Приложение N 2. Перечень работ и проектов, выполняемых в 2005 - 2006 годах в рамках ФЦНТП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002 - 2006 годы по приоритетному направлению "Информационно-телекоммуникационные системы" (IV очередь)

Приложение N 2
к приказу Федерального агентства
по науке и инновациям
от 16 марта 2005 г. N 24

Перечень
работ и проектов, выполняемых в 2005 - 2006 годах в рамках ФЦНТП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники" на 2002 - 2006 годы по приоритетному направлению "Информационно-телекоммуникационные системы" (IV очередь)

ЛОТ 1

ИТ-12.6/001. Исследование процессов эпитаксиального роста гетероструктур для источников излучения в глубоком УФ-диапазоне (260 - 300 нм) и электронных и оптических явлений в таких структурах.

1. Цель работы

Получение необходимого комплекса научных результатов, обеспечивающих разработку технологии молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) гетероструктур в системе AlGaN/GaN для светоизлучающих диодов глубокого ультрафиолетового диапазона (УФ-СИД), которые, являясь малогабаритными, экономичными, безопасными и экологичными излучателями УФ-света, необходимы для развития УФ-локации и связи, мониторинга среды и технических объектов.

2. Основные требования к результатам работы

2.1. Технические требования:

2.1.1. В результате выполнения проекта должна быть разработана лабораторная технология МПЭ и получены прототипы гетероструктур для УФ-СИД спектрального диапазона 260-300 нм, обеспечивающие необходимые условия для проведения приборно-ориентированной ОКР и ТР;

2.1.2. Разработанные технологии должны соответствовать уровню, достигнутому в ведущих научных центрах мира и обеспечивать получение приборных структур с параметрами, не уступающими лучшим мировым образцам;

2.1.3. Работа должна быть ориентирована на создание отечественного технологического оборудования МПЭ и максимально использовать опыт, полученный на работе с аналогичным импортным оборудованием;

2.1.4. В рамках проведения работы должно быть предусмотрено привлечение студентов базовых кафедр и молодых специалистов;

2.1.5. Научно-практические результаты проекта должны быть патентно-чистыми и защищены патентами РФ и стран - потенциальных потребителей.

2.2. Экономические показатели.

Разрабатываемая технология должна быть изначально ориентирована на последующую коммерциализацию в компании-производителе УФ-СИД.

2.3. Достижения значений индикаторов по данному мероприятию Программы.

3. Содержание основных работ

3.1. Разработка технологии получения твердых растворов AlGaN в полном диапазоне изменения состава (GaN-AIN) на сапфире методом МПЭ с использованием аммиака в качестве источника активного азота.

3.2. Выявление факторов, определяющих максимальную эффективность излучательной рекомбинации в гетероструктурах AlGaN/GaN в заданном УФ-диапазоне, и определение предельно допустимых уровней р- и n-легирования.

3.3. Выбор перспективных конструкций и получение прототипов приборных гетероструктур УФ-СИД, обладающих ультрафиолетовой фото- и электролюминесценцией в диапазоне длин волн 260-300 нм.

3.4. Обеспечение защиты прав интеллектуальной и промышленной собственности.

4. Лимит бюджетного финансирования: всего - 6,3 млн. рублей, в том числе на 2005 год - 3,0 млн. рублей (мероприятие 1.2 Программы).

5. Сроки выполнения: 2005 - 2006 годы.

ЛОТ 2

ИТ-12.6/002. Разработка приемников и перестраиваемых фильтров на основе высокотемпературных сверхпроводников.

1. Цель работы

Выяснение предельных параметров ВЧ- и СВЧ-устройств на основе высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), в том числе с перестройкой частоты в широких пределах. Выявление источников деградации ВТСП-пленок. Разработка ключевых элементов телекоммуникационного тракта: 1) миниатюрного интегрального приемника диапазона 0.5-1.2 ТГц со сверхпроводниковым смесителем и гетеродином; 2) высокодобротных фильтров с возможностью перестройки частоты в пределах одной-двух октав в диапазоне 10-120 МГц; 3) ИК-болометра с электротепловой отрицательной обратной связью, обнаружительной способностью до .

2. Основные требования к результатам работы

2.1. Технические требования:

2.1.1. Выяснение предельных параметров устройств на основе ВТСП, их надежности, сроков жизни должны быть проведены на основе постановки:

а) технологических исследований с использованием современных пленочных технологий; б) экспериментальных исследований образцов и макетов приборов с привлечением многопрофильных диагностических комплексов (структурные свойства, электрофизические параметры, уровень фликер-шума); в) теоретических исследований с использованием современных представлений о механизмах деградации и природе нормальной и сверхпроводящей фаз;

2.1.2. Разрабатываемые приборы на основе ВТСП должны обеспечить заметное преимущество по сравнению с приборами, использующими другие физические эффекты. В частности, в телекоммуникации - по избирательности, разрешающей способности и уровню шума ВЧ- и СВЧ-фильтров и скорости обработки сигналов в телекоммуникационных системах;

2.1.3. Разрабатываемые технологии должны быть основаны на едином научно-техническом заделе и унифицированном аппаратно-методическом комплексе, используемом в современных телекоммуникационных трактах;

2.1.4. Разрабатываемые физические и технологические принципы роста сверхпроводящих пленок и гибридных структур на их основе должны способствовать развитию базового материаловедения и обеспечению, в перспективе, технологической независимости государства;

2.1.5. Технические решения должны быть исследованы на патентную чистоту, иметь мировой приоритет и защищены патентами;

2.1.6. Для технических решений, на основе которых возможно создание объектов коммерциализации, необходимо проведение исследований возможных секторов рынка, оценки его объема, характеристик альтернативных решений и конкурирующих фирм;

2.2. Экономические показатели.

