Вы можете открыть актуальную версию документа прямо сейчас.
Если вы являетесь пользователем интернет-версии системы ГАРАНТ, вы можете открыть этот документ прямо сейчас или запросить по Горячей линии в системе.
Вход
- Главная
- Национальный стандарт РФ ГОСТ Р ИСО 16242-2016 "Государственная система обеспечения единства измерений. Химический анализ поверхности. Оже-электронная спектроскопия. Регистрация и представление данных" (утв. и введен в действие приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 1 сентября 2016 г. N 1018-ст)
- Приложение А (справочное). Примеры спектров
Приложение А (справочное). Примеры спектров
Приложение А
(справочное)
Примеры спектров
Рисунки с А.1 по А.4 являются примерами спектров, отображающих данные, полученные из меди до и после ионного распыления.
Рисунки А.5 и А.6 являются примерами профилей распределения элементов по глубине, полученных с помощью ОЭС.
Рисунок А.7 является примером набора карт состава, полученных с помощью ОЭС.
Рисунок А.1 - До распыления ионным пучком. Спектр, полученный непосредственно
Рисунок А.2 - До распыления ионным пучком. Спектр, полученный путем дифференцирования
Рисунок А.3 - После распыления ионным пучком. Спектр, полученный непосредственно
Рисунок А.4 - После распыления ионным пучком. Спектр, полученный путем дифференцирования
Рисунок А.5 - Полученный с помощью ОЭС профиль распределения элементов по глубине в слое SiO2, использованном для калибровки скорости распыления ионами аргона.
Отсчеты взяты из высоты пиков в спектре, полученном путем дифференцирования
Рисунок A.6 - Монтаж спектров, показывающий профили распределения элементов по глубине, полученные с помощью ОЭС из двуокиси кремния на кремнии для кислорода (О KLL, спектры в левой части рисунка) и кремния (Si LVV, спектры в центре рисунка).
Каждый спектр Оже-электронов соответствует определенному значению координаты вглубь образца, определяемому временем травления образца. Время травления указано в правой части рисунка (изображение воспроизведено из "The CASA Сооkbоок" [6])
Рисунок А.7 - Карты, полученные с помощью ОЭС, и изображение, полученное во вторичных электронах, записанные с вытравленного ионами кратера, находящегося на краю канавки окисления в многослойном образце GaAs/AIGaAs (источник: С. Уайт, Национальный институт стандартов и технологий, США).