Указ Президента РФ от 17 декабря 2011 г. N 1661 "Об утверждении Списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль"

Категория 1. Специальные материалы и связанные с ними оборудование и снаряжение

1.1.

Системы, оборудование и компоненты

1.1.1.

Компоненты, изготовленные из фторированных соединений:

1.1.1.1.

Уплотнения, прокладки, уплотнительные материалы или топливные диафрагмы, специально разработанные для использования в летательных или аэрокосмических аппаратах и изготовленные из материалов, содержащих более 50% (по весу) любого материала, определенного в пункте 1.3.9.2 или 1.3.9.3;

3919 90 900 0

1.1.1.2.

Пьезоэлектрические полимеры или сополимеры, изготовленные из винилиденфторидных (CAS 75-38-7) материалов, определенных в пункте 1.3.9.1, имеющие форму листа или пленки толщиной более 200 мкм;

3921 90 900 0

1.1.1.3.

Уплотнения, прокладки, седла клапанов, диафрагмы или мембраны, отвечающие всем следующим условиям:

а) изготовленные из фторэластомеров, содержащих по крайней мере одну группу винилового эфира как структурное звено; и

б) специально разработанные для использования в летательных аппаратах, авиационно-космических средствах или ракетах

3919 90 900 0

1.1.2.

Конструкции из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, имеющие любую из следующих составляющих:

1.1.2.1.

Состоящие из органической матрицы и материалов, определенных в пункте 1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5; или

3926 90 910 0;

3926 90 980

1.1.2.2.

Состоящие из металлической или углеродной матрицы и любого из следующего:

1.1.2.2.1.

Углеродных волокнистых или углеродных нитевидных материалов, имеющих все следующие характеристики:

а) удельный модуль упругости, превышающий  м; и

б) удельную прочность при растяжении, превышающую  м; или

3801;

3926 90 910 0;

3926 90 980;

6903 10 000 0

Примечание.

Пункт 1.1.2.2.1 не применяется к частично изготовленным конструкциям, включающим максимум двухмерное сплетение нитей и специально разработанным для следующего использования:

а) в печах для отпуска металлов термообработкой;

б) в оборудовании для производства кремниевых булей

1.1.2.2.2.

Материалов, определенных в пункте 1.3.10.3

Примечания:

1. Пункт 1.1.2 не применяется к элементам конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, изготовленным из пропитанных эпоксидной смолой углеродных волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:

а) площадь, не превышающую 1 ;

б) длину, не превышающую 2,5 м; и

в) ширину более 15 мм.

2. Пункт 1.1.2 не применяется к частично изготовленным конструкциям, специально разработанным для следующего только гражданского использования:

а) в спортивных товарах;

б) в автомобильной промышленности;

в) в станкостроительной промышленности;

г) в медицинских целях.

3. Пункт 1.1.2 не применяется к полностью изготовленным товарам (конструкциям), специально разработанным для конкретного использования

Особое примечание.

В отношении конструкций из композиционных материалов, указанных в пунктах 1.1.2 - 1.1.2.2.2, см. также пункты 1.1.1 - 1.1.1.2.2 раздела 2 и пункт 1.1.1 раздела 3

1.1.3.

Изделия из неплавких ароматических полиимидов в виде пленки, листа, ленты или полосы, имеющие любую из следующих характеристик:

а) толщину более 0,254 мм; или

б) покрытие или ламинирование углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами

3919 90 900 0;

3920 99 900 0

Примечание.

Пункт 1.1.3 не применяется к изделиям, покрытым или ламинированным медью и разработанным для производства электронных печатных плат

Особое примечание.

Для плавких ароматических полиимидов в любом виде см. пункт 1.3.8.1.3

1.1.4.

Защитное снаряжение, аппаратура систем обнаружения и комплектующие изделия, не специально разработанные для военного применения:

1.1.4.1.

Противогазы, коробки противогазов с фильтрами и оборудование для их обеззараживания, разработанные либо модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты:

а) бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях;

б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях;

в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии; или

г) химических средств для борьбы с массовыми беспорядками, включающих:

-бромбензацетонитрил (бромбензил цианид) (СА) (CAS 5798-79-8);

[(2-хлорфенил) метилен] пропандинитрил

(о-хлорбензальмалононитрил) (CS) (CAS 2698-41-1);

2-хлор-1-фенил-этанон, хлористый фенацил (-хлорацетофенон) (CN) (CAS 532-27-4);

дибенз-(b,f)-1,4-оксазепин (CR) (CAS 257-07-8);

10-хлор-5,10-дигидрофенарсазин, (хлористый фенарсазин), (адамсит) (DM) (CAS 578-94-9);

N-нонилморфолин (MPА) (CAS 5299-64-9);

9020 00 000 0

1.1.4.2.

Защитные костюмы, перчатки и обувь, специально разработанные или модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов:

а) бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях;

б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; или

в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии;

3926 20 000 0;

4015 19 900 0;

4015 90 000 0;

6204 23;

6210 40 000 0;

6210 50 000 0;

6216 00 000 0;

6401 92;

6401 99 000 0;

6402 91;

6402 99 100 0;

6402 99 930 0;

6404 19 900 0

1.1.4.3.

Системы, специально разработанные или модифицированные для обнаружения или распознавания любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты:

а) бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях;

б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; или

в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии

9027 10 100 0;

9027 10 900 0;

9027 80 170 0;

9027 80 970 0;

9027 90 800 0;

9030 10 000 0;

9030 89 300 0;

9030 89 900 0;

9030 90 850 0

1.1.4.4.

Электронное оборудование, разработанное для автоматического обнаружения или распознавания наличия следов взрывчатых веществ (ВВ) с использованием методов их обнаружения (например, поверхностной акустической волны, спектрометрии подвижных ионов, в том числе с дифференциальной подвижностью, масс-спектрометрии)

9027 10 100 0;

9027 30 000 0;

9027 80 170 0;

9027 90 800 0;

9030 89 300 0

Техническое примечание.

Под обнаружением следов понимается обнаружение менее миллионной части испарения или 1 мг твердого вещества или жидкости

Примечание.

Пункт 1.1.4.4 не применяется:

а) к оборудованию, специально разработанному для лабораторного использования;

б) к пропускным порталам безопасности для бесконтактного контроля

Примечание.

Пункт 1.1.4 не применяется:

а) к персональным радиационным дозиметрам;

б) к снаряжению или системам, конструктивно или функционально ограниченным определением факторов риска в целях обеспечения безопасности в местах проживания или в гражданских областях, включающих:

горное дело;

работу в карьерах;

сельское хозяйство;

фармацевтическую промышленность;

медицинскую промышленность;

ветеринарию;

охрану окружающей среды;

сбор и утилизацию отходов;

пищевую промышленность

Технические примечания:

1. Пункт 1.1.4 включает снаряжение, системы и их компоненты, которые были сертифицированы, либо их работоспособность в отношении обнаружения или защиты от радиоактивных материалов, бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях, токсичных химикатов, используемых в химическом оружии, имитирующих продуктов (заменителей) или химических средств для борьбы с массовыми беспорядками была подтверждена испытаниями, проведенными в соответствии с национальными стандартами, или иным способом, даже если такие системы, снаряжение или их компоненты используются в гражданских областях, таких как горное дело, работы в карьерах, сельское хозяйство, фармацевтическая и медицинская промышленность, ветеринария, охрана окружающей среды, сбор и утилизация отходов или пищевая промышленность.

2. Имитирующие продукты (заменители) - вещества или материалы, которые используются вместо токсичных веществ (химических или биологических) для обучения, исследования, опробования или оценки

1.1.5.

Бронежилеты и специально разработанные для них компоненты, изготовленные не по военным стандартам или техническим условиям и неравноценные им по характеристикам

6211 43 900 0

Примечания:

1. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, которые вывозятся пользователем для собственной индивидуальной защиты.

2. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам, разработанным для обеспечения только фронтальной защиты как от осколков, так и от взрыва невоенных взрывных устройств

Особое примечание.

Для нитевидных и волокнистых материалов, используемых в производстве бронежилетов, см. пункт 1.3.10

1.1.6.

Оборудование, специально разработанное или модифицированное для обезвреживания самодельных взрывных устройств, приведенное ниже, а также специально разработанные компоненты и принадлежности для него:

1.1.6.1.

Дистанционно управляемые транспортные средства;

1.1.6.2.

Подрыватели (разрушители)

8424 30;

8424 89 000 9;

8479 89 970 9

Техническое примечание.

Подрыватели (разрушители) - устройства, специально разработанные для предотвращения срабатывания взрывного устройства путем воздействия жидкостью, твердым или хрупким снарядом

Примечание.

Пункт 1.1.6 не применяется к оборудованию, которое не является предметом передачи или обмена и сопровождается его оператором

1.1.7.

Оборудование и устройства, специально разработанные для инициации зарядов и устройств, содержащих энергетические материалы, воздействием электричества:

1.1.7.1.

Запускающие устройства (запальные системы), разработанные для приведения в действие детонаторов взрывчатого вещества, определенных в пункте 1.1.7.2;

8543 70 900 9;

9306 90 900 0

1.1.7.2.

Электродетонаторы взрывчатого вещества, такие как:

3603 00 900

1.1.7.2.1.

Детонаторы со взрывающимся мостиком (ВМ) (искровые детонаторы);

1.1.7.2.2.

Детонаторы со взрывающейся перемычкой из провода (токовые детонаторы);

1.1.7.2.3.

Детонаторы с ударником (пробойником) (детонаторы ударного действия);

1.1.7.2.4.

Инициаторы со взрывающейся фольгой

Технические примечания:

1. Понятие "детонатор" также включает понятие "инициатор" или "зажигатель".

2. Для целей пункта 1.1.7.2 во всех описанных в нем детонаторах используется небольшой электрический проводник (мостик, перемычка из провода или фольга), который испаряется со взрывом, вызванным прохождением через него короткого сильноточного электрического импульса. В детонаторах безударного действия взрывающийся проводник инициирует химическую детонацию в контактирующем с ним бризантном взрывчатом веществе, таком как ТЭН (PETN) - тетранитропентаэритрит. В детонаторах ударного действия (типа "Слэппер") вызванное взрывом испарение электрического проводника приводит в действие боек или пробойник, который воздействует на взрывчатое вещество и инициирует химическую детонацию. В некоторых конструкциях ударник приводится в движение силой магнитного поля. Термин "инициатор со взрывающейся фольгой" может относиться как к ВМ, так и к детонатору ударного действия (типа "Слэппер")

1.1.8.

Заряды, устройства и компоненты:

3604 90 000 0

1.1.8.1.

Кумулятивные заряды, имеющие все нижеперечисленные характеристики:

а) количество нетто ВВ (КНВ) более 90 г; и

б) внешний диаметр оболочки, равный или больше 75 мм;

1.1.8.2.

Кумулятивные линейные заряды для резки, имеющие все нижеперечисленные характеристики, и специально разработанные для них компоненты:

а) заряд ВВ более 40 г/м; и

б) ширину, равную или больше 10 мм;

1.1.8.3.

Шнур детонирующий с внутренним зарядом ВВ более 64 г/м;

1.1.8.4.

Резаки, отличные от определенных в пункте 1.1.8.2, и другие отрезные средства, имеющие КНВ более 3,5 кг

Техническое примечание.

Кумулятивные заряды - устройства, концентрирующие действие ВВ в процессе его взрыва

Примечание.

К зарядам и устройствам, определенным в пункте 1.1.8, относятся только те заряды, которые содержат ВВ, перечисленные в таблице к этому пункту, и их смеси

N пункта

Наименование взрывчатых веществ

1.

Аминодинитробензофуроксан (ADNBF; 7-амино-4,6-динитробензофуразан-1-оксид) (CAS 97096-78-1)

2.

Цис-бис(5-тетранитразолато) тетраамин-кобальт (III) перхлорат (BNCP) (CAS 117412-28-9)

3.

Диаминодинитробензофуроксан (CL-14; 5,7-диамино-4,6-динитробензофуразан-1-оксид) (CAS 117907-74-1)

4.

Гексанитрогексаазаизовюрцитан (CL-20; HNIW) (CAS 135285-90-4);

клатраты (соединения/включения) вещества CL-20

5.

2-(5-цианотетразолато)пентаамин-кобальт (III) перхлорат (CP) (CAS 70247-32-4)

6.

1,1-диамино-2,2-динитроэтилен (DADE; FOX7) (CAS 145250-81-3)

7.

Диаминотринитробензол (DATB) (CAS 1630-08-6)

8.

1,4-динитродифуразанопиперазин (DDFP)

9.

2,6-диамино-3,5-динитропиразин-1-оксид (DDPO; PZO) (CAS 194486-77-6)

10.

3,3'-диамино-2,2',4,4',6,6,-гексанитробифенил (DIPAM; дипикрамид) (CAS 17215-44-0)

11.

Динитрогликольурил (DNGU; DINGU) (CAS 55510-04-8)

12.

Фуразаны:

а) диаминоазоксифуразан (DAAOF);

б) диаминоазофуразан (DAAzF) (CAS 78644-90-3)

13.

Октоген (НМХ) и его производные:

а) циклотетраметилентетранитрамин (НМХ; октоген;

октагидро-1,3,5,7-тетранитро-1,3,5,7-тетразин;

1,3,5,7-тетранитро-1,3,5,7-тетразациклооктан) (CAS 2691-41-0);

б) дифтораминированные аналоги октогена;

в) 2,4,6,8-тетранитро-2,4,6,8-тетраазабицикло [3,3,0]-октанон-3 (тетранитросемигликольурил;

кето-бициклический октоген; К-55) (CAS 130256-72-3)

14.

Гексанитроадамантан (HNAD) (CAS 143850-71-9)

15.

Гексанитростильбен (HNS) (CAS 20062-22-0)

16.

Имидазолы:

а) октагидро-2,5-бис(нитроимино)имидазо [4,5-d]имидазол (BNNII);

б) 2,4-динитроимидазол (DNI) (CAS 5213-49-0);

в) 1-фтор-2,4-динитроимидазол (FDIA);

г) N-(2-нитротриазоло)-2,4-динитроимидазол (NTDNIA);

д) 1-пикрил-2,4,5-тринитроимидазол (PTIA)

17.

1-(2-нитротриазоло)-2-динитрометиленгидразин (NTNMH)

18.

3-нитро-1,2,4-триазол-5-он (NTO; ONTA) (CAS 932-64-9)

19.

Полинитрокубаны с числом нитрогрупп более четырех

20.

2,6-бис(пикриламино)-3,5-динитропиридин (PYX) (CAS 38082-89-2)

21.

Гексоген (RDH) и его производные:

а) циклотриметилентринитрамин (гексоген; RDX;

циклонит; Т4; гексагидро-1,3,5-тринитро-1,3,5-триазин;

1,3,5- тринитро-1,3,5-триазациклогексан) (CAS 121-82-4);

б) кето-гексоген (Keto-RDX; К-6; 2,4,6-тринитро-2,4,6-триазациклогексанон) (CAS 115029-35-1)

22.

Триаминогуанидиннитрат (TAGN) (CAS 4000-16-2)

23.

Триаминотринитробензол (ТАТВ) (CAS 3058-38-6)

24.

3,3,7,7-тетрабис(дифторамин) октагидро-1,5-динитро-1,5-диазоцин (TEDDZ)

25.

