхбольших интегральных схем топологического уровня 0,065 - 0,045 мкм (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также в целях размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров
66.		770,02	0	0	0	0	200	236,3	190	143,72
67.	Исследование технологических процессов и структур для субмикронных технологий уровней 0,032 мкм	1372,075	0	0	0	0	383	383,45	271,875	333,75	создание технологии сверхбольших интегральных схем технологических уровней 65 - 45 нм, организация опытного производства и исследование технологических уровней 0,032 мкм (2015 год)
67.		894,45	0	0	0	0	245	245,7	160,25	243,5
68.	Разработка перспективных технологий и конструкций изделий интеллектуальной силовой электроники для применения в аппаратуре бытового и промышленного применения, на транспорте, в топливно-энергетическом комплексе и в специальных системах	1350,036	0	0	0	166,05	402,7	318	286,98	176,306	создание технологий и конструкций перспективных изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения, создание встроенных интегральных источников питания (2013 - 2015 годы)
68.		880,606	0	0	0	110,7	261,8	212	190,85	105,256
69.	Разработка перспективных технологий сборки сверхбольших интегральных схем в многовыводные корпуса, в том числе корпуса с матричным расположением выводов, и технологий многокристальной сборки, включая создание "систем в корпусе"	1644,14	0	0	0	300	356,4	205	413,25	369,49	разработка перспективной технологии многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей (2015 год)
69.		1067,36	0	0	0	200	224,2	123	275,5	244,66
	Всего по направлению 4	11347,775	1096,636	1257,803	1494,39	1913,5	1741,1	1490,35	1257,105	1096,891
	Всего по направлению 4	7165,306	701,5	777,17	805,2	1244,4	1120	963,3	816,6	737,136
Направление 5. Электронные материалы и структуры
70.	Разработка технологии производства новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза	78	51	27	0	0	0	0	0	0	внедрение новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза с повышенной теплопроводностью и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов
70.		49	32	17	0	0	0	0	0	0
71.	Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений A3B5 для мощных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем	93,663	0	0	46,233	47,43	0	0	0	0	создание технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений A3B5 для обеспечения разработок и изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных транзисторов (2011 год)
71.		54,24	0	0	22,62	31,62	0	0	0	0
72.	Разработка базовой технологии производства метаморфных структур на основе GaAs и псевдоморфных структур на подложках InP для приборов сверхвысокочастотной электроники диапазона 60 - 90 ГГц	78,047	50,147	27,9	0	0	0	0	0	0	создание базовой технологии производства гетероструктур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц (2009 год)
72.		49,8	32	17,8	0	0	0	0	0	0
73.	Разработка технологии производства спинэлектронных магнитных материалов, радиопоглощающих и мелкодисперсных ферритовых материалов для сверхвысокочастотных приборов	132,304	0	0	33,304	45	54	0	0	0	создание спинэлектронных магнитных материалов и микроволновых структур со спиновым управлением для создания перспективных микроволновых сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления
73.		82	0	0	16	30	36	0	0	0
74.	Разработка технологии производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для обеспечения производства полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпи-таксиальных структур на их основе	76,4	50,1	26,3	0	0	0	0	0	0	создание технологии массового производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для выпуска полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе (2009 год)
74.		47,3	31	16,3	0	0	0	0	0	0
75.	Разработка технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для теплопроводных конструкций мощных выходных транзисторов и сверхвысокочастотных приборов	62,07	0	0	12	35,07	15	0	0	0	создание технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для мощных сверхвысокочастотных приборов (2012 год)
75.		45,38	0	0	12	23,38	10	0	0	0
76.	Исследование путей и разработка технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур, а также полупроводниковых нитей с наноразмерами при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника	57	36	21	0	0	0	0	0	0	создание технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых классов микроструктурных приборов, магниторезисторов, осцилляторов, устройств оптоэлектроники (2009 год)
76.		38	24	14	0	0	0	0	0	0
77.	Разработка технологии выращивания слоев пьезокерамики на кремниевых подложках для формирования комплексированных устройств микросистемной техники	64,048	0	4,5	32,548	27	0	0	0	0	создание базовой пленочной технологии пьезокерамических элементов, совместимой с комплементарной металлооксидной полупроводниковой технологией для разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами (2011 год)
77.		39	0	3	18	18	0	0	0	0
78.	Разработка методологии и базовых технологий создания многослойных кремниевых структур с использованием "жертвенных" и "стопорных" диффузионных и диэлектрических слоев для производства силовых приборов и элементов микроэлектромеханических систем	63,657	42,657	21	0	0	0	0	0	0	создание технологии травления и изготовления кремниевых трехмерных базовых элементов микроэлектромеханических систем с использованием "жертвенных" и "стопорных" слоев для серийного производства элементов микроэлектромеханических систем (2009 год) кремниевых структур с использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния
78.		38	24	14	0	0	0	0	0	0
79.	Разработка базовых технологий получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий с широким диапазоном функциональных свойств	45,85	0	0	29,35	16,5	0	0	0	0	создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий, алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения (2011 год)
79.		22	0	0	11	11	0	0	0	0
80.	Исследование и разработка технологии роста эпитаксиальных слоев карбида кремния, структур на основе нитридов, а также формирования изолирующих и коммутирующих слоев в приборах экстремальной электроники	136,716	57,132	79,584	0	0	0	0	0	0	создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов для создания радиационно стойких сверхвысокочастотных и силовых приборов нового поколения (2009 год)
80.		88,55	38	50,55	0	0	0	0	0	0
81.	Разработка технологии производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на ультратонких гетероэпитаксиальных структурах кремния на сапфировой подложке для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения	159,831	52	107,831	0	0	0	0	0	0	создание технологии производства структур "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм с толщиной приборного слоя до 0,1 мкм и топологическими нормами до 0,18 мкм для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения (2009 год)
81.		90	35	55	0	0	0	0	0	0
82.	Разработка технологии производства высокоомного радиационно облученного кремния, слитков и пластин кремния диаметром до 150 мм для производства силовых полупроводниковых приборов	138,549	54	84,549	0	0	0	0	0	0	создание технологии производства радиационно облученного кремния и пластин кремния до 150 мм для выпуска мощных транзисторов и сильноточных тиристоров нового поколения (2009 год)
82.		89,7	36	53,7	0	0	0	0	0	0
83.	Разработка технологии производства кремниевых подложек и структур для силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями p- и n-типов проводимости и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией	90,4	38,5	51,9	0	0	0	0	0	0	разработка и промышленное освоение получения высококачественных подложек и структур для использования в производстве силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией (2009 год)
83.		58,9	24	34,9	0	0	0	0	0	0
84.	Разработка технологии производства электронного кремния, кремниевых пластин диаметром до 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм	220,764	73,964	146,8	0	0	0	0	0	0	создание технологии производства пластин кремния диаметром до 200 мм и эпитаксиальных структур уровня 0,25 - 0,18 мкм (2009 год)
84.		162	48	114	0	0	0	0	0	0
85.	Разработка методологии, конструктивно-технических решений и перспективной базовой технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами	266,35	0	0	81,85	124,5	30	30	0	0	разработка технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами, обеспечивающей сокращение состава сборочных операций и формирование трехмерных структур (2013 год)
85.		161	0	0	38	83	20	20	0	0
86.	Разработка технологии производства гетероструктур SiGe для разработки сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм	230,141	0	0	35,141	135	30	30	0	0	создание базовой технологии производства гетероструктур SiGe для выпуска быстродействующих сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм (2011 год, 2013 год)
86.		143	0	0	13	90	20	20	0	0
87.	Разработка технологии выращивания и обработки, в том числе плазмохимической, новых пьезоэлектрических материалов для акустоэлектроники и акустооптики	46,745	28,745	18	0	0	0	0	0	0	создание технологии выращивания и обработки пьезоэлектрических материалов акустоэлектроники и акустооптики для обеспечения производства широкой номенклатуры акустоэлектронных устройств нового поколения (2009 год)
87.		34	22	12	0	0	0	0	0	0
88.	Разработка технологий производства соединений A3B5 и тройных структур для производства сверхмощных лазерных диодов, высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов, фотоприемников среднего инфракрасного диапазона	93,501	0	0	24,001	33	23	13,5	0	0	создание технологии массового производства исходных материалов и структур для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники, в том числе производства сверхмощных лазерных диодов (2010 год), высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов (2011 год), фотоприемников среднего инфракрасного диапазона (2013 год)
88.		58	0	0	12	22	15	9	0	0
89.	Исследование и разработка технологии получения гетероструктур с вертикальными оптическими резонаторами на основе квантовых ям и квантовых точек для производства вертикально излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения	45,21	30,31	14,9	0	0	0	0	0	0	создание технологии производства принципиально новых материалов полупроводниковой электроники на основе сложных композиций для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники (2009 год)
89.		30	22	8	0	0	0	0	0	0
90.	Разработка технологии производства современных компонентов для специализированных фотоэлектронных приборов, в том числе катодов и газопоглотителей, электронно-оптических и отклоняющих систем, стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок	32,305	0	0	24,805	7,5	0	0	0	0	создание технологии производства компонентов для специализированных электронно-лучевых (2010 год), электронно-оптических и отклоняющих систем (2010 год), стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2011 год)
90.		17	0	0	12	5	0	0	0	0
91.	Разработка технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для высокоэффективных фотокатодов, электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона и солнечных элементов с высокими значениями коэффициента полезного действия	39,505	27,505	12	0	0	0	0	0	0	создание технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для изготовления высокоэффективных фотокатодов электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона, солнечных элементов и других приложений (2009 год)
91.		32	20	12	0	0	0	0	0	0
92.	Разработка базовой технологии производства монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для гетероструктур	42,013	0	0	24,013	18	0	0	0	0	создание технологии монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для создания полупроводниковых высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения (2011 год)
92.		24	0	0	12	12	0	0	0	0
93.	Разработка базовой технологии производства наноструктурированных оксидов металлов (корунда и др.) для производства вакуумно-плотной нанокерамики, в том числе с заданными оптическими свойствами	44,599	29,694	14,905	0	0	0	0	0	0	создание базовой технологии вакуумно-плотной спецстойкой керамики из нанокристаллических порошков и нитридов металлов для промышленного освоения спецстойких приборов нового поколения (2009 год), в том числе микрочипов, сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники
93.		29,2	19,85	9,35	0	0	0	0	0	0
94.	Разработка базовой технологии производства полимерных и гибридных органонеорганических наноструктурированных защитных материалов для электронных компонентов нового поколения прецизионных и сверхвысокочастотных резисторов, терминаторов, аттенюаторов и резисторно-индукционноемкостных матриц, стойких к воздействию комплекса специальных внешних факторов	25,006	0	0	22,006	3	0	0	0	0	создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями для создания изделий с высокой механической, термической и радиационной стойкостью при работе в условиях длительной эксплуатации и воздействии комплекса специальных внешних факторов (2011 год)
94.		13	0	0	11	2	0	0	0	0
95.	Исследование и разработка перспективных гетероструктурных и наноструктурированных материалов с экстремальными характеристиками для перспективных электронных приборов и радиоэлектронной аппаратуры специального назначения	1365,875	0	0	0	225	269	309	306,375	256,5	создание базовой технологии производства гетероструктур, структур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц (2012 год), создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год), алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год)
95.		910,25	0	0	0	150	179	206	204,25	171
96.	Исследование и разработка экологически чистых материалов и методов их использования в производстве электронной компонентной базы и радиоаппаратуры, включая бессвинцовые композиции для сборки	1254,0188	0	0	0	0	435	300	259,5188	259,5	создание нового класса конструкционных и технологических материалов для уровней технологии 0,065 - 0,032 мкм и обеспечения высокого процента выхода годных изделий, экологических требований по международным стандартам (2012 год, 2015 год)
96.		836,0125	0	0	0	0	290	200	173,0125	173
97.	Разработка перспективных технологий получения ленточных материалов (полимерные, металлические, плакированные и другие) для радиоэлектронной аппаратуры и сборочных операций электронной компонентной базы	1276,635	0	0	0	0	404	352,5	284,885	235,25	создание перспективных технологий производства компонентов для специализированных электронно-лучевых, электронно-оптических и отклоняющих систем, стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2013 год), создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями (2015 год)
97.		832,76	0	0	0	0	270	235	187,51	140,25
	Всего по направлению 5	6259,2028	621,754	658,169	365,251	717	1260	1035	850,7788	751,25
	Всего по направлению 5	4074,0925	407,85	431,6	177,62	478	840	690	564,7725	484,25
Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы
98.	Разработка технологии выпуска прецизионных температуростабильных высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц резонаторов на поверхностно акустических волнах до 1,5 ГГц с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2 - 5 нс	30,928	18	12,928	0	0	0	0	0	0	разработка расширенного ряда резонаторов с повышенной кратковременной и долговременной стабильностью для создания контрольной аппаратуры и техники связи двойного назначения
98.		20	12	8	0	0	0	0	0	0
99.	Разработка в лицензируемых и нелицензируемых международных частотных диапазонах 860 МГц и 2,45 ГГц ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров, в том числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом	78,5	0	32	33	13,5	0	0	0	0	создание технологии и конструкции акустоэлектронных пассивных и активных меток-транспондеров для применения в логистических приложениях на транспорте, в торговле и промышленности (2010 год, 2011 год)
99.		45	0	14	22	9	0	0	0	0
100.	Разработка базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа	30,5	17	13,5	0	0	0	0	0	0	создание технологии проектирования и базовых конструкций пьезоэлектрических фильтров в малогабаритных корпусах для поверхностного монтажа при изготовлении техники связи массового применения (2009 год)
100.		19,5	11	8,5	0	0	0	0	0	0
101.	Разработка технологии проектирования, базовой технологии производства и конструирования акустоэлектронных устройств нового поколения и фильтров промежуточной частоты с высокими характеристиками для современных систем связи, включая высокоизбирательные высокочастотные устройства частотной селекции на поверхностных и приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц	37,73	37,73	0	0	0	0	0	0	0	создание базовой технологии акустоэлектронных приборов для перспективных систем связи, измерительной и навигационной аппаратуры нового поколения - подвижных, спутниковых, тропосферных и радиорелейных линий связи, цифрового интерактивного телевидения, радиоизмерительной аппаратуры, радиолокационных станций, спутниковых навигационных систем (2008 год)
101.		23	23	0	0	0	0	0	0	0
102.	Разработка технологии проектирования и базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов типа "система в корпусе"	97,416	0	35,001	62,415	0	0	0	0	0	создание технологии производства высокоинтегрированной электронной компонентной базы типа "система в корпусе" для вновь разрабатываемых и модернизируемых сложных радиоэлектронных систем и комплексов (2010 год)
102.		60,9	0	22	38,9	0	0	0	0	0
103.	Разработка базовой конструкции и технологии изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных систем	63	0	0	0	21	21	21	0	0	создание базовой технологии (2013 год) и базовой конструкции микроминиатюрных высокодобротных фильтров для малогабаритной и носимой аппаратуры навигации и связи
103.		42	0	0	0	14	14	14	0	0
104.	Разработка технологии и базовой конструкции фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений	35	35	0	0	0	0	0	0	0	создание нового поколения оптоэлектронных приборов для обеспечения задач предотвращения аварий и контроля
104.		23	23	0	0	0	0	0	0	0
105.	Разработка базовой технологии унифицированных электронно-оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона	35,309	16,009	19,3	0	0	0	0	0	0	создание базовой технологии нового поколения приборов контроля тепловых полей для задач теплоэнергетики, медицины, поисковой и контрольной аппаратуры на транспорте, продуктопроводах и в охранных системах (2009 год)
105.		21,9	10	11,9	0	0	0	0	0	0
106.	Разработка базовой технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов и усилителей для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения, научной и метрологической аппаратуры	82	45	37	0	0	0	0	0	0	создание базовой технологии (2008 год) и конструкции новых типов приборов, сочетающих фотоэлектронные и твердотельные технологии, в целях получения экстремально достижимых характеристик для задач контроля и наблюдения в системах двойного назначения
