Приложение L (обязательное). Матрица повторных испытаний корпусированных светодиодов

Приложение L
(обязательное)

Матрица повторных испытаний корпусированных светодиодов

Таблица L.1 устанавливает требования к проведению повторных испытаний при внесении изменений в изделие/технологический процесс.

Примечание - Таблица L.1 разработана на основе документа ZVEI.

Таблица L.1 - Матрица повторных испытаний

Вид изменения

8.6.3 Продолжительность горения при работе в условиях высокой температуры (HTOL-испытание)

8.6.4 Термоциклирование (TMСL-испытание)

8.6.5 Продолжительность горения при работе в условиях высокой температуры и влажности (WHTOL-испытание)

8.6.6 Термоциклирование во включенном состоянии (PTMCL-испытание)

8.6.7 Электростатический разряд с использованием модели человеческого тела (ESD-НВМ- испытание)

8.6.8 Электростатический разряд с использованием модели механического устройства (ESD-MM-испытание)

8.6.10 Проверка физических размеров (PD -испытание)

8.6.11 Вибрация переменной частоты (VVF-испытание)

8.6.12 Механический удар (MS-испытание)

8.6.13 Теплостойкость при пайке (RSH -TTW-испытание)*

8.6.14 Теплостойкость при пайке (RSH-reflow-испытание)**

8.6.15 Способность к пайке (SO-испытание)

8.6.16 Тепловой удар (TMSK-испытание)

8.6.17 Воздействие сероводорода ( -испытание)

8.6.18 Продолжительность горения при работе в импульсном режиме (PLT-испытание)

8.6.19 Воздействие от выпадения росы (DEW-испытание)

8.6.20 Коррозия в среде текущей газовой смеси (FMG-испытание)

Конструкция

Изменение конструкции активных компонентов

X

нп

X

X

X

X

нп

нп

нп

нп

нп

нп

нп

нп

Х

Х

нп

Изменение трассировки проводников

X

X

X

X

нп

нп

нп

нп

нп

Х

Х

нп

Х

Х

Х

Х

Х

Корпусированный СД

X

X

X

X

нп

нп

X

Х

Х

Х

Х

Х

Х

Х

С

X

Х

Размер/уменьшение объема чипа светодиода

X

X

X

X

X

X

нп

нп

нп

Х

Х

нп

нп

нп

Х

нп

нп

Технологический процесс

Изготовление полупроводниковой пластины

Новый материал

Материал полупроводниковой пластины

Х

С

С

Х

С

С

нп

нп

нп

Х

Х

нп

С

С

Х

С

С

Диаметр пластины

Х

нп

Х

нп

С

С

нп

нп

нп

Х

Х

нп

нп

нп

Х

нп

нп

Конечная толщины пластины

Х

Х

нп

Х

С

С

нп

нп

нп

нп

нп

нп

нп

нп

Х

нп

нп

Электрически активная примесь/элемент внедрения

Х

нп

С

нп

С

С

нп

нп

нп

нп

нп

нп

нп

нп

Х

нп

нп

Оксид/диэлектрик

Х

нп

Х

Х

С

С

нп

нп

нп

нп

нп

нп

нп

нп

Х

С

нп

Металлизация (лицевая сторона чипа)

Х

Х

Х

Х

С

С

нп

нп

нп

нп

нп

нп

Х

Х

Х

Х

Х

Металлизация (оборотная сторона чипа)

Х

Х

Х

Х

С

С

нп

нп

нп

Х

Х

нп

Х

Х

Х

Х

Х

Пассивация/покрытие кристалла

Х

Х

Х

С

С

С

нп

нп

нп

нп

нп

нп

нп

С

нп

С

С

Изменение технологического приема

С

С

С

С

нп

нп

нп

нп

нп

нп

нп

нп

С

С

С

С

С

Замена поставщика материала, затрагивающая согласованные требования

Х

нп

нп

Х

нп

нп

нп

нп

нп

Х

Х

нп

нп

нп

Х

нп

нп

Сборка

Новый материал

Корпус

С

Х

С

С

нп

нп

Х

С

С

Х

Х

нп

С

С

нп

С

С

Основной материал рамки с выводами

нп

Х

Х

С

нп

нп

нп

нп

нп

Х

Х

Х

С

Х

нп

С

Х

Отделочный материал рамки с выводами

нп

Х

Х

Х

нп

нп

нп

нп

нп

Х

Х

Х

С

Х

нп

С

Х

Материал крепления кристалла

Х

Х

Х

Х

нп

нп

нп

С

С

Х

Х

нп

С

Х

нп

С

Х

Материал проволочного соединения

Х

Х

С

Х

нп

нп

нп

С

С

Х

Х

нп

С

С

Х

нп

С

Подложка корпусированного СД (корпус BGA)

С

Х

Х

С

нп

нп

нп

нп

нп

Х

Х

Х

С

Х

нп

С

Х

Материал/структура люминофора

Х

С

Х

Х

нп

нп

нп

С

С

Х

Х

нп

С

С

нп

С

С

Формовочный компаунд, материал для герметизации/заливки

Х

Х

Х

С

нп

нп

нп

нп

нп

Х

Х

Х

С

Х

нп

С

Х

Изменение технологического приема (например, крепления кристалла, образования соединений, нанесения покрытий)

Х

Х

Х

С

нп

нп

нп

С

С

С

С

нп

С

С

С

С

С

Замена поставщика материала, затрагивающая согласованные требования

Х

Х

Х

С

нп

нп

нп

нп

нп

Х

Х

С

С

С

нп

С

С

Логистика/Объем выпуска/Испытания

Оборудование

Изготовление на новом оборудовании/инструменте с другой стороны

С

Х

С

С

нп

нп

нп

нп

нп

Х

Х

С

С

нп

нп

нп

нп

Изготовление на новом оборудовании/инструменте с той же основной технологией

нп

С

С

С

нп

нп

нп

нп

нп

нп

нп

С

С

нп

нп

нп

нп

Замена типа оборудования для заключительных испытаний на оборудование с другой технологией

нп

нп

нп

С

Х

Х

нп

нп

нп

нп

нп

С

нп

нп

С

нп

нп

Технологический маршрут

Перемещение всего или части полупроводникового производства в другое и предварительно не подготовленное место/площадку/субподрядчику

Х

Х

Х

С

Х

Х

нп

нп

нп

Х

Х

нп

С

нп

Х

нп

нп

Перемещение всего или части сборочного производства в другое и предварительно не подготовленное место/площадку/субподрядчику

Х

Х

Х

С

С

С

С

С

С

Х

Х

С

С

Х

нп

С

С

* Данное испытание применимо только к корпусированным СД, по заявлению изготовления способным выдержать пайку волной припоя. ** Данное испытание применимо только к корпусированным СД, предназначенным для пайки расплавлением дозированного припоя. Обозначения: Х - испытание рекомендуется; С - испытание рекомендуется на основе оценки типа светодиода и риска; нп - не применимо для данного изменения.