Откройте актуальную версию документа прямо сейчас
Если вы являетесь пользователем интернет-версии системы ГАРАНТ, вы можете открыть этот документ прямо сейчас или запросить по Горячей линии в системе.
Раздел 1
N пункта | Наименование* | Код ТН ВЭД** |
Категория 1. Перспективные материалы | ||
1.1. 1.1.1. 1.1.1.1. 1.1.1.2. 1.1.1.3. 1.1.2. 1.1.2.1. 1.1.2.2. 1.1.2.2.1. 1.1.2.2.2. 1.1.3. 1.1.4. 1.1.4.1. 1.1.4.2. 1.1.4.3. 1.1.5. 1.1.6. 1.1.6.1. 1.1.6.2. 1.1.7. 1.1.7.1. 1.1.7.2. 1.1.7.2.1. 1.1.7.2.2. 1.1.7.2.3. 1.1.7.2.4. 1.2. 1.2.1. 1.2.1.1. 1.2.1.2. 1.2.1.3. 1.2.1.4. 1.2.1.4.1. 1.2.1.4.2. 1.2.1.4.3. 1.2.1.4.4. 1.2.1.5. 1.2.1.6. 1.2.1.6.1. 1.2.1.6.2. 1.2.2. 1.2.3. 1.3. 1.3.1. 1.3.1.1. 1.3.1.2. 1.3.1.3. 1.3.1.3.1. 1.3.1.3.2. 1.3.1.3.3. 1.3.1.3.4. 1.3.1.3.5. 1.3.2 1.3.2.1. 1.3.2.1.1. 1.3.2.1.2. 1.3.2.2. 1.3.2.2.1. 1.3.2.2.2. 1.3.2.2.3. 1.3.2.2.4. 1.3.2.2.5. 1.3.2.3. 1.3.2.3.1. 1.3.2.3.1.1. 1.3.2.3.1.2. 1.3.2.3.1.3. 1.3.2.3.1.4. 1.3.2.3.1.5. 1.3.2.3.2. 1.3.2.3.3. 1.3.2.4. 1.3.3. 1.3.3.1. 1.3.3.2. 1.3.3.3. 1.3.4. 1.3.5. 1.3.5.1. 1.3.5.2. 1.3.5.3. 1.3.6. 1.3.6.1. 1 3.6.1.1. 1.3.6.1.2. 1.3.6.2. 1.3.6.2.1. 1.3.6.2.2. 1.3.6.3. 1.3.6.3.1. 1.3.6.3.2. 1.3.6.3.3. 1.3.6.4. 1.3.7. 1.3.7.1. 1.3.7.2. 1.3.7.3. 1.3.7.4. 1.3.7.5. 1.3.7.6. 1.3.8. 1.3.8.1. 1.3.8.1.1. 1.3.8.1.2. 1.3.8.1.3. 1.3.8.1.4. 1.3.8.2. 1.3.8.3. 1.3.8.4. 1.3.8.5. 1.3.9. 1.3.9.1. 1.3.9.2. 1.3.9.3. 1.3.10. 1.3.10.1. 1.3.10.2. 1.3.10.3. 1.3.10.4. 1.3.10.4.1. 1.3.10.4.1.1 . 1.3.10.4.1.2 . 1.3.10.4.2. 1.3.10.5. 1.3.11. 1.3.11.1. 1.3.11.2. 1.3.11.3. 1.3.11.4. 1.3.12. 1.3.12.1. 1.3.12.2. 1.4. 1.4.1. 1.4.2. 1.4.3. 1.5. 1.5.1. 1.5.2. 1.5.2.1. 1.5.2.2. 1.5.2.3. 1.5.2.3.1. 1.5.2.3.2. 1.5.2.4. 1.5.2.5. 1.5.2.6. 1.5.2.7. |
Системы, оборудование и компоненты Компоненты, изготовленные из фторированных соединений: Уплотнения, прокладки, уплотнительные материалы или топливные диафрагмы, специально разработанные для применения в летательных или аэрокосмических аппаратах и изготовленные из материалов, содержащих более 50% (по весу) любого материала, определенного в пункте 1.3.9.2 или 1.3.9.3; Пьезоэлектрические полимеры и сополимеры в виде листа или пленки толщиной более 200 мкм, изготовленные из фтористых винилиденовых материалов, определенных в пункте 1.3.9.1; Уплотнения, прокладки, седла клапанов, диафрагмы или мембраны, изготовленные из фторэластомеров, содержащих по крайней мере одну группу винилового эфира как структурную единицу, специально разработанные для летательных, аэрокосмических аппаратов или ракет Конструкции из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, имеющие любую из следующих составляющих: Состоящие из органической матрицы и материалов, определенных в пункте 1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5; или Состоящие из металлической или углеродной матрицы и любого из следующего: Углеродных волокнистых или углеродных нитевидных материалов, имеющих все следующие характеристики: а) удельный модуль упругости, превышающий 10,15 х 10(6) м; и б) удельную прочность при растяжении, превышающую 17,7 х 10(4) м; или Материалов, определенных в пункте 1.3.10.3 Примечания. 1. Пункт 1.1.2 не применяется к элементам конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры с размерами, не превышающими 100 см х 100 см, изготовленным из пропитанных эпоксидной смолой углеродных волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта гражданских летательных аппаратов 2. Пункт 1.1.2 не применяется к полностью или частично изготовленным конструкциям, специально разработанным для следующего только гражданского использования: а) в спортивных товарах; б) в автомобильной промышленности; в) в станкостроительной промышленности; г) в медицинских целях Особое примечание. В отношении конструкций из композиционных материалов, указанных в пунктах 1.1.2 - 1.1.2.2.2, см. также пункты 1.1.1 - 1.1.1.2.2 раздела 2 и пункт 1.1.1 раздела 3. Изделия из нефторированных полимерных материалов, определенных в пункте 1.3.8.1.3, в виде пленки, листа, ленты или полосы, имеющие любую из следующих характеристик: а) толщину более 0,254 мм; или б) покрытие или ламинирование углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами Примечание. Пункт 1.1.3 не применяется к изделиям, покрытым или ламинированным медью и разработанным для производства электронных печатных плат Защитное снаряжение, аппаратура систем обнаружения и комплектующие изделия, не специально разработанные для военного применения: Противогазы, коробки противогазов с фильтрами и оборудование для их обеззараживания, разработанные либо модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты: а) бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях; б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии; или г) химических средств для борьбы с массовыми беспорядками, включающих: альфа-бромбензацетонитрил (бромбензил цианид) (СА) (КАС 5798-79-8); [(2-хлорфенил) метилен] пропандинитрил (о-хлорбензальмалононитрил) (CS) (КАС 2698-41-1); 2-хлор-1-фенил-этанон, хлористый фенацил (омега-хлорацетофенон) (CN) (КАС 532-27-4); дибенз-(b,f)-1,4-оксазепин (CR) (КАС 257-07-8); 10-хлор-5,10-дигидрофенарсазин, (хлористый фенарсазин), (адамсит) (DM) (КАС 578-94-9); N-нонилморфолин (MPА) (КАС 5299-64-9); Защитные костюмы, перчатки и обувь, специально разработанные или модифицированные для защиты от любого из нижеприведенных поражающих факторов: а) бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях; б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; или в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии; Системы, специально разработанные или модифицированные для обнаружения или распознавания любого из нижеприведенных поражающих факторов, а также специально разработанные для них компоненты: а) бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях; б) радиоактивных материалов, которые могут быть использованы в военных целях; или в) токсичных химикатов, используемых в химическом оружии Примечание. Пункт 1.1.4 не применяется: а) к персональным радиационным дозиметрам; б) к снаряжению или системам, ограниченным конструктивно или функционально применением в технике безопасности в гражданских областях, таких, как горное дело, работы в карьерах, сельское хозяйство, фармацевтическая и медицинская промышленность, ветеринария, охрана окружающей среды, сбор и утилизация отходов или пищевая промышленность Технические примечания: 1. Пункт 1.1.4 включает снаряжение, системы и их компоненты, которые были сертифицированы, либо их работоспособность в отношении обнаружения или защиты от радиоактивных материалов, бактериологических (биологических) агентов или токсинов, которые могут быть использованы в военных целях, токсичных химикатов, используемых в химическом оружии, имитирующих продуктов (заменителей) или химических средств для борьбы с массовыми беспорядками была подтверждена испытаниями, проведенными в соответствии с национальными стандартами, или иным способом, даже если такие системы, снаряжение или их компоненты используются в гражданских областях, таких, как горное дело, работы в карьерах, сельское хозяйство, фармацевтическая и медицинская промышленность, ветеринария, охрана окружающей среды, сбор и утилизация отходов или пищевая промышленность 2. Имитирующие продукты (заменители) - вещества или материалы, которые используются вместо токсичных веществ (химических или биологических) для обучения, исследования, опробования или оценки Бронежилеты и специально разработанные для них компоненты, изготовленные не по военным стандартам или техническим условиям и не равноценные им по характеристикам Примечания: 1. Пункт 1.1.5 не применяется к бронежилетам или защитной одежде, которые вывозятся пользователем для собственной индивидуальной защиты 2. Пункт 1.1.5 не применяется к броне- жилетам, разработанным для обеспечения только фронтальной защиты как от осколков, так и от взрыва невоенных взрывных устройств Особое примечание. Для нитевидных и волокнистых материалов, используемых в производстве бронежилетов, см. пункт 1.3.10 Оборудование, специально разработанное или модифицированное для обезвреживания самодельных взрывных устройств, приведенное ниже, а также специально разработанные компоненты и принадлежности для него: Дистанционно управляемые транспортные средства; Подрыватели (разрушители) Техническое примечание. Подрыватели (разрушители) - устройства, специально разработанные для предотвращения срабатывания взрывного устройства путем воздействия жидкостью, твердым или хрупким снарядом Примечание. Пункт 1.1.6 не применяется к оборудованию, которое не является предметом передачи или обмена и сопровождается его оператором Оборудование и устройства, специально разработанные для инициации зарядов и взрывных устройств воздействием электричества: Запускающие устройства (запальные системы), разработанные для приведения в действие детонаторов взрывчатого вещества, определенных в пункте 1.1.7.2; Электродетонаторы взрывчатого вещества, такие, как: Детонаторы с взрывающимся мостиком (ВМ) (искровые детонаторы); Детонаторы с взрывающейся перемычкой из провода (токовые детонаторы); Детонаторы с ударником (пробойником) (детонаторы ударного действия); Инициаторы с взрывающейся фольгой Технические примечания: 1. Понятие "детонатор" также включает понятие "инициатор" или "зажигатель" 2. Для целей пункта 1.1.7.2 во всех описанных в нем детонаторах используется небольшой электрический проводник (мостик, перемычка из провода или фольга), который испаряется со взрывом, вызванным прохождением через него короткого сильноточного электрического импульса. В детонаторах безударного действия взрывающийся проводник инициирует химическую детонацию в контактирующем с ним бризантном взрывчатом веществе, таком, как ТЭН (PETN) - тетранитропентаэритрит. В детонаторах ударного действия (типа "Слэппер") вызванное взрывом испарение электрического проводника приводит в действие боек или пробойник, который воздействует на взрывчатое вещество и инициирует химическую детонацию. В некоторых конструкциях ударник приводится в движение силой магнитного поля. Термин "инициатор со взрывающейся фольгой" может относиться как к ВМ, так и к детонатору ударного действия (типа "Слэппер") Испытательное, контрольное и производственное оборудование Оборудование для производства волокон, препрегов, преформ или композиционных материалов, контролируемых по пункту 1.1.2 или 1.3.10, а также специально разработанные для него компоненты и вспомогательные устройства: Машины для намотки волокон, специально разработанные для производства конструкций из композиционных материалов слоистой структуры из волокнистых или нитевидных материалов, в которых движения, связанные с позиционированием, пропиткой и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более направлениям; Машины для выкладки ленты или жгута, в которых движения, связанные с позиционированием и укладкой ленты, жгута или их слоев, координируются и программируются по двум или более осям и которые специально разработаны для производства элементов конструкций летательных аппаратов или ракет из композиционных материалов; Многокоординатные ткацкие машины или машины для плетения, включая приспособления и устройства для плетения, ткачества, переплетения волокон, предназначенные для получения объемных структур, являющихся заготовками для конструкций из композиционных материалов Техническое примечание. Для целей пункта 1.2.1.3 плетение включает вязание Примечание. По пункту 1.2.1.3 не контролируется текстильное оборудование, не модифицированное для вышеуказанного конечного применения; Оборудование, специально разработанное или приспособленное для производства армирующих волокон: Оборудование для превращения полимерных волокон (таких, как полиакрилонитриловые, вискозные, пековые или поликарбосилановые) в углеродные или карбидкремниевые волокна, включая специальное оборудование для натяжения волокон при нагреве; Оборудование для химического осаждения элементов или соединений из паровой фазы на нагретую нитевидную подложку в целях производства карбидкремниевых волокон; Оборудование для получения тугоплавких керамических волокон (например, из оксида алюминия) по мокрому способу; Оборудование для преобразования путем термообработки волокон алюминийсодержащих прекурсоров в волокна оксида алюминия; Оборудование для производства препрегов, контролируемых по пункту 1.3.10.5, методом горячего плавления; Оборудование для неразрушающего контроля, специально разработанное для композиционных материалов, такое, как: Системы рентгеновской томографии для трехмерного обнаружения дефектов; Установки ультразвуковой дефектоскопии с числовым программным управлением, в которых перемещения для позиционирования трансмиттеров и/или приемников одновременно координируются и программируются по четырем или более осям, чтобы отслеживать трехмерные контуры обследуемого объекта Оборудование, специально разработанное для исключения загрязнения при производстве металлических сплавов, порошков металлических сплавов или легированных материалов и использования в одном из процессов, указанных в пункте 1.3.2.3.2 Инструменты, пресс-формы, матрицы или арматура для формообразования в условиях сверхпластичности или диффузионной сварки титана, алюминия или их сплавов, специально разработанные для производства: а) корпусных авиационных или аэрокосмических конструкций; б) двигателей для летательных или аэрокосмических аппаратов; или в) конструктивных элементов, специально разработанных для таких конструкций или двигателей Материалы Техническое примечание. Термины "металлы" и "сплавы", если специально не оговорено иное, относятся к следующим необработанным формам и полуфабрикатам: а) необработанные формы - аноды, блюмы, болванки, брикеты, бруски, гранулы, губка, дробь, катоды, кольца, кристаллы, спеки, заготовки металла неправильной формы, листы, окатыши, плитки, поковки, порошки, прутки (включая надрубленные прутки и заготовки для проволоки), слитки, слябы, стаканы, сутунки, чушки, шары; б) полуфабрикаты (независимо от того, имеют они плакирование, покрытие, сверления, пробитые отверстия или нет): 1) материалы, подвергнутые обработке давлением или иным способом, полученные путем прокатки, волочения, штамповки выдавливанием, ковки, штамповки ударным выдавливанием, прессования, гранулирования, распыления и размалывания, а именно: диски, изделия прессованные и штампованные, кольца, ленты, листы, плиты, поковки, полосы, порошки, профили, прутки (включая непокрытые сварочные прутки, присадочную проволоку и катанку), пудры, трубы круглого и квадратного сечения, уголки, фасонные профили, фольга и тонкие листы, чешуйки, швеллеры; 2) отливки, полученные литьем в любые формы (песчаные, металлические, гипсовые и другие), включая полученные литьем под давлением, а также спеченные заготовки и заготовки, полученные методами порошковой металлургии. Цель контроля не должна нарушаться при экспорте не указанных выше заготовок или полуфабрикатов, выдаваемых за готовые изделия, но, по существу, представляющих собой контролируемые заготовки или полуфабрикаты Материалы, специально разработанные для поглощения электромагнитных волн, или полимеры, обладающие собственной проводимостью: Материалы для поглощения электромагнитных волн в области частот от 2 х 10(8) Гц до 3 х 10(12) Гц Примечания: 1. По пункту 1.3.1.1 не контролируются: а) поглотители войлочного типа, изготовленные из натуральных и синтетических волокон, содержащие немагнитный наполнитель; б) поглотители, не имеющие магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности; в) плоские поглотители, обладающие всеми следующими признаками: 1) изготовленные из любых следующих материалов: вспененных полимерных материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связующие, обеспечивающих более 5% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на +- 15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 450 К (177°С); или керамических материалов, обеспечивающих более 20% отражения по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от средней частоты падающей энергии более чем на +- 15%, и не способных выдерживать температуры, превышающие 800 К (527°С); 2) прочностью при растяжении менее 7 х 10(6) Н/кв. м; и 3) прочностью при сжатии менее 14 х 10(6) Н/кв. м; г) плоские поглотители, выполненные из спеченного феррита, имеющие: удельный вес более 4,4 г/куб. см; и максимальную рабочую температуру 548 К (275°С) 2. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании 1 к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках Техническое примечание. Образцы для проведения испытаний на поглощение, приведенные в подпункте 1 пункта "в" примечания 1 к пункту 1.3.1.1, должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн средней частоты и располагаться в дальней зоне излучающего элемента; Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих 1,5 х 10(14) Гц, но ниже чем 3,7 х 10(14) Гц, и непрозрачные для видимого света; Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью выше 10 000 См/м (Сименс/м) или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 Ом/кв. м, полученные на основе любого из следующих полимеров: Полианилина; Полипиррола; Политиофена; Полифенилен-винилена; или Политиенилен-винилена Техническое примечание. Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или ее национальным эквивалентом Особое примечание. В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.1 - 1.3.1.3.5, см. также пункты 1.3.1 - 1.3.1.3.5 разделов 2 и 3 Металлические сплавы, порошки металлических сплавов и легированные материалы следующих типов: Алюминиды: Алюминиды никеля, содержащие от 15 до 38% (по весу) алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент; Алюминиды титана, содержащие 10% (по весу) или более алюминия и по крайней мере один дополнительный легирующий элемент; Металлические сплавы, изготовленные из материалов, контролируемых по пункту 1.3.2.3: Никелевые сплавы с: а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 676 МПа и температуре 923 К (650°С); или б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 823 К (550°С) и максимальном напряжении цикла 1095 МПа; Ниобиевые сплавы с: а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 400 МПа и температуре 1073 К (800°С); или б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 973 К (700°С) и максимальном напряжении цикла 700 МПа; Титановые сплавы с: а) ресурсом длительной прочности 10 000 часов или более при напряжении 200 МПа и температуре 723 К (450°С); или б) малоцикловой усталостью 10 000 циклов или более при температуре 723 К (450°С) и максимальном напряжении цикла 400 МПа; Алюминиевые сплавы с пределом прочности при растяжении: а) 240 МПа или выше при температуре 473 К (200°С); или б) 415 МПа или выше при температуре 298 К (25°С); Магниевые сплавы: а) с пределом прочности при растяжении 345 МПа или выше; и б) со скоростью коррозии в 3-процентном водном растворе хлорида натрия менее 1 мм в год, измеренной в соответствии со стандартной методикой ASTM G-31 или ее национальным эквивалентом; Порошки металлических сплавов или частицы материала, имеющие все следующие характеристики: Изготовленные из любых следующих по составу систем: Техническое примечание. X в дальнейшем соответствует одному или более легирующим элементам Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), для деталей или компонентов газотурбинных двигателей, содержащие менее трех неметаллических частиц размером более 100 мкм (введенных в процессе производства) на 10 частиц сплава; Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti); Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al); Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); и Изготовленные в контролируемой среде с использованием одного из нижеследующих процессов: а) вакуумное распыление; б) газовое распыление; в) центробежное распыление; г) скоростная закалка капли; д) спиннингование расплава и последующее измельчение; е) экстракция расплава и последующее измельчение; или ж) механическое легирование; Могущие быть исходными материалами для получения сплавов, контролируемых по пункту 1.3.2.1 или 1.3.2.2; Легированные материалы, характеризующиеся всем нижеследующим: а) изготовлены из любых систем, определенных в пункте 1.3.2.3.1; б) имеют форму неизмельченных чешуек, ленты или тонких стержней; и в) изготовлены в контролируемой среде любым из следующих методов: скоростная закалка капли; спиннингование расплава; или экстракция расплава Примечание. По пункту 1.3.2 не контролируются металлические сплавы, порошки металлических сплавов или легированные материалы для подложек покрытий Технические примечания: 1. К металлическим сплавам, указанным в пункте 1.3.2, относятся сплавы, которые содержат больший процент (по весу) указанного металла, чем любых других элементов 2. Ресурс длительной прочности следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM Е-139 или ее национальным эквивалентом 3. Малоцикловую усталость следует измерять в соответствии со стандартной методикой ASTM E-606 "Технические рекомендации по испытаниям на малоцикловую усталость при постоянной амплитуде" или ее национальным эквивалентом. Образцы должны нагружаться в осевом направлении при среднем значении показателя нагрузки, равном единице, и коэффициенте концентрации напряжения (К_t), равном единице. Средний показатель нагрузки определяется как частное от деления разности максимальной и минимальной нагрузок на максимальную нагрузку Магнитные металлические материалы всех типов и в любой форме, имеющие какую-нибудь из следующих характеристик: Начальную относительную магнитную проницаемость 120 000 или более и толщину 0,05 мм или менее Техническое примечание. Измерение начальной относительной магнитной проницаемости следует проводить на полностью отожженных материалах; Магнитострикционные сплавы, имеющие любую из следующих характеристик: а) магнитострикцию насыщения более 5 х 10(-4); или б) коэффициент магнитомеханического взаимодействия (к) более 0,8; или Ленты из аморфных или нанокристаллических сплавов, имеющие все следующие характеристики: а) содержание железа, кобальта или никеля не менее 75% (по весу); б) магнитную индукцию насыщения (B_s) 1,6 Т или более; и в) любое из нижеследующего: толщину ленты 0,02 мм или менее; или удельное электрическое сопротивление 2 x 10(-4) Ом х см или более Техническое примечание. К нанокристаллическим материалам, указанным в пункте 1.3.3.3, относятся материалы, имеющие размер кристаллических зерен 50 нм или менее, определенный методом рентгеновской дифракции Урано-титановые сплавы или вольфрамовые сплавы с матрицей на основе железа, никеля или меди, имеющие все следующие характеристики: а) плотность выше 17,5 г/куб. см; б) предел упругости выше 880 МПа; в) предел прочности при растяжении выше 1270 МПа; и г) относительное удлинение более 8% Следующие сверхпроводящие проводники из композиционных материалов длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г: Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащих одну или несколько ниобий-титановых нитей, имеющих все нижеследующе: а) уложенные в матрицу не из меди или не на основе меди; и б) имеющие площадь поперечного сечения менее 0,28 х 10(-4) кв. мм (6 мкм в диаметре для нитей круглого сечения); Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, выполненных не из ниобийтитана, имеющих все нижеперечисленное: а) критическую температуру при нулевом магнитном поле, превышающую 9,85 К (-263,31°С); и б) остающиеся в сверхпроводящем состоянии при температуре 4,2 К (-268,96°С) в магнитном поле, ориентированном в любых направлениях, перпендикулярных продольной оси проводника, и соответствующем магнитной индукции 12 Т, при пропускании электрического тока критической плотностью более 1750 А/кв. мм по всему сечению проводника; Проводники из сверхпроводящих композиционных материалов, содержащие одну или несколько сверхпроводящих нитей, остающихся в сверхпроводящем состоянии при температуре выше 115 К (-158,16°С) Техническое примечание. Для целей пункта 1.3.5 нити могут быть в виде проволоки, цилиндра, пленки, ленты или полосы Жидкости и смазочные материалы: Гидравлические жидкости, содержащие в качестве основных составляющих любые из следующих соединений или материалов: Синтетические кремнийуглеводородные масла, имеющие все следующие характеристики: а) температуру воспламенения выше 477 К (204°С); б) температуру застывания 239 К (-34°С) или ниже; в) индекс вязкости 75 или более; г) термостабильность при температуре 616 К (343°С) или выше; или Хлорофторуглероды, имеющие все следующие характеристики: а) температуру воспламенения не имеют; б) температуру самовоспламенения выше 977 К (704°С); в) температуру застывания 219 К (-54°С) или ниже; г) индекс вязкости 80 или более; и д) температуру кипения 473 К (200°С) или выше Технические примечания: 1. Для целей, указанных в пункте 1.3.6.1.1, кремнийуглеводородные масла содержат исключительно кремний, водород и углерод 2. Для целей, указанных в пункте 1.3.6.1.2, хлорофторуглероды содержат исключительно углерод, фтор и хлор; Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих следующие соединения или материалы: Фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функциональных групп или их смесей; или Фторированные кремнийорганические жидкости, имеющие кинематическую вязкость менее 5000 кв. мм/с (5000 сантистоксов) при температуре 298 К (25°С); Амортизаторные или флотационные жидкости с чистотой более 99,8%, содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл и полученные по меньшей мере на 85% из любых следующих соединений или материалов: Дибромтетрафторэтана; Полихлортрифторэтилена (только маслообразные и воскообразные модификации); или Полибромтрифторэтилена; Фторуглеродные охлаждающие жидкости для электроники, имеющие все следующие характеристики: а) содержащие 85% (по весу) или более любого из следующих веществ или любой из их смесей: мономерных форм перфторполиалкилэфиртриазинов или перфторалифатических эфиров; перфторалкиламинов; перфторциклоалканов; или перфторалканов; б) плотность 1,5 г/мл или более при температуре 298 К (25°С); в) жидкое состояние при температуре 273 К (0°С); и г) содержащие фтора 60% (по весу) или более Техническое примечание. Для целей, указанных в пункте 1.3.6: а) температура воспламенения определяется с использованием метода Кливлендской открытой чашки, описанного в стандартной методике ASTM D-92 или ее национальном эквиваленте; б) температура застывания определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D-97 или ее национальном эквиваленте; в) индекс вязкости определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D-2270 или ее национальном эквиваленте; г) термостабильность определяется в соответствии со следующей методикой испытаний или ее национальным эквивалентом: 20 мл испытуемой жидкости помещается в камеру объемом 46 мл из нержавеющей стали типа 317, содержащую шары номинального диаметра 12,5 мм из инструментальной стали М-10, стали марки 52100 и корабельной бронзы (60% Cu, 39% Zn, 0,75% Sn). Камера наполняется азотом, герметизируется при давлении, равном атмосферному, температура повышается до (644 +- 6) К [(371 +- 6)°С] и выдерживается в течение шести часов. Образец считается термостабильным, если по завершении вышеописанной процедуры удовлетворены следующие требования: потеря веса каждым шаром не превышает 10 мг/кв. мм его поверхности; изменение первоначальной вязкости, определенной при температуре 311 К (38°С), не превышает 25%; суммарное кислотное или основное число не превышает 0,40; д) температура самовоспламенения определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM E-659 или ее национальном эквиваленте Исходные керамические материалы, некомпозиционные керамические материалы, композиционные материалы с керамической матрицей и соответствующие прекурсоры: Исходные материалы из простых или сложных боридов титана, имеющие суммарно металлические примеси, исключая специальные добавки, менее 5000 частей на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньше 5 мкм, и при этом не более 10% частиц имеют размер более 10 мкм; Некомпозиционные керамические материалы в сыром виде или в виде полуфабриката на основе боридов титана с плотностью 98% или более от теоретической плотности Примечание. По пункту 1.3.7.2 не контролируются абразивы; Композиционные материалы типа керамика-керамика со стеклянной или оксидной матрицей, армированной волокнами, имеющими все следующие характеристики: а) изготовлены из любых нижеследующих материалов: Si-N; Si-C; Si-Al-O-N; или Si-O-N; и б) имеют удельную прочность при растяжении, превышающую 12,7 х 10(3) м; Композиционные материалы типа керамика-керамика с непрерывной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора Особое примечание. В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.7.3 и 1.3.7.4, см. также пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 2; Следующие материалы-предшественники (то есть полимерные или металлоорганические материалы специализированного назначения) для производства какой-либо фазы или фаз материалов, контролируемых по пункту 1.3.7.3: а) полидиорганосиланы (для производства карбида кремния); б) полисилазаны (для производства нитрида кремния); в) поликарбосилазаны (для производства керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами); Композиционные материалы типа керамика-керамика с оксидными или стеклянными матрицами, армированными непрерывными волокнами любой из следующих систем: а) Al2O3; или б) Si-C-N Примечание. По пункту 1.3.7.6 не контролируются композиционные материалы, армированные указанными волокнами из этих систем, имеющими предел прочности при растяжении ниже 700 МПа при температуре 1273 К (1000°С) или деформацию ползучести более 1% при напряжении 100 МПа и температуре 1273 К (1000°С) за 100 ч Нефторированные полимерные вещества: Нижеперечисленные вещества: Бисмалеимиды; Ароматические полиамидимиды; Ароматические полиимиды; Ароматические полиэфиримиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 513 К (240°С) Примечания. 