Тетразолы:

а) нитротриазоламинотетразол (NTAT);

б) 1-N-(2-нитротриазоло)-4-нитротетразол (NTNT)

26.

Тринитрофенилметилнитрамин (тетрил) (CAS 479-45-8)

27.

1,4,5,8-тетранитро-1,4,5,8-тетраазадекалин (TNAD) (CAS 135877-16-6)

28.

1,3,3-тринитроазетидин (TNAZ) (CAS 97645-24-4)

29.

Тетранитрогликольурил (TNGU; SORGUYL) (CAS 55510-03-7)

30.

1,4,5,8-тетранитропиридазино[4,5-d]пиридазин (TNP) (CAS 229176-04-9)

31.

Триазины:

а) 2-окси-4,6-динитроамино-s-триазин (DNAM) (CAS 19899-80-0);

б) 2-нитроимино-5-нитро-гексагидро-1,3,5-триазин (NNHT) (CAS 130400-13-4)

32.

Триазолы:

а) 5-азидо-2-нитротриазол;

б) 4-амино-3,5-дигидразино-1,2,4-триазол динитрамид (ADHTDN) (CAS 1614-08-0);

в) 1-амино-3,5-динитро-1,2,4-триазол (ADNT);

г) бис(динитротриазол)амин (BDNTA);

д) 3,3'-динитро-5,5-би-1,2,4-триазол (DBT) (CAS 30003-46-4);

е) динитробистриазол (DNBT) (CAS 70890-46-9);

ж) 2-нитротриазол 5-динитрамид (NTDNA) (CAS 75393-84-9);

з) 1-N-(2-нитротриазоло) 3,5-динитротриазол (NTDNT);

и) 1-пикрил-3,5-динитротриазол (PDNT);

к) тетранитробензотриазолобензотриазол (ТАСОТ) (CAS 25243-36-1)

33.

ВВ, не поименованные в настоящем перечне, имеющие при максимальной плотности скорость детонации более 8700 м/с или давление детонации более 34 ГПа (340 кбар)

34.

Органические ВВ, не поименованные в настоящем перечне, вызывающие детонационное давление 25 ГПа (250 кбар) или более и могущие оставаться стабильными при температуре 523 К (250 °С) или выше в течение 5 минут или более

35.

Нитроцеллюлоза с содержанием азота более 12,5% (CAS 9004-70-0)

36.

Нитрогликоль (CAS 628-96-6)

37.

Тетранитропентаэритрит (пентаэритриттетранитрат; пентаэритритолтетранитрат; ТЭН; PETN) (CAS 78-11-5)

38.

Пикрилхлорид (CAS 88-88-0)

39.

2,4,6-тринитротолуол (TNT) (CAS 118-96-7)

40.

Нитроглицерин (NG) (CAS 55-63-0)

41.

Триацетонтрипероксид (ТАТР) (CAS 17088-37-8)

42.

Гуанидин нитрат (СAS 506-93-4)

43.

Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7)

N пункта

Наименование

Код ТН ВЭД

1.2.

Испытательное, контрольное и производственное оборудование

1.2.1.

Оборудование, приведенное ниже, для производства или контроля конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, определенных в пункте 1.1.2, или волокнистых или нитевидных материалов, определенных в пункте 1.3.10, а также специально разработанные для него компоненты и вспомогательные устройства:

1.2.1.1.

Машины для намотки волокон, специально разработанные для производства конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры из волокнистых или нитевидных материалов, в которых движения, связанные с позиционированием, пропиткой и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более осям основного сервопозиционирования;

8445 40 000;

8445 90 000 1

1.2.1.2.

Машины для выкладки ленты, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой ленты или ее слоев, координируются и программируются по пяти или более осям основного сервопозиционирования и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов;

8445 40 000;

8445 90 000 1

1.2.1.3.

Многокоординатные ткацкие машины или машины для плетения, включая приспособления и устройства, специально разработанные или модифицированные для плетения, ткачества или переплетения волокон для конструкций из композиционных материалов объемной структуры

8446 21 000 0;

8447 90 000

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.2.1.3 плетение включает вязание;

1.2.1.4.

Оборудование, специально разработанное или приспособленное для производства армирующих волокон:

1.2.1.4.1.

Оборудование для превращения полимерных волокон (таких как полиакрилонитриловые, вискозные, пековые или поликарбосилановые) в углеродные или карбидкремниевые волокна, включая специальное оборудование для натяжения волокон при нагреве;

8456 10 00;

8456 90 000 0;

8515 80 990 0

1.2.1.4.2.

Оборудование для химического осаждения элементов или соединений из паровой фазы на нагретую нитевидную подложку в целях производства карбидкремниевых волокон;

8419 89 989 0

1.2.1.4.3.

Оборудование для получения тугоплавких керамических волокон (например, из оксида алюминия) по мокрому способу;

8445 90 000 9

1.2.1.4.4.

Оборудование для преобразования путем термообработки волокон алюминийсодержащих прекурсоров в волокна оксида алюминия;

8514 10 800 0;

8514 20 100 0;

8514 20 800 0;

8514 30 190 0;

8514 30 990 0;

8514 40 000 0

1.2.1.5.

Оборудование для производства препрегов, определенных в пункте 1.3.10.5, методом горячего плавления;

8451 80 800 9;

8477 59 100 0;

8477 59 800 0

1.2.1.6.

Оборудование для неразрушающего контроля, специально разработанное для композиционных материалов, такое как:

1.2.1.6.1.

Системы рентгеновской томографии для трехмерного обнаружения дефектов;

9022 12 000 0;

9022 19 000 0;

9022 29 000 0

1.2.1.6.2.

Установки ультразвуковой дефектоскопии с числовым программным управлением, в которых перемещения для позиционирования трансмиттеров или приемников одновременно координируются и программируются по четырем или более осям, чтобы отслеживать трехмерные контуры обследуемого объекта;

9031 80 380 0

1.2.1.7.

Машины для выкладки жгута, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой жгута или его слоев, координируются и программируются по двум или более осям основного сервопозиционирования и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов

8445 40 000;

8445 90 000 1

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.2.1 основное сервопозиционирование (позиционирование от основного сервопривода) означает управление положением рабочего органа (например, головки) в пространстве с помощью задающей направление компьютерной программы для его точной ориентации относительно осей координат обрабатываемой детали и достижения заданных требований обработки

1.2.2.

Оборудование, специально разработанное для исключения загрязнения при производстве металлических сплавов, порошков металлических сплавов или легированных материалов и использования в одном из процессов, определенных в пункте 1.3.2.3.2

1.2.3.

Инструменты, пресс-формы, матрицы или арматура для формообразования в условиях сверхпластичности или диффузионной сварки титана, алюминия или их сплавов, специально разработанные для производства любого из следующего:

а) корпусных конструкций летательных аппаратов или авиационно-космических средств;

б) двигателей для летательных аппаратов или авиационно-космических средств;

или

в) компонентов, специально разработанных для конструкций, определенных в подпункте "а" пункта 1.2.3, или двигателей, определенных в подпункте "б" пункта 1.2.3

8207 30 100 0

1.3.

Материалы

Техническое примечание.

Термины "металлы" и "сплавы", если специально не оговорено иное, относятся к следующим необработанным формам и полуфабрикатам:

а) необработанные формы - аноды, блюмы, болванки, брикеты, бруски, гранулы, губка, дробь, катоды, кольца, кристаллы, спеки, заготовки металла неправильной формы, листы, окатыши, плитки, поковки, порошки, прутки (включая надрубленные прутки и заготовки для проволоки), слитки, слябы, стаканы, сутунки, чушки, шары;

б) полуфабрикаты (независимо от того, имеют они плакирование, покрытие, сверления, пробитые отверстия или нет):

1) материалы, подвергнутые обработке давлением или иным способом, полученные путем прокатки, волочения, штамповки выдавливанием, ковки, штамповки ударным выдавливанием, прессования, гранулирования, распыления и размалывания, а именно: диски, изделия прессованные и штампованные, кольца, ленты, листы, плиты, поковки, полосы, порошки, профили, прутки (включая непокрытые сварочные прутки, присадочную проволоку и катанку), пудры, трубы круглого и квадратного сечения, уголки, фасонные профили, фольга и тонкие листы, чешуйки, швеллеры;

2) отливки, полученные литьем в любые формы (песчаные, металлические, гипсовые и другие), включая полученные литьем под давлением, а также спеченные заготовки и заготовки, полученные методами порошковой металлургии.

Цель контроля не должна нарушаться при экспорте не указанных выше заготовок или полуфабрикатов, выдаваемых за готовые изделия, но, по существу, представляющих собой контролируемые заготовки или полуфабрикаты

1.3.1.

Материалы, специально разработанные для поглощения электромагнитных волн, или полимеры, обладающие собственной проводимостью:

1.3.1.1.

Материалы для поглощения электромагнитных волн в области частот от  Гц до  Гц

3815 19;

3910 00 000 9

Примечания:

1. Пункт 1.3.1.1 не применяется:

а) к поглотителям войлочного типа, изготовленным из натуральных и синтетических волокон, содержащим немагнитный наполнитель;

б) к поглотителям, не имеющим магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности;

в) к плоским поглотителям, имеющим все нижеперечисленные характеристики:

1) изготовленным из любых следующих материалов:

вспененных полимерных материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связующие, обеспечивающих более 5% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на %, и неспособных выдерживать температуры, превышающие 450 К (177°С); или керамических материалов, обеспечивающих более 20% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на %, и не способных выдерживать температуры, превышающие 800 К (527°С)

Техническое примечание.

Для целей подпункта 1 пункта "в" примечания 1 к пункту 1.3.1.1 образцы для проведения испытаний на

поглощение должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн средней частоты и располагаться в дальней зоне излучающего элемента;

2) прочность при растяжении менее ; и

3) прочность при сжатии менее ;

г) к плоским поглотителям, выполненным из спеченного феррита и имеющим все нижеперечисленные характеристики:

удельный вес более 4,4 ; и

максимальную рабочую температуру 548 К (275°С).

2. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании 1 к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках

1.3.1.2.

Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих  Гц, но ниже, чем  Гц, и непрозрачные для видимого света;

3815 19;

3910 00 000 9

1.3.1.3.

Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью выше 10 000 См/м (Сименс/м) или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 , полученные на основе любого из следующих полимеров:

1.3.1.3.1.

Полианилина;

3909 30 000 0

1.3.1.3.2.

Полипиррола;

3911 90 990 0

1.3.1.3.3.

Политиофена;

3911 90 990 0

1.3.1.3.4.

Полифенилен-винилена; или

3911 90 990 0

1.3.1.3.5.

Политиенилен-винилена

3919 90 900 0

Техническое примечание.

Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или ее национальным эквивалентом

Особое примечание.

В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.1 - 1.3.1.3.5, см. также пункты 1.3.1 - 1.3.1.3.5 разделов 2 и 3

1.3.2.

Металлические сплавы, порошки металлических сплавов и легированные материалы следующих типов:

1.3.2.1.

Алюминиды:

1.3.2.1.1.

Алюминиды никеля, содержащие от 15 до 38% (по весу) алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент;

7502 20 000 9

1.3.2.1.2.

Алюминиды титана, содержащие 10% (по весу) или более алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент;

8108 20 000;

8108 90 300 9;

8108 90 500 9;

8108 90 600 2;

8108 90 600 8;

8108 90 900 9

1.3.2.2.

Металлические сплавы, приведенные ниже, изготовленные из порошков или частиц материалов, определенных в пункте 1.3.2.3:

1.3.2.2.1.

Никелевые сплавы с:

а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 676 МПа и температуре 923 К (650°С);

или

б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 823 К (550°С) и максимальном напряжении цикла 1095 МПа;

7502 20 000 9

1.3.2.2.2.

Ниобиевые сплавы с:

а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 400 МПа и температуре 1073 К (800°С);

или

б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 973 К (700°С) и максимальном напряжении цикла 700 МПа;

8112 92 310 0;

8112 99 300 0

1.3.2.2.3.

Титановые сплавы с:

а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 200 МПа и температуре 723 К (450°С);

или

б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 723 К (450°С) и максимальном напряжении цикла 400 МПа;

8108 20 000;

8108 90 300 9;

8108 90 500 9;

8108 90 600 2;

8108 90 600 8;

8108 90 900 9

1.3.2.2.4.

Алюминиевые сплавы с пределом прочности при растяжении:

а) 240 МПа или выше при температуре 473 К (200°С); или

б) 415 МПа или выше при температуре 298 К (25°С);

7601 20;

7604 29 100 9;

7608 20 810 9;

7608 20 890 9

1.3.2.2.5.

Магниевые сплавы:

а) с пределом прочности при растяжении 345 МПа или выше; и

б) со скоростью коррозии в 3-процентном водном растворе хлорида натрия менее 1 мм в год, измеренной в соответствии со стандартной методикой ASTM G-31 или ее национальным эквивалентом;

8104

1.3.2.3.

Порошки металлических сплавов или частицы материала, имеющие все следующие характеристики:

1.3.2.3.1.

Изготовленные из любых следующих по составу систем:

Техническое примечание.

X в дальнейшем соответствует одному или более легирующим элементам

1.3.2.3.1.1.

Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), для деталей или компонентов газотурбинных двигателей, содержащие менее трех неметаллических частиц размером более 100 мкм (введенных в процессе производства) на частиц сплава;

7504 00 000 9

1.3.2.3.1.2.

Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti);

8112 92 310 0

1.3.2.3.1.3.

Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al);

8108 20 000 5

1.3.2.3.1.4.

Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или

7603

1.3.2.3.1.5.

Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); и

8104 30 000 0

1.3.2.3.2.

Изготовленные в контролируемой среде с использованием одного из нижеследующих процессов:

а) вакуумное распыление;

б) газовое распыление;

в) центробежное распыление;

г) скоростная закалка капли;

д) спиннингование расплава и последующее измельчение;

е) экстракция расплава и последующее измельчение; или

ж) механическое легирование;

1.3.2.3.3.

Могущие быть исходными материалами для получения сплавов, определенных в пункте 1.3.2.1 или 1.3.2.2;

1.3.2.4.

Легированные материалы, характеризующиеся всем нижеследующим:

а) изготовлены из любых систем, определенных в пункте 1.3.2.3.1;

б) имеют форму неизмельченных чешуек, ленты или тонких стержней; и

в) изготовлены в контролируемой среде любым из следующих методов: скоростная закалка капли; спиннингование расплава; или экстракция расплава

7504 00 000 9;

7505 12 000 9;

7506;

7603 20 000 0;

7604 29 100 9;

7606 12 910 9;

7606 92 000 0;

7607 19;

8104 30 000 0;

8104 90 000 0;

8108 20 000;

8108 90 300 9;

8108 90 500 9;

8112 92 200 9;

8112 92 310 0;

8112 99 300 0

Примечание.

Пункт 1.3.2 не применяется к металлическим сплавам, порошкам металлических сплавов и легированным материалам для подложек, предназначенных для нанесения покрытий

Технические примечания:

1. К металлическим сплавам, указанным в пункте 1.3.2, относятся сплавы, которые содержат больший процент (по весу) указанного металла, чем любых других элементов.

2. Ресурс длительной прочности следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM Е-139 или ее национальным эквивалентом.

