Приложение N 16
к Правилам применения базовых станций
и ретрансляторов систем подвижной
радиотелефонной связи. Часть II.
Правила применения подсистем базовых
станций и ретрансляторов сетей
подвижной радиотелефонной связи
стандарта GSM 900/1800
Требования к параметрам устойчивости к электромагнитным помехам
1. Оборудование подсистемы базовых станций и ретрансляторы сети подвижной радиотелефонной связи стандарта GSM 900/1800 сохраняют работоспособность при воздействии электромагнитных помех.
2. Оборудование подсистемы базовых станций и ретрансляторы устойчивы к электромагнитным излучениям. Уровень напряженности испытательного поля в диапазоне 80 - 1000 МГц составляет 3 В/м (130 дБ относительно 1 мкВ/м).
3. Оборудование подсистемы базовых станций и ретрансляторы устойчивы воздействию электростатических разрядов. Параметры испытательного напряжения приведены в таблице N 1.
Таблица N 1
Электростатические разряды |
Основные параметры испытательного воздействия |
Контактный разряд |
4,0 кВ |
Воздушный разряд (если невозможно применить контактный разряд) |
4,0 кВ |
4. Оборудование подсистемы базовых станций и ретрансляторы устойчивы к воздействию кондуктивных помех, наводимых электромагнитными полями. Уровень испытательного напряжения в диапазоне 150 кГц - 80 МГц составляет 3 В (130 дБ относительно 1 мкВ).
5. Оборудование подсистемы базовых станций и ретрансляторы устойчивы к динамическим изменениям напряжения электропитания. Основные параметры испытательного воздействия приведены в таблице N 2.
Таблица N 2
Вид помехи |
Основные параметры испытательного воздействия |
Провалы напряжения |
0,7 Uн*, длительность: 10 периодов/200 мс |
Прерывания напряжения |
длительность: 1 период/20 мс |
Выбросы напряжения |
1,2 Uн, длительность: 10 периодов/200 мс |
* Uн - номинальное напряжение сети электропитания
Примечание: Если электропитание оборудования должно осуществляться только от источника бесперебойного питания, то оборудование данному воздействию не подвергается. |
6. Оборудование подсистемы базовых станций и ретрансляторы устойчивы к воздействию микросекундных импульсных помех большой энергии. Параметры испытательного напряжения приведены в таблице N 3.
Таблица N 3
Микросекундные импульсные помехи |
Основные параметры испытательного воздействия |
По схеме провод-земля |
1 кВ |
По схеме провод-провод |
0,5 кВ |
7. Оборудование подсистемы базовых станций и ретрансляторы устойчивы к воздействию наносекундных импульсных помех. Параметры испытательного напряжения должны соответствовать значениям, приведенным в таблице N 4.
Таблица N 4
Наносекундные импульсные помехи |
Основные параметры испытательного воздействия |
В цепях электропитания переменного тока |
2,0 кВ |
В цепях электропитания постоянного тока |
1,0 кВ |
В цепях ввода-вывода |
1,0 кВ |
8. Работоспособность оборудования ПБС и ретрансляторов определяется по результатам испытаний по п. 14 Правил после воздействий вышеуказанных электромагнитных помех.