Вы можете открыть актуальную версию документа прямо сейчас.
Если вы являетесь пользователем интернет-версии системы ГАРАНТ, вы можете открыть этот документ прямо сейчас или запросить по Горячей линии в системе.
Приложение N 7
к приказу Федеральной таможенной службы
от 28 декабря 2006 г. N 1378
Приложение 1
к приказу ГТК РФ
от 26 июля 2004 г. N 796
Список
товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль
(утв. Указом Президента РФ от 5 мая 2004 г. N 580)
(в редакции Указа Президента РФ от 1 декабря 2005 г. N 1384)
Раздел 1
N пункта | Наименование* | Код ТН ВЭД** |
Категория 1. Перспективные материалы | ||
1.1. 1.1.1. 1.1.1.1. 1.1.1.2. 1.1.1.3. 1.1.2. 1.1.2.1. 1.1.2.2. 1.1.2.2.1. 1.1.2.2.2. 1.1.3. 1.1.4. 1.1.4.1. 1.1.4.2. 1.1.4.3. 1.1.5. 1.2. 1.2.1. 1.2.1.1. 1.2.1.2. 1.2.1.3. 1.2.1.4. 1.2.1.4.1. 1.2.1.4.2. 1.2.1.4.3. 1.2.1.4.4. 1.2.1.5. 1.2.1.6. 1.2.2. 1.2.3. 1.3. 1.3.1. 1.3.1.1. 1.3.1.2. 1.3.1.3. 1.3.1.3.1. 1.3.1.3.2. 1.3.1.3.3. 1.3.1.3.4. 1.3.1.3.5. 1.3.2 1.3.2.1. 1.3.2.1.1. 1.3.2.1.2. 1.3.2.2. 1.3.2.2.1. 1.3.2.2.2. 1.3.2.2.3. 1.3.2.2.4. 1.3.2.2.5. 1.3.2.3. 1.3.2.3.1. 1.3.2.3.1.1. 1.3.2.3.1.2. 1.3.2.3.1.3. 1.3.2.3.1.4. 1.3.2.3.1.5. 1.3.2.3.2. 1.3.2.3.3. 1.3.2.4. 1.3.3. 1.3.3.1. 1.3.3.2. 1.3.3.3. 1.3.4. 1.3.5. 1.3.5.1. 1.3.5.2. 1.3.6. 1.3.6.1. 1 3.6.1.1. 1.3.6.1.2. 1.3.6.2. 1.3.6.2.1. 1.3.6.2.2. 1.3.6.3. 1.3.6.3.1. 1.3.6.3.2. 1.3.6.3.3. 1.3.6.4. 1.3.7. 1.3.7.1. 1.3.7.2. 1.3.7.3. 1.3.7.4. 1.3.7.5. 1.3.7.6. 1.3.8. 1.3.8.1.1. 1.3.8.1.2. 1.3.8.1.3. 1.3.8.1.4. 1.3.8.2. 1.3.8.3. 1.3.8.3.1. 1.3.8.3.2. 1.3.8.3.3. 1.3.8.3.4. 1.3.8.4. 1.3.8.5. 1.3.8.6. 1.3.9. 1.3.9.1. 1.3.9.2. 1.3.9.3. 1.3.10. 1.3.10.1. 1.3.10.2. 1.3.10.3. 1.3.10.4. 1.3.10.4.1. 1.3.10.4.1.1 . 1.3.10.4.1.2 . 1.3.10.4.2. 1.3.10.5. 1.3.11. 1.3.11.1. 1.3.11.2. 1.3.11.3. 1.3.11.4. 1.3.12. 1.3.12.1. 1.3.12.2. 1.4. 1.4.1. 1.4.2. 1.5. 1.5.1. 1.5.2. 1.5.2.1. 1.5.2.2. 1.5.2.3. 1.5.2.3.1. 1.5.2.3.2. 1.5.2.4. 1.5.2.5. 1.5.2.6. |
Системы, оборудование и компоненты Компоненты, изготовленные из фторированных соединений: Уплотнения, прокладки, уплотнительные материалы или топливные диафрагмы, специально разработанные для применения в летательных или аэрокосмических аппаратах и изготовленные из материалов, содержащих более 50% (по весу) любого материала, контролируемого по пунктам 1.3.9.2 и 1.3.9.3; Пьезоэлектрические полимеры и сополимеры в виде листа или пленки толщиной более 200 мкм, изготовленные из фтористых винилиденовых материалов, контролируемых по пункту 1.3.9.1; Уплотнения, прокладки, седла клапанов, диафрагмы или мембраны, изготовленные из фторэластомеров, содержащих по крайней мере одну группу винилового эфира как структурную единицу, специально разработанные для летательных, аэрокосмических аппаратов или ракет Конструкции из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, имеющие любую из следующих составляющих: Органическую матрицу и выполненные из материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5; или Металлическую или углеродную матрицу и выполненные из: Углеродных волокнистых или нитевидных материалов с: а) удельным модулем упругости, превышающим 10,15 х 10(6) м; и б) удельной прочностью при растяжении, превышающей 17,7 х 10(4) м; или Материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.3 Технические примечания: 1. Удельный модуль упругости - модуль Юнга, выраженный в паскалях (Н/кв. м), деленный на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +- 2) К [(23 +- 2)°С] и относительной влажности (50 +- 5)% 2. Удельная прочность при растяжении - предел прочности при растяжении, выраженный в паскалях (Н/кв. м), деленный на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +- 2) К [(23 +- 2)°С] и относительной влажности (50 +- 5)% Примечание. По пункту 1.1.2 не контролируются: а) полностью или частично изготовленные конструкции, специально разработанные для следующего только гражданского использования: в спортивных товарах; в автомобильной промышленности; в станкостроительной промышленности; в медицинских целях; б) элементы конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры с размерами, не превышающими 1 кв.м, изготовленные из пропитанных эпоксидной смолой углеродных волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта летательных аппаратов Особое примечание. В отношении конструкций из композиционных материалов, указанных в пунктах 1.1.2 - 1.1.2.2.2, см. также пункты 1.1.1 - 1.1.1.2.2 раздела 2 и пункт 1.1.1 раздела 3. Изделия из нефторированных полимерных материалов, контролируемых по пункту 1.3.8.1.3, в виде пленки, листа, ленты или полосы: а) толщиной более 0,254 мм; или б) покрытые или ламинированные углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами Примечание. По пункту 1.1.3 не контролируются изделия, покрытые или ламинированные медью и разработанные для производства электронных печатных плат Защитное снаряжение, аппаратура систем обнаружения и комплектующие изделия, разработанные не специально для военного применения: Противогазы, коробки противогазов с фильтрами и оборудование для их обеззараживания, разработанные либо модифицированные для защиты от биологических факторов или радиоактивных материалов, приспособленных для военного применения, или химического оружия, а также специально разработанные для них компоненты; Защитные костюмы, перчатки и обувь, специально разработанные или модифицированные для защиты от биологических факторов или радиоактивных материалов, приспособленных для военного применения, или химического оружия; Системы, специально разработанные или модифицированные для обнаружения или распознавания биологических, химических факторов или радиоактивных материалов, приспособленных для военного применения, и специально разработанные для них компоненты Примечание. По пункту 1.1.4 не контролируются: а) персональные радиационные дозиметры; б) оборудование, ограниченное конструктивно или функционально применением в технике безопасности в таких гражданских отраслях, как: горное дело, работы в карьерах, сельское хозяйство, фармацевтическая и медицинская промышленность, ветеринария, охрана окружающей среды, сбор и утилизация отходов или пищевая промышленность Бронежилеты и специально разработанные для них компоненты, изготовленные не по военным стандартам или техническим условиям и не равноценные им по характеристикам Примечания: 1. По пункту 1.1.5 не контролируются бронежилеты или защитная одежда, которые вывозятся пользователем для собственной индивидуальной защиты 2. По пункту 1.1.5 не контролируются бронежилеты, разработанные для обеспечения только фронтальной защиты как от осколков, так и от взрыва невоенных взрывных устройств Особое примечание. Для нитевидных и волокнистых материалов см. пункт 1.3.10 Испытательное, контрольное и производственное оборудование Оборудование для производства волокон, препрегов, преформ или композиционных материалов, контролируемых по пункту 1.1.2 или 1.3.10, а также специально разработанные для него компоненты и вспомогательные устройства: Машины для намотки волокон, специально разработанные для производства конструкций из композиционных материалов слоистой структуры из волокнистых или нитевидных материалов, в которых движения, связанные с позиционированием, пропиткой и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более направлениям; Машины для выкладки ленты или жгута, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой ленты, жгута или их слоев, координируются и программируются по двум или более осям и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов; Многокоординатные ткацкие машины или машины для плетения, включая приспособления и устройства для плетения, ткачества, переплетения волокон, предназначенные для получения объемных структур, являющихся заготовками для конструкций из композиционных материалов Техническое примечание. Для целей пункта 1.2.1.3 плетение включает вязание Примечание. По пункту 1.2.1.3 не контролируется текстильное оборудование, не модифицированное для вышеуказанного конечного применения; Оборудование, специально разработанное или приспособленное для производства армирующих волокон: Оборудование для превращения полимерных волокон (таких, как полиакрилонитриловые, вискозные, пековые или поликарбосилановые) в углеродные или карбидкремниевые волокна, включая специальное оборудование для натяжения волокон при нагреве; Оборудование для химического осаждения элементов или соединений из паровой фазы на нагретую нитевидную подложку в целях производства карбидкремниевых волокон; Оборудование для получения тугоплавких керамических волокон (например, из оксида алюминия) по мокрому способу; Оборудование для преобразования путем термообработки волокон алюминийсодержащих прекурсоров в волокна оксида алюминия; Оборудование для производства препрегов, контролируемых по пункту 1.3.10.5, методом горячего плавления; Оборудование для неразрушающего контроля с возможностью трехмерного обнаружения дефектов методом ультразвуковой или рентгеновской томографии, специально разработанное для композиционных материалов Оборудование, специально разработанное для исключения загрязнения при производстве металлических сплавов, порошков металлических сплавов или легированных материалов и использования в одном из процессов, указанных в пункте 1.3.2.3.2 Инструменты, пресс-формы, матрицы или арматура для формообразования в условиях сверхпластичности или диффузионной сварки титана, алюминия или их сплавов, специально разработанные для производства: а) корпусных авиационных или аэрокосмических конструкций; б) двигателей для летательных или аэрокосмических аппаратов; или в) конструктивных элементов, специально разработанных для таких конструкций или двигателей Материалы Техническое примечание. Термины "металлы" и "сплавы", если специально не оговорено иное, относятся к следующим необработанным формам и полуфабрикатам: а) необработанные формы - аноды, блюмы, болванки, брикеты, бруски, гранулы, губка, дробь, катоды, кольца, кристаллы, спеки, заготовки металла неправильной формы, листы, окатыши, плитки, поковки, порошки, прутки (включая надрубленные прутки и заготовки для проволоки), слитки, слябы, стаканы, сутунки, чушки, шары; б) полуфабрикаты (независимо от того, имеют они плакирование, покрытие, сверления, пробитые отверстия или нет): 1) материалы, подвергнутые обработке давлением или иным способом, полученные путем прокатки, волочения, штамповки выдавливанием, ковки, штамповки ударным выдавливанием, прессования, гранулирования, распыления и размалывания, а именно: диски, изделия прессованные и штампованные, кольца, ленты, листы, плиты, поковки, полосы, порошки, профили, прутки (включая непокрытые сварочные прутки, присадочную проволоку и катанку), пудры, трубы круглого и квадратного сечения, уголки, фасонные профили, фольга и тонкие листы, чешуйки, швеллеры; 2) отливки, полученные литьем в любые формы (песчаные, металлические, гипсовые и другие), включая полученные литьем под давлением, а также спеченные заготовки и заготовки, полученные методами порошковой металлургии. Цель контроля не должна нарушаться при экспорте не указанных выше заготовок или полуфабрикатов, выдаваемых за готовые изделия, но, по существу, представляющих собой контролируемые заготовки или полуфабрикаты Материалы, специально разработанные для поглощения электромагнитных волн, или полимеры, обладающие собственной проводимостью: Материалы для поглощения электромагнитных волн в области частот от 2 х 10(8) Гц до 3 х 10(12) Гц Примечания: 1. По пункту 1.3.1.1 не контролируются: а) поглотители войлочного типа, изготовленные из натуральных и синтетических волокон, содержащие немагнитный наполнитель; б) поглотители, не имеющие магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности; в) плоские поглотители, обладающие всеми следующими признаками: 1) изготовленные из любых следующих материалов: вспененных полимерных материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связующие, обеспечивающих более 5% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на +- 15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 450 К (177°С); или керамических материалов, обеспечивающих более 20% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на +- 15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 800 К (527°С); 2) прочностью при растяжении менее 7 х 10(6) Н/кв. м; и 3) прочностью при сжатии менее 14 х 10(6) Н/кв. м; г) плоские поглотители, выполненные из спеченного феррита, имеющие: удельный вес более 4,4 г/куб. см; и максимальную рабочую температуру 548 К (275°С) 2. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании 1 к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках Техническое примечание. Образцы для проведения испытаний на поглощение, приведенные в подпункте 1 пункта "в" примечания 1 к пункту 1.3.1.1, должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн средней частоты и располагаться в дальней зоне излучающего элемента; Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих 1,5 х 10(14) Гц, но ниже чем 3,7 х 10(14) Гц, и непрозрачные для видимого света; Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью выше 10 000 См/м (Сименс/м) или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 Ом/кв. м, полученные на основе любого из следующих полимеров: Полианилина; Полипиррола; Политиофена; Полифенилен-винилена; или Политиенилен-винилена Техническое примечание. Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или ее национальным эквивалентом Особое примечание. В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.1 - 1.3.1.3.5, см. также пункты 1.3.1 - 1.3.1.3.5 разделов 2 и 3 Металлические сплавы, порошки металлических сплавов и легированные материалы следующих типов: Алюминиды: Алюминиды никеля, содержащие от 15 до 38% (по весу) алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент; Алюминиды титана, содержащие 10% (по весу) или более алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент; Металлические сплавы, изготовленные из материалов, контролируемых по пункту 1.3.2.3: Никелевые сплавы с: а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 676 МПа и температуре 923 К (650°С); или б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 823 К (550°С) и максимальном напряжении цикла 1095 МПа; Ниобиевые сплавы с: а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 400 МПа и температуре 1073 К (800°С); или б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 973 К (700°С) и максимальном напряжении цикла 700 МПа; Титановые сплавы с: а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 200 МПа и температуре 723 К (450°С); или б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 723 К (450°С) и максимальном напряжении цикла 400 МПа; Алюминиевые сплавы с пределом прочности при растяжении: а) 240 МПа или выше при температуре 473 К (200°С); или б) 415 МПа или выше при температуре 298 К (25°С); Магниевые сплавы: а) с пределом прочности при растяжении 345 МПа или выше; и б) со скоростью коррозии в 3-процентном водном растворе хлорида натрия менее 1 мм в год, измеренной в соответствии со стандартной методикой ASTM G-31 или ее национальным эквивалентом; Порошки металлических сплавов или частицы материала, имеющие все следующие характеристики: Изготовленные из любых следующих по составу систем: Техническое примечание. X в дальнейшем соответствует одному или более легирующим элементам Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), для деталей или компонентов газотурбинных двигателей, содержащие менее трех неметаллических частиц размером более 100 мкм (введенных в процессе производства) на 10 частиц сплава; Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti); Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al); Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или Аl-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); и Изготовленные в контролируемой среде с использованием одного из нижеследующих процессов: а) вакуумное распыление; б) газовое распыление; в) центробежное распыление; г) скоростная закалка капли; д) спиннингование расплава и последующее измельчение; е) экстракция расплава и последующее измельчение; или ж) механическое легирование; Могущие быть исходными материалами для получения сплавов, контролируемых по пункту 1.3.2.1 или 1.3.2.2; Легированные материалы, характеризующиеся всем нижеследующим: а) изготовлены из любых систем, определенных в пункте 1.3.2.3.1; б) имеют форму неизмельченных чешуек, ленты или тонких стержней; и в) изготовлены в контролируемой среде любым из следующих методов: скоростная закалка капли; спиннингование расплава; или экстракция расплава Примечание. По пункту 1.3.2 не контролируются металлические сплавы, порошки металлических сплавов или легированные материалы для подложек покрытий Технические примечания: 1. К металлическим сплавам, указанным в пункте 1.3.2, относятся сплавы, которые содержат больший процент (по весу) указанного металла, чем любых других элементов 2. Ресурс длительной прочности следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM Е-139 или ее национальным эквивалентом 3. Малоцикловую усталость следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-606 "Технические рекомендации по испытаниям на малоцикловую усталость при постоянной амплитуде" или ее национальным эквивалентом. Образцы должны нагружаться в осевом направлении при среднем значении показателя нагрузки, равном единице, и коэффициенте концентрации напряжения (К_t), равном единице. Средний показатель нагрузки определяется как частное от деления разности максимальной и минимальной нагрузок на максимальную нагрузку Магнитные металлические материалы всех типов и в любой форме, имеющие какую-нибудь из следующих характеристик: Начальную относительную магнитную проницаемость 120 000 или более и толщину 0,05 мм или менее Техническое примечание. Измерение начальной относительной магнитной проницаемости следует проводить на полностью отожженных материалах; Магнитострикционные сплавы, имеющие любую из следующих характеристик: а) магнитострикцию насыщения более 5 х 10(-4); или б) коэффициент магнитомеханического взаимодействия (к) более 0,8; или Ленты из аморфных или нанокристаллических сплавов, имеющие все следующие характеристики: а) содержание железа, кобальта или никеля не менее 75% (по весу); б) магнитную индукцию насыщения (B_s) 1,6 Т или более; и в) любое из нижеследующего: толщину ленты 0,02 мм или менее; или удельное электрическое сопротивление 2 x 10(-4) Ом х см или более Техническое примечание. К нанокристаллическим материалам, указанным в пункте 1.3.3.3, относятся материалы, имеющие размер кристаллических зерен 50 нм или менее, определенный методом рентгеновской дифракции Урано-титановые сплавы или вольфрамовые сплавы с матрицей на основе железа, никеля или меди, имеющие все следующие характеристики: а) плотность выше 17,5 г/куб. см; б) предел упругости выше 880 МПа; в) предел прочности при растяжении выше 1270 МПа; и г) относительное удлинение более 8% Следующие сверхпроводящие проводники из композиционных материалов длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г: Проводники из многожильных сверхпроводящих композиционных материалов, содержащих одну или несколько ниобийтитановых нитей: а) уложенные в матрицу не из меди или не на основе меди; или б) имеющие площадь поперечного сечения менее 0,28 х 10(-4) кв. мм (6 мкм в диаметре для нитей круглого сечения); Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, выполненных не из ниобийтитана, имеющие все нижеперечисленное: а) критическую температуру при нулевом магнитном поле, превышающую 9,85 К (-263,31°С), но ниже 24 К (-249,16°С); б) площадь поперечного сечения менее 0,28 х 10(-4) кв. мм; и в) остающиеся в сверхпроводящем состоянии при температуре 4,2 К (-268,96°С) в магнитном поле, соответствующем магнитной индукции 12 Т Жидкости и смазочные материалы: Гидравлические жидкости, содержащие в качестве основных составляющих любые из следующих соединений или материалов: Синтетические кремнийуглеводородные масла, имеющие все следующие характеристики: а) температуру воспламенения выше 477 К (204°С); б) температуру застывания 239 К (-34°С) или ниже; в) индекс вязкости 75 или более; г) термостабильность при температуре 616 К (343°С); или Хлорофторуглероды, имеющие все следующие характеристики: а) температуру воспламенения не имеют; б) температуру самовоспламенения выше 977 К (704°С); в) температуру застывания 219 К (-54°С) или ниже; г) индекс вязкости 80 или более; и д) температуру кипения 473 К (200°С) или выше Технические примечания: 1. Для целей, указанных в пункте 1.3.6.1.1, кремнийуглеводородные масла содержат исключительно кремний, водород и углерод 2. Для целей, указанных в пункте 1.3.6.1.2, хлорофторуглероды содержат исключительно углерод, фтор и хлор; Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих следующие соединения или материалы: Фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функциональных групп или их смесей; или Фторированные кремнийорганические жидкости, имеющие кинематическую вязкость менее 5000 кв. мм/с (5000 сантистоксов) при температуре 298 К (25°С); Амортизаторные или флотационные жидкости с чистотой более 99,8%, содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл и полученные по меньшей мере на 85% из любых следующих соединений или материалов: Дибромтетрафторэтана; Полихлортрифторэтилена (только маслообразные и воскообразные модификации); или Полибромтрифторэтилена; Фторуглеродные охлаждающие жидкости для электроники, имеющие все следующие характеристики: а) содержащие 85% (по весу) или более любого из следующих веществ или любой из их смесей: мономерных форм перфторполиалкилэфиртриазинов или перфторалифатических эфиров; перфторалкиламинов; перфторциклоалканов; или перфторалканов; б) плотность 1,5 г/мл или более при температуре 298 К (25°С); в) жидкое состояние при температуре 273 К (0°С); и г) содержащие фтора 60% (по весу) или более Техническое примечание. Для целей, указанных в пункте 1.3.6: а) температура воспламенения определяется с использованием метода Кливлендской открытой чашки, описанного в стандартной методике ASTM D-92 или ее национальном эквиваленте; б) температура застывания определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D-97 или ее национальном эквиваленте; в) индекс вязкости определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D-2270 или ее национальном эквиваленте; г) термостабильность определяется в соответствии со следующей методикой испытаний или ее национальным эквивалентом: 20 мл испытуемой жидкости помещается в камеру объемом 46 мл из нержавеющей стали типа 317, содержащую шары номинального диаметра 12,5 мм из инструментальной стали М-10, стали марки 52100 и корабельной бронзы (60% Cu, 39% Zn, 0,75% Sn). Камера наполняется азотом, герметизируется при давлении, равном атмосферному, температура повышается до (644 +- 6) К [(371 +- 6)°С] и выдерживается в течение шести часов. Образец считается термостабильным, если по завершении вышеописанной процедуры удовлетворены следующие требования: потеря веса каждым шаром не превышает 10 мг/кв. мм его поверхности; изменение первоначальной вязкости, определенной при температуре 311 К (38°С), не превышает 25%; суммарное кислотное или основное число не превышает 0,40; д) температура самовоспламенения определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM E-659 или ее национальном эквиваленте Исходные керамические материалы, некомпозиционные керамические материалы, композиционные материалы с керамической матрицей и соответствующие прекурсоры: Исходные материалы из простых или сложных боридов титана, имеющие суммарно металлические примеси, исключая специальные добавки, менее 5000 частей на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньше 5 мкм, и при этом не более 10% частиц имеют размер более 10 мкм; Некомпозиционные керамические материалы в сыром виде или в виде полуфабриката на основе боридов титана с плотностью 98% или более от теоретической плотности Примечание. По пункту 1.3.7.2 не контролируются абразивы; Композиционные материалы типа керамика-керамика со стеклянной или оксидной матрицей, армированной волокнами, имеющими все следующие характеристики: а) изготовлены из любых нижеследующих материалов: Si-N; Si-C; Si-Al-O-N; или Si-O-N; и б) имеют удельную прочность при растяжении, превышающую 12,7 х 10(3) м; Композиционные материалы типа керамика-керамика с непрерывной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора Особое примечание. В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.7.3 и 1.3.7.4, см. также пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 2; Следующие материалы-предшественники (то есть полимерные или металлоорганические материалы специализированного назначения) для производства какой-либо фазы или фаз материалов, контролируемых по пункту 1.3.7.3: а) полидиорганосиланы (для производства карбида кремния); б) полисилазаны (для производства нитрида кремния); в) поликарбосилазаны (для производства керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами); Композиционные материалы типа керамика-керамика с оксидными или стеклянными матрицами, армированными непрерывными волокнами любой из следующих систем: а) Al2О3; или б) Si-C-N Примечание. По пункту 1.3.7.6 не контролируются композиционные материалы, армированные указанными волокнами из этих систем, имеющими предел прочности при растяжении ниже 700 МПа при температуре 1273 К (1000°С) или деформацию ползучести более 1% при напряжении 100 МПа и температуре 1273 К (1000°С) за 100 ч Нефторированные полимерные вещества: Бисмалеимиды; Ароматические полиамидимиды; Ароматические полиимиды; Ароматические полиэфиримиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 513 К (240°С) Примечание. По пунктам 1.3.8.1.1 - 1.3.8.1.4 не контролируются неплавкие порошки для форм, используемых для литья под давлением, или фасонных форм; Термопластичные жидкокристаллические сополимеры, имеющие температуру термодеформации выше 523 К (250°С), измеренную в соответствии с международным стандартом ISO 75-3 (2004) или его национальным эквивалентом при нагрузке 1,82 Н/кв. мм, и состоящие из: а) любой из следующих групп: фенилена, бифенилена или нафталена; или метил, трет-бутил или фенилзамещенного фенилена, бифенилена или нафталена; и б) любой из следующих кислот: терефталевой кислоты; 6-гидрокси-2 нафтойной кислоты; 4-гидроксибензойной кислоты; Полиариленовые эфир-кетоны: Полиэфирэфиркетон (ПЭЭК); Полиэфиркетон-кетон (ПЭКК); Полиэфиркетон (ПЭК); Полиэфиркетонэфиркетон-кетон (ПЭКЭКК); Полиариленовые кетоны; Полиариленовые сульфиды, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации; Полибифениленэфирсульфоны, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 513 К (240°С) Техническое примечание. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для материалов, контролируемых по пункту 1.3.8, определяется с использованием метода, описанного в Международном стандарте ISO 11357-2 (1999) или его национальном эквиваленте Необработанные фторированные соединения: Сополимеры винилидена фторида (1,1 - дифторэтилена), содержащие 75% или более бета-кристаллической структуры, полученной без вытягивания; Фторированные полиимиды, содержащие 10% (по весу) или более связанного фтора; Фторированные фосфазеновые эластомеры, содержащие 30% (по весу) или более связанного фтора Нитевидные или волокнистые материалы, которые могут быть использованы в композиционных материалах объемной или слоистой структуры с органической, металлической или углеродной матрицей: Органические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: а) удельный модуль упругости более 12,7 х 10(6) м; и б) удельную прочность при растяжении более 23,5 х 10(4) м Примечание. По пункту 1.3.10.1 не контролируется полиэтилен; Углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: а) удельный модуль упругости более 12,7 х 10(6) м; и б) удельную прочность при растяжении более 23,5 х 10(4) м Техническое примечание. Свойства материалов, указанных в пункте 1.3.10.2, должны определяться методами 12 - 17 (SRM 12 - 17), рекомендуемыми Ассоциацией производителей современных композиционных материалов (SACMA), или их национальным эквивалентом, и должны основываться на средних значениях из большого количества измерений Примечание. По пункту 1.3.10.2 не контролируются ткани, изготовленные из волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта конструкций летательных аппаратов или листы слоистой структуры, размеры которых не превышают 50 х 90 см; Неорганические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: а) удельный модуль упругости, превышающий 2,54 х 10(6) м; и б) точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую температуру 1922 К (1649°С) Примечание. По пункту 1.3.10.3 не контролируются: а) дискретные, многофазные, поликристаллические волокна оксида алюминия в виде рубленых волокон или беспорядочно уложенных в матах, содержащие 3% или более (по весу) диоксида кремния и имеющие удельный модуль упругости менее 10 х 10(6) м; б) молибденовые волокна и волокна из молибденовых сплавов; в) волокна бора; г) дискретные керамические волокна с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде ниже 2043 К (1770°С); Волокнистые или нитевидные материалы: Состоящие из любого из нижеследующих материалов: Полиэфиримидов, контролируемых по пунктам 1.3.8.1.1 - 1.3.8.1.4; или Материалов, контролируемых по пунктам 1.3.8.2 - 1.3.8.6; или Изготовленные из материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2, и связанные с волокнами других типов, контролируемых по пунктам 1.3.10.1 - 1.3.10.3 Особое примечание. В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.10.3 - 1.3.10.4.2, см. также пункты 1.3.3 - 1.3.3.2.2 раздела 2; Волокна, пропитанные смолой или пеком (препреги), волокна, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы: а) изготовленные из волокнистых или нитевидных материалов, контролируемых по пунктам 1.3.10.1 - 1.3.10.3; б) изготовленные из органических или углеродных волокнистых или нитевидных материалов: с удельной прочностью при растяжении, превышающей 17,7 х 10(4) м; с удельным модулем упругости, превышающим 10,15 х 10(6) м; не контролируемых по пункту 1.3.10.1 или 1.3.10.2; и пропитанных материалами, контролируемыми по пункту 1.3.8 или 1.3.9.2, имеющими температуру перехода в стеклообразное состояние (Т_g) выше 383 К (110°С), фенольными либо эпоксидными смолами, имеющими температуру перехода в стеклообразное состояние (T_g ), равную или превышающую 418 К (145°С) Примечание. По пункту 1.3.10.5 не контролируются: а) углеродные волокнистые или нитевидные материалы, пропитанные эпоксидной смолой (препреги), для ремонта элементов конструкций летательных аппаратов или листы слоистой структуры, имеющие размеры единичных листов препрегов, не превышающие 50 х 90 см; б) препреги, если импрегнирующие фенольные или эпоксидные смолы имеют температуру перехода в стеклообразное состояние (T_g) ниже 433 К (160°С) и температуру отверждения ниже, чем температура перехода в стеклообразное состояние Техническое примечание. Температура перехода в стеклообразное состояние (Т_g) для материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.5, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 3418, с применением сухого метода. Температура перехода в стеклообразное состояние для фенольных эпоксидных смол определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 4065, при частоте 1 Гц и скорости нагрева 2°С в минуту, с применением сухого метода Технические примечания: 1. Удельный модуль упругости - модуль Юнга, выраженный в Паскалях (Н/кв. м), деленный на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +- 2) К [(23 +- 2)°С] и относительной влажности (50 +- 5)% 2. Удельная прочность при растяжении - предел прочности при растяжении, выраженный в Паскалях (Н/кв. м), деленный на удельный вес в Н/куб.м, измеренные при температуре (296 +- 2) К [(23 +- 2)°С] и относительной влажности (50 +- 5)% Следующие металлы и соединения: Металлы в виде частиц с размерами менее 60 мкм сферической, пылевидной, сфероидальной форм, чешуйчатые или измельченные, изготовленные из материала, содержащего 99% или более циркония, магния или их сплавов Техническое примечание. При определении содержания циркония в него включается природная примесь гафния (обычно 2 - 7%) Примечание. Металлы или сплавы, указанные в пункте 1.3.11.1, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий; Бор или карбид бора чистотой 85% или выше в виде частиц размерами 60 мкм или менее Примечание. Металлы или соединения, указанные в пункте 1.3.11.2, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий; Гуанидин нитрат; Нитрогуанидин (NQ) Следующие материалы: Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония-238 более 50% (по весу) Примечание. По пункту 1.3.12.1 не контролируются: а) поставки, содержащие 1 г плутония или менее; б) поставки, содержащие три эффективных грамма плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах; Предварительно обогащенный нептуний-237 в любой форме Примечание. По пункту 1.3.12.2 не контролируются поставки, содержащие не более 1 г нептуния-237 Техническое примечание. Материалы, указанные в пункте 1.3.12, обычно используются для ядерных источников тепла Особое примечание. В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.12 - 1.3.12.2, см. также пункты 1.3.4 - 1.3.4.2 раздела 2 и пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 3 Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пункту 1.2 Программное обеспечение для разработки композиционных материалов с объемной или слоистой структурой на основе органических, металлических или углеродных матриц Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 1.4.2, см. также пункт 1.4.1 раздела 2 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 1.1.1.2, 1.1.1.3, 1.1.2 - 1.1.5, 1.2 или пункту 1.3 Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пункте 1.5.1, см. также пункт 1.5.1 разделов 2 и 3 Иные нижеследующие технологии: Технологии разработки или производства полибензотиазолов или полибензоксазолов; Технологии разработки или производства фторэластомерных соединений, содержащих по крайней мере один винилэфирный мономер; Технологии разработки или производства следующих исходных материалов или некомпозиционных керамических материалов: Исходных материалов, обладающих всем нижеперечисленным: а) любой из следующих композиций: простые или сложные оксиды циркония и сложные оксиды кремния или алюминия; простые нитриды бора (с кубической кристаллической решеткой); простые или сложные карбиды кремния или бора; или простые или сложные нитриды кремния; б) суммарными металлическими примесями, исключая преднамеренно вносимые добавки, в количестве, не превышающем: 1000 частей на миллион для простых оксидов или карбидов; или 5000 частей на миллион для сложных соединений или простых нитридов; и в) являющихся любым из следующего: 1) диоксидом циркония, имеющим средний размер частиц, равный или меньше 1 мкм, и не более 10% частиц с размером, превышающим 5 мкм; 2) другими исходными материалами, имеющими средний размер частиц, равный или меньше 5 мкм, и не более 10% частиц размером более 10 мкм; или 3) имеющих все следующее: пластинки, отношение длины к толщине которых превышает значение 5; нитевидные кристаллы диаметром менее 2 мкм, отношение длины к диаметру которых превышает значение 10; и непрерывные или рубленые волокна диаметром менее 10 мкм; Некомпозиционных керамических материалов, состоящих из материалов, указанных в пункте 1.5.2.3.1 Примечание. По пункту 1.5.2.3.2 не контролируются технологии для разработки или производства абразивных материалов; Технологии производства ароматических полиамидных волокон; Технологии сборки, эксплуатации или восстановления материалов, контролируемых по пункту 1.3.1; Технологии восстановления конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, контролируемых по пункту 1.1.2, или материалов, контролируемых по пункту 1.3.7.3 или 1.3.7.4 Примечание. По пункту 1.5.2.6 не контролируются технологии для ремонта элементов конструкций гражданских летательных аппаратов с использованием углеродных волокнистых или нитевидных материалов и эпоксидных смол, содержащиеся в руководствах производителя летательных аппаратов Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пунктах 1.5.2.5 и 1.5.2.6, см. также пункты 1.5.2 - 1.5.2.2 раздела 2 |
3919 90 900 0 3921 90 900 0 3919 90 900 0 3926 90 980 2; 3926 90 910 0; 3926 90 980 3801; 3926 90 980 2; 3926 90 910 0; 3926 90 980; 6903 10 000 0 3919 90 900 0; 3920 99 900 0 9020 00 000 0 3926 20 000 0; 4015 19 900 0; 4015 90 000 0; 6204 23; 6210 40 000 0; 6210 50 000 0; 6216 00 000 0; 6401 92; 6401 99 000 0; 6402 91; 6402 99 100 0; 6402 99 930 0; 6404 19 900 0 9027 10 100 0; 9027 10 900 0; 9027 80 170 0; 9027 80 970 0; 9027 90 800 0; 9030 10 000 0; 9030 89 300 0; 9030 89 900 0; 9030 90 850 0 621143 900 0 8445 40 000, 8445 90 000 1 8445 40 000, 8445 90 000 1 8446 21 000 0; 8447 90 000 8456 10 00; 8456 90 000 0; 8515 80 990 0 8419 89 989 0 8445 90 000 9 8514 10 800 0; 8514 20 100 0; 8514 20 800 0; 8514 30 190 0; 8514 30 990 0; 8514 40 000 0 8451 80 800 9; 8477 59 100 0; 8477 59 800 0 9022 12 000 0; 9022 19 000 0; 9022 29 000 0; 9031 80 380 0 8207 30 100 0 3815 19; 3910 00 000 9 3815 19; 3910 00 000 9 3909 30 000 0 3911 90 990 0 3911 90 990 0 3911 90 990 0 3919 90 900 0 7502 20 000 0 8108 20 000; 8108 90 300 0; 8108 90 500 0; 8108 90 600 0; 8108 90 900 0 7502 20 000 0 8112 923100; 8112 99 300 0 8108 20 000; 8108 90 300 0; 8108 90 500 0; 8108 90 600 0; 8108 90 900 0 7601 20; 7604 29 100 0; 7608 20 810 0; 7608 20 890 0 8104 7504 00 000 0 8112 92 310 0 8108 20 000 5 7603 8104 30 000 0 7504 00 000 0; 7505 12 000 0; 7506; 7603 20 000 0; 7604 29 100 0; 7606 12 910 0; 7606 92 000 0; 7607 19; 8104 30 000 0; 8104 90 000 0; 8108 20 000; 8108 90 300 0; 8108 90 500 0; 8112923100; 8112 92 200 9; 8112 99 300 0 8505 11 000 0; 8505 19 100 0; 8505 19 900 0 2803 00; 2846 90 000 0 7226 11 000 0; 7506; 8105 2844 10 900 0; 8101 94 000 0; 8101 96 000 0; 8101 99 100 0; 810199 900 0; 8108 20 000; 8108 90 300 0; 8108 90 500 0; 8108 90 600 0; 8108 90 900 0 8544 8544 3910 00 000 9 2812; 2826; 2903 41 000 0; 2903 42 000 0; 2903 43 000 0; 2903 44; 2903 45; 3819 00 000 0; 3824 71000 0 2909 30 900 0; 2930 90 850 0 3910 00 000 9 2903 46 900 0 3904 69 900 0 3904 69 900 0 2903 41 000 0; 2903 42 000 0; 2903 45 100 0; 3824 90 980 0 2850 00 900 0 2850 00 900 0 2849; 2850 00; 8803 90 200 0; 8803 90 300 0; 8803 90 900 0; 9306 90 2849 20 000 0; 2849 90 100 0; 2850 00 200 0; 8113 00 200 0; 8113 00 900 0 3910 00 000 9 6903; 6914 90 900 0 2925 19 950 0 3908 90 000 0 3911 90 990 0 3907 20 990 0; 3907 91 900 0 3907 91 900 0 3907 91 900 0 3907 91 900 0 3907 91 900 0 3907 91 900 0 3907 99 3911 90 190 0 3911 90 190 0 3904 69 900 0 3904 69 900 0 3904 69 900 0 5402 11 000 0; 5404 12 000 0; 5404 19 000 0; 5501 10 000 1; 5503 11000 0 6815 10 100 0 810196 000 0; 810199 900 0; 8108 90 300 0; 8108 90 900 0 5402 11 000 0; 5402 20 000 0; 5402 49 000 0; 5404 12 000 0; 5404 19 000 0; 5501 10 000 1; 5501 20 000 0; 550190 000 0; 5503 11 000 0; 5503 20 000 0; 5503 90 900 0 5402 20 000 0; 5402 49 000 0; 5404 12 000 0; 5404 19 000 0; 5501 20 000 0; 5501 90 000 0; 5503 20 000 0; 5503 90 900 0 3801; 3926 90 980 2; 6815 10 100 0; 6815 10 900; 6815 99 900 0; 7019 11000 0; 7019 12 000 0; 7019 19; 7019 40 000 0; 7019 51 000 0; 7019 52 000 0; 7019 59 000 0 8104 30 000 0; 8109 20 000 0 2804 50 100 0; 2849 90 100 0 2825 10 000 0; 2834 29 800 0; 2904 2925 29 000 0 2844 20 510 0; 2844 20 590 0; 2844 20 990 0 2844 40 200 0; 2844 40 300 0 |
Категория 2. Обработка материалов | ||
2.1. 2.1.1. 2.1.1.1. 2.1.1.2. 2.1.1.3. 2.2. 2.2.1. 2.2.1.1. 2.2.1.2. 2.2.1.3. 2.2.1.4. 2.2.1.5. 2.2.1.6. 2.2.2. 2.2.3. 2.2.4. 2.2.5. 2.2.5.1. 2.2.5.2. 2.2.5.3. 2.2.5.4. 2.2.5.5. 2.2.5.6. 2.2.5.7 2.2.6. 2.2.6.1. 2.2.6.2. 2.2.6.2.1. 2.2.6.2.2. 2.2.6.3. 2.2.7. 2.2.8. 2.2.8.1. 2.2.8.2. 2.2.8.3. 2.2.9. 2.3. 2.4. 2.4.1. 2.4.2 2.5. 2.5.1. 2.5.2. 2.5.3. 2.5.3.1. 2.5.3.2 2.5.3.2.1. 2.5.3.2.2. 2.5.3.3. 2.5.3.4. 2.5.3.5. 2.5.3.6. |
Системы, оборудование и компоненты Подшипники или подшипниковые системы и их составные части: Шариковые подшипники и неразъемные роликовые подшипники, имеющие все допуски, указанные производителем, в соответствии с классом точности 4 или выше (лучше) по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту, в которых как кольца, так и тела качения (ISO 5593) изготовлены из медно-никелевого сплава или бериллия Примечание. По пункту 2.1.1.1 не контролируются конические роликовые подшипники; Другие шариковые и неразъемные роликовые подшипники, имеющие все допуски, указанные производителем, в соответствии с классом точности 2 или выше (лучше) по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту Примечание. По пункту 2.1.1.2 не контролируются конические роликовые подшипники; Активные магнитные подшипниковые системы, характеризующиеся хотя бы одним из нижеперечисленных качеств: а) выполнены из материала с магнитной индукцией 2 Т или более и пределом текучести выше 414 МПа; б) являются полностью электромагнитными с трехмерным униполярным подмагничиванием привода; или в) имеют высокотемпературные, с температурой 450 К (177°С) и выше, позиционные датчики Примечание. По пункту 2.1.1 не контролируются шарики с допусками, указанными производителем, в соответствии с международным стандартом ISO 3290, по степени точности 5 или ниже (хуже) Испытательное, контрольное и производственное оборудование Технические примечания: 1. Вторичные параллельные оси для контурной обработки (например, W-ось на горизонтально-расточных станках или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее количество осей. Ось вращения необязательно означает вращение на угол, больший 360°. Вращение может задаваться устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой) 2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, по которым или вокруг которых в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом. Это не включает любые дополнительные оси, по которым или вокруг которых осуществляются другие относительные движения в станке. Такие оси включают: а) оси систем правки шлифовальных кругов в шлифовальных станках; б) параллельные оси вращения, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей; в) коллинеарные оси вращения, предназначенные для манипулирования одной обрабатываемой деталью путем закрепления ее в патроне с разных концов 3. Номенклатура осей определяется в соответствии с международным стандартом ISO 841 "Станки с числовым программным управлением. Номенклатура осей и видов движения" 4. Для целей настоящей категории качающийся шпиндель рассматривается как ось вращения 5. Для всех станков одной модели может использоваться значение заявленной точности позиционирования, не полученное в результате испытаний отдельного станка, а найденное в результате измерений, проведенных в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом. Заявленная точность позиционирования означает величину точности, представленную поставщиком (производителем) в качестве показателя точности станков определенной модели. Определение показателя точности: а) выбирается пять станков модели, подлежащей оценке; б) измеряется точность линейных осей в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997); в) определяются величины показателей А для каждой оси каждого станка. Метод определения величины показателя А описан в стандарте ISO; г) определяется среднее значение показателя А для каждой оси. Эта средняя величина А (средняя) становится заявленной величиной (А (средняя)_х, А (средняя)_у...) для всех станков данной модели; д) поскольку станки, указанные в категории 2 настоящего Списка, имеют несколько линейных осей, количество заявленных величин показателя точности равно количеству линейных осей; е) если любая из осей определенной модели станка, не контролируемого по пунктам 2.2.1.1 - 2.2.1.3, характеризуется показателем А, для шлифовальных станков равным 5 мкм или менее (лучше), для фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм или менее (лучше), то производитель обязан каждые 18 месяцев заново подтверждать величину точности Станки, указанные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими спецификациями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления, а также специально разработанные для них компоненты: Примечания: 1. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные изготовлением зубчатых колес. Для таких станков см. пункт 2.2.3 2. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные изготовлением любых из следующих деталей: а) коленчатых или распределительных валов; б) режущих инструментов; в) червяков экструдеров; г) гравированных или ограненных частей ювелирных изделий 3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3 Токарные станки, имеющие все следующие характеристики: а) точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и б) две или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления Примечание. По пункту 2.2.1.1 не контролируются токарные станки, специально разработанные для производства контактных линз; Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик: а) имеющие все следующие характеристики: точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; в) для координатно-расточных станков точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; или г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики: биение шпинделя и эксцентриситет менее (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (НИИ); и повороты суппорта относительно трех ортогональных осей меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на 300 мм перемещения; Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик: а) имеющие все следующие характеристики: точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и три или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; или б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления Примечание. По пункту 2.2.1.3 не контролируются следующие шлифовальные станки: а) круглошлифовальные, внутришлифовальные и универсальные шлифовальные станки, обладающие всеми следующими характеристиками: предназначенные лишь для круглого шлифования; и с максимально возможной длиной или наружным диаметром обрабатываемой детали 150 мм; б) станки, специально разработанные как координатно-шлифовальные, не имеющие Z-оси или W-оси, с точностью позиционирования со всеми доступными компенсациями меньше (лучше) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; в) плоскошлифовальные станки; Станки для электроискровой обработки (СЭО) беспроволочного типа, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов, имеющие все следующие характеристики: а) обработка материалов осуществляется любым из следующих способов: струями воды или других жидкостей, в том числе с абразивными присадками; электронным лучом; или лазерным лучом; и б) имеющие две или более оси вращения, которые: могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и имеют точность позиционирования менее (лучше) 0,003°; Сверлильные станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий более 5000 мм и специально разработанные для них компоненты Станки с числовым программным управлением, использующие процесс магнитореологической чистовой обработки (МРЧО) Техническое примечание. Для целей пункта 2.2.2 под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем Станки с числовым программным управлением или станки с ручным управлением и специально предназначенные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (R_c = 40 или более) прямозубых цилиндрических, косозубых и шевронных шестерен диаметром делительной окружности более 1250 мм и шириной зубчатого венца, равной 15% от диаметра делительной окружности или более, с качеством после финишной обработки по классу 3 в соответствии с международным стандартом ISO 1328 Горячие изостатические прессы, имеющие все нижеперечисленное, и специально разработанные для них компоненты и приспособления: а) камеры с регулируемыми температурами внутри рабочей полости и внутренним диаметром полости камеры 406 мм и более; и б) любую из следующих характеристик: максимальное рабочее давление выше 207 МПа; регулируемые температуры выше 1773 К (1500°С); или оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения Техническое примечание. Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой Оборудование, специально разработанное для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения неорганических покрытий, слоев и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к пункту 2.5.3.6 и отмеченных в примечаниях к ней, а также специально разработанные для него автоматизированные компоненты установки, позиционирования, манипулирования и регулирования: Производственное оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеющее все нижеследующее: а) процесс, модифицированный для реализации одного из следующих методов: CVD с пульсирующим режимом; термического осаждения с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD); или CVD с применением плазменного разряда, модифицирующего процесс; и б) включающее любое из следующего: высоковакуумные (вакуум, равный 0,01 Па или ниже (лучше)) вращающиеся уплотнения; или средства регулирования толщины покрытия в процессе осаждения; Производственное оборудование ионной имплантации с током пучка 5 мА или более; Технологическое оборудование для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом электронным пучком (EB-PVD), включающее силовые системы с расчетной мощностью более 80 кВт и имеющее любую из следующих составляющих: а) лазерную систему управления уровнем жидкой ванны, которая точно регулирует скорость подачи заготовок; или б) управляемое компьютером контрольно-измерительное устройство, работающее на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимое для управления скоростью осаждения покрытия, содержащего два или более элемента; Производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик: а) работающее при пониженном давлении контролируемой атмосферы (равном или ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии до 300 мм над выходным сечением сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, которая перед началом процесса напыления может быть откачана до 0,01 Па; или б) включающее средства регулирования толщины покрытия в процессе напыления; Производственное оборудование осаждения распылением, обеспечивающее плотность тока 0,1 мА/кв. мм или более, со скоростью осаждения 15 мкм/ч или более; Производственное оборудование катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления положением активного пятна дуги на катоде; Производственное оборудование ионного осаждения, позволяющее осуществлять в процессе: а) измерение толщины покрытия на подложке и управление скоростью осаждения; или б) измерение оптических характеристик Примечание. По пунктам 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5 - 2.2.5.7 не контролируется оборудование химического осаждения из паровой фазы (CVD), катодно-дугового напыления, осаждения распылением, ионного осаждения или ионной имплантации, специально разработанное для покрытия режущего или обрабатывающего инструмента Системы и оборудование для измерения или контроля размеров: Координатно-измерительные машины (КИМ) с компьютерным управлением или числовым программным управлением, имеющие максимально допустимую погрешность показания (МДПП) по любому направлению в трехмерном пространстве в любой точке в пределах рабочего диапазона машины (то есть в пределах длины осей), равную или меньше (лучше) (1,7 + L/1000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах), определенную в соответствии с международным стандартом ISO 10360-2 (2001); Приборы для измерения линейных или угловых перемещений: Приборы для измерения линейных перемещений, имеющие любую из следующих составляющих: а) измерительные системы бесконтактного типа с разрешением, равным или меньше (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм; б) системы с индуктивными дифференциальными датчиками, имеющие все следующие характеристики: линейность, равную или меньше (лучше) 0,1%, в диапазоне измерений до 5 мм; и дрейф, равный или меньше (лучше) 0,1% в день, при стандартной комнатной температуре +- 1 К; или в) измерительные системы, имеющие все следующие составляющие: содержащие лазер; и сохраняющие в течение по крайней мере 12 часов при колебаниях окружающей температуры +- 1 К относительно стандартной температуры и нормальном атмосферном давлении все следующие характеристики: разрешение на полной шкале 0,1 мкм или меньше (лучше); и погрешность измерения, равную или меньше (лучше) (0,2 + L/2000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах) Примечание. По пункту 2.2.6.2.1 не контролируются измерительные интерферометрические системы без обратной связи с замкнутым или открытым контуром, содержащие лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения размеров или другого подобного оборудования Техническое примечание. Для целей пункта 2.2.6.2.1 линейное перемещение означает изменение расстояния между измеряющим элементом и контролируемым объектом; Приборы для измерения угловых перемещений с погрешностью измерения по угловой координате, равной или меньше (лучше) 0,00025° Примечание. По пункту 2.2.6.2.2 не контролируются оптические приборы, такие, как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала; Оборудование для измерения чистоты поверхности с применением оптического рассеяния как функции угла с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше) Примечание. Станки, которые могут быть использованы в качестве средств измерения, подлежат контролю, если их параметры соответствуют или превосходят критерии, установленные для параметров станков или измерительных приборов Роботы, имеющие любую из нижеперечисленных характеристик, и специально разработанные для них устройства управления и рабочие органы: а) способность в реальном масштабе времени осуществлять полную трехмерную обработку изображений или полный трехмерный анализ сцены с генерированием или модификацией программ либо с генерированием или модификацией данных для числового программного управления Техническое примечание. Ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию третьего измерения по результатам наблюдения под заданным углом или ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или текстуры для утвержденных заданий (2 1/2 D); б) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности применительно к условиям работы со взрывчатыми веществами военного назначения; в) специально разработанные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие более 5 х 10(3) Гр (Si)[5 x 10(5) рад] без ухудшения эксплуатационных характеристик; или г) специально разработанные для работы на высотах, превышающих 30 000 м Узлы или блоки, специально разработанные для станков, или системы для контроля или измерения размеров: Линейные измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие полную точность менее (лучше) [800 + (600 x L x 10(3))] нм (L - эффективная длина в миллиметрах) Особое примечание. Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.6.2.1; Угловые измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие точность менее (лучше) 0,00025° Особое примечание. Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.6.2.1; Составные поворотные столы или качающиеся шпиндели, применение которых в соответствии с техническими характеристиками изготовителя может модифицировать станки до уровня, указанного в пункте 2.2, или выше Обкатные вальцовочные и гибочные станки, которые в соответствии с технической документацией производителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерным управлением и которые имеют все следующие характеристики: а) две или более контролируемые оси, по крайней мере две из которых могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; и б) усилие на ролике более 60 кН Техническое примечание. Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.9 как относящиеся к гибочным станкам Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение иное, чем контролируемое по пункту 2.4.2, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пункту 2.1 или 2.2; Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное в электронное устройство или систему, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способный координировать одновременно более четырех осей для контурного управления Примечания: 1. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для работы станков, не контролируемых по пунктам категории 2. 2. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2. В отношении контроля за программным обеспечением для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2, см. пункт 2.4.1 Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, см. также пункт 2.4.1 раздела 2 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 2.1, 2.2 или 2.4 Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования, контролируемого по пункту 2.1 или 2.2 Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также пункт 2.5.1 раздела 2 Иные нижеследующие технологии: Технологии для разработки интерактивной графики как встроенной части блока числового программного управления для подготовки или модификации программ обработки деталей; Технологии для производственных процессов металлообработки: Технологии для проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально разработанные для любого из следующих процессов: а) формообразования в условиях сверхпластичности; б) диффузионной сварки; или в) гидравлического прессования прямого действия; Технические данные, включающие описание технологического процесса или его параметры: а) для формообразования в условиях сверхпластичности изделий из алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов: подготовка поверхности; скорость деформации; температура; давление; б) для диффузионной сварки титановых сплавов или суперсплавов: подготовка поверхности; температура; давление; в) для гидравлического прессования прямого действия алюминиевых или титановых сплавов: давление; время цикла; г) для горячего изостатического уплотнения титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов: температура; давление; время цикла; Технологии для разработки или производства гидравлических прессов для штамповки с вытяжкой и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов; Технологии для разработки генераторов машинных команд для управления станком (например, программ обработки деталей) на основе проектных данных, хранимых в блоках числового программного управления; Технологии для разработки комплексного программного обеспечения для включения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления; Технологии для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения внешних слоев неорганических покрытий, иных покрытий и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к настоящему пункту и примечаниях к ней Особое примечание. Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только при указанных в ней сочетаниях позиций в колонках "Получаемое покрытие" и "Подложки". Например, подлежат контролю технические характеристики процесса нанесения силицидного покрытия методом химического осаждения из паровой фазы (CVD) на подложки из углерод-углерода и композиционных материалов с керамической или металлической матрицей. Однако, если подложка выполнена из металлокерамического карбида вольфрама (16) или карбида кремния (18), контроль не требуется, так как во втором случае получаемое покрытие не указано в соответствующей колонке для этих подложек (металлокерамический карбид вольфрама и карбид кремния) |
8482 10 100 0; 8482 10 900; 8482 30 000 0; 8482 40 000 0; 8482 50 000 0 8482 80 000 0 8483 30 380 0; 8483 30 800 9 8458; 8464 90 800 0; 8465 99 100 0 8459 31000 0; 8459 51 000 0; 8459 61; 8464 90 800 0; 8465 92 000 0 8460 11 000; 8460 19 000 0; 8460 21; 8460 29; 8464 20 950 0; 8465 93 000 0 8456 30 8424 30 900 0; 8456 10 00; 8456 90 000 0 8458; 8459 21 000 0; 8459 29 000 0 8464 20 110 0; 8464 20 190 0; 8464 20 950 0; 8465 93 000 0 8461 40 710 0; 8461 40 790 0 8462 99 8419 89 989 0 8543 10 000 0 8543 70 900 9 8419 89 300 0; 8419 89 98 8419 89 300 0; 8419 89 98 8543 70 900 9 8543 70 900 9 9031 80 320 0; 9031 80 340 0 9031 49 900 0; 9031 80 320 0; 9031 80 340 0; 9031 80 910 0 9031 49 900 0; 9031 80 320 0; 9031 80 340 0; 9031 80 910 0 9031 49 900 0 8479 50 000 0; 8537 10 100 0; 8537 10 910 9; 8537 10 990 0 9031 9031 8466 8462 21 100; 8462 21 800; 8463 90 000 0 |
* См. общее примечание к настоящему Списку.