3. Малоцикловую усталость следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM Е-606 "Технические рекомендации по испытаниям на малоцикловую усталость при постоянной амплитуде" или ее национальным эквивалентом. Образцы должны нагружаться в осевом направлении при среднем значении показателя нагрузки, равном единице, и коэффициенте концентрации напряжения , равном единице. Средний показатель нагрузки определяется как частное от деления разности максимальной и минимальной нагрузок на максимальную нагрузку

1.3.3.

Магнитные металлические материалы всех типов и в любой форме, имеющие любую из следующих характеристик:

1.3.3.1.

Начальную относительную магнитную проницаемость 120 000 или более и толщину 0,05 мм или менее

8505 11 000 0;

8505 19 100 0;

8505 19 900 0

Техническое примечание.

Измерение начальной относительной магнитной проницаемости следует проводить на полностью отожженных материалах;

1.3.3.2.

Магнитострикционные сплавы, имеющие любую из следующих характеристик:

а) магнитострикцию насыщения более ; или

б) коэффициент магнитомеханического взаимодействия (к) более 0,8; или

2803 00;

2846 90 000 0

1.3.3.3.

Ленты из аморфных или нанокристаллических сплавов, имеющие все следующие характеристики:

а) содержание железа, кобальта или никеля не менее 75% (по весу);

б) магнитную индукцию насыщения 1,6 Т или более; и

в) любое из нижеследующего:

толщину ленты 0,02 мм или менее; или удельное электрическое сопротивление или более

7226 11 000 0;

7506;

8105

Техническое примечание.

К нанокристаллическим материалам, указанным в пункте 1.3.3.3, относятся материалы, имеющие размер кристаллических зерен 50 нм или менее, определенный методом рентгеновской дифракции

1.3.4.

Урано-титановые сплавы или вольфрамовые сплавы с матрицей на основе железа, никеля или меди, имеющие все следующие характеристики:

а) плотность выше 17,5 ;

б) предел упругости выше 880 МПа;

в) предел прочности при растяжении выше 1270 МПа; и

г) относительное удлинение более 8%

2844 10 900 0;

8101 94 000 0;

8101 96 000 0;

8101 99 100 0;

8101 99 900 0;

8108 20 000;

8108 90 300 9;

8108 90 500 9;

8108 90 600 2;

8108 90 600 8;

8108 90 900 9

1.3.5.

Следующие сверхпроводящие проводники из композиционных материалов длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г:

1.3.5.1.

Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько ниобийтитановых нитей, имеющих все нижеперечисленное:

а) уложенных в матрицу не из меди или не на основе меди; и

б) имеющих площадь поперечного сечения менее (6 мкм в диаметре для нитей круглого сечения);

8544

1.3.5.2.

Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, выполненных не из ниобийтитана, имеющих все нижеперечисленное:

а) критическую температуру при нулевом магнитном поле, превышающую 9,85 К (-263,31°С); и

8544

б) остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре 4,2 К (-268,96°С) в магнитном поле, ориентированном в любых направлениях, перпендикулярных продольной оси проводника, и соответствующем магнитной индукции 12 Т, при пропускании электрического тока критической плотностью более 1750 А/ по всему сечению проводника;

1.3.5.3.

Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре выше 115 К (-158,16°С)

8544

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.3.5 нити могут быть в виде проволоки, цилиндра, пленки, ленты или полосы

1.3.6.

Жидкости и смазочные материалы:

1.3.6.1.

Гидравлические жидкости, содержащие в качестве основных составляющих любые из следующих соединений или материалов:

1.3.6.1.1.

Синтетические кремнийуглеводородные масла, имеющие все следующие характеристики:

а) температуру воспламенения выше 477 К (204°С);

3910 00 000 9

б) температуру застывания 239 К (-34°С) или ниже;

в) индекс вязкости 75 или более;

г) термостабильность при температуре 616 К (343°С) или выше; или

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.3.6.1.1 кремнийуглеводородные масла содержат исключительно кремний, водород и углерод

1.3.6.1.2.

Хлорофторуглероды, имеющие все следующие характеристики:

а) температуру воспламенения не имеют;

б) температуру самовоспламенения выше 977 К (704°С);

в) температуру застывания 219 К (-54°С) или ниже;

г) индекс вязкости 80 или более; и

д) температуру кипения 473 К (200°С) или выше

2812;

2826;

2903 41 000 0;

2903 42 000 0;

2903 43 000 0;

2903 44;

2903 45;

3819 00 000 0;

3824 71 000 0

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.3.6.1.2 хлорофторуглероды содержат исключительно углерод, фтор и хлор

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.3.6.1:

а) температура воспламенения определяется с использованием метода Кливлендской открытой чашки, описанного в стандартной методике ASTM D-92 или ее национальном эквиваленте;

б) температура застывания определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D-97 или ее национальном эквиваленте;

в) индекс вязкости определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D-2270 или ее национальном эквиваленте;

г) термостабильность определяется в соответствии со следующей методикой испытаний или ее национальным эквивалентом:

20 мл испытуемой жидкости помещается в камеру объемом 46 мл из нержавеющей стали типа 317, содержащую шары номинального диаметра 12,5 мм из инструментальной стали М-10, стали марки 52100 и корабельной бронзы (Cu - 60%, Zn - 39%, Sn - 0,75%).

Камера наполняется азотом, герметизируется при давлении, равном атмосферному, температура повышается до К [°С] и выдерживается в течение шести часов. Образец считается термостабильным, если по завершении вышеописанной процедуры выполнены все следующие требования:

потеря веса каждым шаром не превышает 10  его поверхности;

изменение первоначальной вязкости, определенной при температуре 311 К (38°С), не превышает 25%; и суммарное кислотное или основное число не превышает 0,40;

д) температура самовоспламенения определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM Е-659 или ее национальном эквиваленте;

1.3.6.2.

Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих следующие соединения или материалы:

1.3.6.2.1.

Фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функциональных групп или их смесей; или

2909 30 900 0;

2930 90 850 0

1.3.6.2.2.

Фторированные кремнийорганические жидкости, имеющие кинематическую вязкость менее 5000  (5000 сантистоксов) при температуре 298 К (25°С);

3910 00 000 9

1.3.6.3.

Амортизаторные или флотационные жидкости, отвечающие всему следующему:

а) имеющие чистоту более 99,8%;

б) содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл; и

в) полученные по меньшей мере на 85% из любого из следующего:

дибромтетрафторэтана (CAS 25497-30-7, CAS 124-73-2, CAS 27336-23-8);

полихлортрифторэтилена (только маслообразные и воскообразные модификации); или полибромтрифторэтилена;

2903 46 900 0;

3904 69 900 0

1.3.6.4.

Фторуглеродные охлаждающие жидкости для электроники, имеющие все следующие характеристики:

а) содержащие 85% (по весу) или более любого из следующих веществ или любой из их смесей:

мономерных форм

перфторполиалкилэфиртриазинов или перфторалифатических эфиров;

перфторалкиламинов;

перфторциклоалканов; или перфторалканов;

б) плотность 1,5 г/мл или более при температуре 298 К (25°С);

в) жидкое состояние при температуре 273 К (0°С); и

г) содержащие 60% (по весу) или более фтора

2903 41 000 0;

2903 42 000 0;

2903 45 100 0;

3824 90 980 9

1.3.7.

Исходные керамические материалы, некомпозиционные керамические материалы, композиционные материалы с керамической матрицей и соответствующие прекурсоры:

1.3.7.1.

Исходные материалы из простых или сложных боридов титана, имеющие суммарно металлические примеси, исключая специальные добавки, менее 5000 частей на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньше 5 мкм, и при этом не более 10% частиц имеют размер более 10 мкм;

2850 00 900 0

1.3.7.2.

Некомпозиционные керамические материалы в сыром виде или в виде полуфабриката на основе боридов титана с плотностью 98% или более от теоретической плотности

2850 00 900 0

Примечание.

Пункт 1.3.7.2 не применяется к абразивам;

1.3.7.3.

Композиционные материалы типа керамика-керамика со стеклянной или оксидной матрицей, армированной волокнами, имеющими все следующие характеристики:

а) изготовлены из любых нижеследующих материалов:

Si-N;

Si-C;

Si-Al-O-N; или

Si-O-N; и

б) имеют удельную прочность при растяжении, превышающую  м;

2849;

2850 00;

8803 90 200 0;

8803 90 300 0;

8803 90 900 0;

9306 90

1.3.7.4.

Композиционные материалы типа керамика-керамика с непрерывной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора

2849 20 000 0;

2849 90 100 0;

2850 00 200 0;

8113 00 200 0;

8113 00 900 0

Особое примечание.

В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.7.3 и 1.3.7.4, см. также пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 2;

1.3.7.5.

Следующие материалы-предшественники (то есть полимерные или металлоорганические материалы специализированного назначения) для производства какой-либо фазы или фаз материалов, определенных в пункте 1.3.7.3:

а) полидиорганосиланы (для производства карбида кремния);

б) полисилазаны (для производства нитрида кремния);

в) поликарбосилазаны (для производства керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами);

3910 00 000 9

1.3.7.6.

Композиционные материалы типа керамика-керамика с оксидными или стеклянными матрицами, армированными непрерывными волокнами любой из следующих систем:

а) (CAS 1344-28-1); или

б) Si-C-N

6903;

6914 90 900 0

Примечание.

Пункт 1.3.7.6 не применяется к композиционным материалам, армированным указанными волокнами из этих систем, имеющими предел прочности при растяжении ниже 700 МПа при температуре 1273 К (1000°С) или деформацию ползучести более 1% при напряжении 100 МПа и температуре 1273 К (1000°С) за 100 ч

1.3.8.

Нефторированные полимерные вещества:

1.3.8.1.

Нижеперечисленные плавкие имиды в жидкой или твердой форме, в том числе в виде смол, порошков, гранул, пленок, листов, лент или полос:

1.3.8.1.1.

Бисмалеимиды;

2925 19 950 0

1.3.8.1.2.

Ароматические полиамид-имиды (PAI), имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние выше 563 К (290°С);

3908 90 000 0

1.3.8.1.3.

Ароматические полиимиды;

3911 90 990 0

1.3.8.1.4.

Ароматические полиэфиримиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние выше 513 К (240°С)

3907 20 990 0;

3907 91 900 0

Особое примечание.

Для неплавких ароматических полиимидов в форме пленки, листа, ленты или полосы см. пункт 1.1.3;

1.3.8.2.

Термопластичные

жидкокристаллические сополимеры, имеющие температуру термодеформации выше 523 К (250°С), измеренную в соответствии с международным стандартом ISO 75-2 (2004), метод А, или его национальным эквивалентом при нагрузке 1,80 , и состоящие из:

а) любых из следующих соединений: фенилена, бифенилена или нафталена; или

метил, третбутил или фенилзамещенного фенилена, бифенилена или нафталена; и

б) любой из следующих кислот: терефталевой кислоты (СAS 100-21-0); 6-гидрокси-2 нафтойной кислоты (CAS 16712-64-4); или 4-гидроксибензойной кислоты (CAS 99-96-7);

3907 91 900 0

1.3.8.3.

Полиариленовые кетоны;

3907 99

1.3.8.4.

Полиариленовые сульфиды, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации;

3911 90 190 0

1.3.8.5.

Полибифениленэфирсульфоны, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние выше 513 К (240°С)

3911 90 190 0

Техническое примечание.

Температура перехода в стеклообразное состояние для материалов, определенных в пункте 1.3.8, определяется с использованием метода, описанного в международном стандарте ISO 11357-2(1999) или его национальном эквиваленте. Кроме того, для ароматических полиамид-имидов (PAI), указанных в пункте 1.3.8.1.2, температура перехода в стеклообразное состояние определяется на образце, первоначально отвержденном при минимальной температуре 310°С в течение 15 минут

1.3.9.

Необработанные фторированные соединения:

1.3.9.1.

Сополимеры винилидена фторида (1,1-дифторэтилена), содержащие 75% или более бета-кристаллической структуры, полученной без вытягивания;

3904 69 900 0

1.3.9.2.

Фторированные полиимиды, содержащие 10% (по весу) или более связанного фтора;

3904 69 900 0

1.3.9.3.

Фторированные фосфазеновые эластомеры, содержащие 30% (по весу) или более связанного фтора

3904 69 900 0

1.3.10.

Волокнистые или нитевидные материалы:

1.3.10.1.

Органические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:

а) удельный модуль упругости более  м; и

б) удельную прочность при растяжении более  м

5402 11 000 0;

5404 12 000 0;

5404 19 000 0;

5501 10 000 1;

5503 11 000 0

Примечание.

Пункт 1.3.10.1 не применяется к полиэтилену;

1.3.10.2.

Углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:

а) удельный модуль упругости более  м; и

б) удельную прочность при растяжении более  м

6815 10 100 0

Техническое примечание.

Свойства материалов, описанных в пункте 1.3.10.2, должны определяться в соответствии с методами 12-17 (SRM 12 - 17), рекомендуемыми Ассоциацией поставщиков современных композиционных материалов (SACMA), международным стандартом ISO 10618 (2004), 10.2.1, метод А, или их национальным эквивалентом для испытания волокон, и должны основываться на усредненных значениях большого количества измерений

Примечание.

Пункт 1.3.10.2 не применяется:

а) к элементам конструкций из волокнистых или нитевидных материалов объемной или слоистой структуры для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее:

площадь, не превышающую 1 ;

длину, не превышающую 2,5 м; и ширину более 15 мм;

б) к механически штапелированным, валяным или резаным (кусковым) углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее;

1.3.10.3.

Неорганические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:

а) удельный модуль упругости, превышающий  м; и

б) точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую температуру 1922 К (1649°С)

8101 96 000 0;

8101 99 900 0;

8108 90 300 9;

8108 90 900 9

Примечание.

Пункт 1.3.10.3 не применяется:

а) к дискретным, многофазным, поликристаллическим волокнам оксида алюминия в виде рубленых волокон или волокон, беспорядочно уложенных в матах, содержащим 3% или более (по весу) диоксида кремния и имеющим удельный модуль упругости менее  м;

б) к молибденовым волокнам и волокнам из молибденовых сплавов;

в) к волокнам бора;

г) к дискретным керамическим волокнам с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде ниже 2043 К (1770°С);

1.3.10.4.

Волокнистые или нитевидные материалы, имеющие любой из следующих составов:

1.3.10.4.1.

Состоящие из любого из нижеследующих материалов:

1.3.10.4.1.1.

Полиэфиримидов, определенных в пункте 1.3.8.1; или

5402 11 000 0;

5402 20 000 0;

5402 49 000 0;

5404 12 000 0;

5404 19 000 0;

5501 10 000 1;

5501 20 000 0;

5501 90 000 0;

5503 11 000 0;

5503 20 000 0;

5503 90 900 0

1.3.10.4.1.2.

Материалов, определенных в пунктах 1.3.8.2 - 1.3.8.5; или

5402 20 000 0;

5402 49 000 0;

5404 12 000 0;

5404 19 000 0;

5501 20 000 0;

5501 90 000 0;

5503 20 000 0;

5503 90 900 0

1.3.10.4.2.

Состоящие из материалов, определенных в пункте 1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2, и связанные с волокнами других типов, определенных в пункте 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3

Особое примечание.