106.		53	30	23	0	0	0	0	0	0
107.	Разработка базовых технологий мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения), специализированных лазерных полупроводниковых диодов, фотодиодов и лазерных волоконно-оптических модулей для создания аппаратуры и систем нового поколения	96,537	48,136	48,401	0	0	0	0	0	0	создание базовой технологии (2008 год) и конструкций принципиально новых мощных диодных лазеров, предназначенных для широкого применения в изделиях двойного назначения, медицины, полиграфического оборудования и системах открытой оптической связи
107.		64	30	34	0	0	0	0	0	0
108.	Разработка и освоение базовых технологий для лазерных навигационных приборов, включая интегральный оптический модуль лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта	56,5	0	16	30	10,5	0	0	0	0	разработка базового комплекта основных оптоэлектронных компонентов для лазерных гироскопов широкого применения (2010 год), создание комплекса технологий обработки и формирования структурных и приборных элементов, оборудования контроля и аттестации, обеспечивающих новый уровень технико-экономических показателей производства
108.		37	0	10	20	7	0	0	0	0
109.	Разработка базовых конструкций и технологий создания квантово-электронных приемо-передающих модулей для малогабаритных лазерных дальномеров нового поколения на основе твердотельных чип-лазеров с полупроводниковой накачкой, технологических лазерных установок широкого спектрального диапазона	22	22	0	0	0	0	0	0	0	создание базовой технологии твердотельных чип-лазеров для лазерных дальномеров, твердотельных лазеров с пикосекундными длительностями импульсов для установок по прецизионной обработке композитных материалов, для создания элементов и изделий микромашиностроения и в производстве электронной компонентной базы нового поколения, мощных лазеров для применения в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах (2008 год, 2009 год)
109.		15	15	0	0	0	0	0	0	0
110.	Разработка базовых технологий формирования конструктивных узлов и блоков для лазеров нового поколения и технологии создания полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве	66,305	56,27	10,035	0	0	0	0	0	0	создание технологии получения широкоапертурных элементов на основе алюмоиттриевой легированной керамики композитных составов для лазеров с диодной накачкой (2008 год), высокоэффективных преобразователей частоты лазерного излучения, организация промышленного выпуска оптических изделий и лазерных элементов широкой номенклатуры
110.		43	37	6	0	0	0	0	0	0
111.	Разработка базовых технологий, базовой конструкции и организация производства интегрированных катодолюминесцентных и других дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением	35	17	18	0	0	0	0	0	0	разработка расширенной серии низковольтных катодолюминесцентных и других дисплеев с широким диапазоном эргономических характеристик и свойств по условиям применения для информационных и контрольных систем
111.		35	17	18	0	0	0	0	0	0
112.	Разработка технологии и базовых конструкций высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения	38,354	23,73	14,624	0	0	0	0	0	0	создание ряда принципиально новых светоизлучающих приборов с минимальными геометрическими размерами, высокой надежностью и устойчивостью к механическим и климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения
112.		29	16	13	0	0	0	0	0	0
113.	Разработка базовой технологии и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа	100,604	0	21,554	61,05	18	0	0	0	0	создание базовой технологии производства нового поколения оптоэлектронной высокоэффективной и надежной электронной компонентной базы для промышленного оборудования и систем связи (2010 год, 2011 год)
113.		59	0	10	37	12	0	0	0	0
114.	Разработка схемотехнических решений и унифицированных базовых конструкций и технологий формирования твердотельных видеомодулей на полупроводниковых светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой	51,527	24	27,527	0	0	0	0	0	0	создание технологии новых классов носимой и стационарной аппаратуры, экранов отображения информации коллективного пользования повышенных емкости и формата (2009 год)
114.		33,5	16	17,5	0	0	0	0	0	0
115.	Разработка базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по "бесхлоридной" технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения	57,304	31,723	25,581	0	0	0	0	0	0	создание технологии массового производства солнечных элементов для индивидуального и коллективного использования в труднодоступных районах, развития солнечной энергетики в жилищно-коммунальном хозяйстве для обеспечения задач энергосбережения (2009 год)
115.		37	20	17	0	0	0	0	0	0
116.	Разработка базовой технологии и освоение производства оптоэлектронных реле с повышенными техническими характеристиками для поверхностного монтажа	32	18	14	0	0	0	0	0	0	создание технологии массового производства нового класса оптоэлектронных приборов для широкого применения в радиоэлектронной аппаратуре (2009 год)
116.		19	12	7	0	0	0	0	0	0
117.	Комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления с катушки на катушку	136,7	0	50	63	23,7	0	0	0	0	создание базовой технологии массового производства экранов с предельно низкой удельной стоимостью для информационных и обучающих систем (2010 год, 2011 год)
117.		71,8	0	22	34	15,8	0	0	0	0
118.	Разработка базовых конструкций и технологии активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических и кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и создание на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения	145,651	45	13,526	87,125	0	0	0	0	0	создание технологии и конструкции активно-матричных органических электролюминесцентных, жидкокристаллических и катодолюминесцентных дисплеев, стойких к внешним специальным и климатическим воздействиям (2010 год)
118.		100,5	30	8,5	62	0	0	0	0	0
119.	Разработка базовой конструкции и технологии крупноформатных полноцветных газоразрядных видеомодулей	85,004	0	41,004	20	24	0	0	0	0	создание технологии и базовых конструкций полноцветных газоразрядных видеомодулей специального и двойного назначения для наборных экранов коллективного пользования (2010 год)
119.		46	0	10	20	16	0	0	0	0
120.	Разработка технологии сверхпрецизионных резисторов и гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на их основе в металлокерамических корпусах для аппаратуры двойного назначения	63,249	24,013	18,027	21,209	0	0	0	0	0	разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов, гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей с параметрами, превышающими уровень существующих отечественных и зарубежных изделий, для аппаратуры связи, диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники (2010 год)
120.		42	16	12	14	0	0	0	0	0
121.	Разработка базовой технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона номиналов, прецизионных датчиков тока для измерительной и контрольной аппаратуры и освоение их производства	72	0	0	0	30	30	12	0	0	разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов с повышенной удельной мощностью рассеяния, высоковольтных высокоомных резисторов для измерительной техники, приборов ночного видения и аппаратуры контроля (2013 год)
121.		48	0	0	0	20	20	8	0	0
122.	Разработка технологии и базовых конструкций резисторов и резистивных структур нового поколения для поверхностного монтажа, в том числе резисторов с повышенными характеристиками, ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции	149,019	0	10,5	18,519	24,75	45	50,25	0	0	создание базовой технологии и конструкции резисторов с повышенными значениями стабильности, удельной мощности в чип-исполнении на основе многослойных монолитных структур (2010 год, 2013 год)
122.		100	0	7	13	16,5	30	33,5	0	0
123.	Разработка технологий формирования интегрированных резистивных структур с повышенными технико-эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки	46,93	36,001	10,929	0	0	0	0	0	0	создание базовой технологии производства датчиков на резистивной основе с высокими техническими характеристиками и надежностью (2009 год)
123.		30,95	24	6,95	0	0	0	0	0	0
124.	Создание групповой технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов	59,011	30,006	29,005	0	0	0	0	0	0	создание технологии автоматизированного производства чип- и микрочип-резисторов (в габаритах 0402, 0201 и менее) для применения в массовой аппаратуре (2009 год)
124.		39	20	19	0	0	0	0	0	0
125.	Разработка новых базовых технологий и конструктивных решений изготовления танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов и чип-конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками	126	24	27	75	0	0	0	0	0	создание базовой технологии производства конденсаторов с качественно улучшенными характеристиками с электродами из неблагородных металлов при сохранении высокого уровня надежности (2010 год)
125.		83	16	17	50	0	0	0	0	0
126.	Разработка комплексной базовой технологии и организация производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и ионисторов с повышенным током разряда	29,801	22,277	7,524	0	0	0	0	0	0	создание базовых технологий конденсаторов и ионисторов на основе полимерных материалов с повышенным удельным зарядом и энергоемких накопительных конденсаторов с повышенной удельной энергией (2009 год)
126.		18	13	5	0	0	0	0	0	0
127.	Разработка технологии, базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения с предельными характеристиками для радиотехнической аппаратуры с высокими сроками службы	94,006	0	23,5	39,006	31,5	0	0	0	0	создание технологии и базовых конструкций нового поколения выключателей для радиоэлектронной аппаратуры с повышенными тактико-техническими характеристиками и надежностью (2011 год)
127.		62	0	15	26	21	0	0	0	0
128.	Разработка технологий создания газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками	50,599	24,803	25,796	0	0	0	0	0	0	создание технологии изготовления коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей в широком диапазоне напряжений и токов для радиоэлектронных и электротехнических систем (2009 год)
128.		33,5	16,5	17	0	0	0	0	0	0
129.	Разработка полного комплекта электронной компонентной базы для создания модульного устройства грозозащиты зданий и сооружений с обеспечением требований по международным стандартам	26,5	26,5	0	0	0	0	0	0	0	создание технологии выпуска устройств грозозащиты в индивидуальном, промышленном и гражданском строительстве, строительстве пожароопасных объектов (2008 год)
129.		17,5	17,5	0	0	0	0	0	0	0
130.	Разработка базовых конструкций и технологий изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа	55	46	9	0	0	0	0	0	0	создание базовой технологии формирования высококачественных гальванических покрытий, технологии прецизионного формирования изделий для автоматизированных систем изготовления коммутационных устройств широкого назначения (2009 год)
130.		37	31	6	0	0	0	0	0	0
131.	Комплексное исследование и разработка пленочных технологий изготовления высокоэкономичных крупноформатных гибких и особо плоских экранов	741,505	0	0	0	80,55	181	172,5	172,08	135,375	комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических светоизлучающих диодов (ОСИД), полимерной пленочной основы и технологий изготовления гибких ОСИД-экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати, процессов наноимпринта и рулонной технологии изготовления (2015 год)
131.		494,67	0	0	0	53,7	121	115	114,72	90,25
132.	Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных и квантовых структур и приборов нового поколения	738,4765	0	0	0	75	217,5	156,75	171,635	117,5915	создание технологии формирования нового поколения оптоэлектронных комплексированных приборов, обеспечивающих создание "системы на кристалле" с оптическими входами-выходами (2014 год, 2015 год)
132.		491,514	0	0	0	50	145	104,5	114,61	77,404
133.	Разработка перспективных технологий промышленного изготовления солнечных высокоэффективных элементов	689,85	0	0	0	0	255	247,5	82,5	104,85	создание перспективной технологии изготовления солнечных элементов на основе четверных соединений нитридов металлов III группы (2015 год)
133.		454	0	0	0	0	170	165	55	64
	Всего по направлению 6	4355,8155	688,198	611,262	510,324	352,5	749,5	660	426,215	357,8165
	Всего по направлению 6	2849,234	456	365,35	336,9	235	500	440	284,33	231,654
Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции
134.	Разработка базовых технологий создания рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей для аппаратуры связи, радиолокации, телекоммуникаций, бортовых радиотехнических средств	4141,433	130,715	167,733	127,015	630	1058	707,55	665,7	654,72	создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной элементной базы и последних достижений в разработке алгоритмов сжатия видеоизображений приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры связи, телекоммуникаций, цифрового телевидения, бортовых радиотехнических средств, активных фазированных антенных решеток с параметрами диапазона частот до 100 ГГц, скорости передачи информации до 100 Гбит/с, создание базовых технологий и конструкции для создания унифицированных рядов приемо-передающих унифицированных электронных модулей аппаратуры волоконно-оптических линий связи когерентных, высокоскоростных каналов со спектральным уплотнением, телекоммуникаций, цифрового телевидения, обеспечивающих импортозамещение в этой области, разработка новых технологий
134.		2715,25	90,1	113,6	87,7	420	691	471,7	435,3	405,85
135.	Разработка базовых технологий создания нового класса унифицированных электронных модулей для обработки аналоговых и цифровых сигналов на основе устройств функциональной электроники, приборов обработки сигналов аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей, сенсоров и преобразователей	2961,6528	91,404	159,155	101,29	465	797	706,8	305,675	335,3288	создание на основе базовых технологий и современной отечественной твердотельной компонентной электронной базы унифицированных электронных модулей нового поколения для обработки аналоговых и цифровых сигналов радиолокационных систем и других радиотехнических систем в высокочастотных и сверхвысокочастотных диапазонах, освоение производства нового класса многофункциональных радиоэлектронных устройств, разработка унифицированных электронных модулей преобразователей физических и химических величин для измерения и контроля широкой номенклатуры параметров микромеханических систем
135.		1963,5475	61,1	104,9	56,4	310	540	471,2	196,395	223,5525
136.	Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных модулей для систем телеметрии, управления, навигации (угловых и линейных перемещений, ориентации, стабилизации, позиционирования, наведения, радиопеленгации, единого времени)	1598,7836	47,185	77,477	63,783	285	453	247,5	199,0775	225,7611	создание рядов унифицированных электронных модулей для систем телеметрии, управления, радиолокационных, робототехнических, телекоммуникационных систем и навигации (ориентации, стабилизации, позиционирования, наведения, радиопеленгации, единого времени), позволяющих резко снизить стоимость и организовать крупносерийное производство радиоэлектронных средств широкого применения
136.		1068,3925	32,5	42,2	45,55	190	313	162	132,635	150,5075
137.	Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных модулей процессоров, скоростного и сверхскоростного ввода-вывода данных, шифрования и дешифрования данных, интерфейсов обмена, систем сбора и хранения информации, периферийных устройств, систем идентификации и управления доступом, конверторов, информационно-вычислительных систем	3041,4729	60,024	89,053	63,082	540	977	447	453,4324	411,8815	создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной базы унифицированных электронных модулей широкой номенклатуры для применения в различных информационных системах, в том числе унифицированных электронных модулей шифрования и дешифрования данных, разработка базовых технологий и конструкций унифицированных электронных модулей систем радиочастотной идентификации, систем идентификации личности, транспортных средств, контроля доступа на объекты повышенной безопасности, объектов атомной энергетики. В создаваемых унифицированных электронных модулях будет обеспечена скорость обмена и передачи информации до 30 Гб/с
137.		2023,1899	40	53,5	42,04	360	658	296	299,9824	273,6675
138.	Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных цифровых модулей для перспективных магистрально-модульных архитектур	1969,3185	49,076	64,824	81,236	270	437	500,9	258,499	307,7835	разработка на основе перспективных отечественных сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" базового ряда электронных модулей для создания перспективных магистрально-модульных архитектур, обеспечивающих создание защищенных средств вычислительной техники нового поколения (автоматизированные рабочие места, серверы, средства высокоскоростных линий волоконной связи), функционирующих с использованием современных высокоскоростных последовательных и параллельных системных интерфейсов
138.		1312,529	32,7	43,2	46,5	180	303	329,6	172,34	205,189
139.	Разработка базовых технологий создания ряда унифицированных электронных модулей для контрольно-измерительной, метрологической и поверочной аппаратуры, аппаратуры тестового контроля, диагностики блоков радиоэлектронной аппаратуры, для стандартных и встроенных систем контроля и измерений	2024,4781	72,091	92,753	61,381	330	536	312,9	318,8432	300,5099	создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной базы рядов унифицированных электронных модулей, обеспечивающих возможность создания по модульному принципу контрольно-измерительной, метрологической и поверочной аппаратуры, аппаратуры тестового контроля и диагностики на основе базовых несущих конструкций, создание комплекта сложнофункциональных блоков, определяющих ядро измерительных приборов, систем и комплексов, разработка законченных функциональных модулей, предназначенных для выполнения процессорных и интерфейсных функций поверки и диагностики сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" для систем управления, а также систем проектирования и изготовления модулей систем управления и бортовых электронно-вычислительных машин, систем обработки информации и вычислений
139.		1341,8801	35,5	61,9	40,8	220	364	208,6	212,5621	198,518
140.	Разработка базовых технологий создания нового поколения унифицированных рядов средств электропитания и преобразователей электроэнергии для радиоэлектронных систем и аппаратуры гражданского и двойного назначения	2921,0238	58,5	95,178	91,262	480	860	421,05	519,3	395,7338	разработка базовых технологий создания системообразующих унифицированных рядов средств (систем, источников, сервисных устройств) и преобразователей электроэнергии нового поколения межвидового и межведомственного применения, в том числе средств электропитания с высокой плотностью упаковки элементов с применением бескорпусных изделий, плоских моточных изделий пленочной технологии, новых методов экранирования, отвода и рассеяния тепла, основанных на применении наноразмерных материалов с высокой анизотропной теплопроводностью. Будут разработаны базовые технологии создания унифицированных рядов источников электропитания, преобразователей электрической энергии, источников и систем бесперебойного электропитания, фильтров сетевых модулей автоматического переключения каналов, модулей защиты от сетевых помех, адаптеров
