Купить систему ГАРАНТ Получить демо-доступ Узнать стоимость Информационный банк Подобрать комплект Семинары
  • ТЕКСТ ДОКУМЕНТА
  • АННОТАЦИЯ
  • ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ ДОП. ИНФОРМ.

ГОСТ Р 57902-2017 (IЕС/ТS 62804-1:2015) Модули фотоэлектрические. Испытания на деградацию, вызванную высоким напряжением. Часть 1. Фотоэлектрические модули на основе кристаллического кремния

Вы можете открыть актуальную версию документа прямо сейчас.

Если вы являетесь пользователем интернет-версии системы ГАРАНТ, вы можете открыть этот документ прямо сейчас или запросить по Горячей линии в системе.

 

Текст документа представлен в информационных целях. Представление настоящего документа в ЭПС "Система ГАРАНТ" не является официальным изданием

 

Национальный стандарт РФ ГОСТ Р 57902-2017 (IEC/TS 62804-1:2015)
"Модули фотоэлектрические. Испытания на деградацию, вызванную высоким напряжением. Часть 1. Фотоэлектрические модули на основе кристаллического кремния"
(утв. приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 3 ноября 2017 г. N 1645-ст)

 

Photovoltaic modules. Potential induced degradation tests. Part 1. Crystalline silicon photovoltaic modules

 

ОКС 27.160

 

Дата введения - 2018-07-01

 

1 ПОДГОТОВЛЕН Обществом с ограниченной ответственностью "ВИЭСХ-ВОЗОБНОВЛЯЕМЫЕ ИСТОЧНИКИ ЭНЕРГИИ" (ООО "ВИЭСХ-ВИЭ") на основе собственного перевода на русский язык англоязычной версии международного документа, указанного в пункте 4

 

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 016 "Электроэнергетика"

 

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 3 ноября 2017 г. N 1645-ст

 

4 Настоящий стандарт является модифицированным по отношению к международному документу IEC/TS 62804-1:2015 "Модули фотоэлектрические. Методы испытания на деградацию, вызванную электрическим потенциалом. Часть 1. Фотоэлектрические модули на основе кристаллического кремния" (IEC/TS 62804-1:2015 "Photovoltaic (PV) modules - Test methods for the detection of potential induced degradation - Part 1: Crystalline silicon", MOD) путем изменения отдельных фраз, слов, ссылок, которые выделены в тексте курсивом.

Внесение указанных технических отклонений направлено на учет потребностей национальной экономики Российской Федерации и особенностей объекта стандартизации, характерных для Российской Федерации.

Наименование настоящего стандарта изменено относительно наименования указанного международного документа для приведения в соответствие с ГОСТ Р 1.5-2012 (пункт 3.5).

Сведения о соответствии ссылочных национальных и межгосударственных стандартов международным стандартам, использованным в качестве ссылочных в примененном международном документе, приведено в дополнительном приложении ДА

 

5 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