В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.10.3 - 1.3.10.4.2, см. также пункты 1.3.3 - 1.3.3.2.2 раздела 2;

1.3.10.5.

Волокнистые или нитевидные материалы, полностью или частично пропитанные смолой или пеком (препреги), волокнистые или нитевидные материалы, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы, имеющие все следующее:

а) имеющие любое из следующего:

1) неорганические волокнистые или нитевидные материалы, определенные в пункте 1.3.10.3; или

2) органические или углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующее:

удельный модуль упругости, превышающий  м; и удельную прочность при растяжении, превышающую  м; и

б) имеющие любое из следующего:

1) смолу или пек, определенные в пункте 1.3.8 или 1.3.9.2; или

2) температуру перехода в стеклообразное состояние по динамическому - термомеханическому анализу (DMA ), равную 453 К (180°С) или выше, а также феноло-альдегидный полимер; или

3) температуру перехода в стеклообразное состояние по динамическому - термомеханическому анализу (DMA ), равную 505 К (232°С) или выше, а также смолу или пек, не определенные в пункте 1.3.8 или 1.3.9.2, и не являющиеся феноло-альдегидным полимером

3801;

3926 90 980 5;

6815 10 100 0;

6815 10 900;

6815 99 900 0;

7019 11 000 0;

7019 12 000 0;

7019 19;

7019 40 000 0;

7019 51 000 0;

7019 52 000 0;

7019 59 000 0

Техническое примечание.

Температура перехода в стеклообразное состояние по динамическому (во времени) - термомеханическому (гранулометрическому) анализу (DMA ) для материалов, определенных в пункте 1.3.10.5, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 7028-07, или его национальном эквиваленте, на сухом образце для испытаний. Для термореактивных материалов степень отверждения сухого образца для испытаний должна быть минимум 90%, как это определяется стандартом ASTM Е 2160-04 или его национальным эквивалентом

Примечания:

1. Волокнистые или нитевидные материалы, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы, не пропитанные смолой или пеком, определяются как волокнистые или нитевидные материалы по пункту 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3.

2. Пункт 1.3.10.5 не применяется:

а) к элементам конструкций объемной или слоистой структуры из углеродных волокнистых или нитевидных материалов, пропитанных матрицей из эпоксидной смолы (препрегов), для ремонта гражданских летательных аппаратов, имеющим все следующее: площадь, не превышающую 1 ; длину, не превышающую 2,5 м; и ширину более 15 мм;

б) к механически штапелированным, валяным или резаным (кусковым) углеродным волокнистым или нитевидным материалам длиной 25 мм или менее, полностью или частично пропитанным смолами или пеками, отличными от определенных в пунктах 1.3.8 или 1.3.9.2

1.3.11.

Следующие металлы и соединения:

1.3.11.1.

Металлы в виде частиц с размерами менее 60 мкм сферической, пылевидной, сфероидальной форм, чешуйчатые или измельченные, изготовленные из материала, содержащего 99% или более циркония, магния или их сплавов

8104 30 000 0;

8109 20 000 0

Техническое примечание.

При определении содержания циркония в него включается природная примесь гафния (обычно 2-7%)

Примечание.

Металлы или сплавы, определенные в пункте 1.3.11.1, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;

1.3.11.2.

Бор или его сплавы, приведенные ниже, с размерами частиц 60 мкм или менее:

2804 50 100 0;

2849 90 100 0;

3824 90 980 9

а) бор чистотой 85% по весу или выше;

б) сплавы бора с содержанием бора 85% по весу или выше

Примечание.

Металлы или сплавы, определенные в пункте 1.3.11.2, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;

1.3.11.3.

Гуанидин нитрат (CAS 506-93-4);

2925 29 000 0

1.3.11.4.

Нитрогуанидин (NQ) (CAS 556-88-7)

2925 29 000 0

1.3.12.

Следующие материалы:

1.3.12.1.

Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония-238 более 50% (по весу)

2844 20 510 0;

2844 20 590 0;

2844 20 990 0

Примечание.

Пункт 1.3.12.1 не применяется:

а) к поставкам, содержащим плутоний в количестве 1 г или менее;

б) к поставкам, содержащим три эффективных грамма плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах;

1.3.12.2.

Предварительно обогащенный нептуний-237 в любой форме

2844 40 200 0;

2844 40 300 0

Примечание.

Пункт 1.3.12.2 не применяется к поставкам, содержащим нептуний-237 в количестве 1 г или менее

Техническое примечание.

Материалы, указанные в пункте 1.3.12, обычно используются для ядерных источников тепла

Особое примечание.

В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.12 - 1.3.12.2, см. также пункты 1.3.4 - 1.3.4.2 раздела 2 и пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 3

1.4.

Программное обеспечение

1.4.1.

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, определенного в пункте 1.2

1.4.2.

Программное обеспечение для разработки композиционных материалов с объемной или слоистой структурой на основе органических, металлических или углеродных матриц

Особое примечание.

В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 1.4.2, см. также пункт 1.4.1 раздела 2

1.4.3.

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное, для того чтобы дать возможность оборудованию/ системам выполнять функции оборудования/систем, определенных в пункте 1.1.4.3 или 1.1.4.4;

1.5.

Технология

1.5.1.

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства компонентов из фторированных соединений, определенных в пункте 1.1.1.2 или 1.1.1.3, конструкций из композиционных материалов, определенных в пункте 1.1.2, изделий из ароматических полиимидов, определенных в пункте 1.1.3, снаряжения, систем и комплектующих, определенных в пункте 1.1.4, бронежилетов и компонентов, определенных в пункте 1.1.5, оборудования, определенного в пункте 1.1.6.2, 1.1.7 или 1.2, или материалов, определенных в пункте 1.3

Особое примечание.

В отношении технологий, указанных в пункте 1.5.1, см. также пункт 1.5.1 разделов 2 и 3

1.5.2.

Иные нижеследующие технологии:

1.5.2.1.

Технологии разработки или производства полибензотиазолов или полибензоксазолов;

1.5.2.2.

Технологии разработки или производства фторэластомерных соединений, содержащих по крайней мере один винилэфирный мономер;

1.5.2.3.

Технологии разработки или производства следующих исходных материалов или некомпозиционных керамических материалов:

1.5.2.3.1.

Исходных материалов, обладающих всем нижеперечисленным:

а) любой из следующих композиций:

простые или сложные оксиды циркония и сложные оксиды кремния или алюминия;

простые нитриды бора (с кубической кристаллической решеткой);

простые или сложные карбиды кремния или бора; или

простые или сложные нитриды кремния;

б) суммарными металлическими примесями, исключая преднамеренно вносимые добавки, в количестве, не превышающем:

1000 частей на миллион для простых оксидов или карбидов; или 5000 частей на миллион для сложных соединений или простых нитридов; и

в) являющихся любым из следующего:

1) диоксидом циркония (СAS 1314-23-4), имеющим средний размер частиц, равный или меньше 1 мкм, и не более 10% частиц размером, превышающим 5 мкм;

2) другими исходными материалами, имеющими средний размер частиц, равный или меньше 5 мкм, и не более

10% частиц размером более 10 мкм; или

3) имеющих все следующее:

пластинки, отношение длины к толщине которых превышает значение 5;

нитевидные кристаллы диаметром менее 2 мкм, отношение длины к диаметру которых превышает значение 10; и непрерывные или рубленные волокна диаметром менее 10 мкм;

1.5.2.3.2.

Некомпозиционных керамических материалов, состоящих из материалов, определенных в пункте 1.5.2.3.1

Примечание.

Пункт 1.5.2.3.2 не применяется к технологиям разработки или производства абразивных материалов;

1.5.2.4.

Технологии производства ароматических полиамидных волокон;

1.5.2.5.

Технологии сборки, эксплуатации или восстановления материалов, определенных в пункте 1.3.1;

1.5.2.6.

Технологии восстановления конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, определенных в пункте 1.1.2, или композиционных материалов, определенных в пункте 1.3.7.3 или 1.3.7.4

Примечание.

Пункт 1.5.2.6 не применяется к технологиям ремонта элементов конструкций гражданских летательных аппаратов с использованием углеродных волокнистых или нитевидных материалов и эпоксидных смол, содержащимся в руководствах производителя летательных аппаратов

Особое примечание.

В отношении технологий, указанных в пунктах 1.5.2.5 и 1.5.2.6, см. также пункты 1.5.2.1 и 1.5.2.2 раздела 2;

1.5.2.7.

Библиотеки (параметрические технические базы данных), специально разработанные или модифицированные, для того чтобы дать возможность оборудованию/системам выполнять функции оборудования/систем, определенных в пункте 1.1.4.3 или 1.1.4.4

Техническое примечание.

Для целей пункта 1.5.2.7 под термином "библиотека" (параметрическая техническая база данных) понимается совокупность технической информации, обращение к которой может улучшить рабочие характеристики соответствующего оборудования или систем

Категория 2. Обработка материалов

2.1.

Системы, оборудование и компоненты

2.1.1.

Подшипники качения или подшипниковые системы и их составные части:

2.1.1.1.

Шариковые и неразъемные роликовые радиальные и радиально-упорные подшипники качения, имеющие все допуски, определенные производителем, в соответствии с классом точности 4 или лучше по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту, в которых как кольца, так и тела качения (ISO 5593) изготовлены из медно-никелевого сплава или бериллия

8482 10 100 9;

8482 10 900;

8482 30 000 9;

8482 40 000 9;

8482 50 000 9;

8482 91 900 0;

8482 99 000 0

Примечание.

Пункт 2.1.1.1 не применяется к коническим роликовым подшипникам;

2.1.1.2.

Активные магнитные подшипниковые системы, характеризующиеся хотя бы одним из нижеперечисленных качеств:

а) выполнены из материала с магнитной индукцией 2 Т или более и пределом текучести выше 414 МПа;

б) являются полностью электромагнитными с трехмерным униполярным подмагничиванием привода; или

в) имеют высокотемпературные, с температурой 450 К (177°С) и выше, позиционные датчики

8483 30 380 9;

8483 30 800 8;

8505 11 000 0;

8505 19 100 0;

8505 19 900 0;

8505 90 100 0;

8505 90 900 0

Примечание.

Пункт 2.1.1 не применяется к шарикам с допусками, определенными производителем, в соответствии с международным стандартом ISO 3290, по степени точности 5 или ниже (хуже)

2.2.

Испытательное, контрольное и производственное оборудование

Технические примечания:

1. Вторичные параллельные оси для контурной обработки (например, W-ось на горизонтально-расточных станках или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее количество осей. Ось вращения необязательно означает вращение на угол, больший 360 градусов. Вращение может задаваться устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой).

2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, по которым или вокруг которых в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом. Это не включает любые дополнительные оси, по которым или вокруг которых осуществляются другие относительные движения в станке. Такие оси включают:

а) оси систем правки шлифовальных кругов в шлифовальных станках;

б) параллельные оси вращения, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей;

в) коллинеарные оси вращения, предназначенные для манипулирования одной обрабатываемой деталью путем закрепления ее в патроне с разных концов.

3. Номенклатура осей определяется в соответствии с международным стандартом ISO 841 "Станки с числовым программным управлением.

Номенклатура осей и видов движения".

4. Для целей настоящей категории качающийся шпиндель рассматривается как ось вращения.

5. Заявленная точность позиционирования для каждой модели станка, полученная в результате измерений, проведенных в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом, может использоваться для всех станков одной модели как альтернатива испытаниям отдельных станков. Заявленная точность позиционирования означает значение точности, представленное в качестве показателя точности станков модели конкретного исполнения специально уполномоченному федеральному органу исполнительной власти в области экспортного контроля.

Определение заявленной точности позиционирования:

а) выбирается пять станков модели, подлежащей оценке;

б) измеряется точность линейных осей в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997);

в) определяются величины показателей А для каждой оси каждого станка. Метод определения величины показателя А описан в стандарте ISO;

г) определяется среднее значение показателя А для каждой оси. Эта средняя величина А становится заявленной величиной (, ...) для всех станков данной модели;

д) поскольку станки, указанные в категории 2 настоящего раздела, имеют несколько линейных осей, количество заявленных величин показателя точности равно количеству линейных осей;

е) если любая из осей какой-либо модели станка, не определенного в пунктах 2.2.1.1 - 2.2.1.3, характеризуется показателем А, для шлифовальных станков равным 5 мкм или менее (лучше), для фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм или менее (лучше), то производитель обязан каждые

18 месяцев заново подтверждать величину точности позиционирования

2.2.1.

Станки, определенные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими условиями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления, а также специально разработанные для них компоненты:

Примечания:

1. Пункт 2.2.1 не применяется к станкам, ограниченным изготовлением зубчатых колес. Для таких станков см. пункт 2.2.3.

2. Пункт 2.2.1 не применяется к станкам, ограниченным изготовлением любых из следующих деталей:

а) коленчатых или распределительных валов;

б) режущих инструментов;

в) червяков экструдеров;

г) гравированных или ограненных частей ювелирных изделий.

3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3

Особое примечание.

Для станков чистовой обработки (финишных станков) оптики см. пункт 2.2.2

2.2.1.1.

Токарные станки, имеющие все следующие характеристики:

а) точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и

б) две или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления

8458;

8464 90 800 0;

8465 99 100 0

Примечание.

Пункт 2.2.1.1 не применяется к токарным станкам, специально разработанным для производства контактных линз, имеющим все следующие характеристики:

а) контроллер станка, ограниченный для применения в офтальмологических целях и основанный на программном обеспечении для частичного программируемого ввода данных; и

б) отсутствие вакуумного патрона;

2.2.1.2.

Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик:

а) имеющие все следующие характеристики:

точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;

б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;

в) для координатно-расточных станков точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную

3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; или

г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики:

биение шпинделя и эксцентриситет менее (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (ППИ); и повороты суппорта относительно трех ортогональных осей меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на 300 мм перемещения;

8459 31 000 0;

8459 51 000 0;

8459 61;

8464 90 800 0;

8465 92 000 0

2.2.1.3.

Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик:

а) имеющие все следующие характеристики:

точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и

три или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; или

б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления

8460 11 000;

8460 19 000 0;

8460 21;

8460 29;

8464 20 950 0;

8465 93 000 0

Примечание.

Пункт 2.2.1.3 не применяется к следующим шлифовальным станкам:

а) круглошлифовальным, внутришлифовальным и универсальным шлифовальным станкам, обладающим всеми следующими характеристиками: предназначенным лишь для круглого шлифования; и

максимально возможной длиной или наружным диаметром обрабатываемой детали 150 мм;

б) станкам, специально разработанным как координатно-шлифовальные станки, не имеющие Z-оси или W-оси, с точностью позиционирования со всеми доступными компенсациями меньше (лучше) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом;

в) плоскошлифовальным станкам;

2.2.1.4.

Станки для электроискровой обработки (СЭО) беспроволочного типа, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;

8456 30

2.2.1.5.

Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов, имеющие все следующие характеристики:

а) обработка материалов осуществляется любым из следующих способов:

струями воды или других жидкостей, в том числе с абразивными присадками; электронным лучом; или лазерным лучом; и

б) по крайней мере две оси вращения, имеющие все следующее:

возможность быть совместно скоординированными для контурного управления; и

точность позиционирования менее (лучше) 0,003 градуса;

8424 30 900 0;

8456 10 00;

8456 90 000 0

2.2.1.6.