140.		1934,6725	41	62	55	320	574	280,7	338,15	263,8225
141.	Разработка оптимизированной системы базовых несущих конструкций первого, второго и третьего уровней для наземной, морской, авиационной и космической радиоэлектронной аппаратуры специального и двойного назначения, предназначенной для жестких условий эксплуатации, в том числе работающей в негерметизированном отсеке с использованием прогрессивных технологий	2731,3303	43	84,225	90	525	920	424	289,9995	355,1058	разработка системы базовых несущих конструкций, изготавливаемых на основе прогрессивных технологий и обеспечивающих техническую совместимость со всеми видами современных объектов с использованием композиционных материалов. Применение оптимизированных базовых несущих конструкций позволит сократить сроки разработки радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 раза, снизить трудоемкость изготовления базовых несущих конструкций в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение
141.		1809,5588	28	54,5	57	350	612	295	193,333	219,7258
142.	Разработка базовых технологий комплексно интегрированных базовых несущих конструкций с функциями контроля, диагностики, индикации функционирования	2211,264	46,16	66,651	60,078	285	482	403,8	431,575	436	разработка системы базовых несущих конструкций, изготавливаемых на основе прогрессивных технологий и обеспечивающих техническую совместимость со всеми видами современных объектов с использованием композиционных материалов. Применение оптимизированных базовых несущих конструкций позволит сократить сроки разработки радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 раза, снизить трудоемкость изготовления базовых несущих конструкций в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение
142.		1483,93	33	45,3	41,38	190	320	269,2	291,05	294
143.	Разработка базовых технологий создания облегченных паяных базовых несущих конструкций для радиоэлектронной аппаратуры авиационного и космического базирования на основе существующих и перспективных алюминиевых сплавов повышенной прочности, обеспечивающих отвод тепла по элементам конструкции	1116,518	30,618	34,2	38	210	362	185	119,7	137	обеспечение улучшения массогабаритных характеристик бортовой аппаратуры на 10 процентов и повышение прочности при внешних воздействиях в 1,2 раза
143.		739	20	22,2	24	140	240	124	79,8	89
144.	Разработка контейнерных базовых несущих конструкций с унифицированными интерфейсными средствами для комплексирования бортовых и наземных систем и комплексов различного назначения	965,425	21	32,4	38	180	275	144	139,65	135,375	повышение уровня системной интеграции и комплексирования средств и систем, повышение конкурентоспособности не менее чем в 2 раза, обеспечение функционирования аппаратуры в условиях внешних жестких воздействий
144.		637,75	14	20,4	24	120	180	96	93,1	90,25
	Всего по направлению 7	25682,7	649,773	963,649	815,127	4200	7157	4500,5	3701,4516	3695,1994
	Всего по направлению 7	17029,7003	427,9	623,7	520,37	2800	4795	3004	2444,6475	2414,0828
Направление 8. Типовые базовые технологические процессы
145.	Разработка технологии изготовления высокоплотных теплонагруженных и сильноточных печатных плат	2800,195	45	75,057	66,568	555	848	407,4	423,625	379,545	обеспечение разработки технологий производства печатных плат 5-го и выше классов точности, включая платы со встроенными пассивными элементами, создания межслойных соединений с переходными сопротивлениями до 1 мОм для силовых цепей электропитания, формирования слоев меди (в том числе с толщиной до 200 - 400 мкм), серебра, никеля с высокими показателями проводимости, формирования финишных покрытий для бессвинцовой технологии производства изделий, производства многослойных печатных плат под высокие температуры пайки, лазерных процессов изготовления печатных плат, прямой металлизации сквозных и глухих отверстий
145.		1867,32	30	50	44	370	575	271,6	278,75	247,97
146.	Разработка технологии изготовления прецизионных коммутационных плат на основе керамики (в том числе низкотемпературной), металла, углепластика и других функциональных материалов	1829,852	35,733	52,195	49,124	360	545	271,95	260,775	255,075	обеспечение разработки технологий изготовления коммутационных плат для жестких условий эксплуатации и широкого диапазона частот, получения коммутационных плат с температурным коэффициентом расширения, соответствующим тепловым характеристикам многовыводных корпусов (в том числе керамических) современных приборов, обеспечения предельно минимального газовыделения в замкнутом пространстве герметичных модулей, снижения энергоемкости технологических процессов за счет применения прогрессивных материалов и методов обработки, в том числе низкотемпературной керамики, интеграции в коммутационную плату теплостоков и низкоомных проводников, пассивных элементов, прогрессивных методов формообразования элементов коммутационных плат, обеспечения совмещенного монтажа компонентов методами пайки и сварки на одной плате
146.		1221,5	25	35	33,3	240	363	181,3	173,85	170,05
147.	Разработка технологий сборки, монтажа электронных модулей, многокристальных модулей и микросборок на основе новой компонентной базы, перспективных технологических и конструкционных материалов	3367,42	65,121	107,805	67,219	615	1033	547,05	503,025	429,2	обеспечение разработки технологий новых методов присоединения, сварки, пайки, в том числе с применением бессвинцовых припоев, высокоточного дозирования материалов, применяемых при сборке (флюсы, припои и припойные пасты, клеи, лаки, компаунды и др.), новых методов сборки и пайки корпусов типа BGA, CSP, Flip-chip и других на различные коммутационные платы, монтажа новой электронной компонентной базы, в том числе бескорпусных кристаллов силовых ключей на токовые шины, сборки и монтажа низкопрофильных магнитных компонентов, настройки и ремонта сложных модулей, в том числе демонтажа и повторного монтажа многовыводных компонентов с восстановлением влагозащиты
147.		2229,7	43	63	44,6	410	689	364,7	335,35	280,05
148.	Разработка технологии создания межблочных соединений для коммутации сигналов в широком диапазоне частот и мощностей	1244,65018	29	36,5	36,5	225	382	206,07	178,92246	150,65772	обеспечение разработки технологий изготовления антенно-фидерных устройств, в том числе гибких волноводов, вращающихся сочленений с различными видами охлаждения, оптоволоконной коммутации, устойчивой к воздействию жестких условий эксплуатации для различных условий применения, в том числе для систем дистанционного управления и мониторинга, изготовления устройств коммутации (разъемов, переключателей и др.) различного назначения, в том числе многовыводных, герметичных, врубных, сильноточных и др.
148.		816,37658	19	24	24	150	255	137,38	114,59886	92,39772
149.	Разработка методов, средств и технологии автоматизированного контроля коммутационных плат, узлов, электронных модулей и приборов специального и общего применения на этапах разработки и производства	2002,8048	35,154	61,38	47,258	225	382	379,05	451,6613	421,3015	повышение процента выхода годных изделий, снижение потерь на 15 - 30 процентов, обеспечение разработки неразрушающих методов контроля качества монтажных соединений и многослойных структур за счет использования различного излучения и цифровой обработки информации, методов выявления напряженных состояний элементов конструкции и потенциальных неисправностей изделий
149.		1330,6685	23	41	31,5	150	255	252,7	301,1075	276,361
150.	Разработка технологии производства специальных технологических и конструкционных материалов и базовой технологии защиты электронных модулей от воздействия в жестких условиях эксплуатации	3219,89542	57,178	81,504	73,524	600	1037	535,35	452,11864	383,22078	импортозамещение специальных конструкционных и технологических материалов, обеспечивающих процессы бессвинцовой и комбинированной пайки, изготовления коммутационных плат, разработка влагозащитных электроизоляционных покрытий с минимальным газовыделением со сроком эксплуатации 25 и более лет, разработка быстроотверждающихся, эластичных, с низким газовыделением в вакууме клеев, компаундов, разработка материалов и технологии их применения для формирования теплостоков в высокоплотной аппаратуре, разработка высокоэффективных ферритов для планарных трансформаторов повышенной мощности, обеспечение разработки технологий локальной защиты чувствительных компонентов, общей защиты модулей органическими материалами, в том числе наноструктурированными, изготовление вакуумно-плотных корпусов многокристальных модулей и микросборок под поверхностный монтаж на платы, формирование покрытий, обеспечивающих длительную защиту от дестабилизирующих факторов внешней среды, включая ионизирующие излучения, нанесение локальных покрытий с заданными свойствами на элементы конструкции модулей
150.		2062,05812	36	53,15	48,97	400	658	356,9	275,04864	233,98948
	Всего по направлению 8	14464,8174	267,186	414,441	340,193	2580	4227	2346,87	2270,1274	2019
	Всего по направлению 8	9527,6232	176	266,15	226,37	1720	2795	1564,58	1478,705	1300,8182
Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов
151.	Разработка технологий создания систем и оборудования автоматизации проектирования радиоэлектронных систем и комплексов	2567,149	60,032	89,083	81,4	435	887	348,9	336,325	329,409	создание технологий отечественного программно-аппаратного обеспечения и средств разработки для автоматизированного проектирования радиоэлектронного оборудования с использованием различных технологических процессов, повышение качества и сокращение сроков разработки радиоэлектронной продукции, создание технологий обеспечения информационной безопасности функционирования информационно-управляющих систем, существенное повышение уровней защиты информации в информационно-управляющих системах, создание базовых универсальных функциональных модулей защиты информации от несанкционированного доступа, вирусных атак, средств разведки и считывания информации, криптозащиты каналов систем, реализация полного технологического цикла проектирования, испытаний и производства унифицированной высокоэффективной, импортозамещающей, конкурентоспособной аппаратуры
151.		1709,588	40	59	52	290	590	232,6	223,55	222,438
152.	Разработка технологий моделирования сложных информационно-управляющих систем, в том числе систем реального времени	3056,819	75,3	138,5	80,194	525	1055	429	384,75	369,075	создание новых способов моделирования, в том числе комбинированного способа моделирования, позволяющего существенным образом повысить быстродействие вычислений при сохранении точности расчета выходных показателей эффективности, способа операционно-динамического моделирования, снижение сроков разработки и испытаний радиоэлектронной продукции, повышение достоверности математического и имитационного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний и экспериментов
152.		2026,45	49,8	80	53,1	350	705	286	256,5	246,05
153.	Разработка технологий полунатурных и стендовых испытаний сложных информационно-управляющих систем	2325,277	45,054	70,65	75,029	405	975	285	213,8315	255,7125	создание метрологически аттестованной унифицированной стендовой испытательной базы для проведения прикладных научных исследований и экспериментальных разработок, выполняемых по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ, снижение сроков разработки и стоимости испытаний радиоэлектронной продукции, существенное повышение достоверности полунатурного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний
153.		1532,985	30	45,65	50	270	650	190	127,36	169,975
154.	Разработка технологии конструирования и производства, а также аппаратно-программного обеспечения метрологических систем различного назначения для создания нового поколения отечественного парка измерительной аппаратуры	2192,6825	45,05	73,65	68,96	375	907	269	249,3	204,7225	разработка базовых технологий, элементов и конструкций для создания парка измерительных систем и приборов, необходимых для разработки и испытаний радиотехнических информационно-управляющих систем, систем связи и телекоммуникаций
154.		1452,625	30	48,65	43,96	250	605	179	166,2	129,815
	Всего по направлению 9	10141,9275	225,436	371,883	305,583	1740	3824	1331,9	1184,2065	1158,919
	Всего по направлению 9	6721,648	149,8	233,3	199,06	1160	2550	887,6	773,61	768,278
Направление 10. Обеспечивающие работы
155.	Разработка организационных принципов и научно-технической базы обеспечения проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации	89,27	9	6	7	10	18	14	12,635	12,635	разработка комплекта методической и научно-технической документации для обеспечения функционирования систем проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации
155.		86,27	6	6	7	10	18	14	12,635	12,635
156.	Создание и обеспечение функционирования системы испытаний электронной компонентной базы, обеспечивающей поставку изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального и двойного назначения	123,9	16,3	20	13	19	18	11	13,3	13,3	разработка новых и совершенствование существующих методов испытаний электронной компонентной базы, разработка методов отбраковочных испытаний перспективной электронной компонентной базы, обеспечение поставки изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального назначения (атомная энергетика, космические программы, транспорт, системы двойного назначения)
156.		120,6	13	20	13	19	18	11	13,3	13,3
157.	Разработка и совершенствование методов, обеспечивающих качество и надежность сложнофункциональной электронной компонентной базы на этапах опытно-конструкторских работ, освоения и производства	94,55	8,5	12	9	11	18	10,4	13,3	12,35	разработка и систематизация методов расчетно-экспериментальной оценки показателей надежности электронной компонентной базы, разрешенной для применения в аппаратуре, функционирующей в специальных условиях и с длительными сроками активного существования
157.		93,05	7	12	9	11	18	10,4	13,3	12,35
158.	Создание и внедрение основополагающих документов по обеспечению жизненного цикла изделия на этапах проектирования, производства, применения и утилизации электронной компонентной базы	92,2175	10	14,5	0	10	18	15	12,985	11,7325	разработка системы технологий обеспечения жизненного цикла изделия при создании широкой номенклатуры электронной компонентной базы
158.		83,7175	7	9	0	10	18	15	12,985	11,7325
159.	Научное сопровождение Программы, в том числе определение технологического и технического уровней развития отечественной и импортной электронной компонентной базы на основе их рубежных технико-экономических показателей, разработка "маршрутных карт" развития групп электронной компонентной базы	138,3	19	25	15	19	18	10	13,3	19	оптимизация состава выполняемых комплексов прикладных научных исследований и экспериментальных разработок, выполняемых по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ, по развитию электронной компонентной базы в рамках Программы и определение перспективных направлений создания новых классов электронной компонентной базы с установлением системы технико-экономических и рубежных технологических показателей, разработка "маршрутных карт" развития по направлениям электронной компонентной базы
159.		127,3	13	20	15	19	18	10	13,3	19
160.	Создание интегрированной информационно-аналитической автоматизированной системы по развитию электронной компонентной базы, охватывающей деятельность заказчика-координатора, заказчика и организаций, участвующих в выполнении комплекса программных мероприятий, в целях оптимизации состава участников, финансовых средств, перечисляемой государству прибыли и достижения заданных технико-экономических показателей разрабатываемой электронной компонентной базы	98,8	11	14,5	9	10	18	13	13,3	10	проведение технико-экономической оптимизации выполнения комплексных годовых мероприятий подпрограммы, создание системы действенного финансового и технического контроля выполнения Программы
160.		92,3	7	12	9	10	18	13	13,3	10
161.	Определение перспектив развития российской электронной компонентной базы на основе анализа динамики сегментов мирового и отечественного рынков радиоэлектронной продукции и действующей производственно-технологической базы	294,1305	11	13	8	8	18	13	58,253	164,8775	формирование системно-ориентированных материалов по экономике, технологиям проектирования и производству электронной компонентной базы, обобщение и анализ мирового опыта для выработки технически и экономически обоснованных решений развития электронной компонентной базы; анализ российского и мирового рынков радиоэлектроники, прогноз отраслевых трендов и определение наиболее перспективных отраслевых сегментов; обзор лучших мировых практик поддержки радиоэлектронной промышленности; разработка механизмов и инструментов стратегического управления отраслью, построение информационной модели проектов по производству готовой импортозамещающей продукции на отечественной электронной компонентной базе; разработка математической модели анализа и мониторинга реализации проектов, оценки рисков недостижения показателей и оптимизации государственных затрат
161.		287,1305	7	10	8	8	18	13	58,253	164,8775
162.	Системный анализ результатов выполнения комплекса мероприятий Программы на основе создания отраслевой системы планирования и учета развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы по основным технико-экономическим показателям	263	11	13	8	7	14	6,7	66,65	136,65	создание отраслевой системы учета и планирования развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы; формирование инструментария оценки рисков и реализуемости проектов инновационного развития предприятий радиоэлектронной промышленности с учетом их взаимодействия с другими отраслями промышленности; разработка методики оценки финансовой устойчивости предприятий радиоэлектронной промышленности с учетом синергетического эффекта радиоэлектронного производства; разработка единых принципов и механизмов контроля и прогнозирования инвестиционного развития радиоэлектронной промышленности
162.		258	8	11	8	7	14	6,7	66,65	136,65
	Всего по направлению 10	1194,168	95,8	118	69	94	140	93,1	203,723	380,545
	Всего по направлению 10	1148,368	68	100	69	94	140	93,1	203,723	380,545
	Всего по разделу I	93652,8768	6035,127	6598,632	6044,117	14895	22517,65	14446,17	12007,1494	11109,0314
	Всего по разделу I	61796,3332	3980	4241,3	3637	9930	15024,12	9630,78	7974,4007	7378,7325