1. По пункту 1.3.8.1 контролируются вещества в жидкой или твердой форме, в том числе в виде смол, порошков, гранул, пленок, листов, лент или полос 2. По пункту 1.3.8.1 не контролируются неплавкие порошки, используемые для изготовления форм литья под давлением или фасонных форм; Термопластичные жидкокристаллические сополимеры, имеющие температуру термодеформации выше 523 К (250°С), измеренную в соответствии с международным стандартом ISO 75-2 (2004), метод А, или его национальным эквивалентом при нагрузке 1,80 Н/кв. мм, и состоящие из: а) любой из следующих групп: фенилена, бифенилена или нафталена; или метил, трет-бутил или фенилзамещенного фенилена, бифенилена или нафталена; и б) любой из следующих кислот: терефталевой кислоты; 6-гидрокси-2 нафтойной кислоты; 4-гидроксибензойной кислоты; Полиариленовые кетоны; Полиариленовые сульфиды, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации; Полибифениленэфирсульфоны, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) выше 513 К (240°С) Техническое примечание. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для материалов, контролируемых по пункту 1.3.8, определяется с использованием метода, описанного в Международном стандарте ISO 11357-2 (1999) или его национальном эквиваленте Необработанные фторированные соединения: Сополимеры винилидена фторида (1,1 - дифторэтилена), содержащие 75% или более бета-кристаллической структуры, полученной без вытягивания; Фторированные полиимиды, содержащие 10% (по весу) или более связанного фтора; Фторированные фосфазеновые эластомеры, содержащие 30% (по весу) или более связанного фтора Нитевидные или волокнистые материалы, которые могут быть использованы в композиционных материалах объемной или слоистой структуры с органической, металлической или углеродной матрицей: Органические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: а) удельный модуль упругости более 12,7 х 10(6) м; и б) удельную прочность при растяжении более 23,5 х 10(4) м Примечание. По пункту 1.3.10.1 не контролируется полиэтилен; Углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: а) удельный модуль упругости более 12,7 х 10(6) м; и б) удельную прочность при растяжении более 23,5 х 10(4) м Техническое примечание. Свойства материалов, указанных в пункте 1.3.10.2, должны определяться методами 12 - 17 (SRM 12 - 17), рекомендуемыми Ассоциацией производителей современных композиционных материалов (SACMA), или их национальным эквивалентом, и должны основываться на средних значениях из большого количества измерений Примечание. По пункту 1.3.10.2 не контролируются ткани, изготовленные из волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта конструкций гражданских летательных аппаратов или листы слоистой структуры, размеры которых не превышают 100 х 100 см; Неорганические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики: а) удельный модуль упругости, превышающий 2,54 х 10(6) м; и б) точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую температуру 1922 К (1649°С) Примечание. По пункту 1.3.10.3 не контролируются: а) дискретные, многофазные, поликристаллические волокна оксида алюминия в виде рубленых волокон или беспорядочно уложенных в матах, содержащие 3% или более (по весу) диоксида кремния и имеющие удельный модуль упругости менее 10 х 10(6) м; б) молибденовые волокна и волокна из молибденовых сплавов; в) волокна бора; г) дискретные керамические волокна с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде ниже 2043 К (1770°С); Волокнистые или нитевидные материалы: Состоящие из любого из нижеследующих материалов: Полиэфиримидов, контролируемых по пунктам 1.3.8.1.1 - 1.3.8.1.4; или Материалов, контролируемых по пунктам 1.3.8.2 - 1.3.8.6; или Изготовленные из материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2, и связанные с волокнами других типов, контролируемых по пунктам 1.3.10.1 - 1.3.10.3 Особое примечание. В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.10.3 - 1.3.10.4.2, см. также пункты 1.3.3 - 1.3.3.2.2 раздела 2; Волокна, пропитанные смолой или пеком (препреги), волокна, покрытые металлом или углеродом (преформы), или углеродные волокнистые преформы: а) изготовленные из волокнистых или нитевидных материалов, контролируемых по пунктам 1.3.10.1 - 1.3.10.3; б) изготовленные из органических или углеродных волокнистых или нитевидных материалов: с удельной прочностью при растяжении, превышающей 17,7 х 10(4) м; с удельным модулем упругости, превышающим 10,15 х 10(6) м; не контролируемых по пункту 1.3.10.1 или 1.3.10.2; и пропитанных материалами, контролируемыми по пункту 1.3.8 или 1.3.9.2, имеющими температуру перехода в стеклообразное состояние (Т_g) выше 383 К (110°С), фенольными либо эпоксидными смолами, имеющими температуру перехода в стеклообразное состояние (T_g ), равную или превышающую 418 К (145°С) Примечание. По пункту 1.3.10.5 не контролируются: а) углеродные волокнистые или нитевидные материалы, пропитанные эпоксидной смолой (препреги), для ремонта элементов конструкций гражданских летательных аппаратов или листы слоистой структуры, имеющие размеры единичных листов препрегов, не превышающие 100 х 100 см; б) препреги, если импрегнирующие фенольные или эпоксидные смолы имеют температуру перехода в стеклообразное состояние (T_g) ниже 433 К (160°С) и температуру отверждения ниже, чем температура перехода в стеклообразное состояние Техническое примечание. Температура перехода в стеклообразное состояние (Т_g) для материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.5, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 3418, с применением сухого метода. Температура перехода в стеклообразное состояние для фенольных эпоксидных смол определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 4065, при частоте 1 Гц и скорости нагрева 2°С в минуту, с применением сухого метода Следующие металлы и соединения: Металлы в виде частиц с размерами менее 60 мкм сферической, пылевидной, сфероидальной форм, чешуйчатые или измельченные, изготовленные из материала, содержащего 99% или более циркония, магния или их сплавов Техническое примечание. При определении содержания циркония в него включается природная примесь гафния (обычно 2 - 7%) Примечание. Металлы или сплавы, указанные в пункте 1.3.11.1, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий; Бор или карбид бора чистотой 85% или выше в виде частиц размерами 60 мкм или менее Примечание. Металлы или соединения, указанные в пункте 1.3.11.2, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий; Гуанидин нитрат; Нитрогуанидин (NQ) Следующие материалы: Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония-238 более 50% (по весу) Примечание. По пункту 1.3.12.1 не контролируются: а) поставки, содержащие 1 г плутония или менее; б) поставки, содержащие три эффективных грамма плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах; Предварительно обогащенный нептуний-237 в любой форме Примечание. По пункту 1.3.12.2 не контролируются поставки, содержащие не более 1 г нептуния-237 Техническое примечание. Материалы, указанные в пункте 1.3.12, обычно используются для ядерных источников тепла Особое примечание. В отношении материалов, указанных в пунктах 1.3.12 - 1.3.12.2, см. также пункты 1.3.4 - 1.3.4.2 раздела 2 и пункты 1.3.2 - 1.3.2.2 раздела 3 Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пункту 1.2 Программное обеспечение для разработки композиционных материалов с объемной или слоистой структурой на основе органических, металлических или углеродных матриц Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное, для того чтобы дать возможность оборудованию выполнять функции оборудования, контролируемого по пункту 1.1.4.3 Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 1.4.2, см. также пункт 1.4.1 раздела 2 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 1.1.1.2, 1.1.1.3, 1.1.2 - 1.1.5, 1.2 или пункту 1.3 Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пункте 1.5.1, см. также пункт 1.5.1 разделов 2 и 3 Иные нижеследующие технологии: Технологии разработки или производства полибензотиазолов или полибензоксазолов; Технологии разработки или производства фторэластомерных соединений, содержащих по крайней мере один винилэфирный мономер; Технологии разработки или производства следующих исходных материалов или некомпозиционных керамических материалов: Исходных материалов, обладающих всем нижеперечисленным: а) любой из следующих композиций: простые или сложные оксиды циркония и сложные оксиды кремния или алюминия; простые нитриды бора (с кубической кристаллической решеткой); простые или сложные карбиды кремния или бора; или простые или сложные нитриды кремния; б) суммарными металлическими примесями, исключая преднамеренно вносимые добавки, в количестве, не превышающем: 1000 частей на миллион для простых оксидов или карбидов; или 5000 частей на миллион для сложных соединений или простых нитридов; и в) являющихся любым из следующего: 1) диоксидом циркония, имеющим средний размер частиц, равный или меньше 1 мкм, и не более 10% частиц с размером, превышающим 5 мкм; 2) другими исходными материалами, имеющими средний размер частиц, равный или меньше 5 мкм, и не более 10% частиц размером более 10 мкм; или 3) имеющих все следующее: пластинки, отношение длины к толщине которых превышает значение 5; нитевидные кристаллы диаметром менее 2 мкм, отношение длины к диаметру которых превышает значение 10; и непрерывные или рубленые волокна диаметром менее 10 мкм; Некомпозиционных керамических материалов, состоящих из материалов, указанных в пункте 1.5.2.3.1 Примечание. По пункту 1.5.2.3.2 не контролируются технологии для разработки или производства абразивных материалов; Технологии производства ароматических полиамидных волокон; Технологии сборки, эксплуатации или восстановления материалов, контролируемых по пункту 1.3.1; Технологии восстановления конструкций из композиционных материалов объемной или слоистой структуры, контролируемых по пункту 1.1.2, или материалов, контролируемых по пункту 1.3.7.3 или 1.3.7.4 Примечание. По пункту 1.5.2.6 не контролируются технологии для ремонта элементов конструкций гражданских летательных аппаратов с использованием углеродных волокнистых или нитевидных материалов и эпоксидных смол, содержащиеся в руководствах производителя летательных аппаратов Библиотеки (параметрические технические базы данных), специально разработанные или модифицированные, для того чтобы дать возможность оборудованию выполнять функции оборудования, контролируемого по пункту 1.1.4.3 Техническое примечание. Для целей пункта 1.5.2.7 под термином "библиотека" (параметрическая техническая база данных) понимается совокупность технической информации, обращение к которой может улучшить рабочие характеристики соответствующего оборудования или систем Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пунктах 1.5.2.5 и 1.5.2.6, см. также пункты 1.5.2 - 1.5.2.2 раздела 2 |
3919 90 000 0 3921 90 900 0 3919 90 000 0 3926 90 920 0; 3926 90 970 3801; 3926 90 920 0; 3926 90 970; 6903 10 000 0 3919 90 000 0; 3920 99 900 0 9020 00 000 0 3926 20 000 0; 4015 19 000 0; 4015 90 000 0; 6204 23; 6210 40 000 0; 6210 50 000 0; 6216 00 000 0; 6401 92; 6401 99 000 0; 6402 91; 6402 99 100 0; 6402 99 930 0; 6404 19 900 0 9027 10 100 0; 9027 10 900 0; 9027 80 170 0; 9027 80 990 9; 9027 90 800 0; 9030 10 000 0; 9030 89 300 0; 9030 89 900 0; 9030 90 850 0 621143 900 0 8424 30; 8424 89 000 9; 8479 89 970 8 8543 70 900 0; 9306 90 900 0 3603 00 900 8445 40 000, 8445 90 000 1 8445 40 000, 8445 90 000 1 8446 21 000 0; 8447 90 000 8456 10 00; 8456 90 800 0; 8515 80 900 0 8419 89 989 0 8445 90 000 9 8514 10 800 0; 8514 20 100 0; 8514 20 800 0; 8514 30 000 0; 8514 40 000 0 8451 80 800 9; 8477 59 100 0; 8477 59 800 0 .............. .............. .............. ............... 9022 12 000 0; 9022 19 000 0; 9022 29 000 0 9031 80 380 0 8207 30 100 0 3815 19; 3910 00 000 9 3815 19; 3910 00 000 9 3909 30 000 0 3911 90 990 0 3911 90 990 0 3911 90 990 0 3919 90 000 0 7502 20 000 9 8108 20 000; 8108 90 300 9; 8108 90 500 9; 8108 90 600 2; 8108 90 600 8; 8108 90 900 9 7502 20 000 9 8112 923100; 8112 99 300 0 8108 20 000; 8108 90 300 9; 8108 90 500 9; 8108 90 600 2; 8108 90 600 8; 8108 90 900 9 7601 20; 7604 29 100 9; 7608 20 810 9; 7608 20 890 9 8104 7504 00 000 9 8112 92 310 0 8108 20 000 5 7603 8104 30 000 0 7504 00 000 9; 7505 12 000 9; 7506; 7603 20 000 0; 7604 29 100 9; 7606 12 920 9; 7606 92 000 0; 7607 19; 8104 30 000 0; 8104 90 000 0; 8108 20 000; 8108 90 300 9; 8108 90 500 9; 8112 92 310 0; 8112 92 210 9; 8112 99 300 0 8505 11 000 0; 8505 19 100 0; 8505 19 900 0 2803 00 000 0; 2846 90 000 0 7226 11 000 0; 7506; 8105 2844 10 900 0; 8101 94 000 0; 8101 96 000 0; 8101 99 100 0; 8101 99 900 0; 8108 20 000; 8108 90 300 9; 8108 90 500 9; 8108 90 600 2; 8108 90 600 8; 8108 90 900 9 8544 8544 8544 3910 00 000 9 2812; 2826; 2903 77; 3819 00 000 0; 3824 71000 0 2909 30 900 0; 2930 90 990 0 3910 00 000 9 2903 76 900 0 3904 69 800 0 3904 69 800 0 2903 77 100 0; 2903 77 200 0; 2903 77 900 0; 3824 90 870 0; 3824 90 970 9 2850 00 900 0 2850 00 900 0 2849; 2850 00; 8803 90 200 0; 8803 90 300 0; 8803 90 900 0; 9306 90 2849 20 000 0; 2849 90 100 0; 2850 00 200 0; 8113 00 200 0; 8113 00 900 0 3910 00 000 9 6903; 6914 90 000 0 2925 19 950 0 3908 90 000 0 3911 90 990 0 3907 20 990 0; 3907 91 900 0 3907 91 900 0 3907 99 3911 90 190 0 3911 90 190 0 3904 69 200 0; 3904 69 800 0 3904 69 200 0; 3904 69 800 0 3904 69 200 0; 3904 69 800 0 5402 11 000 0; 5404 12 000 0; 5404 19 000 0; 5501 10 000 1; 5503 11000 0 6815 10 100 0 8101 96 000 0; 8101 99 900 0; 8108 90 300 9; 8108 90 900 9 5402 11 000 0; 5402 20 000; 5402 49 000 0; 5404 12 000 0; 5404 19 000 0; 5501 10 000 1; 5501 20 000 0; 5501 90 000 0; 5503 11 000 0; 5503 20 000 0; 5503 90 000 0 5402 20 000; 5402 49 000 0; 5404 12 000 0; 5404 19 000 0; 5501 20 000 0; 5501 90 000 0; 5503 20 000 0; 5503 90 000 0 3801; 3926 90 970 5; 6815 10 100 0; 6815 10 900; 6815 99 000 0; 7019 11000 0; 7019 12 000 0; 7019 19; 7019 40 000 0; 7019 51 000 0; 7019 52 000 0; 7019 59 000 0 8104 30 000 0; 8109 20 000 0 2804 50 100 0; 2849 90 100 0 2825 10 000 0; 2834 29 800 0; 2904 2925 29 000 0 2844 20 510 0; 2844 20 590 0; 2844 20 990 0 2844 40 200 0; 2844 40 300 0 |
Категория 2. Обработка материалов | ||
2.1. 2.1.1. 2.1.1.1. 2.1.1.2. 2.1.1.3. 2.2. 2.2.1. 2.2.1.1. 2.2.1.2. 2.2.1.3. 2.2.1.4. 2.2.1.5. 2.2.1.6. 2.2.2. 2.2.3. 2.2.4. 2.2.5. 2.2.5.1. 2.2.5.2. 2.2.5.3. 2.2.5.4. 2.2.5.5. 2.2.5.6. 2.2.5.7 2.2.6. 2.2.6.1. 2.2.6.2. 2.2.6.2.1. 2.2.6.2.2. 2.2.6.3. 2.2.7. 2.2.8. 2.2.8.1. 2.2.8.2. 2.2.8.3. 2.2.9. 2.3. 2.4. 2.4.1. 2.4.2 2.5. 2.5.1. 2.5.2. 2.5.3. 2.5.3.1. 2.5.3.2 2.5.3.2.1. 2.5.3.2.2. 2.5.3.3. 2.5.3.4. 2.5.3.5. 2.5.3.6. |
Системы, оборудование и компоненты Подшипники или подшипниковые системы и их составные части: Шариковые и неразъемные роликовые радиальные и радиально-упорные подшипники качения, имеющие все допуски, указанные производителем, в соответствии с классом точности 4 или выше (лучше) по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту, в которых как кольца, так и тела качения (ISO 5593) изготовлены из медно-никелевого сплава или бериллия Примечание. По пункту 2.1.1.1 не контролируются конические роликовые подшипники; Другие шариковые и неразъемные роликовые подшипники, имеющие все допуски, указанные производителем, в соответствии с классом точности 2 или выше (лучше) по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту Примечание. По пункту 2.1.1.2 не контролируются конические роликовые подшипники; Активные магнитные подшипниковые системы, характеризующиеся хотя бы одним из нижеперечисленных качеств: а) выполнены из материала с магнитной индукцией 2 Т или более и пределом текучести выше 414 МПа; б) являются полностью электромагнитными с трехмерным униполярным подмагничиванием привода; или в) имеют высокотемпературные, с температурой 450 К (177°С) и выше, позиционные датчики Примечание. По пункту 2.1.1 не контролируются шарики с допусками, указанными производителем, в соответствии с международным стандартом ISO 3290, по степени точности 5 или ниже (хуже) Испытательное, контрольное и производственное оборудование Технические примечания: 1. Вторичные параллельные оси для контурной обработки (например, W-ось на горизонтально-расточных станках или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее количество осей. Ось вращения необязательно означает вращение на угол, больший 360°. Вращение может задаваться устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой) 2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, по которым или вокруг которых в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом. Это не включает любые дополнительные оси, по которым или вокруг которых осуществляются другие относительные движения в станке. Такие оси включают: а) оси систем правки шлифовальных кругов в шлифовальных станках; б) параллельные оси вращения, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей; в) коллинеарные оси вращения, предназначенные для манипулирования одной обрабатываемой деталью путем закрепления ее в патроне с разных концов 3. Номенклатура осей определяется в соответствии с международным стандартом ISO 841 "Станки с числовым программным управлением. Номенклатура осей и видов движения" 4. Для целей настоящей категории качающийся шпиндель рассматривается как ось вращения 5. Заявленная точность позиционирования для каждой модели станка, полученная в результате измерений, проведенных в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом, может использоваться для всех станков одной модели как альтернатива испытаниям отдельных станков. Заявленная точность позиционирования означает ее значение, представленное в качестве показателя точности станков модели конкретного исполнения специально уполномоченному федеральному органу исполнительной власти в области экспортного контроля. Определение показателя точности: а) выбирается пять станков модели, подлежащей оценке; б) измеряется точность линейных осей в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997); в) определяются величины показателей А для каждой оси каждого станка. Метод определения величины показателя А описан в стандарте ISO; г) определяется среднее значение показателя А для каждой оси. Эта средняя величина А (средняя) становится заявленной величиной (А (средняя)_х, А (средняя)_у...) для всех станков данной модели; д) поскольку станки, указанные в категории 2 настоящего Списка, имеют несколько линейных осей, количество заявленных величин показателя точности равно количеству линейных осей; е) если любая из осей определенной модели станка, не контролируемого по пунктам 2.2.1.1 - 2.2.1.3, характеризуется показателем А, для шлифовальных станков равным 5 мкм или менее (лучше), для фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм или менее (лучше), то производитель обязан каждые 18 месяцев заново подтверждать величину точности Станки, указанные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими спецификациями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления, а также специально разработанные для них компоненты: Примечания: 1. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные изготовлением зубчатых колес. Для таких станков см. пункт 2.2.3 2. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные изготовлением любых из следующих деталей: а) коленчатых или распределительных валов; б) режущих инструментов; в) червяков экструдеров; г) гравированных или ограненных частей ювелирных изделий 3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3 Особое примечание. Для станков чистовой обработки (финишных станков) оптики см. пункт 2.2.2 Токарные станки, имеющие все следующие характеристики: а) точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и б) две или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления Примечание. По пункту 2.2.1.1 не контролируются токарные станки, специально разработанные для производства контактных линз, имеющие все следующие характеристики: а) контроллер станка, ограниченный для применения в офтальмологических целях и основанный на программном обеспечении для частичного программируемого ввода данных; и б) отсутствие вакуумного патрона; Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик: а) имеющие все следующие характеристики: точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; в) для координатно-расточных станков точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; или г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики: биение шпинделя и эксцентриситет менее (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (НИИ); и повороты суппорта относительно трех ортогональных осей меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на 300 мм перемещения; Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик: а) имеющие все следующие характеристики: точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и три или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; или б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления Примечание. По пункту 2.2.1.3 не контролируются следующие шлифовальные станки: а) круглошлифовальные, внутришлифовальные и универсальные шлифовальные станки, обладающие всеми следующими характеристиками: предназначенные лишь для круглого шлифования; и с максимально возможной длиной или наружным диаметром обрабатываемой детали 150 мм; б) станки, специально разработанные как координатно-шлифовальные, не имеющие Z-оси или W-оси, с точностью позиционирования со всеми доступными компенсациями меньше (лучше) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; в) плоскошлифовальные станки; Станки для электроискровой обработки (СЭО) беспроволочного типа, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов, имеющие все следующие характеристики: а) обработка материалов осуществляется любым из следующих способов: струями воды или других жидкостей, в том числе с абразивными присадками; электронным лучом; или лазерным лучом; и б) имеющие две или более оси вращения, которые: могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и имеют точность позиционирования менее (лучше) 0,003°; Сверлильные станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий более 5000 мм и специально разработанные для них компоненты Станки с числовым программным управлением для чистовой обработки (финишные станки) асферических оптических поверхностей с выборочным снятием материала, имеющие все следующие характеристики: а) осуществляющие доводку контура до менее (лучше) 1,0 мкм; б) осуществляющие чистовую обработку до среднеквадратичного значения шероховатости менее (лучше) 100 нм; в) имеющие четыре или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и г) использующие любой из следующих процессов: магнитореологической чистовой обработки (МРЧО); электрореологической чистовой обработки (ЭРЧО); чистовой обработки пучком частиц высокой энергии чистовой обработки с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны; или жидкоструйной чистовой обработки Техническое примечание. Для целей пункта 2.2.2: а) под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем; б) под ЭРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную жидкость, вязкость которой регулируется электрическим полем; в) под чистовой обработкой пучками высокоэнергетических частиц понимается процесс, использующий плазму атомов химически активных элементов или пучки ионов для избирательного съема материала; г) под чистовой обработкой с помощью рабочего органа в виде надувной мембраны понимается процесс, в котором используется мембрана под давлением, деформирующая изделие при контакте с ней на небольшом участке; д) под жидкоструйной чистовой обработкой понимается процесс, использующий поток жидкости для съема материала Станки с числовым программным управлением или станки с ручным управлением и специально предназначенные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (R_c = 40 или более) прямозубых цилиндрических, косозубых и шевронных шестерен диаметром делительной окружности более 1250 мм и шириной зубчатого венца, равной 15% от диаметра делительной окружности или более, с качеством после финишной обработки по классу 3 в соответствии с международным стандартом ISO 1328 Горячие изостатические прессы, имеющие все нижеперечисленное, и специально разработанные для них компоненты и приспособления: а) камеры с регулируемыми температурами внутри рабочей полости и внутренним диаметром полости камеры 406 мм и более; и б) любую из следующих характеристик: максимальное рабочее давление выше 207 МПа; регулируемые температуры выше 1773 К (1500°С); или оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения Техническое примечание. Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой Оборудование, специально разработанное для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения неорганических покрытий, слоев и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к пункту 2.5.3.6 и отмеченных в примечаниях к ней, а также специально разработанные для него автоматизированные компоненты установки, позиционирования, манипулирования и регулирования: Производственное оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеющее все нижеследующее: а) процесс, модифицированный для реализации одного из следующих методов: CVD с пульсирующим режимом; термического осаждения с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD); или CVD с применением плазменного разряда, модифицирующего процесс; и б) включающее любое из следующего: высоковакуумные (вакуум, равный 0,01 Па или ниже (лучше)) вращающиеся уплотнения; или средства регулирования толщины покрытия в процессе осаждения; Производственное оборудование ионной имплантации с током пучка 5 мА или более; Технологическое оборудование для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом электронным пучком (EB-PVD), включающее силовые системы с расчетной мощностью более 80 кВт и имеющее любую из следующих составляющих: а) лазерную систему управления уровнем жидкой ванны, которая точно регулирует скорость подачи заготовок; или б) управляемое компьютером контрольно-измерительное устройство, работающее на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимое для управления скоростью осаждения покрытия, содержащего два или более элемента; Производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик: а) работающее при пониженном давлении контролируемой атмосферы (равном или ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии до 300 мм над выходным сечением сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, которая перед началом процесса напыления может быть откачана до 0,01 Па; или б) включающее средства регулирования толщины покрытия в процессе напыления; Производственное оборудование осаждения распылением, обеспечивающее плотность тока 0,1 мА/кв. мм или более, со скоростью осаждения 15 мкм/ч или более; Производственное оборудование катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления положением активного пятна дуги на катоде; Производственное оборудование ионного осаждения, позволяющее осуществлять в процессе: а) измерение толщины покрытия на подложке и управление скоростью осаждения; или б) измерение оптических характеристик Примечание. По пунктам 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5 - 2.2.5.7 не контролируется оборудование химического осаждения из паровой фазы (CVD), катодно-дугового напыления, осаждения распылением, ионного осаждения или ионной имплантации, специально разработанное для покрытия режущего или обрабатывающего инструмента Системы, оборудование и электронные сборки для измерения или контроля размеров: Координатно-измерительные машины (КИМ) с компьютерным управлением или числовым программным управлением, имеющие максимально допустимую погрешность показания (МДПП) по любому направлению в трехмерном пространстве в любой точке в пределах рабочего диапазона машины (то есть в пределах длины осей), равную или меньше (лучше) (1,7 + L/1000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах), определенную в соответствии с международным стандартом ISO 10360-2 (2001); Приборы для измерения линейных или угловых перемещений: Приборы для измерения линейных перемещений, имеющие любую из следующих составляющих: а) измерительные системы бесконтактного типа с разрешением, равным или меньше (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм; б) системы с индуктивными дифференциальными датчиками, имеющие все следующие характеристики: линейность, равную или меньше (лучше) 0,1%, в диапазоне измерений до 5 мм; и дрейф, равный или меньше (лучше) 0,1% в день, при стандартной комнатной температуре +- 1 К; в) измерительные системы, имеющие все следующие составляющие: содержащие лазер; сохраняющие в течение по крайней мере 12 часов при температуре 20°С +-1°С все следующие характеристики: разрешение на полной шкале 0,1 мкм или меньше (лучше); способность достигать погрешности измерения при компенсации показателя преломления воздуха, равной или меньше (лучше) (0,2 + L/2000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах); или г) электронные сборки, специально разработанные для обеспечения возможности обратной связи в системах, контролируемых по подпункту "в" пункта 2.2.6.2.1 Примечание. По пункту 2.2.6.2.1 не контролируются измерительные интерферометрические системы с автоматическим управлением, разработанным для применения техники без обратной связи, содержащие лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения размеров или другого подобного оборудования Техническое примечание. Для целей пункта 2.2.6.2.1 линейное перемещение означает изменение расстояния между измеряющим элементом и контролируемым объектом; Приборы для измерения угловых перемещений с погрешностью измерения по угловой координате, равной или меньше (лучше) 0,00025° Примечание. По пункту 2.2.6.2.2 не контролируются оптические приборы, такие, как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала; Оборудование для измерения чистоты поверхности с применением оптического рассеяния как функции угла с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше) Примечание. Станки, которые могут быть использованы в качестве средств измерения, подлежат контролю, если их параметры соответствуют или превосходят критерии, установленные для параметров станков или измерительных приборов Роботы, имеющие любую из нижеперечисленных характеристик, и специально разработанные для них устройства управления и рабочие органы: а) способность в реальном масштабе времени осуществлять полную трехмерную обработку изображений или полный трехмерный анализ сцены с генерированием или модификацией программ либо с генерированием или модификацией данных для числового программного управления Техническое примечание. Ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию третьего измерения по результатам наблюдения под заданным углом или ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или текстуры для утвержденных заданий (2 1/2 D); б) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности применительно к условиям работы со взрывчатыми веществами, которые могут быть использованы в военных целях Примечание. Подпункт "б" пункта 2.2.7 не применяется к роботам, специально разработанным для применения в камерах для окраски распылением; в) специально разработанные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие более 5 х 10(3) Гр (Si)[5 x 10(5) рад] без ухудшения эксплуатационных характеристик; или г) специально разработанные для работы на высотах, превышающих 30 000 м Узлы или блоки, специально разработанные для станков, или системы для контроля или измерения размеров: Линейные измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие полную точность менее (лучше) [800 + (600 x L x 10(-3))] нм (L - эффективная длина в миллиметрах) Особое примечание. Для лазерных систем см. также подпункты "в" и "г" пункта 2.2.6.2.1; Угловые измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие точность менее (лучше) 0,00025° Особое примечание. Для лазерных систем см. также пункт 2.2.6.2.2; Составные поворотные столы или качающиеся шпиндели, применение которых в соответствии с техническими характеристиками изготовителя может модифицировать станки до уровня, указанного в пункте 2.2, или выше Обкатные вальцовочные и гибочные станки, которые в соответствии с технической документацией производителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерным управлением и которые имеют все следующие характеристики: а) две или более контролируемые оси, по крайней мере две из которых могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; и б) усилие на ролике более 60 кН Техническое примечание. Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.9 как относящиеся к гибочным станкам Материалы - нет Программное обеспечение Программное обеспечение иное, чем контролируемое по пункту 2.4.2, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пункту 2.1 или 2.2; Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное в электронное устройство или систему, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способный координировать одновременно более четырех осей для контурного управления Примечания: 1. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для работы станков, не контролируемых по пунктам категории 2. 2. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2. В отношении контроля за программным обеспечением для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2, см. пункт 2.4.1 Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, см. также пункт 2.4.1 раздела 2 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 2.1, 2.2 или 2.4 Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования, контролируемого по пункту 2.1 или 2.2 Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также пункт 2.5.1 раздела 2 Иные нижеследующие технологии: Технологии для разработки интерактивной графики как встроенной части блока числового программного управления для подготовки или модификации программ обработки деталей; Технологии для производственных процессов металлообработки: Технологии для проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально разработанные для любого из следующих процессов: а) формообразования в условиях сверхпластичности; б) диффузионной сварки; или в) гидравлического прессования прямого действия; Технические данные, включающие описание технологического процесса или его параметры: а) для формообразования в условиях сверхпластичности изделий из алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов: подготовка поверхности; скорость деформации; температура; давление; б) для диффузионной сварки титановых сплавов или суперсплавов: подготовка поверхности; температура; давление; в) для гидравлического прессования прямого действия алюминиевых или титановых сплавов: давление; время цикла; г) для горячего изостатического уплотнения титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов: температура; давление; время цикла; Технологии для разработки или производства гидравлических прессов для штамповки с вытяжкой и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов; Технологии для разработки генераторов машинных команд для управления станком (например, программ обработки деталей) на основе проектных данных, хранимых в блоках числового программного управления; Технологии для разработки комплексного программного обеспечения для включения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления; Технологии для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения внешних слоев неорганических покрытий, иных покрытий и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к настоящему пункту и примечаниях к ней Особое примечание. Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только при указанных в ней сочетаниях позиций в колонках "Получаемое покрытие" и "Подложки". Например, подлежат контролю технические характеристики процесса нанесения силицидного покрытия методом химического осаждения из паровой фазы (CVD) на подложки из углерод-углерода и композиционных материалов с керамической или металлической матрицей. Однако, если подложка выполнена из металлокерамического карбида вольфрама (16) или карбида кремния (18), контроль не требуется, так как во втором случае получаемое покрытие не указано в соответствующей колонке для этих подложек (металлокерамический карбид вольфрама и карбид кремния) |
8482 10 100 9; 8482 10 900; 8482 30 000 9; 8482 40 000 9; 8482 50 000 9 8482 80 000 9 8483 30 380 9; 8483 30 800 8; 8505 11 000 0; 8505 19 100 0; 8505 19 900 0; 8505 90 200 0; 8505 90 900 0 8458; 8464 90 000 0; 8465 99 000 0 8459 31000 0; 8459 51 000 0; 8459 61; 8464 90 000 0; 8465 92 000 0 8460 11 000; 8460 19 000 0; 8460 21; 8460 29; 8464 20 800 0; 8465 93 000 0 8456 30 8424 30 900 0; 8456 10 00; 8456 90 800 0 8458; 8459 21 000 0; 8459 29 000 0 8464 20 110 0; 8464 20 190 0; 8464 20 800 0; 8465 93 000 0 8461 40 710 0; 8461 40 790 0 8462 99 8419 89 989 0 8543 10 000 0 8543 70 900 0 8419 89 300 0; 8419 89 98 8419 89 300 0; 8419 89 98 8543 70 900 0 8543 70 900 0 9031 80 320 0; 9031 80 340 0 9031 49 900 0; 9031 80 320 0; 9031 80 340 0; 9031 80 910 0 9031 49 900 0; 9031 80 320 0; 9031 80 340 0; 9031 80 910 0 9031 49 900 0 8479 50 000 0; 8537 10 100 0; 8537 10 910 9; 8537 10 990 0 9031 9031 8466 8462 21 100; 8462 21 800; 8463 90 000 0 |
* См. общее примечание к настоящему Списку.
** Здесь и далее код ТН ВЭД - код Товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности таможенного союза.
Таблица к пункту 2.5.3.6
Технические приемы нанесения покрытий
Процесс нанесения покрытия (1)* |
Подложки | Получаемое покрытие |
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) |
суперсплавы | алюминиды на поверхности внутренних каналов |
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) |
силициды, карбиды, диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17) |
|
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей |
силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), нитрид бора |
|
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) |
карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15) |
|
молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
|
бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17) |
|
материалы окон датчиков (9) |
диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17) |
|
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом |
||
2.1. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком |
суперсплавы | сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4) |
керамика (19) и стекла с | диэлектрические слои (15) |
|
малым коэффициентом линейного расширения (14) |
||
коррозионно-стойкие стали (7) |
MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4) |
|
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей |
силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора |
|
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) |
карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15) |
|
молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
|
бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15), бориды, бериллий |
|
материалы окон датчиков (9) |
диэлектрические слои (15) |
|
титановые сплавы (13) | бориды, нитриды | |
2.2. Ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом (ионное осаждение) |
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) |
диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод |
диэлектрические слои (15) |
||
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей |
||
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) |
диэлектрические слои (15) |
|
молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
|
бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
|
материалы окон датчиков (9) |
диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17) |
|
2.3. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной лазерным нагревом |
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) |
силициды, диэлектрические слои (15), |
алмазоподобный углерод (17) |
||
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей |
диэлектрические слои (15) |
|
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) |
диэлектрические слои (15) |
|
молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
|
бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
|
материалы окон датчиков (9) |
диэлектрические слои (15), |
|
алмазоподобный углерод (17) |
||
2.4. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной катодно-дуговым разрядом |
суперсплавы | сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5) |
полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей |
бориды, карбиды, нитриды, алмазоподобный углерод (17) |
|
3. Твердофазное диффузионное насыщение (10) |
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей |
силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4) |
титановые сплавы (13) | силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2) |
|
тугоплавкие металлы и сплавы (8) |
силициды, оксиды |
|
4. Плазменное напыление |
суперсплавы | MCrAlX (5) модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир, сплавы на основе алюминидов (2) |
алюминиевые сплавы (6) | MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4) |
|
тугоплавкие металлы и сплавы (8) |
алюминиды, силициды, карбиды |
|
коррозионно-стойкие стали (7) |
MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4) |
|
титановые сплавы (13) | карбиды, алюминиды, силициды, сплавы на основе алюминидов (2), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир |
|
5. Нанесение шликера | тугоплавкие металлы и сплавы (8) |
оплавленные силициды, оплавленные алюминиды (кроме резистивных нагревательных элементов) |
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей |
силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4) |
|
6. Осаждение распылением |
суперсплавы | сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), алюминиды, модифицированные благородным металлом (3), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4) |
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) |
силициды, платина, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17) |
|
титановые сплавы (13) | бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), карбиды |
|
углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей |
силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора |
|
металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) |
карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора |
|
молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
|
бериллий и его сплавы | бориды, диэлектрические слои (15), бериллий |
|
материалы окон датчиков (9) |
диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17) |
|
тугоплавкие металлы и сплавы (8) |
алюминиды, силициды, оксиды, карбиды |
|
7. Ионная имплантация | высокотемпературные подшипниковые стали |
присадки хрома, тантала или ниобия |
титановые сплавы (13) | бориды, нитриды | |
бериллий и его сплавы | бориды | |
металлокерамический карбид вольфрама (16) |
карбиды, нитриды |
* См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий указанному в скобках.
Примечания к таблице:
1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий.
2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов.
3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия.
4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице.
5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, X - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;
б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;
в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.
6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20°С).
7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта.
8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал.
9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.
10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2.
11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны.
12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются.
13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20°С).
14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20°С) коэффициент линейного расширения 10(-7) К(-1) или менее.
15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл.
16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель.
17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы.
18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением.
19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, а также в сочетании с другими компонентами.
Технические примечания к таблице:
Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера.
Особые примечания:
а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;
б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;
в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении.
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.
Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.
Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:
а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;
б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;
в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;
г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку;
Особое примечание.
Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку.
д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса.
3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:
а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.
Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757°С) до 1375 К (1102°С) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия.
4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости.
Особые примечания:
а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;
б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20°С) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с.
5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия.
6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку.
Особые примечания:
а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;
б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ).
7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением.
Некоторые пояснения к таблице.
Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:
1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:
1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:
1.1.1. Состав раствора:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;
1.1.2. Время обработки;
1.1.3. Температура ванны;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;
1.3. Параметры цикла термообработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Давление;
1.3.2. Температура термообработки;
1.3.3. Время термообработки;
1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:
1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:
1.4.1.1. Состав крошки, дроби;
1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;
1.4.1.3. Скорость крошки;
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;
1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;
1.5. Параметры маски:
1.5.1. Материал маски;
1.5.2. Расположение маски.
2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:
2.1. Параметры атмосферы:
2.1.1. Состав;
2.1.2. Давление;
2.2. Время;
2.3. Температура;
2.4. Толщина;
2.5. Коэффициент преломления;
2.6. Контроль состава покрытия.
3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость дроби;
3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;
3.3. Параметры цикла термообработки:
3.3.1. Параметры атмосферы:
3.3.1.1. Состав;
3.3.1.2. Давление;
3.3.2. Температура и время цикла;
3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки.
4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:
4.1. Критерии для статистической выборки;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Увеличения;
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности;
4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):
4.3.1. Коэффициент отражения;
4.3.2. Коэффициент пропускания;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние.
5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:
5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):
5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;
5.1.2. Состав газа-носителя;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температура - время - давление циклов;
5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;
5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:
5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав газа-реагента;
5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;
5.2.5. Температура - время - давление циклов;
5.2.6. Управление пучком и подложкой;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:
5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;
5.3.2. Состав газа-носителя;
5.3.3. Температура - время - давление циклов;
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.4.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;
5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;
5.5. Для осаждения распылением:
5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;
5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;
5.5.3. Состав газа-реагента;
5.5.4. Напряжение смещения;
5.5.5. Температура - время - давление циклов;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Управление деталью (подложкой);
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Управление пучком и подложкой;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.6.4. Температура - время - давление циклов;
5.7. Для ионного осаждения:
5.7.1. Управление пучком и подложкой;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.7.4. Температура - время - давление циклов;
5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.