Сверлильные станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий более 5000 мм, и специально разработанные для них компоненты

8458;

8459 21 000 0;

8459 29 000 0

2.2.2.

Станки с числовым программным управлением для чистовой обработки (финишные станки) асферических оптических поверхностей с выборочным снятием материала, имеющие все следующие характеристики:

а) осуществляющие доводку контура до менее (лучше) 1,0 мкм;

б) осуществляющие чистовую обработку до среднеквадратичного значения шероховатости менее (лучше) 100 нм;

в) имеющие четыре или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и

г) использующие любой из следующих процессов:

магнитореологической чистовой обработки (МРЧО);

электрореологической чистовой обработки (ЭРЧО);

чистовой обработки пучками высокоэнергетических частиц;

чистовой обработки с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны; или жидкоструйной чистовой обработки

8464 20 110 0;

8464 20 190 0;

8464 20 950 0;

8465 93 000 0

Техническое примечание.

Для целей пункта 2.2.2:

а) под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем;

б) под ЭРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную жидкость, вязкость которой регулируется электрическим полем;

в) под чистовой обработкой пучками высокоэнергетических частиц понимается процесс, использующий плазму атомов химически активных элементов или пучки ионов для избирательного съема материала;

г) под чистовой обработкой с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны понимается процесс, в котором используется мембрана под давлением, деформирующая изделие при контакте с ней на небольшом участке;

д) под жидкоструйной чистовой обработкой понимается процесс, использующий поток жидкости для съема материала

2.2.3.

Станки с числовым программным управлением или станки с ручным управлением и специально предназначенные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных ( или более) прямозубых цилиндрических, косозубых и шевронных шестерен диаметром делительной окружности более 1250 мм и шириной зубчатого венца, равной 15% от диаметра делительной окружности или более, с качеством после финишной обработки по классу 3 в соответствии с международным стандартом ISO 1328

8461 40 710 0;

8461 40 790 0

2.2.4.

Горячие изостатические прессы, имеющие все нижеперечисленное, и специально разработанные для них компоненты и приспособления:

а) камеры с регулируемыми температурами внутри рабочей полости и внутренним диаметром полости камеры 406 мм и более; и

б) любую из следующих характеристик: максимальное рабочее давление выше 207 МПа;

регулируемые температуры выше 1773 К (1500°С); или

оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения

8462 99

Техническое примечание.

Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой

2.2.5.

Оборудование, специально разработанное для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения неорганических покрытий, слоев и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к пункту 2.5.3.6 и отмеченных в примечаниях к ней, а также специально разработанные для него автоматизированные компоненты установки, позиционирования, манипулирования и регулирования:

2.2.5.1.

Производственное оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеющее все нижеследующее:

а) процесс, модифицированный для реализации одного из следующих методов:

CVD с пульсирующим режимом;

термического осаждения с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD); или

CVD с применением плазменного разряда, модифицирующего процесс; и

б) включающее любое из следующего: высоковакуумные (вакуум, равный 0,01 Па или ниже (лучше) вращающиеся уплотнения; или

средства регулирования толщины покрытия в процессе осаждения;

8419 89 989 0

2.2.5.2.

Производственное оборудование ионной имплантации с током пучка 5 мА или более;

8543 10 000 0

2.2.5.3.

Технологическое оборудование для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом электронным пучком (EB-PVD), включающее силовые системы с расчетной мощностью более 80 кВт и имеющее любую из следующих составляющих:

а) лазерную систему управления уровнем жидкой ванны, которая точно регулирует скорость подачи заготовок; или

б) управляемое компьютером контрольно-измерительное устройство, работающее на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимое для управления скоростью осаждения покрытия, содержащего два или более элемента;

8543 70 900 9

2.2.5.4.

Производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик:

а) работающее при пониженном давлении контролируемой атмосферы (равном или ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии до 300 мм над выходным сечением сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, которая перед началом процесса напыления может быть откачана до 0,01 Па; или

б) включающее средства регулирования толщины покрытия в процессе напыления;

8419 89 300 0;

8419 89 98

2.2.5.5.

Производственное оборудование осаждения распылением, обеспечивающее плотность тока 0,1  или более, со скоростью осаждения 15 мкм/ч или более;

8419 89 300 0;

8419 89 98

2.2.5.6.

Производственное оборудование катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления положением активного пятна дуги на катоде;

8543 70 900 9

2.2.5.7.

Производственное оборудование, способное к измерению в процессе ионного осаждения любого из следующего:

а) толщины покрытия на подложке с управлением скоростью осаждения; или

б) оптических характеристик

8543 70 900 9

Примечание.

Пункты 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5, 2.2.5.6 и 2.2.5.7 не применяются соответственно к оборудованию химического осаждения из паровой фазы (CVD), ионной имплантации, осаждения распылением, катодно-дугового напыления и ионного осаждения, специально разработанному для покрытия режущего или обрабатывающего инструмента

2.2.6.

Системы, оборудование и электронные сборки для измерения или контроля размеров:

2.2.6.1.

Координатно-измерительные машины (КИМ) с компьютерным управлением или числовым программным управлением, имеющие в соответствии с международным стандартом ISO 10360-2 (2009) пространственную (объемную) максимально допустимую погрешность измерения длины () в любой точке в пределах рабочего диапазона машины (то есть в пределах длины осей), равную или меньше (лучше) (1,7 + L/1000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах)

9031 80 320 0;

9031 80 340 0

Техническое примечание.

() лучшей компоновки КИМ, определенная производителем (например, лучшее из следующего: измерительная головка, длина измерительного наконечника, параметры хода, режим работы) и со всеми доступными компенсациями, должна сравниваться с пороговой величиной (1,7 + L/1000) мкм;

2.2.6.2.

Приборы для измерения линейных или угловых перемещений:

2.2.6.2.1.

Приборы для измерения линейных перемещений, имеющие любую из следующих составляющих:

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0

Техническое примечание.

Для целей пункта 2.2.6.2.1 линейное перемещение означает изменение расстояния между измеряющим элементом и контролируемым объектом

а) измерительные системы бесконтактного типа с разрешением, равным или меньше (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм;

б) системы с индуктивными дифференциальными датчиками, имеющие все следующие характеристики:

линейность, равную или меньше (лучше) 0,1%, в диапазоне измерений до 5 мм; и

дрейф, равный или меньше (лучше)

0,1% в день, при стандартной комнатной температуре  К;

в) измерительные системы, имеющие все следующие составляющие: содержащие лазер; и

сохраняющие в течение по крайней мере 12 часов при температуре 20°С °С все следующие характеристики: разрешение на полной шкале 0,1 мкм или меньше (лучше); и способность достигать погрешности измерения при компенсации показателя преломления воздуха, равной или меньше (лучше) (0,2 + L/2000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах);

или

г) электронные сборки, специально разработанные для обеспечения возможности обратной связи в системах, определенных в подпункте "в" пункта 2.2.6.2.1

Примечание.

Пункт 2.2.6.2.1 не применяется к измерительным интерферометрическим системам с автоматическим управлением, разработанным для применения техники без обратной связи, содержащим лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения размеров или другого подобного оборудования;

2.2.6.2.2.

Приборы для измерения угловых перемещений с погрешностью измерения по угловой координате, равной или меньше (лучше) 0,00025 градуса

9031 49 900 0;

9031 80 320 0;

9031 80 340 0;

9031 80 910 0

Примечание.

Пункт 2.2.6.2.2 не применяется к оптическим приборам, таким как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала;

2.2.6.3.

Оборудование для измерения чистоты поверхности с применением оптического рассеяния как функции угла с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше)

9031 49 900 0

Примечание.

Пункт 2.2.6 включает станки, отличные от определенных в пункте 2.2.1, которые могут быть использованы в качестве измерительных машин, если их параметры соответствуют критериям, определенным для параметров измерительных машин, или превосходят их

2.2.7.

Роботы, имеющие любую из нижеперечисленных характеристик, и специально разработанные для них устройства управления и рабочие органы:

8479 50 000 0;

8537 10 100 0;

8537 10 910 9;

8537 10 990 0

а) способность в реальном масштабе времени осуществлять полную трехмерную обработку изображений или полный трехмерный анализ сцены с генерированием или модификацией программ либо с генерированием или модификацией данных для числового программного управления

Техническое примечание.

Ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию третьего измерения по результатам наблюдения под заданным углом или ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или текстуры для утвержденных заданий (2 1/2 D);

б) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности применительно к условиям работы со взрывчатыми веществами, которые могут быть использованы в военных целях

Примечание.

Подпункт "б" пункта 2.2.7 не применяется к роботам, специально разработанным для применения в камерах для окраски распылением;

в) специально разработанные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие более Гр

(по кремнию) [ рад] без ухудшения эксплуатационных характеристик; или

г) специально разработанные для работы на высотах, превышающих 30 000 м

2.2.8.

Узлы или блоки, специально разработанные для станков, или системы для контроля или измерения размеров:

2.2.8.1.

Линейные измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие полную точность менее (лучше) [] нм (L - эффективная длина в миллиметрах)

9031

Особое примечание.

Для лазерных систем см. также подпункты "в" и "г" пункта 2.2.6.2.1;

2.2.8.2.

Угловые измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие точность менее (лучше) 0,00025 градуса

9031

Особое примечание.

Для лазерных систем см. также пункт 2.2.6.2.2;

2.2.8.3.

Составные поворотные столы или качающиеся шпиндели, применение которых в соответствии с техническими характеристиками изготовителя может модифицировать станки до уровня, определенного в пункте 2.2, или выше

8466

2.2.9.

Обкатные вальцовочные и гибочные станки, которые в соответствии с технической документацией производителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерным управлением и которые имеют все следующие характеристики:

а) две или более контролируемые оси, по крайней мере две из которых могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; и

б) усилие на валке/ролике более 60 кН

8462 21 100;

8462 21 800;

8463 90 000 0

Техническое примечание.

Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.9 как относящиеся к гибочным станкам

2.3.

Материалы - нет

2.4.

Программное обеспечение

2.4.1.

Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 2.4.2, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2

Особое примечание.

В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, см. также пункт 2.4.1 раздела 2

2.4.2.

Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное в электронное устройство или систему, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способный координировать одновременно более четырех осей для контурного управления

Примечания:

1. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению, специально разработанному или модифицированному для работы станков, не определенных в категории 2.

2. Пункт 2.4.2 не применяется к программному обеспечению для изделий, определенных в пункте 2.2.2. Для такого программного обеспечения см. пункт 2.4.1

2.5.

Технология

2.5.1.

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, оборудования, определенного в пункте 2.2, или программного обеспечения, определенного в пункте 2.4

2.5.2.

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства подшипников или подшипниковых систем, определенных в пункте 2.1.1, или оборудования, определенного в пункте 2.2

Особое примечание.

В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также пункт 2.5.1 раздела 2

2.5.3.

Иные нижеследующие технологии:

2.5.3.1.

Технологии разработки интерактивной графики как встроенной части блока числового программного управления для подготовки или модификации программ обработки деталей;

2.5.3.2.

Технологии производственных процессов металлообработки:

2.5.3.2.1.

Технологии проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально разработанные для любого из следующих процессов:

а) формообразования в условиях сверхпластичности;

б) диффузионной сварки; или

в) гидравлического прессования прямого действия;

2.5.3.2.2.

Технические данные, включающие описание технологического процесса или его параметры:

а) для формообразования в условиях сверхпластичности изделий из алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов:

подготовка поверхности;

скорость деформации;

температура;

давление;

б) для диффузионной сварки титановых сплавов или суперсплавов:

подготовка поверхности;

температура;

давление;

в) для гидравлического прессования прямого действия алюминиевых или титановых сплавов:

давление;

время цикла;

г) для горячего изостатического уплотнения титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов:

температура;

давление;

время цикла;

2.5.3.3.

Технологии разработки или производства гидравлических прессов для штамповки с вытяжкой и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов;

2.5.3.4.

Технологии разработки генераторов машинных команд для управления станком (например, программ обработки деталей) на основе проектных данных, хранимых в блоках числового программного управления;

2.5.3.5.

Технологии разработки комплексного программного обеспечения для включения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления;

2.5.3.6.

Технологии нанесения наружных слоев неорганических покрытий, в том числе для модификации поверхностей, определенных в колонке "Получаемое покрытие" таблицы к настоящему пункту, на подложки для неэлектронных приборов/компонентов, определенные в колонке "Подложки" указанной таблицы, с использованием процессов, определенных в колонке "Процесс нанесения покрытия" этой же таблицы и описанных в технических примечаниях к ней

Особое примечание.

Нижеприведенная таблица к пункту 2.5.3.6 должна рассматриваться для определения технологии конкретного процесса нанесения покрытия, только когда относящееся к этому процессу получаемое покрытие находится в абзаце таблицы, расположенном напротив выбранной подложки.

Например, технические характеристики процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD) (колонка таблицы "Процесс нанесения покрытия") включают нанесение силицидов (колонка таблицы "Получаемое покрытие") на подложки из углерод-углерода, композиционных материалов с керамической или металлической матрицей (колонка таблицы "Подложки"), но не включают их нанесение на подложки из металлокерамического карбида вольфрама (16), карбида кремния (18), так как во втором случае покрытие из силицидов не перечислено в абзаце колонки "Получаемое покрытие", расположенном непосредственно напротив абзаца соответствующего перечня колонки "Подложки" (металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

Процесс нанесения покрытия (1) *

Подложки

Получаемое покрытие

1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD)

суперсплавы

алюминиды на поверхности внутренних каналов

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

силициды, карбиды, диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), нитрид бора

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

диэлектрические слои (15), алмаз,

алмазоподобный углерод (17)

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15), алмаз,

алмазоподобный углерод (17)

2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом

2.1. Физическое

осаждение из

паровой фазы,

полученной

нагревом

электронным

пучком

суперсплавы

сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4)

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

диэлектрические слои (15)

коррозионно-стойкие стали (7)

MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

диэлектрические слои (15), бориды, бериллий

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15)

титановые сплавы (13)

бориды, нитриды

2.2. Ионно-ассистирован-ное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом (ионное осаждение)

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

диэлектрические слои (15)

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

диэлектрические слои (15)

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15)

диэлектрические слои (15),

алмазоподобный углерод (17)

2.3. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной лазерным нагревом

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

силициды,

диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

диэлектрические слои (15)

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

диэлектрические слои (15)

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

диэлектрические слои (15)

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

2.4. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной катодно-дуговым разрядом

суперсплавы

сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5)

полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей

бориды, карбиды, нитриды,

алмазоподобный углерод (17)

3. Твердофазное диффузионное насыщение (10)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)

титановые сплавы (13)

силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2)

тугоплавкие металлы и сплавы (8)

силициды, оксиды

4. Плазменное напыление

суперсплавы

MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир, сплавы на основе алюминидов (2)

алюминиевые сплавы (6)

MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4)

тугоплавкие металлы и сплавы (8)

алюминиды, силициды, карбиды

коррозионно-стойкие стали (7)

MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)

титановые сплавы (13)

карбиды, алюминиды, силициды, сплавы на основе алюминидов (2), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир

5. Нанесение шликера

тугоплавкие металлы и сплавы (8)

оплавленные силициды, оплавленные алюминиды (кроме резистивных нагревательных элементов)

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)

6. Осаждение распылением

суперсплавы

сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), алюминиды, модифицированные благородным металлом (3), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4)

керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)

силициды, платина, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

титановые сплавы (13)

бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), карбиды

углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей

силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора

металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)

карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора

молибден и его сплавы

диэлектрические слои (15)

бериллий и его сплавы

бориды, диэлектрические слои (15), бериллий

материалы окон датчиков (9)

диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17)

тугоплавкие металлы и сплавы (8)

алюминиды, силициды, оксиды, карбиды

7. Ионная имплантация

высокотемпературные подшипниковые стали

присадки хрома, тантала или ниобия

титановые сплавы (13)

бориды, нитриды

бериллий и его сплавы

бориды

металлокерамический карбид вольфрама (16)

карбиды, нитриды

Категория 3. Электроника

3.1.