II. Капитальные вложения

		2008 - 2015 годы - всего		В том числе									Сроки реализации	Площадь объекта (кв. м.)	Ожидаемые результаты
		2008 - 2015 годы - всего		2008 год	2009 год	2010 год	2011 год	2012 год	2013 год	2014 год	2015 год		Сроки реализации	Площадь объекта (кв. м.)	Ожидаемые результаты

II. Капитальные вложения
Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России)
1. Бюджетные инвестиции на осуществление капитальных вложений
Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
163.	Реконструкция и техническое перевооружение производства сверхвысокочастотной техники федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская область	744,5 696,5	357 315		191,5 191,5	196 190							2008 - 2010	5293	создание производственно-технологического комплекса по выпуску твердотельных сверхвысокочастотных субмодулей мощностью 100 тыс. штук в год
164.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Пульсар", г. Москва	815,5 580,5	124,5 110		170,5 170,5	100,5 90	420 210						2008 - 2011	3424,4	создание производственной технологической линии по выпуску сверхвысокочастотных приборов и модулей на широкозонных полупроводниках мощностью 360 тыс. штук в год
165.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Салют", г. Нижний Новгород	233 140				53 50	180 90						2010 - 2011	3380	расширение мощностей по производству активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью с 15 до 35 тыс. штук в год
166.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов	193,6 140				93,6 90	100 50						2010- 2011	3058,73	ввод новых мощностей по производству новейших образцов ламп бегущей волны и других сверхвысокочастотных приборов, в том числе в миллиметровом диапазоне
167.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Торий", г. Москва	348,8 200				78,8 65	270 135						2010 - 2011	1438	реконструкция производственной линии по выпуску новых сверхмощных сверхвысокочастотных приборов с повышенным уровнем технических параметров, надежности и долговечности мощностью 88 штук в год
168.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск	100 60				40 30	60 30						2010 - 2011	1380	реконструкция производственной линии для выпуска новых изделий радиационно стойкой электронной компонентной базы, необходимой для организаций Госкорпорации "Росатом" и Роскосмоса
169.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск	133 90				53 50	80 40						2010 - 2011	1973	создание производственных мощностей по выпуску радиационно стойкой электронной компонентной базы в количестве 80 - 100 тыс. шт. в год для комплектования важнейших специальных систем
170.	Техническое перевооружение открытого акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва, г. Зеленоград	1478,06 739,03						500 250	700 350	278,06 139,03			2012 - 2014	5240	техническое перевооружение завода для выпуска сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,18 мкм
171.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно- исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха, г. Москва	240 120				49,2 24,6	190,8 95,4						2010 - 2011	2411	организация участка прецизионной оптической и механической обработки деталей для лазерных излучателей, твердотельных лазеров и бескарданных лазерных гироскопов нового поколения мощностью 442 штук в год
172.	Реконструкция и техническое перевооружение централизованного производства базовых несущих конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии "Производственное объединение "Квант", г. Великий Новгород	166,242 150			166,242 150								2009	7630,4	обеспечение потребности в базовых несущих конструкциях, в том числе импортозамещающих, предприятий приборостроения, машиностроения, судостроения и других отраслей промышленности
173.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов", г. Пенза	62 60			62 60								2009	2404,6	техническое перевооружение действующего производства электронной компонентной базы и микросистемотехники для создания новых рядов конкурентоспособных изделий электронной техники
174.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронной техники", г. Воронеж	60,1 30	60,1 30										2008	120	техническое перевооружение действующих производственных мощностей по выпуску сверхбольших интегральных схем и мощных сверхвысокочастотных транзисторов с объемом выпуска сверхбольших интегральных схем 50 тыс. штук в год, мощных сверхвысокочастотных транзисторов 10 тыс. штук в год
175.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В.Лукина", г. Москва	160 80						160 80					2012	700	организация серийного производства параметрических рядов мембранных датчиков мощностью 10 млн. штук в год и чувствительных элементов для сканирующей зондовой микроскопии мощностью 0,3 млн. штук в год
176.	Реконструкция и техническое перевооружение производства перспективных тонкостенных антенно-фидерных устройств и волноводных трактов сверхвысокочастотного диапазона в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения", г. Рыбинск, Ярославская область	793,22 396,61				64 32	180 90	490 245	59,22 29,61				2010 - 2013	12900	расширение производства перспективных тонкостенных антенно-фидерных устройств и волноводных трактов сверхвысокочастотного диапазона, увеличение выпуска в 1,5 раза мощностью 44,76 тыс. штук в год
177.	Техническое перевооружение в целях создания отраслевого информационно-аналитического центра в открытом акционерном обществе "Центральный научно-исследовательский институт экономики, систем управления и информации "Электроника" г. Москва	120 60							40 20	80 40			2013 - 2014	900	информационно-аналитическое обеспечение деятельности организаций радиоэлектронной промышленности
178.	Техническое перевооружение и реконструкция производства и лабораторной базы для разработки и производства перспективных радиоэлектронных модулей, изделий в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва	1663,86 831,93						1460 730	203,86 101,93				2012 - 2013	2226	повышение эффективности, надежности и конкурентоспособности отечественных радиоэлектронных модулей, изделий, комплексов и систем открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега"
179.	Техническое перевооружение в целях создания отраслевого информационно-аналитического центра по проектированию радиоэлектронных производств в открытом акционерном обществе "Мосэлектрон-проект", г. Москва	540 270							200 100	340 170			2013 - 2014	3000	разработка и внедрение современных технологий проектирования радиоэлектронных производств на базе прогрессивных аппаратно-программных средств автоматизированного проектирования, в основе которых лежит информационное моделирование зданий
180.	Техническое перевооружение для создания производства нового поколения радиоэлектронных модулей в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Рубин", г. Пенза	297,66 148,66			47,66 23,66	110 55	140 70						2009 - 2011	2456,4	создание комплексного испытательного стенда для исследования образцов техники мощностью 800 штук в год
181.	Техническое перевооружение производственно-технологической, контрольно-испытательной базы в открытом акционерном обществе "Инженерно-маркетинговый центр Концерна "Вега", г. Москва	368,3381 188,4381				25,9 23	70 35	80 40	60 30	72 36	60,4381 24,4381		2010 - 2015	996,3	производство систем радиочастотной идентификации
182.	Техническое перевооружение и реконструкция лабораторно-производственной базы для выпуска перспективных многофункциональных электронных модулей в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва	1600 1212							540 540	672 672	388 0,0		2013 - 2015	3500	создание нового высокотехнологичного лабораторно-производственного комплекса для выпуска многофункциональных радиоэлектронных узлов, блоков и приборов на основе СнК, МИС, встраиваемых пассивных компонентов и технологий высокоплотного монтажа. Обеспечение разработки и выпуска конкурентоспособных изделий, комплексов и систем следующего поколения на основе перспективных производственных технологий, в том числе модулей для обработки и передачи сигналов радиолокационных навигационных и посадочных систем, антенных систем дистанционного зондирования Земли, микропроцессорных систем управления и контроля гибридных двигательных установок
183.	Реконструкция и техническое перевооружение в целях создания специализированного производства гироскопов в открытом акционерном обществе "Ижевский электромеханический завод "Купол", г. Ижевск, Удмуртская Республика	1694,1861 834,1861						500 250	480 240	370 185	344,1861 159,1861		2012 - 2015	10735	изготовление гироскопов для перспективных летательных аппаратов
184.	Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства унифицированных низкочастотных типовых элементов замены и модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Марийский машиностроитель-ный завод", г. Йошкар-Ола, Республика Марий Эл	1219,504 609,504						380 190	360 180	239,504 119,504	240 120		2012 - 2015	4287	изготовление унифицированных твердотельных низкочастотных типовых элементов замены для информационных средств и модулей активных фазированных антенных решеток для локационных систем различного применения, перспективных средств связи и управления воздушным движением
185.	Реконструкция и техническое перевооружение производства унифицированных электронных модулей межвидового применения на открытом акционерном обществе "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники", г. Нижний Новгород	699,82 349,91					140 70	380 190	179,82 89,91				2011 - 2013	9582	организация производства и внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроиз-водительным оборудованием, увеличение объема ежегодного производства продукции с 2370 млн. рублей в 2007 году до 5028 млн. рублей в 2015 году
186.	Техническое перевооружение специализированного производства твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Правдинский радиозавод", г. Балахна, Нижегородская область	970 485					240 120	277,62 138,81	240 120	106,19 53,095	106,19 53,095		2011 - 2015	8442,7	увеличение объемов производства, повышение качества и надежности твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток L-диапазона для перспективных средств связи и управления воздушным движением
187.	Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Лианозовский электромеханический завод", г. Москва	1213,2805 598,2805						360 180	330 165	270 135	253,2805 118,2805		2012 - 2015	6435	увеличение объемов производства, повышение качества и надежности твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток С- и S-диапазонов волн для перспективных средств связи и управления воздушным движением
188.	Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства унифицированных высокочастотных типовых элементов замены в открытом акционерном обществе завод "Красное знамя", г. Рязань	790,0471 390,0471						240 120	200 100	180 90	170,0471 80,0471		2012 - 2015	2425	изготовление унифицированных твердотельных высокочастотных типовых элементов замены для локационных систем различного применения, перспективных средств связи и управления воздушным движением, увеличение объема производства типовых элементов замены на 50 процентов
189.	Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства унифицированных рабочих мест операторов информационных систем в открытом акционерном обществе "Уральское производственное предприятие "Вектор", г. Екатеринбург	945,135 465,135						260 130	240 120	230 115	215,135 100,135		2012 - 2015	8008,02	увеличение выпуска унифицированных автоматизиро-ванных рабочих мест операторов информационных и специального назначения управляющих систем в 1,7 раза
190.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания регионального контрактного производства унифицированных электронных модулей в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж	883,70 441,85						797,62 398,81	86,08 43,04				2012 - 2013	1290	внедрение современных технологий с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием для организации контрактного производства
191.	Создание лабораторной, технологической и производственной базы для обеспечения разработки, производства и испытаний нового поколения телекоммуникационных систем и комплексов в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж	2014,4366 984,4366						640 320	560 280	430 215	384,4366 169,4366		2012 - 2015	3112	создание конкурентоспособной продукции мирового уровня, освоение технологий двойного назначения, увеличение объема выпуска изделий до 2 - 2,5 млрд. рублей в год
192.	Открытое акционерное общество "Калужский электромеханичес-кий завод", г. Калуга
	Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Калужский электромеханический завод", г. Калуга	194,6 97,3						194,6 97,3					2012	620	создание мощностей по изготовлению спецтехники нового поколения обеспечивающей защиту специальной информации в информационно-коммуникационных системах
193.	Техническое перевооружение производства перспективных коротковолновых радиостанций в открытом акционерном обществе "Тамбовский завод "Октябрь", г. Тамбов	570 285					110 55	460 230					2011 - 2012	3156	увеличение объема выпуска продукции в 1,3 - 1,5 раза, повышение качества и конкурентоспособности продукции
194.	Реконструкция и техническое перевооружение производства наземной аппаратуры подвижной связи в открытом акционерном обществе "Тамбовский завод "Революционный труд", г. Тамбов	348,9612 173,9612						90 45	80 40	90 45	88,9612 43,9612		2012 - 2015	1390	модернизация производства и внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизводительного оборудования
195.	Техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы в открытом акционерном обществе "Воронежский научно-исследовательский институт "Вега", г. Воронеж	573,08 286,54					200 100	280 140	93,08 46,54				2011 - 2013	2332,2	ускорение и повышение качества разработки мультисервисных сетей ведомственной и профессиональной связи, ожидаемый экономический эффект 3 млрд. рублей
196.	Техническое перевооружение лабораторной и производственно-технологической базы нового поколения узлов связи в открытом акционерном обществе "Тамбовский научно-исследовательский институт радиотехники "Эфир", г. Тамбов	220 110					220 110						2011	7500	ускорение и повышение качества разработки перспективных программно реализуемых сетей радиосвязи и серии унифицированных электронных модулей для построения указанных сетей
197.	Техническое перевооружение производства открытого акционерного общества "Российская электроника", г. Москва	899,12 449,56						325 162,5	500 250	74,12 37,06			2012 - 2014	1511,3	создание новых производственных мощностей для выпуска перспективной номенклатуры резисторов, в том числе чип-резисторов в объеме 1 млрд. рублей в год
198.	Техническое перевооружение с целью создания производства новых электровакуумных приборов в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Контакт", г. Саратов	161,5 136,5			91,5 76,5	70 60							2009 - 2010	2786	увеличение объемов производства в 1,5 раза мощностью 4327 штук в год
199.	Техническое перевооружение и реконструкция производства по выпуску электровакуумных приборов сверхвысокочастотного диапазона и специального технологического оборудования в открытом акционерном обществе "Владыкинский механический завод", г. Москва	178,375 150	50,200 50		70,675 50	57,5 50							2008 - 2010	2015	обеспечение увеличения объема выпуска продукции до 0,8 - 1,2 млрд. рублей в год, увеличения ресурса изделий, создания новых приборов мощностью 706 штук в год
200.	Техническое перевооружение для создания сборочного производства электронных модулей с использованием новейшей электронной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Электромеханический завод "Звезда", г. Сергиев Посад, Московская область	778,62 389,31						662,38 331,19	116,24 58,12				2012 - 2013	3081,3	создание сборочного производства с использованием микроминиатюрной элементной базы, в том числе микропроцессоров и матриц BGA
201.	Открытое акционерное общество "Калужский завод телеграфной аппаратуры", г. Калуга
	Реконструкция и техническое перевооружение с целью создания контрактного производства электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калужский завод телеграфной аппаратуры", г. Калуга	407,986 197,986						140 70	100 50	90 45	77,986 32,986		2012 - 2015	2156	увеличение объема выпуска продукции до 520 млн. рублей в год
202.	Открытое акционерное общество "Таганрогский научно-исследовательский институт связи", г. Таганрог, Ростовская область
	Техническое перевооружение и реконструкция производства и приборно-измерительной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Таганрогский научно-исследовательский институт связи", г. Таганрог, Ростовская область	292,3288 141,3288						80 40	70 35	76 38	66,3288 28,3288		2012 - 2015	1560	внедрение современных технологий, создание комплекса для проведения контроля технологических параметров и испытаний. Увеличение объема выпуска продукции в 1,5 раза
203.	Техническое перевооружение и реконструкция производства испытательной базы нового поколения пьезоэлектрических генераторов, фильтров, резонаторов в открытом акционерном обществе "Завод "Метеор", г. Волжский, Волгоградская область	280,24 140,12						155 77,5	125,24 62,62				2012 - 2013	3086	производство полного функционального ряда массовых отечественных микроминиатюрных пьезоэлектрических генераторов, фильтров, резонаторов. Увеличение объема выпуска продукции до 230 - 250 млн. рублей в год
204.	Реконструкция и техническое перевооружение научно-производственной и лабораторной базы в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Радиоэлектроника" имени В.И.Шимко", г. Казань, Республика Татарстан	385,855 185,855						120 60	120 60	80 40	65,855 25,855		2012 - 2015	2080,5	расширение производственных площадей выпуска приемо-передающих модулей на 2080,5 кв.м
205.	Открытое акционерное общество "Нижегородское научно-производственное объединение имени М.В.Фрунзе", г. Нижний Новгород
	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородское научно-производственное объединение имени М.В.Фрунзе", г. Нижний Новгород	390,7665 190,7665						120 60	120 60	80 40	70,7665 30,7665		2012 - 2015	1927	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза
206.	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Омское производственное объединение "Иртыш", г. Омск	214,453 150	79 60		135,453 90								2008 - 2009	2300	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 2,5 раза
207.	Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина, г. Фрязино, Московская область
	Техническое перевооружение с целью создания промышленного производства многоканальных высоковольтных и низковольтных сильноточных источников вторичного электропитания и модуляторов СВЧ сигналов с высокой плотностью компоновки электронных компонентов для бортовой аппаратуры на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская область	290,351 140,351							90,24 45,12	134,76 67,38	65,351 27,851		2013 - 2015	1100	производственный комплекс по серийному выпуску многоканальных высоковольтных (ВВИП), низковольтных (НВИП) сильноточных источников вторичного электропитания и модуляторов СВЧ сигналов с высокой плотностью компоновки электронных компонентов для бортовой аппаратуры с объемом производства до 500 комплектов блоков в год
208.	Открытое акционерное общество "Пензенское производственное объединение "Электроприбор", г. Пенза
	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства по изготовлению печатных плат выше 5-го класса точности и унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение "Электроприбор", г. Пенза	982,053 482,053						380,52 190,26	280 140	169,74 84,87	151,793 66,923		2012 - 2015	5990	обеспечение изготовления печатных плат с новыми финишными покрытиями до 20000 кв. м в год; обеспечение изготовления унифицированных электронных модулей на печатных платах в количестве до 400 тыс. штук в год
209.	Открытое акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательскийприборостроитель-ный институт "Кварц" имени А.П.Горшкова", г. Нижний Новгород
	Техническое перевооружение и реконструкция производства электронных сверхвысокочастотных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский научно-исследовательский приборостроитель-ный институт "Кварц", г. Нижний Новгород	556,5304 259,4504						280 140	74,16 37,08	120 60	82,3704 22,3704		2012 - 2015	2731,3	внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием. Увеличение объема выпуска продукции в 1,5 раза
210.	Открытое акционерное общество "Концерн "Автоматика", г. Москва
	Техническое перевооружение и реконструкция производства систем, комплексов и средств защиты информации на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт автоматики", г. Москва	501,222 246,222						210 105	160 80	70 35	61,222 26,222		2012 - 2015	1963,26	обеспечение разработки, производства и аттестации средств комплексов и систем защиты информации. Увеличение объема выпуска продукции до 0,8 - 1,2 млрд. рублей
211.	Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский институт "Градиент", г. Ростов-на-Дону
	Техническое перевооружение и реконструкция регионального производства базовых несущих конструкций (БНК) на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт "Градиент", г. Ростов-на-Дону	285 135						80 40	70 35	97,5 60,0	37,5 0,0		2012 - 2015	909	обеспечение потребности организаций в базовых несущих конструкциях для всех видов радиоэлектрон-ной аппаратуры. Увеличение объема выпуска продукции в 2 раза
212.	Открытое акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва
	Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы для создания комплексов средств автоматизации информационно-управляющих систем на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина, г. Москва	349,7081 169,7081						90 45	90 45	90 45	79,7081 34,7081		2012 - 2015	4983,7	обеспечение разработки, производства и аттестации комплексов средств автоматизации информационно-управляющих систем. Увеличение объема выпуска продукции до 0,52 млрд. рублей
213.	Открытое акционерное общество "Калугаприбор", г. Калуга
	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калугаприбор", г. Калуга	262,5 112,5						80 40	70 35	75 37,5	37,5 0,0		2012 - 2015	5400	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза
214.	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону	262,5 112,5						80 40	70 35	37,5 0	75 37,5		2012 - 2015	1100	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,7 раза
215.	Открытое акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва
	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина, г. Москва	293,4369 143,4369						80 40	70 35	75 37,5	68,4369 30,9369		2012 - 2015	1980	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 2,5 раза
216.	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей в открытом акционерном обществе "Курский завод "Маяк", г. Курск	289,6947 139,6947						70 35	90 45	70 35	59,6947 24,6947		2012 - 2015	2490,5	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 2,5 раза
217.	Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха", г. Москва
	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха", г. Москва	396,5 196,5						100 50	200 100	50 25	46,5 21,5		2012 - 2015	2411	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза
218.	Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург
	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург	300 150						100 50	100 50	50 25	50 25		2012 - 2015	1210	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,7 раза
219.	Техническое перевооружение с целью создания мощностей по выпуску источников вторичного электропитания в открытом акционерном обществе "Специальное конструкторско-технологическое бюро по релейной технике", г. Великий Новгород	224,2 112,1						120 60	104,2 52,1				2012 - 2013	1282	увеличение объема производства в 1,5 раза