** Здесь и далее код ТН ВЭД - код Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности Российской Федерации.
Таблица к пункту 2.5.3.6
Технические приемы нанесения покрытий
Процесс нанесения покрытия (1)* |
Подложки | Получаемое покрытие |
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) |
суперсплавы | алюминиды на поверхности внутренних каналов |
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) |
силициды, карбиды, диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17) |
|
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей |
силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), нитрид бора |
|
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) |
карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15) |
|
молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
|
бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17) |
|
материалы окон датчиков (9) |
диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17) |
|
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом |
||
2.1. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком |
суперсплавы | сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4) |
керамика (19) и стекла с | диэлектрические слои (15) |
|
малым коэффициентом линейного расширения (14) |
||
коррозионно-стойкие стали (7) |
MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4) |
|
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей |
силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора |
|
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) |
карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15) |
|
молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
|
бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15), бориды, бериллий |
|
материалы окон датчиков (9) |
диэлектрические слои (15) |
|
титановые сплавы (13) | бориды, нитриды | |
2.2. Ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом (ионное осаждение) |
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) |
диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод |
диэлектрические слои (15) |
||
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей |
||
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) |
диэлектрические слои (15) |
|
молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
|
бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
|
материалы окон датчиков (9) |
диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17) |
|
2.3. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной лазерным нагревом |
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) |
силициды, диэлектрические слои (15), |
алмазоподобный углерод (17) |
||
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей |
диэлектрические слои (15) |
|
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) |
диэлектрические слои (15) |
|
молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
|
бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
|
материалы окон датчиков (9) |
диэлектрические слои (15), |
|
алмазоподобный углерод (17) |
||
2.4. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной катодно-дуговым разрядом |
суперсплавы | сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5) |
полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей |
бориды, карбиды, нитриды, алмазоподобный углерод (17) |
|
3. Твердофазное диффузионное насыщение (10) |
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей |
силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4) |
титановые сплавы (13) | силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2) |
|
тугоплавкие металлы и сплавы (8) |
силициды, оксиды |
|
4. Плазменное напыление |
суперсплавы | MCrAlX (5) модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир, сплавы на основе алюминидов (2) |
алюминиевые сплавы (6) | MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4) |
|
тугоплавкие металлы и сплавы (8) |
алюминиды, силициды, карбиды |
|
коррозионно-стойкие стали (7) |
MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4) |
|
титановые сплавы (13) | карбиды, алюминиды, силициды, сплавы на основе алюминидов (2), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир |
|
5. Нанесение шликера | тугоплавкие металлы и сплавы (8) |
оплавленные силициды, оплавленные алюминиды (кроме резистивных нагревательных элементов) |
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей |
силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4) |
|
6. Осаждение распылением |
суперсплавы | сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), алюминиды, модифицированные благородным металлом (3), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4) |
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) |
силициды, платина, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17) |
|
титановые сплавы (13) | бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), карбиды |
|
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей |
силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора |
|
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) |
карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора |
|
молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
|
бериллий и его сплавы | бориды, диэлектрические слои (15), бериллий |
|
материалы окон датчиков (9) |
диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17) |
|
тугоплавкие металлы и сплавы (8) |
алюминиды, силициды, оксиды, карбиды |
|
7. Ионная имплантация | высокотемпературные подшипниковые стали |
присадки хрома, тантала или ниобия |
титановые сплавы (13) | бориды, нитриды | |
бериллий и его сплавы | бориды | |
металлокерамический карбид вольфрама (16) |
карбиды, нитриды |
* См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий указанному в скобках.
Примечания к таблице:
1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий.
2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов.
3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия.
4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице.
5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, X - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;
б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;
в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.
6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20°С).
7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта.
8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал.
9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.
10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2.
11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны.
12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются.
13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20°С).
14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20°С) коэффициент линейного расширения 10(-7) К(-1) или менее.
15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл.
16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель.
17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы.
18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением.
19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, а также в сочетании с другими компонентами.
Технические примечания к таблице:
Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера.
Особые примечания:
а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;
б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;
в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении.
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.
Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.
Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:
а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;
б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;
в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;
г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку;
Особое примечание.
Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку.
д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса.
3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:
а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.
Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757°С) до 1375 К (1102°С) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия.
4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости.
Особые примечания:
а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;
б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20°С) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с.
5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия.
6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку.
Особые примечания:
а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;
б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ).
7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением.
Некоторые пояснения к таблице.
Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:
1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:
1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:
1.1.1. Состав раствора:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;
1.1.2. Время обработки;
1.1.3. Температура ванны;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;
1.3. Параметры цикла термообработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Давление;
1.3.2. Температура термообработки;
1.3.3. Время термообработки;
1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:
1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:
1.4.1.1. Состав крошки, дроби;
1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;
1.4.1.3. Скорость крошки;
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;
1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;
1.5. Параметры маски:
1.5.1. Материал маски;
1.5.2. Расположение маски.
2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:
2.1. Параметры атмосферы:
2.1.1. Состав;
2.1.2. Давление;
2.2. Время;
2.3. Температура;
2.4. Толщина;
2.5. Коэффициент преломления;
2.6. Контроль состава покрытия.
3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость дроби;
3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;
3.3. Параметры цикла термообработки:
3.3.1. Параметры атмосферы:
3.3.1.1. Состав;
3.3.1.2. Давление;
3.3.2. Температура и время цикла;
3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки.
4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:
4.1. Критерии для статистической выборки;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Увеличения;
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности;
4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):
4.3.1. Коэффициент отражения;
4.3.2. Коэффициент пропускания;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние.
5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:
5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):
5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;
5.1.2. Состав газа-носителя;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температура - время - давление циклов;
5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;
5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:
5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав газа-реагента;
5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;
5.2.5. Температура - время - давление циклов;
5.2.6. Управление пучком и подложкой;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:
5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;
5.3.2. Состав газа-носителя;
5.3.3. Температура - время - давление циклов;
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.4.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;
5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;
5.5. Для осаждения распылением:
5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;
5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;
5.5.3. Состав газа-реагента;
5.5.4. Напряжение смещения;
5.5.5. Температура - время - давление циклов;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Управление деталью (подложкой);
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Управление пучком и подложкой;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.6.4. Температура - время - давление циклов;
5.7. Для ионного осаждения:
5.7.1. Управление пучком и подложкой;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.7.4. Температура - время - давление циклов;
5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.
N пункта | Наименование | Код ТН ВЭД |
Категория 3. Электроника | ||
3.1. 3.1.1. 3.1.1.1. 3.1.1.1.1. 3.1.1.1.2. 3.1.1.1.3. 3.1.1.1.3.1. 3.1.1.1.3.2. 3.1.1.1.4. 3.1.1.1.5. 3.1.1.1.6. 3.1.1.1.7. 3.1.1.1.8. 3.1.1.1.9. 3.1.1.1.10. 3.1.1.1.11. 3.1.1.2. 3.1.1.2.1. 3.1.1.2.1.1. 3.1.1.2.1.2. 3.1.1.2.1.3. 3.1.1.2.2. 3.1.1.2.3. 3.1.1.2.4. 3.1.1.2.5. 3.1.1.2.6. 3.1.1.2.7. 3.1.1.3. 3.1.1.3.1. 3.1.1.3.2. 3.1.1.3.3. 3.1.1.4. 3.1.1.5. 3.1.1.5.1. 3.1.1.5.1.1. 3.1.1.5.1.2. 3.1.1.5.1.3. 3.1.1.5.2. 3.1.1.5.2.1. 3 1.1.5.2.2. 3.1.1.5.3. 3.1.1.6. 3.1.2. 3.1.2.1. 3.1.2.1.1. 3.1.2.1.2. 3.1.2.1.3. 3.1.2.1.4. 3.1.2.1.5. 3.1.2.1.6. 3.1.2.2. 3.1.2.3. 3 1.2.3.1. 3.1.2.3.2. 3.1.2.3.3. 3.1.2.4. 3.1.2.5. 3.1.2.6. 3.1.2.7. 3.1.3. 3.2. 3.2.1. 3.2.1.1. 3.2.1.1.1. 3.2.1.1.2. 3.2.1.1.3. 3.2.1.2. 3.2.1.3. 3.2.1.3.1. 3.2.1.3.2. 3.2.1.4. 3.2.1.4.1. 3.2.1.4.2. 3.2.1.5. 3.2.1.6. 3.2.1.6.1. 3.2.1.6.2. 3.2.1.7. 3.2.1.8. 3.2.2. 3.2.2.1. 3.2.2.2. 3.3. 3.3.1. 3.3.1.1. 3.3.1.2. 3.3.1.3. 3.3.1.4. 3.3.2. 3.3.2.1. 3.3.2.2. 3.3.2.3. 3.3.2.4. 3.3.3. 3.3.3.1. 3.3.3.2. 3.3.4. 3.4. 3.4.1. 3.4.2. 3.4.3. 3.4.4. 3.5. 3.5.1. 3.5.2. 3.5.3. |
Системы, оборудование и компоненты Примечания: 1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования 2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования Особое примечание. В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее статус контроля должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3 Электронные компоненты: Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения: Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий: а) суммарную дозу 5 х 10(3) Гр (Si) [5 х 10(5) рад] или выше; б) мощность дозы 5 х 10(6) Гр (Si)/c [5 х 10(8) рад/с] или выше; или в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 х 10(13) н/кв. см или более по кремнию или его эквивалент для других материалов Примечание. Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре); Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, интегральные схемы для нейронных сетей, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик: а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (+125°С); б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55°С); или в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55°С) до 398 К (+125°С) Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы, применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов; Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, имеющие любую из следующих характеристик: Изготовлены на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц; или Более трех шин данных или команд либо последовательных портов связи, обеспечивающих в отдельности прямое внешнее соединение между параллельными микросхемами микропроцессоров со скоростью передачи 1000 Мбайт/с или более Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры; Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях; Следующие интегральные схемы для аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей: а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду; разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду; разрешающую способность 12 бит со скоростью на выходе более 50 млн. слов в секунду; разрешающую способность более 12 бит, но равную или меньше 14 бит, со скоростью на выходе более 5 млн. слов в секунду; или разрешающую способность более 14 бит со скоростью на выходе более 1 млн. слов в секунду; б) цифроаналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит или более и временем установления сигнала менее 10 нс Технические примечания: 1. Разрешающая способность n битов соответствует 2(n) уровням квантования 2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности аналого-цифрового преобразователя 3. Скорость на выходе является максимальной скоростью на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с) 4. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду; Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: а) один внутренний лазерный диод или более; б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и в) световоды; Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик: а) эквивалентное количество задействованных логических элементов более 30 000 (в пересчете на элементы с двумя входами); б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или в) частоту переключения выше 133 МГц Примечание. Пункт 3.1.1.1.7 включает: простые программируемые логические устройства (ППЛУ); сложные программируемые логические устройства (СПЛУ); программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ); программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ); программируемые пользователем межсоединения (ППМС) Особое примечание. Программируемые пользователем логические устройства также известны как программируемые пользователем вентильные или программируемые пользователем логические матрицы; Интегральные схемы для нейронных сетей; Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик: а) более 1000 выводов; б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; Цифровые интегральные схемы, иные, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего: а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или б) частотой переключения выше 1,2 ГГц; Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного N - точечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log_2 N)/20 480 мс, где N - количество точек Техническое примечание. В случае, когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени выполнения 500 мкс Примечания: 1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1 2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: монолитные интегральные схемы; гибридные интегральные схемы; многокристальные интегральные схемы; пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; оптические интегральные схемы; Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона: Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды: Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия: а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц; б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с; в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик: мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или пригодные для применения в космосе; Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/кв. см Примечания: 1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: а) частота не превышает 31,8 ГГц; и б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения 2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, которые непригодны для применения в космосе и удовлетворяют всем следующим характеристикам: а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; и б) спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения; Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик: а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%; б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; в) предназначенные для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; г) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно; д) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; или е) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц Примечания: 1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц 2. Контрольный статус ММИС, рабочая частота которых охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности 3. Примечания, приведенные после пункта 3.1 категории 3, подразумевают, что по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они специально разработаны для иных целей, например, для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей; Микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик: а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); или д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц Примечание. Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности; Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие микроволновые усилители, имеющие любую из следующих характеристик: а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%; б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно; г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц; или е) предназначенные для работы на частотах выше 3 ГГц и имеющие все следующее: среднюю выходную мощность Р (Вт), большую, чем результат от деления величины 150 (Вт х ГГц(2)) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть: Р > 150/f(2) или в единицах размерности [(Вт) > (Вт х ГГц(2))/(ГГц)(2)]; относительную ширину полосы частот 5% или более; любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см х ГГц) на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: d <= 15/f или в единицах размерности [(см) <= (см х ГГц)/(ГГц)] Особое примечание. Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, описанные в пункте 3.1.1.2.2 Примечания: 1. По пункту 3.1.1.2.4 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц 2. Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности; Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5:1 (f_max/f_min) менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик: а) полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или б) полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты; Смесители и преобразователи, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, указанной в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6; Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие лампы, контролируемые по пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие характеристики: а) рабочие частоты выше 3 ГГц; б) плотность средней выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и в) объем менее 400 куб. см Примечание. По пункту 3.1.1.2.7 не контролируется аппаратура, спроектированная для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения; Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты: Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие любую из следующих характеристик: а) несущую частоту выше 2,5 ГГц; б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ; произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; ширину полосы частот выше 250 МГц; или дисперсионную задержку более 10 мкс; или в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; дисперсионную задержку более 10 мкс; или частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 50 МГц; Приборы на объемных акустических волнах (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 1 ГГц; Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку; Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально спроектированные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из следующих признаков: а) токовые переключатели для цифровых схем, использующие сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10(-14) Дж; или б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000; Нижеперечисленные мощные энергетические устройства: Батареи и сборки фотоэлектрических элементов: Первичные элементы и батареи с плотностью энергии, превышающей 480 Вт.ч/кг, и пригодные для работы в диапазоне температур от ниже 243 К (-30°С) до выше 343 К (70°С); Подзаряжаемые элементы и батареи с плотностью энергии более 150 Вт.ч/кг после 75 циклов заряд-разряда при токе разряда, равном С/5 (С - номинальная емкость в ампер-часах, 5 - время разряда в часах), при работе в диапазоне температур от ниже 253 К (-20°С) до выше 333 К (60°С) Техническое примечание. Плотность энергии определяется путем умножения средней мощности в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75% от номинала, и деления полученного произведения на общую массу элемента (или батареи) в килограммах; Батареи, пригодные для применения в космосе, и радиационно стойкие сборки фотоэлектрических элементов с удельной мощностью более 160 Вт/кв. м при рабочей температуре 301 К (28°С) и облучении от вольфрамового источника, нагретого до температуры 2800 К (2527°С) с плотностью мощности излучения 1 кВт/кв. м Примечание. По пунктам 3.1.1.5.1.1 - 3.1.1.5.1.3 не контролируются батареи объемом 27 куб. см или менее (например, стандартные элементы с угольными стержнями или батареи типа R14); Высокоэнергетические накопительные конденсаторы: Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: а) номинальное напряжение 5 кВ или более; б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и в) полную энергию 25 кДж или более; Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: а) номинальное напряжение 5 кВ или более; б) плотность энергии 50 Дж/кг или более; в) полную энергию 100 Дж или более; и г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более; Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все нижеперечисленные характеристики: а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду; б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и в) номинальную магнитную индукцию больше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/кв. мм Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, специально разработанные для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии; Цифровые преобразователи абсолютного углового положения вращающегося вала, имеющие любую из следующих характеристик: а) разрешение лучше 1/265000 от полного диапазона (18 бит); или б) точность лучше +- 2,5 угл. с Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения: Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее: Устройства записи на магнитной ленте показаний аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик: а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку; б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при количестве дорожек более 42; или в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (TOIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +- 0,1 мкс Примечание. Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающие устройства, использующие ленту; Цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 360 Мбит/с Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания, Европейским институтом стандартов по телекоммуникациям или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике; Устройства записи на магнитной ленте показаний цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или б) пригодные для применения в космосе Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются устройства записи данных на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных; Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса, превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов на магнитной ленте для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: а) скорость преобразования в цифровую форму 200 млн. проб в секунду или более и разрешение 10 бит или более; и б) непрерывную пропускную способность 2 Гбит/с или более Техническое примечание. Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине непрерывная пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Непрерывная пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования; Устройства записи данных цифровой аппаратуры, использующие способ хранения на магнитном диске, имеющие все следующие характеристики: а) скорость преобразования в цифровую форму 100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит или более; и б) непрерывную пропускную способность не менее 1 Гбит/с или более; Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты менее 1 мс; Анализаторы сигналов радиочастот: Анализаторы сигналов, способные анализировать любые сигналы с частотой выше 31,8 ГГц, но не превышающей 37,5 ГГц, и имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 10 МГц; Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 43,5 ГГц; Динамические анализаторы сигналов с полосой частот в реальном масштабе времени, превышающей 500 кГц Примечание. По пункту 3.1.2.3.3 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры); Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты и имеющие любую из следующих характеристик: а) максимальную синтезируемую частоту выше 31,8 ГГц, но не превышающую 43,5 ГГц, и предназначенные для создания длительности импульса менее 100 нс; б) максимальную синтезируемую частоту выше 43,5 ГГц; в) время переключения с одной выбранной частоты на другую менее 1 мс; или г) фазовый шум одной боковой полосы лучше - (126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц, где F - смещение от рабочей частоты в Гц, a f - рабочая частота в МГц Примечание. По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты; Техническое примечание. Для целей подпункта "а" пункта 3.1.2.4 длительность импульса определяется как временной интервал между передним фронтом импульса, достигающим 90% от максимума, и задним фронтом импульса, достигающим 10% от максимума Схемные анализаторы (панорамные измерители полных сопротивлений; измерители амплитуды, фазы и групповой задержки двух сигналов относительно опорного сигнала) с максимальной рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц; Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики: а) максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу; Атомные эталоны частоты, имеющие любую из следующих характеристик: а) долговременную стабильность (старение) меньше (лучше) 1 х 10(-11) в месяц; или б) пригодные для применения в космосе Примечание. По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе Особое примечание. В отношении атомных эталонов частоты, указанных в подпункте "б" пункта 3.1.2.7, см. также пункт 3.1.1 раздела 2 Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты Испытательное, контрольное и производственное оборудование Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них: Оборудование для эпитаксиального выращивания: Оборудование, обеспечивающее производство любого из следующего: а) силиконового слоя с отклонением равномерности его толщины менее +- 2,5% на расстоянии 200 мм или более; или б) слоя из любого материала, отличного от силикона, с отклонением равномерности толщины менее +- 2,5% на расстоянии 75 мм или более; Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов полупроводниковых соединений с использованием материалов, контролируемых по пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве исходных Особое примечание. В отношении оборудования, указанного в пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2; Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников; Оборудование, предназначенное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик: а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) более 1 МэВ; б) специально спроектированное и оптимизированное для работы с энергией пучка (ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ; в) имеет возможность непосредственного формирования рисунка; или г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; Оборудование для сухого анизотропного плазменного травления: Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее любую из следующих характеристик: а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 180 нм или менее и погрешностью (3 о), равной +- 5%; или б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре; Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и имеющее любую из следующих характеристик: а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 180 нм или менее и погрешностью (3 а), равной +- 5%; или б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре; Оборудование химического осаждения из паровой фазы с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс: Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее; Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее; Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой полупроводниковых пластин (подложек), имеющие все следующие характеристики: а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин (подложек), к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и б) предназначенные для интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме Примечание. По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические робототехнические системы управления загрузкой пластин (подложек), не предназначенные для работы в вакууме; Оборудование для литографии: Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего: а) источник света с длиной волны короче 245 нм; или б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 180 нм и менее Техническое примечание. Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле: МРР = (длина волны источника света в нанометрах) х (К фактор)/(числовая апертура), где К фактор = 0,45; Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов или производства полупроводниковых приборов с использованием отклоняемого сфокусированного электронного, ионного или лазерного пучка, имеющее любую из следующих характеристик: а) размер пятна менее 0,2 мкм; б) возможность формирования рисунка с размером элементов менее 1 мкм; или в) точность совмещения слоев лучше +- 0,20 мкм (3 сигма); Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1; Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем Примечание. По пункту 3.2.1.8 не контролируются многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, разработанные для изготовления запоминающих устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1 Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления: Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах выше 31,8 ГГц; Для испытания микроволновых интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1.2.2 Материалы Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: Кремний; Германий; Карбид кремния; или Соединения III/V на основе галлия или индия Техническое примечание. Соединения III/V - это либо поликристаллические, либо бинарные или многокомпонентные монокристаллические продукты, состоящие из элементов групп IIIА и VA (по отечественной классификации это группы A3 и В5) периодической системы Менделеева (например, арсенид галлия, алюмоарсенид галлия, фосфид индия и тому подобное) Материалы резистов, а также подложки, покрытые контролируемыми резистами: Позитивные резисты, предназначенные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны менее 350 нм; Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или лучше; Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или лучше; Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая силилированные резисты Техническое примечание. Технология силилирования - это процесс, включающий окисление поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления Следующие органо-неорганические соединения: Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999%; Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999% Примечание. По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999%, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде Примечание. По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20% и более молей инертных газов или водорода Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2 Программное обеспечение, специально разработанное для применения в любом нижеследующем оборудовании: а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1 - 3.2.1.6; или б) контролируемом по пункту 3.2.2 Физически обоснованное программное обеспечение моделирования, специально разработанное для разработки процессов литографии, травления или осаждения с целью воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топографические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках Техническое примечание. Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается использование вычислений для определения последовательности физических факторов и результатов воздействия, основанных на физических свойствах (например, температура, давление, коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов) Примечание. Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования, контролируемого по пункту 3.1.3 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пункту 3.1, 3.2 или 3.3 Примечание. По пункту 3.5.1 не контролируются технологии для производства оборудования или компонентов, контролируемых по пункту 3.1.3 Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку другие, чем те, которые контролируются по пункту 3.5.1, для разработки или производства микросхем микропроцессоров, микросхем микрокомпьютеров и микросхем микроконтроллеров, имеющих совокупную теоретическую производительность (СТП) 530 Мтопс (миллионов теоретических операций в секунду) или более и арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более Примечание. По пунктам 3.5.1 и 3.5.2 не контролируются технологии для разработки или производства интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11, имеющих оба нижеперечисленных признака: а) использующие технологии с разрешением 0,5 мкм или выше; и б) не содержащие многослойных структур Техническое примечание. Термин "многослойные структуры", приведенный в пункте "б" примечания, не включает приборы, содержащие максимум три металлических слоя и три слоя поликристаллического кремния Прочие технологии для разработки или производства: а) вакуумных микроэлектронных приборов; б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких, как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках; Примечание. По подпункту "б" пункта 3.5.3 не контролируются технологии для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц; в) сверхпроводящих электронных приборов; г) подложек из алмазных пленок для электронных компонентов; д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния; е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов; ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31,8 ГГц или выше |
8542 8542 8542 31 900 1, 8542 31 900 9; 8542 39 900 9 8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9 8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9 8542 31 900 3; 8542 31 900 9; 8542 39 900 2; 8542 39 900 9 8542 8542 39 900 2 8542 8542 31900 3; 8542 31900 9; 8542 39 900 2; 8542 39 900 9 8542 8542 31900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9 8540 79 000 0 8540 71 000 0 8540 99 000 0 8542 31 900 3; 8542 33 000; 8542 39 900 2; 8543 90 000 1; 8541 21000 0; 8541 29 000 0 8543 70 900 9 8543 70 900 9 8543 70 900 9 8543 70 900 9 8541 60 000 0 8541 60 000 0 8541 60 000 0 8540; 8541; 8542; 8506; 8507; 8541 40 900 0 8506; 8507; 8541 40 900 0 8506; 8507; 8541 40 900 0 8506; 8507; 8532 8506; 8507; 8532 8504 50; 8505 90 100 0 9031 80 320 0; 9031 80 340 0 8519 81 540 1; 8519 81 580; 8519 81 900 0; 8519 89 900 0; 8521 10 200 0; 8521 10 950 0 8521 10; 8521 90 000 9 8471 70 800 0; 8521 10 8521 90 000 9 8471 90 000 0; 8543 70 900 9 8471 50 000 0; 8471 60; 8471 70 200 0; 8471 70 300 0; 8471 70 500 0; 8519 81 900 0; 8519 89 900 0; 8521 90 000 9; 8522 90 400 0; 8522 90 800 0 8543 20 000 0 9030 84 000 9; 9030 89 300 0 9030 84 000 9; 9030 89 300 0 9030 20 200 9; 9030 32 000 9; 9030 39 000 9; 9030 84 000 9; 9030 89 300 0 8543 20 000 0 9030 40 000 0 8517 69 390 0 8543 20 000 0 8419 89 989 0; 8424 89 000 9; 8479 89 970 9 8486 10 000 9 8486 20 900 9 8486 10 000 9 8486 20 900 9 8486 20 900 2; 8456 90 000 0 8486 20 900 2; 8456 90 000 0 8486 20 900 9; 8419 89 300 0 8456 10 00; 8486 20 900 2; 8456 90 000 0; 8486 20 900 3; 8479 50 000 0 8443 39 290 0 8456 10 00; 8486 20 900 3; 8486 40 000 1 8486 90 900 3 8486 90 900 3; 9031 80 380 0 9030; 9031 20 000 0; 9031 80 380 0 3818 00 100 0; 3818 00 900 0 3818 00 900 0 3818 00 900 0 3818 00 900 0 3824 90 980 0 3824 90 980 0 3824 90 980 0 3824 90 980 0 2931 00 950 0 2931 00 950 0 2848 00 000 0; 2850 00 200 0 |
Категория 4. Вычислительная техника | ||
4.1. 4.1.1. 4.1.1.1. 4.1.1.2. 4.1.2. 4.1.2.1. 4.1.2.2. 4.1.2.3. 4.1.2.4. 4.1.2.5. 4.1.3. 4.1.3.1. 4.1.3.2. 4.1.3.3. 4.2. 4.3. 4.4. 4.4.1. 4.4.1.1. 4.4.1.2. 4.4.2. 4.4.3. 4.4.3.1. 4.4.3.2. 4.5. 4.5.1. 4.5.2. |
Примечания: 1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 категории 5 (Телекоммуникации) 2. Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, устройства оперативной памяти или дисковые контроллеры, не рассматриваются как телекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 категории 5 (Телекоммуникации) Особое примечание. Для определения контрольного статуса программного обеспечения, специально разработанного для коммутации пакетов, следует применять пункт 5.4.1 3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, выполняющие функции криптографии, криптоанализа, сертифицируемой многоуровневой защиты информации или сертифицируемые функции изоляции пользователей либо ограничивающие электромагнитную совместимость (ЭМС), должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 2 категории 5 (Защита информации) Системы, оборудование и компоненты ЭВМ и сопутствующее оборудование, а также электронные сборки и специально разработанные для них компоненты: Специально разработанные для достижения любой из следующих характеристик: а) по техническим условиям пригодные для работы при температуре внешней среды ниже 228 К (-45°С) или выше 358 К (85°С) Примечание. По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не контролируются ЭВМ, специально созданные для гражданских автомобилей или железнодорожных поездов; б) радиационно стойкие при превышении любого из следующих требований: общая доза 5 х 10(3) Гр (Si) [5 x 10(5) рад]; мощность дозы 5 х 10(6) Гр (Si)/c [5 х 10(8) рад/с]; или сбой от однократного события 10(-7) ошибок/бит/день Особое примечание. В отношении систем, оборудования и компонентов, соответствующих требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1.1, см. также пункт 4.1.1 раздела 2; Имеющие характеристики или функции производительности, превосходящие пределы, указанные в части 2 категории 5 (Защита информации) Примечание. По пункту 4.1.1.2 не контролируются ЭВМ и относящееся к ним оборудование, когда они вывозятся пользователями для своего индивидуального использования Цифровые ЭВМ, электронные сборки и сопутствующее оборудование, а также специально разработанные для них компоненты: Спроектированные или модифицированные для обеспечения отказоустойчивости Примечание. Применительно к пункту 4.1.2.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее оборудование не считаются спроектированными или модифицированными для обеспечения отказоустойчивости, если в них используется любое из следующего: а) алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в оперативной памяти; б) соединение двух цифровых вычислительных машин такое, что если происходит отказ активного центрального процессора, то холостой зеркальный центральный процессор может продолжить функционирование системы; в) соединение двух центральных процессоров посредством каналов передачи данных или с применением разделяемой памяти, для того чтобы обеспечить одному центральному процессору возможность выполнять некоторую работу, пока не откажет другой центральный процессор; тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, чтобы продолжить функционирование системы; или г) синхронизация двух центральных процессоров, объединенных посредством программного обеспечения так, что один центральный процессор распознает, когда отказывает другой центральный процессор, и восстанавливает задачи, выполнявшиеся отказавшим процессором; Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную теоретическую производительность (СТП), превышающую 190 000 Мтопс; Электронные сборки, специально разработанные или модифицированные для повышения производительности путем объединения вычислительных элементов таким образом, чтобы совокупная теоретическая производительность объединенных сборок превышала пределы, указанные в пункте 4.1.2.2 Примечания: 1. Пункт 4.1.2.3 распространяется только на электронные сборки и программируемые взаимосвязи, не превышающие пределы, указанные в пункте 4.1.2.2, при поставке в виде необъединенных электронных сборок. Он не применим к электронным сборкам, конструкция которых пригодна только для использования в качестве сопутствующего оборудования, контролируемого по пункту 4.1.2.4 2. По пункту 4.1.2.3 не контролируются электронные сборки, специально разработанные для продукции или целого семейства продукции, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, указанные в пункте 4.1.2.2; Оборудование, выполняющее аналого-цифровые преобразования, превосходящее пределы, указанные в пункте 3.1.1.1.5; Аппаратура, специально разработанная для обеспечения внешних соединений цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, которые в коммуникациях имеют скорость передачи данных, превышающую 1,25 Гбайт/с Примечание. По пункту 4.1.2.5 не контролируется оборудование внутренней взаимосвязи (например, объединительные платы, шины), оборудование пассивной взаимосвязи, контроллеры доступа к сети или контроллеры каналов связи Примечания: 1. Пункт 4.1.2 включает: а) векторные процессоры; б) матричные процессоры; в) процессоры цифровой обработки сигналов; г) логические процессоры; д) оборудование для улучшения качества изображения; е) оборудование для обработки сигналов 2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.2, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если: а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем; б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и в) технология для цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5 Особые примечания: 1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально разработанного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом такого оборудования, даже если первое превосходит критерий основного элемента 2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации) ЭВМ, указанные ниже, и специально спроектированное сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них: ЭВМ с систолической матрицей; Нейронные ЭВМ; Оптические ЭВМ Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет Материалы - нет Программное обеспечение Примечание. Контрольный статус программного обеспечения для разработки, производства или использования оборудования, указанного в других категориях, определяется по описанию соответствующей категории. В данной категории дается контрольный статус программного обеспечения для оборудования этой категории Программное обеспечение следующих видов: Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 соответственно; Программное обеспечение иное, чем контролируемое по пункту 4.4.1.1, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства: а) цифровых ЭВМ, имеющих совокупную теоретическую производительность (СТП), превышающую 75 000 Мтопс; или б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения вычислительных элементов (ВЭ) таким образом, чтобы СТП объединенных сборок превышала пределы, указанные в подпункте "а" пункта 4.4.1.2 Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 4.4.1, см. также пункт 4.4.1 разделов 2 и 3 Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологии, контролируемой по пункту 4.5 Специальное программное обеспечение следующих видов: Программное обеспечение операционных систем, инструментарий разработки программного обеспечения и компиляторы, специально разработанные для оборудования многопоточной обработки данных в исходных кодах; Программное обеспечение, имеющее характеристики или выполняющее функции, которые превышают пределы, указанные в части 2 категории 5 (Защита информации) Примечание. По пункту 4.4.3.2 не контролируется программное обеспечение, когда оно вывозится пользователями для своего индивидуального использования Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 соответственно; Иные технологии, кроме контролируемых по пункту 4.5.1, специально предназначенные или модифицированные для разработки или производства: а) цифровых ЭВМ, имеющих совокупную теоретическую производительность (СТП), превышающую 75 000 Мтопс; или б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения вычислительных элементов (ВЭ) таким образом, чтобы СТП объединенных сборок превышала пределы, указанные в подпункте "а" Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пунктах 4.5.1 и 4.5.2, см. также пункт 4.5.1 разделов 2 и 3 |
8471 8471 8471 (кроме 8471 30 000 0; 847141000 0; 847149 000 0; 8471 50 000 0) 8471 (кроме 8471 30 000 0; 8471 41 000 0; 8471 49 000 0; 8471 50 000 0) 8471 (кроме 8471 30 000 0; 8471 41 000 0; 8471 49 000 0; 8471 50 000 0) 8471 90 000 0; 8543 90 000 9 847190 000 0; 8517 61000 1; 8517 62 000 1 8471 8471 8471 |
Техническое примечание (по вычислению совокупной теоретической производительности)
Используемые сокращения:
ВЭ - вычислительный элемент (обычно арифметическое логическое устройство);
ПЗ - плавающая запятая;
ФЗ - фиксированная запятая;
t - время решения;
XOR - исключающее ИЛИ;
ЦП - центральный процессор;
ТП - теоретическая производительность (единичного вычислительного элемента);
СТП - совокупная теоретическая производительность (всех вычислительных элементов);
R - эффективная скорость вычислений;
ДС - длина слова (число битов);
L - корректировка длины слова (бита);
АЛУ - арифметическое и логическое устройство;
х - знак умножения.
Время решения "t" выражается в микросекундах, ТП или СТП выражается в миллионах теоретических операций в секунду (Мтопс), ДС выражается в битах.
Основной метод вычисления СТП:
СТП - это мера вычислительной производительности в миллионах теоретических операций в секунду. При вычислении СТП конфигурации ВЭ необходимо выполнить три следующих этапа:
1. Определить R для каждого ВЭ;
2. Произвести L для этой R, что даст в результате ТП для каждого ВЭ;
3. Объединить ТП и получить суммарную СТП для данной конфигурации, если имеется больше одного ВЭ.
Подробное описание этих этапов приведено ниже.
Примечания:
1. Для объединенных в подсистемы вычислительных элементов, имеющих и общую память, и память каждой подсистемы, вычисление СТП производится в два этапа: сначала ВЭ с общей памятью объединяются в группы, затем с использованием предложенного метода вычисляется СТП групп для всех ВЭ, не имеющих общей памяти.
2. Вычислительные элементы, скорость действия которых ограничена скоростью работы устройства ввода-вывода данных и периферийных функциональных блоков (например, дисковода, контроллеров системы передачи и дисплея), не объединяются при вычислении СТП.
В приведенной ниже таблице демонстрируется метод расчета эффективной скорости вычислений R для каждого вычислительного элемента:
Этап I: Эффективная скорость вычислений (R)
/-----------------------------------------------------------------------\
|Для вычислительных элементов, | Эффективная скорость вычислений 1/[3 х |
| реализующих: только ФЗ | (время сложения ФЗ)], |
|------------------------------+----------------------------------------|
| |если операции сложения нет, то через|
| |умножение: |
|------------------------------+----------------------------------------|
|(R_фз) |1/(время умножения ФЗ), |
|------------------------------+----------------------------------------|
| |если нет ни операции сложения, ни|
| |операции умножения, то R_фз|
| |рассчитывается через самую быструю из|
| |имеющихся арифметических операций: 1/[3|
| |х (время операции ФЗ)] см. примечания X|
| |и Z |
|------------------------------+----------------------------------------|
|только ПЗ |МАХ {1/(время сложения ПЗ), |
|------------------------------+----------------------------------------|
|(R_пз) |1/(время умножения ПЗ)} |
|------------------------------+----------------------------------------|
| |см. примечания X и Y |
|------------------------------+----------------------------------------|
|и ФЗ, и ПЗ |вычисляется как R_фз, так и R_пз |
|------------------------------+----------------------------------------|
|(R) | |
|------------------------------+----------------------------------------|
|Для простых логических|1/[3 х (время логической операции)]|
|процессоров, не выполняющих|здесь время логической операции - это|
|указанные арифметические|время выполнения операции XOR, а если ее|
|операции |нет, то берется самая быстрая простая|
| |логическая операция, см. примечания X и|
| |Z |
|------------------------------+----------------------------------------|
|Для специализированных|R = R' х ДС/64, |
|логических процессоров, не|----------------------------------------|
|выполняющих указанные|где R' - число результатов в секунду |
|арифметические и логические|----------------------------------------|
|операции |ДС - число битов, над которым|
| |выполняется логическая операция |
|------------------------------+----------------------------------------|
| |64 - коэффициент, нормализующий под|
| |64-разрядную операцию |
\-----------------------------------------------------------------------/
Примечание.
Каждый ВЭ должен оцениваться независимо.
Примечание W.
Для конвейерного ВЭ, способного выполнять до одной арифметической или логической операции на каждом такте при полном заполнении конвейера, можно определить конвейерную производительность. R для таких ВЭ равна наибольшей из конвейерной или неконвейерной скоростей вычислений.
Примечание X.
Для ВЭ, которые выполняют многократные операции определенного типа за один такт (например, два сложения за такт или две идентичные логические операции за такт), t вычисляется как:
время цикла
t = -------------------------------------
число арифметических операций в цикле
ВЭ, который выполняет разные типы арифметических или логических операций в одном машинном цикле, должен рассматриваться как множество раздельных ВЭ, работающих одновременно (например, ВЭ, выполняющий в одном цикле операции сложения и умножения, должен рассматриваться как два ВЭ, один из которых выполняет сложение за один цикл, а другой - умножение за один цикл). Если в одном ВЭ реализуются как скалярные, так и векторные функции, то используют значение более короткого времени исполнения.
Примечание Y.
Если в ВЭ не реализуется сложение ПЗ или умножение ПЗ, а выполняется деление ПЗ, то
R = 1/(время деления ПЗ)
пз
Если в ВЭ реализуется обратная величина ПЗ, но не сложение ПЗ, умножение ПЗ или деление ПЗ, тогда
R = 1/(время обратной величины ПЗ)
пз
Если ни одна из указанных команд не используется, то эффективная ПЗ производительность равна 0.
Примечание Z.
Простая логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняется одно логическое действие не более чем над двумя операндами заданной длины. Сложная логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняются многократные логические действия над двумя или более операндами и выдается один или несколько результатов. Скорости вычислений рассчитываются для всех аппаратно поддерживаемых длин операндов, рассматривая обе конвейерные операции (если поддерживаются) и неконвейерные операции, использующие самые короткие операции для каждой длины операнда, с учетом следующего:
1. Конвейерные операции или операции регистр-регистр. Исключаются чрезвычайно короткие операции, генерируемые для операций на заранее определенном операнде или операндах (например, умножение на 0 или 1). Если операций типа регистр-регистр нет, следует руководствоваться пунктом 2.
2. Самая быстрая операция регистр-память или память-регистр. Если и таких нет, следует руководствоваться пунктом 3.
3. Память-память.
В любом случае из вышеперечисленных используйте самые короткие операции, указанные в паспортных данных изготовителем.
Этап II: ТП для каждой поддерживаемой длины операнда ДС
Пересчитайте R (или R') с учетом L:
ТП = R x L,
где L = (1/3 + ДС/96)
Примечание.
ДС, используемая в этих расчетах, - это длина операнда в битах. (Если в операции задействованы операнды разной длины, пользуйтесь максимальной ДС.)
Комбинация мантиссы АЛУ и экспоненты АЛУ в процессоре с ПЗ или функциональном устройстве считается одним ВЭ с ДС, эквивалентной количеству битов в представлении данных (32 или 64 разряда) при вычислении СТП.
Данный пересчет не применяется к специализированным логическим процессорам, в которых операция XOR не используется. В этом случае ТП = R.
Выбор максимального результирующего значения ТП для:
каждого ВЭ, использующего только ФЗ (R_фз);
каждого ВЭ, использующего только ПЗ (R_пз);
каждого ВЭ, использующего комбинацию ПЗ и ФЗ ВЭ (R);
каждого простого логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических операций; и
каждого специализированного логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических или логических операций.
Этап III: Расчет СТП для конфигураций ВЭ, включая ЦП
Для ЦП с одним ВЭ
СТП = ТП
(Для ВЭ, выполняющих операции как с ФЗ, так и с ПЗ,
ТП = max (ТП , ТП )
фз пз
Для конфигураций всех ВЭ, работающих одновременно, СТП вычисляется следующим образом:
Примечания:
1. Для конфигураций, которые не допускают одновременно работу всех ВЭ, из возможных конфигураций ВЭ выбирается конфигурация с наибольшей СТП. Значение ТП для каждого ВЭ, дающего вклад, вычисляется как его максимально возможное теоретическое значение до вычисления СТП всей конфигурации.
Особое примечание.
Для определения возможной комбинации одновременно работающих ВЭ надо сгенерировать такую последовательность команд, которая производит операции над многими ВЭ, начиная с самого медленного ВЭ (такого, который требует наибольшего числа тактов для выполнения операции) и заканчивая самым быстрым ВЭ. На каждом такте последовательности комбинация ВЭ, которая находится в работе в этом такте, и есть возможная комбинация из вычислительных элементов ВЭ. Последовательность команд должна учитывать все оборудование и (или) архитектурные условия на перекрывающиеся в течение такта операции.
2. Отдельная интегральная микросхема или отдельная плата могут содержать множество ВЭ.
3. Предполагается, что одновременные операции имеют место, если производитель вычислительной машины утверждает о наличии конкурентных, параллельных или одновременных операциях или вычислениях в руководстве по использованию компьютера или в брошюре о нем.
4. Значения СТП не суммируются для конфигураций ВЭ, взаимосвязанных в локальные вычислительные сети, распределенные вычислительные сети, объединенные устройствами разделенного ввода-вывода, контроллерами ввода-вывода и любыми другими взаимосвязанными системами передачи, реализованными программными средствами.
5. Значение СТП должно суммироваться для множества ВЭ, специально разработанных для повышения их характеристик за счет объединения ВЭ, работающих одновременно и использующих совместно память, или в случае память-ВЭ комбинаций, работающих одновременно под управлением специально разработанных технических средств.
Это не относится к электронным сборкам, указанным в пункте 4.1.2.3
СТП = ТП + С х ТП + ... + С х ТП ,
1 2 2 n n
где ТП упорядочены по их значению, начиная с наибольшего значения - ТП_1, затем ТП_2 - второй по величине и, наконец, наименьший по значению ТП_n, С_i - коэффициент, определяемый силой взаимосвязей между ВЭ следующим образом: Для случая множества ВЭ, работающих одновременно и разделяющих память:
С = С = С = ... = С = 0,75
2 3 4 n
Примечания:
1. Когда СТП, вычисленная вышеуказанным методом, не превышает 194 Мтопс, Ci может быть определена дробью, числитель которой равен 0,75, а знаменатель - корню квадратному из m, где m - количество ВЭ или групп ВЭ, разделяющих доступ, при условии:
а) ТП, каждого ВЭ или группы ВЭ не превышает 30 Мтопс;
б) ВЭ или группа ВЭ разделяют доступ к оперативной памяти (исключая кэш-память) по общему каналу; и
в) только один ВЭ или группа ВЭ может использовать канал в любое данное время.
Особое примечание.
Сказанное выше не относится к пунктам, контролируемым по категории 3
2. Считается, что ВЭ разделяют доступ к памяти, если они обращаются к общему блоку твердотельной памяти. Эта память может включать в себя кэш-память, оперативную память или иную внутреннюю память. Внешняя память типа дисководов, ленточных накопителей или дисков с произвольным доступом сюда не входит.
Для случая множества ВЭ или групп ВЭ, не разделяющих общую память, но взаимосвязанных одним или более каналами передачи данных:
С = 0,75 х k (i = 2,..., 32) (см. примечание ниже)
i i
= 0,60 х к , (i = 33, ...,64)
i
= 0,45 x k (i = 65,..., 256)
i
= 0,30 x k (i > 256)
i
Величина Ci основывается на номере ВЭ, но не на номере узла, где
k = min (S_i/K_г, 1); и
i
К - нормализующий фактор, равный 20 Мбайт/с;
г
S - сумма максимальных скоростей передачи данных (в Мбайт/с) для всех
i информационных каналов, связывающих i-тый ВЭ или группу ВЭ, имеющих
общую память.
Когда вычисляется С_i для группы ВЭ, номер первого ВЭ в группе определяет собственный предел для С_i. Например, в конфигурации групп, состоящих из трех ВЭ каждая, 22 группа будет содержать ВЭ_64, ВЭ_65 и ВЭ_66. Собственный предел для С, для этих групп составляет 0,60.
Конфигурация ВЭ или групп ВЭ может быть определена от самого быстрого к самому медленному, то есть:
ТП >= ТП >= ... >= ТП и
1 2 n
в случае, когда ТП_i = ТП_i+1, от самого большого к самому маленькому, то есть:
С >= С
i i+1
Примечание.
k_i - фактор не относится к ВЭ от 2 до 12, если ТП_1 ВЭ или группы ВЭ больше 50 Мтопс, то есть С_i, для ВЭ от 2 до 12 равен 0,75.