Системы, оборудование и компоненты

Примечания:

1. Контрольный статус оборудования и компонентов, описанных в пункте 3.1, других, нежели описаны в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.10, и которые специально разработаны для другого оборудования или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования.

2. Контрольный статус интегральных схем, описанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7 или пункте 3.1.1.1.10, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения определенных функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования

Особое примечание.

В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус для интегральных схем определяется в соответствии с отдельными пунктами 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7 или пунктом 3.1.1.1.10

3.1.1.

Электронные компоненты:

3.1.1.1.

Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:

3.1.1.1.1.

Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий:

а) суммарную дозу Гр

(по кремнию) [ рад] или выше;

б) мощность дозы Гр

(по кремнию)/с [ рад/с] или выше; или

в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) или более по кремнию или его эквивалент для других материалов

8542

Примечание.

Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре);

3.1.1.1.2.

Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны, или неизвестно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик:

а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (125°С);

б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55°С); или

в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55°С) до 398 К (125°С)

8542

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным схемам, используемым для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов;

3.1.1.1.3.

Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц

8542 31 900 1;

8542 31 900 9;

8542 39 900 9

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры;

3.1.1.1.4.

Следующие интегральные схемы аналого-цифровых преобразователей (АЦП) и цифроаналоговых

преобразователей (ЦАП):

а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:

разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду; разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 300 млн. слов в секунду; разрешающую способность 12 бит со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду;

разрешающую способность более 12 бит, но равную 14 бит или меньше, со скоростью на выходе более 125 млн. слов в секунду; или разрешающую способность более 14 бит со скоростью на выходе более 20 млн. слов в секунду

8542 31 900 3;

8542 31 900 9;

8542 39 900 5;

8542 39 900 9

Технические примечания:

1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.

2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности АЦП.

3. Скоростью на выходе является максимальная скорость на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации.

4. Для многоканальных АЦП выходные сигналы не объединяются и скоростью на выходе является максимальная скорость на выходе любого канала.

5. Для АЦП с временным разделением каналов или многоканальных АЦП, которые в соответствии со спецификацией имеют режим с временным разделением каналов, выходные сигналы объединяются и скоростью на выходе является максимальная объединенная общая скорость на выходе всех выходных сигналов.

6. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с).

7. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду.

8. Многоканальные АЦП определяются как устройства, которые объединяют более одного АЦП, разработанные так, чтобы каждый АЦП имел отдельный аналоговый вход.

9. АЦП с временным разделением каналов определяются как устройства, имеющие блоки с многоканальными АЦП, которые производят выборку одного и того же аналогового входного сигнала в различное время таким образом, чтобы при объединении выходных сигналов осуществлялись эффективный выбор аналогового входного сигнала и его преобразование на более высокую скорость выборки;

б) цифроаналоговые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:

1) разрешающую способность 10 бит или более с приведенной скоростью обновления 3,5 миллиарда выборок в секунду или более; или

2) разрешающую способность 12 бит или более с приведенной скоростью обновления, равной 1,25 миллиарда выборок в секунду или более, и имеющие любое из следующего:

время установления сигнала менее 9 нс с точностью 0,024% полной шкалы от шага полной шкалы; или динамический диапазон без паразитных сигналов (SFDR) более 68 дБнч (несущая частота) при синтезировании аналогового сигнала полной шкалы в 100 МГц или наивысшей частоты аналогового сигнала полной шкалы, определенной ниже 100 МГц

Технические примечания:

1. Динамический диапазон без паразитных сигналов (SFDR) определяется как отношение среднеквадратичного значения несущей частоты (максимального компонента сигнала) на входе ЦАП к среднеквадратичному значению следующего наибольшего компонента шума или гармонического искажения сигнала на его выходе.

2. SFDR определяется непосредственно из справочных таблиц или графиков зависимости характеристик SFDR от частоты.

3. Сигнал определяется как сигнал полной шкалы, когда его амплитуда более -3 дБпш (полная шкала).

4. Приведенная скорость обновления для ЦАП:

а) для обычных (неинтерполирующих) ЦАП приведенная скорость обновления - скорость, на которой цифровой сигнал преобразуется в аналоговый сигнал при помощи ЦАП. ЦАП, в которых интерполяционный режим может быть обойден (коэффициент интерполяции 1), следует рассматривать как обычные (неинтерполирующие) ЦАП;

б) для интерполирующих ЦАП (ЦАП с избыточной дискретизацией) приведенная скорость обновления определяется как скорость обновления ЦАП, деленная на наименьший коэффициент интерполяции. Для интерполирующих ЦАП приведенная скорость обновления может выражаться по-разному, в том числе как:

скорость ввода данных;

скорость ввода слов;

скорость ввода выборок;

максимальная общая скорость пропускания шины;

максимальная тактовая частота ЦАП для входного тактового сигнала ЦАП;

3.1.1.1.5.

Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие:

а) один внутренний лазерный диод или более;

б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и

в) световоды;

8542

3.1.1.1.6.

Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик:

а) максимальное количество цифровых входов/выходов более 200; или

б) количество логических элементов (вентилей) в системе более 230 000

8542 39 900 5

Примечание.

Пункт 3.1.1.1.6 включает:

простые программируемые логические устройства (ППЛУ);

сложные программируемые логические устройства (СПЛУ);

программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ);

программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ);

программируемые пользователем межсоединения (ППМС)

Технические примечания:

1. Программируемые пользователем логические устройства известны также как программируемые пользователем логические элементы (вентили) или программируемые пользователем логические матрицы.

2. Максимальное количество цифровых входов/выходов, определенное в подпункте "а" пункта 3.1.1.1.6, называется также максимальным количеством пользовательских входов/выходов или максимальным количеством доступных входов/выходов, независимо от того, является ли интегральная схема заключенной в корпус или бескорпусным кристаллом;

3.1.1.1.7.

Интегральные схемы для нейронных сетей;

8542

3.1.1.1.8.

Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю неизвестен статус контроля аппаратуры, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик:

а) более 1500 выводов;

б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,02 нс; или

в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;

8542 31 900 3;

8542 31 900 9;

8542 39 900 5;

8542 39 900 9

3.1.1.1.9.

Цифровые интегральные схемы, иные, нежели описанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 и пункте 3.1.1.1.10, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего:

а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или

б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;

8542

3.1.1.1.10.

Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N N)/20 480 мс,

где N - количество точек

8542 31 900 1;

8542 31 900 9;

8542 39 900 9

Техническое примечание.

В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.10 дает результат времени выполнения 500 мкс

Примечания:

1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1.

2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы:

монолитные интегральные схемы;

гибридные интегральные схемы;

многокристальные интегральные схемы;

пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире";

оптические интегральные схемы;

3.1.1.2.

Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона:

3.1.1.2.1.

Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:

3.1.1.2.1.1.

Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия:

а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц;

б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;

в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим

2,5 кВт;

г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик:

мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;

мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или

пригодные для применения в космосе;

8540 79 000 0

3.1.1.2.1.2.

Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ;

8540 71 000 0

3.1.1.2.1.3.

Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5

8540 99 000 0

Примечания:

1. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к лампам, разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:

а) частота не превышает 31,8 ГГц; и

б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения.

2. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к лампам, непригодным для применения в космосе и имеющим все следующие характеристики:

а) среднюю выходную мощность, равную или меньше 50 Вт; и

б) разработанным или определенным изготовителем для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:

частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и

диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;

3.1.1.2.2.

Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик:

8542 31 900 3;

8542 33 000;

8542 39 900 5;

8543 90 000 1

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 15%;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%;

в) определенные изготовителем для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%;

г) определенные изготовителем для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 0,1 нВт;

д) определенные изготовителем для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%; или

е) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и со средней выходной мощностью более 0,1 нВт

Примечания:

1. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "е" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности.

2. Примечания 1 и 2 к пункту 3.1 подразумевают, что пункт 3.1.1.2.2 не применяется к ММИС, если они специально разработаны для иных целей, например для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей;

3.1.1.2.3.

Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик:

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность более 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);

8541 21 000 0;

8541 29 000 0

в) определенные изготовителем для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);

г) определенные изготовителем для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); или

д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и имеющие среднюю выходную мощность более 0,1 нВт

Примечание.

Контрольный статус транзисторов, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;

3.1.1.2.4.

Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик:

8543 70 900 9

а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 15%;

б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 15 Вт

(42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%;

в) определенные изготовителем для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 0,1 нВт;

г) определенные изготовителем для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня

1 мВт) при относительной ширине полосы частот более 10%;

д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43,5 ГГц и со средней выходной мощностью более 0,1 нВт; или

е) определенные изготовителем для работы на частотах выше 3,2 ГГц и имеющие все следующее:

среднюю выходную мощность Р (Вт), большую, чем результат от деления величины 150 на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть: или в единицах размерности ; относительную ширину полосы частот 5% или более; и

любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: или в единицах размерности

Техническое примечание.

Для усилителей, имеющих номинальный рабочий диапазон частот, простирающийся в сторону уменьшения до 3,2 ГГц и ниже, в формуле последнего абзаца подпункта "е" пункта 3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей частоты f (ГГц) следует применять равным 3,2 ГГц, то есть: или в единицах размерности

Особое примечание.

Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.2

Примечание.

Контрольный статус изделий, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;

3.1.1.2.5.

Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5 : 1 менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик:

а) полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или

б) полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты;

8543 70 900 9

3.1.1.2.6.

Преобразователи и смесители на гармониках, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, описанной в пункте 3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 или 3.1.2.5, сверх пороговых значений, установленных в этих пунктах;

8543 70 900 9

3.1.1.2.7.

Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие лампы, определенные в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие характеристики:

8543 70 900 9

а) рабочие частоты выше 3 ГГц;

б) среднюю выходную мощность по отношению к массе, превышающую 80 Вт/кг; и

в) объем менее 400 

Примечание.

Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, разработанной или определенной изготовителем для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;

3.1.1.2.8.

Микроволновые модули питания (ММП), содержащие, по крайней мере, лампу бегущей волны, монолитную микроволновую интегральную схему и встроенный электронный стабилизатор напряжения, имеющие все следующие характеристики:

а) время включения от выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния менее 10 с;

б) физический объем ниже произведения максимальной номинальной мощности в ваттах на 10 ; и

в) мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и любое из следующего:

для частот, равных или ниже 18 ГГц, радиочастотную выходную мощность более 100 Вт; или частоту выше 18 ГГц

8540 79 000 0;

8542 31 900 3;

8543 70 900 9;

8543 90 000 1

Технические примечания:

1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время включения относится к периоду времени от полностью выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния, то есть оно включает время готовности ММП.

2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 приводится следующий пример расчета физического объема ММП.

Для максимальной номинальной мощности 20 Вт физический объем определяется как . Это значение физического объема является контрольным показателем и сравнивается с фактическим физическим объемом ММП;

3.1.1.2.9.

Гетеродины или сборки гетеродинов, разработанные для работы со всем нижеследующим:

а) фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) в единицах

(дБ по шкале С шумомера)/Гц лучше -

для ; и

б) фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц лучше - для

8543 20 000 0

Техническое примечание.

В пункте 3.1.1.2.9 F - смещение от рабочей частоты в Гц, a f - рабочая частота в МГц;

3.1.1.2.10.

Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты, определенное любым из следующего:

а) менее 312 пс;

б) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 1,6 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 10,6 ГГц;

в) менее 250 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 10,6 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;

г) менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 43,5 ГГц;

д) менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот, превышающего 43,5 ГГц

8543 20 000 0

Особое примечание.

Для анализаторов сигналов, генераторов сигналов, схемных анализаторов и микроволновых приемников-тестеров общего назначения см. пункты 3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 и 3.1.2.5 соответственно;

3.1.1.3.

Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты:

3.1.1.3.1.

Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое, имеющие любую из следующих характеристик:

а) несущую частоту выше 6 ГГц;

б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 6 ГГц, и имеющие любую из следующих характеристик:

частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 65 дБ;

произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;

ширину полосы частот выше 250 МГц;

или

дисперсионную задержку более 10 мкс;

или

в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и имеющие любую из следующих характеристик:

произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;

дисперсионную задержку более 10 мкс;

или

частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 65 дБ и ширину полосы частот, превышающую 100 МГц

8541 60 000 0

Техническое примечание.

Частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности - максимальная величина подавления, определенная в перечне технических характеристик (проспекте изделия);

3.1.1.3.2.

Приборы на объемных акустических волнах, обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 6 ГГц;

8541 60 000 0

3.1.1.3.3.

Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку

8541 60 000 0

Примечание.

Пункт 3.1.1.3 не применяется к приборам на акустических волнах, ограниченным пропусканием сигнала через однополосный фильтр, фильтр низких или верхних частот или узкополосный режекторный фильтр или функцией резонирования;

3.1.1.4.

Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, и имеющие любое из следующего:

а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10-14 Дж; или

б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000;

8540;

8541;

8542;

8543

3.1.1.5.

Нижеперечисленные мощные энергетические устройства:

3.1.1.5.1.

Элементы:

3.1.1.5.1.1.

Первичные элементы с плотностью энергии, превышающей 550  при температуре 20°С;

8506

3.1.1.5.1.2.

Вторичные элементы с плотностью энергии, превышающей 250  при температуре 20°С

8507

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность энергии определяется произведением номинального напряжения в вольтах на номинальную емкость в ампер-часах, поделенным на массу в килограммах. Если номинальная емкость не установлена, плотность энергии определяется произведением возведенного в квадрат номинального напряжения в вольтах на длительность разряда в часах, поделенным на произведение сопротивления нагрузки разряда в омах на массу в килограммах.

2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" определяется как электрохимическое устройство, имеющее положительные и отрицательные электроды и электролит и являющееся источником электроэнергии. Он является основным компоновочным блоком батареи.

3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный элемент" определяется как "элемент", который не предназначен для заряда каким-либо другим источником энергии.

4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный элемент" определяется как "элемент", который предназначен для заряда каким-либо внешним источником энергии

Примечание.

Пункт 3.1.1.5.1 не применяется к батареям, включая батареи, содержащие один элемент;

3.1.1.5.2.

Высокоэнергетические накопительные конденсаторы:

3.1.1.5.2.1.

Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:

а) номинальное напряжение 5 кВ или более;

б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и

в) полную энергию 25 кДж или более;

8506;

8507;

8532

3.1.1.5.2.2.

Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики:

а) номинальное напряжение 5 кВ или более;

б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;

в) полную энергию 100 Дж или более; и

г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более;

8506;

8507;

8532

3.1.1.5.3.

Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все следующие характеристики:

а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;

б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и

в) номинальную магнитную индукцию более 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300

8504 50;

8505 90 100 0

Примечание.

Пункт 3.1.1.5.3 не применяется к сверхпроводящим электромагнитам или соленоидам, специально разработанным для медицинской аппаратуры отображения магнитного резонанса (аппаратуры магниторезонансной томографии);

3.1.1.5.4.

Солнечные элементы, сборки электрически соединенных элементов под защитным стеклом, солнечные панели и солнечные батареи, пригодные для применения в космосе, имеющие минимальное значение среднего КПД элементов более 20% при рабочей температуре 301 К (28°С) под освещением с поверхностной плотностью потока излучения 1367  при имитации условий нулевой воздушной массы (АМО)

8541 40 900

Техническое примечание.

АМО (нулевая воздушная масса) определяется спектральной плотностью потока солнечного света за пределами атмосферы при расстоянии между Землей и Солнцем, равном одной астрономической единице (АЕ);

3.1.1.6.

Преобразователи абсолютного углового положения вала, имеющие точность на входе в код, равную угловая секунда или меньше (лучше);

9031 80 320 0;

9031 80 340 0

3.1.1.7.

Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и тиристорные модули, использующие методы электрического, оптического или электронно-эмиссионного управления переключением, имеющие любую из следующих характеристик:

а) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30 000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более 1100 В; или

б) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующее: импульсное напряжение в закрытом состоянии, равное 3000 В или более; и максимальный ток в импульсе (ударный ток) более 3000 А

8536 50 030 0;

8536 50 800 0;

8541 30 000 9

Примечания:

1. Пункт 3.1.1.7 включает:

кремниевые триодные тиристоры;

электрические триггерные тиристоры;

световые триггерные тиристоры;

коммутационные тиристоры с интегральными вентилями;

вентильные запираемые тиристоры;

управляемые тиристоры на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник);

солидтроны.

2. Пункт 3.1.1.7 не применяется к тиристорным устройствам и тиристорным модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте или в гражданских летательных аппаратах

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль содержит одно или несколько тиристорных устройств;

3.1.1.8.

Твердотельные силовые полупроводниковые переключатели, диоды или модули, имеющие все следующие характеристики:

а) рассчитанные для максимальной рабочей температуры р-п-перехода выше 488 К (215°С);

б) повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (блокирующее напряжение), превышающее 300 В; и

в) постоянный ток более 1 А

8504 40 400 0;

8536 50 030 0;

8536 50 050 0;

8536 50 800 0;

8541 10 000 9;

8541 21 000 0;

8541 29 000 0;

8541 30 000 9;

8541 50 000 0

Примечания:

1. Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии в пункте 3.1.1.8 включает напряжение сток - исток, выходное остаточное напряжение, повторяющееся импульсное обратное напряжение и блокирующее импульсное напряжение в закрытом состоянии.

2. Пункт 3.1.1.8 включает:

канальные полевые транзисторы с p-n-переходом (JFET);

канальные полевые транзисторы с вертикальным p-n-переходом (VJFET);

канальные полевые униполярные транзисторы на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник) (MOSFET);

канальные полевые двойные диффузные металл-оксид полупроводниковые транзисторы (DMOSFET);

трехфазные тяговые преобразователи на транзисторных ключах (IGBN);

транзисторы с высокой подвижностью электронов (ВПЭ-транзисторы) (НМЕТ);

биполярные плоскостные транзисторы (BJT);

тиристоры и управляемые кремниевые выпрямители (диоды) (SCR);

высоковольтные полупроводниковые запираемые тиристоры (GTO);

тиристоры с эмиттерами включения (ЕТО);

регулируемые резистивные диоды (PIN-диоды);

диоды Шоттки.

3. Пункт 3.1.1.8 не применяется к переключателям, диодам или модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте, в гражданских автомобилях или в гражданских летательных аппаратах

Техническое примечание.

Для целей пункта 3.1.1.8 модуль содержит один или несколько твердотельных силовых полупроводниковых переключателей или диодов

3.1.2.

Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения и принадлежности для нее:

3.1.2.1.

Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее:

3.1.2.1.1.

Устройства записи на магнитной ленте показаний аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик:

а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку;

б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при количестве дорожек более 42; или

в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее  мкс

8519 81 540 1;

8519 81 580;

8519 81 900 0;

8519 89 900 0;

8521 10 200 0;

8521 10 950 0

Примечание.

Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающие устройства, использующие ленту;

3.1.2.1.2.

Цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 360 Мбит/с

8521 10;

8521 90 000 9

Примечание.

Пункт 3.1.2.1.2 не применяется к цифровым видеомагнитофонам на магнитной ленте, специально разработанным для телевизионной записи, использующим формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания, Европейским институтом стандартов по телекоммуникациям или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике;

3.1.2.1.3.

Устройства записи на магнитной ленте показаний цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик:

а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или

б) пригодные для применения в космосе

8471 70 800 0;

8521 10

Примечание.

Пункт 3.1.2.1.3 не применяется к устройствам записи данных на магнитной ленте, оснащенным электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенным для записи только цифровых данных;

3.1.2.1.4.

Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса, превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов на магнитной ленте для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры;

8521 90 000 9

3.1.2.1.5.

Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики:

а) скорость преобразования в цифровую форму 200 млн. проб в секунду или более и разрешение 10 бит или более; и

б) непрерывную пропускную способность 2 Гбит/с или более

8471 90 000 0;

8543 70 900 9

Технические примечания:

1. Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине непрерывная пропускная способность - произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове.

2. Непрерывная пропускная способность - наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования;

3.1.2.1.6.

Устройства записи данных цифровой аппаратуры, использующие способ хранения на магнитном диске, имеющие все следующие характеристики:

а) скорость преобразования в цифровую форму 100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит или более; и

б) непрерывную пропускную способность не менее 1 Гбит/с или более;

8471 50 000 0;

8471 60;

8471 70 200 0;

8471 70 300 0;

8471 70 500 0;

8519 81 900 0;

8519 89 900 0;

8521 90 000 9;

8522 90 400 0;

8522 90 800 0

3.1.2.2.

Анализаторы сигналов радиочастот:

3.1.2.2.1.

Анализаторы сигналов, имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 10 МГц в любой точке частотного диапазона выше 31,8 ГГц, но не превышающего 37,5 ГГц;

9030 84 000 9;

9030 89 300 0

3.1.2.2.2.

Анализаторы сигналов, имеющие воспроизводимый на дисплее средний уровень шума (ВСУШ) меньше (лучше) -150 дБм/Гц в любой точке частотного диапазона выше 43,5 ГГц, но не превышающего 70 ГГц;

9030 84 000 9;

9030 89 300 0

3.1.2.2.3.

Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 70 ГГц;

9030 84 000 9;

9030 89 300 0

3.1.2.2.4.

Динамические анализаторы сигналов с полосой частот в реальном масштабе времени, превышающей 40 МГц

9030 20 200 9,

9030 32 000 9,

9030 39 000 9;

9030 84 000 9;

9030 89 300 0

Примечание.

Пункт 3.1.2.2.2 не применяется к динамическим анализаторам сигналов, использующим только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);

3.1.2.3.

Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутреннего задающего эталонного генератора и имеющие любую из следующих характеристик:

а) определенные для создания длительности импульса менее 100 нс в любом месте диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 70 ГГц

8543 20 000 0

Техническое примечание.

Для целей подпункта "а" пункта 3.1.2.3 длительность импульса определяется как временной интервал между передним фронтом импульса, достигающим 90% от максимума, и задним фронтом импульса, достигающим 10% от максимума;

б) выходную мощность более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в любом месте диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 70 ГГц;

в) время переключения частоты, определенное любым из следующего:

менее 312 пс;

менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 1,6 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 10,6 ГГц;

менее 250 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 10,6 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц;

менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 43,5 ГГц;

менее 1 мс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 43,5 ГГц, но не превышающего 56 ГГц; или

менее 1 мс для любого изменения частоты, превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 56 ГГц, но не превышающего 70 ГГц;

г) при синтезированных частотах выше 3,2 ГГц, но не превышающих 70 ГГц, имеющие все следующее:

фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в единицах

(дБ по шкале С шумомера)/Гц лучше для ; и фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц лучше для ; или

Техническое примечание.

В подпункте "г" пункта 3.1.2.3

F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц

д) максимальную синтезированную частоту, превышающую 70 ГГц

Примечания:

1. Для целей пункта 3.1.2.3 генераторы сигналов синтезированных частот включают в себя генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций

Техническое примечание.

Генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций обычно определяются частотой выборки (например, Гвыб./с), которая преобразовывается в радиочастотную область посредством коэффициента Найквиста - 2. Так, 1 Гвыб./с произвольных импульсов имеет возможность прямого вывода 500 МГц или при использовании выборки с запасом по частоте дискретизации максимальная возможность прямого вывода пропорционально ниже

2. Пункт 3.1.2.3 не применяется к аппаратуре, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты;

3.1.2.4.

Схемные анализаторы, имеющие любое из следующего:

а) максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц, и выходную мощность, превышающую 31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); или

б) максимальную рабочую частоту, превышающую 70 ГГц;

9030 40 000 0

3.1.2.5.

Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики:

а) максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и

б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу;

8517 69 390 0

3.1.2.6.

Атомные эталоны частоты:

3.1.2.6.1.

Пригодные для применения в космосе

8543 20 000 0

Особое примечание.

В отношении атомных эталонов частоты, указанных в пункте 3.1.2.6.1, см. также пункт 3.1.1 раздела 2;

3.1.2.6.2.

Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие долговременную стабильность меньше (лучше) в месяц;

8543 20 000 0

3.1.2.6.3.

Рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе и имеющие все нижеследующее:

8543 20 000 0

а) долговременную стабильность меньше (лучше) в месяц; и

б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт

3.1.3.

Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты

8419 89 989 0;

8424 89 000 9;

8479 89 970 9

3.2.

Испытательное, контрольное и производственное оборудование

3.2.1.

Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:

3.2.1.1.

Оборудование, разработанное для эпитаксиального выращивания:

3.2.1.1.1.

Оборудование, обеспечивающее производство слоя из любого материала, отличного от кремния, с отклонением равномерности толщины менее % на расстоянии 75 мм или более

8486 10 000 9

Примечание.

Пункт 3.2.1.1.1 включает оборудование для эпитаксиального выращивания атомного слоя;

3.2.1.1.2.

Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов полупроводниковых соединений с использованием материалов, определенных в пункте 3.3.3 или 3.3.4, в качестве исходных

8486 20 900 9

Особое примечание.

В отношении оборудования, указанного в пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2;

3.2.1.1.3.

Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников;

8486 10 000 9

3.2.1.2.

Оборудование, разработанное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик:

а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) более 1 МэВ;

б) специально разработанное и оптимизированное для работы с энергией пучка (ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ;

в) имеет возможность непосредственного формирования рисунка; или

г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала;

8486 20 900 9

3.2.1.3.

Оборудование для сухого анизотропного плазменного травления, разработанное или оптимизированное для создания всего следующего:

а) критических размеров 65 нм или менее; и

б) внутренней неоднородности пластины (подложки), равной или меньше 10% , измеренной, за исключением контура (кромки), равного 2 мм или менее;

8456 90 000 0;

8486 20 900 2

3.2.1.4.

Оборудование химического осаждения из паровой фазы с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс:

8419 89 300 0;

8486 20 900 9

3.2.1.4.1.

Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 65 нм или менее;

3.2.1.4.2.

Оборудование, специально разработанное для систем, определенных в пункте 3.2.1.5, и разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 65 нм или менее;

3.2.1.5.

Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральным транспортно-загрузочным устройством для пластин (подложек), имеющие все следующее:

а) средства сопряжения для загрузки и выгрузки пластин (подложек), разработанные для возможности присоединения более двух отличных по функциональным возможностям инструментов для обработки полупроводников, определенных в пунктах 3.2.1.1, 3.2.1.2, 3.2.1.3 или 3.2.1.4; и

б) разработанные для создания интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме

8456 10 00;

8456 90 000 0;

8479 50 000 0;

8486 20 900 2;

8486 20 900 3

Технические примечания:

1. Для целей пункта 3.2.1.5 инструменты для обработки полупроводников относятся к инструментам модульной конструкции, которые обеспечивают такие, отличные по функциональности, физические процессы производства полупроводников, как осаждение, травление, ионная имплантация или термообработка.

2. Для целей пункта 3.2.1.5 многопозиционная обработка пластин (подложек) означает возможность обрабатывать каждую пластину (подложку) с помощью различных инструментов для обработки полупроводников, например, путем передачи каждой пластины (подложки) от первого инструмента ко второму и далее к третьему посредством автоматически загружаемых многокамерных систем с центральным транспортно-загрузочным устройством

Примечание.

Пункт 3.2.1.5 не применяется к автоматическим роботизированным системам для загрузки-разгрузки пластин (подложек), специально разработанным для параллельной обработки пластин (подложек);

3.2.1.6.

Оборудование для литографии:

3.2.1.6.1.

Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего:

а) источник света с длиной волны короче 245 нм; или

б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 95 нм и менее

8443 39 290 0

Техническое примечание.

Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле:

МРР = (длина волны источника света в нанометрах) х (К фактор) / (числовая апертура), где К фактор = 0,35;

3.2.1.6.2.

Литографическое оборудование для печати, способное создавать элементы размером 95 нм или менее

8443 39;

8486 20 900

Примечание.

Пункт 3.2.1.6.2 включает:

а) инструментальные средства для микроконтактной литографии;

б) инструментальные средства для горячего тиснения;

в) литографические инструментальные средства для нанопечати;

г) литографические инструментальные средства для поэтапной и мгновенной печати;

3.2.1.6.3.

Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов или производства полупроводниковых приборов с использованием методов непосредственного формирования рисунка, имеющее все нижеследующее:

а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный, ионный или лазерный пучок; и

б) имеющее любую из следующих характеристик:

размер пятна менее 0,2 мкм;

возможность формирования рисунка с размером элементов менее 1 мкм; или точность совмещения слоев лучше  мкм (3 сигма);

8456 10 00;

8486 20 900 3;

8486 40 000 1

3.2.1.7.

Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1;

8486 90 900 3

3.2.1.8.

Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем

8486 90 900 3

Примечание.

Пункт 3.2.1.8 не применяется к многослойным шаблонам с фазосдвигающим слоем, разработанным для изготовления запоминающих устройств, не определенных в пункте 3.1.1;

3.2.1.9.

Литографические шаблоны для печати, разработанные для интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1

8486 90 900 3

3.2.2.

Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления:

3.2.2.1.

Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах выше 31,8 ГГц;

9031 80 380 0

3.2.2.2.

Для испытания микроволновых интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1.2.2

9030;

9031 20 000 0;

9031 80 380 0

3.3.

Материалы

3.3.1.

Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов:

3.3.1.1.

Кремний (Si);

3818 00 100 0;

3818 00 900 0

3.3.1.2.

Германий (Ge);

3818 00 900 0

3.3.1.3.