220.	Открытое акционерное общество "Брянский электромеханический завод", г. Брянск
	Реконструкция и техническое перевооружение производства и испытательной базы широкополосных сверхвысокочастотных устройств на федеральном государственном унитарном предприятии "Брянский электромеханический завод", г. Брянск	388,7433 188,7433						100 50	140 70	80 40	68,7433 28,7433		2012 - 2015	9586,6	увеличение объема производства радиоэлектронных изделий на 170 млн. рублей
221.	Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро по радиоконтролю систем управления, навигации и связи", г. Ростов-на-Дону
	Техническое перевооружение и реконструкция производственно-испытательных мощностей на федеральном государственном унитарном предприятии "Государственное конструкторское бюро аппаратно-программных средств "Связь", г. Ростов-на-Дону	100 50						100 50					2012	1035	увеличение объема выпуска продукции на 100 млн. рублей, освоение серийного производства изделий "Орион-3М", "Орион-3СМ", "Анализ", "Страж-ПМ" и других
222.	Техническое перевооружение научно-технического и производственного комплексов по выпуску электровакуумных приборов сверхвысокочастотного диапазона в открытом акционерном обществе "Российская электроника", г. Москва	790,9955 390,9955							240 120	380 190	170,9955 80,9955		2013 - 2015	2285	увеличение объема выпуска продукции до 1,6 млрд. рублей в год в открытом акционерном обществе "Владыкинский механический завод", снижение себестоимости продукции
223.	Техническое перевооружение и реконструкция регионального производства базовых несущих конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Полет", г. Нижний Новгород	178,61 169,8	102,6 100		76,01 69,8								2008 - 2009	2010	увеличение объема выпуска продукции в 2 раза
224.	Техническое перевооружение производственной и лабораторно-испытательной базы для выпуска нового поколения электрических соединителей в открытом акционерном обществе "Карачевский завод "Электродеталь", г. Карачев, Брянская область	480 190							380 190	50 0,0	50 0,0		2013 - 2015	2628,6	обеспечение выпуска конкурентоспособных высокотехнологичных электрических соединителей нового поколения. Увеличение объемов производства соединителей общепромышленного назначения в натуральном выражении до 2000000 штук в год
225.	Техническое перевооружение испытательного центра для обеспечения комплекса работ по корпусированию и испытаниям сложнофункциональных интегральных схем в открытом акционерном обществе "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт", г. Санкт-Петербург	373,66 186,83						200 100	173,66 86,83				2012 - 2013	1145	увеличение объема производства изделий до 1,9 млн. штук и 650 млн. рублей
226.	Реконструкция и техническое перевооружение научно-технического комплекса по разработке и производству ВЧ и СВЧ акустоэлектрон-ных и пьезокварцевых устройств в открытом акционерном обществе "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск	686,391 336,391							220 110	240 120	226,391 106,391		2013 - 2015	550	увеличение объема выпуска продукции на 2 млрд. рублей
227.	Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт "Экран", г. Самара	557,6 403	113,5 110		108,4 88	115,7 95	220 110						2008 - 2011	879	создание конкурентоспособных изделий мирового уровня. Разработка технологий двойного назначения. Увеличение объема производства в 1,5 раза
228.	Открытое акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск
	Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторной базы для комплексов специальной радиосвязи и управления на федеральном государственном унитарном предприятии "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск	694,52 349,91				15,5 10,4	79,2 39,6	300 150	119,82 59,91	90 45	90 45		2010 - 2015	1300	создание комплексов конкурентоспособной аппаратуры специальной радиосвязи и управления. Увеличение объема выпуска продукции в 1,5 раза
229.	Техническое перевооружение производства СВЧ и силовых транзисторов для бортовых радиолокационных комплексов в открытом акционерном обществе "Государственный завод "Пульсар", г.Москва	278,1288 138,1288								103,92 51,96	174,2088 86,1688		2014- 2015	219	дооснащение действующих производст-венных участков современным технологи-ческим, высокопроиз-водительным оборудованием в обеспечение производства мощных СВЧ и силовых транзисторов для бортовых радиолокацион-ных комплексов
230.	Открытое акционерное общество "Пензенское производственное объединение электронной вычислительной техники", г. Пенза
	Техническое перевооружение и реконструкция производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы по созданию модернизированной системы идентификации на федеральном государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение электронной вычислительной техники", г. Пенза	538,006 259,466						200 100	127,08 63,54	115 57,5	95,926 38,426		2012- 2015	8488,4	увеличение объема выпуска продукции до 421,5 млн. рублей
231.	Открытое акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц" имени А.П.Горшкова", г. Нижний Новгород
	Техническое перевооружение и реконструкция метрологической, испытательной базы и производства оптических изделий на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород	565,4842 268,4042						280 140	74,16 37,08	120 60	91,3242 31,3242		2012 - 2015	1365,3	создание метрологической, испытательной базы для разработки и производства контрольно-измерительной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн. Увеличение объема производства квантовых рубидиевых стандартов частоты в 3 раза
232.	Техническое перевооружение и реконструкция стендовой и испытательной базы сложных радиоэлектронных систем и комплексов в открытом акционерном обществе "Производственное объединение "Азимут", г. Махачкала, Республика Дагестан	100 50						100 50****					2012	362	Создание систем навигации посадки и радиолокации потеряло актуальность в связи с созданием в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Лианозовский электромеханический завод", г. Москва современных конкурентноспособных комплексов, которыми будут оснащены аэродромы России (1 образец установлен в г. Сочи)
233.	Техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", г. Томск	569,9826 284,9826						210 105	120 60	120 60	119,9826 59,9826		2012 - 2015	2000	увеличение объема выпуска продукции до 3 - 3,5 млрд. рублей в год
234.	Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Салют", г. Нижний Новгород
	Техническое перевооружение и реконструкция производства сверхвысокочастотной техники на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Салют", г. Нижний Новгород	1014,14 507,07						640 320	374,14 187,07				2012 - 2013	2087,41	увеличение объема производства монолитно-интегральных и гибридно-монолитных приборов и электронных компонентов (в том числе импортозамещающих) до 250 тыс. штук в год, электро- вакуумных и вакуумно-твердотельных модулей (в том числе на основе микроминиа-тюрных ламп бегущей волны) до 1 тыс. шт. в год, унифицированных приемо-передающих модулей (в диапазоне частот 20 - 150 ГГц) до 1,5 тыс. штук в год
235.	Реконструкция и техническое перевооружение для выпуска теплоотводящих керамических подложек для твердотельных сверхвысокочастотных устройств и IGBT-модулей в открытом акционерном обществе "Холдинговая компания "Новосибирский электровакуумный завод - Союз", г. Новосибирск	120 60						120 60****					2012	2752	Расширение производства потеряло актуальность в связи с завершением на федеральном государственном унитарном предприятии "ФНПЦ ПО "Старт имени М.В. Проценко" технического перевооружения производства металлокерамических корпусов микросборок и микросхем, ориентированного на выпуск аналогичной продукции
236.	Техническое перевооружение и реконструкция опытного приборного производства в открытом акционерном обществе "Концерн "Океанприбор", г. Санкт-Петербург	610,50 305,25						400 200	90,5 45,25	120 60			2012 - 2014	2032,5	реконструкция опытного производства с учетом реализации новых технологий по изготовлению интегральных сборок, датчиков на пьезопленках и других
237.	Реконструкция и техническое перевооружение организации для совершенствования судовой электротехнической продукции в Федеральном научно-производственном центре открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Марс", г. Ульяновск	832 416						200 100	240 120	196 98	196 98		2012 - 2015	2450	комплексное дооснащение базовых технологий производства электронных средств вычислительной техники с целью импортозамещения и повышения конкуренто-способности; создание экспериментально-лабораторного комплекса для проведения контроля технологических параметров и испытаний
238.	Реконструкция и техническое перевооружение опытно-экспериментального производства модулей функциональной микроэлектроники в открытом акционерном обществе "Концерн "Гранит-Электрон", г. Санкт-Петербург	233,731 113,731						80 40	60 30	50 25	43,731 18,731		2012 - 2015	800	техническое перевооружение обеспечит: внедрение современных технологий производства модулей функциональной микроэлектроники; рост объема производства функциональ-ных модулей в 2 - 2,5 раза; расширение номенклатуры без существенных затрат на подготовку производства; промышленное освоение технологий влагозащиты и электроизоляции модулей
239.	Создание производственного комплекса для массового производства компонентов инерциальных микромеханичес-ких датчиков двойного назначения на открытом акционерном обществе "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор", г. Санкт-Петербург	1069,6457 519,6457						280 140	270 135	275 137,5	244,6457 107,1457		2012 - 2015	3250	создание участков по производству кремниевых датчиков, многослойных плат, сборке и корпусированию инерциальных микромеханических изделий
240.	Реконструкция инженерно-испытательного корпуса в открытом акционерном обществе "Концерн "Гранит-Электрон", г. Санкт-Петербург	607,097 297,097						160 80	260 130	100 50	87,097 37,097		2012 - 2015	2065	внедрение современных базовых технологий производства электронных модулей цифровой и цифроаналоговой вычислительной техники; обеспечение разработки и производства базовых унифицированных электронных модулей. Увеличение объема поставок до 10000 штук в год
241.	Техническое перевооружение производственно-технологического комплекса по созданию оптико-электронной компонентной базы в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики", г. Казань, Республика Татарстан	437,648 207,648						80 40	70 35	155 77,5	132,648 55,148		2012- 2015	3272	создание новой оптической элементной базы перспективных оптико-электронных систем, обеспечивающей предельно возможные технические параметры систем, в том числе комплексированных и многоспектральных оптических каналов
242.	Открытое акционерное общество "НПО "Орион", г. Москва
	Реконструкция корпуса 2Ж для создания лабораторно-аналитического центра инфракрасной фото- и оптоэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "НПО "Орион", г. Москва	683,7937 333,7937						180 90	160 80	180 90	163,7937 73,7937		2012- 2015	900	создание единого аналитического центра по исследованиям и сертификации важнейших материалов и компонентов инфракрасной фотоэлектроники
243.	Открытое акционерное общество "НПО "Орион", г. Москва
	Техническое перевооружение производственно-технологического комплекса по созданию оптоэлектронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "НПО "Орион", г. Москва	3512,6403 1672,1403						1280 640	261 130,5	930 465	1041,6403 436,6403		2012 - 2015	8960	создание производственно-технологического комплекса, который обеспечит промышленный выпуск изделий компонентной базы 2-го и 3-го поколений и оптико-электронных систем на их основе с параметрами, превышающими современный и прогнозируемый мировой уровень
244.	Реконструкция и техническое перевооружение стендово-экспериментальной базы в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт авиационного оборудования", г. Жуковский, Московская область	420 210						70 35	60 30	145 72,5	145 72,5		2012- 2015	1500	обеспечение возможности проведения испытаний опытных образцов источников электроэнергии, статических преобразователей и аппаратуры защиты и коммутации для проекта "полностью электрический самолет"
245.	Реконструкция и техническое перевооружение экспериментально-технологической базы для производства микроэлектронных изделий в открытом акционерном обществе "Казанское приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань, Республика Татарстан	357,696 172,656						100 50	54,08 27,04	123 61,5	80,616 34,116		2012 - 2015	1556,8	создание производственных мощностей по производству современной микроэлектронной аппаратуры
246.	Реконструкция и техническое перевооружение цеха по производству первичных преобразователей и вторичной аппаратуры в открытом акционерном обществе "Казанское приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань, Республика Татарстан	222,12 111,06						100 50	42,12 21,06	60 30	20 10		2012 - 2015	2040,8	производство конкурентоспособной продукции, обладающей современными показателями по надежности, быстродействию и массогабаритным характеристикам
247.	Техническое перевооружение с целью создания производственного участка настройки быстродейству-ющих бортовых цифровых устройств с тактовой частотой более 500 МГЦ в открытом акционерном обществе "Ставропольский радиозавод "Сигнал" г. Ставрополь	291,8543 141,8543							100 50	100 50	91,8543 41,8543		2013 - 2015	1300	создание производственного участка настройки быстродействующих бортовых цифровых устройств с тактовой частотой более 500 МГЦ
248.	Техническое перевооружение с целью создания лабораторно-испытательной базы для изготовления и испытаний сверхшироко-полосных СВЧ- устройств сантиметрового диапазона с перекрытием по частоте более 3 октав в открытом акционерном обществе "Ставропольский радиозавод "Сигнал" г. Ставрополь	370,2295 180,2295							150 75	115 57,5	105,2295 47,7295		2013 - 2015	1785	создание лабораторно-испытательной базы для изготовления и испытаний сверхширокополосных СВЧ устройств сантиметрового диапазона с перекрытием по частоте более 3 октав
249.	Реконструкция и техническое перевооружение производства специализированных цифровых вычислительных машин в открытом акционерном обществе "Государственный Рязанский приборный завод", г. Рязань	957,40 459,7							620 310	219,9 149,7	117,5 0		2013 - 2015	5000	освоение технологии производства перспективных многопроцессорных специализированных цифровых вычислительных машин, построенных на основе архитектуры единой коммутируемой вычислитель-ной среды, с использованием принципов Интегральной Модульной Авионики (ИМА) второго поколения, ориентированных на обеспечение принципиально нового уровня надежности и универсаль-ности комплекса аппаратуры авионики
250.	Техническое перевооружение участка микроэлектроники в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Радиосвязь", г. Красноярск	311 151							140 70	85,5 40,5	85,5 40,5		2013 - 2015	588	увеличение объемов производства сверхвысокочастотной электронной компонентной базы на основе перспективных технологий низко-температур-ной керамики
251.	Техническое перевооружение для создания производства изделий микро и нано электроники на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В.Лукина", г. Москва	839,576 405,838								185,476 92,738	654,1 313,1		2014 - 2015	440	создание кластерного сверхвысоко-вакуумного технологи-ческого комплекса на основе бесшаблон-ного многолуче-вого электронного литографа для пластин диаметром до 200 мм для организации серийного производства МЭМС- и МОЭМС-гироскопов
252.	Техническое перевооружение Федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Гамма", г. Москва	98 48								60 30	38 18		2014 - 2015	925,1	создание проектно-конструкторского центра по проектированию цифровых и аналоговых микросхем и СнК микроволновых и СВЧ устройств, элементов СВТ и ТК, специальное РЭА для решения задач информационной безопасности, с участком контрактного производства
253.	Техническое перевооружение научной, производственной и лабораторно-испытательной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "МКБ Электрон", г. Москва	183,2101 104,2101								60 30*	123,2101 74,2101		2014 - 2015	990	создание многофункционального информационно аналитического центра, обеспечивающего возможность моделирования испытаний сложных информационно управляющих процессов, а также расширения и технического перевооружения производственной площадки предприятия с целью увеличения номенклатуры и глубины анализа радиоэлектронного авиационного оборудования
Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования
254.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Пульсар", г. Москва, для создания базового центра системного проектирования	100 50					100 50						2011	135,1	создание межотраслевого базового центра системного проектирования
255.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Информационные телекоммуникационные технологии", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра полного цикла проектирования и производства аппаратно-программных комплексов	119,873 60		119,873 60									2008	1911	создание базового центра системного проектирования производительностью 40 аппаратно-программных комплексов в год
256.	Техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "систем в модуле" двойного и специального применения на открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт "Вектор", г. Санкт-Петербург	120 60					120 60						2011	1324	обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализированные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств
257.	Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Всероссийский научно-исследовательский институт радиотехники", г. Москва, для создания базового центра проектирования	50 25					50 25						2011	422,8	создание базового центра системного проектирования
258.	Техническое перевооружение открытого акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва, для создания базового центра проектирования	540 270				80 40	460 230						2010 - 2011	151,3	создание базового центра системного проектирования
259.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт автоматики", г. Москва, для создания базового центра проектирования	35,37 30			35,37 30								2009	493	создание базового центра системного проектирования
260.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования	140 70					140 70						2011	599,85	создание базового центра системного проектирования
261.	Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн "Созвездие", г. Воронеж, для создания базового центра проектирования	182,3 100				62,3 40	120 60						2010 - 2011	700	создание базового центра системного проектирования
262.	Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва, для создания базового центра проектирования	130 100				130 100							2010	998	создание базового центра системного проектирования площадью 998 кв. м
263.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону, для создания базового центра проектирования	120,6 60				120,6 60							2010	500	создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м
264.	Реконструкция и техническое перевооружение действующего предприятия федеральное государственное унитарное предприятие "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск (развитие базового центра системного проектирования СБИС)	17 17		17 17									2008	500	создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м
265.	Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российский институт радионавигации и времени", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования	120 60					120 60						2011	490	создание базового центра системного проектирования площадью 490 кв. м
266.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Центральный научно-исследовательский институт "Циклон", г. Москва, для создания базового центра проектирования	80 80****				80 80****							2010	800	создание базового центра системного проектирования площадью 800 кв. м
267.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Государственный завод "Пульсар", г. Москва, для создания базового центра проектирования	200 100					200 100						2011	648	создание базового центра системного проектирования площадью 648 кв. м мощностью 360 тыс. штук
268.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт "Аргон", г. Москва, для создания базового центра проектирования	68,897 60		68,897 60									2008	532	создание базового центра системного проектирования
269.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "НПО "Орион", г. Москва, для создания базового центра проектирования	33,53 15								15 7,5	18,53 7,5		2014 - 2015	500	создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м
270.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования	83,62 60			83,62 60								2009	500	создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м
271.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования	101,54 80		101,54 80									2008	600	создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. м
272.	Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн "Океанприбор", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования	140 70					140 70						2011	600	создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. м
273.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород, для создания базового центра проектирования	75,4 72,7		75,4 72,7									2008	1097,8	создание базового центра системного проектирования
274.	Техническое перевооружение и реконструкция открытого акционерного общества "Корпорация "Тактическое ракетное вооружение", г. Королев, Московская область, для создания базового центра системного проектирования	104 80		104 80									2008	650	создание базового центра системного проектирования площадью 650 кв. м
275.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт "Экран", г. Самара, для создания базового центра проектирования	240 120					240 120						2011	1134,5	создание базового центра системного проектирования площадью 1134,5 кв. м мощностью 2000 штук
276.	Открытое акционерное общество "Государственный оптический институт имени С.И.Вавилова", г. Санкт-Петербург
	Создание базового центра проектирования на базе федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственная корпорация "Государственный оптический институт имени С.И.Вавилова", г. Санкт-Петербург	475 225						290 145	160 80	25 0			2012 - 2014	2000	создание базового центра по проектированию, моделированию, изготовлению, тестированию и сертификации перспективных оптических систем и оптико-электронного оборудования
277.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн ПВО "Алмаз-Антей", г. Москва, для создания базового центра проектирования систем цифровой обработки, твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей	2111,6014 1011,6014						590 295	520 260	545 272,5	456,6014 184,1014		2012- 2015	6800	повышение качества и надежности систем цифровой обработки, систем твердотельных передающих и приемных систем, приемо-передающих модулей активных фазированных системных решеток С-диапазона для перспективных средств связи, управления воздушным движением и формирования сигналов на кристалле для радиолокационных станций различного применения
278.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра проектирования в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж	492,657 242,657						192,38 96,19	120 60	93,81 46,905	86,467 39,562		2012- 2015	865,5	создание базового центра проектирования сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для нового поколения аппаратуры и мобильных телекоммуни-кационных систем; создание конкурентоспособных изделий для нового поколения мобильных телекоммуникационных систем гражданского и двойного назначения