N пункта | Наименование | Код ТН ВЭД |
Категория 3. Электроника | ||
3.1. 3.1.1. 3.1.1.1. 3.1.1.1.1. 3.1.1.1.2. 3.1.1.1.3. 3.1.1.1.4. 3.1.1.1.5. 3.1.1.1.6. 3.1.1.1.7. 3.1.1.1.8. 3.1.1.1.9. 3.1.1.1.10. 3.1.1.1.11. 3.1.1.2. 3.1.1.2.1. 3.1.1.2.1.1. 3.1.1.2.1.2. 3.1.1.2.1.3. 3.1.1.2.2. 3.1.1.2.3. 3.1.1.2.4. 3.1.1.2.5. 3.1.1.2.6. 3.1.1.2.7. 3.1.1.2.8. 3.1.1.3. 3.1.1.3.1. 3.1.1.3.2. 3.1.1.3.3. 3.1.1.4. 3.1.1.5. 3.1.1.5.1. 3.1.1.5.1.1. 3.1.1.5.1.2. 3.1.1.5.2. 3.1.1.5.2.1. 3 1.1.5.2.2. 3.1.1.5.3. 3.1.1.5.4. 3.1.1.6. 3.1.1.7. 3.1.2. 3.1.2.1. 3.1.2.1.1. 3.1.2.1.2. 3.1.2.1.3. 3.1.2.1.4. 3.1.2.1.5. 3.1.2.1.6. 3.1.2.2. 3.1.2.3. 3 1.2.3.1. 3.1.2.3.2. 3.1.2.3.3. 3.1.2.4. 3.1.2.5. 3.1.2.6. 3.1.2.7. 3.1.2.7.1. 3.1.2.7.2. 3.1.2.7.3. 3.1.3. 3.2. 3.2.1. 3.2.1.1. 3.2.1.1.1. 3.2.1.1.2. 3.2.1.1.3. 3.2.1.2. 3.2.1.3. 3.2.1.3.1. 3.2.1.3.2. 3.2.1.4. 3.2.1.4.1. 3.2.1.4.2. 3.2.1.5. 3.2.1.6. 3.2.1.6.1. 3.2.1.6.2. 3.2.1.6.3. 3.2.1.7. 3.2.1.8. 3.2.1.9. 3.2.2. 3.2.2.1. 3.2.2.2. 3.3. 3.3.1. 3.3.1.1. 3.3.1.2. 3.3.1.3. 3.3.1.4. 3.3.2. 3.3.2.1. 3.3.2.2. 3.3.2.3. 3.3.2.4. 3.3.2.5. 3.3.3. 3.3.3.1. 3.3.3.2. 3.3.4. 3.3.5. 3.3.6. 3.4. 3.4.1. 3.4.2. 3.4.3. 3.4.4. 3.5. 3.5.1. 3.5.2. 3.5.3. |
Системы, оборудование и компоненты Примечания: 1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования 2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования Особое примечание. В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее статус контроля должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3 Электронные компоненты: Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения: Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий: а) суммарную дозу 5 х 10(3) Гр (Si) [5 х 10(5) рад] или выше; б) мощность дозы 5 х 10(6) Гр (Si)/c [5 х 10(8) рад/с] или выше; или в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 х 10(13) н/кв. см или более по кремнию или его эквивалент для других материалов Примечание. Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре); Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик: а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (+125°С); б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55°С); или в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55°С) до 398 К (+125°С) Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным схемам, используемым для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов; Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры; Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях; Следующие интегральные схемы для аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей: а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду; разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду; разрешающую способность 12 бит со скоростью на выходе более 105 млн. слов в секунду; разрешающую способность более 12 бит, но равную или меньше 14 бит, со скоростью на выходе более 10 млн. слов в секунду; или разрешающую способность более 14 бит со скоростью на выходе более 2,5 млн. слов в секунду; б) цифроаналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит или более и временем установления сигнала менее 10 нс Технические примечания: 1. Разрешающая способность n битов соответствует 2(n) уровням квантования 2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности аналого-цифрового преобразователя 3. Скорость на выходе является максимальной скоростью на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с) 4. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду; Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: а) один внутренний лазерный диод или более; б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и в) световоды; Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик: а) эквивалентное количество задействованных логических элементов более 30 000 (в пересчете на элементы с двумя входами); б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или в) частоту переключения выше 133 МГц Примечание. Пункт 3.1.1.1.7 включает: простые программируемые логические устройства (ППЛУ); сложные программируемые логические устройства (СПЛУ); программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ); программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ); программируемые пользователем межсоединения (ППМС) Особое примечание. Программируемые пользователем логические устройства также известны как программируемые пользователем вентильные или программируемые пользователем логические матрицы; Интегральные схемы для нейронных сетей; Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик: а) более 1000 выводов; б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; Цифровые интегральные схемы, иные, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего: а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или б) частотой переключения выше 1,2 ГГц; Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного N - точечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log_2 N)/20 480 мс, где N - количество точек Техническое примечание. В случае, когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени выполнения 500 мкс Примечания: 1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1 2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: монолитные интегральные схемы; гибридные интегральные схемы; многокристальные интегральные схемы; пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; оптические интегральные схемы; Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона: Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды: Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия: а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц; б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с; в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик: мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или пригодные для применения в космосе; Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/кв. см Примечания: 1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: а) частота не превышает 31,8 ГГц; и б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения 2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, которые непригодны для применения в космосе и удовлетворяют всем следующим характеристикам: а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; и б) спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения; Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик: а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%; б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; в) предназначенные для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; г) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно; д) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; или е) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц Примечания: 1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц 2. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а"-"е" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности 3. Примечания, приведенные после пункта 3.1 категории 3, подразумевают, что по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они специально разработаны для иных целей, например, для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей; Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик: а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); или д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц Примечание. Контрольный статус транзисторов, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а"-"д" пункта 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности; Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик: а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%; б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно; г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц; или е) предназначенные для работы на частотах выше 3,2 ГГц и имеющие все следующее: среднюю выходную мощность Р (Вт), большую, чем результат от деления величины 150 (Вт х ГГц(2)) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть: Р > 150/f(2) или в единицах размерности [(Вт) > (Вт х ГГц(2))/(ГГц)(2)]; относительную ширину полосы частот 5% или более; любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см х ГГц) на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: d <= 15/f или в единицах размерности [(см) <= (см х ГГц)/(ГГц)] Техническое примечание. Для усилителей, имеющих номинальный рабочий диапазон частот, простирающийся в сторону уменьшения до 3,2 ГГц и ниже, в формуле последнего абзаца подпункта "е" пункта 3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей частоты f (ГГц) следует принимать равным 3,2 ГГц, то есть: d <= 15/3,2 или в единицах размерности [(см) <= (см Х ГГц)/ГГц] Особое примечание. Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, описанные в пункте 3.1.1.2.2 Примечания: 1. Пункт 3.1.1.2.4 не применяется к радиопередающему спутниковому оборудованию, разработанному или предназначенному для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц 2. Контрольный статус изделий, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а"-"д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности; Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5:1 (f_max/f_min) менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик: а) полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или б) полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты; Преобразователи и смесители на гармониках, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, описанной в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 или 3.1.2.6, сверх пороговых значений, установленных в этих пунктах; Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие лампы, определенные в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие характеристики: а) рабочие частоты выше 3 ГГц; б) плотность средней выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и в) объем менее 400 куб. см Примечание. Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, разработанной или установленной изготовителем для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения; Микроволновые модули питания (ММП), содержащие, по крайней мере, лампу бегущей волны, монолитную микроволновую интегральную схему и встроенный электронный стабилизатор напряжения, имеющие все следующие характеристики: а) время включения от выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния менее 10 с; б) физический объем ниже произведения максимальной номинальной мощности в ваттах на 10 куб.см/Вт; и в) мгновенную ширину полосы частот более одной октавы (f_max > 2f_min) и любое из следующего: для частот, равных или ниже 18 ГГц, радиочастотную выходную мощность более 100 Вт; или частоту выше 18 ГГц Технические примечания: 1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время включения относится к периоду времени от полностью выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния, то есть оно включает время готовности ММП 2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 приводится следующий пример расчета физического объема ММП. Для максимальной номинальной мощности 20 Вт физический объем определяется как 20 [Вт] х 10 [куб.см/Вт] = 200 [куб.см]. Это значение физического объема является контрольным показателем и сравнивается с фактическим физическим объемом ММП; Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты: Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие любую из следующих характеристик: а) несущую частоту выше 6 ГГц; б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 6 ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ; произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; ширину полосы частот выше 250 МГц; или дисперсионную задержку более 10 мкс; или в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; дисперсионную задержку более 10 мкс; или частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 100 МГц; Приборы на объемных акустических волнах (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 2,5 ГГц; Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку; Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально спроектированные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из следующих признаков: а) токовые переключатели для цифровых схем, использующие сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10(-14) Дж; или б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000; Нижеперечисленные мощные энергетические устройства: Элементы, такие, как: Первичные элементы с плотностью энергии, превышающей 550 Вт х ч/кг при температуре 20°С; Вторичные элементы с плотностью энергии, превышающей 250 Вт х ч/кг при температуре 20°С; Техническое примечание. 1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность энергии (Вт х ч/кг) определяется произведением номинального напряжения в вольтах на номинальную емкость в ампер- часах, поделенным на массу в килограммах. Если номинальная емкость не установлена, плотность энергии определяется произведением возведенного в квадрат номинального напряжения в вольтах на длительность разряда в часах, поделенным на произведение сопротивления нагрузки разряда в омах на массу в килограммах 2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" определяется как электрохимическое устройство, имеющее положительные и отрицательные электроды и электролит и являющееся источником электроэнергии. Он является основным компоновочным блоком батареи 3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный элемент" определяется как "элемент", который не предназначен для заряда каким- либо другим источником энергии 4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный элемент" определяется как "элемент", который предназначен для заряда каким-либо внешним источником энергии Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются батареи, включая батареи, содержащие один элемент Высокоэнергетические накопительные конденсаторы: Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: а) номинальное напряжение 5 кВ или более; б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и в) полную энергию 25 кДж или более; Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: а) номинальное напряжение 5 кВ или более; б) плотность энергии 50 Дж/кг или более; в) полную энергию 100 Дж или более; и г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более; Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все нижеперечисленные характеристики: а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду; б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и в) номинальную магнитную индукцию больше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/кв. мм Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, специально разработанные для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии; Солнечные элементы, сборки электрически соединенных элементов под защитным стек- лом, солнечные панели и солнечные батареи, пригодные для применения в космосе, имеющие минимальное значение среднего КПД элементов более 20% при рабочей температуре 301 К (28°С) под освещением с поверхностной плотностью потока излучения 1367 Вт/кв.м при имитации условий нулевой воздушной массы (АМО) Техническое примечание. АМО (нулевая воздушная масса) определяется спектральной плотностью потока солнечного света за пределами атмосферы при расстоянии между Землей и Солнцем, равным одной астрономической единице (АЕ); Цифровые преобразователи абсолютного углового положения вращающегося вала, имеющие любую из следующих характеристик: а) разрешение лучше 1/265000 от полного диапазона (18 бит); или б) точность лучше +- 2,5 угл. с Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и тиристорные модули, использующие методы электрического, оптического или электронно-эмиссионного управления переключением, имеющие любую из следующих характеристик: а) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30 000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более 1100 В; или б) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующее: импульсное напряжение в закрытом состоянии, равное 3000 В более; и максимальный ток в импульсе (ударный ток) более 3000 А Техническое примечание. Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль содержит одно или несколько тиристорных устройств Примечания: 1. Пункт 3.1.1.7 включает: кремниевые триодные тиристоры; электрические триггерные тиристоры; световые триггерные тиристоры; коммутационные тиристоры с интегральными вентилями; вентильные запираемые тиристоры; управляемые тиристоры на МОП-структуре (структуре металл-оксид-полупроводник); солидтроны 2. По пункту 3.1.1.7 не контролируются тиристорные устройства и тиристорные модули, интегрированные в оборудование, разработанное для применения на железнодорожном транспорте или в гражданских летательных аппаратах Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения: Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее: Устройства записи на магнитной ленте показаний аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик: а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку; б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при количестве дорожек более 42; или в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (TOIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +- 0,1 мкс Примечание. Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающие устройства, использующие ленту; Цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 360 Мбит/с Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания, Европейским институтом стандартов по телекоммуникациям или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике; Устройства записи на магнитной ленте показаний цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или б) пригодные для применения в космосе Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются устройства записи данных на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных; Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса, превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов на магнитной ленте для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: а) скорость преобразования в цифровую форму 200 млн. проб в секунду или более и разрешение 10 бит или более; и б) непрерывную пропускную способность 2 Гбит/с или более Техническое примечание. Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине непрерывная пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Непрерывная пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования; Устройства записи данных цифровой аппаратуры, использующие способ хранения на магнитном диске, имеющие все следующие характеристики: а) скорость преобразования в цифровую форму 100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит или более; и б) непрерывную пропускную способность не менее 1 Гбит/с или более; Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты менее 1 мс; Примечание. Контрольный статус анализаторов сигналов, генераторов сигналов, схемных анализаторов и микроволновых приемников-тестеров как функционально законченных приборов определяется по пункту 3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 или 3.1.2.6 соответственно Анализаторы сигналов радиочастот: Анализаторы сигналов, способные анализировать любые сигналы с частотой выше 31,8 ГГц, но не превышающей 37,5 ГГц, и имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 10 МГц; Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 43,5 ГГц; Динамические анализаторы сигналов с полосой частот в реальном масштабе времени, превышающей 500 кГц Примечание. По пункту 3.1.2.3.3 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры); Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутреннего задающего эталонного генератора и имеющие любую из следующих характеристик: а) максимальную синтезируемую частоту выше 31,8 ГГц, но не превышающую 43,5 ГГц, и предназначенные для создания длительности импульса менее 100 нс; б) максимальную синтезируемую частоту выше 43,5 ГГц; в) время переключения с одной выбранной частоты на другую, определенное любым из следующего: менее 10 нс; менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 1,6 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 10,6 ГГц; менее 250 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 10,6 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц; менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 43,5 ГГц; или менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот, превышающего 43,5 ГГц; или г) фазовый шум одной боковой полосы лучше - (126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц, где F - смещение от рабочей частоты в Гц, a f - рабочая частота в МГц Примечания. 1. Для целей пункта 3.1.2.4 генераторы сигналов синтезированных частот включают в себя генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций 2. По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты Техническое примечание. Генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций обычно определяются частотой выборки (например, Гвыб./с), которая преобразовывается в радиочастотную область посредством коэффициента Найквиста - 2. Так, 1 Гвыб./с произвольных импульсов имеет возможность прямого вывода 500 МГц или при использовании выборки с запасом по частоте дискретизации максимальная возможность прямого вывода пропорционально ниже Техническое примечание. Для целей подпункта "а" пункта 3.1.2.4 длительность импульса определяется как временной интервал между передним фронтом импульса, достигающим 90% от максимума, и задним фронтом импульса, достигающим 10% от максимума Схемные анализаторы (панорамные измерители полных сопротивлений; измерители амплитуды, фазы и групповой задержки двух сигналов относительно опорного сигнала) с максимальной рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц; Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики: а) максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу; Атомные эталоны частоты: Пригодные для применения в космосе; Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие долговременную стабильность меньше (лучше) 1х10(-11) в месяц Особое примечание. В отношении атомных эталонов частоты, указанных в пункте 3.1.2.7.2, см. также пункт 3.1.1 раздела 2; Рубидиевые эталоны, не пригодные для применения в космосе и имеющие все нижеследующее: а) долговременную стабильность меньше (лучше) 1 х 10(-11) в месяц; и б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты Испытательное, контрольное и производственное оборудование Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них: Оборудование для эпитаксиального выращивания: Оборудование, обеспечивающее производство слоя из любого материала, отличного от кремния, с отклонением равномерности толщины менее +-2,5% на расстоянии 75 мм или более; Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов полупроводниковых соединений с использованием материалов, контролируемых по пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве исходных Особое примечание. В отношении оборудования, указанного в пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2; Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников; Оборудование, предназначенное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик: а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) более 1 МэВ; б) специально спроектированное и оптимизированное для работы с энергией пучка (ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ; в) имеет возможность непосредственного формирования рисунка; или г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; Оборудование для сухого анизотропного плазменного травления: Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее любую из следующих характеристик: а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 180 нм или менее и погрешностью (3 о), равной +- 5%; или б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре; Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и имеющее любую из следующих характеристик: а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 180 нм или менее и погрешностью (3 а), равной +- 5%; или б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре; Оборудование химического осаждения из паровой фазы с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс: Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее; Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее; Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой полупроводниковых пластин (подложек), имеющие все следующие характеристики: а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин (подложек), к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и б) предназначенные для интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме Примечание. По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические робототехнические системы управления загрузкой пластин (подложек), не предназначенные для работы в вакууме; Оборудование для литографии: Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего: а) источник света с длиной волны короче 245 нм; или б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 180 нм и менее Техническое примечание. Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле: МРР = (длина волны источника света в нанометрах) х (К фактор)/(числовая апертура), где К фактор = 0,45; Литографическое оборудование для печати, способное создавать элементы размером 180 нм или менее Примечание. Пункт 3.2.1.6.2 включает: а) инструментальные средства для микроконтактной литографии; б) инструментальные средства для горячего тиснения; в) литографические инструментальные средства для нанопечати; г) литографические инструментальные средства для поэтапной и мгновенной печати; Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов или производства полупроводниковых приборов с использованием методов непосредственного формирования рисунка, имеющее все нижеследующее: а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный, ионный или лазерный пучок; и б) имеющее любую из следующих характеристик: размер пятна менее 0,2 мкм; возможность формирования рисунка с размером элементов менее 1 мкм; или точность совмещения слоев лучше +- 0,20 мкм (3 сигма); Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1; Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем Примечание. По пункту 3.2.1.8 не контролируются многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, разработанные для изготовления запоминающих устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1 Литографические шаблоны для печати, разработанные для интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1 Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления: Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах выше 31,8 ГГц; Для испытания микроволновых интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1.2.2 Материалы Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: Кремний; Германий; Карбид кремния; или Соединения III-V на основе галлия или индия Материалы резистов, а также подложки, покрытые контролируемыми резистами: Позитивные резисты, предназначенные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны менее 245 нм; Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или лучше; Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или лучше; Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая силилированные резисты Все резисты, разработанные или приспособленные для применения с оборудованием для литографической печати, указанным в пункте 3.2.1.6.2, использующие термический или светоотверждающий способ Техническое примечание. Технология силилирования - это процесс, включающий окисление поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления Следующие органо-неорганические соединения: Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999%; Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999% Примечание. По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999%, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде Примечание. По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20% и более молей инертных газов или водорода Подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 10 000 Ом х см при 20°С Подложки, определенные в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) Программное обеспечение Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2 Программное обеспечение, специально разработанное для применения в любом нижеследующем оборудовании: а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1 - 3.2.1.6; или б) контролируемом по пункту 3.2.2 Физически обоснованное программное обеспечение моделирования, специально разработанное для разработки процессов литографии, травления или осаждения с целью воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топографические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках Техническое примечание. Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается использование вычислений для определения последовательности физических факторов и результатов воздействия, основанных на физических свойствах (например, температура, давление, коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов) Примечание. Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования, контролируемого по пункту 3.1.3 Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пункту 3.1, 3.2 или 3.3 Примечание. По пункту 3.5.1 не контролируются технологии для: а) производства оборудования или компонентов, контролируемых по пункту 3.1.3 б) разработки или производства интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3-3.1.1.1.11, имеющих все нижеперечисленные признаки: использующие технологии с разрешением 0,5 мкм или выше (хуже); и не содержащие многослойных структур Техническое примечание. Для целей пункта "б" примечания многослойные структуры не включают приборов, содержащих максимум три металлических слоя и три слоя поликристаллического кремния Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку другие, чем те, которые контролируются по пункту 3.5.1, для разработки или производства ядра микросхем микропроцессора, микроЭВМ или микроконтроллера, имеющих арифметико- логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более и любые из нижеприведенных особенностей или характеристик: а) блок векторного процессора, предназначенный для выполнения более двух вычислений с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32- разрядными или более массивами) одновременно Техническое примечание. Блок векторного процессора является процессорным элементом со встроенными операторами, которые выполняют многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно, имеющим, по крайней мере, одно векторное арифметико-логическое устройство; б) разработанных для выполнения более двух 64-разрядных или более операций с плавающей запятой, проходящих за цикл; или в) разработанных для выполнения более четырех 16-разрядных операций умножения с накоплением с фиксированной запятой, проходящих за цикл (например, цифровая обработка аналоговой информации, которая была предварительно преобразована в цифровую форму, также известная как цифровая обработка сигналов) Примечание. По подпункту "в" пункта 3.5.2 не контролируется технология мультимедийных расширений Примечания: 1. По пункту 3.5.2 не контролируются технологии для разработки или производства ядер микропроцессоров, имеющих все нижеперечисленные признаки: использующие технологии с разрешением 0,130 мкм или выше (хуже); и содержащие многослойные структуры с пятью или менее металлическими слоями 2. Пункт 3.5.2 включает технологии для процессоров цифровой обработки сигналов и цифровых матричных процессоров Прочие технологии для разработки или производства: а) вакуумных микроэлектронных приборов; б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких, как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках; Примечание. По подпункту "б" пункта 3.5.3 не контролируются технологии для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц; в) сверхпроводящих электронных приборов; г) подложек из алмазных пленок для электронных компонентов; д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния; е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов; ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31,8 ГГц или выше |
8542 8542 8542 31 901 1; 8542 31 909 9; 8542 39 909 9 8542 31 901 1; 8542 31 909 9; 8542 39 909 9 8542 31 901 9; 8542 31 909 9; 8542 39 901 9; 8542 39 909 9 8542 8542 39 901 9 8542 8542 31 901 9; 8542 31 909 9; 8542 39 901 9; 8542 39 909 9 8542 8542 31 901 1; 8542 31 909 9; 8542 39 909 9 8540 79 000 9 8540 71 000 0 8540 99 000 0 8542 31 901 9; 8542 33 000; 8542 39 901 9; 8543 90 000 1; 8541 21000 0; 8541 29 000 0 8543 70 900 0 8543 70 900 0 8543 70 900 0 8543 70 900 0 8540 79 000 9; 8542 31 901 9; 8543 70 900 0; 8543 90 000 1 8541 60 000 0 8541 60 000 0 8541 60 000 0 8540; 8541; 8542; 8506 8507 8506; 8507; 8532 8506; 8507; 8532 8504 50; 8505 90 200 0 8541 40 900 9031 80 320 0; 9031 80 340 0 8536 50 030 0; 8536 50 800 0; 8541 30 000 9 8519 81 750 1; 8519 81 850; 8519 81 950 0; 8519 89 900 0; 8521 10 200 0; 8521 10 950 0 8521 10; 8521 90 000 9 8471 70 800 0; 8521 10 8521 90 000 9 8471 90 000 0; 8543 70 900 0 8471 50 000 0; 8471 60; 8471 70 200 0; 8471 70 300 0; 8471 70 500 0; 8519 81 950 0; 8519 89 900 0; 8522 90 410 0; 8522 90 490 0 8522 90 400 0; 8522 90 800 0 8543 20 000 0 9030 84 000 9; 9030 89 300 0 9030 84 000 9; 9030 89 300 0 9030 20 300 9; 9030 32 000 9; 9030 39 000 9; 9030 84 000 9; 9030 89 300 0 8543 20 000 0 9030 40 000 0 8517 69 390 0 8543 20 000 0 8543 20 000 0 8543 20 000 0 8419 89 989 0; 8424 89 000 9; 8479 89 970 8 8486 10 000 9 8486 20 900 9 8486 10 000 9 8486 20 900 9 8486 20 900 2; 8456 90 800 0 8486 20 900 2; 8456 90 800 0 8486 20 900 9; 8419 89 300 0 8456 10 00; 8486 20 900 2; 8456 90 800 0; 8486 20 900 3; 8479 50 000 0 8443 39 390 0 8443 39; 8486 20 900 8456 10 00; 8486 20 900 3; 8486 40 000 1 8486 90 900 3 8486 90 900 3 8486 90 900 3 3824 90 870 0; 3824 90 970 9 9030; 9031 20 000 0; 3824 90 870 0; 3824 90 970 9 3818 00 100 0; 3818 00 900 0 3818 00 900 0 3818 00 900 0 3818 00 900 0 3824 90 870 0; 3824 90 970 9 3824 90 870 0; 3824 90 970 9 3824 90 870 0; 3824 90 970 9 3824 90 870 0; 3824 90 970 9 3824 90 870 0; 3824 90 970 9 2931 10 000 0; 2931 20 000 0; 2931 90 400 0; 2931 90 900 0 2931 00 950 0 2848 00 000 0; 2850 00 200 0 3818 00 900 0 3818 00 900 0 |
Категория 4. Вычислительная техника | ||
4.1. 4.1.1. 4.1.1.1. 4.1.1.2. 4.1.2. 4.1.2.1. 4.1.2.2. 4.1.2.3. 4.1.2.4. 4.1.2.5. 4.1.3. 4.1.3.1. 4.1.3.2. 4.1.3.3. 4.2. 4.3. 4.4. 4.4.1. 4.4.1.1. 4.4.1.2. 4.4.2. 4.4.3. 4.4.3.1. 4.4.3.2. 4.5. 4.5.1. 4.5.2. |
Примечания: 1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 категории 5 (Телекоммуникации) 2. Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, устройства оперативной памяти или дисковые контроллеры, не рассматриваются как телекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 категории 5 (Телекоммуникации) Особое примечание. Для определения контрольного статуса программного обеспечения, специально разработанного для коммутации пакетов, следует применять пункт 5.4.1 3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, выполняющие функции криптографии, криптоанализа, сертифицируемой многоуровневой защиты информации или сертифицируемые функции изоляции пользователей либо ограничивающие электромагнитную совместимость (ЭМС), должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 2 категории 5 (Защита информации) Системы, оборудование и компоненты ЭВМ и сопутствующее оборудование, а также электронные сборки и специально разработанные для них компоненты: Специально разработанные для достижения любой из следующих характеристик: а) по техническим условиям пригодные для работы при температуре внешней среды ниже 228 К (-45°С) или выше 358 К (85°С) Примечание. По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не контролируются ЭВМ, специально созданные для гражданских автомобилей или железнодорожных поездов; б) радиационно стойкие при превышении любого из следующих требований: общая доза 5 х 10(3) Гр (Si) [5 x 10(5) рад]; мощность дозы 5 х 10(6) Гр (Si)/c [5 х 10(8) рад/с]; или сбой от однократного события 10(-7) ошибок/бит/день Особое примечание. В отношении систем, оборудования и компонентов, соответствующих требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1.1, см. также пункт 4.1.1 раздела 2; Имеющие характеристики или выполняющие функции, превосходящие пределы, указанные в части 2 категории 5 (Защита информации) Примечание. Пункт 4.1.1.2 не применяется к ЭВМ и связанному с ними оборудованию, когда они вывозятся пользователем для своего индивидуального использования Цифровые ЭВМ, электронные сборки и сопутствующее оборудование, а также специально разработанные для них компоненты: Спроектированные или модифицированные для обеспечения отказоустойчивости Примечание. Применительно к пункту 4.1.2.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее оборудование не считаются спроектированными или модифицированными для обеспечения отказоустойчивости, если в них используется любое из следующего: а) алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в оперативной памяти; б) соединение двух цифровых вычислительных машин такое, что если происходит отказ активного центрального процессора, то холостой зеркальный центральный процессор может продолжить функционирование системы; в) соединение двух центральных процессоров посредством каналов передачи данных или с применением разделяемой памяти, для того чтобы обеспечить одному центральному процессору возможность выполнять некоторую работу, пока не откажет другой центральный процессор; тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, чтобы продолжить функционирование системы; или г) синхронизация двух центральных процессоров, объединенных посредством программного обеспечения так, что один центральный процессор распознает, когда отказывает другой центральный процессор, и восстанавливает задачи, выполнявшиеся отказавшим процессором; Цифровые ЭВМ, имеющие приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 0,75 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) Электронные сборки, специально разработанные или модифицированные для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в пункте 4.1.2.2 Примечания: 1. Пункт 4.1.2.3 распространяется только на электронные сборки и программируемые взаимосвязи, не превышающие пределы, указанные в пункте 4.1.2.2, при поставке в виде необъединенных электронных сборок. Он не применим к электронным сборкам, конструкция которых пригодна только для использования в качестве сопутствующего оборудования, контролируемого по пункту 4.1.2.4 2. По пункту 4.1.2.3 не контролируются электронные сборки, специально разработанные для продукции или целого семейства продукции, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, указанные в пункте 4.1.2.2; Оборудование, выполняющее аналого-цифровые преобразования, превосходящее пределы, указанные в пункте 3.1.1.1.5; Аппаратура, специально разработанная для обеспечения внешних соединений цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, которые в коммуникациях имеют скорость передачи данных, превышающую 1,25 Гбайт/с Примечание. По пункту 4.1.2.5 не контролируется оборудование внутренней взаимосвязи (например, объединительные платы, шины), оборудование пассивной взаимосвязи, контроллеры доступа к сети или контроллеры каналов связи Примечания: 1. Пункт 4.1.2 включает: а) векторные процессоры; б) матричные процессоры; в) процессоры цифровой обработки сигналов; г) логические процессоры; д) оборудование для улучшения качества изображения; е) оборудование для обработки сигналов 2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.2, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если: а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем; б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и в) технология для цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5 Особые примечания: 1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально разработанного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом такого оборудования, даже если первое превосходит критерий основного элемента 2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации) ЭВМ, указанные ниже, и специально спроектированное сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них: ЭВМ с систолической матрицей; Нейронные ЭВМ; Оптические ЭВМ Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет Материалы - нет Программное обеспечение Примечание. Контрольный статус программного обеспечения для разработки, производства или использования оборудования, указанного в других категориях, определяется по описанию соответствующей категории. В данной категории дается контрольный статус программного обеспечения для оборудования этой категории Программное обеспечение следующих видов: Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 соответственно; Программное обеспечение иное, чем контролируемое по пункту 4.4.1.1, специально разработанное или модифицированное для разработки или производства: а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 0,04 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы СТП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" пункта 4.4.1.2 Особое примечание. В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 4.4.1, см. также пункт 4.4.1 разделов 2 и 3 Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологии, контролируемой по пункту 4.5 Специальное программное обеспечение следующих видов: Программное обеспечение операционных систем, инструментарий разработки программного обеспечения и компиляторы, специально разработанные для оборудования многопоточной обработки данных в исходных кодах; Программное обеспечение, имеющее характеристики или выполняющее функции, которые превышают пределы, указанные в части 2 категории 5 (Защита информации) Примечание. По пункту 4.4.3.2 не контролируется программное обеспечение, когда оно вывозится пользователями для своего индивидуального использования Технология Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 соответственно; Иные технологии, кроме контролируемых по пункту 4.5.1, специально предназначенные или модифицированные для разработки или производства: а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую производительность (ППП), превышающую 0,04 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или б) электронных сборок, специально разработанных или модифицированных для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы СТП объединенных сборок превышала пороговое значение, указанное в подпункте "а" Особое примечание. В отношении технологий, указанных в пунктах 4.5.1 и 4.5.2, см. также пункт 4.5.1 разделов 2 и 3 |
8471 8471 8471 (кроме 8471 30 000 0; 8471 41 000 0; 8471 49 000 0; 8471 50 000 0) 8471 (кроме 8471 30 000 0; 8471 41 000 0; 8471 49 000 0; 8471 50 000 0) 8471 (кроме 8471 30 000 0; 8471 41 000 0; 8471 49 000 0; 8471 50 000 0) 8471 90 000 0; 8543 90 000 9 8471 90 000 0; 8517 61 000 1; 8517 62 000 2; 8517 62 000 3 8471 8471 8471 |
Техническое примечание по определению приведенной пиковой производительности (ППП).