Карбид кремния (SiC); или

3818 00 900 0

3.3.1.4.

Соединения III - V на основе галлия или индия

3818 00 900 0

3.3.2.

Резисты, определенные ниже, а также подложки, покрытые ими:

3.3.2.1.

Позитивные резисты, разработанные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны менее 245 нм;

3824 90 980 9

3.3.2.2.

Все резисты, разработанные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/ или лучше;

3824 90 980 9

3.3.2.3.

Все резисты, разработанные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/мм или лучше;

3824 90 980 9

3.3.2.4.

Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая силилированные резисты

3824 90 980 9

Техническое примечание.

Технология силилирования - процесс, включающий окисление поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления

3.3.2.5.

Все резисты, разработанные или приспособленные для применения с оборудованием для литографической печати, определенным в пункте 3.2.1.6.2 и использующим процесс термообработки или светоотверждения

3824 90 980 9

3.3.3.

Следующие органо-неорганические соединения:

3.3.3.1.

Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999%;

2931 00 950 0

3.3.3.2.

Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999%

2931 00 950 0

Примечание.

Пункт 3.3.3 применяется только к соединениям, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы

3.3.4.

Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999%, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде

2848 00 000 0;

2850 00 200 0

Примечание.

Пункт 3.3.4 не применяется к гидридам, содержащим 20% или более молей инертных газов или водорода

3.3.5.

Подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 100 при 20°С

3818 00 900 0

3.3.6.

Подложки, определенные в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN)

3818 00 900 0

3.4.

Программное обеспечение

3.4.1.

Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, определенного в пунктах 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или 3.2

3.4.2.

Программное обеспечение, специально разработанное для применения оборудования, определенного в пунктах 3.2.1.1 - 3.2.1.6 или 3.2.2

3.4.3.

Физически обоснованное программное обеспечение моделирования, специально разработанное для разработки процессов литографии, травления или осаждения в целях воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топографические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках

Техническое примечание.

Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается использование вычислений для определения последовательности физических факторов и результатов воздействия, основанных на физических свойствах (например, температура, давление, коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов)

Примечание.

Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для разработки полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология

3.4.4.

Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования (систем), определенного в пункте 3.1.3

3.5.

Технология

3.5.1.

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку для разработки или производства оборудования, определенного в пункте 3.1 или 3.2, или материалов, определенных в пункте 3.3

Примечание.

Пункт 3.5.1 не применяется к технологиям для:

а) производства оборудования (систем) или компонентов, определенных в пункте 3.1.3;

б) разработки или производства интегральных схем, определенных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и имеющих все следующее:

использующих технологии при разрешении 0,130 мкм или выше (хуже);

и

содержащих многослойные структуры с тремя металлическими слоями или менее

3.5.2.

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку другие по сравнению с теми, которые определены в пункте 3.5.1, для разработки или производства ядра микросхем микропроцессора, микроЭВМ или микроконтроллера, имеющих арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более и любые из нижеприведенных особенностей или характеристик:

а) блок векторного процессора, предназначенный для выполнения более двух вычислений с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно

Техническое примечание.

Блок векторного процессора является процессорным элементом со встроенными операторами, которые выполняют многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно, имеющим, по крайней мере, одно векторное арифметико-логическое устройство;

б) разработанных для выполнения более двух 64-разрядных или более операций с плавающей запятой, проходящих за цикл; или

в) разработанных для выполнения более четырех 16-разрядных операций умножения с накоплением с фиксированной запятой, проходящих за цикл (например, цифровая обработка аналоговой информации, которая была предварительно преобразована в цифровую форму, также известная как цифровая обработка сигналов)

Примечание.

Подпункт "в" пункта 3.5.2 не применяется к технологиям мультимедийных расширений

Примечания:

1. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям разработки или производства ядер микропроцессоров, имеющих все следующее:

использующих технологии с разрешением 0,130 мкм или выше (хуже); и

содержащих многослойные структуры с пятью или менее металлическими слоями.

2. Пункт 3.5.2 включает технологии для процессоров цифровой обработки сигналов и цифровых матричных процессоров

3.5.3.

Прочие технологии разработки или производства:

а) вакуумных микроэлектронных приборов;

б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках

Примечание.

Подпункт "б" пункта 3.5.3 не применяется к технологиям для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц;

в) сверхпроводящих электронных приборов;

г) подложек из алмазных пленок для электронных компонентов;

д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния;

е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов;

ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31,8 ГГц или выше

Категория 4. Вычислительная техника

Примечания:

1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 категории 5 (Телекоммуникации).

2. Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, устройства оперативной памяти или дисковые контроллеры, не рассматриваются как телекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 категории 5 (Телекоммуникации)

Особое примечание.

Для определения контрольного статуса программного обеспечения, специально разработанного для коммутации пакетов, следует применять пункт 5.4.1.

3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, выполняющие функции криптографии, криптоанализа, сертифицируемой многоуровневой защиты информации или сертифицируемые функции изоляции пользователей либо ограничивающие электромагнитную совместимость (ЭМС), должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 2 категории 5 (Защита информации)

4.1.

Системы, оборудование и компоненты

4.1.1.

ЭВМ и сопутствующее оборудование, специально разработанные, чтобы отвечать любому из нижеприведенных условий, а также электронные сборки и специально разработанные компоненты для них:

а) быть определенными изготовителем для работы при температуре внешней среды ниже 228 К (-45°С) или выше 358 К (85°С); или

8471

Примечание.

Подпункт "а" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских автомобилей, железнодорожных поездов или гражданских летательных аппаратов

б) быть радиационно стойкими при превышении любого из определенных ниже требований:

1) общей дозы Гр (по кремнию) [ рад];

2) мощности дозы Гр

(по кремнию)/с [ рад/с]; или

3) сбоя от однократного события ошибок/бит/день

Примечание.

Подпункт "б" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских летательных аппаратов

Особые примечания:

1. Для ЭВМ и относящегося к ним электронного оборудования, выполняющих или включающих функции по защите информации, см. часть 2 категории 5.

2. В отношении ЭВМ и сопутствующего оборудования, соответствующих требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1, см. также пункт 4.1.1 раздела 2;

4.1.2.

Цифровые ЭВМ, электронные сборки и сопутствующее оборудование, определенные ниже, а также специально разработанные для них компоненты:

Примечания:

1. Пункт 4.1.2 включает:

а) векторные процессоры;

б) матричные процессоры;

в) процессоры цифровой обработки сигналов;

г) логические процессоры;

д) оборудование для улучшения качества изображения;

е) оборудование для обработки сигналов.

2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.2, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если:

а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем;

б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и

Особые примечания:

1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально разработанного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом такого оборудования, даже если первое превосходит критерий основного элемента.

2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации)

в) технология цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5

4.1.2.1.

Разработанные или модифицированные для обеспечения отказоустойчивости

8471 60;

8471 70;

8471 80 000 0;

8471 90 000 0

Примечание.

Для целей пункта 4.1.2.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее оборудование не считаются разработанными или модифицированными для обеспечения отказоустойчивости, если в них используется любое из следующего:

а) алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в оперативной памяти;

б) соединение двух цифровых вычислительных машин такое, что если происходит отказ активного центрального процессора, то холостой зеркальный центральный процессор может продолжить функционирование системы;

в) соединение двух центральных процессоров посредством каналов передачи данных или с применением разделяемой памяти, для того чтобы обеспечить одному центральному процессору возможность выполнять некоторую работу, пока не откажет другой центральный процессор; тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, чтобы продолжить функционирование системы; или

г) синхронизация двух центральных процессоров, объединенных посредством программного обеспечения так, что один центральный процессор распознает, когда отказывает другой центральный процессор, и восстанавливает задачи, выполнявшиеся отказавшим процессором;

4.1.2.2.

Цифровые ЭВМ, имеющие приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 1,5 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ);

8471 60;

8471 70;

8471 80 000 0;

8471 90 000 0

4.1.2.3.

Электронные сборки, специально разработанные или модифицированные для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, определенное в пункте 4.1.2.2

8471 60;

8471 70;

8471 80 000 0;

8471 90 000 0

Примечания:

1. Пункт 4.1.2.3 применяется только к электронным сборкам и программируемым взаимосвязям, не превышающим пределы, определенные в пункте 4.1.2.2, при поставке в виде необъединенных электронных сборок. Он неприменим к электронным сборкам, конструкция которых пригодна только для использования в качестве сопутствующего оборудования, определенного в пункте 4.1.2.4.

2. Пункт 4.1.2.3 не применяется к электронным сборкам, специально разработанным для отдельных изделий или целого семейства изделий, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, определенные в пункте 4.1.2.2;

4.1.2.4.

Оборудование, выполняющее аналого-цифровые преобразования, превосходящее пределы, определенные в пункте 3.1.1.1.4;

8471 90 000 0;

8543 90 000 9

4.1.2.5.

Устройства, специально разработанные для получения общей производительности цифровых ЭВМ, объединенных с помощью внешних соединений, которые имеют однонаправленную скорость передачи данных, превышающую 2,0 Гбайт/с на канал

8471 90 000 0;

8517 61 000 1;

8517 62 000 1

Примечание.

Пункт 4.1.2.5 не применяется к внутренним (например, соединительные платы, шины) или пассивным устройствам связи, контроллерам доступа к сети или контроллерам каналов связи

4.1.3.

ЭВМ, определенные ниже, и специально разработанные сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них:

4.1.3.1.

ЭВМ с систолической матрицей;

8471

4.1.3.2.

Нейронные ЭВМ;

8471

4.1.3.3.

Оптические ЭВМ

8471

4.2.

Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет

4.3.

Материалы - нет

4.4.

Программное обеспечение

Примечание.

Контрольный статус программного обеспечения для разработки, производства или применения оборудования, указанного в других категориях, определяется по описанию соответствующей категории

4.4.1.

Программное обеспечение следующих видов:

4.4.1.1.

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования или программного обеспечения, определенного в пункте 4.1 или 4.4 соответственно;

4.4.1.2.

Программное обеспечение иное, чем определенное в пункте 4.4.1.1, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства:

а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 0,25 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или

б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.4.1.2

Особое примечание.

В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 4.4.1, см. также пункт 4.4.1 раздела 2

4.4.2.

Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологии, определенной в пункте 4.5

Особое примечание.

Для программного обеспечения, выполняющего или включающего функции по защите информации, см. часть 2 категории 5

4.5.

Технология

4.5.1.

Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или применения оборудования или программного обеспечения, определенного в пункте 4.1 или 4.4 соответственно

4.5.2.

Технологии иные, чем определенные в пункте 4.5.1, специально разработанные или модифицированные для разработки или производства:

а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 0,25 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или

б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.5.2

Особое примечание.

В отношении технологий, указанных в пунктах 4.5.1 и 4.5.2, см. также пункт 4.5.1 раздела 2

Категория 5

Часть 1. Телекоммуникации

Примечания:

1. В части 1 категории 5 определяется контрольный статус компонентов, испытательного и производственного оборудования, а также программного обеспечения для них, специально разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем

Особые примечания:

1. Для лазеров, специально разработанных для

телекоммуникационного оборудования или систем, см. пункт 6.1.5.

2. Для оборудования, компонентов и программного обеспечения, включающих функции защиты информации, см. также часть 2 категории 5

2. В тех случаях, когда для функционирования или поддержки телекоммуникационного оборудования, описанного в этой категории, и его обеспечения важное значение имеют цифровые ЭВМ, сопутствующее оборудование или программное обеспечение, последние рассматриваются в качестве специально разработанных компонентов при условии, что они являются стандартными моделями, обычно поставляемыми производителем. Это относится к компьютерным системам, реализующим функции управления, сетевого администрирования, технического обслуживания, проектирования или прогнозирования трафика

5.1.1.

Системы, оборудование и компоненты (телекоммуникационные системы, оборудование (аппаратура), компоненты и принадлежности, определенные ниже)

5.1.1.1.

Телекоммуникационное оборудование любого типа, имеющее любую из следующих характеристик, функций или возможностей:

5.1.1.1.1.

Специально разработанное для сохранения работоспособности при кратковременных электронных воздействиях или воздействиях электромагнитных импульсов, возникающих при ядерном взрыве;

8517 12 000 0;

8517 61 000 9;

8517 69 390 0;

8525 60 000 0;

8543 70 900 9

5.1.1.1.2.

Специально повышенную стойкость к гамма-, нейтронному или ионному излучению; или

8517 12 000 0;

8517 61 000 9;

8517 69 390 0;

8525 60 000 0;

8543 70 900 9

5.1.1.1.3.

Специально разработанное для функционирования за пределами диапазона температур от 218 К (-55°С) до 397 К (124°С)

8517 12 000 0;

8517 61 000 9;

8517 69 390 0;

8525 60 000 0;

8543 70 900 9

Примечание.

Пункт 5.1.1.1.3 применяется только к электронному оборудованию

Примечание.

Пункты 5.1.1.1.2 и 5.1.1.1.3 не применяются к оборудованию, разработанному или модифицированному для использования на борту спутников

5.1.1.2.

Телекоммуникационные системы и оборудование, а также специально разработанные для них компоненты и принадлежности, имеющие любую из следующих характеристик, функций или возможностей:

5.1.1.2.1.

Являющиеся системами подводной беспроводной связи, имеющими любую из следующих характеристик:

а) акустическую несущую частоту за пределами интервала от 20 кГц до 60 кГц;

б) использующими электромагнитную несущую частоту ниже 30 кГц; или

в) использующими электронное управление положением главного лепестка (диаграммы направленности антенны); или

г) использующими в локальной сети лазеры или светоизлучающие диоды (СИД) с выходной длиной волны более 400 нм, но менее 700 нм;

9014 80 000 0;

9015 80 910 0

5.1.1.2.2.

Являющиеся радиоаппаратурой, работающей в диапазоне частот 1,5 МГц - 87,5 МГц и имеющей все следующие характеристики:

8517 12 000 0;

8517 61 000 9;

а) возможность автоматически прогнозировать и выбирать частоты и общие скорости цифровой передачи в канале для оптимизации передачи полезного сигнала; и

б) встроенный линейный усилитель мощности, способный одновременно пропускать множество сигналов с выходной мощностью 1 кВт или более в диапазоне частот от 1,5 МГц до 30 МГц или 250 Вт или более в диапазоне частот от 30 МГц до 87,5 МГц включительно на мгновенной ширине полосы частот в одну октаву или более и с гармониками и искажениями на выходе лучше -80 дБ;

8525 60 000 0

5.1.1.2.3.

Являющиеся радиоаппаратурой, использующей методы расширения спектра, включая метод скачкообразной перестройки частоты, не определенной в пункте 5.1.1.2.4, имеющей любую из следующих характеристик:

а) коды расширения, программируемые пользователем; или

б) общую ширину передаваемой полосы частот выше 50 кГц, при этом она в 100 или более раз превышает ширину полосы частот любого единичного информационного канала

8517 12 000 0;

8517 61 000 9;

8525 60 000 0

Примечание.

Подпункт "б" пункта 5.1.1.2.3 не применяется к радиоаппаратуре, специально разработанной для использования с гражданскими системами сотовой радиосвязи

Примечание.

Пункт 5.1.1.2.3 не применяется к аппаратуре, разработанной для эксплуатации с выходной мощностью 1,0 Вт или менее