N пункта | Наименование | Код ТН ВЭД |
Категория 5 | ||
5.1.1. 5.1.1.1. 5.1.1.1.1. 5.1.1.1.2. 5.1.1.1.3. 5.1.1.2. 5.1.1.2.1. 5.1.1.2.2. 5.1.1.2.3. 5.1.1.2.4. 5.1.1.2.5. 5.1.1.2.6. 5.1.1.3. 5.1.1.3.1. 5.1.1.3.2. 5.1.1.4. 5.1.1.5. 5.2.1. 5.2.1.1. 5.2.1.2. 5.2.1.2.1. 5.2.1.2.2. 5.2.1.2.3. 5.2.1.2.4. 5.2.1.2.5. 5.3.1. 5.4.1. 5.4.1.1. 5.4.1.2. 5.4.1.3. 5.4.1.3.1. 5.4.1.3.2. 5.4.1.4. 5.4.1.4.1. 5.4.1.4.2. 5.4.1.4.3. 5.4.1.4.4. 5.5.1. 5.5.1.1. 5.5.1.2. 5.5.1.2.1. 5.5.1.2.2. 5.5.1.2.3. 5.5.1.2.4. 5.5.1.3. 5.5.1.3.1. 5.5.1.3.2. 5.5.1.3.3. 5.5.1.3.4. 5.5.1.3.5. 5.1.2. 5.1.2.1. 5.1.2.1.1. 5.1.2.1.2. 5.1.2.1.3. 5.1.2.1.4. 5.1.2.1.5. 5.1.2.1.6. 5.2.2. 5.2.2.1. 5.2.2.2. 5.3.2. 5.4.2. 5.4.2.1. 5.4.2.2. 5.4.2.3. 5.4.2.3.1. 5.4.2.3.2. 5.5.2. 5.5.2.1. |
Часть 1. Телекоммуникации Примечания: 1. В части 1 категории 5 определяется контрольный статус компонентов, лазерного, испытательного и производственного оборудования, материалов и программного обеспечения, специально разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем 2. В тех случаях, когда для функционирования или поддержки телекоммуникационного оборудования, указанного в этой категории, и его обеспечения важное значение имеют цифровые ЭВМ, связанное с ними оборудование или программное обеспечение, последние рассматриваются в качестве специально разработанных компонентов при условии, что они являются стандартными моделями, обычно поставляемыми производителем. Это включает компьютерные системы, реализующие функции управления, технического обслуживания оборудования, проектирования, выписывания счетов Системы, оборудование и компоненты Телекоммуникационное оборудование любого типа, имеющее любую из следующих характеристик, функций или свойств: Специально разработанное для сохранения работоспособности при воздействии кратковременных электронных эффектов или электромагнитных импульсных эффектов, возникающих при ядерном взрыве; Специально повышенную стойкость к гамма-, нейтронному или ионному излучению; или Специально разработанное для функционирования за пределами диапазона температур от 218 К (-55°С) до 397 К (124°С) Примечания: 1. Пункт 5.1.1.1.3 применяется только к электронной аппаратуре 2. По пунктам 5.1.1.1.2 и 5.1.1.1.3 не контролируется оборудование, разработанное или модифицированное для использования на борту спутников Телекоммуникационные передающие системы и аппаратура, а также специально разработанные для них компоненты и принадлежности, имеющие любые из следующих характеристик, свойств или качеств: Являются системами подводной связи, имеющими любую из следующих характеристик: а) акустическую несущую частоту за пределами интервала от 20 кГц до 60 кГц; б) использующие электромагнитную несущую частоту ниже 30 кГц; или в) использующие электронное управление положением главного лепестка (диаграммы направленности антенны); Являются радиоаппаратурой, работающей в диапазоне частот 1,5 - 87,5 МГц и обладающей любой из следующих характеристик: а) включает адаптивные системы, обеспечивающие более 15 дБ подавления помехи сигнала; или б) имеет все следующие составляющие: возможность автоматически прогнозировать и выбирать частоты и общие скорости цифровой передачи в канале для оптимизации передачи полезного сигнала; и встроенный линейный усилитель мощности, способный одновременно пропускать множество сигналов с выходной мощностью 1 кВт или более в диапазоне частот от 1,5 МГц до 30 МГц или 250 Вт или более в диапазоне частот от 30 МГц до 87,5 МГц на мгновенной ширине полосы частот в одну октаву или более и с гармониками и искажениями на выходе лучше - 80 дБ; Являются радиоаппаратурой, использующей методы расширения спектра, включая метод скачкообразной перестройки частоты, имеющей любую из следующих характеристик: а) коды расширения, программируемые пользователем; или б) общую ширину полосы частот выше 50 кГц, при этом она в 100 или более раз превышает ширину полосы частот любого единичного информационного канала Примечания: 1. По подпункту "б" пункта 5.1.1.2.3 не контролируется радиооборудование, специально разработанное для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи. 2. По пункту 5.1.1.2.3 не контролируется оборудование, спроектированное для работы с выходной мощностью 1,0 Вт или менее Особое примечание. В отношении радиоаппаратуры, указанной в пункте 5.1.1.2.3, см. также пункт 5.1.1.1.1 раздела 2; Являются радиоаппаратурой, использующей технологию сверхширокополосного модулирования по времени и имеющей программируемые пользователем коды формирования каналов или шифрования; Являются радиоприемными устройствами с цифровым управлением, имеющими все следующие характеристики: а) более 1000 каналов; б) время переключения частоты менее 1 мс; в) автоматический поиск или сканирование в части спектра электромагнитных волн; и г) возможность идентификации принятого сигнала или типа передатчика Примечание. По пункту 5.1.1.2.5 не контролируется оборудование, специально разработанное для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи Особое примечание. В отношении радиоприемников, указанных в пункте 5.1.1.2.5, см. также пункт 5.1.1.1.2 раздела 2 и пункт 5.1.1.1 раздела 3; Используют функции цифровой обработки сигнала на выходном устройстве для обеспечения кодирования речи со скоростью менее 2400 бит/с Техническое примечание. Пункт 5.1.1.2.6 применяется при наличии выходного устройства для кодирования речевых сигналов связной речи с изменяющейся скоростью Волоконно-оптические кабели связи, оптические волокна и принадлежности: Оптические волокна длиной более 500 м. охарактеризованные производителем как способные выдерживать при контрольном испытании растягивающее напряжение 2 х 109 Н/кв. м или более Техническое примечание. Контрольное испытание - отборочное испытание в режиме онлайн (встроенное в технологическую цепочку получения волокна) или проводимое отдельно, которое заключается в приложении заданного растягивающего напряжения к движущемуся со скоростью от 2 м/с до 5 м/с волокну на участке длиной от 0,5 м до 3 м между натяжными барабанами диаметром около 150 мм. Испытания могут проводиться по соответствующим национальным стандартам при температуре окружающей среды 293 К, относительной влажности 40%; Волоконно-оптические кабели и принадлежности, разработанные для использования под водой Примечание. По пункту 5.1.1.3.2 не контролируются стандартные телекоммуникационные кабели и принадлежности для гражданского использования Особые примечания: 1. Для подводных кабельных разъемов и соединителей для них см. пункт 8.1.2.1.3 2. Для волоконно-оптических корпусных разъемов и соединителей см. пункт 8.1.2.3 Фазированные антенные решетки с электронным управлением диаграммой направленности, функционирующие на частотах, превышающих 31,8 ГГц Примечание. По пункту 5.1.1.4 не контролируются антенные фазированные решетки с электронным управлением диаграммой направленности для систем посадки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам Международной организации гражданской авиации (ИКАО), перекрывающим системы посадки СВЧ-диапазона (MLS) Оборудование радиопеленгации, работающее на частотах выше 30 МГц и имеющее все следующие характеристики, и специально разработанные для него компоненты: а) мгновенную ширину полосы частот, равную 1 МГц или выше; б) параллельную обработку данных по более чем 100 частотным каналам: и в) производительность более 1000 пеленгований в секунду на частотный канал Испытательное, контрольное и производственное оборудование Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально предназначенные для разработки, производства или использования оборудования, функций или свойств, контролируемых по части 1 категории 5 Примечание. По пункту 5.2.1.1 не контролируется оборудование определения параметров оптического волокна Особое примечание. В отношении оборудования и компонентов или принадлежностей для них, указанных в пункте 5.2.1.1, см. также пункт 5.2.1.1 раздела 2 Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально предназначенные для разработки любого из следующего телекоммуникационного передающего оборудования или коммутационного оборудования: Оборудования, использующего цифровые технологии и предназначенного для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 15 Гбит/с; Техническое примечание. Для коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи измеряется по самой высокой скорости порта или линии; Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего: а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм; б) производящего оптическое усиление; в) использующего технологии когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования (известных так же, как оптический гетеродин или оптический гомодин); или г) использующего аналоговую технологию при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц Примечание. По подпункту "г" пункта 5.2.1.2.2 не контролируется оборудование, специально предназначенное для разработки систем коммерческого телевидения; Оборудования, использующего оптическую коммутацию; Радиоаппаратуры, использующей методы квадратурной амплитудной модуляции с уровнем выше 256; или Оборудования, использующего передачу сигнала по общему каналу, осуществляемую в несвязанном режиме работы Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования, функций или свойств, контролируемых по части 1 категории 5 Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 5.4.1.1, см. также пункт 5.4.1.1 разделов 2 и 3 Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обслуживания технологий, контролируемых по пункту 5.5.1 Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 5.4.1.2, см. также пункт 5.4.1.2 раздела 2 Специальное программное обеспечение: Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обеспечения характеристик, функций или свойств аппаратуры, контролируемой по пункту 5.1.1 или 5.2.1; Программное обеспечение в отличной от машиноисполняемой формы, специально разработанное для динамической адаптивной маршрутизации Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки любого из следующего телекоммуникационного передающего оборудования или коммутационного оборудования: Оборудования, использующего цифровые технологии и предназначенного для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 15 Гбит/с; Техническое примечание. Для коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи измеряется по самой высокой скорости порта или линии; Оборудования, использующего лазер и имеющего любое из следующего: а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм; или б) использующего аналоговую технологию при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц Примечание. По подпункту "б" пункта 5.4.1.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки систем коммерческого телевидения; Оборудования, использующего оптическую коммутацию; или Радиоаппаратуры, использующей методы квадратурной амплитудной модуляции с уровнем выше 256 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или использования (исключая рабочий режим) оборудования, функций или свойств или программного обеспечения, контролируемых по части 1 категории 5 Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пункте 5.5.1.1, см. также пункт 5.5.1.1 разделов 2 и 3 Технологии следующих видов: Технология, требуемая для разработки или производства телекоммуникационного оборудования, специально предназначенного для использования на борту спутников; Технология разработки или использования методов лазерной связи со способностью автоматического захвата и удержания сигнала и поддержания связи через внеатмосферную или водную среду; Технология разработки приемной аппаратуры цифровых базовых сотовых радиостанций, приемные параметры которых, допускающие многодиапазонный, многоканальный, многомодовый, многокодируемый алгоритм или многопротокольную работу, могут быть модифицированы изменениями в программном обеспечении Технология разработки аппаратуры, использующей методы расширения спектра, включая методы скачкообразной перестройки частоты Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства любого из следующего телекоммуникационного передающего оборудования или коммутационного оборудования: Оборудования, использующего цифровые технологии и предназначенного для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 15 Гбит/с; Техническое примечание. Для коммутационного оборудования общая скорость цифровой передачи измеряется по самой высокой скорости порта или линии; Оборудования, использующего лазер и имеющего любую из следующих характеристик: а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм; б) производящего оптическое усиление с применением оптико-волоконных усилителей на допированном празеодимием фторидном стекле; в) использующего технологию когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования (известного так же, как оптический гетеродин или оптический гомодин); г) использующего методы мультиплексирова- ния при распределении длин волн, при этом число оптических каналов в одном оптическом окне прозрачности превышает 8; или д) использующего аналоговую технологию при ширине полосы пропускания, превышающей 2,5 ГГц Примечание. По подпункту "д" пункта 5.5.1.3.2 не контролируются технологии разработки или производства систем коммерческого телевидения; Оборудования, использующего оптическую коммутацию; Радиоаппаратуры, имеющей любую из следующих составляющих: а) использующей методы квадратурной амплитудной модуляции с уровнем выше 256; или б) работающей на входных или выходных частотах, превышающих 31,8 ГГц; или Примечание. По подпункту "б" пункта 5.5.1.3.4 не контролируются технологии разработки или производства оборудования, сконструированного или модифицированного для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения; Оборудования, использующего передачу сигнала по общему каналу, осуществляемую в несвязанном режиме работы Часть 2. Защита информации Примечания: 1. Контрольный статус оборудования, программного обеспечения, систем, электронных сборок специального применения, модулей, интегральных схем, компонентов или функций, применяемых для защиты информации, определяется по части 2 категории 5, даже если они являются компонентами или электронными сборками другой аппаратуры 2. По части 2 категории 5 не контролируются товары, когда они вывозятся пользователем для собственного индивидуального использования 3. По пунктам 5.1.2 и 5.4.2 не контролируется продукция, которая удовлетворяет всем следующим требованиям: а) общедоступна для продажи населению без ограничений, из имеющегося в наличии ассортимента в местах розничной продажи, посредством любого из следующего: продажи за наличные; продажи путем заказа товаров по почте; электронных сделок; или продажи по телефонным заказам; б) криптографические возможности которой не могут быть легко изменены пользователем; в) разработана для установки пользователем без дальнейшей существенной поддержки поставщиком; г) в случае необходимости является доступной и будет представляться экспортерами контролирующим органам Российской Федерации, по их требованию, в хорошем состоянии для подтверждения ее соответствия условиям, изложенным в подпунктах "а" - "в" Техническое примечание. В части 2 категории 5 биты четности не включаются в длину ключа Системы, оборудование и компоненты Системы, аппаратура, специальные электронные сборки, модули и интегральные схемы, применяемые для защиты информации, и другие специально разработанные для этого компоненты: Особое примечание. В отношении контроля за приемным оборудованием глобальных навигационных спутниковых систем, содержащим или использующим дешифрование (Глобальная спутниковая система местоопределения - GPS или Глобальная навигационная спутниковая система - ГЛОНАСС), см. пункт 7.1.5 Разработанные или модифицированные для использования криптографии с применением цифровых методов, выполняющие любые криптографические функции, иные, чем аутентификация или цифровая подпись, имеющие любую из следующих составляющих: симметричный алгоритм, использующий ключ с длиной, превышающей 56 бит; или асимметричный алгоритм, защита которого базируется на любом из следующих методов: 1) разложении на множители целых чисел, размер которых превышает 512 бит (например, алгоритм RSA); 2) вычислении дискретных логарифмов в мультипликативной группе конечного поля размера, превышающего 512 бит (например, алгоритм Диффи-Хелмана над Z/pZ): или 3) дискретном логарифме в группе, отличного от поименованного в вышеприведенном подпункте 2 размера, превышающего 112 бит (например, алгоритм Диффи-Хелмана над эллиптической кривой) Технические примечания: 1. Функции аутентификации и цифровой подписи включают в себя связанную с ними функцию распределения ключей 2. Аутентификация включает в себя все аспекты контроля доступа, где нет шифрования файлов или текстов, за исключением шифрования, которое непосредственно связано с защитой паролей, персональных идентификационных номеров или подобных данных для защиты от несанкционированного доступа 3. Термин "криптография" не относится к фиксированным методам сжатия или кодирования данных Примечание. Пункт 5.1.2.1.1 включает оборудование, разработанное или модифицированное для использования криптографии на основе аналоговых принципов, в том случае, если они реализованы с использованием цифровых методов; Разработанные или модифицированные для выполнения криптоаналитических функций; Специально разработанные или модифицированные для снижения нежелательной утечки несущих информацию сигналов, кроме того, что необходимо для защиты здоровья или соответствия установленным стандартам электромагнитных помех; Разработанные или модифицированные для применения криптографических методов генерации расширяющегося кода для систем с расширяющимся спектром, включая скачкообразную перестройку кодов для систем со скачкообразной перестройкой частоты; Разработанные или модифицированные для применения криптографических методов формирования каналов или засекречивающих кодов для модулированных по времени сверхширокополосных систем; Кабельные системы связи, разработанные или модифицированные с использованием механических, электрических или электронных средств для обнаружения несанкционированного доступа Примечание. По пункту 5.1.2 не контролируются: а) персональные смарт-карты (интеллектуальные карты): криптографические возможности которых ограничены использованием в оборудовании или системах, выведенных из-под контроля подпунктами "б" - "е" настоящего примечания; или для широкого общедоступного применения, криптографические возможности которых недоступны пользователю и которые в результате специальной разработки имеют ограниченные возможности защиты хранящейся на них персональной информации Особое примечание. Если персональная смарт-карта может выполнять несколько функций, то контрольный статус каждой из функций определяется отдельно; б) приемное оборудование для радиовещания, платного телевидения или аналогичной передачи сообщений потребительского типа для вещания на ограниченную аудиторию без шифрования цифрового сигнала, кроме случаев его использования исключительно для отправки счетов или возврата информации, связанной с программой, провайдерам вещания; в) оборудование, криптографические возможности которого недоступны пользователю, специально разработанное и ограниченное для применения любым из следующего: 1) программное обеспечение исполнено в защищенном от копирования виде; 2) доступом к любому из следующего: защищенному от копирования содержимому, хранящемуся на доступном только для чтения носителе информации; или информации, хранящейся в зашифрованной форме на носителях (например, в связи с защитой прав интеллектуальной собственности), когда эти носители информации предлагаются на продажу населению в идентичных наборах; или 3) контролем копирования аудио- или видеоинформации, защищенной авторскими правами; г) криптографическое оборудование, специально разработанное и ограниченное применением для банковских или финансовых операций Техническое примечание. Финансовые операции, указанные в пункте "г" примечания к пункту 5.1.2, включают сборы и оплату за транспортные услуги или кредитование; д) портативные или мобильные радиотелефоны гражданского назначения (например, для использования в коммерческих гражданских системах сотовой радиосвязи), которые не способны к сквозному шифрованию; е) беспроводное телефонное оборудование, не способное к сквозному шифрованию, максимальная дальность беспроводного действия которого без усиления (одиночное, без ретрансляции, соединение между терминалом и базовой станцией) составляет менее 400 м в соответствии с техническими условиями производителя Испытательное, контрольное и производственное оборудование Оборудование, специально предназначенное для: а) разработки аппаратуры или функций, контролируемых по части 2 категории 5, включая аппаратуру для измерений или испытаний; б) производства аппаратуры или функций, контролируемых по части 2 категории 5, включая аппаратуру для измерений, испытаний, ремонта или производства Измерительная аппаратура, специально разработанная для оценки и подтверждения функций защиты информации, контролируемых по пункту 5.1.2 или 5.4.2 Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по части 2 категории 5 Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологии, контролируемой по пункту 5.5.2 Специальное программное обеспечение следующих видов: Программное обеспечение, имеющее характеристики, моделирующее или выполняющее функции аппаратуры, контролируемой по пункту 5.1.2 или 5.2.2; Программное обеспечение для сертификации программного обеспечения, контролируемого по пункту 5.4.2.3.1 Примечание. По пункту 5.4.2 не контролируются: а) программное обеспечение, необходимое для использования в аппаратуре, выведенной из-под контроля в соответствии с примечанием к пункту 5.1.2; б) программное обеспечение, реализующее любую функцию аппаратуры, выведенной из-под контроля в соответствии с примечанием к пункту 5.1.2 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или использования оборудования либо программного обеспечения, контролируемых по части 2 категории 5 |
8517; 8517 12 000 0; 8517 61 000 9; 8517 69 390 0; 8525 60 000 0; 8543 70 900 9 8517; 8517 12 000 0; 8517 61000 9; 8517 69 390 0; 8525 60 000 0; 8543 70 900 9 8517; 8517 12 000 0; 8517 61 000 9; 8517 69 390 0; 8525 60 000 0; 8543 70 900 9 9014 80 000 0; 9015 80 910 0 8517 12 000 0; 8517 61 000 9; 8525 60 000 0 8517 12 000 0; 8517 61 000 9; 8525 60 000 0 8517 12 000 0; 8517 61 000 9; 8525 60 000 0 8527 8517 12 000 0; 8517 61 000 9; 8525 60 000 0 8544 70 000 0; 9001 10 900 8544 70 000 0, 9001 10 900 8529 10 900 0 8517 61000 9; 8526 91200 0 8471, 8543 70 900 9 8471; 8543 70 900 9 8471; 8543 70 900 9 8471; 8543 70 900 9 8471; 8543 70 900 9 8471; 8517 61 000 1; 8517 62 000 1; 8543 70 900 9 8543 70 900 9 8543 70 900 9 |
Категория 6. Датчики и лазеры | ||
6.1. 6.1.1. 6.1.1.1. 6.1.1.1.1. 6.1.1.1.1.1. 6.1.1.1.1.2. 6.1.1.1.1.3. 6.1.1.1.1.4. 6.1.1.1.2. 6.1.1.1.2.1. 6.1.1.1.2.2. 6.1.1.1.2.3. 6.1.1.1.2.4. 6.1.1.1.2.5. 6.1.1.1.2.6. 6.1.1.2. 6.1.2. 6.1.2.1. 6.1.2.1.1. 6.1.2.1.1.1. 6.1.2.1.1.2. 6.1.2.1.1.3. 6.1.2.1.2. 6.1.2.1.2.1. 6.1.2.1.2.2. 6.1.2.1.2.2. 1. 6.1.2.1.2.2. 2. 6.1.2.1.2.2. 3. 6.1.2.1.3. 6.1.2.1.3.1. 6.1.2.1.3.2. 6.1.2.1.3.3. 6.1.2.1.3.4. 6.1.2.1.3.5. 6.1.2.2. 6.1.2.3. 6.1.2.3.1. 6.1.2.3.2. 6.1.2.4. 6.1.2.4.1. 6.1.2.4.2. 6.1.2.4.2.1. 6.1.2.4.2.2. 6.1.2.4.3. 6.1.2.5. 6.1.3. 6.1.3.1. 6.1.3.1.1. 6.1.3.1.2. 6.1.3.1.3. 6.1.3.1.4. 6.1.3.1.5. 6.1.3.1.6. 6.1.3.2. 6.1.3.2.1. 6.1.3.2.2. 6.1.3.2.3. 6.1.3.2.4. 6.1.4. 6.1.4.1. 6.1.4.1.1. 6.1.4.1.2. 6.1.4.1.3. 6.1.4.1.4. 6.1.4.2. 6.1.4.3. 6.1.4.3.1. 6.1.4.3.2. 6.1.4.3.3. 6.1.4.3.4. 6.1.4.4. 6.1.4.4.1. 6.1.4.4.2. 6.1.4.4.3. 6.1.4.4.4. 6.1.4.5. 6.1.5. 6.1.5.1. 6.1.5.1.1. 6.1.5.1.2. 6.1.5.1.2.1. 6.1.5.1.2.2. 6.1.5.1.2.3. 6.1.5.1.2.4. 6.1.5.1.3. 6.1.5.1.4. 6.1.5.1.5. 6.1.5.1.5.1. 6.1.5.1.5.2. 6.1.5.1.5.3. 6.1.5.1.6. 6.1.5.1.7. 6.1.5.2. 6.1.5.2.1. 6.1.5.2.2. 6.1.5.2.3. 6.1.5.2.4. 6.1.5.3. 6.1.5.3.1. 6.1.5.3.2. 6.1.5.3.2.1. 6.1.5.3.2.1. 1. 6.1.5.3.2.1. 2. 6.1.5.3.2.2. 6.1.5.3.2.2. 1. 6.1.5.3.2.2. 2. 6.1.5.3.2.2. 3. 6.1.5.3.2.2. 4. 6.1.5.3.2.3. 6.1.5.4. 6.1.5.5. 6.1.5.5.1. 6.1.5.5.2. 6.1.5.6. 6.1.5.6.1. 6.1.5.6.2. 6.1.5.6.3. 6.1.5.6.4. 6.1.6. 6.1.6.1. 6.1.6.1.1. 6.1.6.1.2. 6.1.6.1.3. 6.1.6.1.4. 6.1.6.1.5. 6.1.6.2. 6.1.6.2.1. 6.1.6.2.2. 6.1.6.2.3. 6.1.6.3. 6.1.7. 6.1.7.1. 6.1.7.2. 6.1.7.3. 6.1.8. 6.1.8.1. 6.1.8.2. 6.1.8.3. 6.1.8.4. 6.1.8.5. 6.1.8.6. 6.1.8.7. 6.1.8.8. 6.1.8.9. 6.1.8.10. 6.1.8.11. 6.1.8.12. 6.2. 6.2.1. 6.2.2. 6.2.3. 6.2.4. 6.2.4.1. 6.2.4.2. 6.2.5. 6.2.6. 6.2.7. 6.2.8. 6.3. 6.3.1. 6.3.2. 6.3.2.1. 6.3.2.2. 6.3.3. 6.3.4. 6.3.4.1. 6.3.4.2. 6.3.4.2.1. 6.3.4.2.2. 6.3.4.2.3. 6.3.4.3. 6.3.4.4. 6.3.4.5. 6.3.4.6. 6.3.5. 6.3.5.1. 6.3.5.2. 6.3.6. 6.3.7. 6.3.8. 6.4. 6.4.1. 6.4.2. 6.4.3. 6.4.3.1. 6.4.3.1.1. 6.4.3.1.2. 6.4.3.1.3. 6.4.3.1.4. 6.4.3.2. 6.4.3.3. 6.4.3.4. 6.4.3.5. 6.4.3.6. 6.4.3.6.1. 6.4.3.6.2. 6.4.3.7. 6.4.3.8. 6.4.3.8.1. 6.4.3.8.2. 6.5. 6.5.1. 6.5.2. 6.5.3. 6.5.3.1. 6.5.3.2. 6.5.3.3. 6.5.3.4. 6.5.3.4.1. 6.5.3.4.2. 6.5.3.5. 6.5.3.6. 6.5.3.7. 6.5.3.8. |
Системы, оборудование и компоненты Акустика Морские акустические системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты: Нижеперечисленные активные (передающие и приемопередающие) системы, оборудование и специально разработанные компоненты для них: Широкополосные батиметрические обзорные системы, разработанные для картографирования морского дна, имеющие все следующие предназначения: а) для измерения при углах отклонения от вертикали более 20°; б) для измерения глубины более 600 м от поверхности воды; и в) для обеспечения любой из следующих характеристик: объединения нескольких лучей, любой из которых уже 1,9°; или точности измерений лучше 0,3% от глубины воды, полученных путем усреднения отдельных измерений в пределах полосы; Системы обнаружения или определения местоположения, имеющие любую из следующих характеристик: а) частоту передачи ниже 10 кГц; б) уровень звукового давления выше 224 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне от 10 кГц до 24 кГц включительно; в) уровень звукового давления выше 235 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне между 24 кГц и 30 кГц; г) формирование лучей уже 1° по любой оси и рабочую частоту ниже 100 кГц; д) с дальностью надежного обнаружения целей более 5120 м; или е) разработанные для нормального функционирования на глубинах более 1000 м и имеющие датчики с любыми из следующих характеристик: динамически подстраивающиеся под давление; или содержащие чувствительные элементы, изготовленные не из титаната-цирконата свинца Особое примечание. В отношении активных систем обнаружения или определения местоположения, указанных в пункте 6.1.1.1.1.2, см. также пункт 6.1.1.1.1 разделов 2 и 3; Акустические излучатели, включающие преобразователи, объединяющие пьезоэлектрические, магнитострикционные, электрострикционные, электродинамические или гидравлические элементы, действующие индивидуально или в определенной комбинации, имеющие любую из следующих характеристик: а) плотность мгновенной излучаемой акустической мощности, превышающую 0,01 мВт/кв. мм/Гц для приборов, работающих на частотах ниже 10 кГц; б) плотность непрерывно излучаемой акустической мощности, превышающую 0,001 мВт/кв. мм/Гц для приборов, работающих на частотах ниже 10 кГц; или Техническое примечание. Плотность акустической мощности получается делением выходной акустической мощности на произведение площади излучающей поверхности и рабочей частоты в) подавление боковых лепестков более 22 дБ Примечания: 1. Контрольный статус акустических излучателей, в том числе преобразователей, специально разработанных для другого оборудования, определяется контрольным статусом этого другого оборудования 2. По пункту 6.1.1.1.1.3 не контролируются электронные источники, осуществляющие только вертикальное зондирование, механические (например, пневмопушки или пароударные пушки) или химические (например, взрывные) источники; Акустические системы, оборудование и специально разработанные компоненты для определения положения надводных судов и подводных аппаратов, предназначенные для работы на дистанции более 1000 м с точностью позиционирования меньше (лучше) 10 м СКО (среднеквадратичное отклонение) при измерении на расстояниях до 1000 м Примечание. Пункт 6.1.1.1.1.4 включает: а) оборудование, использующее согласованную обработку сигналов между двумя или более буями и гидрофонным устройством на надводном судне и подводном аппарате; б) оборудование, обладающее способностью автокоррекции накапливающейся погрешности скорости звука для вычислений местоположения Примечание. По пункту 6.1.1.1.1 не контролируются: а) эхолоты, действующие вертикально под аппаратом, не включающие функцию сканирования луча в диапазоне более +- 20° и ограниченные измерением глубины воды, расстояния до погруженных или заглубленных объектов или косяков рыбы; б) следующие акустические буи: аварийные акустические буи; акустические буи с дистанционным управлением, специально разработанные для перемещения или возвращения в подводное положение; Пассивные (принимающие, связанные или не связанные в условиях нормального применения с отдельными активными устройствами) системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты: Гидрофоны с любой из следующих характеристик: а) включающие непрерывные гибкие чувствительные элементы; б) включающие гибкие сборки дискретных чувствительных элементов с диаметром или длиной менее 20 мм и с расстоянием между элементами менее 20 мм; в) имеющие любые из следующих чувствительных элементов: волоконно-оптические; пьезоэлектрические из полимерных пленок, отличные от поливинилиденфторида (PVDF) и его сополимеров {P(VDF-TrFE) и P(VDF-TFE)} ({поли(винилиденфторид-трифторэтилен) и поли(винилиденфторид-тетрафторэтилен)}); или гибкие пьезоэлектрические из композиционных материалов; г) имеющие гидрофонную чувствительность лучше -180 дБ на любой глубине без компенсации ускорения; д) разработанные для эксплуатации на глубинах, превышающих 35 м, с компенсацией ускорения; или е) разработанные для эксплуатации на глубинах более 1000 м Примечание. Контрольный статус гидрофонов, специально разработанных для другого оборудования, определяется контрольным статусом этого оборудования Технические примечания: 1. Пьезоэлектрические чувствительные элементы из полимерной пленки состоят из поляризованной полимерной пленки, которая натянута на несущую конструкцию или катушку (сердечник) и прикреплена к ним 2. Гибкие пьезоэлектрические чувствительные элементы из композиционного материала состоят из пьезоэлектрических керамических частиц или волокон, распределенных в электроизоляционном акустически прозрачном резиновом, полимерном или эпоксидном связующем, которое является неотъемлемой частью чувствительного элемента 3. Гидрофонная чувствительность определяется как 20-кратный десятичный логарифм отношения эффективного выходного напряжения к эффективной величине нормирующего напряжения 1 В, когда гидрофонный датчик без предусилителя помещен в акустическое поле плоской волны с эффективным давлением 1 мкПа. Например: гидрофон с -160 дБ (нормирующее напряжение 1 В на мкПа) даст выходное напряжение 10(-8) В в таком поле, в то время как гидрофон с чувствительностью -180 дБ даст только 10(-9) В на выходе. Таким образом, -160 дБ лучше, чем -180 дБ; Буксируемые акустические гидрофонные решетки, имеющие любую из следующих характеристик: а) гидрофонные группы, расположенные с шагом менее 12,5 м, или имеющие возможность модификации для расположения гидрофонных групп с шагом менее 12,5 м; б) разработанные или имеющие возможность модификации для работы на глубинах более 35 м Техническое примечание. Возможность модификации, указанная в подпунктах "а" и "б" пункта 6.1.1.1.2.2, означает наличие резервов, позволяющих изменять схему соединений или внутренних связей для усовершенствования гидрофонной группы по ее размещению или изменению пределов рабочей глубины. Такими резервами является возможность монтажа: запасных проводников в количестве, превышающем 10% от числа рабочих проводников связи; блоков настройки конфигурации гидрофонной группы или внутренних устройств, ограничивающих глубину погружения, что обеспечивает регулировку или контроль более чем одной гидрофонной группы; в) датчики направленного действия, контролируемые по пункту 6.1.1.1.2.4; г) продольно армированные рукава решетки; д) собранные решетки диаметром менее 40 мм; е) сигнальные многоэлементные гидрофонные группы, разработанные для работы на глубинах более 35 м или имеющие регулируемое либо сменное устройство измерения глубины для эксплуатации на глубинах, превышающих 35 м; или ж) характеристики гидрофонов, указанные в пункте 6.1.1.1.2.1; Аппаратура обработки данных, специально разработанная для применения в буксируемых акустических гидрофонных решетках, обладающая программируемостью пользователем, обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований или процессов; Датчики направленного действия, имеющие все следующие характеристики: а) точность лучше +- 0,5°; и б) разработанные для работы на глубинах, превышающих 35 м, либо имеющие регулируемое или сменное глубинное чувствительное устройство, разработанное для работы на глубинах, превышающих 35 м; Донные или притопленные кабельные системы, имеющие любую из следующих составляющих: а) объединяющие гидрофоны, указанные в пункте 6.1.1.1.2.1; или б) объединяющие сигнальные модули многоэлементной гидрофонной группы, имеющие все следующие характеристики: разработаны для функционирования на глубинах, превышающих 35 м, либо обладают регулируемым или сменным устройством измерения глубины для работы на глубинах, превышающих 35 м; и обладают возможностью оперативного взаимодействия с модулями буксируемых акустических гидрофонных решеток; Аппаратура обработки данных, специально разработанная для донных или притопленных кабельных систем, обладающая программируемостью пользователем и обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований либо процессов Особое примечание. В отношении пассивных систем, оборудования и специальных компонентов, указанных в пунктах 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6, см. также пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6 раздела 2 и пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.5 раздела 3 Аппаратура гидролокационного корреляционного лага, разработанная для измерения горизонтальной составляющей скорости носителя аппаратуры относительно морского дна моря более 500 м Оптические датчики Оптические детекторы: Нижеперечисленные твердотельные детекторы, пригодные для применения в космосе. Твердотельные детекторы, имеющие все следующие характеристики: а) максимум чувствительности в диапазоне длин волн от 10 нм до 300 нм, и б) чувствительность на длине волны, превышающей 400 нм, менее 0,1% относительно максимальной чувствительности; Твердотельные детекторы, имеющие все следующие характеристики: а) максимум чувствительности в диапазоне длин волн от 900 нм до 1200 нм; и б) постоянную времени отклика 95 нс или менее; Твердотельные детекторы, имеющие максимум чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30 000 нм Особое примечание. В отношении оптических твердотельных детекторов, указанных в пунктах 6.1.2.1.1 - 6.1.2.1.1.3, см. также пункты 6.1.2.1.1 - 6.1.2.1.1.3 раздела 2 и пункт 6.1.2.1 раздела 3; Электронно-оптические преобразователи и специально разработанные для них компоненты: Электронно-оптические преобразователи, имеющие все нижеперечисленное: максимум чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050 нм; микроканальную пластину для электронного усиления изображения с шагом между осями отверстий 12 мкм или менее; и любые из следующих фотокатодов: 1) фотокатоды S-20, S-25 или многощелочные фотокатоды со светочувствительностью более 350 мкА/лм; 2) фотокатоды на GaAs или GaInAs; или 3) другие полупроводниковые фотокатоды на соединениях групп III - V Примечание. Подпункт 3 пункта 6.1.2.1.2.1 не включает фотокатоды на полупроводниковых соединениях с максимальной интегральной чувствительностью к лучистому потоку 10 мА/Вт или менее Особое примечание. В отношении электронно-оптических преобразователей, указанных в пункте 6.1.2.1.2.1, см. также пункт 6.1.2.1.2 раздела 2; Следующие специально разработанные компоненты: Микроканальные пластины с шагом между осями отверстий 12 мкм или менее; Фотокатоды на GaAs или GaInAs; Другие полупроводниковые фотокатоды на соединениях групп III - V Примечание. Пункт 6.1.2.1.2.2.3 не включает фотокатоды на полупроводниковых соединениях с максимальной интегральной чувствительностью к лучистому потоку 10 мА/Вт или менее; Решетки фокальной плоскости: Решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие все следующие составляющие: а) отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от 900 нм до 1050 нм; и б) постоянную времени отклика менее 0,5 нс; Решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие все следующие составляющие: а) отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1200 нм; и б) постоянную времени отклика 95 нс или менее; Нелинейные (двухмерные) решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30 000 нм; Линейные (одномерные) решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие все следующие составляющие: а) отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от более 1200 нм до 2500 нм включительно; и б) любое из следующего: отношение размера в направлении сканирования детекторного элемента к размеру в направлении поперек сканирования детекторного элемента менее 3,8; или обработку сигналов в элементе; Линейные (одномерные) решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от более 2500 нм до 30 000 нм включительно Технические примечания: 1. Линейные или двухмерные многоэлементные детекторные решетки относятся к решеткам фокальной плоскости 2. Для целей пункта 6.1.2.1.3 "направление поперек сканирования" определяется как ось, параллельная линейке детекторных элементов, а "направление сканирования" определяется как ось, перпендикулярная линейке детекторных элементов Примечания: 1. Пункт 6.1.2.1.3 включает фотопроводящие и фотоэлектрические решетки 2. По пункту 6.1.2.1.3 не контролируются: а) кремниевые решетки фокальной плоскости; б) многоэлементные (не более 16 элементов) фотопроводящие ячейки, использующие сульфид или селенид свинца; в) пироэлектрические детекторы на основе любого из следующих материалов: триглицинсульфата и его производных; титаната свинца-лантана-циркония и его производных; танталата лития; поливинилиденфторида и его производных; или ниобата бария-стронция и его производных Примечание. По пункту 6.1.2.1 не контролируются германиевые или кремниевые фотоустройства Особое примечание. В отношении решеток фокальной плоскости, указанных в пунктах 6.1.2.1.3 - 6.1.2.1.3.5, см. также пункты 6.1.2.1.3 - 6.1.2.1.3.5 раздела 2; Моноспектральные датчики изображения и многоспектральные датчики изображения, разработанные для применения при дистанционном зондировании и имеющие любую из следующих характеристик: а) мгновенное поле обзора (МПО) менее 200 мкрад; или б) разработанные для функционирования в диапазоне длин волн от 400 нм до 30 000 нм и обладающие всеми нижеперечисленными свойствами: обеспечивающие выходные данные изображения в цифровом формате; пригодные для применения в космосе или разработанные для функционирования на борту летательного аппарата при использовании некремниевых детекторов; и имеющие МПО менее 2,5 мрад Особое примечание. В отношении многоспектральных датчиков изображения, указанных в пункте 6.1.2.2, см. также пункт 6.1.2.2 раздела 2 Оборудование прямого наблюдения изображения, работающее в видимом диапазоне или ИК-диапазоне и содержащее любую из следующих составляющих: Электронно-оптические преобразователи, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.2.1; или Решетки фокальной плоскости, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.3 Техническое примечание. Под оборудованием прямого наблюдения изображения подразумевается оборудование для получения изображения, работающее в видимом диапазоне или ИК-диапазоне, которое представляет визуальное изображение человеку-наблюдателю без преобразования изображения в электронный сигнал для телевизионного дисплея и которое не может записывать или сохранять изображение фотографически, а также электронным или другим способом Примечание. По пункту 6.1.2.3 не контролируется следующее оборудование, содержащее фотокатоды на материалах, отличных от GaAs или GaInAs: а) промышленные или гражданские системы охранной сигнализации, системы управления движением транспорта или производственным движением и системы счета; б) медицинское оборудование; в) промышленное оборудование, используемое для инспекции, сортировки или анализа свойств материалов; г) датчики контроля пламени для промышленных печей; д) оборудование, специально разработанное для лабораторного использования Особое примечание. В отношении оборудования прямого наблюдения, указанного в пунктах 6.1.2.3 - 6.1.2.3.2, см. также пункты 6.1.2.3 - 6.1.2.3.2 раздела 2 Специальные вспомогательные компоненты для оптических датчиков: Криоохладители, пригодные для применения в космосе; Нижеперечисленные криоохладители, непригодные для применения в космосе, с температурой источника охлаждения ниже 218 К (-55°С): Замкнутого цикла с определенным техническими условиями средним временем наработки на отказ или средним временем наработки между отказами более 2500 ч; Саморегулирующиеся миниохладители Джоуля-Томсона с наружными диаметрами канала менее 8 мм; Оптические индикаторные волокна, специально изготовленные с заданным составом или структурой, либо модифицированные с помощью покрытия, чтобы обеспечить их акустическую, термическую, инерциальную, электромагнитную чувствительность или чувствительность к ядерному излучению Решетки фокальной плоскости, пригодные для применения в космосе, имеющие более 2048 элементов на решетку и максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм Особое примечание. В отношении решеток фокальной плоскости, указанных в пункте 6.1.2.5, см. также пункт 6.1.2.4 раздела 2 Камеры Особое примечание. Для камер, специально разработанных или модифицированных для подводного использования, см. пункты 8.1.2.4 и 8.1.2.5 Камеры контрольно-измерительных приборов и специально разработанные для них компоненты: Высокоскоростные записывающие кинокамеры, использующие любой формат пленки от 8 мм до 16 мм, в которых пленка непрерывно движется вперед в течение всего периода записи и которые способны записывать при скорости кадрирования более 13 150 кадров/с Примечание. По пункту 6.1.3.1.1 не контролируются записывающие кинокамеры, разработанные для гражданских целей; Механические высокоскоростные камеры, с неподвижной пленкой и скоростью записи более 1 000 000 кадров/с для полной высоты кадрирования 35-мм пленки или при пропорционально более высокой скорости для меньшей высоты кадров, или при пропорционально меньшей скорости для большей высоты кадров; Механические или электронные фотохронографы, имеющие скорость записи более 10 мм/мкс; Электронные камеры с кадрированием изображения, имеющие скорость более 1 000 000 кадров/с; Электронные камеры, имеющие все следующие характеристики: а) скорость электронного затвора (способность стробирования) менее 1 мкс на полный кадр; и б) время считывания, обеспечивающее скорость кадрирования более 125 полных кадров в секунду Примечание. Измерительные камеры с модульными конструкциями, контролируемые по пунктам 6.1.3.1.3 - 6.1.3.1.5, должны оцениваться их максимальной способностью использования подходящих сменных модулей в соответствии со спецификацией изготовителя; Сменные модули, имеющие все следующие характеристики: а) специально разработанные для камер контрольно-измерительных приборов, имеющих модульную структуру и контролируемых по пункту 6.1.3.1; и б) дающие возможность камерам удовлетворять характеристикам, установленным в пунктах 6.1.3.1.3 - 6.1.3.1.5, в соответствии с техническими требованиями производителей Камеры формирования изображения: Видеокамеры, включающие твердотельные датчики, имеющие максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от более 10 нм до 30 000 нм включительно и все следующее: а) имеющие любую из следующих характеристик: более 4 х 10(6) активных пикселей на твердотельную матрицу для монохромных (черно-белых) камер; более 4 х 10(6) активных пикселей на твердотельную матрицу для цветных камер, включающих три твердотельные матрицы; или более 12 х 10(6) активных пикселей для цветных камер на основе одной твердотельной матрицы; и б) имеющие любую из следующих характеристик: оптические зеркала, контролируемые по пункту 6.1.4.1; оборудование оптического контроля, контролируемое по пункту 6.1.4.4; или способность комментирования отслеживаемых данных, накопленных внутри камеры Технические примечания: 1. Для целей настоящего пункта цифровые видеокамеры должны оцениваться максимальным числом активных пикселей, используемых для фиксации движущихся изображений 2. Для целей настоящего пункта термин "отслеживаемые данные камеры" означает информацию, необходимую для определения ориентации по линии визирования камеры относительно земли. Это включает: а) азимутальный угол линии визирования камеры, образованный относительно направления магнитного поля земли; и б) вертикальный угол между линией визирования камеры и горизонтом земли; Сканирующие камеры и системы на основе сканирующих камер, имеющие все следующие характеристики: а) максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от более 10 нм до 30 000 нм включительно; б) линейные детекторные матрицы с более чем 8192 элементами на матрицу; и в) механическое сканирование в одном направлении; Камеры формирования изображений, содержащие электронно-оптические преобразователи, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.2.1; Камеры формирования изображений, включающие решетки фокальной плоскости, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.3 Примечание. По пункту 6.1.3.2.4 не контролируются камеры формирования изображений, содержащие линейные решетки фокальной плоскости с 12 или меньшим числом элементов, не применяющих задержку по времени и интегрирование в элементе, разработанные для любого из следующего: а) промышленных или гражданских систем охранной сигнализации, систем управления движением транспорта или производственным движением и систем счета; б) производственного оборудования, используемого для контроля или мониторинга тепловых потоков в зданиях, оборудовании или производственных процессах; в) производственного оборудования, используемого для контроля, сортировки или анализа свойств материалов; г) оборудования, специально разработанного для лабораторного использования; д) медицинского оборудования Примечание. По пункту 6.1.3.2 не контролируются телевизионные или видеокамеры, специально разработанные для телевизионного вещания Особое примечание. В отношении камер формирования изображения, указанных в пунктах 6.1.3.2.3 и 6.1.3.2.4, см. также пункты 6.1.3.1 - 6.1.3.1.2 раздела 2 Оптика Оптические зеркала (рефлекторы): Деформируемые зеркала, имеющие сплошные или многоэлементные поверхности, и специально разработанные для них компоненты, которые способны динамически осуществлять перерегулировку положения частей поверхности зеркала с частотой выше 100 Гц; Легкие монолитные зеркала, имеющие среднюю эквивалентную плотность менее 30 кг/кв. м и общую массу более 10 кг; Зеркала из легких композиционных или пенообразных материалов, имеющие среднюю эквивалентную плотность менее 30 кг/кв. м и общую массу более 2 кг; Зеркала для управления лучом с диаметром или длиной главной оси более 100 мм, имеющие плоскостность 1/2 длины волны или лучше (длина волны равна 633 нм) и ширину полосы частот управления более 100 Гц Оптические компоненты, изготовленные из селенида цинка (ZnSe) или сульфида цинка (ZnS), с полосой пропускания от 3000 нм до 25 000 нм, имеющие любую из следующих характеристик: а) объем более 100 куб. см; или б) диаметр или длину главной оси более 80 мм и толщину (глубину) более 20 мм Компоненты для оптических систем, пригодные для применения в космосе: Оптические элементы облегченного типа с эквивалентной плотностью менее 20% по сравнению со сплошной заготовкой с теми же апертурой и толщиной; Необработанные подложки, обработанные подложки с поверхностным покрытием (однослойным или многослойным, металлическим или диэлектрическим, проводящим, полупроводящим или изолирующим) или имеющие защитные пленки; Сегменты или системы зеркал, предназначенные для сборки в космосе в оптическую систему с приемной апертурой, равной или больше одного оптического метра в диаметре; Изготовленные из композиционных материалов, имеющих коэффициент линейного термического расширения, равный или меньше 5 х 10(-6) в любом направлении Особое примечание. В отношении компонентов оптических систем, указанных в пунктах 6.1.4.3 - 6.1.4.3.4, см. также пункты 6.1.4.1 - 6.1.4.1.4 раздела 2 Оборудование оптического контроля: Специально разработанное для поддержания профиля поверхности или ориентации оптических компонентов, пригодных для применения в космосе, контролируемых по пункту 6.1.4.3.1 или 6.1.4.3.3; Имеющее управление, слежение, стабилизацию или юстировку резонатора в полосе частот, равной или выше 100 Гц, и погрешность 10 мкрад или менее; Кардановы подвесы, имеющие все следующие характеристики: а) максимальный угол поворота более 5°; б) ширину полосы, равную или выше 100 Гц; в) ошибки угловой наводки, равные или меньше 200 мкрад; и г) имеющие любую из следующих характеристик: диаметр или длину главной оси более 0,15 м, но не более 1 м и допускающие угловые ускорения более 2 рад/с(2); или диаметр или длину главной оси более 1 м и допускающие угловые ускорения более 0,5 рад/с(2); Специально разработанное для поддержания юстировки фазированной решетки или систем зеркал с фазированными сегментами, содержащее зеркала с диаметром сегмента или длиной главной оси 1 м или более Особое примечание. В отношении оборудования оптического контроля, указанного в пунктах 6.1.4.4 - 6.1.4.4.4, см. также пункты 6.1.4.2 - 6.1.4.2.4 раздела 2 Асферические оптические элементы, имеющие все следующие характеристики: а) наибольший размер оптической апертуры более 400 мм; б) шероховатость поверхности менее 1 нм (среднеквадратичную) на выборочном участке длиной, равной или превышающей 1 мм; и в) абсолютную величину коэффициента линейного теплового расширения менее 3 x 10(-6)/К при температуре 25°С Технические примечания: 1. Асферический оптический элемент - любой элемент, используемый в оптической системе, оптическая поверхность или поверхности которого разработаны отличающимися от формы идеальной сферы 2. Изготовители не нуждаются в измерении шероховатости поверхности, указанной в подпункте "б" пункта 6.1.4.5, за исключением тех случаев, когда оптический элемент разработан или изготовлен с целью соответствия или превышения контрольного параметра Примечание. По пункту 6.1.4.5 не контролируются асферические оптические элементы, имеющие любые из следующих характеристик: а) наибольший размер оптической апертуры менее 1 м и относительное отверстие, равное или больше 4,5:1 (отношение диаметра к фокусному расстоянию, равное или больше 4,5:1); б) наибольший размер оптической апертуры, равный или больше 1 м, и относительное отверстие, равное или больше 7:1 (отношение диаметра к фокусному расстоянию, равное или больше 7:1); в) разработанные в качестве Френелевого, плавающего видеосенсора, полосы, призмы или дифракционных оптических элементов; г) изготовленные из боросиликатного стекла, имеющего коэффициент линейного теплового расширения более 2,5 х 10(-6)/К при температуре 25°С; или д) являющиеся оптическими элементами для рентгеновских лучей, обладающие свойствами внутреннего отражения (например: зеркала трубчатого типа) Особое примечание. Для асферических оптических элементов, специально разработанных для литографического оборудования, см. пункт 3.2.1 Лазеры Лазеры, компоненты и оптическое оборудование: Примечания: 1. Импульсные лазеры включают лазеры, работающие в квазинепрерывном режиме с перекрытием импульсов 2. Лазеры с импульсной накачкой включают лазеры, работающие в непрерывном режиме при перекрывающихся импульсах накачки 3. Контрольный статус рамановских лазеров определяется параметрами лазерного источника накачки. Лазерным источником накачки может быть любой лазер, рассматриваемый ниже Газовые лазеры: Эксимерные лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: а) выходную длину волны не более 150 нм и имеющие любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 50 мДж; или среднюю выходную мощность более 1 Вт; б) выходную длину волны в диапазоне от 150 нм до 190 нм и имеющие любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж; или среднюю выходную мощность более 120 Вт; в) выходную длину волны в диапазоне от 190 нм до 360 нм и имеющие любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 10 Дж; или среднюю выходную мощность более 500 Вт; или г) выходную длину волны более 360 нм и имеющие любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж; или среднюю выходную мощность более 30 Вт Особое примечание. Для эксимерных лазеров, специально разработанных для литографического оборудования, см. пункт 3.2.1; Лазеры на парах металла: Медные (Cu) лазеры, имеющие среднюю выходную мощность более 20 Вт; Золотые (Аu) лазеры, имеющие среднюю выходную мощность более 5 Вт; Натриевые (Na) лазеры, имеющие выходную мощность более 5 Вт; Бариевые (Ва) лазеры, имеющие среднюю выходную мощность более 2 Вт; Лазеры на оксиде углерода (СО), имеющие любую из следующих характеристик: а) выходную энергию в импульсе более 2 Дж и пиковую мощность более 5 кВт; или б) среднюю мощность или выходную мощность в непрерывном режиме более 5 кВт; Лазеры на диоксиде углерода (СО2), имеющие любую из следующих характеристик: а) выходную мощность в непрерывном режиме более 15 кВт; б) длительность импульсов в импульсном режиме более 10 мкс и имеющие любую из следующих характеристик: среднюю выходную мощность более 10 кВт; или пиковую мощность более 100 кВт; или в) длительность импульсов в импульсном режиме, равную или меньше 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик: энергию в импульсе более 5 Дж; или среднюю выходную мощность более 2,5 кВт; Химические лазеры: Лазеры на фториде водорода (HF); Лазеры на фториде дейтерия (DF); Переходные лазеры: а) кислородно-йодные (O2-I) лазеры; б) фторид дейтерия-диоксид-углеродные (DF-CO2) лазеры; Лазеры на ионах аргона (Ar) или криптона (Кг), имеющие любую из следующих характеристик: а) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность импульса более 50 Вт; или б) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 50 Вт; Другие газовые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: а) выходную длину волны не более 150 нм и имеющие любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 50 мДж и пиковую мощность более 1 Вт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт; б) выходную длину волны в диапазоне от 150 нм до 800 нм и имеющие любую из следующих характеристик: 1) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт; или 2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 30 Вт; в) выходную длину волны от 800 нм до 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 0,25 Дж и пиковую мощность более 10 Вт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 10 Вт; или г) выходную длину волны более 1400 нм и среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт Примечание. По пункту 6.1.5.1.7 не контролируются азотные лазеры; Полупроводниковые лазеры: Примечания: 1. Пункт 6.1.5.2 включает полупроводниковые лазеры, имеющие оптические выходные соединители (например, волоконно-оптические гибкие проводники) 2. Контрольный статус полупроводниковых лазеров, специально разработанных для другого оборудования, определяется статусом контроля этого другого оборудования; Одиночные с одной поперечной модой полупроводниковые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: а) длину волны, равную или меньше 1510 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 1,5 Вт; или б) длину волны более 1510 нм и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 500 мВт; Одиночные с многократными поперечными модами полупроводниковые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: а) длину волны менее 1400 нм и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 10 Вт; б) длину волны, равную или больше 1400 нм, но менее 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 2,5 Вт; или в) длину волны, равную или больше 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 1 Вт; Матрицы отдельных полупроводниковых лазеров, имеющие любую из следующих характеристик: а) длину волны менее 1400 нм и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 80 Вт; б) длину волны, равную или больше 1400 нм, но менее 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 25 Вт; или в) длину волны, равную или больше 1900 нм, и имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме, превышающую 10 Вт Наборы матриц полупроводниковых лазеров, включающие по меньшей мере одну матрицу, которая контролируется по пункту 6.1.5.2.3 Технические примечания: 1. Полупроводниковые лазеры обычно называются лазерными диодами 2. Матрица состоит из повторяющихся излучателей полупроводникового лазера, скомпонованных как однокристальная микросхема таким образом, чтобы центры пучков излучаемого света находились на параллельных траекториях 3. Набор матриц компонуется наложением или иным способом сборки матриц таким образом, чтобы центры пучков излучаемого света находились на параллельных траекториях Твердотельные лазеры: Перестраиваемые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: а) выходную длину волны менее 600 нм и имеющие любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт; б) выходную длину волны 600 нм или более, но не более 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 1 Дж и импульсную пиковую мощность более 20 Вт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 20 Вт; или в) выходную длину волны более 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт Примечание. Пункт 6.1.5.3.1 включает титано-сапфировые (Ti:Al2O3), тулий-YAG (Tm:YAG), тулий-YSGG (Tm:YSGG) лазеры, лазеры на александрите (Cr:ВеАl2O4) и лазеры на центрах окраски; Неперестраиваемые лазеры: Примечание. Пункт 6.1.5.3.2 включает твердотельные лазеры на атомных переходах Лазеры на неодимовом стекле: Лазеры с модуляцией добротности, имеющие любую из следующих характеристик: а) выходную энергию в импульсе более 20 Дж, но не более 50 Дж и среднюю выходную мощность более 10 Вт; или б) выходную энергию в импульсе более 50 Дж; Лазеры без модуляции добротности, имеющие любую из следующих характеристик: а) выходную энергию в импульсе более50 Дж, но не более 100 Дж и среднюю выходную мощность более 20 Вт; или б) выходную энергию в импульсе более 100 Дж; Следующие лазеры с легированием неодимом (другие, нежели на стекле), имеющие выходную длину волны более 1000 нм, но не более 1100 нм: Особое примечание. Для лазеров с легированием неодимом (других, нежели на стекле), имеющих выходную длину волны менее 1000 нм или более 1100 нм, см. пункт 6.1.5.3.2.3 Лазеры с модуляцией добротности, импульсным возбуждением и синхронизацией мод или компрессией импульсов при вынужденном рассеянии Мандельштама-Бриллюэна длительностью импульса менее 1 нс и имеющие любую из следующих характеристик: а) пиковую мощность более 5 ГВт; б) среднюю выходную мощность более 10 Вт; или в) энергию в импульсе более 0,1 Дж; Лазеры с модуляцией добротности и импульсным возбуждением с длительностью импульса, равной или больше 1 не, и имеющие любую из следующих характеристик: а) одномодовое излучение поперечной моды, имеющее: пиковую мощность более 100 МВт; среднюю выходную мощность более 20 Вт; или энергию в импульсе более 2 Дж; или б) многомодовое излучение поперечных мод, имеющее: пиковую мощность более 400 МВт; среднюю выходную мощность более 2 кВт; или энергию в импульсе более 2 Дж; Лазеры с импульсным возбуждением без модуляции добротности, имеющие: а) одномодовое излучение поперечной моды, имеющее: пиковую мощность более 500 кВт; или среднюю выходную мощность более 150 Вт; или б) многомодовое излучение поперечных мод, имеющее: пиковую мощность более 1 МВт; или среднюю выходную мощность более 2 кВт; Лазеры с непрерывным возбуждением, имеющие: а) одномодовое излучение поперечной моды, имеющее: пиковую мощность более 500 кВт; или среднюю мощность или выходную мощность в непрерывном режиме более 150 Вт; или б) многомодовое излучение поперечных мод, имеющее: пиковую мощность более 1 МВт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 2 кВт; Другие неперестраиваемые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: а) длину волны менее 150 нм и: выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт; б) длину волны не менее 150 нм, но не более 800 нм и: выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 30 Вт; в) длину волны более 800 нм, но не более 1400 нм, а именно: 1) лазеры с модуляцией добротности, имеющие: выходную энергию в импульсе более 0,5 Дж и импульсную пиковую мощность более 50 Вт; или среднюю выходную мощность, превышающую: 10 Вт для лазеров с одной поперечной модой; 30 Вт для лазеров с несколькими поперечными модами; 2) лазеры без модуляции добротности, имеющие: выходную энергию в импульсе более 2 Дж и импульсную пиковую мощность более 50 Вт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 50 Вт; или г) длину волны более 1400 нм и любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 100 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт; Лазеры на красителях и других жидкостях, имеющие любую из следующих характеристик: а) длину волны менее 150 нм и имеющие любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт; б) длину волны 150 нм или более, но не более 800 нм и имеющие любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и импульсную пиковую мощность более 20 Вт; среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 20 Вт; или импульсный генератор, работающий на одной продольной моде со средней выходной мощностью более 1 Вт и частотой повторения импульсов выше 1 кГц, если длительность импульса менее 100 нс; в) длину волны более 800 нм, но не более 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 0,5 Дж и импульсную пиковую мощность более 10 Вт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме не более 10 Вт; или г) длину волны более 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик: выходную энергию в импульсе более 100 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт; Следующие компоненты: Зеркала, охлаждаемые либо активным методом, либо методом тепловой трубы Техническое примечание. Активным охлаждением является метод охлаждения оптических компонентов, в котором используется течение жидкости по субповерхности (расположенной обычно менее чем в 1 мм под оптической поверхностью) оптического компонента для отвода тепла от оптики: Оптические зеркала или прозрачные или частично прозрачные оптические или электрооптические компоненты, специально разработанные для использования с контролируемыми лазерами; Оптическое оборудование следующих видов: Оборудование, измеряющее динамический волновой фронт (фазу), использующее по крайней мере 50 позиций на волновом фронте луча, имеющее любую из следующих характеристик: а) частоту кадров, равную или выше 100 Гц, и фазовую дискриминацию, составляющую по крайней мере 5% от длины волны луча; или б) частоту кадров, равную или выше 1000 Гц, и фазовую дискриминацию, составляющую по крайней мере 20% от длины волны луча; Оборудование лазерной диагностики, способное измерять погрешности углового управления положением луча лазера сверхвысокой мощности, равные или меньше 10 мкрад; Оптическое оборудование и компоненты, специально разработанные для использования в системе лазера сверхвысокой мощности с фазированными решетками для суммирования когерентных лучей с точностью 1/10 длины волны или 0,1 мкм, в зависимости от того, какая из величин меньше; Проекционные телескопические оптические системы, специально разработанные для использования с системами лазеров сверхвысокой мощности Магнитометры Магнитометры, магнитные градиентометры, внутренние магнитные градиентометры и компенсационные системы и специально разработанные для них компоненты: Следующие магнитометры и их подсистемы: Использующие технологию сверхпроводящих материалов (сверхпроводящих квантовых интерференционных датчиков или СКВИДов) и имеющие любую из следующих характеристик: а) системы СКВИДов, разработанные для стационарной эксплуатации, без специально разработанных подсистем, предназначенных для уменьшения шума в движении, и имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность), равный или меньше (лучше) 50 фТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц; или б) системы СКВИДов, специально разработанные для устранения шума в движении и имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) магнитометра в движении меньше (лучше) 20 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц; Использующие технологии оптической накачки или ядерной прецессии (протонной/Оверхаузера), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) меньше (лучше) 20 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах Особое примечание. В отношении магнитометров и их подсистем, указанных в пункте 6.1.6.1.2, см. также пункт 6.1.5.1 раздела 2; Использующие технологию феррозондов (магнитомодуляционных датчиков), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность), равный или меньше (лучше) 10 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц; Магнитометры с катушкой индуктивности, имеющие среднеквадратичное значение уровня шума (чувствительности) меньше (лучше), чем любой из следующих показателей: а) 0,05 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте ниже 1 Гц; б) 1 х 10(-3) нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц или выше, но не выше 10 Гц; или в) 1 х 10(-4) нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частотах выше 10 Гц; Волоконно-оптические магнитометры со среднеквадратичным уровнем шума (чувствительностью) меньше (лучше) 1 нТ, деленной на корень квадратный из частоты в герцах; Следующие магнитные градиентометры: Магнитные градиентометры, использующие наборы магнитометров, контролируемых по пункту 6.1.6.1; Волоконно-оптические внутренние магнитные градиентометры со среднеквадратичным уровнем шума (чувствительностью) градиента магнитного поля меньше (лучше) 0,3 нТ/м, деленных на корень квадратный из частоты в герцах; Внутренние магнитные градиентометры, использующие технологию, отличную от волоконно-оптической, со среднеквадратичным уровнем шума (чувствительностью) градиента магнитного поля меньше (лучше) 0,015 нТ/м, деленных на корень квадратный из частоты в герцах; Магнитокомпенсационные системы для магнитных датчиков, разработанных для применения на подвижных платформах Особое примечание. В отношении магнитокомпенсационных систем, указанных в пункте 6.1.6.3, см. также пункт 6.1.5.2 раздела 2; Примечание. По пункту 6.1.6 не контролируются инструменты, специально разработанные для биомагнитных измерений медицинской диагностики Гравиметры Гравиметры и гравитационные градиентометры: Гравиметры, разработанные или модифицированные для наземного использования, со статической точностью меньше (лучше) 10 микрогалей Примечание. По пункту 6.1.7.1 не контролируются наземные гравиметры типа кварцевых элементов (Уордена); Гравиметры, разработанные для мобильных средств, имеющие все следующие характеристики: а) статическую точность меньше (лучше) 0,7 миллигалей; и б) рабочую точность меньше (лучше) 0,7 миллигалей со временем регистрации в состоянии готовности менее 2 мин в любой комбинации корректирующих компенсаций и влияния движения; Гравитационные градиентометры Радиолокаторы Локационные системы, оборудование и узлы, имеющие любую из следующих характеристик, и специально разработанные для них компоненты: Работают на частотах от 40 ГГц до 230 ГГц и имеют среднюю выходную мощность более 100 мВт; Имеют перестраиваемую рабочую полосу частот, ширина которой превышает +- 6,25% от центральной рабочей частоты Техническое примечание. Центральная рабочая частота равна половине суммы наибольшей и наименьшей номинальных рабочих частот; Имеют возможность работать одновременно на двух или более несущих частотах; Имеют возможность работы в режимах радиолокационных станций (РЛС) с синтезированной апертурой или