ППП - это приведенная пиковая скорость, на которой цифровые ЭВМ выполняют 64-разрядные или более операции сложения и умножения с плавающей запятой.
Сокращения, используемые в настоящем техническом примечании:
- количество процессоров в цифровой ЭВМ
- номер процессора
- время цикла процессора
- частота процессора
- пиковая скорость вычисления с плавающей запятой
- коэффициент согласования с архитектурой.
ППП выражается во взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) - триллионах приведенных операций с плавающей запятой в секунду.
Схема способа вычисления ППП:
1. Для каждого процессора определяется максимальное количество 64-разрядных или более операций с плавающей запятой , выполняемых за цикл каждым процессором цифровой ЭВМ.
Примечание.
При определении ОПЗ учитываются только 64-разрядные или более операции сложения и/или умножения с плавающей запятой за цикл процессора. Операции, требующие многочисленных циклов, могут быть выражены в дробных результатах за цикл процессора. Для процессоров, не способных выполнять вычисления с 64-разрядными или более операциями с плавающей запятой, эффективная скорость вычисления R равна нулю.
2. Вычисляется скорость с плавающей запятой R для каждого процессора:
3. Вычисляется ППП следующим образом:
4. Для векторных процессоров - , для невекторных процессоров - .
Примечания:
1. Для процессоров, которые выполняют составные операции в цикле, такие, как сложение и умножение, считается каждая операция
2. Для конвейерного процессора эффективная скорость вычисления R выше конвейерной скорости при загруженном конвейере или неконвейерной скорости
3. Скорость вычисления R каждого содействующего процессора должна быть рассчитана по его максимальной теоретически возможной величине перед определением ППП всей комбинации процессоров. Одновременные операции считаются таковыми, когда производитель ЭВМ заявляет в руководстве пользователя или документации к ЭВМ о совпадающих, параллельных или одновременных операциях или процессах исполнения процессором команд программы
4. При вычислении ППП не учитываются процессоры, ограниченные входными/выходными и периферийными функциями (например, дисководы, устройства связи и мониторы)
5. Значения ППП не следует вычислять для комбинаций процессоров, объединенных локальными сетями, глобальными сетями, совместно используемыми соединениями/устройствами ввода/вывода, контроллерами ввода/вывода и любыми коммуникационными соединениями, осуществляемыми при помощи программного обеспечения
6. Значения ППП должны вычисляться для:
а) комбинаций процессоров, содержащих специально разработанные процессоры для повышения производительности путем объединения, одновременно работающей и совместно используемой памяти; или
б) многочисленных комбинаций память/процессор, работающих одновременно с использованием специально разработанных аппаратных средств
7. Векторный процессор определяется как процессор со встроенными командами, который выполняет многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 64-разрядными и более массивами) одновременно, имеющий, по крайней мере, два векторных функциональных устройства и восемь регистров для хранения векторов емкостью, по крайней мере, 64 элемента каждый
Этап I: Эффективная скорость вычислений (R)
/-----------------------------------------------------------------------\
|Для вычислительных элементов, | Эффективная скорость вычислений 1/[3 х |
| реализующих: только ФЗ | (время сложения ФЗ)], |
|------------------------------+----------------------------------------|
| |если операции сложения нет, то через|
| |умножение: |
|------------------------------+----------------------------------------|
|(R_фз) |1/(время умножения ФЗ), |
|------------------------------+----------------------------------------|
| |если нет ни операции сложения, ни|
| |операции умножения, то R_фз|
| |рассчитывается через самую быструю из|
| |имеющихся арифметических операций: 1/[3|
| |х (время операции ФЗ)] см. примечания X|
| |и Z |
|------------------------------+----------------------------------------|
|только ПЗ |МАХ {1/(время сложения ПЗ), |
|------------------------------+----------------------------------------|
|(R_пз) |1/(время умножения ПЗ)} |
|------------------------------+----------------------------------------|
| |см. примечания X и Y |
|------------------------------+----------------------------------------|
|и ФЗ, и ПЗ |вычисляется как R_фз, так и R_пз |
|------------------------------+----------------------------------------|
|(R) | |
|------------------------------+----------------------------------------|
|Для простых логических|1/[3 х (время логической операции)]|
|процессоров, не выполняющих|здесь время логической операции - это|
|указанные арифметические|время выполнения операции XOR, а если ее|
|операции |нет, то берется самая быстрая простая|
| |логическая операция, см. примечания X и|
| |Z |
|------------------------------+----------------------------------------|
|Для специализированных|R = R' х ДС/64, |
|логических процессоров, не|----------------------------------------|
|выполняющих указанные|где R' - число результатов в секунду |
|арифметические и логические|----------------------------------------|
|операции |ДС - число битов, над которым|
| |выполняется логическая операция |
|------------------------------+----------------------------------------|
| |64 - коэффициент, нормализующий под|
| |64-разрядную операцию |
\-----------------------------------------------------------------------/
Примечание.
Каждый ВЭ должен оцениваться независимо.
Примечание W.
Для конвейерного ВЭ, способного выполнять до одной арифметической или логической операции на каждом такте при полном заполнении конвейера, можно определить конвейерную производительность. R для таких ВЭ равна наибольшей из конвейерной или неконвейерной скоростей вычислений.
Примечание X.
Для ВЭ, которые выполняют многократные операции определенного типа за один такт (например, два сложения за такт или две идентичные логические операции за такт), t вычисляется как:
время цикла
t = -------------------------------------
число арифметических операций в цикле
ВЭ, который выполняет разные типы арифметических или логических операций в одном машинном цикле, должен рассматриваться как множество раздельных ВЭ, работающих одновременно (например, ВЭ, выполняющий в одном цикле операции сложения и умножения, должен рассматриваться как два ВЭ, один из которых выполняет сложение за один цикл, а другой - умножение за один цикл). Если в одном ВЭ реализуются как скалярные, так и векторные функции, то используют значение более короткого времени исполнения.
Примечание Y.
Если в ВЭ не реализуется сложение ПЗ или умножение ПЗ, а выполняется деление ПЗ, то
R = 1/(время деления ПЗ)
пз
Если в ВЭ реализуется обратная величина ПЗ, но не сложение ПЗ, умножение ПЗ или деление ПЗ, тогда
R = 1/(время обратной величины ПЗ)
пз
Если ни одна из указанных команд не используется, то эффективная ПЗ производительность равна 0.
Примечание Z.
Простая логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняется одно логическое действие не более чем над двумя операндами заданной длины. Сложная логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняются многократные логические действия над двумя или более операндами и выдается один или несколько результатов. Скорости вычислений рассчитываются для всех аппаратно поддерживаемых длин операндов, рассматривая обе конвейерные операции (если поддерживаются) и неконвейерные операции, использующие самые короткие операции для каждой длины операнда, с учетом следующего:
1. Конвейерные операции или операции регистр-регистр. Исключаются чрезвычайно короткие операции, генерируемые для операций на заранее определенном операнде или операндах (например, умножение на 0 или 1). Если операций типа регистр-регистр нет, следует руководствоваться пунктом 2.
2. Самая быстрая операция регистр-память или память-регистр. Если и таких нет, следует руководствоваться пунктом 3.
3. Память-память.
В любом случае из вышеперечисленных используйте самые короткие операции, указанные в паспортных данных изготовителем.
Этап II: ТП для каждой поддерживаемой длины операнда ДС
Пересчитайте R (или R') с учетом L:
ТП = R x L,
где L = (1/3 + ДС/96)
Примечание.
ДС, используемая в этих расчетах, - это длина операнда в битах. (Если в операции задействованы операнды разной длины, пользуйтесь максимальной ДС.)
Комбинация мантиссы АЛУ и экспоненты АЛУ в процессоре с ПЗ или функциональном устройстве считается одним ВЭ с ДС, эквивалентной количеству битов в представлении данных (32 или 64 разряда) при вычислении СТП.
Данный пересчет не применяется к специализированным логическим процессорам, в которых операция XOR не используется. В этом случае ТП = R.
Выбор максимального результирующего значения ТП для:
каждого ВЭ, использующего только ФЗ (R_фз);
каждого ВЭ, использующего только ПЗ (R_пз);
каждого ВЭ, использующего комбинацию ПЗ и ФЗ ВЭ (R);
каждого простого логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических операций; и
каждого специализированного логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических или логических операций.
Этап III: Расчет СТП для конфигураций ВЭ, включая ЦП
Для ЦП с одним ВЭ
СТП = ТП
(Для ВЭ, выполняющих операции как с ФЗ, так и с ПЗ,
ТП = max (ТП , ТП )
фз пз
Для конфигураций всех ВЭ, работающих одновременно, СТП вычисляется следующим образом:
Примечания:
1. Для конфигураций, которые не допускают одновременно работу всех ВЭ, из возможных конфигураций ВЭ выбирается конфигурация с наибольшей СТП. Значение ТП для каждого ВЭ, дающего вклад, вычисляется как его максимально возможное теоретическое значение до вычисления СТП всей конфигурации.
Особое примечание.
Для определения возможной комбинации одновременно работающих ВЭ надо сгенерировать такую последовательность команд, которая производит операции над многими ВЭ, начиная с самого медленного ВЭ (такого, который требует наибольшего числа тактов для выполнения операции) и заканчивая самым быстрым ВЭ. На каждом такте последовательности комбинация ВЭ, которая находится в работе в этом такте, и есть возможная комбинация из вычислительных элементов ВЭ. Последовательность команд должна учитывать все оборудование и (или) архитектурные условия на перекрывающиеся в течение такта операции.
2. Отдельная интегральная микросхема или отдельная плата могут содержать множество ВЭ.
3. Предполагается, что одновременные операции имеют место, если производитель вычислительной машины утверждает о наличии конкурентных, параллельных или одновременных операциях или вычислениях в руководстве по использованию компьютера или в брошюре о нем.
4. Значения СТП не суммируются для конфигураций ВЭ, взаимосвязанных в локальные вычислительные сети, распределенные вычислительные сети, объединенные устройствами разделенного ввода-вывода, контроллерами ввода-вывода и любыми другими взаимосвязанными системами передачи, реализованными программными средствами.
5. Значение СТП должно суммироваться для множества ВЭ, специально разработанных для повышения их характеристик за счет объединения ВЭ, работающих одновременно и использующих совместно память, или в случае память-ВЭ комбинаций, работающих одновременно под управлением специально разработанных технических средств.
Это не относится к электронным сборкам, указанным в пункте 4.1.2.3
СТП = ТП + С х ТП + ... + С х ТП ,
1 2 2 n n
где ТП упорядочены по их значению, начиная с наибольшего значения - ТП_1, затем ТП_2 - второй по величине и, наконец, наименьший по значению ТП_n, С_i - коэффициент, определяемый силой взаимосвязей между ВЭ следующим образом: Для случая множества ВЭ, работающих одновременно и разделяющих память:
С = С = С = ... = С = 0,75
2 3 4 n
Примечания:
1. Когда СТП, вычисленная вышеуказанным методом, не превышает 194 Мтопс, Ci может быть определена дробью, числитель которой равен 0,75, а знаменатель - корню квадратному из m, где m - количество ВЭ или групп ВЭ, разделяющих доступ, при условии:
а) ТП, каждого ВЭ или группы ВЭ не превышает 30 Мтопс;
б) ВЭ или группа ВЭ разделяют доступ к оперативной памяти (исключая кэш-память) по общему каналу; и
в) только один ВЭ или группа ВЭ может использовать канал в любое данное время.
Особое примечание.
Сказанное выше не относится к пунктам, контролируемым по категории 3
2. Считается, что ВЭ разделяют доступ к памяти, если они обращаются к общему блоку твердотельной памяти. Эта память может включать в себя кэш-память, оперативную память или иную внутреннюю память. Внешняя память типа дисководов, ленточных накопителей или дисков с произвольным доступом сюда не входит.
Для случая множества ВЭ или групп ВЭ, не разделяющих общую память, но взаимосвязанных одним или более каналами передачи данных:
С = 0,75 х k (i = 2,..., 32) (см. примечание ниже)
i i
= 0,60 х к , (i = 33, ...,64)
i
= 0,45 x k (i = 65,..., 256)
i
= 0,30 x k (i > 256)
i
Величина Ci основывается на номере ВЭ, но не на номере узла, где
k = min (S_i/K_г, 1); и
i
К - нормализующий фактор, равный 20 Мбайт/с;
г
S - сумма максимальных скоростей передачи данных (в Мбайт/с) для всех
i информационных каналов, связывающих i-тый ВЭ или группу ВЭ, имеющих
общую память.
Когда вычисляется С_i для группы ВЭ, номер первого ВЭ в группе определяет собственный предел для С_i. Например, в конфигурации групп, состоящих из трех ВЭ каждая, 22 группа будет содержать ВЭ_64, ВЭ_65 и ВЭ_66. Собственный предел для С, для этих групп составляет 0,60.
Конфигурация ВЭ или групп ВЭ может быть определена от самого быстрого к самому медленному, то есть:
ТП >= ТП >= ... >= ТП и
1 2 n
в случае, когда ТП_i = ТП_i+1, от самого большого к самому маленькому, то есть:
С >= С
i i+1
Примечание.
k_i - фактор не относится к ВЭ от 2 до 12, если ТП_1 ВЭ или группы ВЭ больше 50 Мтопс, то есть С_i, для ВЭ от 2 до 12 равен 0,75.
/-----------------------------------------------------------------------\
| N пункта | Наименование | Код ТН ВЭД |
|-----------------------------------------------------------------------|
| Категория 5 |
|-----------------------------------------------------------------------|
| | Часть 1. Телекоммуникации | |
| | | |
| |Примечания: | |
| | | |
| |1. В части 1 категории 5 определяется| |
| |контрольный статус компонентов, лазерного,| |
| |испытательного и производственного| |
| |оборудования, материалов и программного| |
| |обеспечения, специально разработанных для| |
| |телекоммуникационного оборудования или| |
| |систем | |
| | | |
| |2. В тех случаях, когда для| |
| |функционирования или поддержки| |
| |телекоммуникационного оборудования,| |
| |указанного в этой категории, и его| |
| |обеспечения важное значение имеют цифровые| |
| |ЭВМ, связанное с ними оборудование или| |
| |программное обеспечение, последние| |
| |рассматриваются в качестве специально| |
| |разработанных компонентов при условии, что| |
| |они являются стандартными моделями, обычно| |
| |поставляемыми производителем. Это включает| |
| |компьютерные системы, реализующие функции| |
| |управления, технического обслуживания| |
| |оборудования, проектирования, выписывания| |
| |счетов | |
| | | |
| 5.1.1. |Системы, оборудование и компоненты | |
| | | |
| 5.1.1.1. |Телекоммуникационное оборудование любого| |
| |типа, имеющее любую из следующих| |
| |характеристик, функций или свойств: | |
| | | |
| 5.1.1.1.1. |Специально разработанное для сохранения|8517 12 000 0; |
| |работоспособности при воздействии|8517 61 000 2; |
| |кратковременных электронных эффектов или|8517 61 000 8; |
| |электромагнитных импульсных эффектов,|8517 69 390 0; |
| |возникающих при ядерном взрыве; |8525 60 000 0; |
| | |8543 70 900 0 |
| | | |
| 5.1.1.1.2. |Специально повышенную стойкость к гамма-,|8517 12 000 0; |
| |нейтронному или ионному излучению; или |8517 61 000 2; |
| | |8517 61 000 8; |
| | |8517 69 390 0; |
| | |8525 60 000 0; |
| | |8543 70 900 0 |
| | | |
| 5.1.1.1.3. |Специально разработанное для|8517 12 000 0; |
| |функционирования за пределами диапазона|8517 61 000 2; |
| |температур от 218 К (-55°С) до 397 К|8517 61 000 8; |
| |(124°С) |8517 69 390 0; |
| | |8525 60 000 0; |
| | |8543 70 900 0 |
| | | |
| |Примечания: | |
| | | |
| |1. Пункт 5.1.1.1.3 применяется только к| |
| |электронной аппаратуре | |
| | | |
| |2. По пунктам 5.1.1.1.2 и 5.1.1.1.3 не| |
| |контролируется оборудование, разработанное| |
| |или модифицированное для использования на| |
| |борту спутников | |
| | | |
| 5.1.1.2. |Телекоммуникационные системы и| |
| |аппаратура, а также специально| |
| |разработанные для них компоненты и| |
| |принадлежности, имеющие любые из следующих| |
| |характеристик, свойств или качеств: | |
| | | |
| 5.1.1.2.1. |Являются системами подводной беспроводной|9014 80 000 0; |
| |связи, имеющими любую из следующих| 9015 80 910 0 |
| |характеристик: | |
| | | |
| |а) акустическую несущую частоту за| |
| |пределами интервала от 20 кГц до 60 кГц; | |
| | | |
| |б) использующие электромагнитную несущую| |
| |частоту ниже 30 кГц; или | |
| | | |
| |в) использующие электронное управление| |
| |положением главного лепестка (диаграммы| |
| |направленности антенны); | |
| | | |
| |г) использующие в локальной сети лазеры| |
| |или светоизлучающие диоды (СИД) с выходной| |
| |длиной волны более 400 нм, но менее 700| |
| |нм; | |
| | | |
| 5.1.1.2.2. |Являются радиоаппаратурой, работающей в|8517 12 000 0; |
| |диапазоне частот 1,5 - 87,5 МГц и|8517 61 000 2; |
| |имеющей все следующие характеристики: |8517 61 000 8; |
| | | 8525 60 000 0 |
| | | |
| |а) возможность автоматически прогнозиро-| |
| |вать и выбирать частоты и общие скорости| |
| |цифровой передачи в канале для оптимизации| |
| |передачи полезного сигнала; | |
| | | |
| |б) и встроенный линейный усилитель| |
| |мощности, способный одновременно| |
| |пропускать множество сигналов с выходной| |
| |мощностью 1 кВт или более в диапазоне| |
| |частот от 1,5 МГц до 30 МГц или 250 Вт или| |
| |более в диапазоне частот от 30 МГц до 87,5| |
| |МГц на мгновенной ширине полосы частот в| |
| |одну октаву или более и с гармониками и| |
| |искажениями на выходе лучше - 80 дБ; | |
| | | |
| 5.1.1.2.3. |Являются радиоаппаратурой, использующей|8517 12 000 0; |
| |методы расширения спектра, включая метод|8517 61 000 2; |
| |скачкообразной перестройки частоты,|8517 61 000 8; |
| |не контролируемой по пункту 5.1.1.2.4,| 8525 60 000 0 |
| |имеющей любую из следующих характеристик: | |
| | | |
| |а) коды расширения, программируемые| |
| |пользователем; или | |
| | | |
| |б) общую ширину полосы частот выше 50 кГц,| |
| |при этом она в 100 или более раз превышает| |
| |ширину полосы частот любого единичного| |
| |информационного канала | |
| | | |
| |Примечания: | |
| | | |
| |1. По подпункту "б" пункта 5.1.1.2.3 не| |
| |контролируется радиооборудование,| |
| |специально разработанное для использования| |
| |с гражданскими системами сотовой| |
| |радиосвязи. | |
| | | |
| |2. По пункту 5.1.1.2.3 не контролируется| |
| |оборудование, спроектированное для работы| |
| |с выходной мощностью 1,0 Вт или менее | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении радиоаппаратуры, указанной в| |
| |пункте 5.1.1.2.3, см. также пункт| |
| |5.1.1.1.1 раздела 2; | |
| | | |
| 5.1.1.2.4. |Являются радиоаппаратурой, использующей| 8517 12 000 0;|
| |технологию сверхширокополосного| 8517 61 000 2;|
| |модулирования, имеющей программируемые| 8517 61 000 8;|
| |пользователем коды формирования каналов,| 8525 60 000 0 |
| |коды шифрования или коды опознавания сети,| |
| |имеющей любую из следующих характеристик: | |
| | | |
| |а) ширину полосы частот, превышающую| |
| |500 МГц; или | |
| | | |
| |б) относительную ширину полосы частот 20%| |
| |или более; | |
| | | |
| 5.1.1.2.5. |Являются радиоприемными устройствами с| 8527 |
| |цифровым управлением, имеющими все| |
| |следующие характеристики: | |
| | | |
| |а) более 1000 каналов; | |
| | | |
| |б) время переключения частоты менее 1 мс; | |
| | | |
| |в) автоматический поиск или сканирование в| |
| |части спектра электромагнитных волн; и | |
| | | |
| |г) возможность идентификации принятого| |
| |сигнала или типа передатчика | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 5.1.1.2.5 не контролируется| |
| |оборудование, специально разработанное для| |
| |использования с гражданскими системами| |
| |сотовой радиосвязи | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении радиоприемников, указанных в| |
| |пункте 5.1.1.2.5, см. также пункт| |
| |5.1.1.1.2 раздела 2 и пункт 5.1.1.1| |
| |раздела 3; | |
| | | |
| 5.1.1.2.6. |Используют функции цифровой обработки| 8517 12 000 0;|
| |сигнала на выходном устройстве для| 8517 61 000 2;|
| |обеспечения кодирования речи со скоростью| 8517 61 000 8;|
| |менее 2400 бит/с | 8525 60 000 0 |
| | | |
| |Технические примечания. | |
| | | |
| |1. Пункт 5.1.1.2.6 применяется при наличии| |
| |выходного устройства для кодирования| |
| |речевых сигналов связной речи с| |
| |изменяющейся скоростью | |
| | | |
| |2. Для целей пункта 5.1.1.2.6 "кодирование| |
| |речи" определяется как техника взятия| |
| |образцов человеческого голоса с| |
| |последующим преобразованием этих образцов| |
| |в цифровой сигнал с учетом специфических| |
| |параметров человеческой речи | |
| | | |
| | | |
| 5.1.1.3. |Волоконно-оптические кабели связи,| |
| |оптические волокна и принадлежности: | |
| | | |
| 5.1.1.3.1. |Оптические волокна длиной более 500 м.|8544 70 000 0; |
| |охарактеризованные производителем как| 9001 10 900 |
| |способные выдерживать при контрольном| |
| |испытании растягивающее напряжение 2 х 109| |
| |Н/кв. м или более | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Контрольное испытание - отборочное| |
| |испытание в режиме онлайн (встроенное в| |
| |технологическую цепочку получения волокна)| |
| |или проводимое отдельно, которое| |
| |заключается в приложении заданного| |
| |растягивающего напряжения к движущемуся со| |
| |скоростью от 2 м/с до 5 м/с волокну на| |
| |участке длиной от 0,5 м до 3 м между| |
| |натяжными барабанами диаметром около 150| |
| |мм. Испытания могут проводиться по| |
| |соответствующим национальным стандартам| |
| |при температуре окружающей среды 293 К,| |
| |относительной влажности 40%; | |
| | | |
| 5.1.1.3.2. |Волоконно-оптические кабели и|8544 70 000 0, |
| |принадлежности, разработанные для| 9001 10 900 |
| |использования под водой | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 5.1.1.3.2 не контролируются| |
| |стандартные телекоммуникационные кабели и| |
| |принадлежности для гражданского| |
| |использования | |
| | | |
| |Особые примечания: | |
| | | |
| |1. Для подводных кабельных разъемов и| |
| |соединителей для них см. пункт 8.1.2.1.3 | |
| | | |
| |2. Для волоконно-оптических корпусных| |
| |разъемов и соединителей см. пункт 8.1.2.3 | |
| | | |
| 5.1.1.4. |Фазированные антенные решетки с| 8529 10 950 0 |
| |электронным управлением диаграммой| |
| |направленности, функционирующие на| |
| |частотах, превышающих 31,8 ГГц | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 5.1.1.4 не контролируются| |
| |антенные фазированные решетки с| |
| |электронным управлением диаграммой| |
| |направленности для систем посадки с| |
| |аппаратурой, удовлетворяющей стандартам| |
| |Международной организации гражданской| |
| |авиации (ИКАО), перекрывающим системы| |
| |посадки СВЧ-диапазона (MLS) | |
| | | |
| 5.1.1.5. |Оборудование радиопеленгации, работающее| 8517 61 000 2;|
| |на частотах выше 30 МГц и имеющее все| 8517 61 000 8;|
| |следующие характеристики, и специально| 8526 91 200 0 |
| |разработанные для него компоненты: | |
| | | |
| |а) мгновенную ширину полосы частот, равную| |
| |10 МГц или выше; и | |
| | | |
| |б) способное находить азимутальное| |
| |направление (АН) к невзаимодействующим| |