279.	Техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования (дизайн-центра) радиоэлектронных модулей и узлов стационарных и мобильных средств автоматизации в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Рубин", г. Пенза	440 220					440 220						2011	1852	обеспечение производства комплексных средств автоматизации для управления автомобильным и железнодорожным транспортом, объектами топливно-энергетического комплекса
280.	Создание базового центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на основе современной электронной компонентной базы в открытом акционерном обществе "Челябинский радиозавод "Полет", г. Челябинск	200 100				90 45	110 55						2010 - 2011	790	обеспечение возможности изготовления разработанных электронных модулей по современным технологиям; повышение надежности и качества и ускорение разработки конкуренто-способных изделий мирового уровня; разработка технологий двойного назначения
281.	Создание базового центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на основе современной электронной компонентной базы в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения", г. Рыбинск, Ярославская область	119,7 100				119,7 100							2010	750	обеспечение возможности изготовления разработанных электронных модулей по современным технологиям; разработка технологий двойного назначения мощностью 5 модулей в год
282.	Техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "систем в модуле" двойного и специального применения в открытом акционерном обществе "Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств", г. Калуга	180 90					180 90						2011	640	обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализированные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств
283.	Создание базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "систем в модуле" двойного и специального применения в открытом акционерном обществе "Московский научно-исследовательский институт связи", г. Москва	30 30****				30 30****							2010	260	обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализи-рованные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств
284.	Расширение базового центра системного проектирования по проектированию радиоэлектронной аппаратуры на базе сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва	317,56 158,78						141,4 70,7	100 50	76,16 38,08			2012- 2014	881	расширение возможностей и объемов базового центра системного проектирования за счет использования передовых технологий разработки радиоэлектронных изделий. Ускорение процесса получения готовых проектов не менее чем в 2 раза
285.	Техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт "Кулон", г. Москва	210 105					210 105						2011	773,5	обеспечение проектирования, производства высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей как ключевой технологии достижения высоких технических характеристик разрабатываемых и производимых изделий. Планируемый объем выпуска много-кристальных модулей до 3,5 тыс. штук в год
286.	Создание базового центра системного проектирования высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей в открытом акционерном обществе "Конструкторское бюро "Луч", г. Рыбинск, Ярославская область	165,6 105				45,6 45	120 60						2010 - 2011	350	обеспечение проектирования, производства высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей как ключевой технологии достижения высоких технических характеристик разрабатываемых и производимых изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей до 3,5 тыс. штук
287.	Техническое перевооружение для обеспечения интеграции базовых центров системного проектирования в сквозную корпоративную систему разработки радиоэлектронных комплексов в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва	500 250								210,7 105,35	289,3 144,65		2014- 2015	4580	Создание базового центра проектирования и расширение возможностей и объемов разрабатываемой номенклатуры изделий за счет тесной интеграции разнодисциплинарных базовых центров системного проектирования радиоэлектронных изделий, существенное снижение времени и себестоимости комплексных разработок высокопроизводительных СБИС, микропроцессорной техники, матричных корпусов в том числе для СБИС с большим количеством выводов, контроллеров перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе перспективных сложнофункциональных блоков, радиоэлектронной аппаратуры, универсальных цифровых устройств, комплексов, систем и средств связи двойного и гражданского назначения
288.	Техническое перевооружение для создания базового центра проектирования универсальных микропроцессоров, систем на кристалле, цифровых приборов обработки сигналов и других цифровых устройств, комплексов и систем на базе современных лицензионных систем автоматизированного проектирования и технических средств открытого акционерного общества "Институт электронных управляющих машин" им. И.С.Брука, г. Москва.	450 265				80 80****	90 45		140 70	140 70			2010- 2014	1530	создание базового центра разработки высокопроизводительной микропроцессорной техники двойного назначения, оснащенного современной технологией разработки многоядерных систем на кристалле, матричных корпусов для сверхбольших интегральных схем с большим количеством выводов, контроллеров перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе высокопроиз-водительных вычислительных систем широкого применения
289.	Техническое перевооружение и реконструкция базового регионального научно-технологического центра по микросистемотехнике открытого акционерного общества "Омский научно-исследователь-ский институт приборостроения", г. Омск	811,58 405,79						280 140	439,62 219,81	91,96 45,98			2012 - 2014	414,5	ускорение проектирования и отработки технологии производства перспективных устройств микросистемотехники для комплектования аппаратуры управления, средств телекоммуникации и связи, высокоточного оружия, робототехнических комплексов, мониторинга окружающей среды, зданий и сооружений, систем трубопроводов, водо- и газоснабжения, цифровых и аналоговых устройств средств контроля, учета и дистанционного управления подачей энергоресурсов. Ожидаемый экономический эффект составит 1500 млн. рублей
290.	Реконструкция и техническое перевооружение центра системного проектирования и производства радиоэлектронных средств спутниковой связи открытого акционерного общества "Научно-производственный центр "Вигстар", г. Москва	470,5222 225,5222						120 60	160 80	105 52,5	85,5222 33,0222		2012 - 2015	1701,8	создание конкурентоспособных изделий мирового уровня двойного назначения для комплексов аппаратуры спутниковой связи
291.	Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов
	Реконструкция и техническое перевооружение на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов, с целью создания дизайн-центра и производства сверхвысокочастотных и силовых устройств	1000,12 500,06						670 335	330,12 165,06				2012 - 2013	3221,35	создание дизайн-центра площадью 3221,35 кв. м и увеличение выпуска продукции на 500 млн. рублей в год
292.	Техническое перевооружение для создания центра проектирования перспективной электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт электронной техники", г. Воронеж	89,1 45		89,1 45									2008	189	создание конкурентоспособной технологии автоматизированного проектирования кристаллов сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле с проектными нормами 0,18 - 0,13 мкм и степенью интеграции до 100 млн. вентилей на кристалле, что позволит обеспечить ускоренную разработку сложнофункциональных блоков, сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле, соответствующих по техническим характеристикам современным мировым образцам
293.	Создание отраслевого центра системного уровня проектирования интеллектуальных датчиков различного назначения на открытом акционерном обществе "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор", г. Санкт-Петербург	328,2434 158,2434						90 45	174 87	38 19	26,2434 7,2434		2012 - 2015	303	организация современного центра системного уровня проектирования на основе отечественной электронной компонентной базы: микромеханических датчиков; датчиков акустического давления; датчиков угловых перемещений и других
294.	Создание отраслевого центра проектирования сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" на открытом акционерном обществе "Концерн "Моринформсистема-Агат", г. Москва	360 180						90 45		135 67,5	135 67,5		2012 - 2015	609	создание отраслевого центра проектирования (дизайн-центра) сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для обеспечения новейшей цифровой техникой приборостроительных организаций судостроительной отрасли
295.	Техническое перевооружение базового центра проектирования и производства специальных многокристальных микросистем и микромодулей с использованием технологии 3D TSV в открытом акционерном обществе "Российская электроника", г. Москва	300 150							200 100	100 50			2013 - 2014	600	создание базового центра проектирования площадью 600 кв. м
Реконструкция и техническое перевооружение (включая приобретение программно-технических средств) для создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов
296.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российская электроника", г. Москва (включая приобретение программно-технических средств) с целью создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов	724,95 590,75		156 78	404,55 352,75	164,4 160							2008 - 2010	375,5	создание межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов с объемом производства не менее 1200 штук в год
	Итого по Минпромторгу России	63490,699 33317,440		1618,713 1267,7	1643,438 1412,710	2125,3 1695	5740 2870	18466,52 9233,26	14162,44 7351,22	10831,800 5744,152		8902,488 3743,398
Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом")
1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
297.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород	196 98				40 20	48 24	48 24	60 30				2010 - 2013	267	создание технологического комплекса для производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на широкозонных полупроводниковых материалах
298.	Техническое перевооружение производства сильноточных электронных коммутирующих элементов на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л.Духова", г. Москва	160 80							60 30	50 25	50 25		2013 - 2015	616,7	техническое перевооружение производств сильноточных электронных коммутирующих элементов
299.	Техническое перевооружение для организации высокотехнологичного производства металлокерамических корпусов микросборок и микросхем на федеральном государственном унитарном предприятии федеральном научно-производственном центре "Производственное объединение "Старт" имени М.В.Проценко", г. Заречный, Пензенская область	213,1 106,1							102 51	94 47	17,1 8,1		2013 - 2015	850	техническое перевооружение производства металлокерамических корпусов микросборок и микросхем
300.	Техническое перевооружение участков производства коммутирующих элементов нового поколения с лазерным поджигом на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л.Духова", г. Москва	118,5 53,5								50 25	68,5 28,5		2014- 2015	509,3	техническое перевооружение участков производства коммутирующих элементов нового поколения с лазерным поджигом
301.	Техническое перевооружение с целью производства радиационно стойких изделий микроэлектроники с применением методов нанотехнологий на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л.Духова", г. Москва	400 200						100 50	100 50	100 50	100 50		2012- 2015	2148,1	создание производственно-технологического участка изготовления изделий микроэлектроники для систем автоматики специзделий
302.	Техническое перевооружение с целью производства быстродействую-щих радиационно стойких монолитных интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород	335,7 160,7							134 67	104 52	97,7 41,7		2013 - 2015	2500	создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы
303.	Техническое перевооружение с целью производства радиационно стойких изделий микросистемотехники на федеральном государственном унитарном предприятии федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород	536 268							204 102	158 79	174 87		2013 - 2015	1100	создание производственно-технологического участка в межведомствен-ном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы
304.	Техническое перевооружение с целью производства радиационно стойких изделий микроэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики", г. Саров, Нижегородская область	1693,8 833,8						232 116	240 120	724 362	497,8 235,8		2012- 2015	3287	техническое перевооружение технологических участков по изготовлению радиационно стойких изделий микроэлектроники в РФЯЦ ВНИИЭФ обеспечит создание "чистых" помещений с высокотехнологичным оборудованием, что позволит внедрить в производство более 120 новых технологических процессов по изготовлению принципиально новых радиационно стойких высокофункциональных МЭМС и МСТ приборов автоматики
2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования
305.	Реконструкция дизайн-центра радиационно-стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород	200 100		80 40	68 34		52 26						2008 - 2011	2976	реконструкция дизайн-центра мощностью 1 млн. транзисторов в год
306.	Техническое перевооружение дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л.Духова", г. Москва	240 120						100 50	120 60	20 10			2012 - 2014	506	техническое перевооружение дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы позволит обеспечить разработку и автоматизированную верификацию ПЛИС - прототипов разрабатываемых СБИС объемом до нескольких десятков тысяч логических элементов, а также верификацию в составе аппаратуры разработанных СБИС объемом от нескольких сотен тысяч до нескольких миллионов эквивалентных вентилей
307.	Техническое перевооружение дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики", г. Саров, Нижегородская область	120 60						20 10	80 40	20 10			2012 - 2014	330	техническое перевооружение дизайн-центра позволит создать высокотехнологичный кластер по разработке принципиально новых радиационно стойких электронных схем и СБИС на основе современных БМК, АЦ БМК, ПЛИС и ПЗУ большой емкости, что позволит выполнять до 500 логических проектов в год: а) радиационно-стойких СБИС на основе полузаказных микросхем; б) сложнофункиональных блоков для СБИС типа "Система на кристалле"; в) микросхем для технологий КМОП и КМОП-КНД
308.	Техническое перевооружение дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И.Забабахина", г. Снежинск, Челябинская область	177 87						40 20	40 20	40 20	57 27		2012 - 2015	877,32	техническое перевооружение дизайн-центра позволит создать сквозную систему автоматизированного проектирования модулей типа "система в корпусе" (SIP-модулей) с сокращением на 30% продолжительности цикла разработки, испытаний и изготовления SIP-модулей, расширить номенклатуру разрабатываемых приборов с использованием указанной технологии до 12 наименований и моделировать тепловые и механические процессы, происходящие в SIP-модулях, с учетом внешних воздействующих факторов
	Итого по Госкорпорации "Росатом"	4390,1 2167,1		80 40	68 34	40 20	100 50	540 270	1140 570	1360 680	1062,1 503,1
Федеральное космическое агентство (Роскосмос)
1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
309.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем", г. Москва, с целью создания производства многокристальных систем в корпусе микро- и радиоэлектронных модулей, в том числе на основе устройств микросистемной техники	320 160							110 55	105 52,5	105 52,5		2013- 2015	1230	переоснащенное производство многокристальных систем в корпусе, микро- и радиоэлектронных модулей, в том числе на основе устройств микросистемной техники; оснащенное отраслевое автоматизированное хранилище производимых и приобретаемых электронных компонентов со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции
310.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Научно-исследовательский институт точных приборов", г. Москва, для создания производства модулей сверхвысокочастотных устройств для особо жестких условий эксплуатации	320 160							200 100	60 30	60 30		2013 - 2015	1313,2	переоснащение производства по выпуску: параметрического ряда модулей сверхвысокочастотных устройств; узлов и крупноблочных радиоэлектронных функциональных модулей приемо-передающей аппаратуры. Реализация указанных мероприятий обеспечивает: сокращение сроков изготовления изделий радиолокационной техники и техники связи в 2 - 3 раза; расширение номенклатуры сверхвысокочастотных изделий в 1,5 раза
311.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф.Решетнёва", г. Железногорск, Красноярский край, с целью создания производственной линии для изготовления облегченных сверхвысокочастотных волноводов миллиметрового диапазона	160 80							60 30	50 25	50 25		2013 - 2015	1389,9	переоснащение производственной линии для выпуска облегченных сверхвысокочастотных волноводов; увеличение производства сверхвысокочастотных волноводов с низким уровнем потерь и улучшенными массовыми характеристиками; оснащение отраслевого автоматизированного хранилища для модулей радиоэлектронных и навигационных систем со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции
312.	Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение автоматики имени академика Н.А. Семихатова", г. Екатеринбург
	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное объединение автоматики имени академика Н.А.Семихатова", г. Екатеринбург, для создания производства электромехани-ческих и радиоэлектронных компонентов микромодульных средств автономного управления и контроля	200 100							80 40	60 30**	60 30		2013 - 2015	665	дооснащение производства электромеханических и радиоэлектронных компонентов для микромодульных средств автономного управления и контроля; увеличение производства изделий бортовой и промышленной радиоэлектроники на 35 процентов и более; оснащение отраслевого автоматизированного хранилища для радиоэлектронных модулей со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции
313.	Открытое акционерное общество "Объединенная ракетно-космическая корпорация", г. Москва
	Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Научно-исследовательский институт космического приборостроения", г. Москва, для создания отраслевой лаборатории контроля стойкости электронной компонентной базы радиоэлектронной аппаратуры к дестабилизирующим факторам космического пространства	200 100							80 40	60 30	60 30		2013 - 2015	690	создание межотраслевой лаборатории контроля стойкости электронной компонентной базы для специальной радиоэлектронной аппаратуры в условиях космического пространства, что обеспечит внедрение технологических процессов прямого (в том числе неразрушающего) контроля стойкости электронной компонентной базы и экспериментально-аналитического прогноза деградации характеристик электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры, определение характеристик стойкости к условиям открытого космического пространства, увеличение сроков активного функционирования аппаратуры до 20 лет
314.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Научно-производственный центр "Полюс", г. Томск, для технического перевооружения действующего производства	200 100							80 40	60 30	60 30		2013 - 2015	2534,3	перевооружение производственных линий для изготовления встроенных модульных пассивных радиоэлементов для систем бортовой и промышленной радиоэлектроники и вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания, расширение номенклатуры и увеличение производства встроенных вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания для средств бортовой и промышленной электроники на 70 процентов и более
2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования
315.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем", г. Москва, для создания базового центра проектирования	726 363						486 243	240 120				2012 - 2013	500	создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м
316.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания отраслевого центра автоматизированного проектирования в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт точных приборов", г. Москва	914 461		120 60	120 60	28 18	160 80	486 243					2008 - 2012	500	создание отраслевого центра автоматизированного проектирования и функциональной поддержки процессов изготовления и эксплуатации параметрических рядов сверхвысокочастотных модулей унифицированных сверхвысокочастотных трактов, базовых несущих конструкций активных фазированных антенных решеток, радиолокационных и связных модульных приборов площадью 500 кв. м
317.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования унифицированных микроэлектронных датчиков для работы в особо жестких условиях эксплуатации в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт физических измерений", г. Пенза	280 140							100 50	90 45	90 45		2013 - 2015	701	создание центра проектирования унифицированных микроэлектронных датчиков площадью 701 кв. м для проектирования унифицированных полупроводниковых микродатчиков и преобразователей физических величин в системах управления, контроля и диагностики динамических объектов
318.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования матричных преобразователей и микроэлектронных сигнальных процессоров на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственный центр автоматики и приборостроения имени академика Н.А.Пилюгина", г. Москва	200 100							160 80	40 20			2013 - 2014	220	создание центра системного проектирования матричных преобразова-телей и микроэлектронных сигнальных процессоров высокоточных навигационных приборов бортового и промышленного назначения с использованием прецизионного высокотехнологичного оборудования для повышения качества проектирования, изготовления и надежности аппаратуры систем управления, уменьшения габаритно-массовых характеристик изделий, сокращение стоимости аппаратуры и т. д.
319.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования и технического перевооружения действующего производства в открытом акционерном обществе "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф.Решетнёва", г. Железногорск, Красноярский край	148 74							80 40	34 17	34 17		2013 - 2015	603,2	создание базового центра сквозного системного проектирования и функциональной поддержки в процессе эксплуатации аппаратуры модульных средств связи и навигации для бортовых и промышленных систем площадью 603,2 кв. м
	Итого по Роскосмосу	3668 1838		120 60	120 60	28 18	160 80	972 486	1190 595	559 279,5	519 259,5
Министерство образования и науки Российской Федерации (Минобрнауки России)
Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования
320.	Техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт электронной техники" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования	78 54			48 24	30 30							2009 - 2010	515,1	создание базового центра системного проектирования площадью 515,1 кв. м
321.	Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования	50 25		50 25									2008	500	создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м
322.	Техническое перевооружение федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет", г. Томск, для создания базового центра проектирования	200 100						200 100					2012	400	создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв. м
323.	Техническое перевооружение федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э.Баумана" для создания центра базового проектирования, Московская область, Дмитровский район, поселок Орево, площадка Дмитровского филиала	186,80 93							186,80 93				2013	669,0	создание базового центра системного проектирования площадью 669,0 кв. м