обратной синтезированной апертурой или в режиме локатора бокового обзора воздушного базирования Особое примечание. В отношении локационных систем, оборудования и узлов, указанных в пункте 6.1.8.4, см. также пункт 6.1.6.1 раздела 2; Включают фазированные антенные решетки с электронным управлением диаграммой направленности; Определяют высотные одиночные цели Примечание. По пункту 6.1.8.6 не контролируется прецизионное радиолокационное оборудование для контроля захода на посадку, соответствующее стандартам ИКАО; Специально разработаны для воздушного базирования (устанавливаются на воздушном шаре или летательном аппарате) и имеют допплеровскую обработку сигнала для обнаружения движущихся целей; Используют обработку сигналов локатора с применением: а) методов расширения спектра РЛС; или б) методов радиолокации с быстрой перестройкой частоты Особое примечание. В отношении РЛС, указанных в пункте 6.1.8.8, см. также пункт 6.1.6.2 раздела 2; Обеспечивают наземное функционирование с максимальной инструментальной дальностью действия более 185 км Примечание. По пункту 6.1.8.9 не контролируются: а) обзорные РЛС для рыболовецких целей; б) наземные РЛС, специально разработанные для управления воздушным движением в случае, когда они удовлетворяют всем следующим условиям: имеют максимальную инструментальную дальность действия 500 км или менее; сконфигурированы так, что данные с РЛС о цели могут быть переданы только в одну сторону от места нахождения локатора к одному или нескольким гражданским центрам управления воздушным движением (УВД) на маршруте; не содержат средств для дистанционного управления скоростью сканирования локатора из центра УВД на маршруте; и должны устанавливаться для постоянной работы; в) локаторы для слежения за метеорологическими воздушными шарами; Являются лазерными локационными станциями или лазерными дальномерами (ЛИДАРы), имеющими любую из следующих характеристик: а) пригодные для применения в космосе; или б) использующие методы когерентного гетеродинного или гомодинного детектирования и имеющие угловое разрешение меньше (лучше) 20 мкрад Примечание. По пункту 6.1.8.10 не контролируются ЛИДАРы, специально разработанные для геодезических или метеорологических целей; Имеют подсистемы обработки сигнала со сжатием импульса с любой из следующих характеристик: а) коэффициентом сжатия импульса более 150; или б) шириной импульса менее 200 нс Особое примечание. В отношении локационных систем, оборудования и узлов, указанных в пункте 6.1.8.11, см. также пункт 6.1.6.3 раздела 2; Имеют подсистемы обработки данных, обеспечивающие любое из нижеследующего: а) автоматическое сопровождение цели, обеспечивающее при любом повороте антенны определение прогнозируемого положения цели на время, превышающее время до следующего прохождения луча антенны; б) вычисление скорости цели от активной РЛС, имеющей непериодическое (варьируемое) сканирование; в) обработку сигнала для автоматического распознавания образов (выделение признаков) и сравнения с базами данных характеристик цели (формы сигналов или формирование изображений) для идентификации или классификации целей; или г) наложение и корреляция или синтез данных о цели от двух или более пространственно распределенных и взаимосвязанных радиолокационных датчиков для усиления распознавания целей Примечания: 1. По подпункту "а" пункта 6.1.8.12 не контролируются средства выдачи сигнала для предупреждения столкновений в системах контроля воздушного движения, морских или прибрежных РЛС 2. По подпункту "г" пункта 6.1.8.12 не контролируются системы, оборудование и узлы, используемые для контроля морского движения Особое примечание. В отношении локационных систем, оборудования и узлов, указанных в подпункте "в" пункта 6.1.8.12, см. также пункт 6.1.6.4 раздела 2 и пункт 6.1.3 раздела 3 Примечание. По пункту 6.1.8 не контролируются: а) обзорные РЛС с активным ответом; б) автомобильные РЛС, предназначенные для предотвращения столкновений; в) дисплеи или мониторы, используемые для управления воздушным движением (УВД), имеющие не более 12 различимых элементов на 1 мм; г) метеорологические локаторы Испытательное, контрольное и производственное оборудование Акустика - нет Оптические датчики - нет Камеры - нет Оптика Следующее оптическое оборудование: Оборудование для измерения абсолютной отражательной способности с погрешностью +- 0,1% от величины отражательной способности; Оборудование, отличное от оборудования для измерения оптического поверхностного рассеяния, имеющее незатемненную апертуру с диаметром более 10 см, специально разработанное для бесконтактного оптического измерения неплоской фигуры (профиля) оптической поверхности с точностью 2 нм или меньше (лучше) от требуемого профиля Примечание. По пункту 6.2.4 не контролируются микроскопы Лазеры - нет Магнитометры - нет Гравиметры Оборудование для производства, юстировки и калибровки гравиметров наземного базирования со статической точностью лучше 0,1 миллигала Радиолокаторы Импульсные локационные системы для измерения поперечного сечения, имеющие длительность передаваемых импульсов 100 нс или менее, и специально разработанные для них компоненты Особое примечание. В отношении импульсных локационных систем, указанных в пункте 6.2.8, см. также пункт 6.2.1 разделов 2 и 3 Материалы Акустика - нет Оптические датчики Материалы оптических датчиков: Теллур (Те) с чистотой 99,9995% или более; Монокристаллы (включая пластины с эпитаксиальными слоями) любого из следующего: а) теллурида цинка-кадмия с содержанием цинка менее 6% по мольным долям; б) теллурида кадмия (CdTe) любой чистоты; или в) теллурида ртути-кадмия (HgCdTe) любой чистоты Техническое примечание. Мольная доля определяется отношением молей ZnTe к сумме молей CdTe и ZnTe, присутствующих в кристалле Камеры - нет Оптика Следующие оптические материалы: Заготовки из селенида цинка (ZnSe) и сульфида цинка (ZnS), полученные химическим осаждением паров, имеющие любую из следующих характеристик: а) объем более 100 куб. см; или б) диаметр более 80 мм и толщину 20 мм или более; Були следующих электрооптических материалов: Арсенат титанила-калия (КТА); Селенид серебра-галлия (AgGaSe2); Селенид таллия-мышьяка (Tl3A_sSe3, известный также как TAS); Нелинейные оптические материалы, имеющие все следующие характеристики: а) кубичную восприимчивость (хи 3) 10(-6) кв. м/В2 или более; и б) время отклика менее 1 мс; Заготовки карбида кремния или осажденных материалов бериллия-бериллия (Ве/Ве) с диаметром или длиной главной оси более 300 мм; Стекло, в том числе кварцевое стекло, фосфатное стекло, фторофосфатное стекло, фторид циркония (ZrF4) и фторид гафния (HfF4), имеющее все следующие характеристики: а) концентрацию гидроксильных ионов (ОН-) менее 5 частей на миллион; б) интегральные уровни чистоты по металлам лучше 1 части на миллион; и в) высокую однородность (флуктуацию коэффициента преломления) менее 5 х 10(-6); Искусственный алмаз с поглощением менее 10(-5) см(-1) на длине волны от 200 нм до 14 000 нм Лазеры Синтетические кристаллические материалы (основа) лазера в виде заготовок: Сапфир, допированный титаном; Александрит Магнитометры - нет Гравиметры - нет Радиолокаторы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 6.1.4, 6.1.5, 6.1.8 или 6.2.8 Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 6.4.1, см. также пункт 6.4.1 разделов 2 и 3 Программное обеспечение, специально разработанное для использования оборудования, контролируемого по пункту 6.1.2.2, 6.1.8 или 6.2.8 Иное программное обеспечение, кроме указанного в пунктах 6.4.1 и 6.4.2: Акустика Программное обеспечение следующих видов: Программное обеспечение, специально разработанное для формирования акустического луча при обработке в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема с использованием буксируемых гидрофонных решеток; Исходная программа для обработки в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема с использованием буксируемых гидрофонных решеток; Программное обеспечение, специально разработанное для формирования акустического луча при обработке акустических данных в реальном масштабе времени при пассивном приеме донными или погруженными кабельными системами; Исходная программа для обработки в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема донными или погруженными кабельными системами Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 6.4.3.1, см. также пункт 6.4.2 разделов 2 и 3; Оптические датчики - нет; Камеры - нет; Оптика - нет; Лазеры - нет; Магнитометры Программное обеспечение следующих видов: Программное обеспечение, специально разработанное для магнитокомпенсационных систем для магнитных датчиков, разработанных в целях работы на подвижных платформах; Программное обеспечение, специально разработанное для обнаружения магнитных аномалий на подвижных платформах; Гравиметры Программное обеспечение, специально разработанное для коррекции влияния движения гравиметров или гравитационных градиентометров; Радиолокаторы Программное обеспечение следующих видов: Программы для применения программного обеспечения для управления воздушным движением, установленные на компьютерах общего назначения, находящихся в центрах управления воздушным движением и обладающих любой из следующих возможностей: а) одновременной обработкой и отображением более 150 траекторий систем; или б) приемом радиолокационной информации о целях от более чем четырех активных РЛС; Программное обеспечение для разработки или производства обтекателей антенн радиолокаторов, которые: а) специально разработаны для защиты фазированных антенных решеток с электронным управлением диаграммой направленности, контролируемых по пункту 6.1.8.5; и б) обеспечивают средний уровень боковых лепестков более чем на 40 дБ ниже максимального уровня главного луча Техническое примечание. Средний уровень боковых лепестков, указанный в подпункте "б" пункта 6.4.3.8.2, измеряется целиком для всей решетки, за исключением диапазона углов, в который входят главный луч и первые два боковых лепестка по обе стороны главного луча Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования, материалов или программного обеспечения, контролируемых по пунктам 6.1 - 6.4 Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пункте 6.5.1, см. также пункт 6.5.1 разделов 2 и 3 Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования или материалов, контролируемых по пункту 6.1, 6.2 или 6.3 Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пункте 6.5.2, см. также пункт 6.5.2 разделов 2 и 3 Другие технологии: Акустика - нет; Оптические датчики - нет; Камеры - нет; Оптика Технологии следующих видов: Технология покрытия и обработки оптических поверхностей, требуемая для достижения однородности 99,5% или лучше, для оптических покрытий диаметром или длиной главной оси более 500 мм и с общими потерями (поглощение и рассеяние) менее 5 х10° Особое примечание. См. также пункт 2.5.3.6; Технология изготовления оптических изделий, использующая технику алмазной обработки, дающей точность финишной обработки неплоских поверхностей площадью более 0,5 кв. м с наибольшим среднеквадратичным отклонением от заданной поверхности менее 10 нм; Лазеры Технологии, требуемые для разработки, производства или использования специализированных диагностических инструментов или мишеней в испытательных установках для испытаний лазеров сверхвысокой мощности или испытаний, или оценки стойкости материалов, облучаемых лучами лазеров сверхвысокой мощности; Магнитометры - нет Гравиметры - нет Радиолокаторы - нет |
9015 80 910 0 9014 80 000 0; 9015 80 910 0 9014 80 000 0; 9015 80 910 0 9014 80 000 0; 9015 80 110 0 9014 80 000 0; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0 9014 80 000 0; 9014 90 000 0; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 8907 90 000 0; 9014 80 000 0; 9014 90 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0 8907 90 000 0; 9014 80 000 0; 9014 90 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8540 20 800 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8540 89 000 0 8540 20 800 0; 8540 99 000 0; 9005 8540 99 000 0; 9005 8418 69 000 9 8418 69 000 9 8418 69 000 9 9001 10 900 9013 80 900 0 9007 11 000 0; 9007 19 000 0 9007 19 000 0 9007 19 000 0 9007 19 000 0 9007 19 000 0 9007 19 000 0; 9007 91000 0 8525 80 8525 80 300 0; 8525 80 910; 8525 80 990 8525 80 300 0; 8525 80 910; 8525 80 990 8525 80 300 0; 8525 80 910; 8525 80 990 9001 90 000 0; 9002 90 000 0 9001 90 000 0; 9002 90 000 0 9001 90 000 0; 9002 90 000 0 9001 90 000 0; 9002 90 000 0 9001 90 000 0; 9002 90 000 0 9001 90 000 0; 9002 90 000 0 7014 00 000 0; 9001 90 000 0 900190 000 0; 9002 90 000 0 9003 90 000 0 9031 49 900 0; 9032 89 000 0 9031 49 900 0; 9032 89 000 0 8412 21 200 9; 8412 31 000 0; 8479 89 970 9; 9032 81 000 9; 9032 89 000 0 9032 89 000 0 9001 90 000 0; 9002 90 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 8541 40 100 0 8541 40 100 0 8541 40 100 0 8541 40 100 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9013 20 000 0 9001 90 000 0; 9002 90 000 0 9001 90 000 0; 9002 90 000 0 9031 49 900 0 9031 49 900 0 9013 90 900 0 9002 19 000 0 9015 80 110 0, 9015 80 930 0 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9015 80 930 0 9015 80 930 0 9015 80 930 0 8526 10 000 8526 10 000 8526 10 000 8526 10 000 8526 10 000 8526 10 000 8526 10 000 8526 10 000 8526 10 000 9015 10 100 0; 9015 10 900 0; 9031 80 340 0; 9031 80 910 0 8526 10 000 8526 10 000 9031 49 900 0 9031 49 900 0 9031 80 380 0 8526 10 000 9 2804 50 900 0 3818 00 900 0; 8107 90 000 0 2830 90 850 0; 2842 90 100 0 2842 90 800 0 2842 90 100 0 2842 90 100 0 7020 00 800 0 2849 20 000 0; 8112 19 000 0 700100 910 0; 7001 00 990 0; 7020 00 800 0 7104 20 000 0 7104 20 000 0 7104 20 000 0 |
Категория 7. Навигация и авиационная электроника | ||
7.1. 7.1.1. 7.1.2. 7.1.3. 7.1.3.1. 7.1.3.2. 7.1.3.3. 7.1.4. 7.1.5. 7.1.6. 7.2. 7.2.1. 7.2.2. 7.2.2.1. 7.2.2.2. 7.2.3. 7.3. 7.4. 7.4.1. 7.4.2. 7.4.3. 7.4.3.1. 7.4.3.2. 7.4.3.3. 7.4.3.4. 7.4.3.4.1. 7.4.3.4.2. 7.4.3.4.3. 7.4.3.4.4. 7.4.3.4.5. 7.4.3.4.6. 7.4.3.4.7. 7.4.3.5. 7.5. 7.5.1. 7.5.2. 7.5.3. 7.5.4. 7.5.4.1. 7.5.4.1.1. 7.5.4.1.2. 7.5.4.1.3. 7.5.4.1.4. 7.5.4.1.5. 7.5.4.1.6. 7.5.4.2. 7.5.4.2.1. 7.5.4.2.2. 7.5.4.2.3. 7.5.4.2.4. 7.5.4.2.5. 7.5.4.2.6. 7.5.4.3. 7.5.4.3.1. 7.5.4.3.2. 7.5.4.3.3. |
Системы, оборудование и компоненты Особое примечание. Для автоматических систем управления подводных аппаратов - см. категорию 8, для РЛС - категорию 6 Линейные акселерометры, разработанные для использования в инерциальных системах навигации или наведения и имеющие любую из следующих характеристик, и специально разработанные для них компоненты: а) стабильность смещения меньше (лучше) 130 микро g относительно фиксированной калиброванной величины на протяжении периода в 1 год; б) стабильность масштабного коэффициента меньше (лучше) 0,013% относительно фиксированной калиброванной величины на протяжении периода в 1 год; или в) предназначенные для работы при линейных ускорениях, превышающих 100 g Особое примечание. Для угловых или вращающихся акселерометров см. пункт 7.1.2 Гироскопы и угловые или вращающиеся акселерометры, имеющие любую из следующих характеристик, и специально разработанные для них компоненты: а) стабильность скорости дрейфа, измеренную в условиях приложения нормальной силы тяжести (1 g) на протяжении периода в 1 месяц относительно фиксированной калибровочной величины: меньше (лучше) 0,1° в час для предназначенных (по паспорту) для работы при линейных ускорениях ниже 12 g; или меньше (лучше) 0,5° в час для предназначенных (по паспорту) для работы при линейных ускорениях от 12 g до 100 g включительно; б) угловой случайный дрейф, равный или меньше (лучше) 0,0035 градуса, деленного на корень квадратный из времени в часах; или Примечание. По подпункту "б" пункта 7.1.2 не контролируются гироскопы с вращающейся массой (гироскопы с вращающейся массой - гироскопы, использующие непрерывно вращающуюся массу для определения углового перемещения) Техническое примечание. Для целей подпункта "б" пункта 7.1.2 угловой случайный дрейф - угловое отклонение, накопленное со временем, в результате белого шума на угловой частоте (стандарт IEEE STD 528-2001) в) предназначены (по паспорту) для работы при линейных ускорениях, превышающих 100 g Инерциальные системы и специально разработанные компоненты: Инерциальные навигационные системы (ИНС) на кардановом подвесе или бесплатформенные и инерциальное оборудование, разработанное для летательных аппаратов, наземных средств передвижения, судов (надводных или подводных) или космических аппаратов для ориентации в пространстве, наведения или управления, имеющие любую из следующих характеристик, и специально разработанные для них компоненты: а) навигационную ошибку (чисто инерциальную) после нормальной выставки от 0,8 морской мили (1500 м) в час кругового вероятного отклонения (КВО) или меньше (лучше); или б) предназначенные для работы при линейных ускорениях выше 10 g; Гибридные инерциальные навигационные системы, сопряженные с глобальной навигационной спутниковой системой (системами) (GNSS) или с навигационной системой (системами) на основе эталонных баз данных (DBRN) для определения положения в пространстве, наведения или управления после нормальной выставки, имеющие навигационную точность определения местоположения ИНС после потери связи с GNSS или DBRN на время до 4 минут меньше (лучше) 10 м КВО Инерциальное оборудование для указания азимута, курса или севера, имеющее любую из следующих характеристик, а также специально разработанные компоненты для него: а) разработанное для указания азимута, курса или севера со среднеквадратичной погрешностью, равной 6 угловым минутам или менее (лучше) от действующего значения на 45° широты; или б) разработанное с уровнем ударной нагрузки до нерабочего состояния в 900 g и более при продолжительности в 1 мс или более Примечания: 1. Параметры, указанные в пунктах 7.1.3.1 и 7.1.3.2, применимы для любого из следующих условий среды: а) суммарная эффективная случайная вибрация на входе равна 7,7 g (среднеквадратичная величина) в первые полчаса и полная продолжительность испытания вдоль каждой из трех взаимно перпендикулярных осей составляет полтора часа, при этом случайная вибрация характеризуется следующими параметрами: постоянная величина спектральной плотности мощности 0,04 g /Гц в частотном интервале от 15 Гц до 1000 Гц; и спектральная плотность мощности спадает в зависимости от частоты от 0,04 g2 /Гц до 0,0 lg2 /Гц в частотном интервале от 1000 Гц до 2000 Гц; б) скорости крена и рыскания равны или больше +2,62 рад/с (150 град/с); или в) условий, указанных в национальных стандартах, положения которых эквивалентны пунктам "а" и "б" настоящего примечания 2. По пункту 7.1.3 не контролируются инерциальные навигационные системы, сертифицированные для применения на гражданских летательных аппаратах 3. По подпункту "а" пункта 7.1.3.3 не контролируются теодолитовые системы, включающие инерциальное оборудование, специально разработанные для гражданских исследовательских целей Технические примечания: 1. К системам, указанным в пункте 7.1.3.2, относятся как ИНС, так и другие независимые навигационные вспомогательные средства, которые встраиваются (вставляются) в отдельную конструкцию и объединяются в целях достижения улучшенных характеристик 2. Круговое вероятное отклонение - это радиус круга в круговом нормальном распределении, включающего 50% проведенных отдельных измерений, или радиус круга, в котором распределяется 50% вероятности нахождения в нем Гироастрокомпасы и другие устройства, которые обеспечивают определение местоположения или ориентацию посредством автоматического слежения за небесными телами или спутниками с точностью по азимуту, равной или меньше (лучше) 5 угловых секунд Приемная аппаратура глобальных навигационных спутниковых систем (GPS или ГЛОНАСС), имеющая любую из следующих характеристик, и специально разработанные для нее компоненты: а) использующая дешифровку; или б) использующая антенну с управляемым положением нуля диаграммы направленности Бортовые альтиметры, работающие на частотах вне полосы от 4,2 ГГц до 4,4 ГГц включительно, имеющие любую из следующих характеристик: а) имеют управление мощностью; или б) используют амплитудную модуляцию с фазовым сдвигом Испытательное, контрольное и производственное оборудование Оборудование для испытаний, калибровки или юстировки, специально разработанное для оборудования, контролируемого по пункту 7.1 Примечание. По пункту 7.2.1 не контролируется оборудование для испытаний, калибровки или юстировки для технического обслуживания по первому или второму уровню Технические примечания: 1. Техническое обслуживание по первому уровню. Повреждение инерциального навигационного устройства на летательном аппарате обнаруживается по показаниям устройства контроля и отображения информации или по сообщению сигнализации от соответствующей подсистемы. Следуя инструкциям руководства по эксплуатации, определяется заменяемый блок, являющийся причиной нарушения. Затем оператор заменяет этот блок запасным 2. Техническое обслуживание по второму уровню. Неисправный заменяемый блок отправляется в ремонтную организацию (непосредственно производителю или организации, ответственной за техническое обслуживание по второму уровню). В ремонтной организации неисправный блок испытывается соответствующими средствами, в целях проверки и поиска неисправного модуля сборки. Эта сборка заменяется запасной в заводских условиях. Поврежденная сборка (или, возможно, блок целиком) возвращается изготовителю. Техническое обслуживание по второму уровню не включает извлечение подпадающих под контроль акселерометров и гироскопических датчиков из заменяемой в заводских условиях сборки Оборудование, специально разработанное для измерения характеристик зеркал кольцевых лазерных гироскопов. Рефлектометры, имеющие точность измерений в 10 миллионных долей или меньше (лучше); Профилометры, имеющие точность измерений в 0,5 нм (5 ангстрем) или меньше (лучше) Оборудование, специально разработанное для производства оборудования, контролируемого по пункту 7.1 Примечание. Пункт 7.2.3 включает: а) испытательные установки для регулирования гироскопов; б) установки для динамической балансировки гироскопов; в) установки для испытания гиромоторов; г) установки для наполнения и откачки рабочего вещества гироскопа; д) центрифуги для гироподшипников; е) установки для выравнивания осей акселерометра Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 7.1 или 7.2 Исходная программа для использования в любом инерциальном навигационном оборудовании, включая инерциальное оборудование, не контролируемое по пункту 7.1.3 или 7.1.4, либо в инерциальных курсовертикалях Примечание. По пункту 7.4.2 не контролируются исходные программы для использования в инерциальных курсовертикалях с кардановым подвесом Техническое примечание. Инерциальная курсовертикаль, как правило, отличается от инерциальной навигационной системы (ИНС) тем, что она обеспечивает информацией об угловых координатах летательного аппарата и обычно не дает информации об ускорении, скорости и пространственных координатах, которую дают ИНС Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 7.4.2, см. также пункт 7.4.1 раздела 2 Иное программное обеспечение, кроме указанного в пунктах 7.4.1 и 7.4.2: Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для улучшения эксплуатационных характеристик или уменьшения навигационной ошибки систем до уровней, указанных в пункте 7.1.3 или 7.1.4 Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 7.4.3.1, см. также пункт 7.4.2.1 раздела 2 и пункт 7.4.1 раздела 3; Исходная программа для гибридных интегрированных систем, которые улучшают эксплуатационные характеристики или уменьшают навигационную ошибку систем до уровней, указанных в пункте 7.1.3, при непрерывном комбинировании инерциальных данных с данными любой из следующих систем: а) допплеровского определителя скорости; б) глобальной навигационной спутниковой системы (GPS или ГЛОНАСС); или в) навигационных систем на основе эталонных баз данных (DBRN) Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 7.4.3.2, см. также пункт 7.4.2.2 раздела 2 и пункт 7.4.2 раздела 3; Исходная программа для интегрированных авиационных или космических систем, которая объединяет данные измерений датчиков и использует экспертные системы Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 7.4.3.3, см. также пункт 7.4.2.3 раздела 2; Исходная программа для разработки любого из следующего: Цифровых систем управления полетом для общего управления полетом; Интегрированных систем управления двигателями и полетом; Электродистанционных или оптико-дистанционных систем управления полетом; Отказоустойчивых или реконфигурируемых активных систем управления полетом; Бортового автоматического радиопеленгационного оборудования; Систем воздушных сигналов, основанных на измерении статического давления на поверхности летательного аппарата; или Растровых индикаторов, проецирующих показания приборов на лобовом стекле, или трехмерных дисплеях Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пунктах 7.4.3.4.1 - 7.4.3.4.4 и 7.4.3.4.7, см. также пункты 7.4.2.4 - 7.4.2.4.5 раздела 2; Программное обеспечение систем автоматизированного проектирования, специально разработанное для разработки активных систем управления полетом, многоканальных систем электродистанционного или оптико-дистанционного управления вертолетом или систем управления циркуляцией в целях создания управляющих сил и моментов или компенсации реактивного момента ротора вертолета, технологии разработки которых контролируются по пункту 7.5.4.2, 7.5.4.3.1 или 7.5.4.3.2 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 7.1, 7.2 или 7.4 Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пункте 7.5.1, см. также пункт 7.5.1 раздела 2 Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования, контролируемого по пункту 7.1 или 7.2 Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пункте 7.5.2, см. также пункт 7.5.2 раздела 2 Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для ремонта, капитального ремонта или восстановления оборудования, контролируемого по пунктам 7.1.1 - 7.1.4 Примечание. По пункту 7.5.3 не контролируются технологии технического обслуживания, непосредственно связанного с калибровкой, демонтажем или заменой неисправных или непригодных к эксплуатации блоков аппаратуры гражданских летательных аппаратов, заменяемых эксплуатирующей или ремонтной организацией в соответствии с процедурами, описанными в технических примечаниях к пункту 7.2.1 Иные технологии, кроме указанных в пунктах 7.5.1 - 7.5.3: Технологии разработки или производства: Бортового автоматического радиопеленгационного оборудования, работающего на частотах выше 5 МГц; Систем воздушных сигналов, основанных только на измерении статического давления на поверхности летательного аппарата, то есть систем, в которых не используются обычные датчики воздушных параметров; Растровых индикаторов, проецирующих показания приборов на лобовое стекло, или трехмерных дисплеев; Инерциальных навигационных систем или гироастрокомпасов, содержащих в себе акселерометры или гироскопы, контролируемые по пункту 7.1.1 или 7.1.2; Электрических приводов (то есть электромеханических, электрогидравлических и интегрированных исполнительных блоков), специально разработанных для основной системы управления полетом (прямого управления полетом); Распределенных оптических датчиков, использующих лучи лазера (групп оптических датчиков системы управления полетом), специально разработанных для применения в активных системах управления полетом; Технологии разработки, необходимые для активных систем управления полетом (включая электродистанционные и оптико-дистанционные системы управления): Конфигураций, предназначенных для связи множества микропроцессоров (бортовых компьютеров), реализующих законы управления в реальном масштабе времени; Алгоритмов управления с компенсацией влияния расположения датчиков или динамических нагрузок на конструкцию летательного аппарата, то есть с компенсацией вибрационного фона датчика или смещения датчиков относительно центра тяжести; Электронного управления резервированием данных или системным резервированием для выявления отказа, повышения отказоустойчивости, локализации отказа или реконфигурации Примечание. По пункту 7.5.4.2.3 не контролируется технология проектирования физического запаса; Управления летательным аппаратом, которое позволяет автономно изменять структуру сил и моментов в полете в реальном масштабе времени; Объединения цифровых систем управления полетом, навигации и управления двигательной установкой в интегрированную цифровую систему управления полетом Примечание. По пункту 7.5.4.2.5 не контролируются: а) технологии разработки интегрированных цифровых систем управления полетом, навигации и управления двигательной установкой для оптимизации траектории полета; б) технологии разработки интегрированных авиационных средств навигации при посадке и заходе на посадку, объединяющих навигационную информацию, поступающую от различных инструментальных средств обеспечения посадки; Полностью автономной цифровой системы управления полетом или управления многодатчиковыми системами, в которых используются экспертные системы Особое примечание. Для технологий электронно-цифровой системы управления двигателем (FADEC) см. пункт 9.5.3.1.9; Технология разработки следующих вертолетных систем: Многокоординатных средств электродистанционного или оптико-дистанционного управления, в которых по крайней мере две из следующих функций объединяются в один управляющий элемент: а) общее управление; б) управление креном; в) управление рысканием; Систем управления циркуляцией для создания управляющих сил и моментов или компенсации реактивного момента ротора вертолета; Лопастей несущего винта, сконструированных с использованием аэродинамических профилей с изменяемой геометрией для систем с индивидуально управляемыми лопастями |
9014 20; 9032 89 000 0 9014 20 200 0; 9032 89 000 0 9014 10 000 0; 9014 20 9014 10 000 0; 9014 20; 9014 80 000 0; 9014 90 000 0 9014 20; 9014 80 000 0 9014 20; 9014 80 000 0 8526 10 000 9; 8526 91 200 0 9031 10 000 0; 903120 000 0; 9031 80 9031 80 9031 80 8413; 8421 19 200; 8421 19 700; 9031 10 000 0; 9031 20 000 0; 9031 80 |
Категория 8. Морское дело | ||
8.1. 8.1.1. 8.1.1.1. 8.1.1.2. 8.1.1.2.1. 8.1.1.2.2. 8.1.1.2.3. 8.1.1.3. 8.1.1.3.1. 8.1.1.3.2. 8.1.1.4. 8.1.1.4.1. 8.1.1.4.2. 8.1.1.4.3. 8.1.1.5. 8.1.1.6. 8.1.1.7. 8.1.1.8. 8.1.1.9. 8.1.2. 8.1.2.1. 8.1.2.1.1. 8.1.2.1.2. 8.1.2.1.3. 8.1.2.2. 8.1.2.3. 8.1.2.4. 8.1.2.4.1. 8.1.2.4.1.1. 8.1.2.4.1.2. 8.1.2.4.1.3. 8.1.2.4.2. 8.1.2.5. 8.1.2.6. 8.1.2.7. 8.1.2.7.1. 8.1.2.7.2. 8.1.2.8. 8.1.2.9. 8.1.2.10. 8.1.2.10.1. 8.1.2.10.2. 8.1.2.10.3. 8.1.2.10.4. 8.1.2.11. 8.1.2.12. 8.1.2.13. 8.1.2.14. 8.1.2.15. 8.1.2.15.1. 8.1.2.15.1.1 . 8.1.2.15.1.2 . 8.1.2.15.1.3 . 8.1.2.15.1.4 . 8.1.2.15.1.5 . 8.1.2.15.2. 8.1.2.15.2.1 . 8.1.2.15.2.2 . 8.1.2.15.2.3 . 8.1.2.15.2.4 . 8.1.2.15.2.5 . 8.1.2.15.3. 8.1.2.15.3.1 . 8.1.2.15.3.2 . 8.1.2.16. 8.1.2.17. 8.2. 8.2.1. 8.3. 8.3.1. 8.4. 8.4.1. 8.4.2. 8.5. 8.5.1. 8.5.2. 8.5.2.1. 8.5.2.2. |
Системы, оборудование и компоненты Подводные аппараты и надводные суда: Особое примечание. Для оценки контрольного статуса оборудования подводных аппаратов необходимо руководствоваться: для оборудования передачи зашифрованной информации - частью 2 категории 5 (Защита информации); применительно к датчикам - категорией 6; для навигационного оборудования - категориями 7 и 8; для подводного оборудования - пунктом 8.1 Обитаемые, привязанные к базе подводные аппараты, предназначенные для работы на глубинах более 1000 м; Обитаемые, непривязные подводные аппараты, имеющие любую из следующих характеристик: Спроектированные для работы в автономном режиме и имеющие все следующие характеристики по подъемной силе: а) 10% или более их собственного веса (веса в воздухе); и б) 15 кН или более; Спроектированные для работы на глубинах более 1000 м; или Имеющие все следующие характеристики: а) экипаж из четырех или более человек; б) возможность автономной работы в течение 10 часов или более; в) радиус действия 25 морских миль или более; и г) длину 21 м или менее Технические примечания: 1. Для целей пункта 8.1.1.2 термин "автономная работа" означает, что аппараты полностью погружаются без шнорхеля, все их системы функционируют и обеспечивают плавание на минимальной скорости, при которой глубиной погружения можно безопасно управлять в динамике с использованием только глубинных рулей без участия надводного судна поддержки или базы на поверхности, на дне или на берегу; аппараты имеют двигательную установку для движения в подводном и надводном состоянии 2. Для целей пункта 8.1.1.2 термин "радиус действия" означает половину максимального расстояния, которое может преодолеть подводный аппарат Особое примечание. В отношении подводных аппаратов, указанных в пунктах 8.1.1.2 - 8.1.1.2.3, см. также пункты 8.1.1.1 - 8.1.1.1.3 разделов 2 и 3; Необитаемые, привязанные к базе подводные аппараты, работоспособные на глубинах более 1000 м, имеющие любую из следующих характеристик: Разработанные для самостоятельных маневров с применением движителей или тяговых установок, контролируемых по пункту 8.1.2.1.2; или Имеющие волоконно-оптические каналы передачи данных Особое примечание. В отношении подводных аппаратов, указанных в пунктах 8.1.1.3 - 8.1.1.3.2, см. также пункты 8.1.1.2 - 8.1.1.2.2 раздела 2; Необитаемые, непривязные подводные аппараты, имеющие любую из следующих характеристик: Разработанные для прокладки курса по отношению к любому географическому ориентиру в реальном масштабе времени без участия человека; Имеющие акустическую связь для передачи данных или команд; или Имеющие волоконно-оптическую связь для передачи данных или команд на расстояние более 1000 м Особое примечание. В отношении подводных аппаратов, указанных в пунктах 8.1.1.4 - 8.1.1.4.3, см. также пункты 8.1.1.3 - 8.1.1.3.3 раздела 2 и пункты 8.1.1.2 - 8.1.1.2.3 раздела 3; Океанские системы спасения с подъемной силой, превышающей 5 МН, для спасения объектов с глубин более 250 м, и имеющие любую из следующих составляющих: а) системы динамического позиционирования с максимально допустимым отклонением от точки, задаваемой навигационной системой, не более 20 м; или б) системы придонной навигации и интегрированные навигационные системы для глубин более 1000 м с точностью позиционирования не хуже 10 м; Суда на воздушной подушке с полностью гибкой юбкой (завесой воздушной подушки), имеющие все следующие характеристики: а) максимальную проектную скорость при полной загрузке более 30 узлов при характерной высоте волны 1,25 м или более (состояние моря - 3 балла); б) давление в воздушной подушке выше 3830 Па; и в) отношение водоизмещения незагруженного и полнозагруженного судна менее 0,70; Суда на воздушной подушке с жесткими бортами (с неизменяемой геометрией) с максимальной проектной скоростью, превышающей 40 узлов при полной загрузке и при характерной высоте волны 3,25 м или более (состояние моря - 5 баллов); Суда на подводных крыльях с активными системами для автоматического управления крыльевыми устройствами, с максимальной проектной скоростью 40 узлов или более при полной загрузке и характерной высоте волны 3,25 м или более (состояние моря - 5 баллов); Суда с малой площадью ватерлинии, имеющие любую из следующих характеристик: а) водоизмещение при полной загрузке более 500 тонн с максимальной проектной скоростью более 35 узлов при полной загрузке и характерной высоте волны 3,25 м или более (состояние моря - 5 баллов); или б) водоизмещение при полной загрузке более 1500 тонн с максимальной проектной скоростью более 25 узлов при полной загрузке и характерной высоте волны 4 м или более (состояние моря - 6 баллов) Техническое примечание. Судно принадлежит к категории судов с малой площадью ватерлинии, если площадь ватерлинии при расчетной рабочей осадке меньше произведения: 2 х (водоизмещение при расчетной рабочей осадке)(2/3) Системы и оборудование: Примечание. Для систем подводной связи см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации) Системы и оборудование, специально разработанные или модифицированные для подводных аппаратов, предназначенных для работы на глубинах, превышающих 1000 м: Прочные корпуса или оболочки с максимальным внутренним диаметром камеры, превышающим 1,5 м; Движители или тяговые установки, приводимые в движение электродвигателями постоянного тока; Кабели и разъемы для них, использующие оптическое волокно и имеющие силовые элементы из синтетических материалов; Системы, специально разработанные или модифицированные для автоматического управления движением подводных аппаратов, контролируемых по пункту 8.1.1, использующие навигационные данные и имеющие сервоуправление с замкнутым контуром: а) позволяющие аппарату перемещаться вблизи заданного горизонта в пределах 10 м; б) удерживающие аппарат в пределах 10 м относительно заданного горизонта; или в) удерживающие аппарат в пределах 10 м при следовании по кабелю, лежащему на дне или заглубленному в грунт Особое примечание. В отношении систем автоматического управления движением подводных аппаратов, указанных в пункте 8.1.2.2, см. также пункт 8.1.2.1 раздела 2; Волоконно-оптические вводы в корпус или соединители; Подводные видеосистемы: Телевизионные системы и телевизионные камеры: Телевизионные системы (включающие камеру, аппаратуру контроля и передачи сигнала), имеющие предельное разрешение более 800 линий при измерении разрешения в воздушной среде и специально разработанные или модифицированные для дистанционной работы с подводным аппаратом; Подводные телекамеры, имеющие предельное разрешение более 1100 линий при измерении разрешения в воздушной среде; Телевизионные камеры для съемки объектов с низким уровнем освещенности, специально разработанные или модифицированные для использования под водой и содержащие все следующие составляющие: а) электронно-оптические преобразователи, которые контролируются по пункту 6.1.2.1.2.1; и б) более 150 000 активных пикселей на площади твердотельного приемника Техническое примечание. Предельное разрешение в телевидении измеряется горизонтальным разрешением, обычно выраженным в максимальном числе линий по высоте изображения, различаемых на тестовой таблице, использующей стандарт IEEE 208/1960 или любой эквивалент этого стандарта; Системы, специально разработанные или модифицированные для дистанционного управления подводным аппаратом, в которых использованы способы минимизации эффектов обратного рассеяния, включающие в себя разнесенные излучатели с селекторным импульсом дальности или лазерные системы; Фотодиапозитивные камеры, специально разработанные или модифицированные для подводного применения на глубинах более 150 м, имеющие формат ленты 35 мм или более и любую из следующих составляющих: а) аннотацию ленты данными, поступающими в камеру от внешних источников; б) автоматическую обратную коррекцию фокусного расстояния; или в) автоматическое управление компенсацией, специально разработанное для обеспечения возможности использования бокса подводной камеры на глубинах, превышающих 1000 м; Электронные системы формирования сигналов изображения, специально разработанные или модифицированные для подводного использования, способные хранить в цифровом формате более 50 экспонированных кадров; Системы подсветки, специально разработанные или модифицированные для подводного использования: Стробоскопические световые системы с энергией выхода более 300 Дж в одной вспышке и частотой более 5 вспышек в секунду; Аргонодуговые световые системы, специально разработанные для использования на глубинах более 1000 м; Роботы, специально спроектированные для подводного применения, управляемые с использованием специализированного компьютера, имеющие любую из следующих составляющих: а) системы, управляющие роботом с использованием информации, поступающей от датчиков, которые измеряют усилие или момент, прикладываемые к внешнему объекту, расстояние до внешнего объекта или контактное (тактильное) взаимодействие между роботом и внешним объектом; или б) возможность создавать усилие 250 Н или более или момент 250 Нм или более и имеющие элементы конструкции, изготовленные с использованием титановых сплавов или композиционных материалов с армированием волокнистыми или нитевидными материалами Особое примечание. В отношении роботов, указанных в пункте 8.1.2.8, см. также пункт 8.1.2.2 раздела 2; Дистанционно управляемые шарнирные манипуляторы, специально разработанные или модифицированные для использования с подводными аппаратами, имеющими любую из следующих составляющих: а) системы, управляющие манипулятором, используя информацию, поступающую от датчиков, измеряющих момент или усилие, прикладываемые к внешнему объекту, или контактное (тактильное) взаимодействие между манипулятором и внешним объектом; или б) пропорциональное управление ведущий-ведомый или управление с применением специализированного компьютера, имеющие пять степеней свободы или более Примечание. При определении количества степеней свободы в расчет принимаются только функции, имеющие пропорциональное управление с применением позиционной обратной связи или управление с применением специализированного компьютера; Независимые от атмосферы энергетические системы, специально разработанные для применения под водой: Независимые от атмосферы энергетические системы с двигателями циклов Брайтона или Ренкина, имеющие любую из следующих составляющих: а) химические скрубберы или абсорберы, специально разработанные для удаления диоксида углерода, оксида углерода и частиц из рециркулируемого выхлопа двигателя; б) системы, специально разработанные для применения атомарного газа; в) устройства или глушители, специально разработанные для снижения шума под водой на частотах ниже 10 кГц, или специально смонтированные устройства для подавления шума выбросов; или г) системы, специально разработанные для: герметизации продуктов реакции или регенерации топлива; хранения продуктов реакции; и выброса продуктов реакции при противодавлении в 100 кПа или выше; Изолированные от атмосферы энергетические системы с дизельными двигателями, имеющие все следующие характеристики: а) химические скрубберы или абсорберы, специально разработанные для удаления диоксида углерода, оксида углерода и частиц из рециркулируемого выхлопа двигателя; б) системы, специально разработанные для применения атомарного газа; в) устройства или глушители, специально разработанные для снижения шума под водой на частотах ниже 10 кГц, или специально смонтированные устройства для подавления шума выбросов; и г) специально разработанные выхлопные системы с задержкой выброса продуктов сгорания; Изолированные от атмосферы энергетические системы на топливных элементах (ЭХГ) с выходной мощностью, превышающей 2 кВт, имеющие любую из следующих составляющих: а) устройства или глушители, специально разработанные для снижения шума под водой на частотах ниже 10 кГц, или специально смонтированные устройства для подавления шума выбросов; или б) системы, специально разработанные для: герметизации продуктов реакции или регенерации топлива; хранения продуктов реакции; и выброса продуктов реакции при противодавлении в 100 кПа или выше; Изолированные от атмосферы энергетические системы с двигателями цикла Стирлинга, имеющие все следующие составляющие: а) устройства или глушители, специально разработанные для снижения шума под водой на частотах ниже 10 кГц, или специально смонтированные устройства для подавления шума выбросов; и б) специально разработанные выхлопные системы с выхлопом продуктов сгорания при противодавлении в 100 кПа или выше Особое примечание. В отношении изолированных от атмосферы силовых систем, указанных в пунктах 8.1.2.10 - 8.1.2.10.4, см. также пункты 8.1.2.3 - 8.1.2.3.4 раздела 2; Юбки (завесы воздушной подушки), уплотнения и выдвижные элементы, имеющие любую из следующих составляющих: а) разработанные для давлений в подушке 3830 Па или выше, работающие при характерной высоте волны 1,25 м или более (состояние моря - 3 балла) и специально спроектированные для судов на воздушной подушке с полностью гибкой юбкой (завесой воздушной подушки), контролируемых по пункту 8.1.1.6; или б) разработанные для давлений 6224 Па или выше, работающие при высоте волны 3,25 м или более (состояние моря - 5 баллов) и специально спроектированные для судов на воздушной подушке с жесткими бортами (с неизменяемой геометрией), контролируемых по пункту 8.1.1.7; Подъемные вентиляторы мощностью более 400 кВт, специально разработанные для судов на воздушной подушке, контролируемых по пунктам 8.1.1.6 или 8.1.1.7; Полностью погруженные некавитирующие или суперкавитационные подводные крылья, специально разработанные для судов, контролируемых по пункту 8.1.1.8; Активные системы, специально разработанные или модифицированные для автоматического управления движением подводных аппаратов или судов, контролируемых по пунктам 8.1.1.6 - 8.1.1.9, подверженных внешним (морским) воздействиям; Винты, системы передачи мощности, энергетические установки и системы снижения шума: Гребные винты или системы передачи мощности, специально спроектированные для судов на воздушной подушке (с полностью гибкой юбкой или с жесткими бортами с неизменяемой геометрией), судов на подводных крыльях и судов с малой площадью ватерлинии, контролируемых по пунктам 8.1.1.6 - 8.1.1.9: Суперкавитационные, супервентилируемые, частично погруженные гребные винты, рассчитанные на мощность более 7,5 МВт; Системы гребных винтов противоположного вращения, рассчитанные на мощность более 15 МВт; Системы, служащие для выравнивания потока гребного винта, с использованием методов устранения завихрений потока до и после их образования; Легковесный, высокой мощности (К-фактор превышает величину 300) редуктор; Системы передачи мощности трансмиссионным валом, включающие в себя компоненты из композиционных материалов и с передаваемой мощностью более 1 МВт; Следующие гребные винты, энергетические установки или системы передачи мощности, разработанные для применения на судах: Гребные винты с регулируемым шагом в сборе со ступицей, рассчитанные на мощность более 30 МВт; Тяговые электродвигатели с жидкостным внутренним охлаждением и выходной мощностью, превышающей 2,5 МВт; Движители на эффекте сверхпроводимости или непрерывно работающие магнитоэлектрические движители с выходной мощностью, превышающей 0,1 МВт; Системы передачи мощности трансмиссионным валом, включающие в себя компоненты из композиционных материалов и с передаваемой мощностью более 2 МВт; Вентилируемые гребные винты или системы на их базе, рассчитанные на мощность более 2,5 МВт; Следующие системы снижения шума, разработанные для применения на судах водоизмещением 1000 тонн или более: Системы снижения шума под водой на частотах ниже 500 Гц, состоящие из составных демпфирующих оснований (моторам), для акустической изоляции дизельных двигателей, дизель-генераторных агрегатов, газовых турбин, газотурбинных генераторных установок, движителей или главных редукторов, специально разработанных для звуковой или виброизоляции, имеющие среднюю массу, превышающую 30% массы монтируемого оборудования; Активные системы снижения шума или шумоподавления, или магнитного пеленга, специально разработанные для трансмиссионных систем, включающие электронные системы управления, работающие в режиме активного снижения вибрации оборудования путем генерирования антишумовых или антивибрационных сигналов, направленных непосредственно на источник шума Особое примечание. В отношении систем снижения шума, указанных в пунктах 8.1.2.15.3 - 8.1.2.15.3.2, см. также пункты 8.1.2.4 - 8.1.2.4.2 раздела 2 и пункт 8.1.2 раздела 3; Водометные (гидрореактивные) движители насосного типа с выходной мощностью, превышающей 2,5 МВт, в которых используются расширяющееся сопло и техника кондиционирования потока направляющим устройством в целях повышения эффективности движителя или снижения генерируемых движителем и распространяющихся под водой шумов Особое примечание. В отношении систем движения на струйном движителе, указанных в пункте 8.1.2.16, см. также пункт 8.1.2.5 раздела 2; Автономные аппараты для погружения и подводного плавания с дыхательным устройством замкнутого или полузамкнутого типа Примечание. По пункту 8.1.2.17 не контролируются индивидуальные аппараты для личного пользования, следующие вместе с пользователем Испытательное, контрольное и производственное оборудование Гидроканалы, имеющие шумовой фон ниже 100 дБ (эталон - 1 мкПа, 1 Гц) в частотном диапазоне от 0 Гц до 500 Гц, разработанные для измерения акустических полей, генерируемых гидропотоком около моделей движительных систем Материалы Пеноматериалы с упорядоченной структурой, разработанные для применения под водой, имеющие все следующие характеристики: а) работоспособные на глубинах более 1000 м; и б) плотность менее 561 кг/куб. м Техническое примечание. Пеноматериалы с упорядоченной структурой состоят из полимерной матрицы и полых сфер из пластика или стекла Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 8.1 - 8.3 Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 8.4.1, см. также пункт 8.4.1 разделов 2 и 3 Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства, текущего ремонта, капитального ремонта или восстановления чистоты поверхности, повторной обработки гребных винтов, специально разработанных для снижения их шума под водой Особое примечание. В отношении специфического программного обеспечения, указанного в пункте 8.4.2, см. также пункт 8.4.2 раздела 2 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 8.1 - 8.3 Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пункте 8.5.1, см. также пункт 8.5.1 разделов 2 и 3 Иные технологии, кроме указанных в пункте 8.5.1: Технологии разработки, производства, текущего ремонта, капитального ремонта или восстановления чистоты поверхности, повторной обработки гребных винтов, специально разработанных для снижения их шума под водой Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пункте 8.5.2.1, см. также пункт 8.5.2 раздела 2; Технологии капитального ремонта или восстановления чистоты поверхности оборудования, контролируемого по пункту 8.1.1, 8.1.2.2, 8.1.2.10, 8.1.2.15 или 8.1.2.16 |
8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8905 90 100 0; 8906 90 100 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8905 90 100 0; 8906 90 990 0 8501 33 000 2; 8501 33 000 9; 8501 34 500 0; 8501 34 980 0 7326 90 980 0; 8544 70 000 0; 9001 10 9014 80 000 0 7326 90 980 0; 8544 70 000 0; 9001 10 8517 61 000 9; 8517 69 900 0; 8525 50 000 0 8525 80 190 0 8525 80 110 0; 8525 80 190 0 8526 91; 9031 80 910 0 9006 53; 9006 59 000 9 8517 61000 9; 8517 69 900 0; 9029 20 900 0; 9405 40 100; 9405 40 390 9405 40 100; 9405 40 390 8479 50 000 0; 8479 90 960 0 8479 50 000 0; 8479 90 960 0 8408 10; 8409 99 000 9 8408 10; 8409 99 000 9 8409 99 000 9 8408 10; 8409 99 000 9 8479 90 960 0; 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8414 59 200 0 7325 99 900 0; 7326 90 980 0; 7616 99; 8108 90 900 0 9014 80 000 0 8487 10 900 0 8412 29 200 9; 8487 10 900 0 8412 29 200 9 8483 40 510 0; 8483 40 590 0 8483 10 950 0 8487 10 900 0 8501 34 500 0; 8501 34 980 0 8501 20 000 9 8483 10 950 0 8487 10 900 0 4016 10 000 0; 4016 99 990 9; 4017 00 900 0; 8409 99 000 9; 8412 29 200 9 8479 89 970 9; 8543 20 000 0; 8543 70 900 9 8412 29 200 9 9020 00 000 0 9031 20 000 0 3921 90 900 0 |
Категория 9. Двигатели | ||
9.1. 9.1.1. 9.1.2. 9.1.3. 9.1.4. 9.1.5. 9.1.6. 9.1.6.1. 9.1.6.2. 9.1.6.3. 9.1.6.4. 9.1.6.5. 9.1.6.6. 9.1.6.7. 9.1.6.8. 9.1.7. 9.1.8. 9.1.8.1. 9.1.8.2. 9.1.8.3. 9.1.8.4. 9.1.9. 9.1.10. 9.1.10.1. 9.1.10.2. 9.1.10.3. 9.1.10.4. 9.1.11. 9.1.12. 9.2. 9.2.1. 9.2.1.1. 9.2.1.2. 9.2.2. 9.2.3. 9.2.4. 9.2.5. 9.2.5.1. 9.2.5.2. 9.2.5.3. 9.2.6. 9.2.7. 9.2.8. 9.2.9. 9.3. 9.4. 9.4.1. 9.4.2. 9.4.3. 9.4.3.1. 9.4.3.2. 9.4.4. 9.4.4.1. 9.4.4.2. 9.4.4.3. 9.4.4.4. 9.5. 9.5.1. 9.5.2. 9.5.3. 9.5.3.1. 9.5.3.1.1. 9.5.3.1.2. 9.5.3.1.3. 9.5.3.1.4. 9.5.3.1.5. 9.5.3.1.6. 9.5.3.1.7. 9.5.3.1.8. 9.5.3.1.9. 9.5.3.1.10. 9.5.3.1.11. 9.5.3.2. 9.5.3.2.1. 9.5.3.2.2. 9.5.3.3. 9.5.3.3.1. 9.5.3.3.2. 9.5.3.4. 9.5.3.5. 9.5.3.6. 9.5.3.6.1. 9.5.3.6.2. 9.5.3.6.3. 9.5.3.7. |
Системы, оборудование и компоненты Газотурбинные авиационные двигатели, имеющие любое из следующего: а) использующие любые технологии, контролируемые по пункту 9.5.3.1: или Примечание. По подпункту "а" пункта 9.1.1 не контролируются газотурбинные авиационные двигатели, удовлетворяющие всему нижеследующему: а) сертифицированные гражданским авиационным ведомством государства, являющегося участником Вассенаарских договоренностей по экспортному контролю за обычными вооружениями, товарами и технологиями двойного применения (ВД); и б) предназначенные для полета невоенного пилотируемого летательного аппарата, для которого государством, являющимся участником ВД, был выдан сертификат гражданского типа б)# разработанные для полета летательного аппарата, предназначенного для перемещения с крейсерской скоростью, равной 1 М или выше, в течение более 30 мин. Морские газотурбинные двигатели со стандартной по ISO эксплуатационной мощностью 24 245 кВт или более и удельным расходом топлива, не превышающим 0,219 кг/кВт.ч, в диапазоне мощностей от 35% до 100% и специально разработанные агрегаты и компоненты для таких двигателей Примечание. Термин "морские газотурбинные двигатели" включает промышленные или авиационные газотурбинные двигатели, приспособленные для применения в корабельных электрогенераторных или силовых установках Специально разработанные агрегаты и компоненты, при производстве которых используются технологии, контролируемые по пункту 9.5.3.1, для следующих газотурбинных двигателей: а) контролируемых по пункту 9.1.1; б) место разработки или производства которых либо не известно производителю, либо они разрабатываются и производятся в государствах, не являющихся участниками Вассенаарских договоренностей по экспортному контролю за обычными вооружениями, товарами и технологиями двойного назначения Ракеты-носители и космические аппараты Примечание. По пункту 9.1.4 не контролируются полезные нагрузки Особое примечание. Для контрольного статуса оборудования, входящего в состав полезной нагрузки космического аппарата, см. соответствующие категории Жидкостные ракетные двигатели, содержащие любую из систем или компонентов, контролируемых по пункту 9.1.6 Системы и компоненты, специально разработанные для жидкостных ракетных двигателей: Криогенные машины, бортовые сосуды Дьюара, криогенные тепловые трубы или криогенные системы, специально разработанные для использования в космических аппаратах и допускающие потери криогенной жидкости менее 30% в год; Криогенные контейнеры или рефрижераторные системы с замкнутым циклом, способные обеспечивать температуру 100 К (-173°С) или ниже, для летательных аппаратов, способных поддерживать скорость полета, превышающую 3 М, ракет-носителей или космических аппаратов; Хранилища для жидкого водорода или системы его перекачки; Турбонасосы высокого давления (выше 17,5 МПа), компоненты насосов или объединенные с ними газогенераторы, либо системы, управляющие подачей газа к турбине; Камеры сгорания высокого давления (выше 10,6 МПа) и сопла для них; Системы хранения топлива, в которых используются принципы его капиллярного удержания или принудительной подачи вытеснительными диафрагмами; Форсунки жидкого топлива с единичными калиброванными отверстиями диаметром 0,381 мм или менее (площадью сечения 1,14 х 10(-3) кв. см или менее для некруглых отверстий), специально разработанные для жидкостных ракетных двигателей; Монолитные сопловые блоки или выходные конусы из материала углерод-углерод с плотностью более 1,4 г/куб. см и прочностью при растяжении более 48 МПа Твердотопливные ракетные двигатели, обладающие любой из следующих характеристик: а) суммарным импульсом более 1,1 МНс; б) удельным импульсом на уровне моря 2,4 кНс/кг или более при давлении в камере сгорания 7 МПа; в) относительной массой двигателя более 88% от массы ступени (ракеты) и относительной массой заряда твердого топлива более 86% от массы двигателя; г) включают любые из компонентов, контролируемых по пункту 9.1.8; д) наличием изолирующих покрытий в системе "корпус - заряд", выполняющих функции теплозащиты, прочного механического сцепления топлива с корпусом и препятствующих проникновению химических продуктов горения твердого топлива в материал корпуса двигателя Техническое примечание. Для целей подпункта "д" пункта 9.1.7 термин "прочное механическое сцепление" означает прочность соединения, равную или превышающую прочность топлива Компоненты, специально разработанные для твердотопливных ракетных двигателей: Изолирующие покрытия с закладными элементами для повышения прочности топлива в системе "корпус - заряд", выполняющие функции теплозащиты, прочного механического сцепления топлива с корпусом и препятствующие проникновению химических продуктов горения твердого топлива в материал корпуса двигателя Техническое примечание. Для целей пункта 9.1.8.1 термин "прочное механическое сцепление" означает прочность соединения, равную или превышающую прочность топлива; Полученные намоткой корпуса из композиционных материалов с диаметром больше 0,61 м или имеющие показатель эффективности конструкции (PV/W) более 25 км Техническое примечание. Показатель эффективности конструкции (PV/W) - это разрушающее внутреннее давление (Р), умноженное на объем сосуда (V) и деленное на общий вес сосуда высокого давления (W); Сопла двигателей с тягой, превышающей 45 кН, или скоростью уноса массы в критическом сечении менее 0,075 мм/с; Системы управления вектором тяги на основе поворотной камеры (соплового блока) или путем вдува газа в закритическую часть сопла, имеющие любую из следующих характеристик: а) возможность поворота относительно произвольной оси (две степени свободы) на угол более +- 5град; б) скорость вращения вектора тяги 20 град/с или более; или в) ускорение вращения вектора тяги 40 град/с2 или более Гибридные ракетные двигательные установки с: а) суммарным импульсом, превышающим 1,1 МНс; или б) пустотной тягой, превышающей 220 кН Специально разработанные компоненты, системы и конструкции для ракет-носителей, двигательных установок ракет-носителей или космических аппаратов: Компоненты и конструкции массой более 10 кг, специально разработанные для ракет-носителей, изготовленные из композиционных материалов с металлической, полимерной, керамической или интерметаллидной матрицей, контролируемых по пункту 1.3.7 или 1.3.10 Примечание. Ограничение по весу не относится к головным обтекателям; Компоненты и конструкции, контролируемые по пунктам 9.1.5 - 9.1.9, специально разработанные для двигательных установок ракет-носителей, изготовленные из композиционных материалов с металлической, полимерной, керамической или интерметаллидной матрицей, контролируемых по пункту 1.3.7 или 1.3.10; Элементы конструкций и изоляционные системы, специально разработанные для активного управления динамической чувствительностью или деформацией конструкций космического аппарата; Жидкостные ракетные двигатели многократного включения с тяговооруженностью, равной или больше 1 кН/кг, и временем срабатывания (временем, необходимым для достижения 90% полной номинальной тяги от момента пуска) менее 0,03 с Прямоточные воздушно-реактивные двигатели, пульсирующие воздушно-реактивные двигатели или двигатели комбинированного цикла и специально разработанные для них компоненты Особое примечание. В отношении двигателей и их компонентов, указанных в пункте 9.1.11, см. также пункт 9.1.1 разделов 2 и 3 Беспилотные воздушные летательные аппараты, имеющие любое из следующего: а) автономное управление полетом и бортовые средства навигации (например, автопилот с инерциальной навигационной системой); или б) возможность управления полетом оператором за пределами прямой видимости (например, управление по телевизионной информации) Примечание. По пункту 9.1.12 не контролируются модели летательных аппаратов Испытательное, контрольное и производственное оборудование Оборудование, инструменты или приспособления, специально разработанные для производства методом литья рабочих и сопловых лопаток газовых турбин или элементов бандажа: Оборудование для направленной кристаллизации или выращивания монокристаллов; Керамические стержни или формы Особое примечание. В отношении керамических стержней, указанных в пункте 9.2.1.2, см. также пункт 9.2.1 раздела 2 Системы управления в режиме онлайн (в реальном масштабе времени), контрольно-измерительные приборы (включая датчики) или оборудование для автоматического сбора и обработки информации, специально предназначенные для разработки газотурбинных двигателей, узлов или компонентов, включающих технологии, контролируемые по пункту 9.5.3.1 Оборудование, специально разработанное для производства или испытаний щеточных уплотнений газовых турбин, разработанных для функционирования при окружных скоростях на концах лопаток, превышающих 335 м/с, и температуре выше 773 К (500°С), и специально спроектированные компоненты или принадлежности для него Инструменты, штампы или зажимные приспособления для твердофазного соединения титановых, жаропрочных никелевых или интерметаллидных лопаток с дисками газовых турбин, описанных в пункте 9.5.3.1.3 или 9.5.3.1.6 Системы управления в режиме онлайн (в реальном масштабе времени), контрольно-измерительные приборы (включая датчики) или оборудование для автоматического сбора и обработки информации, специально разработанные для использования с любыми следующими аэродинамическими трубами или устройствами: Аэродинамическими трубами, разработанными для скоростей 1,2 М или более, исключая аэродинамические трубы, специально разработанные для образовательных целей и имеющие размер рабочей части трубы (измеренный в поперечном сечении) менее 250 мм Техническое примечание. Размер рабочей части трубы определяется по диаметру окружности, стороне квадрата или наибольшей стороне прямоугольника, измеренной в месте наибольшего сечения; Устройствами для моделирования условий обтекания на скоростях, превышающих 5 М, включая тепловые, плазменно-дуговые, импульсные и ударные аэродинамические трубы, а также аэрогазодинамические установки и легкогазовые пушки; или Аэродинамическими трубами или устройствами, исключая аэродинамические трубы или устройства с двумерными сечениями, имеющими возможность моделировать поток с числом Рейнольдса, превышающим 25 х 10(6) Оборудование для виброакустических испытаний, допускающее создание уровней звукового давления 160 дБ или выше (соответствует 20 мкПа), номинальной мощностью 4 кВт или более, рабочей температурой в камере, превышающей 1273 К (1000°С), и специально разработанные для него кварцевые нагреватели Оборудование, специально разработанное для проверки работоспособности ракетных двигателей с использованием технологий неразрушающего контроля, которые не включают послойный рентгеновский контроль или проведение физико-химических анализов Датчики, специально разработанные для непосредственного измерения поверхностного трения на стенке испытательной установки в потоке с температурой торможения, превышающей 833 К (560°С) Оснастка, специально разработанная для производства методами порошковой металлургии деталей ротора газотурбинного двигателя, способных работать при уровне напряжения 60% предела прочности при растяжении или более и температуре металла 873 К (600°С) или выше Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки оборудования или технологии, контролируемых по пункту 9.1, 9.2 или 9.5.3 Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 9.4.1, см. также пункт 9.4.1 разделов 2 и 3 Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для производства оборудования, контролируемого по пункту 9.1 или 9.2 Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 9.4.2, см. также пункт 9.4.2 разделов 2 и 3 Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для использования в цифровой системе управления двигателем в силовых установках, контролируемых по пункту 9.1, или оборудования, контролируемого по пункту 9.2: Программное обеспечение электронно-цифровых систем управления для силовых установок, испытательных стендов аэрокосмических систем или воздушно-реактивных двигателей; Отказоустойчивое программное обеспечение электронно-цифровых систем управления для силовых установок и соответствующих испытательных стендов Иное программное обеспечение, кроме указанного в пунктах 9.4.1 - 9.4.3: Программное обеспечение для математического моделирования двух - или трехмерного вязкого течения, основанное на данных испытаний в аэродинамических трубах или на данных летных испытаний, используемое для моделирования потока внутри двигателя Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 9.4.4.1, см. также пункт 9.4.3.1 раздела 2; Программное обеспечение для испытаний авиационных газотурбинных двигателей, агрегатов или компонентов, специально разработанное для сбора, предварительной обработки и анализа данных в реальном масштабе времени и способное обеспечить управление с обратной связью, включая динамическую адаптацию испытуемых изделий или условий испытаний в ходе проведения эксперимента; Программное обеспечение, специально разработанное для управления направленной кристаллизацией или формированием монокристалла Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 9.4.4.3, см. также пункт 9.4.3.2 раздела 2; Программное обеспечение в виде исходного кода, объектного кода или машинного кода, требующееся для применения активных компенсационных систем в целях управления концевыми зазорами рабочих лопаток Примечание. По пункту 9.4.4.4 не контролируется программное обеспечение, которое входит в состав неконтролируемого оборудования или требуется для технического обслуживания, связанного с калибровкой, ремонтом или модернизацией системы управления с активной компенсацией зазора Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по подпункту "в" пункта 9.1.1 и пунктам 9.1.4 - 9.1.11, 9.2 или 9.4 Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пункте 9.5.1, см. также пункт 9.5.1 разделов 2 и 3 Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования, контролируемого по подпункту "в" пункта 9.1.1 и пунктам 9.1.4 - 9.1.11 или 9.2 Особые примечания: 1. В отношении технологий, указанных в пункте 9.5.2, см. также пункт 9.5.2 разделов 2 и 3 2. Для технологии по восстановлению контролируемых конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры см. пункт 1.5.2.6 Примечание. Технологии разработки или производства газотурбинных двигателей, контролируемые по пункту 9.5, остаются контролируемыми, когда они используются как технологии для ремонта, модернизации или капитального ремонта. Не контролируются технические данные, чертежи или эксплуатационная документация, непосредственно связанные с поверкой, извлечением или заменой поврежденных или неремонтопригодных заменяемых блоков, включая замену двигателей в целом или их модульных блоков Иные технологии, кроме указанных в пунктах 9.5.1 и 9.5.2: Технологии, требуемые для разработки или производства любых из следующих компонентов или систем газотурбинных двигателей: Лопаток газовых турбин или элементов бандажа, полученных из сплавов направленной кристаллизацией (DS) или из монокристаллических сплавов (SC), имеющих в направлении <001> (по Миллеру) ресурс длительной прочности, превышающий 400 ч при температуре 1273 К (1000°С) и напряжении 200 МПа, базирующийся на усредненных показателях свойств материала Особое примечание. В отношении технологий разработки или производства компонентов газотурбинных двигателей, указанных в пункте 9.5.3.1.1, см. также пункт 9.5.3.1.1 разделов 2 и 3; Многокупольных камер сгорания, работающих при средних температурах на выходе из камеры сгорания выше 1813 К (1540°С), или камер сгорания, содержащих внутренние корпуса, термически разделенные футеровками, неметаллическими облицовками или неметаллическими оболочками Особое примечание. В отношении технологий разработки или производства компонентов газотурбинных двигателей, указанных в пункте 9.5.3.1.2, см. также пункт 9.5.3.1.2 раздела 2; Компонентов, изготовленных из любого нижеследующего материала: а) композиционных материалов с полимерной матрицей, разработанных для применения при температуре выше 588 К (315°С); б) контролируемых по пункту 1.3.7 композиционных материалов с металлической, керамической или интерметаллидной матрицей, а также интерметаллических материалов; или в) композиционных материалов, контролируемых по пункту 1.3.10 и изготовленных с использованием полимеров, контролируемых по пункту 1.3.8 Особое примечание. В отношении технологий разработки или производства компонентов газотурбинных двигателей, указанных в пункте 9.5.3.1.3, см. также пункт 9.5.3.1.3 раздела 2 и пункт 9.5.3.1.2 раздела 3; Неохлаждаемых рабочих и сопловых лопаток газовых турбин, элементов бандажа или других компонентов, спроектированных для работы в газовом потоке с температурой 1323 К (1050°С) или выше Особое примечание. В отношении технологий разработки или производства компонентов газотурбинных двигателей, указанных в пункте 9.5.3.1.4, см. также пункт 9.5.3.1.4 раздела 2; Охлаждаемых рабочих и сопловых лопаток газовых турбин, элементов бандажа или других компонентов, иных, чем те, что описаны в пункте 9.5.3.1.1, и работающих в газовом потоке с температурой 1643 К (1370°С) или выше Особое примечание. В отношении технологий разработки или производства компонентов газотурбинных двигателей, указанных в пункте 9.5.3.1.5, см. также пункт 9.5.3.1.5 раздела 2; Жестко соединенных лопаток с дисками газовых турбин; Компонентов газотурбинного двигателя, произведенных с использованием технологии диффузионной сварки, контролируемой по пункту 2.5.3.2; Элементов ротора газотурбинного двигателя из материалов, полученных методом порошковой металлургии и контролируемых по пункту 1.3.2.2 Особое примечание. В отношении технологий разработки или производства компонентов, указанных в пункте 9.5.3.1.8, см. также пункт 9.5.3.1.6 раздела 2; Электронно-цифровых систем управления газотурбинными двигателями и двигателями с комбинированным циклом и относящихся к ним диагностических устройств, датчиков и специально спроектированных компонентов Особое примечание. В отношении технологий разработки или производства систем и компонентов, указанных в пункте 9.5.3.1.9, см. также пункт 9.5.3.1.7 раздела 2; Систем регулирования геометрии газовоздушного тракта и соответствующих систем контроля для: а) турбин газогенераторов; б) турбин вентиляторов или свободных турбин; в) реактивных сопел; или Примечания: 1. Системы регулирования геометрии газовоздушного тракта и соответствующие системы контроля, указанные в пункте 9.5.3.1.10, не включают в себя лопатки входного направляющего аппарата (ВНА), вентиляторы с поворотными лопатками (с изменяемым шагом), регулируемые направляющие аппараты и клапаны отбора воздуха для компрессоров 2. По пункту 9.5.3.1.10 не контролируются технологии разработки или производства систем управления геометрией газового потока для реверса тяги Пустотелых лопаток с широкой хордой без бандажа; Технологии, требуемые для разработки или производства любого из следующих изделий: Моделей для испытаний в аэродинамических трубах, оборудованных бесконтактными датчиками, способными передавать данные системе сбора и регистрации информации; Лопастей воздушных винтов или турбовентиляторных двигателей, выполненных из композиционных материалов и рассчитанных на мощность более 2000 кВт при скорости обтекания воздушного потока более 0,55 М; Технологии, требуемые для разработки или производства компонентов газотурбинных двигателей, использующие для сверления отверстий обработку лазером, водяной струей, электрохимическую обработку (ЭХО) или станки электроискровой обработки (СЭО) для получения отверстий, имеющих любой из следующих наборов параметров: Все следующие характеристики: а) глубина более 4 диаметров; б) диаметр менее 0,76 мм; и в) углы наклона, равные или меньше 25 град.; или Все следующие характеристики: а) глубина более 5 диаметров; б) диаметр менее 0,4 мм; и в) углы наклона более 25 град. Техническое примечание. Применительно к пункту 9.5.3.3 угол наклона измеряется от плоскости, касательной к поверхности аэродинамического профиля в точке, где ось отверстия выходит на поверхность; Технологии, требуемые для разработки или производства вертолетных систем передачи мощности или систем передачи мощности на летательном аппарате с поворотным крылом или поворотными винтами; Технологии разработки или производства дизельного двигателя наземной силовой установки, имеющего все нижеследующие характеристики: а) общий объем 1,2 куб. м или меньше; б) полную выходную мощность более 750 кВт, измеренную по стандартам 80/1269/ЕЕС, ИСО 2534 или по их национальным эквивалентам; и в) объемную мощность более 700 кВт/куб. м общего объема Техническое примечание. Общий объем: произведение трех линейных ортогональных размеров, измеренных следующим образом: длина - длина коленчатого вала от фланца до наружной поверхности маховика; ширина - наибольшее из следующих измерений: а) наибольшее расстояние между крышками клапанного механизма; б) расстояние между наружными кромками головок цилиндров; или в) диаметр кожуха маховика; высота - наибольшее из следующих измерений: а) расстояние от оси коленчатого вала до верхней плоскости крышки клапанного механизма (или головки цилиндра) плюс удвоенная длина хода поршня; или б) диаметр кожуха маховика Технологии, требуемые для производства специально разработанных компонентов для дизельных двигателей с высокой выходной мощностью: Технологии, требуемые для производства систем двигателя, имеющего все нижеперечисленные компоненты, изготовленные из керамических материалов, контролируемых по пункту 1.3.7: а) гильзы цилиндров; б) поршни; в) головки цилиндров; и г) один или более иных компонентов (включая выпускные каналы, детали турбонаддува, направляющие втулки клапанов, сборки клапана или изолированные топливные инжекторы); Технологии, требуемые для производства систем турбонаддува с одноступенчатыми компрессорами, имеющие все следующие характеристики: а) степень сжатия 4 или выше; б) производительность в диапазоне от 30 кг/мин до 130 кг/мин; и в) способность изменять сечение потока внутри компрессора или турбины; Технологии, требуемые для производства специально спроектированных многотопливных систем впрыска топлива (например, дизельного и топлива для реактивных двигателей), работающих в диапазоне изменения вязкости топлива от 2,5 сантистокса при температуре 310,8 К (37,8°С) (дизельное топливо) до 0,5 сантистокса при температуре 310,8 К (37,8°С) (бензин), характеризующихся всем нижеследующим: а) инжектируемым объемом, превышающим 230 куб.мм на один впрыск в один цилиндр; б) деталями специально разработанного электронного регулятора переключения и автоматического измерения характеристик топлива для обеспечения определенного значения момента вращения с применением соответствующих датчиков; Технологии, требуемые для разработки или производства дизельных двигателей с высокой выходной мощностью, с твердой, газофазной или жидкопленочной (или их комбинациями) смазкой стенок цилиндров, позволяющей работать при температуре выше 723 К (450°С), измеряемой на стенке цилиндра в верхней предельной точке касания верхнего поршневого кольца Техническое примечание. Дизельные двигатели с высокой выходной мощностью - это двигатели с номинальной частотой вращения 2300 об/мин и более при приложении среднего эффективного давления торможения 1,8 МПа или выше |