Разработанные сверхпроводниковые приборы, благодаря своим уникальным характеристикам, должны иметь широкие перспективы для использования в телекоммуникации, космической и мобильной связи, для радиоастрономических наблюдений и мониторинга примесей в атмосфере, а также в медицине.

2.3. Достижение значений индикаторов по данному мероприятию Программы.

3. Содержание основных работ

3.1. Проведение научно-исследовательских работ по развитию физических и технологических принципов роста сверхпроводящих пленок, многослойных и композиционных структур на их основе, демонстрация результатов в конкретных ситуациях.

3.2. Оптимизация технологии получения ВТСП-пленок и приборов на основе использование результатов технологических, экспериментальных и теоретических исследований механизмов деградации и природы нормальной и сверхпроводящей фаз ВТСП-соединений.

3.3. Развитие аппаратурно-методической базы для измерений предельных параметров ВЧ- и СВЧ-фильтров с перестройкой частоты в широких пределах, болометров с электротепловой отрицательной обратной связью мембранных и матричных приемников.

3.4. Развитие теории работы ВТСП-болометров с активной и пассивной отрицательной электротепловой обратной связью, разработка технологии и исследование макетных образцов с обнаружительной способностью до .

3.5. Создание макета микроволнового спектрометра диапазона 0,5-1,2 ТГц на основе перестраиваемого сверхпроводникового интегрального приемника.

3.6. Проведение работ по обеспечению защиты прав интеллектуальной собственности в соответствии с действующим законодательством Российской Федерации и международным правом.

4. Лимит бюджетного финансирования: всего - 6,0 млн. рублей, в том числе на 2005 год - 3,0 млн. рублей (мероприятие 1.2 Программы).

5. Сроки выполнения: 2005 - 2006 годы.

ЛОТ 3.

ИТ-13.6/001. Разработка технологии изготовления нитридных гетероструктур на подложках нитрида алюминия для СВЧ-транзисторов.

1. Цель работы

Разработка технологии получения нитридных структур для СВЧ-транзисторов диапазона 8-12 ГГц с параметрами мирового уровня.

2. Основные требования к результатам работы

2.1. Технические требования:

2.1.1. Разрабатываемая технология должна быть ориентирована на создание элементной базы полупроводниковых радиолокационных станций; гетероструктура, как ключевой элемент транзистора, должна обеспечить необходимые СВЧ-мощностные характеристики и возможность эффективного отвода тепла;

2.1.2. В результате выполнения проекта должна быть разработана технология получения гетероструктур с двумерным электронным газом для мощных СВЧ-транзисторов на объёмных малодефектных подложках AlN;

2.1.3. Разработанная технология должна базироваться на отечественных материалах и отечественном оборудовании;

2.1.4. Научно-практические результаты проекта должны быть патентно-чистыми и, при необходимости, защищены патентом Российской Федерации;

2.1.5. В рамках проекта должно быть предусмотрено привлечение студентов профильных кафедр ВУЗов и молодых специалистов.

2.2. Экономические показатели.

Разрабатываемая технология должна быть изначально ориентирована на последующую коммерциализацию на предприятиях, выпускающих СВЧ-элементную базу.

2.3. Достижение значений индикаторов по данному мероприятию Программы

3. Содержание основных работ

3.1. Исследование и отработка технологических режимов получения гетероструктур в системе AlGaN-GaN/AIN с подвижностью электронов не менее при концентрации в двумерном канале не менее .

3.2. Разработка конструкции нитридных гетероструктур для изготовления мощных СВЧ-транзисторов. Изготовление экспериментальных образцов гетероструктур, измерение их параметров.

3.3. Разработка лабораторной технологии изготовления нитридных гетероструктур на подложках нитрида алюминия для СВЧ-транзисторов.

3.4. Изготовление и тестирование макетных образцов нитридных гетероструктур. Изготовление тестовых элементов транзисторов на выращенных гетероструктурах и исследование их параметров.

3.5. Разработка Технических условий на гетероструктуры.

4. Лимит бюджетного финансирования: всего - 10,5 млн. рублей, в том числе на 2005 год - 5,0 млн. рублей (мероприятие 1.3 Программы).

5. Сроки выполнения: 2005 - 2006 годы.

ЛОТ 4.

ИТ-22.3/002. Разработка технологии создания высокопроизводительных модульно-наращиваемых многопроцессорных вычислительных систем с программируемой архитектурой на основе реконфигурируемой элементной базы.

1. Цель работы

Технологическая разработка и проведение опытно-конструкторских работ по созданию высокопроизводительных модульно-наращиваемых вычислительных систем с программируемой архитектурой и структурно-процедурной организацией параллельных вычислений для решения вычислительно-труд