| |радиопередатчикам с длительностью сигнала| |
| |менее 1 мс | |
| | | |
| 5.1.1.6. |Оборудование подавления сигналов,| 8525 60 000 0;|
| |специально разработанное ли избирательного| 8526 10 000 9 |
| |модифицированное для умышленного и| |
| |вмешательства в работу мобильной| |
| |дистанционной связи, ее прерывания,| |
| |подавления или ухудшения, имеющее любую из| |
| |нижеследующих характеристик, и специально| |
| |разработанные для него компоненты: | |
| | | |
| |а) имитирующее функции оборудования сети| |
| |радиосвязи с абонентами; или | |
| | | |
| |б) обнаруживающее и использующее| |
| |специфические характеристики применяемого| |
| |протокола мобильной сети (например, GSM) | |
| | | |
| 5.1.1.7. |Системы или оборудование пассивной| 8526 10 000 9 |
| |когерентной локации, специально| |
| |разработанные для обнаружения движущихся| |
| |объектов и слежения за ними путем| |
| |измерения отражений фоновых радиочастотных| |
| |излучений, подаваемых передатчиками связи| |
| |без радиолокационных средств | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Передатчики связи без радиолокационных| |
| |средств могут включать базовые| |
| |коммерческие радио-, телевизионные станции| |
| |или станции сотовых телефонов | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 5.1.1.7 не контролируются: | |
| | | |
| |а) радиоастрономическое оборудование; | |
| | | |
| |б) системы или оборудование, которым| |
| |требуется какой-либо радиосигнал от| |
| |движущегося объекта | |
| | | |
| 5.2.1. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование | |
| | | |
| 5.2.1.1. |Оборудование и специально разработанные| |
| |компоненты или принадлежности для него,| |
| |специально предназначенные для разработки,| |
| |производства или использования| |
| |оборудования, функций или свойств,| |
| |контролируемых по части 1 категории 5 | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 5.2.1.1 не контролируется| |
| |оборудование определения параметров| |
| |оптического волокна | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении оборудования и компонентов или| |
| |принадлежностей для них, указанных в| |
| |пункте 5.2.1.1, см. также пункт 5.2.1.1| |
| |раздела 2 | |
| | | |
| 5.2.1.2. |Оборудование и специально разработанные| |
| |компоненты или принадлежности для него,| |
| |специально предназначенные для разработки| |
| |любого из следующего телекоммуникационного| |
| |передающего оборудования или| |
| |коммутационного оборудования: | |
| | | |
| 5.2.1.2.1. |Оборудования, использующего цифровые| |
| |технологии и предназначенного для| |
| |выполнения операций с общей скоростью| |
| |цифровой передачи, превышающей 15 Гбит/с; | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Для коммутационного оборудования общая| |
| |скорость цифровой передачи измеряется по| |
| |самой высокой скорости порта или линии; | |
| | | |
| 5.2.1.2.2. |Оборудования, использующего лазер и| |
| |имеющего любое из следующего: | |
| | | |
| |а) длину волны передачи данных,| |
| |превышающую 1750 нм; | |
| | | |
| |б) производящего оптическое усиление; | |
| | | |
| |в) использующего технологии когерентной| |
| |оптической передачи или когерентного| |
| |оптического детектирования (известных так| |
| |же, как оптический гетеродин или| |
| |оптический гомодин); или | |
| | | |
| |г) использующего аналоговую технологию при| |
| |ширине полосы пропускания, превышающей 2,5| |
| |ГГц | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По подпункту "г" пункта 5.2.1.2.2 не| |
| |контролируется оборудование, специально| |
| |предназначенное для разработки систем| |
| |коммерческого телевидения; | |
| | | |
| 5.2.1.2.3. |Оборудования, использующего оптическую| |
| |коммутацию; | |
| | | |
| 5.2.1.2.4. |Радиоаппаратуры, использующей методы| |
| |квадратурной амплитудной модуляции с| |
| |уровнем выше 256; или | |
| | | |
| 5.2.1.2.5. |Оборудования, использующего передачу| |
| |сигнала по общему каналу, осуществляемую в| |
| |несвязанном режиме работы | |
| | | |
| 5.3.1. |Материалы - нет | |
| | | |
| 5.4.1. |Программное обеспечение | |
| | | |
| 5.4.1.1. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |разработки, производства или использования| |
| |оборудования, функций или свойств,| |
| |контролируемых по части 1 категории 5 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении программного обеспечения,| |
| |указанного в пункте 5.4.1.1, см. также| |
| |пункт 5.4.1.1 разделов 2 и 3 | |
| | | |
| 5.4.1.2. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |обслуживания технологий, контролируемых по| |
| |пункту 5.5.1 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении программного обеспечения,| |
| |указанного в пункте 5.4.1.2, см. также| |
| |пункт 5.4.1.2 раздела 2 | |
| | | |
| 5.4.1.3. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |обеспечения характеристик, функций или| |
| |свойств аппаратуры, контролируемой по| |
| |пункту 5.1.1 или 5.2.1; | |
| | | |
| 5.4.1.4. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |разработки любого из следующего| |
| |телекоммуникационного передающего| |
| |оборудования или коммутационного| |
| |оборудования: | |
| | | |
| 5.4.1.4.1. |Оборудования, использующего цифровые| |
| |технологии и предназначенного для| |
| |выполнения операций с общей скоростью| |
| |цифровой передачи, превышающей 15 Гбит/с; | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Для коммутационного оборудования общая| |
| |скорость цифровой передачи измеряется по| |
| |самой высокой скорости порта или линии; | |
| | | |
| 5.4.1.4.2. |Оборудования, использующего лазер и| |
| |имеющего любое из следующего: | |
| | | |
| |а) длину волны передачи данных,| |
| |превышающую 1750 нм; или | |
| | | |
| |б) использующего аналоговую технологию при| |
| |ширине полосы пропускания, превышающей 2,5| |
| |ГГц | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По подпункту "б" пункта 5.4.1.4.2 не| |
| |контролируется программное обеспечение,| |
| |специально разработанное или| |
| |модифицированное для разработки систем| |
| |коммерческого телевидения; | |
| | | |
| 5.4.1.4.3. |Оборудования, использующего оптическую| |
| |коммутацию; или | |
| | | |
| 5.4.1.4.4. |Радиоаппаратуры, использующей методы| |
| |квадратурной амплитудной модуляции с| |
| |уровнем выше 256 | |
| | | |
| 5.5.1. |Технология | |
| | | |
| 5.5.1.1. |Технологии в соответствии с общим| |
| |технологическим примечанием для| |
| |разработки, производства или использования| |
| |(исключая рабочий режим) оборудования,| |
| |функций или свойств или программного| |
| |обеспечения, контролируемых по части 1| |
| |категории 5 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий, указанных в пункте| |
| |5.5.1.1, см. также пункт 5.5.1.1 разделов| |
| |2 и 3 | |
| | | |
| 5.5.1.2. |Технологии следующих видов: | |
| | | |
| 5.5.1.2.1. |Технология, требуемая для разработки или| |
| |производства телекоммуникационного| |
| |оборудования, специально предназначенного| |
| |для использования на борту спутников; | |
| | | |
| 5.5.1.2.2. |Технология разработки или использования| |
| |методов лазерной связи со способностью| |
| |автоматического захвата и удержания| |
| |сигнала и поддержания связи через| |
| |внеатмосферную или водную среду; | |
| | | |
| 5.5.1.2.3. |Технология разработки приемной аппаратуры| |
| |цифровых базовых сотовых радиостанций,| |
| |приемные параметры которых, допускающие| |
| |многодиапазонный, многоканальный,| |
| |многомодовый, многокодируемый алгоритм или| |
| |многопротокольную работу, могут быть| |
| |модифицированы изменениями в программном| |
| |обеспечении | |
| | | |
| 5.5.1.2.4. |Технология разработки аппаратуры,| |
| |использующей методы расширения спектра,| |
| |включая методы скачкообразной перестройки| |
| |частоты | |
| | | |
| 5.5.1.3. |Технологии в соответствии с общим| |
| |технологическим примечанием для разработки| |
| |или производства любого из следующего| |
| |телекоммуникационного передающего| |
| |оборудования или коммутационного| |
| |оборудования: | |
| | | |
| 5.5.1.3.1. |Оборудования, использующего цифровые| |
| |технологии и предназначенного для| |
| |выполнения операций с общей скоростью| |
| |цифровой передачи, превышающей 15 Гбит/с; | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Для коммутационного оборудования общая| |
| |скорость цифровой передачи измеряется по| |
| |самой высокой скорости порта или линии; | |
| | | |
| 5.5.1.3.2. |Оборудования, использующего лазер и| |
| |имеющего любую из следующих характеристик:| |
| | | |
| |а) длину волны передачи данных,| |
| |превышающую 1750 нм; | |
| | | |
| |б) производящего оптическое усиление с| |
| |применением оптико-волоконных усилителей| |
| |на допированном празеодимием фторидном| |
| |стекле; | |
| | | |
| |в) использующего технологию когерентной| |
| |оптической передачи или когерентного| |
| |оптического детектирования (известного так| |
| |же, как оптический гетеродин или| |
| |оптический гомодин); | |
| | | |
| |г) использующего методы мультиплексирова-| |
| |ния при распределении длин волн, при этом| |
| |число оптических каналов в одном| |
| |оптическом окне прозрачности превышает 8;| |
| |или | |
| | | |
| |д) использующего аналоговую технологию при| |
| |ширине полосы пропускания, превышающей 2,5| |
| |ГГц | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По подпункту "д" пункта 5.5.1.3.2 не| |
| |контролируются технологии разработки или| |
| |производства систем коммерческого| |
| |телевидения; | |
| | | |
| 5.5.1.3.3. |Оборудования, использующего оптическую| |
| |коммутацию; | |
| | | |
| 5.5.1.3.4. |Радиоаппаратуры, имеющей любую из| |
| |следующих составляющих: | |
| | | |
| |а) использующей методы квадратурной| |
| |амплитудной модуляции с уровнем выше 256;| |
| | | |
| |б) работающей на входных или выходных| |
| |частотах, превышающих 31,8 ГГц; или | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По подпункту "б" пункта 5.5.1.3.4 не| |
| |контролируются технологии разработки или| |
| |производства оборудования,| |
| |сконструированного или модифицированного| |
| |для работы в любом диапазоне частот,| |
| |распределенном Международным союзом| |
| |электросвязи для обслуживания радиосвязи,| |
| |но не для радиоопределения; | |
| | | |
| |в) работающей в диапазоне частот 1,5-| |
| |87,5 МГц и включающей адаптивные системы,| |
| |обеспечивающие более 15 дБ подавления| |
| |помехи; или | |
| | | |
| 5.5.1.3.5. |Оборудования, использующего передачу| |
| |сигнала по общему каналу, осуществляемую в| |
| |несвязанном режиме работы | |
| | | |
| | Часть 2. Защита информации | |
| | | |
| |Примечания: | |
| | | |
| |1. Контрольный статус оборудования,| |
| |программного обеспечения, систем,| |
| |электронных сборок специального| |
| |применения, модулей, интегральных схем,| |
| |компонентов или функций, применяемых для| |
| |защиты информации, определяется по части 2| |
| |категории 5, даже если они являются| |
| |компонентами или электронными сборками| |
| |другой аппаратуры | |
| | | |
| |2. Часть 2 категории 5 не| |
| |применяется к товарам, когда они вывозятся| |
| |пользователем для собственного| |
| |индивидуального использования | |
| | | |
| |3. Криптографическое примечание. | |
| | | |
| |Пункты 5.1.2 и 5.4.2 не применяются к| |
| |продукции, которая удовлетворяет всем| |
| |следующим требованиям: | |
| | | |
| |а) общедоступна для продажи населению без| |
| |ограничений, из имеющегося в наличии| |
| |ассортимента в местах розничной продажи,| |
| |посредством любого из следующего: | |
| |продажи за наличные; продажи путем заказа| |
| |товаров по почте; электронных сделок; или| |
| |продажи по телефонным заказам; | |
| | | |
| |б) криптографические возможности которой| |
| |не могут быть легко изменены| |
| |пользователем; | |
| | | |
| |в) разработана для установки пользователем| |
| |без дальнейшей существенной поддержки| |
| |поставщиком; | |
| | | |
| |г) в случае необходимости является| |
| |доступной и будет представляться| |
| |экспортерами контролирующим органам| |
| |Российской Федерации, по их требованию, в| |
| |хорошем состоянии для подтверждения ее| |
| |соответствия условиям, изложенным в| |
| |подпунктах "а" - "в" | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |В части 2 категории 5 биты четности не| |
| |включаются в длину ключа | |
| | | |
| 5.1.2. |Системы, оборудование и компоненты | |
| | | |
| 5.1.2.1. |Системы, аппаратура, специальные| |
| |электронные сборки, модули и интегральные| |
| |схемы, применяемые для защиты информации,| |
| |и другие специально разработанные для| |
| |этого компоненты: | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении контроля за приемным| |
| |оборудованием глобальных навигационных| |
| |спутниковых систем, содержащим или| |
| |использующим дешифрование (Глобальная| |
| |спутниковая система местоопределения - GPS| |
| |или Глобальная навигационная спутниковая| |
| |система - ГЛОНАСС), см. пункт 7.1.5 | |
| | | |
| 5.1.2.1.1. |Разработанные или модифицированные для| 8471, |
| |использования криптографии с применением| 8543 70 900 0 |
| |цифровых методов, выполняющие любые| |
| |криптографические функции, иные, чем| |
| |аутентификация или цифровая подпись,| |
| |имеющие любую из следующих составляющих:| |
| |симметричный алгоритм, использующий ключ с| |
| |длиной, превышающей 56 бит; или| |
| |асимметричный алгоритм, защита которого| |
| |базируется на любом из следующих методов: | |
| | | |
| |1) разложении на множители целых чисел,| |
| |размер которых превышает 512 бит| |
| |(например, алгоритм RSA); | |
| | | |
| |2) вычислении дискретных логарифмов в| |
| |мультипликативной группе конечного поля| |
| |размера, превышающего 512 бит (например,| |
| |алгоритм Диффи-Хелмана над Z/pZ): или | |
| | | |
| |3) дискретном логарифме в группе,| |
| |отличного от поименованного в| |
| |вышеприведенном подпункте 2 размера,| |
| |превышающего 112 бит (например, алгоритм| |
| |Диффи-Хелмана над эллиптической кривой) | |
| | | |
| |Технические примечания: | |
| | | |
| |1. Функции аутентификации и цифровой| |
| |подписи включают в себя связанную с ними| |
| |функцию распределения ключей | |
| | | |
| |2. Аутентификация включает в себя все| |
| |аспекты контроля доступа, где нет| |
| |шифрования файлов или текстов, за| |
| |исключением шифрования, которое| |
| |непосредственно связано с защитой паролей,| |
| |персональных идентификационных номеров или| |
| |подобных данных для защиты от| |
| |несанкционированного доступа | |
| | | |
| |3. Термин "криптография" не относится к| |
| |фиксированным методам сжатия или| |
| |кодирования данных | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 5.1.2.1.1 включает оборудование,| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |использования криптографии на основе| |
| |аналоговых принципов, в том случае, если| |
| |они реализованы с использованием цифровых| |
| |методов; | |
| | | |
| 5.1.2.1.2. |Разработанные или модифицированные для| 8471; |
| |выполнения криптоаналитических функций; | 8543 70 900 0 |
| | | |
| 5.1.2.1.3. |Специально разработанные или| 8471; |
| |модифицированные для снижения| 8543 70 900 0 |
| |нежелательной утечки несущих информацию| |
| |сигналов, кроме того, что необходимо для| |
| |защиты здоровья или соответствия| |
| |установленным стандартам электромагнитных| |
| |помех; | |
| | | |
| 5.1.2.1.4. |Разработанные или модифицированные для| 8471; |
| |применения криптографических методов| 8543 70 900 0 |
| |генерации расширяющегося кода для систем с| |
| |расширяющимся спектром, не контролируемые| |
| |по пункту 5.1.2.1.5, включая| |
| |скачкообразную перестройку кодов для| |
| |систем со скачкообразной перестройкой| |
| |частоты; | |
| | | |
| 5.1.2.1.5. |Разработанные или модифицированные с целью| 8471; |
| |применения криптографических методов| 8543 70 900 0 |
| |образования кодов формирования каналов,| |
| |кодов шифрования или кодов опознавания| |
| |сети для систем, использующих технологию| |
| |сверхширокополосной модуляции, имеющие| |
| |любую из следующих характеристик: | |
| | | |
| |а) ширину полосы частот, превышающую| |
| |500 МГц; или | |
| | | |
| |б) относительную ширину полосы частот 20% | |
| |или более; | |
| | | |
| 5.1.2.1.6. |Кабельные системы связи, разработанные или| 8471; |
| |модифицированные с использованием| 8517 61 000 1;|
| |механических, электрических или| 8517 62 000 2;|
| |электронных средств для обнаружения| 8517 62 000 3;|
| |несанкционированного доступа | 8543 70 900 0 |
| | | |
| 5.1.2.1.7. |Разработанные или модифицированные для| 8471; |
| |использования в квантовой криптографии | 8543 70 900 0 |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Квантовая криптография также известна| |
| |как квантовое распределение ключей (КРК)| |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 5.1.2 не применяется: | |
| | | |
| |а) к персональным смарт-картам| |
| |(интеллектуальным картам): | |
| |криптографические возможности которых| |
| |ограничены использованием в оборудовании| |
| |или системах, выведенных из-под контроля| |
| |подпунктами "б" - "ж" настоящего| |
| |примечания; или для широкого| |
| |общедоступного применения,| |
| |криптографические возможности которых| |
| |недоступны пользователю и которые в| |
| |результате специальной разработки имеют| |
| |ограниченные возможности защиты хранящейся| |
| |на них персональной информации | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |Если персональная смарт-карта может| |
| |выполнять несколько функций, то| |
| |контрольный статус каждой из функций| |
| |определяется отдельно; | |
| | | |
| |б) к приемному оборудованию для радиовеща-| |
| |ния, платного телевидения или аналогичной| |
| |передачи сообщений потребительского типа| |
| |для вещания на ограниченную аудиторию без| |
| |шифрования цифрового сигнала, кроме| |
| |случаев его использования исключительно| |
| |для отправки счетов или возврата| |
| |информации, связанной с программой,| |
| |провайдерам вещания; | |
| | | |
| |в) к оборудованию, криптографические| |
| |возможности которого недоступны| |
| |пользователю, специально разработанному и| |
| |ограниченному для применения любым из| |
| |следующего: | |
| | | |
| |1) программное обеспечение исполнено в| |
| |защищенном от копирования виде; | |
| | | |
| |2) доступом к любому из следующего:| |
| |защищенному от копирования содержимому,| |
| |хранящемуся на доступном только для чтения| |
| |носителе информации; или информации,| |
| |хранящейся в зашифрованной форме на| |
| |носителях (например, в связи с защитой| |
| |прав интеллектуальной собственности),| |
| |когда эти носители информации предлагаются| |
| |на продажу населению в идентичных наборах;| |
| | | |
| |3) контролем копирования аудио- или| |
| |видеоинформации, защищенной авторскими| |
| |правами; или | |
| | | |
| |4) шифрованием и/или расшифрованием для| |
| |защиты библиотек (например, наборов| |
| |файлов, подпрограмм, объектных модулей),| |
| |атрибутов разработки или связанных данных| |
| |для разработки полупроводниковых устройств| |
| |или интегральных схем | |
| | | |
| |г) к криптографическому оборудованию,| |
| |специально разработанному и ограниченному| |
| |применением для банковских или финансовых| |
| |операций | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Финансовые операции, указанные в пункте| |
| |"г" примечания к пункту 5.1.2, включают| |
| |сборы и оплату за транспортные услуги или| |
| |кредитование; | |
| | | |
| |д) к портативным или мобильным| |
| |радиотелефонам гражданского применения| |
| |(например, для использования в| |
| |коммерческих гражданских системах сотовой| |
| |радиосвязи), которые не способны к| |
| |передаче зашифрованных данных| |
| |непосредственно на другой радиотелефон или| |
| |оборудование, отличное от оборудования| |
| |сетевой радиосвязи с абонентами (СРА), а| |
| |также к пересылке зашифрованных данных| |
| |посредством оборудования СРА (например,| |
| |контроллера радиосети или контроллера| |
| |базовой станции); | |
| | | |
| |е) к беспроводному телефонному оборудова-| |
| |нию, не способному к сквозному шифрованию,| |
| |максимальная дальность беспроводного| |
| |действия которого без усиления (одиночное,| |
| |без ретрансляции, соединение между| |
| |терминалом и базовой станцией) составляет| |
| |менее 400 м в соответствии с техническими| |
| |условиями производителя | |
| | | |
| |ж) к портативным или мобильным| |
| |радиотелефонам и схожим пользовательским| |
| |беспроводным устройствам для гражданского| |
| |применения, которые реализуют только| |
| |общедоступные или коммерческие| |
| |криптографические стандарты (за| |
| |исключением антипиратских функций, которые| |
| |не являются общедоступными), а также| |
| |соответствуют условиям подпунктов "б" -| |
| |"г" криптографического примечания| |
| |(примечание 3) к части 2 категории 5,| |
| |изготовлены в соответствии с техническими| |
| |условиями заказчика для гражданского| |
| |применения с возможностями, которые не| |
| |влияют на криптографическое функциональное| |
| |назначение этих исходно незаказных| |
| |устройств | |
| | | |
| 5.2.2. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование | |
| | | |
| 5.2.2.1. |Оборудование, специально предназначенное| 8543 70 900 0 |
| |для: | |
| | | |
| |а) разработки аппаратуры или функций,| |
| |контролируемых по части 2 категории 5,| |
| |включая аппаратуру для измерений или| |
| |испытаний; | |
| | | |
| |б) производства аппаратуры или функций,| |
| |контролируемых по части 2 категории 5,| |
| |включая аппаратуру для измерений,| |
| |испытаний, ремонта или производства | |
| | | |
| 5.2.2.2. |Измерительная аппаратура, специально| 8543 70 900 0 |
| |разработанная для оценки и подтверждения| |
| |функций защиты информации, контролируемых| |
| |по пункту 5.1.2 или 5.4.2 | |
| | | |
| 5.3.2. |Материалы - нет | |
| | | |
| 5.4.2. |Программное обеспечение | |
| | | |
| 5.4.2.1. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |разработки, производства или использования| |
| |оборудования или программного обеспечения,| |
| |контролируемых по части 2 категории 5 | |
| | | |
| 5.4.2.2. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |поддержки технологии, контролируемой по| |
| |пункту 5.5.2 | |
| | | |
| 5.4.2.3. |Специальное программное обеспечение| |
| |следующих видов: | |
| | | |
| 5.4.2.3.1. |Программное обеспечение, имеющее| |
| |характеристики, моделирующее или| |
| |выполняющее функции аппаратуры,| |
| |контролируемой по пункту 5.1.2 или 5.2.2; | |
| | | |
| 5.4.2.3.2. |Программное обеспечение для сертификации| |
| |программного обеспечения, контролируемого| |
| |по пункту 5.4.2.3.1 | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 5.4.2 не контролируются: | |
| | | |
| |а) программное обеспечение, необходимое| |
| |для использования в аппаратуре, выведенной| |
| |из-под контроля в соответствии с| |
| |примечанием к пункту 5.1.2; | |
| | | |
| |б) программное обеспечение, реализующее| |
| |любую функцию аппаратуры, выведенной| |
| |из-под контроля в соответствии с| |
| |примечанием к пункту 5.1.2 | |
| | | |
| 5.5.2. |Технология | |
| | | |
| 5.5.2.1. |Технологии в соответствии с общим| |
| |технологическим примечанием для| |
| |разработки, производства или использования| |
| |оборудования либо программного| |
| |обеспечения, контролируемых по части 2| |
| |категории 5 | |
|-----------------------------------------------------------------------|
| Категория 6. Датчики и лазеры |
|-----------------------------------------------------------------------|
| 6.1. |Системы, оборудование и компоненты | |
| | | |
| 6.1.1. |Акустика | |
| | | |
| 6.1.1.1. |Морские акустические системы, оборудование| |
| |и специально разработанные для них| |