8411 11000 0; 8411 81000; 8411 82 8411 82 200; 8411 82 600; 8411 82 800 0 8411 99 001 1; 8411 99 009 0 8802 60; 9306 90 8412 10 000 9 8412 90 800 0 8412 90 800 0 7311 00; 8413 19 000 0 8413 19 000 0 8412 90 200 0 8412 29 890 9; 8479 89 970 9 8412 90 800 0; 9306 90 900 0 3801; 8412 90; 9306 90 8412 10 000 9 4016 10 000 0; 4016 99 990 9; 4017 00 900 0; 8412 90 200 0; 8803 90 900 0 9306 90 9306 90 8412 90 200 0; 9306 90 8412 10 000 9; 8412 90 200 0 2804 50 100 0; 2818 20 000 0; 2849 20 000 0; 3801; 3926 90 980 2; 6815 99 100 0; 6903 10 000 0; 7019 11000 0; 7019 12 000 0; 7019 19; 7019 40 000 0; 7019 51 000 0; 7019 52 000 0; 7019 59 000 0; 810199 100 0; 8102 95 000 0; 8108 90 300 0; 8108 90 500 0; 8108 90 600 0; 8412 90; 8803 90 900 0; 9306 90 2804 50 100 0; 2818 20 000 0; 2849 20 000 0; 3801; 3926 90 980 2; 6815 99 100 0; 6903 10 000 0; 7019 11 000 0; 7019 12 000 0; 7019 19; 7019 40 000 0; 7019 51000 0; 7019 52 000 0; 7019 59 000 0; 810199 100 0; 8102 95 000 0; 8108 90 300 0; 8108 90 500 0; 8108 90 600 0; 8412 90; 8803 90 900 0; 9306 90 8803 90 900 0; 9306 90 8412 10 000 9 8412 10 000 9 8802 20 000 0; 8802 30 000 0; 8802 40 000 9; 9306 90 8486 10 000 9 6903 90 900 0 8537 10 100 0; 8537 10 910 9; 9031 80 980 0; 9032 89 000 0 8459 61; 8459 69; 9024 10; 9031 20 000 0 8515 80 110 0; 8515 80 190 0; 8466 9031 20 000 0 9031 20 000 0 9031 20 000 0 9031 20 000 0 9022 29 000 0; 9024 10; 9031 9025 19 800 0; 9027 80 970 0 8462 99 100 0 |
Раздел 2
"Чувствительные" товары и технологии
N пункта | Наименование | Код ТН ВЭД |
Категория 1. Перспективные материалы | ||
1.1. 1.1.1. 1.1.1.1. 1.1.1.2. 1.1.1.2.1. 1.1.1.2.2. 1.2. 1.3. 1.3.1. 1.3.1.1. 1.3.1.2. 1.3.1.3. 1.3.1.3.1. 1.3.1.3.2. 1.3.1.3.3. 1.3.1.3.4. 1.3.1.3.5. 1.3.2. 1.3.2.1. 1.3.2.2. 1.3.3. 1.3.3.1. 1.3.3.2. 1.3.3.2.1. 1.3.3.2.1.1. 1.3.3.2.1.2. 1.3.3.2.2. 1.3.4. 1.3.4.1. 1.3.4.2. 1.4. 1.4.1. 1.5. 1.5.1. 1.5.2. 1.5.2.1. 1.5.2.2. |
Системы, оборудование и компоненты Конструкции из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, имеющие любую из следующих составляющих: Органическую матрицу и выполненные из материалов, контролируемых по пунктам 1.3.10.3 - 1.3.10.5 раздела 1; или Металлическую или углеродную матрицу и выполненные из: Углеродных волокнистых или нитевидных материалов с: а) удельным модулем упругости, превышающим 10,15 х 10(6) м; и б) удельной прочностью при растяжении, превышающей 17,7 х 10(4) м; или Материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.3 раздела 1 Технические примечания: 1. Удельный модуль упругости - модуль Юнга, выраженный в паскалях (Н/кв.м), деленный на удельный вес в Н/куб.м, измеренные при температуре (296 +- 2) К [(23 +- 2)°С] и относительной влажности (50 +- 5)% 2. Удельная прочность при растяжении - предел прочности при растяжении, выраженный в паскалях (Н/кв.м), деленный на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +- 2) К [(23 +- 2)°С] и относительной влажности (50 +- 5)% Примечания: По пункту 1.1.1 не контролируются: 1. Полностью или частично изготовленные конструкции, специально разработанные для следующего только гражданского использования: а) в спортивных товарах; б) в автомобильной промышленности; в) в станкостроительной промышленности; г) в медицинских целях 2. Элементы конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры с размерами, не превышающими 1 кв.м, изготовленные из пропитанных эпоксидной смолой углеродных волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта летательных аппаратов Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет Материалы Материалы, специально разработанные для поглощения электромагнитных волн, или полимеры, обладающие собственной проводимостью: Материалы для поглощения электромагнитных волн в области частот от 2 х 10(8) Гц до 3 х 10(12) Гц Примечания: 1. По пункту 1.3.1.1 не контролируются: а) поглотители войлочного типа, изготовленные из натуральных и синтетических волокон, содержащие немагнитный наполнитель; б) поглотители, не имеющие магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности; в) плоские поглотители, обладающие всеми следующими признаками: 1) изготовленные из любых следующих материалов: вспененных полимерных материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связующие, обеспечивающих более 5% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на +- 15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 450 К (177°С); или керамических материалов, обеспечивающих более 20% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на +- 15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 800 К (527°С); 2) прочностью при растяжении менее 7 х 10(6) Н/кв.м; и 3) прочностью при сжатии менее 14 х 10(6) Н/кв.м; г) плоские поглотители, выполненные из спеченного феррита, имеющие: г) плоские поглотители, выполненные из спеченного феррита, имеющие: удельный вес более 4,4 г/куб.см; и максимальную рабочую температуру 548 К (275°С) 2. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании 1 к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках Техническое примечание. Образцы для проведения испытаний на поглощение, приведенные в подпункте 1 пункта "в" примечания 1 к пункту 1.3.1.1, должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн средней частоты и располагаться в дальней зоне излучающего элемента; Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих 1,5 х 10(14) Гц, но ниже, чем 3,7 х 10(14) Гц, и непрозрачные для видимого света; Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью более 10 000 См/м (Сименс/м) или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 См/кв.м, полученные на основе любого из следующих полимеров: Полианилина; Полипиррола; Политиофена; Полифенилен-винилена; или Политиенилен-винилена Техническое примечание. Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTMD-257 или ее национальным эквивалентом Исходные керамические материалы, некомпозиционные керамические материалы, композиционные материалы с керамической матрицей и соответствующие прекурсоры: Композиционные материалы типа керамика-керамика со стеклянной или оксидной матрицей, армированной волокнами, имеющими все следующие характеристики: а) изготовлены из любых нижеследующих материалов: Si-N; Si-C; Si-Al-O-N; или Si-O-N; и б) имеют удельную прочность при растяжении, превышающую 12,7 х 10(3) м; Композиционные материалы типа керамика-керамика с непрерывной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора Нитевидные или волокнистые материалы, которые могут быть использованы в композиционных материалах объемной или слоистой структуры с органической, металлической или углеродной матрицей: Неорганические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: а) удельный модуль упругости, превышающий 2,54 х 10(6) м; и б) точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую температуру 1922 К (1649°С) Примечание. По пункту 1.3.3.1 не контролируются: а) дискретные, многофазные, поликристаллические волокна оксида алюминия в виде рубленых волокон или беспорядочно уложенных в матах, содержащие 3% или более (по весу) диоксида кремния и имеющие удельный модуль упругости менее 10 х 10(6) м; б) молибденовые волокна и волокна из молибденовых сплавов; в) волокна бора; г) дискретные керамические волокна с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде выше 2043 К (1770°С); Волокнистые или нитевидные материалы: Состоящие из любого из нижеследующих материалов: Полиэфиримидов, контролируемых по пунктам 1.3.8.1.1 - 1.3.8.1.4 раздела 1; или Материалов, контролируемых по пунктам 1.3.8.2 - 1.3.8.6 раздела 1; или Изготовленные из материалов, контролируемых по пункту 1.3.3.2.1.1 или 1.3.3.2.1.2, и связанные с волокнами других типов, контролируемых по пунктам 1.3.10.1 - 1.3.10.3 раздела 1 Следующие материалы: Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония-238 более 50% (по весу) Примечание. По пункту 1.3.4.1 не контролируются: а) поставки, содержащие 1 г плутония или менее; б) поставки, содержащие три эффективных грамма плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах; Предварительно обогащенный нептуний-237 в любой форме Примечание. По пункту 1.3.4.2 не контролируются поставки, содержащие не более 1 г нептуния-237 Техническое примечание. Материалы, указанные в пункте 1.3.4, обычно используются для ядерных источников тепла Программное обеспечение Программное обеспечение для разработки композиционных материалов с объемной или слоистой структурой на основе органических, металлических или углеродных матриц, указанных в настоящем разделе Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пункту 1.1.1 или 1.3 Иные нижеследующие технологии: Технологии сборки, эксплуатации или восстановления материалов, контролируемых по пункту 1.3.1; Технологии восстановления конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, контролируемых по пункту 1.1.1, или материалов, контролируемых по пункту 1.3.2.1 или 1.3.2.2 Примечание. По пункту 1.5.2.2 не контролируются технологии ремонта элементов конструкций гражданских летательных аппаратов с использованием углеродных волокнистых или нитевидных материалов и эпоксидных смол, содержащиеся в руководствах производителя летательных аппаратов |
3926 90 980 2; 3926 90 910 0; 3926 90 980 3801; 3926 90 980 2; 3926 90 910 0; 3926 90 980; 6903 10 000 0 3815 19; 3910 00 000 9 3815 19; 3910 00 000 9 3909 30 000 0 3911 90 990 0 3911 90 990 0 3911 90 990 0 3919 90 900 0 2849; 2850 00; 8803 90 200 0; 8803 90 300 0; 8803 90 900 0; 9306 90 2849 20 000 0; 2849 90 100 0; 2850 00 200 0; 8113 00 200 0; 8113 00 900 0 8101 96 000 0; 8101 99 900 0; 8108 90 300 0; 8108 90 900 0 5402 11 000 0; 5402 20 000 0; 5402 49 000 0; 5404 12 000 0; 5404 19 000 0; 5501 10 000 1; 5501 20 000 0; 5501 90 000 0; 5503 11 000 0; 5503 20 000 0; 5503 90 900 0 5402 20 000 0; 5402 49 000 0; 5404 12 000 0; 5404 19 000 0; 550120 000 0; 5501 90 000 0; 5503 20 000 0; 5503 90 900 0 2844 20 510 0; 2844 20 590 0; 2844 20 990 0 2844 40 200 0; 2844 40 300 0 |
Категория 2. Обработка материалов | ||
2.1. 2.2. 2.3. 2.4. 2.4.1. 2.5. 2.5.1. |
Системы, оборудование и компоненты - нет Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение иное, чем контролируемое по пункту 2.4.2 раздела 1, специально разработанное для разработки или производства следующего оборудования: а) токарных станков, имеющих все следующие характеристики: точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3,6 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и две или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; б) фрезерных станков, имеющих любую из следующих характеристик: 1) имеющих все следующие характеристики: точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3,6 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; 2) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы вдоль любой линейной оси для контурного управления и имеющие точность позиционирования со всеми доступными компенсациями, равную 3,6 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; или 3) для координатно-расточных станков точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; в) станков для электроискровой обработки (СЭО) беспроволочного типа, имеющих две или более оси вращения, которые могут быть совместно управления; г) сверлильных станков для сверления глубоких отверстий или токарных станков, модифицированных для сверления глубоких отверстий, обеспечивающих максимальную глубину сверления отверстий 5000 мм или более, и специально разработанных для них компонентов; д) станков с числовым программным управлением или станков с ручным управлением и специально предназначенных для них компонентов, оборудования для контроля и приспособлений, специально разработанных для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (R_с = 40 или более) прямозубых цилиндрических, косозубых и шевронных шестерен диаметром делительной окружности более 1250 мм и шириной зубчатого венца, равной 15% от диаметра делительной окружности или более, с качеством после финишной обработки по классу 3 в соответствии с международным стандартом ISO 1328 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки программного обеспечения, контролируемого по пункту 2.4, или разработки либо производства следующего оборудования: а) токарных станков, имеющих все следующие характеристики: точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3,6 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и две или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; б) фрезерных станков, имеющих любую из следующих характеристик: 1) имеющих все следующие характеристики: точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3,6 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; 2) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы вдоль любой линейной оси для контурного управления и имеющие точность позиционирования со всеми доступными компенсациями, равную 3,6 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; или 3) для координатно-расточных станков точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; в) станков для электроискровой обработки (СЭО) беспроволочного типа, имеющих две или более оси вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; г) сверлильных станков для сверления глубоких отверстий или токарных станков, модифицированных для сверления глубоких отверстий, обеспечивающих максимальную глубину сверления отверстий 5000 мм или более, и специально разработанных для них компонентов; д) станков с числовым программным управлением или станков с ручным управлением и специально предназначенных для них компонентов, оборудования для контроля и приспособлений, специально разработанных для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (R_с = 40 или более) прямозубых цилиндрических, косозубых и шевронных шестерен диаметром делительной окружности более 1250 мм и шириной зубчатого венца, равной 15% от диаметра делительной окружности или более, с качеством после финишной обработки по классу 3 в соответствии с международным стандартом ISO 1328 |
|
Категория 3. Электроника | ||
3.1. 3.1.1. 3.2. 3.2.1. 3.3. 3.4. 3.4.1. 3.5. 3.5.1. |
Системы, оборудование и компоненты Атомные эталоны частоты, пригодные для применения в космосе Испытательное, контрольное и производственное оборудование Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов полупроводниковых соединений с использованием материалов, контролируемых по пункту 3.3.3 или 3.3.4 раздела 1, в качестве исходных Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 3.1 или 3.2 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 3.1 или 3.2 |
8543 20 000 0 8486 20 900 9 |
Категория 4. Вычислительная техника | ||
4.1. 4.1.1. 4.2. 4.3. 4.4. 4.4.1. 4.5. 4.5.1. |
Системы, оборудование и компоненты Радиационно стойкие ЭВМ и сопутствующее оборудование, а также электронные сборки и специально разработанные для них компоненты, превышающие любое из следующих требований: а) общая доза 5 х 10(3) Гр (Si) [5 х 10(5) рад]; б) мощность дозы 5 х 10(6) Гр (Si)/c [5 х 10(8) рад/с]; или в) сбой от однократного события 10(-7) ошибок/бит/день; Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 4.1, или для разработки или производства цифровых ЭВМ, имеющих совокупную теоретическую производительность (СТП), превышающую 190 000 Мтопс Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства следующего оборудования или программного обеспечения: а) оборудования, контролируемого по пункту 4.1; б) цифровых ЭВМ, имеющих совокупную теоретическую производительность (СТП), превышающую 190 000 Мтопс; или в) программного обеспечения, контролируемого по пункту 4.4 |
8471 |
Категория 5 | ||
Часть 1. Телекоммуникации | ||
5.1.1. 5.1.1.1. 5.1.1.1.1. 5.1.1.1.2. 5.2.1. 5.2.1.1. 5.3.1. 5.4.1. 5.4.1.1. 5.4.1.2. 5.5.1. 5.5.1.1. |
Системы, оборудование и компоненты Телекоммуникационное оборудование любого типа, имеющее любую из следующих характеристик, функций или свойств: Является радиоаппаратурой, использующей методы расширения спектра, включая метод скачкообразной перестройки частоты, имеющей любую из следующих характеристик: а) коды расширения, программируемые пользователем; или б) общую ширину полосы частот выше 50 кГц, при этом она в 100 или более раз превышает ширину полосы частот любого единичного информационного канала Примечания: 1. По подпункту "б" пункта 5.1.1.1.1 не контролируется радиооборудование, специально разработанное для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи 2. По пункту 5.1.1.1.1 не контролируется оборудование, спроектированное для работы с выходной мощностью 1,0 Вт или менее; Является радиоприемным устройством с цифровым управлением, имеющим все следующие характеристики: а) более 1000 каналов; б) время переключения частоты менее 1 мс; в) автоматический поиск или сканирование в части спектра электромагнитных волн; и г) возможность идентификации принятого сигнала или типа передатчика Примечание. По пункту 5.1.1.1.2 не контролируется оборудование, специально разработанное для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи Испытательное, контрольное и производственное оборудование Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально предназначенные для разработки, производства или использования оборудования, функций или свойств, контролируемых по части 1 категории 5 Примечание. По пункту 5.2.1.1 не контролируется оборудование определения параметров оптического волокна Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, функций или свойств, контролируемых по части 1 категории 5 Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обслуживания технологий, контролируемых по пункту 5.5.1 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства оборудования, функций, свойств или программного обеспечения, контролируемых по части 1 категории 5 |
8517 12 000 0; 8517 61 000 9; 8525 60 000 0 8527 |
Часть 2. Защита информации - нет | ||
Категория 6. Датчики и лазеры | ||
6.1. 6.1.1. 6.1.1.1. 6.1.1.1.1. 6.1.1.1.2. 6.1.1.1.2.1. 6.1.1.1.2.2. 6.1.1.1.2.3. 6.1.1.1.2.4. 6.1.1.1.2.5. 6.1.1.1.2.6. 6.1.2. 6.1.2.1. 6.1.2.1.1. 6.1.2.1.1.1. 6.1.2.1.1.2. 6.1.2.1.1.3. 6.1.2.1.2. 6.1.2.1.3. 6.1.2.1.3.1. 6.1.2.1.3.2. 6.1.2.1.3.3. 6.1.2.1.3.4. 6.1.2.1.3.5. 6.1.2.2. 6.1.2.3. 6.1.2.3.1. 6.1.2.3.2. 6.1.2.4. 6.1.3. 6.1.3.1. 6.1.3.1.1. 6.1.3.1.2. 6.1.4. 6.1.4.1. 6.1.4.1.1. 6.1.4.1.2. 6.1.4.1.3. 6.1.4.1.4. 6.1.4.2. 6.1.4.2.1. 6.1.4.2.2. 6.1.4.2.3. 6.1.4.2.4. 6.1.5. 6.1.5.1. 6.1.5.2. 6.1.6. 6.1.6.1. 6.1.6.2. 6.1.6.3. 6.1.6.4. 6.2. 6.2.1. 6.3. 6.4. 6.4.1. 6.4.2. 6.4.2.1. 6.4.2.2. 6.4.2.3. 6.4.2.4. 6.5. 6.5.1. 6.5.2. |
Системы, оборудование и компоненты Акустика Морские акустические системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты: Активные системы обнаружения или определения местоположения, имеющие любую из следующих характеристик: а) частоту передачи ниже 5 кГц или уровень звукового давления выше 224 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне от 5 кГц до 10 кГц; б) уровень звукового давления выше 224 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне от 10 кГц до 24 кГц включительно; в) уровень звукового давления выше 23 5 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне между 24 кГц и 30 кГц; г) формирование лучей уже 1° по любой оси и рабочую частоту ниже 100 кГц; д) предназначенные для работы с дальностью абсолютно надежного обнаружения целей более 5120 м; или е) разработанные для нормального функционирования на глубинах более 1000 м и имеющие датчики с любыми из следующих характеристик: динамически подстраивающиеся под давление; или содержащие чувствительные элементы, изготовленные не из титаната-цирконата свинца Примечание. По пункту 6.1.1.1.1 не контролируются: а) эхолоты, действующие вертикально под аппаратом, не включающие функцию сканирования луча в диапазоне более +- 20° и ограниченные измерением глубины воды, расстояния до погруженных или заглубленных объектов или косяков рыбы; б) следующие акустические буи: аварийные акустические буи; акустические буи с дистанционным управлением, специально разработанные для перемещения или возвращения в подводное положение; Пассивные (принимающие, связанные или не связанные в условиях нормального применения с отдельными активными устройствами) системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты: Гидрофоны с любой из следующих характеристик: а) включающие непрерывные гибкие чувствительные элементы; б) включающие гибкие сборки дискретных чувствительных элементов с диаметром или длиной менее 20 мм и с расстоянием между элементами менее 20 мм; в) имеющие любые из следующих чувствительных элементов: волоконно-оптические; пьезоэлектрические из полимерных пленок, отличные от поливинилиденфторида (PVDF) и его сополимеров {P(VDF-TrFE) и P(VDF-TFE)} ({поли(винилиденфторид-трифторэтилен) и поли(винилиденфторид-тетрафтор-этилен)}); или гибкие пьезоэлектрические из композиционных материалов; г) разработанные для эксплуатации на глубинах более 35 м, с компенсацией ускорения; или д) разработанные для эксплуатации на глубинах более 1000 м Примечание. Контрольный статус гидрофонов, специально разработанных для другого оборудования, определяется контрольным статусом этого оборудования; Технические примечания: 1. Пьезоэлектрические чувствительные элементы из полимерной пленки состоят из поляризованной полимерной пленки, которая натянута на несущую конструкцию или катушку (сердечник) и прикреплена к ним 2. Гибкие пьезоэлектрические чувствительные элементы из композиционного материала состоят из пьезоэлектрических керамических частиц или волокон, распределенных в электроизоляционном акустически прозрачном резиновом, полимерном или эпоксидном связующем, которое является неотъемлемой частью чувствительного элемента; Буксируемые акустические гидрофонные решетки, имеющие любую из следующих характеристик: а) гидрофонные группы, расположенные с шагом менее 12,5 м, или имеющие возможность модификации для расположения гидрофонных групп с шагом менее 12,5 м; б) разработанные или имеющие возможность модификации для работы на глубинах более 35 м Техническое примечание. Возможность модификации, указанная в подпунктах "а" и "б" пункта 6.1.1.1.2.2, означает наличие резервов, позволяющих изменять схему соединений или внутренних связей для усовершенствования гидрофонной группы по ее размещению или изменению пределов рабочей глубины. Такими резервами является возможность монтажа: запасных проводников в количестве, превышающем 10% от числа рабочих проводников связи; блоков настройки конфигурации гидрофонной группы или внутренних устройств, ограничивающих глубину погружения, что обеспечивает регулировку или контроль более чем одной гидрофонной группы; в) датчики направленного действия, контролируемые по пункту 6.1.1.1.2.4; г) продольно армированные рукава решетки; д) собранные решетки диаметром менее 40 мм; е) сигнальные многоэлементные гидрофонные группы, разработанные для работы на глубинах более 35 м или имеющие регулируемое либо сменное устройство измерения глубины для эксплуатации на глубинах, превышающих 35 м; или ж) характеристики гидрофонов, указанные в пункте 6.1.1.1.2.1 раздела 1; Аппаратура обработки данных в реальном масштабе времени, специально разработанная для применения в буксируемых акустических гидрофонных решетках, обладающая программируемостью пользователем, обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований или процессов; Датчики направленного действия, имеющие все следующие характеристики: а) точность лучше +- 0,5°; и б) разработанные для работы на глубинах, превышающих 35 м, либо имеющие регулируемое или сменное глубинное чувствительное устройство, разработанное для работы на глубинах, превышающих 35 м; Донные или притопленные кабельные системы, имеющие любую из следующих составляющих: а) объединяющие гидрофоны, указанные в пункте 6.1.1.1.2.1 раздела 1; или б) объединяющие сигнальные модули многоэлементной гидрофонной группы, имеющие все следующие характеристики: разработаны для функционирования на глубинах, превышающих 35 м, либо обладают регулируемым или сменным устройством измерения глубины для работы на глубинах, превышающих 35 м; и обладают возможностью оперативного взаимодействия с модулями буксируемых акустических гидрофонных решеток; Аппаратура обработки данных в реальном масштабе времени, специально разработанная для донных или протопленных кабельных систем, обладающая программируемостью пользователем и обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований либо процессов Оптические датчики Оптические детекторы: Нижеперечисленные твердотельные детекторы, пригодные для применения в космосе: Твердотельные детекторы, имеющие все следующие характеристики: а) максимум чувствительности в диапазоне длин волн от 10 нм до 300 нм; и б) чувствительность на длине волны, превышающей 400 нм, менее 0,1% относительно максимальной чувствительности; Твердотельные детекторы, имеющие все следующие характеристики: а) максимум чувствительности в диапазоне длин волн от 900 нм до 1200 нм; и б) постоянную времени отклика 95 не или менее; Твердотельные детекторы, имеющие максимум чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30 000 нм Электронно-оптические преобразователи, имеющие все нижеперечисленное: максимум чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050 нм; микроканальную пластину для электронного усиления изображения с шагом между осями отверстий 12 мкм или менее; и любые из следующих фотокатодов: 1) фотокатоды S-20, S-25 или многощелочные фотокатоды со светочувствительностью более 700 мкА/лм; 2) фотокатоды на GaAs или GaInAs; или 3) другие полупроводниковые фотокатоды на соединениях групп III - V Примечание. Подпункт 3 пункта 6.1.2.1.2 не включает фотокатоды на полупроводниковых соединениях с максимальной интегральной чувствительностью к лучистому потоку 10 мА/Вт или менее; Решетки фокальной плоскости: Решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие все следующие составляющие: а) отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от 900 нм до 1050 нм; и б) постоянную времени отклика менее 0,5 нс; Решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие все следующие составляющие: а) отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1200 нм; и б) постоянную времени отклика 95 нс или менее; Нелинейные (двухмерные) решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от более 1200 нм до 30 000 нм; Линейные (одномерные) решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие все следующие составляющие: а) отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от 1200 нм до 2500 нм включительно; и б) любое из следующего: отношение размера в направлении сканирования детекторного элемента к размеру в направлении поперек сканирования детекторного элемента менее 3,8; или обработку сигналов в элементе; Линейные (одномерные) решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от 2500 нм до 30000 нм включительно Технические примечания: 1. Линейные или двухмерные многоэлементные детекторные решетки относятся к решеткам фокальной плоскости 2. Для целей пункта 6.1.2.1.3 "направление поперек сканирования" определяется как ось, параллельная линейке детекторных элементов, а "направление сканирования" определяется как ось, перпендикулярная линейке детекторных элементов Примечания: 1. Пункт 6.1.2.1.3 включает фотопроводящие и фотоэлектрические решетки 2. По пункту 6.1.2.1.3 не контролируются: а) кремниевые решетки фокальной плоскости; б) многоэлементные (не более 16 элементов) фотопроводящие ячейки, использующие сульфид или селенид свинца; в) пироэлектрические детекторы на основе любого из следующих материалов: триглицинсульфата и его производных; титаната свинца-лантана-циркония и его производных; танталата лития; поливинилиденфторида и его производных; или ниобата бария-стронция и его производных 3. По пункту 6.1.2.1.3 следующие решетки фокальной плоскости не включены в настоящий раздел: а) решетки фокальной плоскости на силициде платины (PtSi), имеющие менее 10 000 элементов; б) решетки фокальной плоскости на силициде иридия (IrSi) в) решетки фокальной плоскости на антимониде индия (InSb) или селениде свинца (PbSe), имеющие менее 256 элементов; г) решетки фокальной плоскости на арсениде индия (InAs); д) решетки фокальной плоскости на сульфиде свинца (PbS); или е) решетки фокальной плоскости на соединениях индий-арсенид-галлий (InGaAs); ж) решетки фокальной плоскости с потенциальной ямой, выполненные на основе арсенида галлия (GaAs) или галлий-алюминий-мышьяка (GaAlAs), имеющие менее 256 элементов; з) пироэлектрические или ферроэлектрические решетки фокальной плоскости (содержащие титанат бария-стронция, титанат цирконата свинца или титанат свинца-скандия), имеющие менее 8000 элементов; и) нитридванадиевые оксидсиликоновые микроболометрические решетки фокальной плоскости, имеющие менее 8000 элементов 4. По пункту 6.1.2.1.3 следующие решетки фокальной плоскости на основе ртуть-кадмий-теллур (HgCdTe) не включены в настоящий раздел: а) сканирующие решетки, имеющие: 30 элементов или менее; или реализующие поэлементное включение времени задержки и интегрирования и имеющие два или менее элемента; или б) широкообзорные решетки, имеющие менее 256 элементов Технические примечания: 1. Сканирующие решетки определяются как решетки фокальной плоскости, разработанные для использования в сканирующих оптических системах, которые формируют общую картину методом последовательного формирования отдельных изображений 2. Широкообзорные решетки определяются как решетки фокальной плоскости, разработанные для использования с несканирующей оптической системой, которая формирует общую картину Примечание. По пункту 6.1.2.1 не контролируются германиевые или кремниевые фотоустройства Моноспектральные датчики изображения и многоспектральные датчики изображения, разработанные для применения при дистанционном зондировании и имеющие любую из следующих характеристик: а) мгновенное поле обзора (МПО) менее 200 мкрад; или б) разработанные для функционирования в диапазоне длин волн от 400 нм до 30 000 нм и обладающие всеми нижеперечисленными свойствами: обеспечивающие выходные данные изображения в цифровом формате; пригодные для применения в космосе или разработанные для функционирования на борту летательного аппарата при использовании некремниевых детекторов; и имеющие МПО менее 2,5 мрад Оборудование прямого наблюдения изображения, работающее в видимом диапазоне или ИК-диапазоне и содержащее любую из следующих составляющих: Электронно-оптические преобразователи, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.2; или Решетки фокальной плоскости, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.3 Техническое примечание. Под оборудованием прямого наблюдения изображения подразумевается оборудование для получения изображения, работающее в видимом диапазоне или ИК-диапазоне, которое представляет визуальное изображение человеку-наблюдателю без преобразования изображения в электронный сигнал для телевизионного дисплея и которое не может записывать или сохранять изображение фотографически, а также электронным или другим способом Примечание. По пункту 6.1.2.3 не контролируется следующее оборудование, содержащее фотокатоды на материалах, отличных от GaAs или GaInAs: а) промышленные или гражданские системы охранной сигнализации, системы управления движением транспорта или производственным движением и системы счета; б) медицинское оборудование; в) промышленное оборудование, используемое для инспекции, сортировки или анализа свойств материалов; г) датчики контроля пламени для промышленных печей; д) оборудование, специально разработанное для лабораторного использования Решетки фокальной плоскости, пригодные для применения в космосе, имеющие более 2048 элементов на решетку и максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм Камеры Камеры формирования изображения: Камеры формирования изображений, содержащие электронно-оптические преобразователи, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.2; Камеры формирования изображений, включающие решетки фокальной плоскости, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.3 Примечание. По пункту 6.1.3.1.2 не контролируются камеры формирования изображений, содержащие линейные решетки фокальной плоскости с 12 или меньшим числом элементов, не применяющих задержку по времени и интегрирование в элементе, разработанные для любого из следующего: а) промышленных или гражданских систем охранной сигнализации, систем управления движением транспорта или производственным движением и систем счета; б) производственного оборудования, используемого для контроля или мониторинга тепловых потоков в зданиях, оборудовании или производственных процессах; в) производственного оборудования, используемого для контроля, сортировки или анализа свойств материалов; г) оборудования, специально разработанного для лабораторного использования; д) медицинского оборудования Примечание. По пункту 6.1.3.1 не контролируются телевизионные или видеокамеры, специально разработанные для телевизионного вещания Оптика Компоненты для оптических систем, пригодные для применения в космосе: Оптические элементы облегченного типа с эквивалентной плотностью менее 20% по сравнению со сплошной заготовкой с теми же апертурой и толщиной; Необработанные подложки, обработанные подложки с поверхностным покрытием (однослойным или многослойным, металлическим или диэлектрическим, проводящим, полупроводящим или изолирующим) или имеющие защитные пленки; Сегменты или системы зеркал, предназначенные для сборки в космосе в оптическую систему с приемной апертурой, равной или больше одного оптического метра в диаметре; Изготовленные из композиционных материалов, имеющих коэффициент линейного термического расширения, равный или менее 5 x 10(-6) в любом направлении Оборудование оптического контроля: Специально разработанное для поддержания профиля поверхности или ориентации оптических компонентов, пригодных для применения в космосе, контролируемых по пункту 6.1.4.1.1 или 6.1.4.1.3; Имеющее управление, слежение, стабилизацию или юстировку резонатора в полосе частот, равной или выше 100 Гц, и погрешность 10 мкрад или менее; Кардановы подвесы, имеющие все следующие характеристики: а) максимальный угол поворота более 5°; б) ширину полосы, равную или выше 100 Гц; в) ошибки угловой наводки, равные или меньше 200 мкрад; и г) имеющие любую из следующих характеристик: диаметр или длину главной оси более 0,15 м, но не более 1 м и допускающие угловые ускорения более 2 рад/с2; или диаметр или длину главной оси более 1 м и допускающие угловые ускорения более 0,5 рад/с2; Специально разработанное для поддержания юстировки фазированной решетки или систем зеркал с фазированными сегментами, содержащее зеркала с диаметром сегмента или длиной главной оси 1 м или более Магнитометры Магнитометры, использующие технологии оптической накачки или ядерной прецессии (протонной/Оверхаузера), имеющие среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) меньше (лучше) 2 пТ, деленных на корень квадратный из частоты в герцах Магнитокомпенсационные системы для магнитных датчиков, разработанных для применения на подвижных платформах Примечание. В пункт 6.1.5.2 не включены компенсаторы, которые обеспечивают только абсолютные значения геомагнитного поля на выходе, то есть ширину полосы выходного сигнала от 0 Гц до, по крайней мере, 0,8 Гц; Примечание. По пункту 6.1.5 не контролируются инструменты, специально разработанные для биомагнитных измерений медицинской диагностики Радиолокаторы Локационные системы, оборудование и узлы, имеющие любую из следующих характеристик: Имеют возможность работы в режимах РЛС с синтезированной апертурой или обратной синтезированной апертурой или в режиме локатора бокового обзора воздушного базирования; Используют обработку сигналов локатора с применением: а) методов расширения спектра РЛС; или б) методов радиолокации с быстрой перестройкой частоты; Имеют подсистемы обработки сигнала со сжатием импульса с любой из следующих характеристик: а) коэффициентом сжатия импульса более 150; или б) шириной импульса менее 200 не; или Имеют подсистемы обработки данных для автоматического распознавания образов (выделение признаков) и сравнения с базами данных характеристик цели (формы сигналов или формирование изображений) для идентификации или классификации целей Примечание. По пункту 6.1.6 не контролируются: а) обзорные РЛС с активным ответом; б) автомобильные РЛС, предназначенные для предотвращения столкновений; в) дисплеи или мониторы, используемые для управления воздушным движением (УВД), имеющие не более 12 различимых элементов на 1 мм; г) метеорологические локаторы Испытательное, контрольное и производственное оборудование Радиолокаторы Импульсные локационные системы для измерения поперечного сечения, имеющие длительность передаваемых импульсов 100 нс или менее, и специально разработанные для них компоненты Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 6.1.4, 6.1.6 или 6.2.1 Иное нижеследующее программное обеспечение: Программное обеспечение, специально разработанное для формирования акустического луча при обработке в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема с использованием буксируемых гидрофонных решеток; Исходная программа для обработки в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема с использованием буксируемых гидрофонных решеток; Программное обеспечение, специально разработанное для формирования акустического луча при обработке в реальном масштабе времени акустических данных при пассивном приеме донными или погруженными кабельными системами; Исходная программа для обработки в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема донными или погруженными кабельными системами Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования, материалов или программного обеспечения, контролируемых по пунктам 6.1 - 6.4 раздела 1 Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования, контролируемого по пункту 6.1 или 6.2 |
9014 80 000 0; 9015 80 910 0 9014 80 000 0; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0 9014 80 000 0; 9014 90 000 0; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 8907 90 000 0; 9014 80 000 0; 9014 90 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0 8907 90 000 0; 9014 80 000 0; 9014 90 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8540 20 800 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8541 40 900 0 8540 89 000 0 8540 20 800 0; 8540 99 000 0; 9005 8540 99 000 0; 9005 9013 80 900 0 8525 80 300 0; 8525 80 910 1; 8525 80 910 9; 8525 80 990 1; 8525 80 990 9 8525 80 300 0; 8525 80 910; 8525 80 990 9001 90 000 0; 9002 90 000 0 7014 00 000 0; 9001 90 000 0 9001 90 000 0; 9002 90 000 0 9003 90 000 0 9031 49 900 0; 9032 89 000 0 9031 49 900 0; 9032 89 000 0 8412 21 200 9; 8412 31 000 0; 8479 89 970 9; 9032 81 000 9; 9032 89 000 0 9032 89 000 0 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 8526 10 000 8526 10 000 8526 10 000 8526 10 000 8526 10 000 9 |
Категория 7. Навигация и авиационная электроника | ||
7.1. 7.2. 7.3. 7.4. 7.4.1. 7.4.2. 7.4.2.1. 7.4.2.2. 7.4.2.3. 7.4.2.4. 7.4.2.4.1. 7.4.2.4.2. 7.4.2.4.3. 7.4.2.4.4. 7.4.2.4.5. 7.5. 7.5.1. 7.5.2. |
Системы, оборудование и компоненты - нет Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет Материалы - нет Программное обеспечение Исходная программа для использования в любом инерциальном навигационном оборудовании, включая инерциальное оборудование, не контролируемое по пункту 7.1.3 или 7.1.4 раздела 1, либо в инерциальных курсовертикалях Примечание. По пункту 7.4.1 не контролируются исходные программы для использования в инерциальных курсовертикалях с кардановым подвесом Техническое примечание. Инерциальная курсовертикаль, как правило, отличается от инерциальной навигационной системы (ИНС) тем, что она обеспечивает информацией об угловых координатах летательного аппарата и обычно не дает информации об ускорении, скорости и пространственных координатах, которую дает ИНС Иное программное обеспечение, кроме указанного в пункте 7.4.1: Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для улучшения эксплуатационных характеристик или уменьшения навигационной ошибки систем до уровней, указанных в пункте 7.1.3 или 7.1.4 раздела 1; Исходная программа для гибридных интегрированных систем, которые улучшают эксплуатационные характеристики или уменьшают навигационную ошибку систем до уровней, указанных в пункте 7.1.3 раздела 1, при непрерывном комбинировании инерциальных данных с данными любой из следующих систем: а) допплеровским определителем скорости; б) глобальной навигационной спутниковой системой (GPS или ГЛОНАСС); или в) навигационными системами на основе эталонных баз данных (DBRN); Исходная программа для интегрированных авиационных или космических систем, которая объединяет данные измерений датчиков и использует экспертные системы; Исходная программа для разработки любого из следующего: Цифровых систем управления полетом для общего управления полетом; Интересованных систем управления двигателями и полетом; Электродистанционных или оптико-дистанционных систем управления полетом; Отказоустойчивых или реконфигурируемых активных систем управления полетом; Растровых индикаторов, проецирующих показания приборов на лобовом стекле, или трехмерных дисплеях Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 7.1, 7.2 или 7.4 раздела 1 Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования, контролируемого по пункту 7.1 или 7.2 раздела 1 |
|
Категория 8. Морское дело | ||
8.1. 8.1.1. 8.1.1.1. 8.1.1.1.1. 8.1.1.1.2. 8.1.1.1.3. 8.1.1.2. 8.1.1.2.1. 8.1.1.2.2. 8.1.1.3. 8.1.1.3.1. 8.1.1.3.2. 8.1.1.3.3. 8.1.2. 8.1.2.1. 8.1.2.2. 8.1.2.3. 8.1.2.3.1. 8.1.2.3.2. 8.1.2.3.3. 8.1.2.3.4. 8.1.2.4. 8.1.2.4.1. 8.1.2.4.2. 8.1.2.5. 8.2. 8.3. 8.4. 8.4.1. 8.4.2. 8.5. 8.5.1. 8.5.2. |
Системы, оборудование и компоненты Подводные аппараты и надводные суда: Особое примечание. Для оценки контрольного статуса оборудования подводных аппаратов необходимо руководствоваться: для оборудования передачи зашифрованной информации - частью 2 категории 5 (Защита информации); применительно к датчикам - категорией 6; для навигационного оборудования - категориями 7 и 8; для подводного оборудования - пунктом 8.1 Обитаемые, непривязные подводные аппараты, имеющие любую из следующих характеристик: Спроектированные для работы в автономном режиме и имеющие все следующие характеристики по подъемной силе: а) 10% или более их собственного веса (веса в воздухе); и б) 15 кН или более; Спроектированные для работы на глубинах более 1000 м; или Имеющие все следующие характеристики: а) экипаж из четырех или более человек; б) возможность автономной работы в течение 10 часов или более; в) радиус действия 25 морских миль или более; и г) длину 21 м или менее Технические примечания: 1. Для целей пункта 8.1.1.1 термин "автономная работа" означает, что аппараты полностью погружаются без шнорхеля, все их системы функционируют и обеспечивают плавание на минимальной скорости, при которой глубиной погружения можно безопасно управлять в динамике с использованием только глубинных рулей без участия надводного судна поддержки или базы на поверхности, на дне или на берегу; аппараты имеют двигательную установку для движения в подводном и надводном состоянии 2. Для целей пункта 8.1.1.1 термин "радиус действия" означает половину максимального расстояния, которое может преодолеть подводный аппарат; Необитаемые, привязанные к базе подводные аппараты, работоспособные на глубинах более 1000 м, имеющие любую из следующих характеристик: Разработанные для самостоятельных маневров с применением движителей или тяговых установок, контролируемых по пункту 8.1.2.1.2 раздела 1; или Имеющие волоконно-оптические каналы передачи данных; Необитаемые, непривязные подводные аппараты, имеющие любую из следующих характеристик: Разработанные для прокладки курса по отношению к любому географическому ориентиру в реальном масштабе времени без участия человека; Имеющие акустическую связь для передачи данных или команд; или Имеющие волоконно-оптическую связь для передачи данных или команд на расстояние более 1000 м Системы и оборудование: Примечание. Для систем подводной связи см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации) Системы, специально разработанные или модифицированные для автоматического управления движением подводных аппаратов, контролируемых по пункту 8.1.1, использующие навигационные данные и имеющие сервоуправление с замкнутым контуром: а) позволяющие аппарату перемещаться вблизи заданного горизонта в пределах 10 м; б) удерживающие аппарат в пределах 10 м относительно заданного горизонта; или в) удерживающие аппарат в пределах 10 м при следовании по кабелю, лежащему на дне или заглубленному в грунт; Роботы, специально спроектированные для подводного применения, управляемые с использованием специализированного компьютера, имеющие любую из следующих составляющих: а) системы, управляющие роботом с использованием информации, поступающей от датчиков, которые измеряют усилие или момент, прикладываемые к внешнему объекту, расстояние до внешнего объекта или контактное (тактильное) взаимодействие между роботом и внешним объектом; или б) возможность создавать усилие 250 H или более или момент 250 Нм или более и имеющие элементы конструкции, изготовленные с использованием титановых сплавов или композиционных материалов с армированием волокнистыми или нитевидными материалами; Независимые от атмосферы энергетические системы, специально разработанные для применения под водой: Независимые от атмосферы энергетические системы с двигателями циклов Брайтона или Ренкина, имеющие любую из следующих составляющих: а) химические скрубберы или абсорберы, специально разработанные для удаления диоксида углерода, оксида углерода и частиц из рециркулируемого выхлопа двигателя; б) системы, специально разработанные для применения атомарного газа; в) устройства или глушители, специально разработанные для снижения шума под водой на частотах ниже 10 кГц, или специально смонтированные устройства для подавления шума выбросов; или г) системы, специально разработанные для: герметизации продуктов реакции или регенерации топлива; хранения продуктов реакции; и выброса продуктов реакции при противодавлении в 100 кПа или выше; Изолированные от атмосферы энергетические системы с дизельными двигателями, имеющие все следующие характеристики: а) химические скрубберы или абсорберы, специально разработанные для удаления диоксида углерода, оксида углерода и частиц из рециркулируемого выхлопа двигателя; б) системы, специально разработанные для применения атомарного газа; в) устройства или глушители, специально разработанные для снижения шума под водой на частотах ниже 10 кГц, или специально смонтированные устройства для подавления шума выбросов; и г) специально разработанные выхлопные системы с задержкой выброса продуктов сгорания; Изолированные от атмосферы энергетические системы на топливных элементах (ЭХГ) с выходной мощностью, превышающей 2 кВт, имеющие любую из следующих составляющих: а) устройства или глушители, специально разработанные для снижения шума под водой на частотах ниже 10 кГц, или специально смонтированные устройства для подавления шума выбросов; или б) системы, специально разработанные для: герметизации продуктов реакции или регенерации топлива; хранения продуктов реакции; и выброса продуктов реакции при противодавлении в 100 кПа или выше; Изолированные от атмосферы энергетические системы с двигателями цикла Стирлинга, имеющие все следующие составляющие: а) устройства или глушители, специально разработанные для снижения шума под водой на частотах ниже 10 кГц, или специально смонтированные устройства для подавления шума выбросов; и б) специально разработанные выхлопные системы с выхлопом продуктов сгорания при противодавлении в 100 кПа или выше; Следующие системы снижения шума, разработанные для применения на судах водоизмещением 1000 тонн или более: Системы снижения шума под водой на частотах ниже 500 Гц, состоящие из составных демпфирующих оснований (моторам), для акустической изоляции дизельных двигателей, дизель-генераторных агрегатов, газовых турбин, газотурбинных генераторных установок, движителей или главных редукторов, специально разработанных для звуковой или виброизоляции, имеющие среднюю массу, превышающую 30% массы монтируемого оборудования; Активные системы снижения шума или шумоподавления, или магнитного пеленга, специально разработанные для трансмиссионных систем, включающие электронные системы управления, работающие в режиме активного снижения вибрации оборудования путем генерирования антишумовых или антивибрационных сигналов, направленных непосредственно на источник шума; Водометные (гидрореактивные) движители насосного типа с выходной мощностью, превышающей 2,5 МВт, в которых используются расширяющееся сопло и техника кондиционирования потока направляющим устройством в целях повышения эффективности движителя или снижения генерируемых движителем и распространяющихся под водой шумов Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 8.1 Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства, текущего ремонта, капитального ремонта или восстановления чистоты поверхности, повторной обработки гребных винтов, специально разработанных для снижения их шума под водой Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 8.1 Технологии для разработки, производства, текущего ремонта, капитального ремонта или восстановления чистоты поверхности, повторной обработки гребных винтов, специально разработанных для снижения их шума под водой |
8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 9014 80 000 0 8479 50 000 0; 8479 90 960 0 8408 10; 8409 99 000 9 8408 10; 8409 99 000 9 8409 99 000 9 8408 10; 8409 99 000 9 4016 10 000 0; 4016 99 990 9; 4017 00 900 0; 8409 99 000 9; 8412 29 200 9 8479 89 970 9; 8543 20 000 0; 8543 70 900 9 8412 29 200 9 |
Категория 9. Двигатели | ||
9.1. 9.1.1. 9.2. 9.2.1. 9.3. 9.4. 9.4.1. 9.4.2. 9.4.3. 9.4.3.1. 9.4.3.2. 9.5. 9.5.1. 9.5.2. 9.5.3. 9.5.3.1. 9.5.3.1.1. 9.5.3.1.2. 9.5.3.1.3. 9.5.3.1.4. 9.5.3.1.5. 9.5.3.1.6. 9.5.3.1.7. |
Системы, оборудование и компоненты Прямоточные воздушно-реактивные двигатели, пульсирующие воздушно-реактивные двигатели или двигатели комбинированного цикла и специально разработанные для них компоненты Испытательное, контрольное и производственное оборудование Керамические стержни или формы, специально разработанные для производства методом литья рабочих и сопловых лопаток турбин или элементов бандажа Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки оборудования или технологии, контролируемых по пункту 9.1, 9.2 или 9.5.3 Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для производства оборудования, контролируемого по пункту 9.1 или 9.2 Программное обеспечение, кроме указанного в пунктах 9.4.1 и 9.4.2 Программное обеспечение для математического моделирования двух - или трехмерного вязкого течения, основанное на данных испытаний в аэродинамических трубах или данных летных испытаний, используемое для моделирования потока внутри двигателя; Программное обеспечение, специально разработанное для управления направленной кристаллизацией или формированием монокристалла Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по подпункту "в" пункта 9.1.1, пунктам 9.1.4 - 9.1.11, 9.2 и 9.4 раздела 1 Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования, контролируемого по подпункту "в" пункта 9.1.1, пунктам 9.1.4 - 9.1.11 и 9.2 раздела 1 Особое примечание. Для технологии по восстановлению контролируемых конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры см. пункт 1.5.2.2 Примечание. Технологии разработки или производства газотурбинных двигателей, контролируемые по пункту 9.5, остаются контролируемыми, когда они используются как технологии для ремонта, модернизации или капитального ремонта. Не контролируются технические данные, чертежи или эксплуатационная документация, непосредственно связанные с поверкой, извлечением или заменой поврежденных или неремонтопригодных заменяемых блоков, включая замену двигателей в целом или их модульных блоков Иные технологии, кроме указанных в пунктах 9.5.1 и 9.5.2: Технология, требуемая для разработки или производства любых из следующих компонентов или систем газотурбинных двигателей: Лопаток газовых турбин или элементов бандажа, полученных из сплавов направленной кристаллизацией (DS) или из монокристаллических сплавов (SC), имеющих в направлении <001> (по Миллеру) ресурс длительной прочности, превышающий 400 ч при температуре 1273 К (1000°С) и напряжении 200 МПа, базирующийся на усредненных показателях свойств материала; Многокупольных камер сгорания, работающих при средних температурах на выходе из камеры сгорания выше 1813 К (1540°С), или камер сгорания, содержащих внутренние корпуса, термически разделенные футеровками, неметаллическими облицовками или неметаллическими оболочками; Компонентов, изготовленных из любого нижеследующего материала: а) композиционных материалов с полимерной матрицей, разработанных для применения при температурах выше 588 К (315°С); б) контролируемых по пункту 1.3.7 раздела 1 композиционных материалов с металлической, керамической или интерметаллидной матрицей, а также интерметаллических материалов; или в) композиционных материалов, контролируемых по пункту 1.3.10 раздела 1 и изготовленных с использованием полимеров, контролируемых по пункту 1.3.8 раздела 1 Неохлаждаемых рабочих и сопловых лопаток газовых турбин, элементов бандажа или других компонентов, спроектированных для работы в газовом потоке с температурой 1323 К (1050°С) или выше; Охлаждаемых рабочих и сопловых лопаток газовых турбин, элементов бандажа или других компонентов, иных, чем те, что описаны в пункте 9.5.3.1.1, и работающих в газовом потоке с температурой 1643 К (1370°С) или выше; Элементов ротора газотурбинного двигателя из материалов, полученных методом порошковой металлургии и контролируемых по пункту 1.3.2.2 раздела 1; Электронно-цифровых систем управления газотурбинными двигателями и двигателями с комбинированным циклом и относящихся к ним диагностических устройств, датчиков и специально спроектированных компонентов |
8412 10 000 9 6903 90 900 0 |
Раздел 3
"Весьма чувствительные" товары и технологии
N пункта | Наименование | Код ТН ВЭД |
Категория 1. Перспективные материалы | ||
1.1. 1.1.1. 1.2. 1.3. 1.3.1. 1.3.1.1. 1.3.1.2. 1.3.1.3. 1.3.1.3.1 1.3.1.3.2. 1.3.1.3.3. 1.3.1.3.4. 1.3.1.3.5. 1.3.2. 1.3.2.1. 1.3.2.2. 1.4. 1.5. 1.5.1. |
Системы, оборудование и компоненты Конструкции из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, имеющие органическую матрицу и выполненные из материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.3 или 1.3.10.4 раздела 1 Примечание. По пункту 1.1.1 не контролируются полностью или частично изготовленные конструкции, специально разработанные для следующего только гражданского использования: а) в спортивных товарах; б) в автомобильной промышленности; в) в станкостроительной промышленности; г) в медицинских целях Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет Материалы Материалы, специально разработанные для поглощения электромагнитных волн, или полимеры, обладающие собственной проводимостью: Материалы для поглощения электромагнитных волн в области частот от 2 х 10(8) Гц до 3 х 10(12) Гц Примечания: 1. По пункту 1.3.1.1 не контролируются: а) поглотители войлочного типа, изготовленные из натуральных и синтетических волокон, содержащие немагнитный наполнитель; б) поглотители, не имеющие магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности; в) плоские поглотители, обладающие всеми следующими признаками: 1) изготовленные из любых следующих материалов: вспененных полимерных материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связующие, обеспечивающих более 5% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на +- 15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 450 К (177°С); или керамических материалов, обеспечивающих более 20% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на +- 15% и не способных выдерживать температуры, превышающие 800 К (527°С); 2) прочностью при растяжении менее 7 х 10(6) Н/кв.м; и 3) прочностью при сжатии менее 14 х 10(6) Н/кв.м; г) плоские поглотители, выполненные из спеченного феррита, имеющие: удельный вес более 4,4 г/куб.см; и максимальную рабочую температуру 548 К (275°С) 2. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании 1 к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках Техническое примечание. Образцы для проведения испытаний на поглощение, приведенные в подпункте 1 пункта "в" примечания 1 к пункту 1.3.1.1, должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн средней частоты и располагаться в дальней зоне излучающего элемента; Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих 1,5 х 10(14) Гц, но ниже, чем 3,7 х 10(14) Гц, и непрозрачные для видимого света; Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью выше 10 000 См/м (Сименс/м) или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 Ом/кв.м, полученные на основе любого из следующих полимеров: Полианилина; Полипиррола; Политиофена; Полифенилен-винилена; или Политиенилен-винилена Техническое примечание. Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или ее национальным эквивалентом Следующие материалы: Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония-238 более 50% (по весу) Примечание. По пункту 1.3.2.1 не контролируются: а) поставки, содержащие 1 г плутония или менее; б) поставки, содержащие три эффективных грамма плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах; Предварительно обогащенный нептуний-237 в любой форме Примечание. По пункту 1.3.2.2 не контролируются поставки, содержащие не более 1 г нептуния-237 Техническое примечание. Материалы, указанные в пункте 1.3.2, обычно используются для ядерных источников тепла Программное обеспечение - нет Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пункту 1.1.1 или 1.3 |
3926 90 980 2; 3926 90 910 0; 3926 90 980 3815 19; 3910 00 000 9 3815 19; 3910 00 000 9 3909 30 000 0 3911 90 990 0 3911 90 990 0 3911 90 990 0 3919 90 900 0 2844 20 510 0; 2844 20 590 0; 2844 20 990 0 2844 40 200 0; 2844 40 300 0 |
Категория 2. Обработка материалов - нет | ||
Категория 3. Электроника - нет | ||
Категория 4. Вычислительная техника - нет | ||
Категория 5 | ||
Часть 1. Телекоммуникации | ||
5.1.1. 5.1.1.1. 5.2.1. 5.3.1. 5.4.1. 5.4.1.1. 5.5.1. 5.5.1.1. |
Системы, оборудование и компоненты Радиоприемные устройства с цифровым управлением, имеющие все следующие характеристики: а) более 1000 каналов; б) время переключения частоты менее 1 мс: в) автоматический поиск или сканирование в части спектра электромагнитных волн; и г) возможность идентификации принятого сигнала или типа передатчика Примечание. По пункту 5.1.1.1 не контролируется оборудование, специально разработанное для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, функций или свойств, контролируемых по части 1 категории 5 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства оборудования, функций, свойств или программного обеспечения, контролируемых по части 1 категории 5 |
8527 |
Часть 2. Защита информации - нет | ||
Категория 6. Датчики и лазеры | ||
6.1. 6.1.1. 6.1.1.1. 6.1.1.1.1. 6.1.1.1.2. 6.1.1.1.2.1. 6.1.1.1.2.2. 6.1.1.1.2.3. 6.1.1.1.2.4. 6.1.1.1.2.5. 6.1.2. 6.1.2.1. 6.1.3. 6.2. 6.2.1. 6.3. 6.4. 6.4.1. 6.4.2. 6.4.2.1. 6.4.2.2. 6.4.2.3. 6.4.2.4. 6.5. 6.5.1. 6.5.2. |