	Итого по Минобрнауки России	514,8 272		50 25	48 24	30 30		200 100	186,8 93
Федеральная служба по техническому и экспортному контролю (ФСТЭК России)
Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
324.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Производственное объединение "Октябрь", г. Каменск-Уральский Свердловской области	829,6 411,6					66,76 33,38	133,24 66,62	320 160	188 94	121,6 57,6		2011 - 2015	2000	создание новых производственных мощностей по выпуску оптоволоконных соединителей изделий микромеханики
	Итого по ФСТЭК России	829,6 411,6					66,76 33,38	133,24 66,62	320 160	188 94	121,6 57,6
	Итого по разделу II	72893,199 38006,140		1868,713 1392,70	1879,438 1530,71	2223,3 1763	6066,76 3033,38	20311,76 10155,88	16999,24 8769,22	12938,800 6797,652	10605,188 4563,598

* Бюджетные средства, запланированные к выделению в 2014 году, полностью возвращены в бюджет

По мероприятию 312 организация - исполнитель в 2013 и 2014 годах финансировалась - как федеральное государственное унитарное предприятие, а с 2015 года - как открытое акционерное общество

** Бюджетные средства, запланированные к выделению в 2014 году в размере 21,0 млн. руб. возвращены в бюджет

****Объемы скорректированы и полностью возвращены в бюджет.

Примечания: 1. Срок получения предусмотренных настоящим приложением результатов работ соответствует году окончания их финансирования.