| |компоненты: | |
| | | |
| 6.1.1.1.1. |Нижеперечисленные активные (передающие и| |
| |приемопередающие) системы, оборудование и| |
| |специально разработанные компоненты для| |
| |них: | |
| | | |
|6.1.1.1.1.1.|Широкополосные батиметрические обзорные| 9015 80 910 0 |
| |системы, разработанные для| |
| |картографирования морского дна, имеющие| |
| |все следующие предназначения: | |
| | | |
| |а) для измерения при углах отклонения от| |
| |вертикали более 20°; | |
| | | |
| |б) для измерения глубины более 600 м от| |
| |поверхности воды; и | |
| | | |
| |в) для обеспечения любой из следующих| |
| |характеристик: объединения нескольких| |
| |лучей, любой из которых уже 1,9°; или| |
| |точности измерений лучше 0,3% от глубины| |
| |воды, полученных путем усреднения| |
| |отдельных измерений в пределах полосы; | |
| | | |
|6.1.1.1.1.2.|Системы обнаружения или определения|9014 80 000 0; |
| |местоположения, имеющие любую из следующих| 9015 80 910 0 |
| |характеристик: | |
| | | |
| |а) частоту передачи ниже 10 кГц; | |
| | | |
| |б) уровень звукового давления выше 224 дБ| |
| |(1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей| |
| |частотой в диапазоне от 10 кГц до 24 кГц| |
| |включительно; | |
| | | |
| |в) уровень звукового давления выше 235 дБ| |
| |(1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей| |
| |частотой в диапазоне между 24 кГц и 30| |
| |кГц; | |
| | | |
| |г) формирование лучей уже 1° по любой оси| |
| |и рабочую частоту ниже 100 кГц; | |
| | | |
| |д) с дальностью надежного обнаружения| |
| |целей более 5120 м; или | |
| | | |
| |е) разработанные для нормального| |
| |функционирования на глубинах более 1000 м| |
| |и имеющие датчики с любыми из следующих| |
| |характеристик: динамически| |
| |подстраивающиеся под давление; или| |
| |содержащие чувствительные элементы,| |
| |изготовленные не из титаната-цирконата| |
| |свинца | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении активных систем обнаружения| |
| |или определения местоположения, указанных| |
| |в пункте 6.1.1.1.1.2, см. также пункт| |
| |6.1.1.1.1 разделов 2 и 3; | |
| | | |
|6.1.1.1.1.3.|Акустические излучатели, включающие|9014 80 000 0; |
| |преобразователи, объединяющие| 9015 80 910 0 |
| |пьезоэлектрические, магнитострикционные,| |
| |электрострикционные, электродинамические| |
| |или гидравлические элементы, действующие| |
| |индивидуально или в определенной| |
| |комбинации, имеющие любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| | | |
| |а) плотность мгновенной излучаемой| |
| |акустической мощности, превышающую 0,01| |
| |мВт/кв. мм/Гц для приборов, работающих на| |
| |частотах ниже 10 кГц; | |
| | | |
| |б) плотность непрерывно излучаемой| |
| |акустической мощности, превышающую 0,001| |
| |мВт/кв. мм/Гц для приборов, работающих на| |
| |частотах ниже 10 кГц; или | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Плотность акустической мощности получается| |
| |делением выходной акустической мощности на| |
| |произведение площади излучающей| |
| |поверхности и рабочей частоты | |
| | | |
| |в) подавление боковых лепестков более 22| |
| |дБ | |
| | | |
| |Примечания: | |
| | | |
| |1. Контрольный статус акустических| |
| |излучателей, в том числе преобразователей,| |
| |специально разработанных для другого| |
| |оборудования, определяется контрольным| |
| |статусом этого другого оборудования | |
| | | |
| |2. По пункту 6.1.1.1.1.3 не контролируются| |
| |электронные источники, осуществляющие| |
| |только вертикальное зондирование,| |
| |механические (например, пневмопушки или| |
| |пароударные пушки) или химические| |
| |(например, взрывные) источники; | |
| | | |
|6.1.1.1.1.4.|Акустические системы, оборудование и|9014 80 000 0; |
| |специально разработанные компоненты для| 9015 80 110 0 |
| |определения положения надводных судов и| |
| |подводных аппаратов, предназначенные для| |
| |работы на дистанции более 1000 м с| |
| |точностью позиционирования меньше (лучше)| |
| |10 м СКО (среднеквадратичное отклонение)| |
| |при измерении на расстояниях до 1000 м | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 6.1.1.1.1.4 включает: | |
| | | |
| |а) оборудование, использующее| |
| |согласованную обработку сигналов между| |
| |двумя или более буями и гидрофонным| |
| |устройством на надводном судне и подводном| |
| |аппарате; | |
| | | |
| |б) оборудование, обладающее способностью| |
| |автокоррекции накапливающейся погрешности| |
| |скорости звука для вычислений| |
| |местоположения | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 6.1.1.1.1 не контролируются: | |
| | | |
| |а) эхолоты, действующие вертикально под| |
| |аппаратом, не включающие функцию| |
| |сканирования луча в диапазоне более +- 20°| |
| |и ограниченные измерением глубины воды,| |
| |расстояния до погруженных или заглубленных| |
| |объектов или косяков рыбы; | |
| | | |
| |б) следующие акустические буи: аварийные| |
| |акустические буи; акустические буи с| |
| |дистанционным управлением, специально| |
| |разработанные для перемещения или| |
| |возвращения в подводное положение; | |
| | | |
| 6.1.1.1.2. |Пассивные (принимающие, связанные или не| |
| |связанные в условиях нормального| |
| |применения с отдельными активными| |
| |устройствами) системы, оборудование и| |
| |специально разработанные для них| |
| |компоненты: | |
| | | |
|6.1.1.1.2.1.|Гидрофоны с любой из следующих|
| |характеристик: | |
| | | |
| |а) включающие непрерывные гибкие|9014 80 000 0; |
| |чувствительные элементы; |9015 80 110 0; |
| | | 9015 80 930 0 |
| | | |
| |б) включающие гибкие сборки дискретных|9014 80 000 0; |
| |чувствительных элементов с диаметром или|9015 80 110 0; |
| |длиной менее 20 мм и с расстоянием между| 9015 80 930 0 |
| |элементами менее 20 мм; | |
| | | |
| |в) имеющие любые из следующих|9014 80 000 0; |
| |чувствительных элементов:| 9015 80 930 0 |
| |волоконно-оптические; пьезоэлектрические| |
| |из полимерных пленок, отличные от| |
| |поливинилиденфторида (PVDF) и его| |
| |сополимеров {P(VDF-TrFE) и P(VDF-TFE)}| |
| |({поли(винилиденфторид-трифторэтилен) и| |
| |поли(винилиденфторид-тетрафторэтилен)}); | |
| |или гибкие пьезоэлектрические из| |
| |композиционных материалов; | |
| | | |
| |г) имеющие гидрофонную чувствительность|9014 80 000 0; |
| |лучше -180 дБ на любой глубине без| 9015 80 930 0 |
| |компенсации ускорения; | |
| | | |
| |д) разработанные для эксплуатации на|9014 80 000 0; |
| |глубинах, превышающих 35 м, с компенсацией| 9015 80 930 0 |
| |ускорения; или | |
| | | |
| |е) разработанные для эксплуатации на|9014 80 000 0; |
| |глубинах более 1000 м | |
| | | |
| |Примечание. | 9015 80 930 0 |
| | | |
| |Контрольный статус гидрофонов, специально| |
| |разработанных для другого оборудования,| |
| |определяется контрольным статусом этого| |
| |оборудования | |
| | | |
| |Технические примечания: | |
| | | |
| |1. Пьезоэлектрические чувствительные| |
| |элементы из полимерной пленки состоят из| |
| |поляризованной полимерной пленки, которая| |
| |натянута на несущую конструкцию или| |
| |катушку (сердечник) и прикреплена к ним | |
| | | |
| |2. Гибкие пьезоэлектрические| |
| |чувствительные элементы из композиционного| |
| |материала состоят из пьезоэлектрических| |
| |керамических частиц или волокон,| |
| |распределенных в электроизоляционном| |
| |акустически прозрачном резиновом,| |
| |полимерном или эпоксидном связующем,| |
| |которое является неотъемлемой частью| |
| |чувствительного элемента | |
| | | |
| |3. Гидрофонная чувствительность| |
| |определяется как 20-кратный десятичный| |
| |логарифм отношения эффективного выходного| |
| |напряжения к эффективной величине| |
| |нормирующего напряжения 1 В, когда| |
| |гидрофонный датчик без предусилителя| |
| |помещен в акустическое поле плоской волны| |
| |с эффективным давлением 1 мкПа. Например:| |
| |гидрофон с -160 дБ (нормирующее напряжение| |
| |1 В на мкПа) даст выходное напряжение| |
| |10(-8) В в таком поле, в то время как| |
| |гидрофон с чувствительностью -180 дБ даст| |
| |только 10(-9) В на выходе. Таким образом,| |
| |-160 дБ лучше, чем -180 дБ; | |
| | | |
|6.1.1.1.2.2.|Буксируемые акустические гидрофонные|9014 80 000 0; |
| |решетки, имеющие любую из следующих|9015 80 930 0; |
| |характеристик: | 9015 80 990 0 |
| | | |
| |а) гидрофонные группы, расположенные с| |
| |шагом менее 12,5 м, или имеющие| |
| |возможность модификации для расположения| |
| |гидрофонных групп с шагом менее 12,5 м; | |
| | | |
| |б) разработанные или имеющие возможность| |
| |модификации для работы на глубинах более| |
| |35 м | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Возможность модификации, указанная в| |
| |подпунктах "а" и "б" пункта 6.1.1.1.2.2,| |
| |означает наличие резервов, позволяющих| |
| |изменять схему соединений или внутренних| |
| |связей для усовершенствования гидрофонной| |
| |группы по ее размещению или изменению| |
| |пределов рабочей глубины. Такими резервами| |
| |является возможность монтажа: запасных| |
| |проводников в количестве, превышающем 10%| |
| |от числа рабочих проводников связи; блоков| |
| |настройки конфигурации гидрофонной группы| |
| |или внутренних устройств, ограничивающих| |
| |глубину погружения, что обеспечивает| |
| |регулировку или контроль более чем одной| |
| |гидрофонной группы; | |
| | | |
| |в) датчики направленного действия,| |
| |контролируемые по пункту 6.1.1.1.2.4; | |
| | | |
| |г) продольно армированные рукава решетки; | |
| | | |
| |д) собранные решетки диаметром менее 40| |
| |мм; или | |
| | | |
| |е) характеристики гидрофонов, указанные в| |
| |пункте 6.1.1.1.2.1; | |
| | | |
|6.1.1.1.2.3.|Аппаратура обработки данных, специально|9014 80 000 0; |
| |разработанная для применения в буксируемых|9015 80 930 0; |
| |акустических гидрофонных решетках,| 9015 80 990 0 |
| |обладающая программируемостью| |
| |пользователем, обработкой во временной или| |
| |частотной области и корреляцией, включая| |
| |спектральный анализ, цифровую фильтрацию и| |
| |формирование луча, с использованием| |
| |быстрого преобразования Фурье или других| |
| |преобразований или процессов; | |
| | | |
|6.1.1.1.2.4.|Датчики направленного действия, имеющие|9014 80 000 0; |
| |все следующие характеристики: |9014 90 000 0; |
| | |9015 80 110 0; |
| | | |
| |а) точность лучше +- 0,5°; и | 9015 80 930 0 |
| | | |
| |б) разработанные для работы на глубинах,| |
| |превышающих 35 м, либо имеющие| |
| |регулируемое или сменное глубинное| |
| |чувствительное устройство, разработанное| |
| |для работы на глубинах, превышающих 35 м; | |
| | | |
|6.1.1.1.2.5.|Донные или притопленные кабельные системы,|8907 90 000 0; |
| |имеющие любую из следующих составляющих: |9014 80 000 0; |
| | |9014 90 000 0; |
| | | |
| |а) объединяющие гидрофоны, указанные в|9015 80 930 0; |
| |пункте 6.1.1.1.2.1; или | 9015 80 990 0 |
| | | |
| |б) объединяющие сигнальные модули| |
| |многоэлементной гидрофонной группы,| |
| |имеющие все следующие характеристики: | |
| | | |
| |разработаны для функционирования на| |
| |глубинах, превышающих 35 м, либо обладают| |
| |регулируемым или сменным устройством| |
| |измерения глубины для работы на глубинах,| |
| |превышающих 35 м; и | |
| |обладают возможностью оперативного| |
| |взаимодействия с модулями буксируемых| |
| |акустических гидрофонных решеток; | |
| | | |
|6.1.1.1.2.6.|Аппаратура обработки данных, специально|8907 90 000 0; |
| |разработанная для донных или притопленных|9014 80 000 0; |
| |кабельных систем, обладающая|9014 90 000 0; |
| |программируемостью пользователем и|9015 80 930 0; |
| |обработкой во временной или частотной| 9015 80 990 0 |
| |области и корреляцией, включая| |
| |спектральный анализ, цифровую фильтрацию и| |
| |формирование луча, с использованием| |
| |быстрого преобразования Фурье или других| |
| |преобразований либо процессов | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении пассивных систем, оборудования| |
| |и специальных компонентов, указанных в| |
| |пунктах 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6, см. также| |
| |пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.6 раздела 2 и| |
| |пункты 6.1.1.1.2 - 6.1.1.1.2.5 раздела 3 | |
| | | |
| 6.1.1.2. |Аппаратура гидролокационного| |
| |корреляционного и допплеровского лагов,| |
| |разработанная для измерения горизонтальной| |
| |составляющей скорости носителя аппаратуры| |
| |относительно морского дна: | |
| | | |
| 6.1.1.2.1. |Аппаратура гидролокационного|9014 80 000 0; |
| |корреляционного лага, имеющая любую из|9015 80 930 0; |
| |следующих характеристик: |9015 80 990 0 |
| | | |
| |а) разработанная для эксплуатации на| |
| |расстояниях между ее носителем и дном моря| |
| |более 500 м; или | |
| | | |
| |б) имеющая точность определения скорости| |
| |лучше (меньше) 1%; | |
| | | |
| 6.1.1.2.2. |Аппаратура гидролокационного|9014 80 000 0; |
| |допплеровского лага, имеющая точность|9015 80 930 0; |
| |определения скорости лучше (меньше) 1% |9015 80 990 0 |
| | | |
| |Примечания: | |
| | | |
| |1. Пункт 6.1.1.2 не применяется | |
| |к эхолотам, ограниченным любым из| |
| |следующего: | |
| | | |
| |а) измерением глубины; | |
| | | |
| |б) измерением расстояния от погруженных| |
| |под воду или затопленных объектов; или | |
| | | |
| |в) промысловой разведкой | |
| | | |
| |2. Пункт 6.1.1.2 не применяется к| |
| |системам, специально разработанным для| |
| |установки на надводные суда | |
| | | |
| 6.1.2. |Оптические датчики, приборы и компоненты| |
| |для них | |
| | | |
| 6.1.2.1. |Приемники оптического излучения: | |
| | | |
| 6.1.2.1.1. |Следующие твердотельные приемники| |
| |оптического излучения, пригодные для| |
| |применения в космосе: | |
| | | |
|6.1.2.1.1.1.|Твердотельные приемники оптического| 8541 40 900 9 |
| |излучения, имеющие все следующие| |
| |характеристики: | |
| | | |
| |а) максимум чувствительности в диапазоне| |
| |длин волн от 10 нм до 300 нм, и | |
| | | |
| |б) чувствительность на длине волны,| |
| |превышающей 400 нм, менее 0,1%| |
| |относительно максимальной| |
| |чувствительности; | |
| | | |
|6.1.2.1.1.2.|Твердотельные детекторы, имеющие все| 8541 40 900 9 |
| |следующие характеристики: | |
| | | |
| |а) спектральной чувствительности в| |
| |диапазоне длин волн от 900 нм до 1200 нм;| |
| |и | |
| | | |
| |б) постоянную времени приемника 95 нс или| |
| |менее; | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении твердотельных приемников| |
| |оптического излучения, указанных в пунктах| |
| |6.1.2.1.1.1 и 6.1.2.1.1.2, см. также| |
| |пункты 6.1.2.1.1.1 и 6.1.2.1.1.2 раздела| |
| |2; | |
| | | |
|6.1.2.1.1.3.|Твердотельные приемники оптического| 8541 40 900 9 |
| |излучения, имеющие максимум спектральной| |
| |чувствительности в диапазоне длин волн от| |
| |1200 нм до 30 000 нм | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении твердотельных приемников| |
| |оптического излучения, указанных в пункте| |
| |6.1.2.1.1.3, см. также пункт 6.1.2.1.1.3| |
| |раздела 2 и пункт 6.1.2.1 раздела 3; | |
| | | |
| 6.1.2.1.2. |Следующие электронно-оптические| |
| |преобразователи (ЭОП) и специально| |
| |разработанные для них компоненты: | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 6.1.2.1.2 не применяется к| |
| |фотоэлектронным умножителям (ФЭУ) без| |
| |формирования изображений, имеющим| |
| |электронно-чувствительное устройство в| |
| |вакууме, ограниченным исключительно любым| |
| |из следующего: | |
| | | |
| |а) единственным металлическим анодом; или | |
| | | |
| |б) металлическими анодами с межцентровым| |
| |расстоянием более 500 мкм | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |"Зарядовое умножение" является формой| |
| |электронного усиления изображения и| |
| |характеризуется созданием носителей| |
| |зарядов в результате процесса ударной| |
| |ионизации. Приемниками оптического| |
| |излучения с зарядовым умножением могут| |
| |быть электронно-оптические| |
| |преобразователи, твердотельные приемники| |
| |оптического излучения или фокальные| |
| |матричные приемники | |
| | | |
|6.1.2.1.2.1.|Электронно-оптические преобразователи,| 8540 20 800 0 |
| |имеющие все нижеперечисленное: | |
| | | |
| |а) максимум спектральной чувствительности| |
| |в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050| |
| |нм; | |
| | | |
| |б) электронное усиление изображения,| |
| |использующее любое из следующего: | |
| | | |
| |1) микроканальную пластину | |
| |с расстоянием между центрами каналов| |
| |(межцентровым расстоянием) 12 мкм или| |
| |менее; или | |
| | | |
| |2) электронный чувствительный элемент с| |
| |шагом небинированных пикселей 500 мкм или| |
| |менее, специально разработанный | |
| |или модифицированный для достижения| |
| |зарядового умножения иначе, чем в| |
| |микроканальной пластине; и | |
| | | |
| |в) любые из следующих фотокатодов: | |
| |фотокатоды S-20, S-25 или многощелочные| |
| |фотокатоды с интегральной| |
| |чувствительностью более 350 мкА/лм; | |
| |GaAs или GalnAs фотокатоды; или | |
| |другие полупроводниковые фотокатоды на| |
| |основе соединений III - V с максимальной| |
| |спектральной чувствительностью более 10| |
| |мА/Вт; | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении электронно-оптических| |
| |преобразователей, указанных в пунктах| |
| |6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2, см. также| |
| |пункты 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2| |
| |раздела 2; | |
| | | |
|6.1.2.1.2.2.|Электронно-оптические преобразователи,| 8540 20 800 0 |
| |имеющие все нижеперечисленное: | |
| | | |
| |а) максимум спектральной чувствительности| |
| |в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1800| |
| |нм; | |
| | | |
| |б) электронное усиление изображения,| |
| |использующее любое из следующего: | |
| | | |
| |1) микроканальную пластину с расстоянием| |
| |между центрами каналов (межцентровым| |
| |расстоянием) 12 мкм или менее; или | |
| | | |
| |2) электронно-чувствительный элемент с| |
| |шагом небинированных пикселей 500 мкм или| |
| |менее, специально разработанный или| |
| |модифицированный для достижения зарядового| |
| |умножения иначе, чем в микроканальной| |
| |пластине; и | |
| | | |
| |в) полупроводниковые фотокатоды на основе| |
| |соединений III - V (например, GaAs или| |
| |GalnAs) и фотокатоды на эффекте переноса| |
| |электронов | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Подпункт "в" пункта 6.1.2.1.2.2 не| |
| |применяется к полупроводниковым| |
| |фотокатодам с максимальной спектральной| |
| |чувствительностью 15 мА/Вт или менее | |
| | | |
|6.1.2.1.2.3.|Нижеперечисленные специально разработанные| |
| |компоненты: | |
| | | |
|6.1.2.1.2.3.|Микроканальные пластины с расстоянием| 8541 40 900 9 |
| 1. |между центрами каналов (межцентровым| |
| |расстоянием) 12 мкм или менее; | |
| | | |
|6.1.2.1.2.3.|Электронный чувствительный элемент с шагом| 8541 40 900 9 |
| 2. |небинированных пикселей 500 мкм или менее,| |
| |специально разработанный или| |
| |модифицированный для достижения зарядового| |
| |умножения иначе, чем в микроканальной| |
| |пластине; | |
| | | |
|6.1.2.1.2.3.|Полупроводниковые фотокатоды на| 8541 40 900 9 |
| 3. |соединениях III - V (например, GaAs или| |
| |GalnAs) и фотокатоды на эффекте переноса| |
| |электронов | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 6.1.2.1.2.3.3 не применяется к| |
| |полупроводниковым фотокатодам,| |
| |разработанным для достижения любого из| |
| |нижеприведенных значений максимальной| |
| |спектральной чувствительности: | |
| | | |
| |а) 10 мА/Вт или менее при максимуме| |
| |спектральной чувствительности | |
| |в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050| |
| |нм; или | |
| | | |
| |б) 15 мА/Вт или менее при максимуме| |
| |спектральной чувствительности | |
| |в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1800| |
| |нм; | |
| | | |
| 6.1.2.1.3. |Следующие фокальные матричные приемники,| |
| |непригодные для применения в космосе: | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Линейные или двухмерные многоэлементные| |
| |матричные приемники оптического излучения| |
| |определяются фокальными матричными| |
| |приемниками | |
| | | |
|6.1.2.1.3.1.|Фокальные матричные приемники, имеющие все| 8541 40 900 9 |
| |нижеперечисленное: | |
| | | |
| |а) отдельные элементы с максимумом| |
| |спектральной чувствительности в диапазоне| |
| |длин волн от 900 нм до 1050 нм; и | |
| | | |
| |б) любую из следующих характеристик: | |
| |постоянную времени отклика приемника менее| |
| |0,5 нс; или | |
| |являющиеся специально разработанными или| |
| |модифицированными для достижения| |
| |зарядового умножения и имеющие| |
| |максимальную спектральную| |
| |чувствительность, превышающую 10 мА/Вт; | |
| | | |
|6.1.2.1.3.2.|Фокальные матричные приемники, имеющие все| 8541 40 900 9 |
| |нижеперечисленное: | |
| | | |
| |а) отдельные элементы с максимумом| |
| |спектральной чувствительности | |
| |в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1200| |
| |нм; и | |
| | | |
| |б) любую из следующих характеристик: | |
| |постоянную времени отклика приемника 95 нс| |
| |или | |
| |менее; или являющиеся специально| |
| |разработанными или модифицированными для| |
| |достижения зарядового умножения и имеющие| |
| |максимальную спектральную| |
| |чувствительность, превышающую 10 мА/Вт; | |
| | | |
|6.1.2.1.3.3.|Нелинейные (двухмерные) фокальные| 8541 40 900 9 |
| |матричные приемники, имеющие отдельные| |
| |элементы с максимумом спектральной| |
| |чувствительности в диапазоне длин волн от| |
| |1200 нм до 30 000 нм | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| |Микроболометрические фокальные матричные| |
| |приемники, непригодные для применения в| |
| |космосе, на основе кремния и другого| |
| |материала определяются только по| |
| |пункту 6.1.2.1.3.6 | |
| | | |
|6.1.2.1.3.4.|Линейные (одномерные) фокальные матричные| 8541 40 900 9 |
| |приемники, имеющие все нижеперечисленное: | |
| | | |
| |а) отдельные элементы с максимумом| |
| |спектральной чувствительности | |
| |в диапазоне длин волн от 1200 нм до 3000| |
| |нм; и | |
| | | |
| |б) любую из следующих характеристик: | |
| |отношение размера элемента приемника в| |
| |направлении сканирования к размеру| |
| |элемента приемника в направлении поперек| |
| |сканирования менее 3,8; или обработку| |
| |сигналов в элементе (SPRITE-структура) | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Для целей подпункта "б" пункта 6.1.2.1.3.4| |
| |"направление поперек сканирования"| |
| |определяется как направление вдоль оси,| |
| |параллельной линейке элементов приемника,| |
| |а "направление сканирования" определяется| |
| |как направление вдоль оси,| |
| |перпендикулярной линейке элементов| |
| |приемника | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 6.1.2.1.3.4 не применяется к| |
| |фокальным матричным приемникам на основе| |
| |германия, содержащим не более 32| |
| |детекторных элементов; | |
| | | |
|6.1.2.1.3.5.|Линейные (одномерные) фокальные матричные| 8541 40 900 9 |
| |приемники, имеющие отдельные элементы с| |
| |максимумом спектральной чувствительности в| |
| |диапазоне длин волн от 3000 нм до 30 000| |
| |нм; | |
| | | |
|6.1.2.1.3.6.|Нелинейные (двухмерные) инфракрасные| 8541 40 900 9 |
| |фокальные матричные приемники на основе| |
| |микроболометрического материала, для| |
| |отдельных элементов которых не применяется| |
| |спектральная фильтрация чувствительности в| |
| |диапазоне длин волн от 8000 нм до 14 000| |
| |нм | |
| | | |
| | Техническое примечание. | |
| | | |
| |Для целей пункта 6.1.2.1.3.6 микроболометр| |
| |определяется как тепловой приемник| |
| |инфракрасного излучения, у которого| |
| |формирование соответствующего выходного| |
| |сигнала происходит за счет изменения| |