Системы, оборудование и компоненты Акустика Морские акустические системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты: Активные системы обнаружения или определения местоположения, имеющие уровень звукового давления выше 210 дБ (1 мкПа на 1 м) и рабочую частоту в диапазоне от 30 Гц до 2 кГц Примечание. По пункту 6.1.1.1.1 не контролируются: а) эхолоты, действующие вертикально под аппаратом, не включающие функцию сканирования луча в диапазоне более +- 20° и ограниченные измерением глубины воды, расстояния до погруженных или заглубленных объектов или косяков рыбы; б) следующие акустические буи: аварийные акустические буи; акустические буи с дистанционным управлением, специально разработанные для перемещения или возвращения в подводное положение; Пассивные (принимающие, связанные или не связанные в условиях нормального применения с отдельными активными устройствами) системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты: Гидрофоны с любой из следующих характеристик: а) включающие непрерывные гибкие чувствительные элементы; б) включающие гибкие сборки дискретных чувствительных элементов с диаметром или длиной менее 20 мм и с расстоянием между элементами менее 20 мм; в) имеющие любые из следующих чувствительных элементов: волоконно-оптические; пьезоэлектрические из полимерных пленок, отличные от поливинилиденфторида (PVDF) и его сополимеров {P(VDF-TrFE) и P(VDF-TFE)} ({поли(винилиденфторид-трифторэтилен) и поли(винилиденфторид-тетрафтор-этилен)}); или гибкие пьезоэлектрические из композиционных материалов; г) разработанные для эксплуатации на глубинах более 35 м, с компенсацией ускорения; или д) разработанные для эксплуатации на глубинах более 1000 м Примечание. Контрольный статус гидрофонов, специально разработанных для другого оборудования, определяется контрольным статусом этого оборудования; Технические примечания: 1. Пьезоэлектрические чувствительные элементы из полимерной пленки состоят из поляризованной полимерной пленки, которая натянута на несущую конструкцию или катушку (сердечник) и прикреплена к ним 2. Гибкие пьезоэлектрические чувствительные элементы из композиционного материала состоят из пьезоэлектрических керамических частиц или волокон, распределенных в электроизоляционном акустически прозрачном резиновом, полимерном или эпоксидном связующем, которое является неотъемлемой частью чувствительного элемента; Буксируемые акустические гидрофонные решетки, имеющие любую из следующих характеристик: а) гидрофонные группы, расположенные с шагом менее 12,5 м, или имеющие возможность модификации для расположения гидрофонных групп с шагом менее 12,5 м; б) разработанные или имеющие возможность модификации для работы на глубинах более 35 м Техническое примечание. Возможность модификации, указанная в подпунктах "а" и "б" пункта 6.1.1.1.2.2, означает наличие резервов, позволяющих изменять схему соединений или внутренних связей для усовершенствования гидрофонной группы по ее размещению или изменению пределов рабочей глубины. Такими резервами является возможность монтажа: запасных проводников в количестве, превышающем 10% от числа рабочих проводников связи; блоков настройки конфигурации гидрофонной группы или внутренних устройств, ограничивающих глубину погружения, что обеспечивает регулировку или контроль более чем одной гидрофонной группы; в) датчики направленного действия, контролируемые по пункту 6.1.1.1.2.4 раздела 1; г) продольно армированные рукава решетки; д) собранные решетки диаметром менее 40 мм; е) сигнальные многоэлементные гидрофонные группы, разработанные для работы на глубинах более 35 м или имеющие регулируемое либо сменное устройство измерения глубины для эксплуатации на глубинах, превышающих 35 м; или ж) характеристики гидрофонов, указанные в пункте 6.1.1.1.2.1 раздела 1; Аппаратура обработки данных в реальном масштабе времени, специально разработанная для применения в буксируемых акустических гидрофонных решетках, обладающая программируемостью пользователем, обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований или процессов; Донные или притопленные кабельные системы, имеющие любую из следующих составляющих: а) объединяющие гидрофоны, указанные в пункте 6.1.1.1.2.1 раздела 1; или б) объединяющие сигнальные модули многоэлементной гидрофонной группы, имеющие все следующие характеристики: разработаны для функционирования на глубинах, превышающих 35 м, либо обладают регулируемым или сменным устройством измерения глубины для работы на глубинах, превышающих 35 м; и обладают возможностью оперативного взаимодействия с модулями буксируемых акустических гидрофонных решеток; Аппаратура обработки данных в реальном масштабе времени, специально разработанная для донных или притопленных кабельных систем, обладающая программируемостью пользователем и обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча, с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований либо процессов Оптические датчики Твердотельные детекторы, пригодные для применения в космосе, имеющие максимум чувствительности в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30 000 нм Радиолокаторы Локационные системы, оборудование и узлы, имеющие подсистемы обработки данных для автоматического распознавания образов (выделение признаков) и сравнения с базами данных характеристик цели (формы сигналов или формирование изображений) для идентификации или классификации целей Примечание. По пункту 6.1.3 не контролируются: а) обзорные РЛС с активным ответом; б) автомобильные РЛС, предназначенные для предотвращения столкновений; в) дисплеи или мониторы, используемые для управления воздушным движением (УВД), имеющие не более 12 различимых элементов на 1 мм; г) метеорологические локаторы Испытательное, контрольное и производственное оборудование Радиолокаторы Импульсные локационные системы для измерения поперечного сечения, имеющие длительность передаваемых импульсов 100 нс или менее, и специально разработанные для них компоненты Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 6.1.3 или 6.2.1 Иное программное обеспечение, кроме указанного в пункте 6.4.1: Программное обеспечение, специально разработанное для формирования акустического луча при обработке в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема с использованием буксируемых гидрофонных решеток; Исходная программа для обработки в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема с использованием буксируемых гидрофонных решеток; Программное обеспечение, специально разработанное для формирования акустического луча при обработке в реальном масштабе времени акустических данных при пассивном приеме донными или погруженными кабельными системами; Исходная программа для обработки в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема донными или погруженными кабельными системами Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемого по пункту 6.1, 6.2 или 6.4 Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования, контролируемого по пункту 6.1 или 6.2 |
9014 80 000 0; 9015 80 910 0 9014 80 000 0; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 110 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0 9014 80 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0 8907 90 000 0; 9014 80 000 0; 9014 90 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0 8907 90 000 0; 9014 80 000 0; 9014 90 000 0; 9015 80 930 0; 9015 80 990 0 8541 40 900 0 8526 10 000 8526 10 000 9 |
Категория 7. Навигация и авиационная электроника | ||
7.1. 7.2. 7.3. 7.4. 7.4.1. 7.4.2. 7.5. |
Системы, оборудование и компоненты - нет Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для улучшения эксплуатационных характеристик или уменьшения навигационной ошибки систем до уровней, указанных в пункте 7.1.3 или 7.1.4 раздела 1; Исходная программа для гибридных интегрированных систем, которые улучшают эксплуатационные характеристики или уменьшают навигационную ошибку систем до уровней, указанных в пункте 7.1.3 раздела 1, при непрерывном комбинировании инерциальных данных с данными любой из следующих систем: а) допплеровским определителем скорости; б) глобальной навигационной спутниковой системой (GPS или ГЛОНАСС); или в) навигационными системами на основе эталонных баз данных (DBRN) Технологии - нет |
|
Категория 8. Морское дело | ||
8.1. 8.1.1. 8.1.1.1. 8.1.1.1.1. 8.1.1.1.2. 8.1.1.1.3. 8.1.1.2. 8.1.1.2.1. 8.1.1.2.2. 8.1.1.2.3. 8.1.2. 8.2. 8.3. 8.4. 8.4.1. 8.5. 8.5.1. |
Системы, оборудование и компоненты Подводные аппараты и надводные суда: Особое примечание. Для оценки контрольного статуса оборудования подводных аппаратов необходимо руководствоваться: для оборудования передачи зашифрованной информации - частью 2 категории 5 (Защита информации); применительно к датчикам - категорией 6; для навигационного оборудования - категориями 7 и 8; для подводного оборудования - пунктом 8.1 Обитаемые, непривязные подводные аппараты, имеющие любую из следующих характеристик: Спроектированные для работы в автономном режиме и имеющие все следующие характеристики по подъемной силе: а) 10% или более их собственного веса (веса в воздухе); и б) 15 кН или более; Спроектированные для работы на глубинах более 1000 м; или Имеющие все следующие характеристики: а) экипаж из четырех или более человек; б) возможность автономной работы в течение 10 часов или более; в) радиус действия 25 морских миль или более; и г) длину 21 м или менее Технические примечания: 1. Для целей пункта 8.1.1.1 термин "автономная работа" означает, что аппараты полностью погружаются без шнорхеля, все их системы функционируют и обеспечивают плавание на минимальной скорости, при которой глубиной погружения можно безопасно управлять в динамике с использованием только глубинных рулей без участия надводного судна поддержки или базы на поверхности, на дне или на берегу; аппараты имеют двигательную установку для движения в подводном и надводном состоянии. 2. Для целей пункта 8.1.1.1 термин "радиус действия" означает половину максимального расстояния, которое может преодолеть подводный аппарат; Необитаемые, непривязные подводные аппараты, имеющие любую из следующих характеристик: Разработанные для прокладки курса по отношению к любому географическому ориентиру в реальном масштабе времени без участия человека; Имеющие акустическую связь для передачи данных или команд; или Имеющие волоконно-оптическую связь для передачи данных или команд на расстояние более 1000 м Активные системы снижения шума или шумоподавления, или магнитного пеленга, специально разработанные для трансмиссионных систем судов водоизмещением 1000 т или более, включающие электронные системы управления, работающие в режиме активного снижения вибрации оборудования путем генерирования антишумовых или антивибрационных сигналов, направленных непосредственно на источник шума Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 8.1 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 8.1 |
8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8906 90 100 0; 8906 90 990 0 8479 89 970 9; 8543 20 000 0; 8543 70 900 9 |
Категория 9. Двигатели | ||
9.1. 9.1.1. 9.2. 9.3. 9.4. 9.4.1. 9.4.2. 9.5. 9.5.1. 9.5.2. 9.5.3. 9.5.3.1. 9.5.3.1.1. 9.5.3.1.2. |
Системы, оборудование и компоненты Прямоточные воздушно-реактивные двигатели, пульсирующие воздушно-реактивные двигатели или двигатели комбинированного цикла и специально разработанные для них компоненты Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки оборудования или технологий, контролируемых по пункту 9.1 или 9.5.3 Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для производства оборудования, контролируемого по пункту 9.1 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 9.1 или 9.4 Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования, контролируемого по пункту 9.1 Иные технологии, кроме указанных в пунктах 9.5.1 и 9.5.2: Технология, требуемая для разработки или производства любых из следующих компонентов или систем газотурбинных двигателей: Лопаток газовых турбин или элементов бандажа, полученных из сплавов направленной кристаллизацией (DS) или из монокристаллических сплавов (SC), имеющих в направлении <001> (по Миллеру) ресурс длительной прочности, превышающий 400 ч при температуре 1273 К (1000°С) и напряжении 200 МПа, базирующийся на усредненных показателях свойств материала; Компонентов, изготовленных из композиционных материалов с полимерной матрицей, разработанных для применения при температуре выше 588 К (315°С) |
8412 10 000 9 |
Раздел 4
Товары и технологии*, контролируемые по соображениям национальной безопасности
/-----------------------------------------------------------------------\
| N пункта | Наименование | Код ТН ВЭД |
|-----------------------------------------------------------------------|
| Категория 10. Энергетика |
|-----------------------------------------------------------------------|
| 10.1. |Системы, оборудование и компоненты - нет| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.2. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.2.1. |Специальное буровое оборудование и| |
| |станки, позволяющие закладывать скважины| |
| |диаметром более 1 м для подземных| |
| |испытаний, и их ключевые элементы,| |
| |такие, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.2.1.1. |Буровые станки для проходки|8430 31 000 0; |
| |горизонтальных или вертикальных шахтных|8430 39 000 0; |
| |стволов диаметром более1 м; |8430 41 000 0; |
| | |8430 49 000 0; |
| | | 8430 50 000 1 |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.2.1.2. |Разведочные машины с рабочим диаметром|8430 31 000 0; |
| |более 1 м и секционными удлинителями,|8430 39 000 0; |
| |способные развертываться на глубину 60 м|8430 41 000 0; |
| |или более; |8430 49 000 0; |
| | | 8430 50 000 1 |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.2.1.3. |Колонны двойных обсадных труб с наружным| 7304; |
| |диаметром 30,5 см или более; | 7305; |
| | | 7306 |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.2.1.4. |Буровые коронки диаметром 1 м или более |8207 13 000 0; |
| | | 8207 19 |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.3. |Материалы | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.3.1. |Тантал металлический, сплавы на основе| 8103 |
| |тантала, соединения тантала и изделия из| |
| |них | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.3.2. |Гадолиний металлический, сплавы на| 2805 19 900 0 |
| |основе гадолиния и изделия из них | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.4. |Программное обеспечение | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.4.1. |Программное обеспечение, разработанное| |
| |для разработки или применения в системах| |
| |наведения и управления пучком| |
| |электронов, указанных в пункте| |
| |10.5.2.1.3 | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.4.2. |Программное обеспечение магнитной| |
| |транспортировки пучка электронов для| |
| |борьбы с аберрацией третьего и более| |
| |высоких порядков, а также с эффектами,| |
| |вызванными пространственным зарядом при| |
| |магнитной транспортировке пучков| |
| |электронов с током более 5 кА и энергией| |
| |частиц более 20 МэВ | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5. |Технология | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.1. |Технологии, связанные с исследованием| |
| |физики ядерного взрыва: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.1.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения специального бурового| |
| |оборудования и станков, позволяющих| |
| |закладывать скважины диаметром 1 м или| |
| |более для подземных испытаний, и его| |
| |ключевых элементов, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.1.1.1. |Буровых станков для проходки| |
| |горизонтальных или вертикальных шахтных| |
| |стволов диаметром 1 м или более; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.1.1.2. |Разведочных машин с рабочим диаметром 1| |
| |м или более и секционными удлинителями,| |
| |способных развертываться на глубину 60 м| |
| |или более; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.1.1.3. |Колонн двойных обсадных труб с наружным| |
| |диаметром 30,5 см или более; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.1.1.4. |Буровых коронок диаметром 1 м или более | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения методов и средств генерации и| |
| |управления пучками направленного| |
| |ионизирующего излучения: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем с пучками частиц: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2.1.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем формирования пучков| |
| |электронов с током более 5 кА и энергией| |
| |частиц более 20 МэВ, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.1.1. |Систем генерации сильноточных пучков| |
| |электронов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.1.2. |Инжекторов пучков электронов, включая: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.1.2.1|Системы ускорения пучков электронов| |
| . |после инжектора; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.1.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения ускорителей: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.1.3.1|Технологии разработки или применения| |
| . |методов уменьшения размеров, веса и| |
| |стоимости инжекторов пучков частиц,| |
| |такие, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.1.3.1|Технологии разработки, производства или| |
| .1. |применения таких материалов, как| |
| |аморфные ферриты и ферритовые материалы| |
| |для ускорителей с ферромагнитными| |
| |сердечниками; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.1.3.1|Технологии разработки, производства или| |
| .2. |применения изолирующих материалов и| |
| |конструкционных приемов для получения| |
| |градиентов напряжения в ускорителях| |
| |более 100 МВ/м; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.1.3.1|Технологии разработки или применения| |
| .3. |методов выбора оптимального ускоряющего| |
| |промежутка в импульсных ускорителях на| |
| |радиальных линиях для получения высоких| |
| |градиентов ускоряющего поля; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.1.3.1|Технологии разработки, производства или| |
| .4. |применения систем рециркуляции пучка| |
| |частиц; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.1.3.1|Технологии разработки, производства или| |
| .5. |применения сильноточных циклических| |
| |ускорителей с током более 5 кА; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.1.3.2|Технологии разработки или применения| |
| . |способов определения и поддержания| |
| |стабильности пучка частиц в| |
| |многокаскадных ускорителях; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.1.3.3|Технологии разработки или применения| |
| . |способов измерения характеристик пучка| |
| |частиц, включая лучеиспускательную| |
| |способность; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.1.3.4|Технологии разработки или применения| |
| . |способов подавления искажения формы| |
| |импульса в ускорителях с ферромагнитным| |
| |сердечником и в импульсных ускорителях| |
| |на радиальных линиях; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2.1.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения высокомощных отдельных (с| |
| |разбросом менее 1 нс) и пакетных (более| |
| |10 штук в пакете) быстродействующих| |
| |(менее 10 нс) коммутаторов электрической| |
| |энергии, специально созданных для| |
| |подсистем генерации пучков электронов,| |
| |имеющих энергию в импульсе более 10 МДж;| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2.1.3. |Технологии, разработанные для| |
| |исследований процессов распространения| |
| |сильноточных (более 5 кА) и в то же| |
| |время высокоэнергетических (более 20| |
| |МэВ) пучков электронов: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.3.1. |Методы изучения распространения| |
| |сильноточных высокоэнергетических пучков| |
| |электронов в атмосфере на расстояние| |
| |более 20 м; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.3.2. |Технологии разработки или применения| |
| |методов улучшения характеристик| |
| |распространения сильноточных пучков| |
| |электронов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.3.3. |Экспериментальные данные, связанные с| |
| |распространением сильноточных| |
| |высокоэнергетических пучков электронов в| |
| |газах; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.3.4. |Технологии, разработанные для изучения| |
| |взаимодействия пучков электронов с| |
| |веществом; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2.1.4. |Технологии разработки или применения| |
| |моделей численного моделирования, и| |
| |соответствующие базы данных по| |
| |распространению сильноточных| |
| |высокоэнергетических пучков электронов,| |
| |указанных в пункте 10.5.2.1.3; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2.1.5. |Технологии, разработанные для изучения| |
| |эффектов взаимодействия| |
| |высокоэнергетических пучков электронов,| |
| |указанных в пункте 10.5.2.1.3, с| |
| |мишенями и мер противодействия: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.5.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения моделей численного| |
| |моделирования и соответствующие базы| |
| |данных; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.1.5.2. |Экспериментальные данные, связанные с| |
| |повреждением электронами многослойных| |
| |целей из различных материалов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2.2. |Технологии производства или применения| |
| |систем с пучками нейтральных частиц,| |
| |имеющих среднюю мощность в непрерывном| |
| |режиме 20 МВт или более или энергию в| |
| |коротком (менее 10 мкс) импульсе 2 МДж| |
| |или более: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2.2.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем генерации пучков| |
| |нейтральных частиц: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.1.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения инжекторов пучков ионов: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.1.1.1|Технологии, разработанные для| |
| . |исследований интенсивных пучков ионов| |
| |водорода с током более 0,2 А и| |
| |эмиттенсами по обеим координатам 0,00001| |
| |см х рад, выводимых из создающего их| |
| |устройства, с использованием следующих| |
| |методов: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) генерации плотной анодной плазмы; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) подавления внешнего магнитного поля| |
| |пучка электронов; и | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) фокусировки ионных пучков с высокой| |
| |плотностью тока; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.1.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем ускорения пучков ионов| |
| |после инжектора: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.1.2.1|Технологам разработки, производства или| |
| . |применения ферритов, аморфных ферритовых| |
| |и других материалов для увеличения| |
| |произведения вольт-секунды с целью| |
| |получения более высоких градиентов| |
| |ускоряющего поля; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.1.2.2|Технологам разработки, производства или| |
| . |применения изолирующих материалов и| |
| |конструкций с целью получения средних| |
| |темпов ускорения более 100 МэВ/м; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.1.2.3|Технологии разработки, производства или| |
| . |применения ускоряющих ячеек в импульсном| |
| |ускорителе с целью получения более| |
| |высоких градиентов ускоряющего поля; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.1.2.4|Технологии разработки или применения| |
| . |методов рекуперации энергии пучков| |
| |ионов, таких, как: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) методов определения и поддержания| |
| |стабильности в каскадных ускорителях с| |
| |энергией пучка более 5 МэВ; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) методов уменьшения или управления| |
| |яркостью и эмиттенсом пучка при токе| |
| |более 0,2 А и эмиттенсе 0,00001 см х| |
| |рад; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.1.2.5|Технологии разработки, производства или| |
| . |применения керамических радиопрозрачных| |
| |окон, выдерживающих воздействие | |
| |ВЧ-излучения со средней мощностью более| |
| |3 МВт; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.1.2.6|Технологии разработки, производства или| |
| . |применения резонаторов ускорителя или| |
| |других конструктивных элементов,| |
| |значительно упрощающих конструкцию| |
| |ускорителей и улучшающих их| |
| |характеристики; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2.2.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения подсистем генерации| |
| |импульсных пучков нейтральных частиц: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.2.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения высокомощных отдельных и| |
| |каскадных (более 9 штук) коммутаторов| |
| |электрической энергии с низким разбросом| |
| |(менее 1 нс) и высоким быстродействием| |
| |(менее 10 нс); | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2.2.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения подсистем наведения и| |
| |управления пучком нейтральных частиц: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.3.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем наведения и управления| |
| |пучком нейтральных частиц с применением| |
| |любого из следующего: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) излучения пучков, используемого для| |
| |наведения и контроля; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) способов определения поперечных| |
| |сечений обратного рассеяния пучков в| |
| |радиочастотном и электрооптическом| |
| |диапазонах; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) программного обеспечения магнитной| |
| |транспортировки пучка для борьбы с| |
| |аберрацией третьего и более высоких| |
| |порядков, а также с эффектами,| |
| |вызванными появлением пространственного| |
| |заряда; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |г) способов коррекции аберрации для| |
| |ахроматических линз; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2.2.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем нейтрализации пучка: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.4.1. |Технологии разработки или применения| |
| |способов обдирки электронов с| |
| |отрицательных ионов или добавления| |
| |электронов к положительным ионам для| |
| |нейтрализации пучка частиц при условии| |
| |сохранения эмиттенса пучка по обеим| |
| |координатам не более 0,00001 см х рад и| |
| |среднего тока более 0,2 А; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2.2.5. |Технологии разработки или применения| |
| |систем распространения пучков| |
| |нейтральных частиц при потоках частиц| |
| |более 10(18) частиц/с: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.5.1. |Технологии разработки или применения| |
| |аналитических моделей распространения| |
| |пучков частиц в атмосфере; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.5.2. |Экспериментальные данные о| |
| |распространении сильноточных| |
| |высокоэнергетичных пучков частиц в| |
| |верхних слоях атмосферы; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2.2.6. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем взаимодействия пучков| |
| |нейтральных частиц с веществом при| |
| |потоках частиц более 10(18) частиц/с: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.6.1. |Экспериментальные данные о| |
| |взаимодействии высокоэнергетичных мощных| |
| |пучков частиц с веществом; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.6.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения аналитических моделей на ЭВМ| |
| |и связанных с ними баз данных; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.2.2.7. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем оценки эффективности| |
| |воздействия пучка частиц на цели и мер| |
| |защиты: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.2.2.7.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения аналитических моделей на ЭВМ| |
| |и связанных с ними баз данных по| |
| |воздействию на цели | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.3. |Технологии термоядерного синтеза: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.3.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения мощных (более 3 МВт средней| |
| |мощности) СВЧ-источников; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.3.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения оборудования для производства| |
| |материалов очень малой плотности (0,01| |
| |г/куб.см или менее) и с малыми порами| |
| |(менее 3 мкм), но обладающих прочностью| |
| |более 1 кг/кв.см, из высокочистых| |
| |изотропных структур со сверхгладкой| |
| |поверхностью (3 мкм); | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.3.3. |Технологии разработки или применения| |
| |мишеней для термоядерного синтеза с| |
| |инерциальным удержанием и| |
| |соответствующие машинные коды (любой| |
| |размерности) и (или) базы данных с целью| |
| |моделирования, прогнозирования и (или)| |
| |измерения любого из следующего: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) процесса горения дейтерия-трития; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) гидродинамики; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) смешивания ядерного топлива; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |г) нейтронных процессов; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |д) потока излучения; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |е) равновесия состояния; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |ж) коэффициента непрозрачности; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |з) взаимодействия вещества и| |
| |рентгеновского излучения | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения первичных энергетических| |
| |систем: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |Техническое примечание. | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |Под первичной энергетической системой| |
| |понимается совокупность подсистем и| |
| |элементов, обеспечивающих| |
| |целенаправленное получение,| |
| |преобразование и распределение по| |
| |потребителям энергии требуемого качества| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.4.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения компактных с удельной| |
| |энергией 35 кДж/кг или более или| |
| |удельной мощностью 250 Вт/кг или более| |
| |мобильных, транспортабельных или| |
| |предназначенных для использования в| |
| |космическом пространстве первичных| |
| |энергетических систем; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.4.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения малогабаритных ядерных| |
| |источников энергии с удельной энергией| |
| |250 Вт/кг или более и ресурсом 10 лет| |
| |или более; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.4.3. |Технологии разработки или применения| |
| |имитационных моделей для ЭВМ, а также| |
| |необходимых для этого баз расчетных| |
| |данных и средств программного| |
| |обеспечения, позволяющих характеризовать| |
| |взаимодействие между первичными| |
| |энергосистемами и импульсными системами| |
| |или системами направленной энергии; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.4.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения элементов ядерных источников| |
| |тепла, а именно: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) высокотемпературных покрытий для| |
| |ядерного топлива из жаропрочных| |
| |металлов; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) теплоизолирующих жаропрочных| |
| |соединений | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения преобразователей энергии: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения ядерных энергетических| |
| |установок надводных судов и подводных| |
| |аппаратов: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.1.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем управления и защиты| |
| |ядерных реакторных установок; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.1.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения тепловыделяющих элементов| |
| |ядерных реакторных установок надводных| |
| |судов и подводных аппаратов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения реакторных систем мобильного| |
| |назначения: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.2.1. |Технологии разработки или применения| |
| |методов изготовления ядерного топлива,| |
| |специально предназначенного или| |
| |приспособленного для компактных| |
| |реакторов, которое может включать в себя| |
| |сильно обогащенные топлива, а также| |
| |топлива с максимальной внутренней| |
| |рабочей температурой выше 1200°С; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.2.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем преобразования энергии| |
| |для мобильных реакторов, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.2.2.1. |Высокотемпературных (выше 1050°С)| |
| |газотурбинных генераторных систем; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.2.2.2. |Высокотемпературных (выше 1000°С)| |
| |насосов для жидких металлов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.2.2.3. |Термоэмиссионных систем преобразования| |
| |энергии с удельной мощностью 1,5| |
| |Вт(эл.)/кв. см или более и температурой| |
| |1500°С или выше; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.2.2.4. |Термоэлектрических систем преобразования| |
| |энергии с величиной произведения| |
| |добротности z на градусы Кельвина,| |
| |равной 0,6 или более (z - определяется| |
| |электропроводностью материала и его| |
| |термоэлектрическим коэффициентом| |
| |Зеебека) при температуре| |
| |термоэлектрического материала 600°С или| |
| |выше; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.2.2.5. |Высокотемпературных детандеров| |
| |Лисхольма; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.2.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения тепловых трубок с| |
| |температурой выше 600°С или радиационно| |
| |стойких тепловых трубок; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.2.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения установок для волочения| |
| |проволоки из жаропрочных металлов (с| |
| |сечением менее 50 мкм) и плетения мелких| |
| |сеток (содержащих более 8 проволок на 1| |
| |мм); | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.2.5. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем управления мобильными| |
| |реакторами; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.2.6. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения средств контроля критичности| |
| |мобильного ядерного реактора; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.2.7. |Расчетные и экспериментальные данные по| |
| |определению критичности ядерных| |
| |реакторов космического назначения; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.3. |Технологии, связанные с| |
| |электромеханическими преобразователями| |
| |энергии: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.3.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения электромагнитных машин: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.3.1.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения генераторов со стабильной| |
| |постоянной частотой, включая: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) интегрированные приводы; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) гидромеханические передачи постоянной| |
| |скорости вращения; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) преобразователи переменной скорости| |
| |вращения с постоянной частотой; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.3.1.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения портативных турбогенераторов,| |
| |способных давать на выходе 10 МВт или| |
| |более при длительности импульсов от| |
| |миллисекунд до десятков секунд; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.3.1.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем криогенного| |
| |жидкостного и парового охлаждения и| |
| |тепловых трубок для роторных| |
| |электромагнитных машин; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.3.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения магнитогидродинамических| |
| |устройств: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.3.2.1. |Технологии-разработки, производства или| |
| |применения: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.3.2.1.1|Электродов и (или) других| |
| . |высокотемпературных электропроводящих| |
| |керамических материалов для электродов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.3.2.1.2|Методов диагностики систем; | |
| . | | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.3.2.1.3|Систем для работы с жидкими металлами; | |
| . | | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.3.2.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения магнитогидродинамических| |
| |топливных систем, включая: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) информацию о получении топливных| |
| |композиций, обеспечивающих оптимальное| |
| |извлечение мощности; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) методы извлечения затравок и| |
| |изготовления соответствующего| |
| |оборудования; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) получение и использование плазмы, в| |
| |особенности при помощи легких| |
| |ракетоподобных горелок и| |
| |самовозбуждающихся, инициируемых взрывом| |
| |генераторов для длительной работы в| |
| |режиме пульсации; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.3.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения электродинамических| |
| |устройств, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.3.3.1. |Устройств ввода и ионизации рабочего| |
| |тела для электрореактивных двигателей; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.3.3.2. |Ускорителей ионизированных частиц для| |
| |электрореактивных двигателей; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.3.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения устройств пьезоэлектрического| |
| |преобразования, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.3.4.1. |Высокоэффективных пьезоэлектрических| |
| |материалов с высокой усталостной| |
| |прочностью; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.3.4.2. |Схем с низким напряжением возбуждения; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.4. |Технология прямого преобразования: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.4.1. |Технологии термоэлектрического| |
| |преобразования: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.4.1.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения термоэлектрических материалов| |
| |с величиной произведения добротности z| |
| |на градусы Кельвина, равной 0,6 или| |
| |более (z - определяется| |
| |электропроводностью материала и его| |
| |термоэлектрическим коэффициентом| |
| |Зеебека) при температуре| |
| |термоэлектрического материала 600°С или| |
| |выше; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.4.1.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения коммутационных (электрических| |
| |и тепловых) переходов к| |
| |термоэлектрическим материалам и| |
| |соединений между этими материалами,| |
| |характеризующихся стабильностью при| |
| |воздействии температуры 600°С или выше и| |
| |стойкостью к воздействию нейтронов при| |
| |флюэнсе 10(20) нейтронов/кв.см с| |
| |энергией нейтронов более 0,1 МэВ; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.4.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения термоэмиссионных| |
| |преобразователей с параметрами удельной| |
| |мощности 1,5 Вт/кв.см или более,| |
| |температурой 1300°С или выше для| |
| |солнечных энергосистем и 1500°С или выше| |
| |для ядерных энергосистем, а также: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.5. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения импульсных силовых систем: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.5.1. |Технологии проектирования и| |
| |комплексирования систем: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.5.1.1. |Технологии обработки поверхностей для| |
| |повышения возможностей линий| |
| |электропередачи при напряженности более| |
| |10 МВ/м; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.5.1.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения импульсных силовых систем с| |
| |удельной энергией 35 кДж/кг 250 Вт/кг| |
| |или более, предназначенных для мобильной| |
| |эксплуатации при установке на| |
| |транспортных средствах или пригодных в| |
| |использовании на космических аппаратах,| |
| |включая методы защиты от воздействия| |
| |факторов окружающей среды и повышения| |
| |радиационной стойкости; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.5.2. |Технология генерации и накопления: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.5.2.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения генераторов со сжатием| |
| |магнитного потока с единичным| |
| |энергозапасом более 50 МДж, включая: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) разработку, производство или| |
| |применение магнитоэлектрических| |
| |генераторов со сжатием потока в расчете| |
| |на минимизацию потерь и максимизацию| |
| |эффективности преобразования энергии,| |
| |включая: | |
| |методы уменьшения потерь магнитного| |
| |потока и его локализации; | |
| |методы предотвращения неблагоприятных| |
| |эффектов сильных магнитных полей; | |
| |методы предотвращения электрического| |
| |пробоя; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) разработку, производство или| |
| |применение технических средств и методов| |
| |формирования импульсов| |
| |магнитоэлектрических генераторов со| |
| |сжатием потока, а также разработку| |
| |особых конструкций импульсных| |
| |генераторов, входных и выходных| |
| |переключателей и формирование передающих| |
| |линий; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) разработку трансформаторов связи для| |
| |магнитоэлектрических генераторов и| |
| |применение согласования импеданса; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.5.2.2. |Технология импульсных батарей: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.5.2.2.1|Технологии разработки, производства или| |
| . |применения систем электродов для| |
| |получения импульсов сверхвысокой частоты| |
| |и методов химической обработки| |
| |поверхности; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|10.5.5.5.2.2.2|Технологии разработки, производства или| |
| . |применения электролитов с высокой| |
| |подвижностью носителей, большой| |
| |вязкостью или твердых электролитов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 10.5.5.6. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения компактных ускорителей легких| |
| |ионов (протонов), рассчитанных на| |
| |эксплуатацию в верхних слоях атмосферы и| |
| |(или) космическом пространстве | |
|-----------------------------------------------------------------------|
| Категория 11. Перспективные материалы |
|-----------------------------------------------------------------------|
| 11.1. |Системы, оборудование и компоненты | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.1.1. |Изделия сложной формы, изготовленные из| 7508 90 000 0 |
| |направленно отверждающихся эвтектических| |
| |и монокристаллических суперсплавов путем| |
| |отливки | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |Примечание. | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |По пункту 11.1.1 не контролируются| |
| |изделия в форме стержней, пластин и труб| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.2. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.2.1. |Оборудование для тепловых испытаний|9031 20 000 0; |
| |образцов материалов с углерод-углеродным| 9031 80 980 0 |
| |покрытием при температурах выше 1650°С | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.3. |Материалы | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.3.1. |Композиционные материалы типа "Стекларм"|7019 39 000 9; |
| |на основе стекломатрицы, армированной|7020 00 100 0; |
| |высокопрочными волокнами, разработанные| 7020 00 800 0 |
| |для изготовления деталей силовых| |
| |установок (узлов трения), работающих в| |
| |агрессивных средах при повышенных | |
| |температурах (500°С или выше) | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.3.2. |Композиционные материалы на основе|7019 39 000 9, |
| |стекла, армированного непрерывными|7020 00 100 0; |
| |высокопрочными волокнами с плотностью| 7020 00 800 0 |
| |1900 кг/куб.м или более, прочностью 150| |
| |МПА или более и температурой| |
| |эксплуатации 500°С или выше | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.3.3. |Композиционные материалы на основе|7019 39 000 9; |
| |стекла, в системе SiO2-Al2O3-B2O3,|7020 00 100 0; |
| |армированного жгутами из непрерывных| 7020 00 800 0 |
| |высокопрочных волокон, с плотностью 1730| |
| |кг/куб. м или более и модулем упругости| |
| |230 Гпа или более | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.3.4. |Сплавы на основе Fe-Cr-Al, работающие| 7224; |
| |длительное время в окислительной среде| 7225; |
| |при температуре 1400°С или выше,| 7226; |
| |способные к экструдированию и| 7227; |
| |прокатыванию | 7228; |
| | | 7229 |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.4. |Программное обеспечение - нет | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5. |Технологии | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения конструкционных материалов,| |
| |покрытий, методов обеспечения прочности| |
| |и повышения стойкости к внешним| |
| |воздействиям среды и различным| |
| |поражающим факторам: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5.1.1. |Технологии разработки или производства| |
| |сплавов на основе молибдена,| |
| |легированного редкоземельными и другими| |
| |металлами, в части их составов, режимов| |
| |получения и обработки; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5.1.2. |Технологии разработки или производства| |
| |изделий сложной формы путем отливки из| |
| |направленно отверждающихся эвтектических| |
| |и монокристаллических суперсплавов,| |
| |включая состав литья, свойства и| |
| |технологические процессы, а также режимы| |
| |и контроль параметров отверждения и| |
| |промежуточный контроль во время плавки и| |
| |отливки; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5.1.3. |Технологии разработки или производства| |
| |слитков алюминий-литиевых сплавов: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5.1.3.1. |Технологии разработки или применения| |
| |процессов плавки, легирования и литья| |
| |слитков, позволяющих преодолеть| |
| |химическую активность таких сплавов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5.1.3.2. |Технологии разработки или применения| |
| |процессов термомеханической обработки,| |
| |необходимых для получения требуемых| |
| |механических свойств сплавов | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения композиционных материалов| |
| |типа "Стекларм" на основе стекломатрицы,| |
| |армированной высокопрочными волокнами, с| |
| |целью изготовления деталей силовых| |
| |установок (узлов трения), работающих в| |
| |агрессивных средах при повышенных| |
| |температурах (500°С или выше) | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения композиционных материалов на| |
| |основе стекла, армированного| |
| |непрерывными высокопрочными волокнами с| |
| |плотностью 1900 кг/куб.м или более,| |
| |прочностью 150 МПА или более и| |
| |температурой эксплуатации 500°С или выше| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения композиционных материалов на| |
| |основе стекла в системе SiO2-Al2O3-B2O3,| |
| |армированного жгутами из непрерывных| |
| |высокопрочных волокон, с плотностью 1730| |
| |кг/куб.м или более и модулем упругости| |
| |230 Гпа или более | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5.5. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения сплавов на основе Fe-Cr-Al,| |
| |работающих длительное время в| |
| |окислительной среде при температуре| |
| |1400°С или выше, способных к| |
| |экструдированию и прокатыванию | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5.6. |Технологии измельчения материалов,| |
| |основанные на формировании струй| |
| |газовзвеси в соплах с криволинейной осью| |
| |с последующим столкновением ее с| |
| |вращающимися мишенями, имеющими разные| |
| |знаки направления векторов окружных| |
| |скоростей, позволяющие осуществлять| |
| |измельчение полидисперсных материалов до| |
| |средних размеров частиц диаметром менее| |
| |40 мкм | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5.7. |Технологии изготовления посредством| |
| |сращивания кремниевых пластин со сколом| |
| |внедрения водородом (технология DeleCut)| |
| |структур кремний-на-изоляторе (КНИ),| |
| |разработанных для производства| |
| |радиационно стойких СБИС | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5.8. |Технологии изготовления на основе| |
| |бескислотных керамических материалов| |
| |(нитриды алюминия, кремния, карбид| |
| |кремния) подложек для теплоотводов| |
| |СВЧ-приборов | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 11.5.9. |Технологии выращивания| |
| |бездислокационного монокристаллического| |
| |кварца для использования в оптических| |
| |приборах и пьезотехнике | |
|-----------------------------------------------------------------------|
| Категория 12. Обработка и получение материалов |
|-----------------------------------------------------------------------|
| 12.1. |Системы, оборудование и компоненты | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.1.1. |Высокоточные воздушные подшипниковые|8483 30 380 0; |
| |системы и их компоненты |8483 30 800 9; |
| | | 8483 90 200 0 |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.1.2. |Системы и оборудование, специально| 8401 20 000 0 |
| |разработанные или подготовленные для| |
| |разделения стабильных изотопов| |
| |химических элементов центрифужным,| |
| |электромагнитным или лазерным методом | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.2. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.2.1. |Оборудование высококачественной сварки: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.2.1.1. |Датчики и системы управления для| |
| |сварочного оборудования, такие, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.2.1.1.1. |Микропроцессоры и оборудование с|8537 10 100 0; |
| |цифровым управлением, которые|8537 10 910 9; |
| |прослеживают сварной шов в реальном|8542 31 900 1; |
| |масштабе времени, контролируя его|9031 80 910 0; |
| |геометрию; | 9032 89 000 0 |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.2.1.1.2. |Микропроцессоры и оборудование с|8537 10 100 0; |
| |цифровым управлением, которые в реальном|8537 10 910 9; |
| |масштабе времени контролируют и|8542 31 900 1; |
| |корректируют параметры сварки в|9031 80 910 0; |
| |зависимости от изменений сварного шва| 9032 89 000 0 |
| |или состояния сварочной дуги | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.3. |Материалы - нет | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.4. |Программное обеспечение - нет | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.5. |Технология | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.5.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения высокоточных воздушных| |
| |подшипниковых систем и их компонентов | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.5.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения высококачественной сварки: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.5.2.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения датчиков и систем управления| |
| |для сварочного оборудования, таких, как:| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.5.2.1.1. |Микропроцессоров и оборудования с| |
| |цифровым управлением, которые в реальном| |
| |масштабе времени прослеживают сварной| |
| |шов, контролируя его геометрию; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.5.2.1.2. |Микропроцессоров и оборудования с| |
| |цифровым управлением, которые в реальном| |
| |масштабе времени контролируют и| |
| |корректируют параметры сварки в| |
| |зависимости от изменений сварного шва| |
| |или состояния сварочной дуги | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.5.3. |Технологии разработки или производства| |
| |проволоки, наплавочного материала и| |
| |фитильных или покрытых электродов для| |
| |сварки изделий из титана, алюминия и| |
| |высокопрочной стали, а также композиции| |
| |материалов покрытий и сердцевин| |
| |электродов | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.5.4. |Технологии разработки или производства| |
| |металлических конструкций и компонентов| |
| |методом электронно-лучевой сварки с| |
| |использованием машинного управления| |
| |технологическим процессом | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 12.5.5. |Технологии разработки или производства| |
| |систем и оборудования, указанных в| |
| |пункте 12.1.2. | |
|-----------------------------------------------------------------------|
| Категория 13. Электроника |
|-----------------------------------------------------------------------|
| 13.1. |Системы, оборудование и компоненты | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.1.1. |Радиоэлектронные системы и оборудование,| |
| |специально разработанные для защиты| |
| |информации от негласного доступа | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.1.2. |Генераторы (синтезаторы) сигналов, в том| 8543 20 000 0 |
| |числе программируемые, работающие в| |
| |диапазоне частот от 1215 МГц до 1615 МГц| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.2. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование - нет | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.3. |Материалы - нет | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.4. |Программное обеспечение | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.4.1. |Программное обеспечение для разработки и| |
| |производства электрических и| |
| |механических элементов антенн, а также| |
| |для анализа тепловых деформаций| |
| |конструкций антенн | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.4.2. |Программное обеспечение для разработки,| |
| |производства или применения космических| |
| |элементов спутниковой системы связи и их| |
| |элементов, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.4.2.1. |Развертываемых антенн, а также| |
| |механизмов их развертывания, включая| |
| |контроль поверхности антенн при их| |
| |изготовлении и динамический контроль| |
| |развернутых антенн; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.4.2.2. |Антенных решеток с фиксированной| |
| |апертурой, включая контроль их | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.4.2.3. |Антенных решеток, состоящих из линейки| |
| |рупорных излучателей, формирующих| |
| |диаграмму направленности путем изменения| |
| |фазы сигнала и установки нуля диаграммы| |
| |направленности на источник помех; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.4.2.4. |Микрополосковых фазированных антенных| |
| |решеток, включая компоненты для| |
| |формирования нуля диаграммы в| |
| |направлении на источник помех; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.4.2.5. |Трактов передачи энергии от передатчика| |
| |к антенне, обеспечивающих хорошее их| |
| |согласование; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.4.2.6. |Антенн и компонентов на основе| |
| |композиционных материалов для достижения| |
| |требуемых характеристик прочности и| |
| |жесткости при минимальном весе,| |
| |стабильности длительной их работы в| |
| |широком диапазоне температур | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.4.3. |Программное обеспечение для разработки,| |
| |производства или применения полосовых| |
| |фильтров с полосой пропускания менее| |
| |0,1% или более 10% среднего значения| |
| |частоты | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.4.4. |Программное обеспечение для разработки| |
| |или производства аппаратуры, указанной в| |
| |пунктах 13.5.5.1 - 13.5.5.5 | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.4.5. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное для использования в| |
| |системах и оборудовании, указанных в| |
| |пункте 13.1.1 | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.4.6. |Программное обеспечение для разработки| |
| |или производства элементов| |
| |электровакуумных СВЧ-приборов, указанных| |
| |в пунктах 13.5.3.4.1 - 13.5.3.4.3 | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.4.7. |Программное обеспечение, предназначенное| |
| |для использования в генераторах| |
| |(синтезаторах) сигналов, указанных в| |
| |пункте 13.1.2 | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5. |Технология | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.1. |Технологии, связанные с разработкой,| |
| |производством или применением вакуумной| |
| |электроники, акустоэлектроники и| |
| |сегнетоэлектрики: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.1.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения оборудования с цифровым| |
| |управлением, позволяющего осуществлять| |
| |автоматическую ориентацию рентгеновского| |
| |луча и коррекцию углового положения| |
| |кварцевых кристаллов с компенсацией| |
| |механических напряжений, вращающихся по| |
| |двум осям при величине погрешности 10| |
| |угловых секунд или менее, которая| |
| |поддерживается одновременно для двух| |
| |осей вращения; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.1.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения оборудования для равномерного| |
| |покрытия поверхности мембран, электродов| |
| |и волоконно-оптических элементов| |
| |монослоями биополимеров или| |
| |биополимерных композиций | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения криогенной техники: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.2.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения низкотемпературных| |
| |контейнеров, криогенных трубопроводов| |
| |или низкотемпературных рефрижераторных| |
| |систем закрытого типа, разработанных для| |
| |получения и поддержания регулируемых| |
| |температур ниже 100 К и пригодных для| |
| |использования на подвижных наземных,| |
| |морских, воздушных и космических| |
| |платформах | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения источников микроволнового| |
| |излучения (в том числе СВЧ-излучения)| |
| |средней мощностью более 3 МВт с энергией| |
| |в импульсе более 10 кДж: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения мощных переключателей, таких,| |
| |как водородные тиратроны и их| |
| |компонентов, в том числе устройств| |
| |получения длительных (до 30 с)| |
| |импульсов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения волноводов и их компонентов,| |
| |в том числе: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3.2.1. |Массового производства одно - и| |
| |двухгребневых волноводов и высокоточных| |
| |волноводных компонентов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3.2.2. |Механических конструкций вращающихся| |
| |сочленений; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3.2.3. |Устройств охлаждения ферромагнитных| |
| |компонентов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3.2.4. |Прецизионных волноводов миллиметровых| |
| |волн и их компонентов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3.2.5. |Ферритовых деталей для использования в| |
| |ферромагнитных компонентах волноводов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3.2.6. |Ферромагнитных и механических деталей| |
| |для сборки ферромагнитных узлов| |
| |волноводов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3.2.7. |Материалов типа "диэлектрик-феррит" для| |
| |управления фазой сигнала и уменьшения| |
| |размеров антенны; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения СВЧ- и ВЧ-антенн, специально| |
| |предназначенных для ускорения ионов | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3.4. |Технологии разработки или производства| |
| |следующих элементов электровакуумных| |
| |СВЧ-приборов: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3.4.1. |Безнакальных и вторично-эмиссионных| |
| |эмиттеров; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3.4.2. |Высокоэффективных эмиттеров с плотностью| |
| |тока катода более 10 А/кв.см; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.3.4.3. |Электронно-оптических и| |
| |электродинамических систем для| |
| |многорежимных ламп бегущей волны (ЛБВ),| |
| |многолучевых приборов и гиротронов | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4. |Технологии, связанные с исследованием| |
| |проблем распространения радиоволн в| |
| |интересах создания перспективных систем| |
| |связи и управления: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения средств КВ-радиосвязи: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.1.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения автоматически управляемых| |
| |КВ-радиосистем, в которых обеспечивается| |
| |управление качеством работы каналов| |
| |связи; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.1.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения устройств настройки антенн,| |
| |позволяющих настраиваться на любую| |
| |частоту в диапазоне от 1,5 МГц до 88| |
| |МГц, которые преобразуют начальный| |
| |импеданс антенны с коэффициентом стоячей| |
| |волны от 3 - 1 или более до 3 - 1 или| |
| |менее, и обеспечивающих настройку при| |
| |работе в любом из следующих режимов: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) в режиме приема за время 200 мс или| |
| |менее; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) в режиме передачи за время 200 мс или| |
| |менее при уровнях мощности менее 100 Вт| |
| |и за 1 с или менее при уровнях более 100| |
| |Вт; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения широкополосных передающих| |
| |антенн, имеющих коэффициент перекрытия| |
| |частотного диапазона в пределах 10 и| |
| |более и коэффициент стоячей волны не| |
| |более 4; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения станций радиорелейной связи,| |
| |использующих эффект тропосферного| |
| |рассеяния, и их компонентов, таких, как:| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.3.1. |Усилителей мощности для работы в| |
| |диапазоне частот от 300 МГц до 8 ГГц,| |
| |использующих жидкостно- и| |
| |пароохлаждаемые электронные лампы| |
| |мощностью более 10 кВт или лампы с| |
| |воздушным охлаждением мощностью 2 кВт| |
| |или более и коэффициентом усиления более| |
| |20 дБ, включая усилители, объединенные| |
| |со своими источниками электропитания; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.3.2. |Приемников с уровнем шумов менее 3 дБ; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.3.3. |Специальных микроволновых гибридных| |
| |интегральных схем; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.3.4. |Фазированных антенных решеток, включая| |
| |их распределенные компоненты для| |
| |формирования луча; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.3.5. |Адаптивных антенн, способных к установке| |
| |нуля диаграммы направленности в| |
| |направлении на источник помех; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.3.6. |Средств радиорелейной связи для передачи| |
| |цифровой информации со скоростью более| |
| |2,1 Мбит/с и более 1 бит/цикл; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.3.7. |Средств радиорелейной многоканальной| |
| |(более 120 каналов) связи с разделением| |
| |каналов по частоте; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения космических спутниковых| |
| |систем связи и их элементов, таких, как:| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.4.1. |Развертываемых антенн, а также| |
| |механизмов их развертывания, включая| |
| |контроль поверхности антенн при их| |
| |изготовлении и динамический контроль| |
| |развернутых антенн; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.4.2. |Антенных решеток с фиксированной| |
| |апертурой, включая контроль их| |
| |поверхности при производстве; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.4.3. |Антенных решеток, состоящих из линейки| |
| |рупорных излучателей, формирующих| |
| |диаграмму направленности путем изменения| |
| |фазы сигнала и установки нуля диаграммы| |
| |направленности на источник помех; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.4.4. |Микрополосковых фазированных антенных| |
| |решеток, включая компоненты для| |
| |формирования нуля диаграммы в| |
| |направлении на источник помех; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.4.5. |Трактов передачи энергии от передатчика| |
| |к антенне, обеспечивающих хорошее их| |
| |согласование; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.4.6. |Антенн и компонентов на основе| |
| |композиционных материалов для достижения| |
| |требуемых характеристик прочности и| |
| |жесткости при минимальном весе,| |
| |стабильности длительной их работы в| |
| |широком диапазоне температур, включая| |
| |технологии для стабилизации параметров в| |
| |процессе изготовления компонентов из| |
| |эпоксидных смол с графитовым| |
| |наполнением; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.4.5. |Технологии разработки или производства| |
| |усилителей мощности, предназначенных для| |
| |применения в космосе и имеющих одно из| |
| |следующих устройств и особенностей: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) приборы с теплообменными| |
| |устройствами, содержащими схемы| |
| |теплопередачи от элемента к поглотителю| |
| |тепла мощностью более 25 Вт с площади| |
| |900 кв.см; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) блоки, работающие на частотах 18 ГГц| |
| |или обеспечивающие следующие мощности:| |
| |10 Вт на частоте 0,5 ГГц. или | |
| |5 Вт на частоте 2 ГГц, или 1 Вт на| |
| |частоте 11 ГГц; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) высоковольтные источники питания,| |
| |имеющие соотношение мощность/масса и| |
| |мощность/габариты более 1 Вт/кг и 1 Вт| |
| |на 320 кв.см | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.5. |Технологии, связанные с разработкой| |
| |методов и способов радиоэлектронной| |
| |разведки и подавления: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.5.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения средств радиоэлектронной| |
| |разведки и подавления, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.5.1.1. |Систем разведки и подавления,| |
| |управляемых оператором или работающих| |
| |автоматизированно и разработанных для| |
| |перехвата и анализа сигналов, подавления| |
| |и нарушения нормальной работы систем| |
| |связи всех типов или навигации; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.5.1.2. |Приемников, работающих с сигналами,| |
| |имеющими коэффициент сжатия, превышающий| |
| |100; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.5.2. |Технологам разработки, производства или| |
| |применения приемников, использующих| |
| |дисперсионные фильтры и конвольверы с| |
| |уровнем побочных сигналов на 20 дБ ниже| |
| |основного сигнала; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.5.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения приемопередающих устройств,| |
| |предназначенных для обнаружения,| |
| |перехвата, анализа, подавления сигналов,| |
| |в том числе с модуляцией распределенным| |
| |спектром; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.5.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения устройств автоматической| |
| |настройки антенны, обеспечивающих ее| |
| |перестройку со скоростью не менее 30| |
| |МГц/с; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.5.5. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения средств автоматического| |
| |определения направления, способных| |
| |считывать пеленги со скоростями не менее| |
| |одного пеленга в секунду; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.5.6. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения генераторов (синтезаторов)| |
| |сигналов, в том числе программируемых, с| |
| |характеристиками, указанными в пункте| |
| |13.1.2 | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.6. |Технологии разработки, изготовления или| |
| |применения запоминающих устройств (ЗУ)| |
| |на тонких пленках, такие, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.6.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения ЗУ на центральных магнитных| |
| |доменах (ЦМД); | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.6.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения материалов и оборудования для| |
| |изготовления ЗУ на ЦМД; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.6.3. |Технологии выращивания и обработки| |
| |материалов для изготовления подложек ЗУ| |
| |на магнитных доменах, например, из| |
| |материала на основе галлий-гадолиниевого| |
| |граната; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.6.4. |Технологии эпитаксиального выращивания| |
| |пленок для ЗУ на ЦМД; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.6.5. |Технологии осаждения пермаллоя и| |
| |диэлектрика и создания рисунка с| |
| |пространственным разрешением лучше 10| |
| |мкм, включая металлизацию напылением или| |
| |испарением и ионное фрезерование; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.6.6. |Технологии компоновки и сборки ЗУ на| |
| |ЦМД; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.6.7. |Технологии разработки ионных| |
| |имплантантов и ЗУ с соприкасающимися| |
| |дисками и методы создания рисунка | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.7. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения ЗУ на проволоке с| |
| |гальваническим покрытием: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.7.1. |Технологии разработки или производства| |
| |ЗУ на проволоке с гальваническим| |
| |покрытием, включая: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) подготовку бериллиево-медной подложки| |
| |для обеспечения чистой и однородной| |
| |поверхности; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) покрытие медью для обеспечения| |
| |требуемых плотности и шероховатости| |
| |проволоки; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) конструирование устройств для| |
| |нанесения покрытий требуемых составов,| |
| |однородности и толщины пермаллойного| |
| |(никелево-железного) магнитного| |