2. В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - размер финансирования за счет средств федерального бюджета.

ПРИЛОЖЕНИЕ N 3
к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
(в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 201_ г. N )

РАСПРЕДЕЛЕНИЕ
объемов финансирования за счет средств федерального бюджета по государственным заказчикам федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

	2008 - 2015 годы - всего	В том числе
	2008 - 2015 годы - всего	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год	2012 год	2013 год	2014 год	2015 год

Всего по Программе	99802,4732	5372,7	5772,01	5400	12963,38	25180	18400	14772,0527	11942,3305
из них:
Минпромторг России	86722,224	4757,7	5157,21	4952,62	11940	21953,26	15376,5	12540,836	10044,098
Роскосмос	5894,5	290	320	168	430	1776	1393	764	753,5
Госкорпорация "Росатом"	5619,1117	240	246,50	179,38	400	1124,12	1235	1228,8167	965,295
Минобрнауки России	1155,0375	85	48,30	100	160	260	235,5	144,4	121,8375
ФСТЭК России	411,6	-	-	-	33,38	66,62	160	94	57,6
Капитальные вложения - всего	38006,14	1392,7	1530,71	1763	3033,38	10155,88	8769,22	6797,652	4563,598
из них:
Минпромторг России	33317,44	1267,7	1412,71	1695	2870	9233,26	7351,22	5744,152	3743,398
Роскосмос	1838	60	60	18	80	486	595	279,5	259,5
Госкорпорация "Росатом"	2167,1	40	34	20	50	270	570	680	503,1
Минобрнауки России	272	25	24	30	-	100	93	-	-
ФСТЭК России	411,6	-	-	-	33,38	66,62	160	94	57,6

Прикладные научные исследования и экспериментальные разработки, выполняемые по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ - всего	61796,3332	3980	4241,3	3637	9930	15024,12	9630,78	7974,4007	7378,7325
из них:
Минпромторг России	53404,784	3490	3744,5	3257,62	9070	12720	8025,28	6796,684	6300,7
Роскосмос	4056,5	230	260	150	350	1290	798	484,5	494
Госкорпорация "Росатом"	3452,0117	200	212,5	159,38	350	854,12	665	548,8167	462,1950
Минобрнауки России	883,0375	60	24,3	70	160	160	142,5	144,4	121,8375

ПРИЛОЖЕНИЕ N 4
к федеральной целевой программе "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
(в редакции постановления Правительства Российской Федерации от 201_ г. N )

Объемы финансирования
федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы за счет средств федерального бюджета и внебюджетных источников

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

	2008 - 2015 годы - всего	В том числе
	2008 - 2015 годы - всего	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год	2012 год	2013 год	2014 год	2015 год

Всего по Программе	166546,0758	7903,84	8478,07	8267,417	20961,76	42829,41	31445,41	24945,9494	21714,2194
в том числе:
федеральный бюджет	99802,4732	5372,7	5772,01	5400	12963,38	25180	18400	14772,0527	11942,3305
внебюджетные средства	66743,6026	2531,14	2706,06	2867,417	7998,38	17649,41	13045,41	10173,8967	9771,8889
Капитальные вложения - всего	72893,199	1868,713	1879,438	2223,3	6066,76	20311,76	16999,24	12938,8	10605,188
в том числе:
федеральный бюджет	38006,14	1392,7	1530,71	1763	3033,38	10155,88	8769,22	6797,652	4563,598
внебюджетные средства	34887,059	476,013	348,728	460,3	3033,38	10155,88	8230,02	6141,148	6041,59
Прикладные научные исследования и экспериментальные разработки, выполняемые по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ - всего	93652,8768	6035,127	6598,632	6044,117	14895	22517,65	14446,17	12007,1494	11109,0314
в том числе:
федеральный бюджет	61796,3332	3980	4241,3	3637	9930	15024,12	9630,78	7974,4007	7378,7325
внебюджетные средства	31856,5436	2055,127	2357,332	2407,117	4965	7493,53	4815,39	4032,7487	3730,2989

8. В приложении N 5 к указанной Программе:

а) в абзаце первом слова "научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы" заменить словами "прикладные научные исследования и экспериментальные разработки, выполняемые по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ,";

б) в абзаце шестом слова "финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ" заменить словами " финансирования прикладных научных исследований и экспериментальных разработок, выполняемых по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ,";

в) в абзаце девятом "научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы" заменить словами "прикладные научные исследования и экспериментальные разработки, выполняемые по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ,";

г) в абзаце пятнадцатом:

- слова"научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы" заменить словами "прикладные научные исследования и экспериментальные разработки, выполняемые по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ,";

- цифры "172099,8293" заменить цифрами "166546,0758";

- цифры "102752,5207" заменить цифрами "99802,4732

- цифры "69347,3086" заменить цифрами "66743,6026";

д) в абзаце восемнадцатом цифры "1,6" заменить цифрами "1,64";

е) таблицы 1 - 3 изложить в следующей редакции:

"Таблица 1

Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

(в ценах соответствующих лет, млн. рублей)

Показатели	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год	2012 год	2013 год	2014 год	2015 год	2016 год	2017 год	За расчетный период

Условно-переменная часть текущих издержек производства (себестоимости) (процентов)	62	62	62	62	62	62	62	62	62	62	-
Годовой объем реализуемой продукции отрасли (объем продаж)	58000	70000	90000	110000	170000	210000	240000	270000	340000	420000	-
Инвестиции из всех источников финансирования - всего по Программе	7903,84	8478,070	8267,417	20961,760	42829,410	31445,410	24945,9494	21714,2194	-	-	166546,0758
в том числе:
средства федерального бюджета на прикладные научные исследования и экспериментальные разработки, выполняемые по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ, капитальные вложения и прочие нужды	5372,70	5772,01	5400,0	12963,38	25180,0	18400,00	14772,0527	11942,3305			99802,4732
из них
капитальные вложения	1392,70	1530,71	1763,0	3033,38	10155,88	8769,22	6797,652	4563,598			38006,140
внебюджетные средства на прикладные научные исследования и экспериментальные разработки, выполняемые по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ, и капитальные вложения (собственные, заемные и др.)	2531,140	2706,060	2867,417	7998,380	17649,410	13045,410	10173,8967	9771,8889			66743,6026
налогооблагаемая база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно- производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)	33000	34500	36000	38000	41000	46000	54000	60000	61000	62000	-
Рентабельность реализованной продукции (процентов)	10	10	12	14	16	18	20	20	20	20	-
Амортизационные отчисления (процентов себестоимости)	3,5	3,8	4	4,5	5	5,5	6	6,5	7	7,5	-
Материалы (процентов себестоимости)	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50	-
Фонд оплаты труда (процентов себестоимости)	25	25	25	25	25	25	25	25	25	25	-
Налог на имущество организаций (процентов)	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2	-
Налог на прибыль организаций (процентов)	24	20	20	20	20	20	20	20	20	20	-
Налог на доходы физических лиц (процентов)	13	13	13	13	13	13	13	13	13	13	-
Страховые взносы (процентов)	26	26	26	34	30	30	30	30	30	30	-
Налог на добавленную стоимость (процентов)	18	18	18	18	18	18	18	18	18	18	-
Норма дисконта (средняя за расчетный период) (процентов)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	0,1

Таблица 2

Расчет коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

(в ценах соответствующих лет, млн. рублей)

Наименование показателей	Расчетный период											За расчетный период
	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год	2012 год	2013 год	2014 год	2015 год	2016 год	2017 год
	номер шага (m)
	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9

Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность)
Годовой объем реализованной продукции отрасли без налога на добавленную стоимость	58000	70000	90000	110000	170000	210000	240000	270000	340000		420000	-
Себестоимость годового объема реализованной продукции отрасли	52727	63636	80357	96491	146552	177966	200000	225000	283333		350000	-
Прибыль от реализации продукции	5273	6364	9643	13509	23448	32034	40000	45000	56667		70000	-
Налогооблагаемая база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно- производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)	33000	34500	36000	38000	41000	46000	54000	60000	61000		62000	-
Налог на имущество организаций	660	690	720	760	820	920	1080	1200	1220		1240	-
Налогооблагаемая прибыль	4587,3	5727,3	8967,9	12833,3	22744,8	31072,9	38800	43650	54966,7		67900	-
Налог на прибыль организаций	1100,9	1145,5	1793,6	2566,7	4549	6214,6	7760	8730	10993,3		13580	-
Чистая прибыль	3486,3	4581,8	7174,3	10266,7	18195,9	24858,3	31040	34920	43973,3		54320	-
Амортизационные отчисления в структуре себестоимости	1845,5	2418,2	3214,3	4342,1	7327,6	9788,1	12000	14625	19833,3		26250	-
Материальные затраты в структуре себестоимости	26363,6	31818,2	40178,6	48245,6	73275,9	88983,1	100000	112500	141666,7		175000	-
Фонд оплаты труда в структуре себестоимости	13181,8	15909,1	20089,3	24122,8	36637,9	44491,5	50000	56250	70833,3		87500	-
Налог на добавленную стоимость	4745,5	5727,3	7232,1	8684,2	13189,7	16016,9	18000	20250	25500		31500	-
Налог на доходы физических лиц	1713,6	2068,2	2611,6	3136	4762,9	5783,9	6500	7312,5	9208,3		11375	-
Страховые взносы	3427,3	4136,4	5223,2	8201,8	10991,4	13347,5	15000	16875	21250,3		26250	-
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды (приток в бюджет)	10546,4	12621,8	15787	20781,9	29764	36068,3	40580	45637,5	57178,3		70365	339330,2
Сальдо от операционной деятельности. Чистый доход организаций (чистая прибыль и амортизационные отчисления)	5331,8	7000	10388,6	14608,8	25523,4	34646,4	43040	49545	63806,7		80570	-
Коэффициент дисконтирования (норма дисконта Е=0,1)	1	0,909	0,826	0,751	0,683	0,621	0,564	0,513	0,467		0,424	-
Сальдо от операционной деятельности с учетом дисконтирования. Чистый доход организаций с учетом дисконтирования	5331,8	6363,6	8585,6	10975,8	17432,9	21512,7	24295	25424,4	29766,3		34169,5	183857,6
Величина инвестиций из всех источников финансирования (оттоки)	7 903,8	8 478,1	8 267,4	20 961,8	42 829,4	31 445,4	24 945,9	21 714,2	-		-	166 546,1
Сальдо суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности без дисконтирования	-2 572,1	-1 478,1	2 121,2	-6 353,0	-17 306,0	3 201,0	18 094,1	27 830,8	63 806,7		80 570,0	-
Величина инвестиций из всех источников финансирования (оттоки) с учетом дисконтирования	7 903,8	7 707,3	6 832,6	15 748,9	29 253,1	19 525,1	14 081,3	11 142,8				112 195,0
Сальдо суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования	-2 572,1	-1 343,7	1 753,0	-4 773,1	-11 820,2	1 987,6	10 213,6	14 281,6	29 766,3		34 169,5	71 662,6
Сальдо накопленного суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования (нарастающим итогом)
Чистый дисконтированный доход	-2 572,1	-3 915,8	-2 162,8	-6 935,9	-18 756,1	-16 768,4	-6 554,8	7 726,8	37 493,4		71 662,6	-
Срок окупаемости инвестиций (период возврата) (лет)												7 лет
Индекс доходности (рентабельность инвестиций)	-	-	-	-	-	-	-	-	-		-	1,6
Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность)
Средства федерального бюджета на прикладные научные исследования и экспериментальные разработки, выполняемые по договорам на проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ, капитальные вложения и прочие нужды (отток из бюджета)	5372,7	5772,0	5400,0	12963,4	25180,0	18400,0	14772,1	11942,3				99802,47
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды	10546,4	12621,8	15787	20781,9	29764	36068,3	40580	45637,5	57178,3		70365	339330,2
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования	10546,4	11474,4	13047,1	15613,8	20329,2	22395,6	22906,4	23419,3	26674,1		29841,6	196247,7
Отток бюджетных средств	5372,7	5772,0	5400,0	12963,4	25180,0	18400,0	14772,1	11942,3				99833,5
Отток бюджетных средств с учетом дисконтирования	5372,7	5247,3	4462,8	9739,6	17198,3	11425,0	8338,4	6128,3				67912,34
Сальдо суммарного потока от финансирования и операционной деятельности с учетом дисконтирования	5173,7	6227,1	8584,3	5874,2	3130,9	10970,6	14567,9	17290,9	26674,1		29841,6	128335,4
Чистый дисконтированный доход государства или бюджетный эффект	5173,7	11400,8	19985,0	25859,2	28990,1	39960,8	54528,7	71819,6	98493,7		128335,4	-
Индекс доходности бюджетных средств	2	2,2	2,9	1,6	1,2	2,0	2,7	3,8	-		-	2,9
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования	10546,4	11474,4	13047,1	15613,8	20329,2	22395,6	22906,4	23419,3	26674,1		29841,6	196247,7
Удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства)	0,68	0,68	0,65	0,62	0,59	0,58	0,58	0,57	-		-	0,6
Период возврата бюджетных средств (лет)												1 год
Уровень безубыточности	0,79	0,79	0,76	0,73	0,7	0,68	0,66	0,66	0,66		0,66	0,68

Таблица 3

Итоговые показатели эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы

(млн. рублей)

Наименование показателей	2008 - 2017 годы

Всего инвестиций (в ценах соответствующих лет)	166 546,0758
в том числе:
средства федерального бюджета	99 802,4732
внебюджетные средства	66 743,6026
Показатели коммерческой эффективности
Чистый дисконтированный доход в 2017 году	71662,6
Срок окупаемости инвестиций по чистой прибыли организации (лет)	7 лет
Индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистой прибыли	1,64
Уровень безубыточности	0,68
Показатели бюджетной эффективности
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования	196247,7
Бюджетный эффект	128335,4
Индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям	2,9
Удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства)	0,6
Срок окупаемости бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям (лет)	1 год

Откройте актуальную версию документа прямо сейчас

Получить бесплатный доступ

Если вы являетесь пользователем интернет-версии системы ГАРАНТ, вы можете открыть этот документ прямо сейчас или запросить по Горячей линии в системе.