| |материала на проволочные подложки; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |г) автоматизированные испытания в ходе| |
| |нанесения покрытия на проволоку и| |
| |проверка после окончания процесса с тем,| |
| |чтобы гарантировать нужные параметры; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.7.2. |Технологии разработки или производства| |
| |запоминающих устройств на проволоке,| |
| |таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.7.2.1. |Магнитных экранов для запоминающих| |
| |устройств, в том числе пермаллонного| |
| |слоя; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.7.2.2. |Туннельных структур для плотного и| |
| |дешевого размещения элементов ЗУ на| |
| |проволоке с гальваническим покрытием; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.7.2.3. |Ферритовых слоев для формирования линий| |
| |магнитного потока и увеличения плотности| |
| |упаковки вдоль проволоки с нанесенным| |
| |покрытием | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.8. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения специальных технических| |
| |средств, разработанных для негласного| |
| |получения информации, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.8.1. |Для негласного получения и регистрации| |
| |акустической информации; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.8.2. |Для негласного визуального наблюдения и| |
| |документирования; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.8.3. |Для негласного прослушивания телефонных| |
| |переговоров; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.8.4. |Для негласного перехвата и регистрации| |
| |информации с технических каналов связи; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.8.5. |Для негласного контроля почтовых| |
| |сообщений и отправлений; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.8.6. |Для негласного исследования предметов и| |
| |документов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.8.7. |Для негласного проникновения и| |
| |обследования помещений, транспортных| |
| |средств и других объектов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.8.8. |Для негласного контроля за перемещением| |
| |транспортных средств и других объектов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.8.9. |Для негласного получения (изменения,| |
| |уничтожения) информации с технических| |
| |средств ее хранения, обработки и| |
| |передачи; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.8.10. |Для негласной идентификации личности | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 13.5.9. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения технических средств для| |
| |выявления электронных устройств,| |
| |предназначенных для негласного получения| |
| |информации | |
|-----------------------------------------------------------------------|
| Категория 14. Телекоммуникация и обработка информации |
|-----------------------------------------------------------------------|
| 14.1. |Системы, оборудование и компоненты | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.1.1. |Дисплеи (в том числе индикаторы на|8471 60 700 0; |
| |лобовом стекле фонаря кабины), которые|8528 49 100 0; |
| |позволяют оператору воспринимать и|8528 49 210 0; |
| |использовать в реальном масштабе времени|8528 49 250 0; |
| |отображаемую информацию при|8528 49 900 0; |
| |одновременном продолжении выполнения|8528 59 100 0; |
| |других задач |8528 59 900 0; |
| | | 9013 80 |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.1.2. |Гибридные электрооптические системы| 8471; |
| |анализа изображений | 9031 80 980 0 |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.2. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование - нет | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.3. |Материалы - нет | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.4. |Программное обеспечение | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.4.1. |Программное обеспечение, связанное с| |
| |проблемами искусственного интеллекта,| |
| |принятия решений и построения| |
| |интеллектуальных систем управления: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.4.1.1. |Методы разработки и использования языков| |
| |высокого уровня, разработанных для| |
| |программирования задач искусственного| |
| |интеллекта | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.4.2. |Программное обеспечение, связанное с| |
| |распознаванием образов и использующее| |
| |нейросетевые алгоритмы и нейрокомпьютеры| |
| |для решения прикладных задач: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.4.2.1. |Программное обеспечение идентификации| |
| |объектов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.4.2.2. |Программное обеспечение для разработки и| |
| |применения сценариев обработки| |
| |изображения; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.4.2.3. |Интегрированные наборы стандартных| |
| |программ для обработки изображений при| |
| |помощи соответствующих операционных| |
| |систем; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.4.2.4. |Программное обеспечение компьютеров и| |
| |математические модели для создания| |
| |систем обработки речи и приложения| |
| |искусственного интеллекта к синтаксису и| |
| |смысловой оценке | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |Примечание. | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |По пунктам 14.4.1 - 14.4.2.4 не| |
| |контролируется программное обеспечение,| |
| |разработанное для следующего только| |
| |гражданского применения: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) в спортивных целях; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) в автомобильной промышленности; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) в медицинских целях; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |г) в сельском хозяйстве; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |д) на железнодорожном транспорте; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |е) в системах телевизионного вещания; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |ж) в дизайне и полиграфии; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |з) для тепловых и атомных станций | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.4.3. |Программное обеспечение| |
| |стеганографических систем: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.4.3.1. |Программное обеспечение и математические| |
| |модели стеганографических систем,| |
| |разработанных для обеспечения| |
| |аутентификации мультимедийной| |
| |информации, наблюдаемой в условиях| |
| |шумов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.4.3.2. |Программное обеспечение и математические| |
| |модели стеганографических систем,| |
| |разработанных для организации канала| |
| |скрытой передачи данных в речевых и| |
| |видеосообщениях | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5. |Технология | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.1. |Технологии, связанные с проблемами| |
| |создания искусственного интеллекта,| |
| |принятия решений и построения| |
| |интеллектуальных систем управления: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.1.1. |Технологии систем обеспечения принятия| |
| |решений: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.1.1.1. |Технологии разработки систем обеспечения| |
| |принятия решений для комбинированных| |
| |комплексов, состоящих из датчиков,| |
| |систем связи и управления, с| |
| |использованием: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) машинного моделирования и имитации; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) системотехники; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) методов комплексирования управления| |
| |базой данных обеспечения принятия| |
| |решений; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.1.1.2. |Технологии разработки автоматизированных| |
| |средств принятия решений, включающих: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|14.5.1.1.2.1. |Методы распознавания интерпретации| |
| |образов для случаев сложного анализа; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|14.5.1.1.2.2. |Методы автоматизированной выработки и| |
| |оценки альтернативных решений; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|14.5.1.1.2.3. |Специально разработанные средства| |
| |принятия решений, основанные на логике| |
| |или математике; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.1.1.3. |Технологии разработки систем обеспечения| |
| |принятия решений в реальном масштабе| |
| |времени на основе: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) моделирования и имитации; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) методов использования информационной| |
| |обратной связи в системах, рассчитанных| |
| |на многих пользователей; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.1.2. |Технологии интеграции человек-машина: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.1.2.1. |Технологии разработки или применения| |
| |средств для оценки возможностей| |
| |интеграции оператор-система; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.1.2.2. |Технологии разработки или применения| |
| |биокибернетических методов для| |
| |компьютерного мониторинга электрической| |
| |активности мозга и других| |
| |психофизиологических реакций с целью| |
| |реализации электрофизиологических| |
| |явлений на рабочих местах экипажей| |
| |самолетов, кораблей и наземных средств,| |
| |причем как с использованием обратной| |
| |связи, так и без нее; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.1.2.3. |Технологии разработки дисплеев (в том| |
| |числе индикаторов на лобовом стекле| |
| |фонаря кабины), которые позволяют| |
| |оператору воспринимать и использовать в| |
| |реальном масштабе времени отображаемую| |
| |информацию при одновременном продолжении| |
| |выполнения других задач; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.1.3. |Технологии искусственного интеллекта: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.1.3.1. |Технологии разработки или применения| |
| |методов программирования искусственного| |
| |интеллекта, включая: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|14.5.1.3.1.1. |Методы суждения и представления знаний; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|14.5.1.3.1.2. |Методы эвристического поиска; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|14.5.1.3.1.3. |Методы сбора знаний; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.1.3.2. |Технологии разработки или применения| |
| |систем искусственного интеллекта,| |
| |предназначенных для управления большими| |
| |базами данных, в особенности их| |
| |редактирования, а также выявления и| |
| |присвоения признаков; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.1.3.3. |Технология разработки, производства или| |
| |применения систем обработки сигналов| |
| |для: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) моделирования и имитации таких| |
| |систем; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) приложения методов искусственного| |
| |интеллекта к обработке сигналов, в| |
| |особенности методов комплексирования| |
| |обработки сигналов с распознаванием| |
| |образов или извлечением характерных| |
| |признаков | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.2. |Технологии, связанные с архитектурой,| |
| |системными решениями и программным| |
| |обеспечением | |
| |информационно-вычислительных комплексов,| |
| |имеющих вычислительную мощность более| |
| |100 Гфлопс и суммарный размер| |
| |оперативной памяти более 64 Гбайт: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.2.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения архитектур нефоннеймановских| |
| |компьютеров, специально разработанных| |
| |для приложений в области создания| |
| |искусственного интеллекта; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.2.2. |Технологии разработки или применения| |
| |систем передачи данных для обработки| |
| |изображений с целью: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) создания методов сжатия данных; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) обеспечения передачи данных со| |
| |скоростью более 100 Мбит/с | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.3. |Технологии, связанные с распознаванием| |
| |образов и использующие нейросетевые| |
| |алгоритмы и нейрокомпьютеры для решения| |
| |прикладных задач: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.3.1. |Технологии создания или применения| |
| |алгоритмов распознавания образов для| |
| |обработки изображений, включая: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.3.1.1. |Синтаксические описания| |
| |многоспектральных оптических| |
| |изображений; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.3.1.2. |Автоматизированные средства поиска| |
| |информационных признаков в| |
| |многоспектральных оптических| |
| |изображениях; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.3.1.3. |Методы разработки сценариев обработки| |
| |изображений; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.3.1.4. |Методы применения интегрированных| |
| |наборов стандартных программ для| |
| |обработки изображений при помощи| |
| |соответствующих операционных систем; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.3.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения гибридных электрооптических| |
| |систем анализа изображений; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.3.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем обработки речи: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.3.3.1. |Технологии разработки систем обработки| |
| |речи с использованием программного| |
| |обеспечения, математических моделей и| |
| |баз данных, позволяющих решать следующие| |
| |задачи: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) понимание речи и идентификации| |
| |говорящего; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) обеспечение речевого ввода (вывода)| |
| |информации ЭВМ; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) анализ непрерывной речи; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.3.3.2. |Методы обработки сигнала в устройствах| |
| |на интегральных схемах, специально| |
| |разработанных для анализа речи; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.3.3.3. |Технологии кодирования методом линейного| |
| |предсказания, методом дельтамодуляции с| |
| |плавно изменяемым наклоном и| |
| |многочастотным методом для обеспечения| |
| |обработки речи | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |Примечание. | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |По пунктам 14.5.1 - 14.5.3.3.3 не| |
| |контролируются технологии, разработанные| |
| |для следующего только гражданского| |
| |применения: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) в спортивных целях; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) в автомобильной промышленности; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) в медицинских целях; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |г) в сельском хозяйстве; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |д) на железнодорожном транспорте; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |е) в системах телевизионного вещания; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |ж) для тепловых и атомных станций; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем перехвата сигналов: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения усовершенствованных| |
| |многоэлементных узконаправленных,| |
| |сканирующих антенн и их обтекателей для| |
| |аппаратуры радиоэлектронной разведки и| |
| |подавления; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения приемников для перехвата| |
| |сигналов, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.2.1. |Малошумящих приемников, работающих в| |
| |миллиметровом диапазоне волн (выше 18| |
| |ГГц) с низкой чувствительностью к| |
| |наведенным от вибраций шумам; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.2.2. |Приемников с высокочастотными| |
| |генераторами, позволяющих более чем на| |
| |50 дБ подавлять мешающие отражения; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.2.3. |СВЧ-приемников с генераторами,| |
| |управляемыми напряжением, и имеющих| |
| |диапазон перестройки частоты более| |
| |половины октавы и точность установки| |
| |частот лучше 19 МГц при времени| |
| |установки 10 мкс; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.2.4. |Приемников с мгновенным измерением| |
| |частоты, использующих технику прямого| |
| |измерения (линии задержки), быстро| |
| |сканирующие супергетеродины| |
| |(микросканирование) или | |
| |оптическую корреляцию, включая| |
| |акустико-оптические средства (элемент| |
| |Брегга); | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.2.5. |Приемников с шириной полосы частот более| |
| |10% средней частоты (несущей); | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.2.6. |Многоканальных приемников, имеющих любую| |
| |из следующих характеристик: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) ширину полосы частот более 10% и| |
| |точность слежения за фазой лучше 30| |
| |град, в данной полосе; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) точность слежения за фазой 10 град,| |
| |или лучше в динамическом диапазоне| |
| |величиной 40 дБ независимо от ширины| |
| |полосы; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) среднее время наработки на отказ| |
| |более 1000 ч; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.2.7. |Приемников, обеспечивающих синхронизацию| |
| |двух или более отдельных эталонов| |
| |времени воздушного базирования с| |
| |точностью 500 мс и меньше; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения приборов и устройств| |
| |обработки сигнала для аппаратуры| |
| |перехвата сигналов, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.3.1. |Приборы с зарядовой связью или| |
| |процессоры для обработки сигнала,| |
| |использующие сжатие импульса и имеющие| |
| |любую из следующих характеристик: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) произведение длительности на ширину| |
| |полосы частот 100; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) ширину полосы частот, превышающую 2| |
| |МГц; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) временные боковые лепестки более 27| |
| |дБ ниже согласованной чувствительности| |
| |фильтра; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.3.2. |Процессоры, управляемые записанной в| |
| |постоянной памяти или вводимой| |
| |программой, которые используются для| |
| |приема, выделения и идентификации| |
| |источников излучения; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.3.3. |Процессоры, использующие технологию| |
| |когерентной высокочастотной памяти для| |
| |копирования и анализа волнового фронта; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.3.4. |Процессоры для обработки сигналов и| |
| |перехвата, способные работать в сложных| |
| |условиях высокой плотности| |
| |электромагнитных сигналов, включая| |
| |процессоры для: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) модуляции на принципе скачкообразной| |
| |перестройки частоты; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) условий малой вероятности перехвата; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) систем с псевдошумовой прямой| |
| |последовательностью; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |г) техники растягивания спектра в| |
| |большой мгновенной ширине полосы частот;| |
| |----------------------------------------+---------------|
| |д) логических схем управления и| |
| |обработки сигнала в фазированных,| |
| |многолучевых антеннах; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |е) систем обработки информации на борту| |
| |летательных аппаратов (ЛА); | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |ж) широкополосных (1 МГц или выше)| |
| |высокочастотных систем с растянутым| |
| |спектром; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |з) акустико-оптических анализаторов| |
| |спектра в аппаратуре радиотехнической| |
| |разведки, работающей в условиях высокой| |
| |плотности сигнала; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.3.5. |Широкополосные анализаторы спектра,| |
| |обеспечивающие мгновенное измерение| |
| |частоты, направления пеленга,| |
| |поляризации и частотно-временных| |
| |характеристик; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.4.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения последетекторных или| |
| |индикаторных систем, суммирующих данные| |
| |от нескольких источников или| |
| |использующих искусственный интеллект | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 14.5.5. |Технологам, связанные со| |
| |стеганографической защитой информации,| |
| |позволяющие решать следующие задачи: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) встраивание информации в потоковый| |
| |контейнер в реальном масштабе времени; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) внедрение в мультимедийную информацию| |
| |невидимых электронных "водяных" знаков,| |
| |не разрушающихся при различных операциях| |
| |обработки сигналов (сжатия, зашумления,| |
| |аффинных преобразованиях, обрезаниях| |
| |краев и тому подобных); | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) внедрение в мультимедийную информацию| |
| |невидимых электронных "водяных" знаков,| |
| |позволяющих выявить факт вмешательства,| |
| |его характер и определить местоположение| |
|-----------------------------------------------------------------------|
| Категория 15. Навигация и авиационная электроника |
|-----------------------------------------------------------------------|
| 15.1. |Системы, оборудование и компоненты - нет| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.2. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование - нет | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.3. |Материалы - нет | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.4. |Программное обеспечение | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.4.1. |Программное обеспечение систем навигации| |
| |и авиационной электроники: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.4.1.1. |Программное обеспечение, разработанное| |
| |для комплексного проектирования систем и| |
| |оптимизации их характеристик; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.4.1.2. |Программное обеспечение, разработанное| |
| |для комплексирования сенсорных| |
| |подсистем, включая: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.4.1.2.1. |Программное обеспечение для| |
| |комплексирования многочисленных датчиков| |
| |попарной информации в системах| |
| |управления и индикации; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.4.1.2.2. |Программное обеспечение для управления| |
| |резервированием, сбором и распределением| |
| |информации с помощью информационных шин| |
| |от сосредоточенных и рассредоточенных| |
| |групп датчиков; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.4.1.3. |Программное обеспечение для разработки,| |
| |производства или применения систем| |
| |комбинированного управления, такое, как:| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.4.1.3.1. |Программное обеспечение, разработанное| |
| |для комплексирования датчиков информации| |
| |по управлению силами и моментами с| |
| |применением малогабаритных процессоров; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.4.1.3.2. |Программное обеспечение для разработки| |
| |или применения резервирования систем| |
| |управления и информационных шин; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.4.1.3.3. |Программное обеспечение для обнаружения| |
| |неисправностей, оценки допустимых| |
| |отклонений параметров аппаратуры и| |
| |блокировки | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.5. |Технология | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.5.1. |Технологии комплексного проектирования| |
| |систем навигации и авиационной| |
| |электроники: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.5.1.1. |Технологии производства| |
| |комплексированных систем и оптимизации| |
| |их характеристик; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.5.1.2. |Технологии производства| |
| |комплексированных сенсорных подсистем: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.5.1.2.1. |Технологии комплексирования| |
| |многочисленных датчиков попарной| |
| |информации в системах управления и| |
| |индикации; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.5.1.2.2. |Технология управления резервированием,| |
| |техникой сбора и распределения| |
| |информации с помощью информационных шин| |
| |от сосредоточенных и рассредоточенных| |
| |групп датчиков; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.5.1.3. |Технологии разработки или производства| |
| |систем комбинированного управления: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.5.1.3.1. |Технологии комплексирования датчиков| |
| |информации по управлению силами и| |
| |моментами с применением малогабаритных| |
| |процессоров; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.5.1.3.2. |Технологии резервирования систем| |
| |управления и информационных шин; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 15.5.1.3.3. |Технологии разработки систем обнаружения| |
| |неисправностей и блокировки | |
|-----------------------------------------------------------------------|
| Категория 16. Морское дело |
|-----------------------------------------------------------------------|
| 16.1. |Системы, оборудование и компоненты - нет| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.2. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.2.1. |Оборудование, разработанное для| |
| |испытаний подводных систем, такое, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.2.1.1. |Безэховые камеры с уровнем безэховости|9031 20 000 0; |
| |70 дБ или менее и специально| 9031 90 850 0 |
| |разработанные для них компоненты: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.2.1.2. |Гипербарические установки и сосуды|9031 20 000 0; |
| |давления для них, имеющие внутренний| 9031 90 850 0 |
| |диаметр 5 м или более и работающие под| |
| |давлением 10,1 МПа/кв.м или выше; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.2.1.3. |Компоненты, специально разработанные для| 9031 90 850 0 |
| |гидроканалов (гидродинамических труб),| |
| |контролируемых по пункту 8.2.1 раздела 1| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.2.2. |Вулканизирующие аппараты для|8419 89 989 0; |
| |изготовления обтекателей очень больших| 8477 80 990 0 |
| |размеров (более 9 м длиной и более 4,5 м| |
| |диаметром) | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.3. |Материалы - нет | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.4. |Программное обеспечение | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.4.1. |Программное обеспечение для применения| |
| |морских транспортных средств, такое,| |
| |как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.4.1.1. |Программное обеспечение для разработки| |
| |или производства больших легких корпусов| |
| |морских платформ, изготовленных из таких| |
| |материалов, как алюминий и| |
| |стекловолокно, включая выбор критериев| |
| |анализа материала и средств| |
| |противокоррозионной защиты; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.4.1.2. |Программное обеспечение для разработки,| |
| |производства или применения средств| |
| |автоматизированного управления для судов| |
| |на подводных крыльях и других| |
| |высокоскоростных морских транспортных| |
| |средств, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.4.1.2.1. |Автоматизированных систем управления для| |
| |судов на подводных крыльях с| |
| |использованием гидродинамических| |
| |характеристик судна, методов| |
| |моделирования условий моря и снижения| |
| |нагрузок на подводное крыло; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.4.1.2.2. |Автоматизированных систем управления| |
| |движением судов на воздушной подушке,| |
| |объединенных с датчиками динамических| |
| |характеристик подушки и| |
| |гидродинамических характеристик судна, с| |
| |использованием методов моделирования| |
| |состояния морской поверхности,| |
| |управления процессами создания воздушной| |
| |подушки и систем интеграции; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.4.1.2.3. |Автоматизированных систем управления для| |
| |судов на подводных крыльях, объединенных| |
| |с датчиками средств моделирования| |
| |гидродинамики и состояния морской| |
| |поверхности, с использованием методов| |
| |управления нагрузкой на поверхность и| |
| |систем интеграции | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5. |Технология | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.1. |Технологии, связанные с методами| |
| |гидродинамического проектирования| |
| |надводных и подводных аппаратов: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.1.1. |Технологии разработки или производства| |
| |морских транспортных средств: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.1.1.1. |Технологии разработки или производства| |
| |легких морских платформ, такие, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.1.1.1.1. |Технологии разработки или производства| |
| |больших легких корпусов, изготовленных| |
| |из таких материалов, как алюминий и| |
| |стекловолокно, включая разработку| |
| |критериев анализа, выбор материала и| |
| |средств противокоррозионной защиты; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.1.1.1.2. |Технологии разработки или применения| |
| |методов вертикального и горизонтального| |
| |(по типу сэндвича) строительства; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.1.1.2. |Технологии разработки или производства| |
| |гибкого ограждения и юбок для платформ| |
| |на воздушной подушке, такие, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.1.1.2.1. |Технологии разработки или производства| |
| |материалов (в том числе из резины и| |
| |многослойных пластмасс), а также систем| |
| |гибкого ограждения для судов на| |
| |воздушной подушке и скеговых судов на| |
| |воздушной подушке; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.1.1.2.2. |Технологии разработки или применения| |
| |методов экспериментальных проверок| |
| |материалов и конструктивных решений,| |
| |включая динамические нагрузки и| |
| |моделирование процессов, близких к| |
| |реальным; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.1.1.2.3. |Технологии разработки или применения| |
| |методов пространственного и расчетного| |
| |контроля для материала гибкого| |
| |ограждения и юбок для судов на воздушной| |
| |подушке; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.1.1.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения средств автоматизированного| |
| |управления для судов на подводных| |
| |крыльях и других высокоскоростных| |
| |морских транспортных средств, таких,| |
| |как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.1.1.3.1. |Автоматизированных систем управления| |
| |движением судов на подводных крыльях с| |
| |использованием гидродинамических| |
| |характеристик судна, методов| |
| |моделирования условий моря и снижения| |
| |нагрузок на подводное крыло; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.1.1.3.2. |Автоматизированных систем управления| |
| |движением судов на воздушной подушке,| |
| |объединенных с датчиками динамических| |
| |характеристик воздушной подушки и| |
| |гидродинамических характеристик судна, с| |
| |использованием методов моделирования| |
| |состояния морской поверхности, методов| |
| |управления процессами создания воздушной| |
| |подушки и систем интеграции; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.1.1.3.3. |Автоматизированных систем управления| |
| |судами на подводных крыльях,| |
| |объединенных с датчиками средств| |
| |моделирования гидродинамики и состояния| |
| |морской поверхности методами управления| |
| |нагрузкой на поверхность и системами| |
| |интеграции; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.1.1.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения полимеров для уменьшения| |
| |гидродинамического сопротивления судов: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.1.1.4.1. |Технологии разработки или применения| |
| |методов выбора и оценки водорастворимых| |
| |полимеров для уменьшения| |
| |гидродинамического сопротивления; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.1.1.4.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем для ввода| |
| |водорастворимых полимеров, в том числе| |
| |жидких смесей; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.1.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения средств испытаний и оценки| |
| |подводных систем: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.1.2.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения комплексированных| |
| |испытательных средств, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.1.2.1.1. |Безэховых камер с уровнем безэховости 70| |
| |дБ или менее и специально разработанных| |
| |для них компонентов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.1.2.1.2. |Гипербарических установок и сосудов| |
| |давления для них, имеющих внутренний| |
| |диаметр 5 м или более и работающих под| |
| |давлением 10,1 МПа/кв.м или выше; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.1.2.1.3. |Компонентов, специально разработанных| |
| |для гидроканалов (гидродинамических| |
| |труб), контролируемых по пункту 8.2.1| |
| |раздела 1 | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.2. |Технологии, связанные с исследованиями,| |
| |проектированием, моделированием,| |
| |производством или испытаниями машин и| |
| |механизмов, разработанных для| |
| |использования в надводных судах и| |
| |подводных аппаратах: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.2.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем наведения и управления| |
| |движением подводных аппаратов и| |
| |разработки или применения используемых| |
| |при этом методов, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.2.1.1. |Систем наведения и управления на базе| |
| |использования искусственного интеллекта,| |
| |например, фильтрации данных,| |
| |распознавания изображений, сигнатур,| |
| |корреляции и интеграции данных от| |
| |большого числа датчиков и| |
| |автоматического приспособления к| |
| |изменяющимся условиям; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.2.1.2. |Методов обнаружения корпуса подводного| |
| |аппарата; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.2.1.3. |Систем наведения для подводных| |
| |аппаратов, включая инерциальные системы| |
| |наведения; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.2.1.4. |Отказоустойчивых систем наведения и| |
| |управления на подводных аппаратах; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.2.1.5. |Автоматического контрольно-проверочного| |
| |оборудования, включая системы с обратной| |
| |связью и управлением в реальном масштабе| |
| |времени; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.2.1.6. |Методов комплексирования датчиков| |
| |преобразователей, гидродинамических| |
| |систем, силовой установки манипуляторов| |
| |устройств и инерциальных или| |
| |электромагнитных систем наведения | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.2.2. |Технологии разработки или производства| |
| |экранопланов | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.3. |Технологии, связанные с исследованиями| |
| |проблем океанологии, гидроакустического| |
| |обнаружения и слежения: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.3.1. |Технологии разработки или применения| |
| |подводного акустического и сейсмического| |
| |оборудования: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 16.5.3.1.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения методов моделирования| |
| |гидроакустического обнаружения и| |
| |слежения, такие, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.3.1.1.1. |Технологии разработки или применения| |
| |численных моделей, всесторонне| |
| |характеризующих состояние океана и| |
| |учитывающих параметры окружающей среды и| |
| |их временную и пространственную| |
| |изменчивость для гидроакустического| |
| |обнаружения и слежения; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.3.1.1.2. |Технологии разработки структурированных| |
| |баз данных подводной акустики для| |
| |обширных океанских или арктических| |
| |районов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.3.1.1.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения автоматических систем сбора| |
| |акустических и других данных для| |
| |гидроакустического обнаружения и| |
| |слежения; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|16.5.3.1.1.4. |Технологии разработки или применения| |
| |компьютерных моделей формирования лучей| |
| |антенных решеток электромеханическим и| |
| |электронным путем для систем| |
| |гидроакустического обнаружения и| |
| |слежения | |
|-----------------------------------------------------------------------|
| Категория 17. Транспортные средства |
|-----------------------------------------------------------------------|
| 17.1. |Системы, оборудование и компоненты | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.1.2. |Бортовая аппаратура (и ее компоненты)|8526 10 000 9; |
| |ЛА, разработанная для дистанционного| 9015 80 |
| |зондирования (измерения характеристик)| |
| |Земли и атмосферы в оптическом и| |
| |радиолокационном диапазонах спектра с| |
| |пространственным (угловым) разрешением 2| |
| |x 10(-5) рад или менее | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.1.3. |Скафандры (изолирующие костюмы, в том|6210 10 100 0; |
| |числе противоперегрузочные), специальное|6210 10 900 0; |
| |оборудование и системы жизнеобеспечения|6210 40 000 0; |
| |человека, размещаемые на ЛА, за|6210 50 000 0; |
| |исключением аварийно-спасательных|9019 20 000 0; |
| |средств, используемых на пассажирских ЛА| 9020 00 000 0 |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.2. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.2.1. |Испытательное оборудование для| |
| |комплексных испытаний конструкций: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.2.1.1. |Климатические испытательные камеры для| 9031 20 000 0 |
| |комплексного имитирования дальнего| |
| |космоса или условий на околоземной| |
| |орбите; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.2.1.2. |Оборудование для имитации взрывной волны| 9031 20 000 0 |
| |или удара; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.2.1.3. |Оборудование для одновременного| 9031 20 000 0 |
| |многоосевого нагружения материалов или| |
| |конструкций | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.3. |Материалы - нет | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.4. |Программное обеспечение | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.4.1. |Программное обеспечение для разработки| |
| |или применения новых методов| |
| |комплексного проектирования ЛА (включая| |
| |экранопланы) или авиационно-космических| |
| |средств: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.4.1.1. |Программное обеспечение для разработки,| |
| |производства или применения ЛА либо| |
| |авиационно-космических средств: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.4.1.1.1. |Программное обеспечение для разработки,| |
| |производства или применения систем| |
| |ламинаризации потока, такое, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.4.1.1.1.1. |Программное обеспечение для разработки и| |
| |производства профилей с отсосом| |
| |пограничного слоя; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.4.1.1.1.2. |Программное обеспечение для разработки| |
| |или применения методик по эксплуатации и| |
| |техническому обслуживанию,| |
| |обеспечивающих управление отсосом| |
| |пограничного слоя; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.4.1.1.1.3. |Программное обеспечение комплексирования| |
| |систем и оптимизации их характеристик | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.4.2. |Программное обеспечение, разработанное| |
| |для реализации технологий, указанных в| |
| |пункте 17.5.3 | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.4.3. |Программное обеспечение, разработанное| |
| |для реализации технологий, указанных в| |
| |пункте 17.5.4 | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.4.4. |Специально разработанное программное| |
| |обеспечение для обработки результатов| |
| |дистанционного зондирования (измерения| |
| |характеристик) Земли и атмосферы в| |
| |оптическом и радиолокационном диапазонах| |
| |спектра, полученных с использованием| |
| |аппаратуры, указанной в пункте 17.1.2 | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5. |Технология | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения испытательного оборудования| |
| |для комплексных испытаний конструкций: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.1.1. |Технологии получения контролируемых| |
| |термических или механических изменений в| |
| |материалах или конструкциях с| |
| |применением любой из следующих| |
| |составляющих: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) климатических испытательных камер для| |
| |комплексного имитирования дальнего| |
| |космоса или условий на околоземной| |
| |орбите; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) оборудования для имитации взрывной| |
| |волны или удара; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) оборудования для одновременного| |
| |многоосевого нагружения материалов или| |
| |конструкций | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.2. |Технологии, связанные с новыми методами| |
| |комплексного проектирования ЛА или| |
| |авиационно-космических средств: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.2.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения ЛА или авиационно-космических| |
| |средств: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.2.1.1. |Технологии разработки производства или| |
| |применения систем ламинаризации| |
| |потоками, такие, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.2.1.1.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения профилей с отсосом| |
| |пограничного слоя; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.2.1.1.2. |Технологии разработки или применения| |
| |методик по эксплуатации и техническому| |
| |обслуживанию, обеспечивающих управление| |
| |отсосом пограничного слоя; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.2.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем наведения и управления| |
| |ЛА: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.2.2.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения дистанционного и автономного| |
| |управления с использованием любого из| |
| |следующего: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) комплексирования информации,| |
| |поступающей от бортовых датчиков и| |
| |устройств дистанционного управления| |
| |навигационной аппаратурой и систем| |
| |управления полетом ЛА, включая силовую| |
| |установку и систему управления| |
| |движением, которые обеспечат возможность| |
| |автономного и (или) дистанционного| |
| |управления ЛА; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) анализа и моделирования на ЭВМ работы| |
| |систем наведения и управления ЛА,| |
| |разработанных для сравнения с| |
| |результатами испытаний; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) системы наведения и управления, в| |
| |которых реализуется возможность| |
| |искусственного интеллекта для| |
| |осуществления фильтрации данных,| |
| |распознавания изображений, сигнатур,| |
| |корреляции и интеграции данных от| |
| |большого числа датчиков и автономного| |
| |принятия решений | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения автоматических космических| |
| |аппаратов (КА): | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.3.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения бортовых систем КА: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.3.1.1. |Технологии разработки или производства| |
| |бортовых систем управления КА; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.3.1.2. |Технологии разработки или применения| |
| |систем обеспечения автономности и| |
| |выживания КА; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.3.1.3. |Технологии обеспечения конструкционной| |
| |целостности, такие, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.3.1.3.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения специализированных| |
| |конструкций, конструкционных компонентов| |
| |и изолирующих систем для возможного| |
| |изменения динамических характеристик и| |
| |(или) предотвращения деформации| |
| |конструкции КА; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.3.1.3.2. |Технологии, разработанные для| |
| |исследования или моделирования| |
| |динамических характеристик КА сложной| |
| |конструкции; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.3.1.3.3. |Технологии разработки или применения| |
| |развертываемых в космосе механизмов или| |
| |мачтовых конструкций; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.3.1.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения связанных с подсистемами| |
| |гравитации систем стабилизации КА,| |
| |имеющих любую из следующих составляющих:| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.3.1.4.1. |Лебедки для сборки конструкций; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.3.1.4.2. |Электродвигатели и катушки лебедок; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.3.1.4.3. |Противовесы; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.3.1.4.4. |Электронные устройства, управляющие| |
| |любой из следующих составляющих систем| |
| |стабилизации: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) маховиками или гироскопами с| |
| |датчиками скорости и схемами управления| |
| |обратной связью; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) устройствами ускорения на основе| |
| |использования ионов и лазерных| |
| |устройств; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) магнитогистерезисными катушками; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |г) устройствами для придания телу| |
| |вращательного движения; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |д) астродатчиками со схемой управления; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |е) датчиками слежения за краем Земли; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |ж) приводными устройствами для| |
| |управления высотой с тягой с большим| |
| |динамическим диапазоном; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |з) подсистемами определения высоты,| |
| |использующими инерциальные системы,| |
| |лазерные дальномеры или радиолокационные| |
| |станции (РЛС) и соответствующие методы| |
| |фильтрации; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.3.1.5. |Технологии разработки средств| |
| |компенсации влияния космической среды,| |
| |предназначенные для: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) компенсации радиационных эффектов| |
| |естественного и искусственного| |
| |происхождения на электронные системы КА,| |
| |включая суммарную дозу рентгеновского| |
| |излучения, электромагнитного импульса| |
| |(ЭМИ), нейтронов и другое; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) защиты систем КА, материалов и| |
| |покрытий от озона, солнечного и| |
| |рентгеновского излучения; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) определения повреждений систем| |
| |навигации и управления КА, обусловленных| |
| |воздействием окружающей среды,| |
| |естественного или искусственного| |
| |происхождения; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.3.1.6. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем наведения КА, таких,| |
| |как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.3.1.6.1. |Динамической развязки полезной нагрузки| |
| |от конструкции КА; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.3.1.6.2. |Широкополосных систем управления,| |
| |облегчающих угловое наведение с| |
| |точностью лучше 1 угл. с; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.3.1.6.3. |Систем адаптивного управления и| |
| |идентификации; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.3.1.6.4. |Систем обработки сигналов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.3.1.6.5. |Систем фильтрации; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.3.1.6.6. |Систем точного совмещения осей; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.3.1.6.7. |Систем с использованием искусственного| |
| |интеллекта для выполнения операций в| |
| |автоматическом режиме | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения оборудования и систем| |
| |большегрузных наземных транспортных| |
| |средств: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.4.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем обеспечения живучести| |
| |транспортных средств, в том числе: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.4.1.1. |Методы оценки живучести, включая любое| |
| |из следующего: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) разработку и использование техники| |
| |моделирования для: имитации условий| |
| |деятельности системы, при которых могут| |
| |быть нанесены повреждения механизмам;| |
| |имитации деятельности системы в ответ на| |
| |действия человека, являющиеся опасными| |
| |для этой системы; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) разработку оперативных оценок или| |
| |игровых моделей для анализа возможностей| |
| |выживаемости системы; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) использование моделей, указанных в| |
| |пунктах 17.5.4.1.1.1 и 17.5.4.1.1.2, для| |
| |проектирования систем с повышенной| |
| |живучестью; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.4.1.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения средств уменьшения| |
| |уязвимости, такие, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.4.1.2.1. |Технологии разработки или применения| |
| |оптимальной конфигурации транспортных| |
| |средств с целью снижения их заметности; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.4.1.2.2. |Технологии разработки или применения| |
| |встроенных дублирующих устройств; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.4.1.2.3. |Технологии разработки или применения| |
| |баллистических конструкций и материалов;| |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.4.1.2.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения средств пассивной защиты от| |
| |внешнего воздействия, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.4.1.2.4.1|Интегральной (внутренней) или| |
| . |дополнительной защиты; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.4.1.2.4.2|Броневой защиты; | |
| . | | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.4.1.2.4.3|Комбинированной и разнесенной брони; | |
| . | | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|17.5.4.1.2.4.4|Легкого оборудования и других средств| |
| . |защиты от удара и избыточного давления | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.5. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения бортовой аппаратуры ЛА,| |
| |указанной в пункте 17.1.2, включая| |
| |полученные с ее использованием данные| |
| |дистанционного зондирования (измерения| |
| |характеристик) Земли и атмосферы в| |
| |оптическом и радиолокационном диапазонах| |
| |спектра | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 17.5.6. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения оборудования, указанного в| |
| |пункте 17.1.3 | |
|-----------------------------------------------------------------------|
| Категория 18. Защита от поражающих воздействий |
|-----------------------------------------------------------------------|
| 18.1. |Системы, оборудование и компоненты | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.1.1. |Оборудование для химической и| |
| |биологической защиты: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.1.1.1. |Активные фильтры (электростатические|8421 39 200 9; |
| |осадители), разработанные для удаления| 8421 39 900 0 |
| |частиц размером 0,2 мкм | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.1.2. |Робототехнические средства, специально| 8479 50 000 0 |
| |разработанные для защиты гидравлических| |
| |линий против пробивания под действием| |
| |баллистических осколков| |
| |(самогерметизирующиеся линии) и| |
| |разработанные для использования| |
| |гидравлической жидкости с температурой| |
| |вспышки выше 568°С, имеющие любую из| |
| |следующих характеристик: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.1.2.1. |Способность работать на высотах более 30| |
| |км; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.1.2.2. |Специально предназначены для работы вне| |
| |помещений; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.1.2.3. |Специально предназначены (спроектированы| |
| |или аттестованы) для работы в условиях| |
| |воздействия электромагнитных импульсов | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.2. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование - нет | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.3. |Материалы | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.3.1. |Ферменты, катализирующие распад| 2934; |
| |отравляющих веществ (ОВ) (например,| 3507 90 |
| |таких, как зоман, зарин, VX, иприт,| |
| |люизит, табун, фосген, дифосген, HCN или| |
| |ClCN) и электроды на основе этих| |
| |ферментов, а также последовательности| |
| |ДНК/РНК, которые кодируют синтез| |
| |указанных ферментов | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.3.2. |Образцы почв, а также выделенные из них|2530 90 980 0; |
| |штаммы микроорганизмов, нуклеиновые|2934 99 900 0; |
| |кислоты или их фрагменты | 3002 90 500 0 |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.4. |Программное обеспечение | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.4.1. |Программное обеспечение для автономного| |
| |программирования робототехнических| |
| |средств, контролируемых по пунктам| |
| |18.1.2 - 18.1.2.3 | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.4.2. |Программное обеспечение для| |
| |малосигнатурных сенсорных систем,| |
| |позволяющих осуществлять в реальном| |
| |масштабе времени автономную навигацию| |
| |наземных средств перемещения по| |
| |пересеченной местности | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.4.3. |Программные средства для активного| |
| |управления в реальном масштабе времени| |
| |манипуляторами с тремя или более| |
| |степенями свободы, испытывающими| |
| |существенные отклонения под нагрузкой | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5. |Технология | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.1. |Технологии, связанные с применением| |
| |методов физико-химической и молекулярной| |
| |биологии, генной и клеточной инженерии в| |
| |задачах защиты от поражающих факторов| |
| |воздействий: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.1.1. |Технологии разработки или синтеза| |
| |генетических вектор/плазмид с| |
| |использованием следующих методов: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.1.1.1. |Полинуклеотидный синтез; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.1.1.2. |Приготовление обработанных эндонуклеазой| |
| |плазмид с липкими концами; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.1.1.3. |Внедрение новых полинуклеотидных| |
| |фрагментов в плазмиды; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.1.2. |Технологии биологической обработки| |
| |культуры, такие, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.1.2.1. |Технологии разработки и производства| |
| |клеток гибридом, отслеживающие: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) слияние клеток патогенных| |
| |микроорганизмов с иными клетками; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) генерацию активно делящихся гибридом| |
| |клеток, созданных с использованием| |
| |патогенных микроорганизмов из| |
| |замороженных клеток при сохранении| |
| |способности вырабатывать антитела; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) способность генерации моноклональных| |
| |антител, содержащих фрагменты Fc одного| |
| |вида и различных областей второго вида; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.1.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения детекторов на базе| |
| |биологических датчиков с использованием:| |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) детектирования ионов; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) спектроскопии; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) фотоакустических, лазерных или| |
| |хемилюминесцентных детекторов | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения иммобилизованных| |
| |биополимеров, способных преобразовывать| |
| |световые, акустические или химические| |
| |сигналы в электрические сигналы или| |
| |служить в качестве переключателя в| |
| |волоконной оптике | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения материалов для защиты от| |
| |воздействия химических или биологических| |
| |веществ, таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.3.1. |Материалов, содержащих непоглощающие| |
| |краски и обеззараживающие покрытия и| |
| |обладающих свойствами существенной| |
| |защиты от токсичных веществ; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.3.2. |Покрытий для волокон, тканей и| |
| |поверхностей, композиционных материалов,| |
| |обладающих существенной способностью| |
| |защищать людей и оборудование от| |
| |воздействия токсичных биологических и| |
| |химических веществ и от радиационного| |
| |заражения; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.3.3. |Наборов веществ, позволяющих| |
| |идентифицировать потенциальные| |
| |химические и биологические боевые| |
| |вещества | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения оборудования для защиты от| |
| |воздействия химических или биологических| |
| |веществ, такого, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.4.1. |Активные фильтры (электростатические| |
| |осадители), разработанные для удаления| |
| |частиц размером 0,2 мкм; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.4.2. |Оборудования для обработки химических| |
| |установок с высокой степенью| |
| |герметизации против токсичных веществ | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.5. |Технологии разработки ферментов,| |
| |катализирующих распад ОВ (например,| |
| |таких, как зоман, зарин, VX, иприт,| |
| |люизит, табун, фосген, дифосген, HCN или| |
| |ClCN) или последовательности ДНК/РНК,| |
| |которые кодируют синтез указанных| |
| |ферментов | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.6. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения робототехнических средств,| |
| |такие, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.6.1. |Технологии разработки или применения| |
| |программного обеспечения для автономного| |
| |программирования роботов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.6.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения прецизионных сенсорных систем| |
| |управления роботами, позволяющих| |
| |осуществлять модификацию программ; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.6.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения малосигнатурных сенсорных| |
| |систем и связанных с ними средств| |
| |программного обеспечения, позволяющих| |
| |осуществлять в реальном масштабе времени| |
| |автономную навигацию наземных средств| |
| |при перемещении по пересеченной| |
| |местности; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.6.4. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения датчиков и программных| |
| |средств для активного управления в| |
| |реальном масштабе времени манипуляторами| |
| |с тремя или более степенями свободы,| |
| |испытывающими существенные отклонения| |
| |под нагрузкой; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.6.5. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения робототехнических средств,| |
| |специально разработанных для защиты| |
| |гидравлических линий против пробивания| |
| |под действием баллистических осколков| |
| |(самогерметизирующиеся линии) и| |
| |разработанных для использования| |
| |гидравлической жидкости с температурой| |
| |вспышки выше 568°С и: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) либо способных работать на высотах| |
| |более 30 км; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) либо специально разработанных для| |
| |работы вне помещений; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) либо специально разработанных или| |
| |аттестованных для работы в условиях| |
| |воздействия электромагнитных импульсов | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.7. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем мощных (с пиковой| |
| |выходной мощностью более 10 ГВт)| |
| |источников электромагнитной энергии| |
| |радиочастоты: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.7.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения высокомощных систем| |
| |радиочастоты, такие, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.7.1.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения импульсно-периодических| |
| |(частотой, превышающей 1000 Гц) систем,| |
| |генерирующих радиочастотные колебания с| |
| |пиковой мощностью более 10 ГВт, таких,| |
| |как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|18.5.7.1.1.1. |Источников радиочастоты (генераторы или| |
| |усилители); | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|18.5.7.1.1.2. |Радиопрозрачных материалов для окон с| |
| |высоким уровнем мощности пропускаемого| |
| |сигнала, низким коэффициентом отражения| |
| |и поглощения; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|18.5.7.1.1.3. |Релятивистских электронных пушек с| |
| |термоэмиссионным или взрывоэмиссионным| |
| |катодом для различных источников| |
| |излучения радиочастотного диапазона; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|18.5.7.1.1.4. |Малогабаритных высоковольтных| |
| |модуляторов с длительностью импульса| |
| |более 10 мкс, два или более выходных| |
| |параметров которых соответствуют| |
| |следующим уровням: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) пиковая мощность более 10 ГВт; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) пиковое напряжение более 500 кВ; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) пиковый ток более 10 кА; или | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |г) частота следования импульсов,| |
| |превышающая 1000 Гц; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
|18.5.7.1.1.5. |Термоэмиссионных катодов с высокой| |
| |плотностью тока (более 100 А/кв.см); | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.7.1.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения устройств точного фазирования| |
| |передающих антенных решеток,| |
| |обеспечивающих когерентное фокусирование| |
| |луча, включая системы управления| |
| |фазированными антенными решетками с| |
| |помощью ЭВМ, и таких компонентов, как| |
| |фазовые детекторы, изоляторы и| |
| |циркуляторы; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.7.1.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения антенн, включая методы| |
| |подавления мод, управления уровнем| |
| |боковых лепестков и предотвращения| |
| |пробоя атмосферы вблизи фидерных линий и| |
| |излучателей; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.8. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем передачи| |
| |высокочастотного излучения большой| |
| |мощности с применением любого из| |
| |следующего: | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |а) численного моделирования| |
| |экспериментальных данных и других| |
| |методов для описания нелинейных свойств| |
| |воздуха или другой пропускающей среды и| |
| |методов предотвращения пробоя в| |
| |атмосфере при распространении в ней| |
| |высокочастотного излучения с плотностью| |
| |мощности более 1 МВт/кв.см; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |б) фазирования и других методов для| |
| |создания многолучевых антенн с целью| |
| |получения пучков излучения мощностью| |
| |более 10 МВт; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |в) интенсивных пучков радиочастотного| |
| |излучения для получения пробоя и| |
| |управления им в атмосфере; | |
| |----------------------------------------+---------------|
| |г) информации, относящейся к| |
| |электрическим и тепловым сигнатурам| |
| |пробоя в воздухе при различных| |
| |атмосферных давлениях | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.9. |Технологии, связанные с исследованиями| |
| |механизмов воздействия СВЧ-излучения и| |
| |определением критериев воздействия на| |
| |объекты (цели), такие, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.9.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем воздействия на цель| |
| |радиочастотного излучения и мер защиты,| |
| |таких, как: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.9.1.1. |Аналитических моделей для моделирования| |
| |на ЭВМ и связанных с ними| |
| |экспериментальных баз данных; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.9.1.2. |Систем для защиты электроники, к которым| |
| |относятся фильтры, ограничители и| |
| |токовые ограничители; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.9.1.3. |Методов нанесения тонких металлических| |
| |пленок, проволочных сеток на изолирующие| |
| |поверхности с хорошим электрическим| |
| |контактом с примыкающими проводящими| |
| |поверхностями; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.9.1.4. |Мер защиты от мощных радиочастотных| |
| |систем; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.9.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения экспериментальных мишеней и| |
| |моделей для систем с направленной| |
| |энергией: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.9.2.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения экспериментальных мишеней или| |
| |моделей, из которых могут быть получены| |
| |точные размеры и компоновка мишеней; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.9.2.2. |Технологии, разработанные для| |
| |исследования мишеней после проведения| |
| |экспериментов, в результате которых| |
| |могут быть получены данные по уязвимости| |
| |мишеней к воздействию установок с| |
| |направленной энергией либо данные о| |
| |падающей на мишень энергии | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.10. |Технологии, связанные с исследованиями| |
| |по разработке электромагнитных способов| |
| |нелетального воздействия: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.10.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения систем генерации мощных| |
| |(пиковая мощность более 10 ГВт или| |
| |средняя мощность более 3 МВт)| |
| |электромагнитных импульсов неядерными| |
| |способами: | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.10.1.1. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения компактных источников| |
| |энергии, используемых для генерации| |
| |токовых импульсов; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.10.1.2. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения резонаторов, которые| |
| |эффективно преобразуют большую часть| |
| |энергии плазмы в электромагнитный| |
| |импульс; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.10.1.3. |Технологии разработки, производства или| |
| |применения излучателей с коэффициентом| |
| |направленного действия 100 и более,| |
| |работоспособных в процессе генерации| |
| |электромагнитного импульса; | |
|--------------+----------------------------------------+---------------|
| 18.5.10.1.4. |Технологии разработки или применения мер| |
| |противодействия при воздействии| |
| |электромагнитного импульса на| |
| |электронику | |
\-----------------------------------------------------------------------/
* Контрольный статус технологий, указанных в разделе 4, определяется в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку.
Примечания к списку
1. Общее примечание
Принадлежность конкретного товара или технологии к товарам и технологиям, подлежащим экспортному контролю, определяется соответствием технических характеристик этого товара или технологии техническому описанию, приведенному в графе "Наименование" настоящего Списка.
Оборудование, подпадающее под контроль по пунктам разделов 1 - 3 настоящего Списка, но специально разработанное для конечного использования в медицинских целях, не контролируется.
2. Общее технологическое примечание
Экспорт технологии, требуемой для разработки, производства или использования предметов, указанных в настоящем Списке, контролируется согласно условиям, указанным в каждой категории. Эта технология остается под контролем даже тогда, когда она применима к любому неконтролируемому предмету.
Контроль не применяется к такой технологии, которая минимально необходима для сборки, эксплуатации, технического обслуживания (контроля) и ремонта тех предметов настоящего Списка, которые либо не контролируются, либо на их экспорт получено необходимое разрешение.
Примечание.
Это не освобождает от контроля технологии, указанные в пунктах 1.5.2.5, 1.5.2.6, 8.5.2.1 и 8.5.2.2 раздела 1.
Контроль не применяется к технологиям в общественной сфере, фундаментальным научным исследованиям или к минимально необходимой информации для патентной заявки.
3. Общее примечание по программному обеспечению
Список не контролирует следующее программное обеспечение:
1. Общедоступное:
а) проданное без ограничения в местах розничной продажи из имеющегося запаса посредством:
сделок за наличные;
сделок по почтовым заказам;
сделок по компьютерной сети;
или сделок по телефонным заказам; и
б) спроектированное для установки пользователем без дальнейшей существенной поддержки поставщиком; или
Примечание.
По пункту 1 общего примечания по программному обеспечению не освобождается от контроля программное обеспечение по части 2 категории 5 (Защита информации).
2. "В общественной сфере".
4. Определение терминов, используемых в Списке
Автоматическое сопровождение цели - метод обработки, который автоматически определяет и обеспечивает в качестве выходного сигнала экстраполированное значение наиболее вероятного положения цели в реальном масштабе времени (категория 6)*.
Активные системы управления полетом - системы предотвращения нежелательных деформаций или нагрузок на конструкцию летательного аппарата и ракеты посредством автономной обработки выходных сигналов датчиков и выдачи необходимых команд (категория 7).
Активный пиксель - минимальный (единичный) элемент твердотельной решетки, обладающий фотоэлектрической передаточной функцией при действии светового (электромагнитного) излучения (категории 6 и 8).
Анализаторы сигнала - аппаратура, способная измерять и отображать основные характеристики одночастотной составляющей многочастотного сигнала (категория 3).
Асимметричный алгоритм - криптографический алгоритм, использующий различные математически связанные ключи для шифрования и дешифрования (категория 5).
Техническое примечание.
Асимметричный алгоритм обычно применяется для управления ключом.
Аэродинамические профили с изменяемой геометрией - применение закрылков, интерцепторов, предкрылков или отклоняемой носовой части, положение которых может изменяться в полете (категория 7).
Биение (шпинделя) - радиальное смещение за один оборот шпинделя станка, измеренное в плоскости, перпендикулярной оси шпинделя в точке измерения на внешней или внутренней поверхности вращения (источник: ISO 230/1-1986, § 5.61) (категория 2).
Быстрое затвердевание - процесс, в котором затвердевание расплава материала происходит при скоростях охлаждения, превышающих 1000 К/с.
В общественной сфере - применительно к технологии или программному обеспечению означает, что они были сделаны доступными для определенного круга лиц без ограничений на дальнейшее распространение (общее технологическое примечание).
Примечание.
Ограничения, накладываемые авторским или издательским правом, не выводят технологию или программное обеспечение из нахождения в общественной сфере.
Вакуумное распыление - процесс распыления струи расплавленного металла на капли диаметром 500 мкм или менее в результате быстрого выделения растворенного в металле газа в вакуум (категория 1).
Взаимосвязанные радиолокационные датчики - два или более радиолокационных датчика считаются взаимосвязанными, если имеет место взаимный обмен информацией в реальном масштабе времени (категория 6).
Внутренний магнитный градиентометр - отдельный элемент, измеряющий магнитное поле, и связанный с ним электронный блок, выходной сигнал которого является мерой градиента магнитного поля (категория 6).
Волокнистые или нитевидные материалы - материалы, которые включают:
а) непрерывные моноволокна;
б) непрерывные нити и ровницу;
в) ленты, ткани, волоконные маты и объемные плетения;
г) рубленые волокна, штапельные волокна и связанные (когерентные) волоконные слои;
д) моно- или поликристаллические нитевидные кристаллы любой длины;
е) волоконную массу ароматического полиамида (категории 1 и 8).
Время задержки основного логического элемента - величина времени задержки прохождения сигнала через основной логический элемент, используемый в монолитной интегральной схеме. Для серии монолитных интегральных схем оно может быть определено либо как время задержки прохождения сигнала на типичном основном элементе в данной серии, либо как типичное время задержки прохождения сигнала в основном элементе данной серии (категория 3).
Технические примечания:
1. Время задержки основного логического элемента не следует путать с временем задержки вход-выход всей монолитной интегральной схемы.
2. Серия включает в себя всю совокупность интегральных схем, объединенных нижеследующими признаками, которые относятся к технологии производства и техническим условиям, но не касаются их функционального предназначения:
а) одинаковая архитектура интегральных схем и программного обеспечения;
б) одинаковая конструкция и применяемая технология; и
в) одинаковые основные характеристики.
Время переключения частоты - максимальное время (то есть задержка по времени), необходимое для того, чтобы выходной сигнал для переключения с одной заданной частоты на другую заданную частоту вышел:
а) на частоту в пределах 100 Гц ее установившегося значения; или
б) на уровень в пределах 1 дБ от установившегося уровня (категории 3 и 5).
Все доступные компенсации - выполнение всех возможных мер, предусмотренных изготовителем, для минимизации всех систематических ошибок позиционирования для отдельной модели станка (категория 2).
Время установления - время, которое требуется выходному сигналу для достижения величины, соответствующей половине его конечного значения, при переключении между любыми двумя уровнями преобразователя (категория 3).
Вычислительный элемент (ВЭ) - наименьшая вычислительная единица, которая выполняет арифметические или логические действия (категория 4).
ВЭ - вычислительный элемент (категория 4).
Газовое распыление - процесс распыления струи расплавленного металлического сплава на капли диаметром 500 мкм или менее в газовой струе высокого давления (категория 1).
Гибридная интегральная схема - произвольная комбинация интегральных схем или интегральной схемы с элементами схемы или дискретными компонентами, соединенными вместе для выполнения определенных функций, имеющая все следующие особенности:
а) содержит по меньшей мере одно бескорпусное устройство;
б) компоненты соединяются друг с другом с использованием типичных методов производства интегральных схем;
в) заменяется как единое целое;
г) не подлежит разборке в нормальном состоянии (категория 3).
Гибридная ЭВМ - оборудование, способное выполнять все следующие функции:
а) принимать данные;
б) обрабатывать данные как в аналоговом, так и в цифровом представлениях; и
в) обеспечивать вывод данных (категория 4).
Гидравлическое прессование прямого действия - процесс деформирования, в котором применяется заполненная жидкостью гибкая камера, находящаяся в непосредственном контакте с заготовкой (категория 2).
Горячее изостатическое уплотнение - процесс прессования отливок при температурах выше 375 К (102°С) в герметичном объеме через различные среды (газообразную, жидкую, твердые порошки и так далее), создающий гидростатическое давление, имеющий целью уменьшение или исключение их пористости (категория 2).
Гражданские летательные аппараты - летательные аппараты, перечисленные в опубликованных сертификационных списках летной годности для полетов на коммерческих гражданских внутренних и международных авиалиниях или законного гражданского частного использования, или для целей бизнеса (категории 1, 7 и 9).
Группа оптических датчиков системы управления полетом - сеть распределенных оптических датчиков, использующая лучи лазера для обеспечения бортовой системы управления полетом данными в реальном масштабе времени (категория 7).
Деформируемые зеркала - зеркала, имеющие:
а) сплошную оптическую отражающую поверхность, которая деформируется посредством приложения соответствующих сил или крутящих моментов для компенсации искажений оптического сигнала, падающего на зеркало; или
б) множество оптических отражающих элементов, положение которых может взаимно и независимо изменяется посредством приложения сил или крутящих моментов для компенсации искажений оптического сигнала, падающего на зеркало.
Деформируемые зеркала известны также как зеркала адаптивной оптики (категория 6).
Динамическая адаптивная маршрутизация - автоматическое изменение маршрута передачи сообщений на основе измерения и анализа текущих условий работы сети (категория 5).
Примечание.
Сюда не входят случаи решений об изменении маршрута передачи сообщений на основе предварительно заданной информации.
Динамические анализаторы сигнала - анализаторы сигнала, которые используют цифровую выборку сигнала и методы ее преобразования для получения вида Фурье-спектра данного сигнала, включая информацию о его амплитуде и фазе (категория 3).
Дискретный компонент - элемент схемы в отдельном корпусе с собственными внешними выводами.
Диффузионная сварка - твердофазное соединение на молекулярном уровне по меньшей мере двух отдельных металлов в единое целое с прочностью соединения, эквивалентной прочности соединения слабейшего материала (категории 1, 2 и 9).
Длительность импульса - длительность импульса излучения лазера, измеренная по полной ширине на уровнях полуинтенсивности (категория 6).
Заготовки (оптических элементов) - монолитные массы, размеры которых подходят для производства оптических элементов, таких, как зеркала или оптические окна прозрачности (категория 6).
Защита информации - все средства и функции, обеспечивающие доступность, конфиденциальность или целостность информации или связи, исключая средства и функции, предохраняющие от неисправностей. Она включает в себя криптографию, криптоанализ, защиту от собственного излучения и защиту компьютера (категория 5).
Техническое примечание.
Криптоанализ - анализ криптографической системы или ее входных и выходных сигналов с целью извлечения конфиденциальных параметров или чувствительной информации, включая открытый текст (ISO 7498-2-1988 (Е), § 3.3.18).
Измельчение - процесс получения частиц материала (порошка) посредством дробления или размалывания (категория 1).
Изостатические прессы - оборудование, в котором возможна реализация в замкнутом объеме изостатического (равного во всех направлениях) давления через различные среды (газовую, жидкую, порошок и другие), воздействующего на заготовку или материал (категория 2).
Инструментальная дальность - дальность действия РЛС, определяемая однозначным разрешением целей на дисплее (категория 6).
Интенсивность трехмерных векторов - количество порождаемых в секунду векторов, относящихся к поливекторам из 10 пикселей, проверенных на ограниченность, ориентированных случайным образом, со значениями координат, выраженными целыми переменными либо переменными с плавающей точкой (какие бы из них ни соответствовали максимальной интенсивности) (категория 4).
Исходная программа (исходный код) - соответствующее представление одного или более процессов, которые могут быть преобразованы программирующей системой в форму, исполняемую оборудованием (объектный код или объектный язык) (категория 4).
Качающийся шпиндель - инструментальный шпиндель, который изменяет в процессе обработки угловое положение своей центральной оси относительно других осей (категория 2).
Композиционный материал - матрица и дополнительный компонент (фаза) или дополнительные компоненты (фазы), состоящие из частиц, нитевидных кристаллов, волокон или их любой комбинации, разработанные для определенной цели или целей (категории 1, 2, 6, 8 и 9).
Контроллер доступа к сети - физический интерфейс распределенной коммутационной сети. Он использует общую среду, функционирующую при одинаковой скорости цифровой передачи с управлением (например, контролем или обнаружением несущей) передачей. Независимо от любого другого он выбирает пакеты данных или группы данных (например, IEEE 802), адресованные ему. Это блок, который может быть встроен в компьютер, или телекоммуникационное оборудование для обеспечения доступа к системе (категория 4).
Контроллер канала связи - физический интерфейс, контролирующий поток синхронной или асинхронной цифровой информации. Это блок, который может быть встроен в компьютер, или телекоммуникационное оборудование для обеспечения доступа к использованию связи (категория 4).
Контурное управление - движение по двум или более осям под числовым программным управлением, задающим соответствующими командами следующее положение и скорость подачи к этому положению. Эти скорости подачи изменяются взаимосвязанно, что и образует заданный контур (источник: ISO/DIS 2806-1980) (категория 2).
Космические аппараты - активные и пассивные спутники Земли и космические зонды (категории 7 и 9).
Криптография - дисциплина, включающая принципы, средства и методы преобразования информации в целях сокрытия ее содержания, предотвращения ее неподдающегося обнаружению видоизменения или несанкционированного использования. Криптография ограничена преобразованием информации с использованием одного или более секретных параметров (например, криптографических переменных) или соответствующим управлением ключом (категория 5).
Техническое примечание.
Секретный параметр - константа или ключ, скрываемый от знания других или известный только определенному кругу лиц.
Критическая температура (иногда называемая температурой перехода) определенного сверхпроводящего материала - температура, при которой материал полностью теряет электрическое сопротивление (категории 1, 3 и 6).
Кулачковый эффект (осевое смещение) - осевое смещение при одном обороте шпинделя станка, измеренное в плоскости, перпендикулярной валу планшайбы, в точке, граничащей с окружностью вала планшайбы (источник: ISO 230/1-1986, § 5.63) (категория 2).
Лазер - совокупность компонентов, которая создает когерентное как в пространстве, так и во времени световое излучение, усиливаемое посредством стимулированной эмиссии излучения (категории 2, 3, 5, 6 и 9).
Лазер с модуляцией добротности - лазер, в котором энергия накапливается в инверсии населенности или оптическом резонаторе и затем излучается в импульсном режиме (категория 6).
Лазер сверхвысокой мощности - лазер, способный излучать энергию (всю или только часть выходной энергии) более 1 кДж в течение 50 мс или имеющий среднюю или непрерывную мощность более 20 кВт (категория 6).
Летательный аппарат - средство для полетов в атмосфере с фиксированной или изменяемой геометрией крыла, несущим винтом (вертолет), поворотным винтом или крылом (категории 1, 7 и 9).
Линейность (обычно измеряется через параметры нелинейности) - максимальное положительное или отрицательное отклонение действительной характеристики (среднее по максимальному и минимальному отсчетам) от прямой линии, расположенной таким образом, чтобы уравнять и минимизировать максимальные отклонения (категория 2).
Локальная сеть - система передачи данных, имеющая все следующие характеристики:
а) позволяющая произвольному числу независимых информационных устройств связываться непосредственно друг с другом; и
б) ограниченная географической зоной средних размеров (например, пределами служебного здания, завода, группы корпусов или складских помещений) (категория 4).
Техническое примечание.
Информационное устройство означает оборудование, обладающее способностью передавать или принимать последовательности цифровых данных.
ЛСВМ - лазер сверхвысокой мощности (категория 6).
Магнитные градиентометры - устройства, разработанные для измерения пространственных изменений магнитных полей источников, являющихся внешними по отношению к этим устройствам. Они состоят из совокупности магнитометров и связанного с ними электронного оборудования, выходной сигнал которого является мерой градиента магнитного поля (см. также "Внутренний магнитный градиометр") (категория 6).
Магнитометры - устройства, разработанные для измерения магнитных полей источников, являющихся внешними по отношению к этим устройствам. Они состоят из отдельного датчика магнитного поля и связанного с ним электронного оборудования, выходной сигнал которого является мерой магнитного поля (категория 6).
Матрица (композиционного материала) - непрерывный компонент (фаза), заполняющий (заполняющая) пространство между частицами, нитевидными кристаллами или волокнами (категории 1, 2 и 9).
Мгновенная ширина полосы частот - полоса частот, в которой уровень мощности выходного сигнала остается постоянным в пределах 3 дБ без подстройки основных рабочих параметров (категории 3, 5 и 7).
Механическое легирование - процесс образования связей, возникающих в результате дробления с образованием новых связей между частицами порошков чистых металлов и лигатуры в результате механических соударений. В сплав могут быть введены и неметаллические частицы (категория 1).
Микропрограмма - последовательность элементарных инструкций, хранящихся в специальной памяти, выполнение которых инициируется запускающей командой, введенной в регистр команд.
Микросхема микропроцессора - монолитная интегральная схема или многокристальная интегральная схема, содержащая арифметико-логическое устройство, способное выполнять последовательности команд общего назначения от внешней памяти (категория 3).
Техническое примечание.
Микросхема микропроцессора обычно не содержит оперативную память доступа пользователя, хотя при выполнении логической функции может использоваться память интегральной схемы.
Примечание.
Настоящее определение включает в себя комплекты интегральных схем, разработанных для совместного выполнения функции микросхемы микропроцессора.
Микросхема микроЭВМ - монолитная интегральная схема или многокристальная интегральная схема, содержащая арифметико-логическое устройство (АЛУ), способное обрабатывать данные, содержащиеся во внутреннем запоминающем устройстве, выполняя команды общего назначения внутреннего запоминающего устройства (категория 3).
Техническое примечание.
Внутренняя память может быть расширена за счет внешней памяти.
Многокристальная интегральная схема - две или более монолитные интегральные схемы, объединенные общей подложкой (категория 3).
Многопотоковая обработка - микропрограмма или методы архитектуры оборудования, позволяющие одновременно осуществлять обработку двух или более последовательностей данных под управлением одной или более последовательностей команд посредством таких средств, как:
а) архитектура с централизованным управлением потоком данных (SIMD);
б) архитектура с параллельно-централизованным управлением потоком данных (MSIMD);
в) архитектура с децентрализованным управлением потоком данных (MIMD), включая тесно связанные, близко связанные или слабо связанные; или
г) структурирование массивов элементов обработки, включая систолические массивы (категория 4).
Многоспектральные датчики изображений - датчики, способные осуществлять одновременно или последовательно сбор информации изображений из двух или более дискретных спектральных диапазонов. Датчики, имеющие более двадцати дискретных спектральных диапазонов, называются иногда гиперспектральными датчиками изображений (категория 6).
Многоуровневая защита - класс систем, содержащих информацию различной степени чувствительности, доступ к которым открыт для пользователей с различными правами доступа к информации и потребностями, но предотвращается для тех групп пользователей, которые не имеют на это прав (категория 5).
Техническое примечание.
Многоуровневая защита является защитой компьютера, а не его надежностью, относящейся к предотвращению неисправности оборудования или ошибки оператора.
Монолитная интегральная схема - комбинация пассивных и (или) активных элементов схемы, которая:
а) произведена посредством диффузионных процессов, процессов имплантации или осаждения внутри или на поверхности полупроводникового кристалла;
б) может считаться неразрывно соединенной; и
в) может выполнять функции схемы (категория 3). Моноспектральные датчики изображений - датчики, способные получать информацию об изображении из одного дискретного спектрального диапазона (категория 6).
Навигационные системы на основе эталонных баз данных - системы, которые используют различные источники априорных измерений картографических данных, комплексно обеспечивающие точную навигационную информацию при действующих условиях. Информационные источники включают в себя батиметрические карты, звездные карты, гравитационные карты, магнитные карты или трехмерные цифровые карты местности (категория 7).
Нейронная ЭВМ - вычислительное устройство, разработанное или модифицированное для имитации поведения нейрона или совокупности нейронов, например, вычислительное устройство, характеризуемое способностью аппаратуры модулировать вес и количество взаимных связей множества вычислительных компонентов на основе предыдущей информации (категория 4).
Оборудование терминального интерфейса - оборудование, через которое информация поступает в телекоммуникационную систему, например, телефон, информационное устройство ЭВМ, факсимильный аппарат, или выходит из нее (категория 4).
Обработка в реальном масштабе времени - обработка данных ЭВМ, обеспечивающей необходимый уровень обслуживания, как функция имеющихся ресурсов в течение гарантированного времени реакции системы независимо от уровня нагрузки в условиях возбуждения системы внешними событиями (категории 6 и 7).
Обработка сигнала - обработка полученных извне информационных сигналов посредством таких алгоритмов, как сжатие во времени, фильтрация, оценка параметра, селекция, корреляция, свертка или преобразование из одной области представления в другую (например, быстрое преобразование Фурье или преобразование Уолша) (категории 3, 4, 5 и 6).
Образцы почв - пробы, отобранные для их последующей обработки, анализа или иной оценки, содержащие информацию о месте и времени их отбора (категория 18).
Общая скорость цифровой передачи - количество бит, включая кодирование - канала, служебные (протокольные) сигналы и тому подобное, в единицу времени, проходящих между соответствующим оборудованием в системе цифровой передачи (категория 5).
Общее управление полетов - автоматизированное управление параметрами полета летательного аппарата и траекторией полета с целью выполнения поставленных задач, реагирующее в реальном масштабе времени на изменения данных о задачах, отказах или других летательных аппаратах (категория 7).
Объектный код - подлежащая исполнению форма подходящего представления одного или более процессов (текст программы или язык программы), которая преобразована программирующей системой (категории 4 и 9).
Оперативная память - основное место хранения данных или инструкций для быстрого доступа из центрального процессора. Состоит из внутренней памяти цифрового компьютера и любых иерархических расширений, таких, как кэш-память или расширенная память параллельного доступа (категория 4).
Оптимизация траектории полета - процедура, минимизирующая отклонения от четырехмерной (в пространстве и времени) требуемой траектории на основе максимизации характеристик или эффективности выполнения задачи (категория 7).
Оптическая интегральная схема - монолитная интегральная схема или гибридная интегральная схема, содержащая один или более элементов, предназначенных для работы в качестве фотоприемника или фотокатода или для выполнения оптических или электрооптических функций (категория 3).
Оптическая коммутация - маршрутизация или коммутация сигналов в оптической форме без преобразования в электрические сигналы (категория 5).
Оптическая ЭВМ - аппаратура, спроектированная или модифицированная с целью использования света для представления данных, вычислительные логические элементы которой основаны на непосредственно связанных оптических устройствах (категория 4).
Оптическое усиление - в оптической связи метод усиления оптических сигналов, созданных отдельным оптическим источником, без преобразования в электрические сигналы, то есть с применением полупроводниковых оптических усилителей, волоконно-оптических люминесцентных усилителей (категория 5).
Основной элемент - элемент является основным в том случае, если стоимость его замены составляет 35% общей цены системы, к которой относится элемент. Ценой элемента считается цена, выплачиваемая за него производителем системы или сборщиком системы. Общая цена является нормальной международной ценой в месте производства или комплектации поставок (категория 4).
Отказоустойчивость - свойство компьютерной системы после возникновения какой-либо неисправности в ее аппаратном или программном компонентах продолжать работу без вмешательства человека, обеспечивать непрерывность работы, целостность данных и восстановление работы в пределах заданного интервала времени (категория 4).
Относительная ширина полосы частот - мгновенная ширина полосы частот, деленная на среднюю частоту несущей, выраженная в процентах (категория 3).
Передача сигналов по общему каналу - метод передачи сигналов, при котором посредством помеченных сообщений по одному и тому же каналу связи передается информация, относящаяся к различным схемам или сигналам, и другая информация, например, используемая для управления сетью (категория 5).
Перестраиваемый лазер - лазер, способный генерировать излучение на всех длинах волн в пределах непрерывного диапазона, включающего множество лазерных переходов. Лазер с возможностью выбора некоторой линии генерации дискретных длин волн в пределах одного перехода лазера не считается перестраиваемым (категория 6).
Переходный лазер - лазер, в котором среда генерации возбуждается посредством перехода энергии при соударениях невозбужденного атома или молекулы с возбужденными атомами или молекулами (категория 6).
Персональная смарт-карта (интеллектуальная карточка) - смарт-карта содержит микросхему, которая запрограммирована для определенного применения и не может быть перепрограммирована пользователем для любого другого применения (категория 5).
Пиковая мощность - энергия импульса в джоулях, деленная на длительность импульса в секундах (категория 6).
Пленочная интегральная схема - набор элементов схемы и металлических соединений, образованных посредством нанесения толстой или тонкой пленки на изолирующую подложку (категория 3).
Погрешность измерения - характеристика, определяющая, в каком диапазоне около измеренного значения находится истинное значение измеряемой переменной с доверительным уровнем 95%. Она включает в себя некомпенсированную систематическую ошибку, нескомпенсированный люфт и случайную ошибку (источник: ISO 10360-2 или VDI/VDE 2617) (категория 2).
Погрешность измерения по угловой координате - максимальная разница между заданной и действительной (измеренной с весьма высокой точностью) угловой координатой детали после ее установки и поворота относительно исходного положения (источник: VDI/VDE 2617, Проект: Поворотные столы координатно-измерительных машин) (категория 2).
Подложка - пластина основного материала со структурой соединений или без нее, на которой или внутри которой могут быть размещены дискретные компоненты или интегральные схемы, или те и другие вместе (категория 3).
Полоса частот в реальном масштабе времени (для динамических анализаторов сигналов) - наиболее широкий диапазон частот сигнала, который анализатор может выдать на отображающее или запоминающее устройство без нарушения непрерывности анализа входной информации. Для многоканальных анализаторов при оценке полосы частот в реальном масштабе времени должна использоваться конфигурация канала с наибольшим значением данного параметра (категория 3).
Постоянная времени - время, отсчитываемое от момента приложения светового воздействия, которое требуется току, чтобы достигнуть уровня (1 - 1/е) от конечного значения (то есть 63% от конечного значения) (категория 6).
Постоянный (алгоритм) - означает, что алгоритм кодирования или сжатия не может изменять задаваемые извне параметры (например, криптографические параметры или параметры ключа) и не может быть видоизменен пользователем (категория 5).
Предварительно обогащенный - применение любого процесса с целью увеличения концентрации контролируемого изотопа (категория 1).
Пригодное для применения в космосе - все, что спроектировано, изготовлено и испытано на соответствие специальным электрическим, механическим требованиям и требованиям по условиям внешней среды для применения в запуске и развертывании спутников Земли или высотных летательных аппаратов, функционирующих на высотах 100 км над поверхностью Земли или выше (категории 3 и 6).
Применение - эксплуатация, монтажные работы (включая установку на местах), техническое обслуживание, поверка, ремонт, капитальный ремонт, восстановление (общее технологическое примечание, категории 1, 2, 4 - 9).
Приспособленный для военного применения - подвергнутый модификации или отбору (например, по качеству, срокам годности при хранении, вирулентности, характеристикам распространения, устойчивости к воздействию ультрафиолетового излучения) с целью повышения эффективности поражающего воздействия на людей или животных или повреждения оборудования, нанесения урона урожаю, окружающей среде (категория 1).
Программа (компьютера) - последовательность команд для выполнения или преобразования в форму, подлежащую исполнению компьютером (категории 2, 4 - 6).
Программируемость пользователем - наличие аппаратурных возможностей, позволяющих пользователю вводить, модифицировать или заменять программы иными средствами, нежели:
а) физическое изменение соединений или разводки;
б) задание функционального управления, включая прямой ввод параметров (категория 6).
Программное обеспечение - набор одной или более программ или микропрограмм, записанных на любом виде носителя (весь Список).
Производство - означает все стадии: конструирование, изготовление, сборку (установку), контроль, испытание, обеспечение качества (общее технологическое примечание, категория 7).
Пространственно распределенный - измерительные датчики считаются пространственно распределенными, если местоположение каждого датчика удалено от местоположения любого другого более чем на 1500 м в любом направлении. Подвижные датчики всегда считаются пространственно распределенными (категория 6).
Прямое управление полетом - управление прямолинейным полетом или маневрированием летательного аппарата приложением сил или моментов с помощью аэродинамических поверхностен управления или отклонением вектора тяги двигателя (категория 7).
Рабочие органы - захваты, активные инструментальные узлы и любые другие инструменты, которые крепятся на базе, расположенной на оконечности руки манипулятора робота (категория 2).
Техническое примечание.
Под активными инструментальными узлами понимаются устройства для приложения к заготовке (детали) движущей силы, энергии, необходимой для осуществления процесса или контроля.
Разработка - все стадии работ до серийного производства, такие, как: проектирование, проектные исследования, анализ проектных вариантов, эскизное проектирование, сборка и испытание прототипов (опытных образцов), создание схемы опытного производства и технической документации, разработка технологии производства, проектирование изделия в целом, компоновка (весь Список).
Разрешение - наименьшее приращение показаний измерительного устройства; в цифровых приборах - младший бит (источник: ANSI B-89.1.12) (категория 2).
Распределяемые Международным союзом электросвязи - распределение частотных диапазонов в соответствии с текущей редакцией Радиоустава Международного союза электросвязи для первичных, разрешенных и вторичных служб (категория 3 и часть 1 категории 5).
Особое примечание.
Дополнительное и альтернативное распределение не включается.
Расширение спектра - метод, посредством которого энергия относительно узкополосного информационного канала распределяется по существенно большему спектру частот (категория 5).
Расширение спектра РЛС - любой метод модуляции для распределения энергии сигнала, сосредоточенного в относительно узкой полосе частот, в намного более широкую полосу частот посредством применения методов случайного или псевдослучайного кодирования (категория 6).
Решетка фокальной плоскости - линейная или двухмерная планарная решетка или комбинация пленарных слоев, отдельных элементов-детекторов со считывающей электроникой или без нее, которая работает в фокальной плоскости (категория 6).
Примечание.
Это определение не включает набор отдельных детекторов или любых двух-, трех- или четырехэлементных детекторов при условии отсутствия операций введения временной задержки и интегрирования в этих элементах.
РЛС с быстрой перестройкой частоты - любой метод, изменяющий в соответствии с псевдослучайной последовательностью несущую частоту излучателя импульсной РЛС между импульсами или группами импульсов на величину, равную или превышающую ширину полосы частот импульса (категория 6).
РЛС с расширением спектра - расширение спектра РЛС (категория 6).
Робот - манипулятор, который может иметь контурный или позиционный вид системы управления, может использовать датчики и имеет все следующие признаки:
а) является многофункциональным;
б) способен позиционировать или ориентировать материал, детали, инструменты или специальные устройства благодаря изменяемым движениям в трехмерном пространстве;
в) включает три или более сервопривода с замкнутым или открытым контуром, в том числе с шаговыми двигателями; и
г) имеет доступную пользователю возможность программирования посредством метода обучения с запоминанием или за счет использования компьютера, который может являться программируемым логическим контроллером, то есть без промежуточного механического вмешательства (категории 2 и 8).
Примечание.
Вышеприведенное определение не включает следующие устройства:
а) манипуляторы, управляемые только вручную или телеоператором;
б) манипуляторы с фиксированной последовательностью операций, к которым относятся автоматизированные движущиеся устройства, действующие в соответствии с механически фиксируемыми программируемыми видами движении. Программа механически ограничена фиксаторами, такими, как штифты или кулачки. Последовательность движений и выбор траекторий или углов не могут изменяться или заменяться механическими, электронными или электрическими средствами;
в) механически управляемые манипуляторы с переменной последовательностью операций, к которым относятся автоматизированные движущиеся устройства, действующие в соответствии с механически фиксируемыми программируемыми видами движении. Программа механически ограничена фиксированными, но перестраиваемыми приспособлениями, такими, как штифты или кулачки. Последовательность движений и выбор траекторий или углов являются переменными в рамках установленной структуры программы. Изменения или модификации структуры программы (например, изменения штифтов или замена кулачков) относительно движения по одной или нескольким координатам осуществляются только посредством механических операций;
г) манипуляторы без сервоуправления с переменной последовательностью операций, относящиеся к автоматизированным устройствам, функционирующим в соответствии с механически фиксируемыми программируемыми движениями. Программа может изменяться, но последовательность операций меняется только при помощи двоичного сигнала от механически зафиксированных электрических приборов с двоичным выходом или перестраиваемых фиксаторов;
д) роботизированные краны-штабелеры, действующие в прямоугольной (декартовой) системе координат, изготовленные в качестве неотъемлемой части бункеров-складов и предназначенные для загрузки или разгрузки бункеров.
Сверхпроводящий - термин относится к материалам (металлам, сплавам или соединениям), которые могут терять полностью электрическое сопротивление, то есть достигать бесконечной электропроводности и пропускать большие электрические токи без джоулева нагрева (категории 1, 3, 6 и 8).
Техническое примечание.
Сверхпроводящее состояние каждого материала характеризуется критической температурой, критическим магнитным полем, которое является функцией температуры, и критической плотностью тока, которая является функцией как магнитного поля, так и температуры.
Сверхширокополосное модулирование по времени - технология, в соответствии с которой очень короткие радиочастотные импульсы с точно определенным положением по времени модулируются в соответствии с передаваемыми данными путем изменения временного положения импульсов (обычно называемая импульсной позиционной модуляцией, ИПМ), которые канализируются или перестанавливаются в соответствии с псевдослучайными шумовыми кодами ИПМ, затем передаются и принимаются непосредственно в импульсном виде без использования несущих частот, в результате чего получается чрезвычайно малая плотность мощности в ультрашироких частотных диапазонах. Эта технология известна также как импульсное радио (радиосвязь) (категория 5).
Связанные (волокна) - волоконная заготовка, состоящая из связанных между собой термопластичных и армирующих волокон, в которой волокна первого типа являются прекурсором матрицы (категория 1).
Сжатие импульса - кодирование и обработка сигнала РЛС большой длительности, преобразующие его в сигнал малой длительности с сохранением преимуществ импульса высокой энергии (категория 6).
Симметричный алгоритм - криптографический алгоритм, использующий один и тот же ключ как для шифрования, так и для дешифрования (категория 5).
Техническое примечание.
Симметричный алгоритм обычно применяется для обеспечения конфиденциальности информации.
Синтезатор частот - любой вид генератора сигнала или источника частот, обеспечивающих независимо от используемого метода генерации набор одного или нескольких одновременно или попеременно генерируемых сигналов, целенаправленно извлекаемых или синхронизируемых с помощью меньшего числа стандартов частоты (категория 3).
Система управления циркуляцией для создания управляющих сил и моментов или компенсации реактивного момента ротора вертолета - система управления, использующая циркуляцию потока вокруг аэродинамических поверхностей для увеличения сил, генерируемых этими поверхностями, или управления силами (категория 7).
Скачкообразная перестройка частоты - разновидность расширения спектра, в которой частота, используемая для передачи информации в канале связи, дискретно меняется случайным или псевдослучайным образом (категория 5).
Скоростная закалка капли - процесс быстрого затвердевания расплавленного металла, ударяющегося об охлажденное препятствие с образованием хлопьевидного продукта (категория 1).
Скорость дрейфа (гироскопа) - скорость, производная по времени отклонения от требуемого выходного сигнала. Она состоит из случайной и систематической компонент и выражается как эквивалентное входное угловое смещение относительно инерциального пространства в единицу времени (категория 7).
Скорость передачи данных - скорость, при определении которой в соответствии с Рекомендацией 53-36 Международного союза связи (МСЭ) учитывается, что при недвоичной модуляции скорости передачи в бодах и битах в секунду не равны. Должны учитываться биты кодирования, проверки и синхронизации (категория 5).
Примечание.
При определении скорости передачи данных служебный и административный каналы должны быть исключены.
Техническое примечание.
Это максимальная скорость передачи в одном направлении, то есть максимальная скорость либо приема, либо передачи.
Скорость цифровой передачи - общая скорость передачи информации в битах, которая непосредственно передается через любой тип среды (см. также "Общая скорость цифровой передачи") (категория 5).
Смещение (акселерометра) - выходной сигнал акселерометра в отсутствие приложенного ускорения (категория 7).
Совокупная теоретическая производительность - мера производительности вычислений, выраженная в миллионах теоретических операций в секунду (Мтопс), полученная в результате агрегирования вычислительных элементов (категории 3 и 4).
Особое примечание.
См. технические примечания к категории 4.
Составной поворотный стол - стол, позволяющий вращать и наклонять деталь относительно двух непараллельных осей, управление по которым может координироваться для реализации контурного управления (категория 2).
Спиннингование расплава - процесс быстрого затвердевания струи расплавленного металла, падающей на вращающийся охлаждаемый барабан, формирующий продукт в виде проволоки, ленты или чешуек (категория 1).
Стабильность (параметра) - стандартное отклонение (1 сигма) колебаний некоторого параметра относительно калиброванной величины, измеренное в стабильных температурных условиях. Может выражаться как функция времени (категория 7).
СТП - совокупная теоретическая производительность (категория 4).
Суммарная плотность тока - общее число ампер-витков в соленоиде (то есть сумма числа витков, умноженная на максимальный ток каждого витка), разделенное на общую площадь поперечного сечения соленоида (включая сверхпроводящие витки, металлическую матрицу, в которую заключены сверхпроводящие витки, материал оболочки, канал охлаждения и так далее) (категория 3).
Суперсплав - сплавы на основе никеля, кобальта или железа, прочность которых превышает прочность любых сплавов серии AISI 300 при температуре выше 922 К (649°С) в условиях неблагоприятной окружающей среды и тяжелых условиях эксплуатации (категории 2 и 9).
Технология - специальная информация, которая требуется для разработки, производства или применения изделия. Информация принимает форм}# технических данных или технической помощи. Контролируемая технология определена в общем технологическом примечании и настоящем Списке.
Технические примечания:
1. Технические данные могут принимать форму диаграмм, моделей, планов, руководств и инструкций, таблиц, технических проектов и спецификаций, записанных на бумажных или других носителях (диски, ленты. ПЗУ), формул, чертежей.
2. Техническая помощь может принимать такие формы, как инструктаж, консультации, передача практических знаний, профессиональная подготовка и обучение. Техническая помощь может включать в себя передачу технических данных.
Точность - (обычно измеряется через погрешность) максимальное отклонение, положительное или отрицательное, показания прибора от принятого стандартного или истинного значения (категории 2 и 6).
Траектории систем - обработанные скоррелированные (синтез данных РЛС о цели с позицией летного задания) и обновленные сведения (отчеты) о положении самолета в полете, представляемые диспетчерам центра управления воздушным движением (категория 6).
Требуемая - применительно к технологам означает ту и только ту часть технологии, которая позволяет достигнуть или превысить контролируемые характеристики, функции или уровни производительности. Такая требуемая технология может содержаться в более чем одном продукте (общее технологическое примечание, категории 5, 6 и 9).
Углеродные волокнистые преформы - упорядочение расположенные непокрытые или покрытые волокна, образующие каркас изделия, который затем заполняется матрицей, в результате чего формируется композиционный материал (категория 1).
Улучшение качества изображения - алгоритмическая обработка изображении с целью извлечения заключенной в них информации посредством таких алгоритмов, как сжатие во временной области, фильтрация, оценка параметров, селекция, корреляция, свертка или преобразование между различными областями представления (например, быстрое преобразование Фурье или Уолша). Она не включает алгоритмы с использованием только линейного преобразования или вращения отдельного изображения, такие, как сдвиг, извлечение признаков, регистрация или неправильная раскраска (категория 4).
Управление мощностью - измерение мощности передаваемого альтиметром сигнала так, что мощность принятого сигнала на высоте летательного аппарата всегда поддерживается на минимальном уровне, требуемом для определения высоты (категория 7).
Уровень шума - электрический сигнал, выраженный через параметры спектральной плотности шума. Соотношение между уровнем шума и пиковым уровнем сигнала выражается формулой
2
S = 8N (f - f ),
рр 0 2 1
где S - пиковый уровень сигнала (например, в нанотеслах),
рр
N - спектральная плотность мощности [например, (нанотесла)(2)/Гц]
0 и (f_2 - f_1) - полоса частот (категория 6).
Фазированная антенная решетка с электронным управлением диаграммой направленности - антенна, формирующая луч посредством фазовых соотношений (то есть направление луча управляется набором комплексных коэффициентов возбуждения излучающих элементов) и направление этого луча посредством приложения электрического сигнала может изменяться (как при приеме, так и при передаче) по азимуту или по углу места или обеим координатам одновременно (категории 5 и 6).
Формообразование в условиях сверхпластичности - высокотемпературное деформирование металлов, характеризующихся при комнатной температуре низкими величинами предельного удлинения при растяжении (менее 20%) с целью достижения удлинений, по крайней мере, в два раза превышающих указанную величину (категории 1 и 2).
Фундаментальные научные исследования - экспериментальные или теоретические работы, главной целью которых является получение новых знаний о фундаментальных законах явлений или наблюдаемых фактов, но не достижение определенной практической цели или решение конкретной задачи (общее технологическое примечание).
Химический лазер - лазер, в котором возбужденная среда формируется за счет энергии химической реакции (категория 6).
Центробежное распыление - процесс превращения струи или находящегося в ванне расплавленного металла посредством центробежной силы в капли диаметром 500 мкм или менее (категория 1).
Цифровая ЭВМ - аппаратура, которая может в форме одной или более дискретных переменных выполнять все следующие функции:
а) принимать вводимые данные;
б) хранить данные или команды в постоянных или сменных (переписывающих) накопителях;
в) обрабатывать данные посредством записанной последовательности команд, которые могут видоизменяться; и
г) обеспечивать вывод данных (категории 4 и 5).
Техническое примечание.
Видоизменения записанной последовательности команд включают замену накопителя, но не физические изменения проводных соединений или внутренних контактов.
Числовое программное управление - автоматическое управление процессом, осуществляемое устройством, использующим числовые данные, обычно поступающие по мере протекания процесса (источник: ISO 2382) (категория 2).
ЭВМ с систолической матрицей - компьютер, в котором поток данных и их преобразование могут контролироваться динамически на уровне логической схемы пользователя (категория 4).
Эквивалентная плотность - отношение массы оптического элемента к единице оптической площади, спроецированной на оптическую поверхность (категория 6).
Экспертные системы - системы, обеспечивающие результаты посредством применения правил к данным, которые хранятся независимо от программы, и обладающие любой из следующих характеристик:
а) автоматической модификацией текста программы, введенной пользователем;
б) обеспечением знаний, связанных с некоторым классом проблем в квазиестественном языке; или
в) приобретением знаний, требуемых для их разработки (символьное обучение) (категории 4 и 7).
Экстракция расплава - процесс быстрого затвердевания сплава и экстракции продукта в виде ленты посредством введения короткого сегмента вращающегося охлаждаемого диска в ванну с расплавленным металлическим сплавом (категория 1).
Электронная сборка - ряд электронных компонентов (например, элементов схемы, дискретных компонентов, интегральных схем и так далее), соединенных для выполнения определенных функций и допускающих возможность их замены и разборки (категории 3 - 5).
Электронно-цифровая система управления двигателем - FADEC - электронная система управления газотурбинными двигателями или двигателями комбинированного цикла, использующая цифровую ЭВМ для управления переменными параметрами, требуемыми для регулирования тяги двигателя или выходной мощности на валу в течение всего времени работы от первоначальной подачи топлива до ее прекращения (категории 7 и 9).
Элемент схемы - единичная активная или пассивная функциональная часть электронной схемы, как, например, один диод, транзистор, резистор, конденсатор и так далее.
Эффективный грамм - для изотопа плутония определяется как вес изотопа в граммах (категория 1).
Первый заместитель начальника
Главного управления товарной номенклатуры
и торговых ограничении |
А.М. Максимов |
------------------------------
* Здесь и далее в скобках приводятся категории настоящего Списка, в которых употребляются данные термины.
<< Приложение N 6 |
||
Содержание Приказ Федеральной таможенной службы от 28 декабря 2006 г. N 1378 "О внесении изменений в отдельные правовые акты ФТС... |
Если вы являетесь пользователем интернет-версии системы ГАРАНТ, вы можете открыть этот документ прямо сейчас или запросить по Горячей линии в системе.