| |температуры приемника при поглощении| |
| |инфракрасного излучения; | |
| | | |
|6.1.2.1.3.7.|Фокальные матричные приемники, имеющие все| 8541 40 900 9 |
| |нижеперечисленное: | |
| | | |
| |а) отдельные элементы приемника с| |
| |максимумом спектральной чувствительности в| |
| |диапазоне длин волн от 400 нм до 900 нм; | |
| | | |
| |б) являющиеся специально разработанными| |
| |или модифицированными для достижения| |
| |зарядового умножения и имеющие | |
| |в спектральном диапазоне, превышающем 760| |
| |нм, максимальную спектральную| |
| |чувствительность выше 10мА/Вт; и | |
| | | |
| |в) более 32 элементов | |
| | | |
| |Примечания: | |
| | | |
| |1. Пункт 6.1.2.1.3 включает| |
| |фоторезистивные и фотовольтаические| |
| |матрицы | |
| | | |
| |2. Пункт 6.1.2.1.3 не применяется: | |
| |а) к многоэлементным приемникам (с числом| |
| |элементов не более 16) | |
| |с фоточувствительными элементами из| |
| |сульфида или селенида свинца (PbS или PbSe| |
| |соответственно); | |
| |б) к пироэлектрическим приемникам на| |
| |основе любого из следующих материалов: | |
| |триглицинсульфата и его производных; | |
| |титаната свинца-лантана-циркония (PLZT| |
| |керамики) и его производных; | |
| |танталата лития (LiTaO3); | |
| |поливинилиденфторида и его производных;| |
| |или | |
| |ниобата бария-стронция (BaStNbO3) и его| |
| |производных; | |
| |в) к фокальным матричным приемникам,| |
| |специально разработанным или| |
| |модифицированным для реализации зарядового| |
| |умножения, имеющим ограниченное| |
| |конструкцией значение максимальной| |
| |спектральной чувствительности 10 мА/Вт или| |
| |менее для длин волн, превышающих 760 нм, и| |
| |имеющим все нижеперечисленное: | |
| |1) включенный в их конструкцию механизм| |
| |ограничения чувствительности без| |
| |возможности его удаления или модификации;| |
| |и | |
| |2) любое из следующего: | |
| |механизм ограничения чувствительности,| |
| |являющийся неотъемлемой частью конструкции| |
| |приемника; или | |
| |фокальный матричный приемник, действующий| |
| |только вместе с установленным механизмом| |
| |ограничения чувствительности | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Механизм ограничения чувствительности| |
| |приемника является неотъемлемой частью| |
| |конструкции приемника и разработан с| |
| |отсутствием возможности его удаления или| |
| |модификации без приведения приемника в| |
| |нерабочее состояние | |
| | | |
| |Особые примечания. | |
| | | |
| |1. Микроболометрические фокальные | |
| |матричные приемники, непригодные для| |
| |применения в космосе, определяются только| |
| |по пункту 6.1.2.1.3.6 | |
| | | |
| |2. В отношении фокальных матричных| |
| |приемников, указанных в пункте 6.1.2.1.3,| |
| |см. также пункт 6.1.2.1.3 раздела 2 | |
| | | |
| 6.1.2.2. |Моноспектральные датчики изображения и| 8540 89 000 0 |
| |многоспектральные датчики изображения,| |
| |разработанные для применения при| |
| |дистанционном зондировании и имеющие любое| |
| |из следующего: | |
| | | |
| |а) мгновенное угловое поле (МУП) менее 200| |
| |мкрад; или | |
| | | |
| |б) разработанные для функционирования в| |
| |диапазоне длин волн от 400 нм до 30 000 нм| |
| |и имеющие все нижеперечисленное: | |
| | | |
| |1) обеспечивающие выходные данные| |
| |изображения в цифровом формате; и | |
| | | |
| |2) имеющие любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| |- пригодные для применения в космосе; | |
| |или | |
| |- разработанные для функционирования на| |
| |борту летательного аппарата, использующие| |
| |приемники, изготовленные не из кремния и| |
| |имеющие МУП менее 2,5 мрад | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении многоспектральных датчиков| |
| |изображения, указанных в пункте 6.1.2.2,| |
| |см. также пункт 6.1.2.2 раздела 2 | |
| | | |
| 6.1.2.3. |Приборы прямого наблюдения изображения,| |
| |содержащие любое из следующего: | |
| | | |
| 6.1.2.3.1. |Электронно-оптические преобразователи,|8540 20 800 0; |
| |имеющие характеристики, указанные в пункте|8540 99 000 0; |
| |6.1.2.1.2.1 или 6.1.2.1.2.2; или | 9005 |
| | | |
| 6.1.2.3.2. |Фокальные матричные приемники, имеющие|8540 99 000 0; |
| |характеристики, указанные в пункте| 9005 |
| |6.1.2.1.3 или 6.1.2.5; или | |
| | | |
| 6.1.2.3.3. |Твердотельные приемники оптического|8540 99 000 0; |
| |излучения, имеющие характеристики,| 9005; |
| |указанные в пункте 6.1.2.1.1 | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Под приборами прямого наблюдения| |
| |изображения понимаются приборы для| |
| |получения человеком-наблюдателем| |
| |визуального изображения без преобразования| |
| |его в электронный сигнал для| |
| |телевизионного дисплея и без возможности| |
| |записи или сохранения этого изображения| |
| |фотографическим, электронным или другим| |
| |способом | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 6.1.2.3 не применяется к следующим| |
| |приборам, содержащим фотокатоды на основе| |
| |материалов, отличных от GaAs или GalnAs: | |
| | | |
| |а) промышленным или гражданским системам| |
| |охранной сигнализации, системам управления| |
| |движением транспорта или промышленного| |
| |управления перемещением и системам счета; | |
| | | |
| |б) медицинским приборам; | |
| | | |
| |в) промышленным приборам, используемым для| |
| |проверки, сортировки или анализа состояния| |
| |материалов; | |
| | | |
| |г) датчикам контроля пламени для| |
| |промышленных печей; | |
| | | |
| |д) приборам, специально разработанным для| |
| |лабораторного использования | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении оборудования прямого| |
| |наблюдения, указанного в пункте 6.1.2.3,| |
| |см. также пункт 6.1.2.3 раздела 2 | |
| | | |
| 6.1.2.4. |Специальные вспомогательные компоненты для| |
| |оптических датчиков: | |
| | | |
| 6.1.2.4.1. |Криогенные охладители, пригодные для| 8418 69 000 9 |
| |применения в космосе; | |
| | | |
| 6.1.2.4.2. |Нижеперечисленные криогенные охладители,| |
| |непригодные для применения в космосе, с| |
| |температурой источника охлаждения ниже 218| |
| |К (-55°С): | |
| | | |
|6.1.2.4.2.1.|Криогенные охладители с замкнутым циклом и| 8418 69 000 9 |
| |с определенным техническими условиями| |
| |средним временем наработки на отказ или| |
| |средним временем наработки между отказами| |
| |более 2500 ч; | |
| | | |
|6.1.2.4.2.2.|Саморегулирующиеся миниохладители,| 8418 69 000 9 |
| |работающие по циклу Джоуля-Томсона, с| |
| |наружными диаметрами канала менее 8 мм; | |
| | | |
| 6.1.2.4.3. |Оптические волокна, специально| 9001 10 900 |
| |изготовленные с заданным составом или| |
| |структурой либо модифицированные с помощью| |
| |покрытия для обеспечения их акустической,| |
| |температурной, инерциальной,| |
| |электромагнитной или радиационной| |
| |чувствительности | |
| | | |
| 6.1.2.5. |Фокальные матричные приемники, пригодные| 9013 80 900 0 |
| |для применения в космосе, имеющие в| |
| |матрице более 2048 элементов и максимум| |
| |спектральной чувствительности в диапазоне| |
| |длин волн от 300 нм до 900 нм | |
| | | |
| 6.1.3. |Камеры, системы или приборы и компоненты| |
| |для них | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |Для камер, специально разработанных или| |
| |модифицированных для подводного| |
| |использования, см. пункты 8.1.2.4 и| |
| |8.1.2.5 | |
| | | |
| 6.1.3.1. |Камеры для контрольно-измерительных| |
| |приборов (регистрационные киносъемочные| |
| |аппараты) и специально разработанные| |
| |для них компоненты: | |
| | | |
| 6.1.3.1.1. |Высокоскоростные записывающие кинокамеры,| 9007 10 000 0 |
| |использующие любой формат пленки от 8 мм| |
| |до 16 мм, в которых пленка непрерывно| |
| |движется вперед в течение всего периода| |
| |записи и которые способны записывать при| |
| |скорости кадрирования более 13 150| |
| |кадров/с | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 6.1.3.1.1 не применяется к| |
| |записывающим кинокамерам, разработанным| |
| |для гражданских целей; | |
| | | |
| 6.1.3.1.2. |Механические высокоскоростные камеры с| 9007 10 000 0 |
| |неподвижной пленкой и скоростью записи| |
| |более 1 000 000 кадров/с для полной высоты| |
| |кадрирования 35-мм пленки, или с| |
| |пропорционально более высокой скоростью| |
| |для меньшей высоты кадров, или с| |
| |пропорционально меньшей скоростью для| |
| |большей высоты кадров; | |
| | | |
| 6.1.3.1.3. |Механические или электронные фотохроногра-| 9007 10 000 0 |
| |фы (стрик-камеры), имеющие скорость записи| |
| |более 10 мм/мкс; | |
| | | |
| 6.1.3.1.4. |Электронные камеры с кадрированием| 9007 10 000 0 |
| |изображения, имеющие скорость более| |
| |1 000 000 кадров/с; | |
| | | |
| 6.1.3.1.5. |Электронные камеры, имеющие все| 9007 10 000 0 |
| |нижеперечисленное: | |
| | | |
| |а) скорость электронного затвора| |
| |(способность стробирования) менее 1 мкс на| |
| |полный кадр; и | |
| | | |
| |б) время считывания, обеспечивающее| |
| |скорость кадрирования более 125 полных| |
| |кадров в секунду | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Камеры для контрольно-измерительных| |
| |приборов, определенные в пунктах 6.1.3.1.3| |
| |- 6.1.3.1.5 и имеющие модульную структуру,| |
| |должны оцениваться их максимальной| |
| |способностью использования подходящих| |
| |сменных модулей в соответствии со| |
| |спецификацией изготовителя; | |
| | | |
| 6.1.3.1.6. |Сменные модули, имеющие все следующие| 9007 10 000 0;|
| |характеристики: | 9007 91 000 0 |
| | | |
| |а) специально разработанные для камер| |
| |контрольно-измерительных приборов, имеющих| |
| |модульную структуру и определенных в| |
| |пункте 6.1.3.1; и | |
| | | |
| |б) дающие возможность камерам| |
| |удовлетворять характеристикам,| |
| |определенным в пункте 6.1.3.1.3, 6.1.3.1.4| |
| |или 6.1.3.1.5, в соответствии с| |
| |техническими требованиями производителей | |
| | | |
| 6.1.3.2. |Камеры формирования изображения: | |
| | | |
| 6.1.3.2.1. |Видеокамеры, включающие твердотельные| 8525 80 |
| |датчики, имеющие максимум спектральной| |
| |чувствительности в диапазоне длин волн от| |
| |10 нм до 30 000 нм и все следующее: | |
| | | |
| |а) имеющие любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| |более 4 х 10(6) активных пикселей в| |
| |твердотельной матрице для монохромных| |
| |(черно-белых) камер; более 4 х 10(6)| |
| |активных пикселей в твердотельной матрице| |
| |для цветных камер, включающих три| |
| |твердотельные матрицы; или | |
| |более 12 х 10(6) в твердотельной матрице| |
| |активных пикселей для цветных камер на| |
| |основе одной твердотельной матрицы; и | |
| | | |
| |б) имеющие любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| |оптические зеркала, определенные в| |
| |пункте 6.1.4.1; оборудование (приборы) для| |
| |оптического контроля, определенное в| |
| |пункте 6.1.4.4; или способность| |
| |комментирования накопленных внутри камеры| |
| |данных сопровождения | |
| | | |
| |Технические примечания: | |
| | | |
| |1. Для целей настоящего пункта цифровые| |
| |видеокамеры должны оцениваться| |
| |максимальным числом активных пикселей,| |
| |используемых для фиксации (сохранения)| |
| |движущихся изображений | |
| | | |
| |2. Для целей настоящего пункта термин| |
| |"данные сопровождения камеры" означает| |
| |информацию, необходимую для определения| |
| |ориентации линии визирования камеры| |
| |относительно Земли. Это включает: | |
| | | |
| |а) азимутальный угол линии визирования| |
| |камеры, образованный относительно| |
| |направления магнитного поля Земли; и | |
| | | |
| |б) вертикальный угол между линией| |
| |визирования камеры и горизонтом Земли; | |
| | | |
| 6.1.3.2.2. |Сканирующие камеры и системы на основе|8525 80 300 0; |
| |сканирующих камер, имеющие все следующее: | 8525 80 910; |
| | | 8525 80 990 |
| |а) максимум спектральной чувствительности| |
| |в диапазоне длин волн от 10 нм до 30 000| |
| |нм; | |
| | | |
| |б) линейные матричные приемники с более| |
| |чем 8192 элементами в матрице; и | |
| | | |
| |в) механическое сканирование в одном| |
| |направлении; | |
| | | |
| 6.1.3.2.3. |Камеры формирования изображений,|8525 80 300 0; |
| |включающие в себя электронно-оптические| 8525 80 910; |
| |преобразователи, имеющие характеристики,| 8525 80 990 |
| |указанные в пункте 6.1.2.1.2.1 или| |
| |6.1.2.1.2.2; | |
| | | |
| 6.1.3.2.4. |Камеры формирования изображений,|8525 80 110 0; |
| |включающие любые из нижеперечисленных|8525 80 190 0; |
| |фокальных матричных приемников: |8525 80 300 0; |
| | |8525 80 910 9; |
| |а) определенных в пунктах 6.1.2.1.3.1 -| 8525 80 990 9 |
| |6.1.2.1.3.5; | |
| | | |
| |б) определенных в пункте 6.1.2.1.3.6; | |
| | | |
| |в) определенных в пункте 6.1.2.1.3.7; или | |
| | | |
| |г) определенных в пункте 6.1.2.5 | |
| | | |
| |Примечания: | |
| | | |
| |1. Камеры формирования изображения,| |
| |определенные в пункте 6.1.3.2.4, включают| |
| |фокальные матричные приемники,| |
| |объединенные с электронным устройством для| |
| |обработки поступивших от них сигналов,| |
| |позволяющие получить, по крайней мере,| |
| |выходной аналоговый или цифровой сигнал в| |
| |момент подачи питания | |
| | | |
| |2. Подпункт "а" пункта 6.1.3.2.4 не| |
| |применяется к камерам формирования| |
| |изображений, включающим в себя линейные| |
| |фокальные матричные приемники с 12 или| |
| |меньшим числом элементов без временной| |
| |задержки и интегрирования сигнала в| |
| |элементе, разработанным для любого из| |
| |следующего: | |
| | | |
| |а) промышленных или гражданских систем| |
| |охранной сигнализации, систем управления| |
| |движением транспорта или промышленного| |
| |управления перемещением и систем счета; | |
| | | |
| |б) производственного оборудования,| |
| |и контроля или мониторинга тепловых| |
| |потоков в зданиях, оборудовании или| |
| |производственных процессах; | |
| | | |
| |в) производственного оборудования,| |
| |используемого для контроля, сортировки или| |
| |анализа состояния материалов; | |
| | | |
| |г) оборудования, специально разработанного| |
| |для лабораторного использования; или | |
| | | |
| |д) медицинского оборудования | |
| | | |
| |3. Подпункт "б" пункта 6.1.3.2.4 не| |
| |применяется к камерам формирования| |
| |изображения, имеющим любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| | | |
| |а) максимальную частоту смены кадров,| |
| |равную или меньше 9 Гц; | |
| | | |
| |б) имеющим все нижеследующее: | |
| | | |
| |1) минимальное горизонтальное или вер-| |
| |тикальное мгновенное угловое поле (МУП),| |
| |по крайней мере, 10 мрад/пиксель| |
| |(миллирадиан/пиксель); | |
| | | |
| |2) включающим объективы с фиксированным| |
| |фокусным расстоянием без возможности их| |
| |удаления; | |
| | | |
| |3) не включающим в свой состав дисплей с| |
| |отображением прямого наблюдения; и | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Отображение прямого наблюдения относится к| |
| |камере формирования изображения,| |
| |работающей в инфракрасной области спектра,| |
| |которая передает визуальное изображение| |
| |наблюдателю с помощью миниатюрного| |
| |дисплея, включающего в себя любой| |
| |светозащитный механизм | |
| | | |
| |4) имеющим любое из нижеследующего: | |
| |отсутствие устройств для получения| |
| |фактически наблюдаемого изображения,| |
| |обнаруженного в угловом поле; или | |
| |являющимся разработанными только для| |
| |одного вида применения и без возможности| |
| |изменения их пользователем; или | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Мгновенное угловое поле (МУП),| |
| |определенное в пункте "б" примечания 3,| |
| |является наименьшей величиной, вычисляемой| |
| |по горизонтальному угловому полю (ГУП) или| |
| |вертикальному угловому полю (ВУП). | |
| |Горизонтальное МУП равно значению ГУП,| |
| |отнесенного к количеству горизонтальных| |
| |чувствительных элементов приемника. | |
| |Вертикальное МУП равно значению ВУП,| |
| |отнесенного к количеству вертикальных| |
| |чувствительных элементов приемника | |
| | | |
| |в) специально разработанным для установки| |
| |на гражданское пассажирское наземное| |
| |транспортное средство массой менее трех| |
| |тонн (вес брутто транспортного средства) и| |
| |отвечающим всем следующим требованиям: | |
| | | |
| |1) работающим только тогда, когда они| |
| |установлены на любое из следующего: | |
| |гражданское пассажирское наземное| |
| |транспортное средство, для которого они| |
| |предназначались; | |
| |или специально разработанное и| |
| |сертифицированное испытательное или| |
| |тестирующее оборудование для этих камер; и| |
| | | |
| |2) включающим в себя устройство, которое| |
| |приводит камеру в нерабочее состояние при| |
| |извлечении ее из транспортного средства,| |
| |для которого камера предназначалась | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |В случае необходимости детали изделия| |
| |предоставляются соответствующему| |
| |уполномоченному органу Российской| |
| |Федерации по его требованию, чтобы| |
| |убедиться в их соответствии условиям,| |
| |изложенным в подпункте 4 пункта "б" и| |
| |пункте "в" вышеупомянутого примечания 3 | |
| | | |
| |4. Подпункт "в" пункта 6.1.3.2.4 не| |
| |применяется к камерам формирования| |
| |изображения, имеющим любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| | | |
| |а) отвечающим всем следующим требованиям: | |
| | | |
| |1) являющимся специально разработанными| |
| |для установки в качестве встроенного| |
| |компонента в системы или оборудование| |
| |(приборы), | |
| |предназначенные для работы внутри| |
| |помещения от штепсельной вилки для стенной| |
| |розетки, и конструктивно ограниченным| |
| |только для одного из следующих видов| |
| |применения: | |
| |для мониторинга промышленного процесса,| |
| |контроля качества или анализа состояния| |
| |материалов; | |
| |в лабораторном оборудовании (приборах),| |
| |специально разработанном для научных| |
| |исследований; | |
| |в медицинском оборудовании (приборах); или| |
| |в аппаратуре (приборах) системы| |
| |обнаружения финансового мошенничества| |
| |(финансовых подделок); и | |
| | | |
| |2) работающим только тогда, когда они| |
| |установлены на/в любое из следующего: | |
| |системы или оборудование (приборы), для| |
| |которых они предназначались; или | |
| |специально разработанное и| |
| |сертифицированное оборудование для| |
| |технического обслуживания и ремонта этих| |
| |камер; и | |
| | | |
| |3) включающим в себя устройство, которое| |
| |приводит камеру в нерабочее состояние при| |
| |извлечении ее из систем или оборудования| |
| |(приборов), | |
| |для которых камера предназначалась; | |
| | | |
| |б) являющимся специально разработанными| |
| |для установки на гражданское пассажирское| |
| |наземное транспортное средство массой| |
| |менее трех тонн (вес брутто транспортного| |
| |средства) или паром для перевозки| |
| |пассажиров и транспортных средств, имеющий| |
| |общую длину парома (ОДП) 65 м или более, и| |
| |отвечающим всем следующим требованиям: | |
| | | |
| |1) работающим только тогда, когда они| |
| |установлены на любое из следующего:| |
| |гражданское пассажирское наземное| |
| |транспортное средство или паром для| |
| |перевозки пассажиров и транспортных| |
| |средств, для которого они предназначались;| |
| |или | |
| |специально разработанное и| |
| |сертифицированное испытательное или| |
| |тестирующее оборудование для этих камер; и| |
| | | |
| |2) включающим в себя устройство, которое| |
| |приводит камеру в нерабочее состояние при| |
| |извлечении ее из транспортного средства,| |
| |для которого камера предназначалась; | |
| | | |
| |в) имеющим ограниченное конструкцией| |
| |значение максимальной спектральной| |
| |чувствительности 10 мА/Вт или менее для| |
| |длин волн, превышающих 760 нм, и| |
| |отвечающим всем следующим требованиям: | |
| | | |
| |1) включающим в себя механизм ограничения| |
| |чувствительности, разработанный с| |
| |отсутствием возможности его извлечения или| |
| |изменения; и | |
| | | |
| |2) включающим в себя устройство, которое| |
| |приводит камеру в нерабочее состояние при| |
| |извлечении из нее механизма ограничения| |
| |чувствительности; или | |
| | | |
| |г) отвечающим всем следующим требованиям: | |
| | | |
| |1) не включающим в свой состав дисплей с| |
| |отображением прямого наблюдения или| |
| |дисплей электронного изображения; | |
| | | |
| |2) не имеющим устройств для получения| |
| |фактически наблюдаемого изображения,| |
| |обнаруженного в угловом поле; | |
| | | |
| |3) имеющим фокальный матричный приемник,| |
| |работающий только когда он установлен в| |
| |камеру, для которой был предназначен; и | |
| | | |
| |4) имеющим фокальный матричный приемник,| |
| |включающий в себя активное устройство,| |
| |которое делает его неработоспособным при| |
| |извлечении из камеры, для которой этот| |
| |фокальный матричный приемник| |
| |предназначался | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |В случае необходимости элементы камер| |
| |предоставляются соответствующему| |
| |уполномоченному органу Российской| |
| |Федерации по его требованию, чтобы| |
| |убедиться в их соответствии условиям,| |
| |изложенным в вышеупомянутом примечании 4; | |
| | | |
| 6.1.3.2.5. |Камеры формирования изображений,|8525 80 110 0; |
| |включающие твердотельные приемники|8525 80 190 0; |
| |оптического излучения, определенные в|8525 80 300 0; |
| |пункте 6.1.2.1.1 |8525 80 910 9; |
| | | 8525 80 990 9 |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении камер формирования| |
| |изображения, указанных в пунктах 6.1.3.2.3| |
| |- 6.1.3.2.5, см. также пункты 6.1.3.1.1 -| |
| |6.1.3.1.3 раздела 2 | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 6.1.3.2 не применяется к| |
| |телевизионным или видеокамерам, специально| |
| |разработанным для телевизионного вещания | |
| | | |
| 6.1.4. |Оптика (оптическое оборудование (приборы)| |
| |и компоненты) | |
| | | |
| 6.1.4.1. |Оптические зеркала (рефлекторы): | |
| | | |
| 6.1.4.1.1. |Деформируемые зеркала, имеющие сплошные|9001 90 000 0; |
| |или многоэлементные поверхности, и| 9002 90 000 0 |
| |специально разработанные для них| |
| |компоненты, которые способны динамически| |
| |осуществлять перерегулировку положения| |
| |частей поверхности зеркала с частотой выше| |
| |100 Гц; | |
| | | |
| 6.1.4.1.2. |Легкие монолитные зеркала, имеющие среднюю|9001 90 000 0; |
| |эквивалентную плотность менее 30 кг/кв. м| 9002 90 000 0 |
| |и общую массу более 10 кг; | |
| | | |
| 6.1.4.1.3. |Зеркала из легких композиционных или|9001 90 000 0; |
| |пенообразных материалов, имеющие среднюю| 9002 90 000 0 |
| |эквивалентную плотность менее 30 кг/кв. м| |
| |и общую массу более 2 кг; | |
| | | |
| 6.1.4.1.4. |Зеркала для управления лучом с диаметром|9001 90 000 0; |
| |или длиной по главной оси более 100 мм,| 9002 90 000 0 |
| |имеющие плоскостность 1/2 длины волны или| |
| |лучше (длина волны равна 633 нм) и ширину| |
| |полосы частот управления более 100 Гц | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| |Для оптических зеркал, специально для| |
| |литографического оборудования,| |
| |см. пункт 3.2.1 | |
| | | |
| 6.1.4.2. |Оптические компоненты, изготовленные из|9001 90 000 0; |
| |селенида цинка (ZnSe) или сульфида цинка| 9002 90 000 0 |
| |(ZnS), с полосой пропускания от 3000 нм до| |
| |25 000 нм, имеющие любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| | | |
| |а) объем более 100 куб. см; или | |
| | | |
| |б) диаметр или длину по главной оси более| |
| |80 мм и толщину (глубину) более 20 мм | |
| | | |
| 6.1.4.3. |Компоненты для оптических систем,| |
| |пригодные для применения в космосе: | |
| | | |
| 6.1.4.3.1. |Оптические элементы облегченного типа с|9001 90 000 0; |
| |эквивалентной плотностью менее 20% по| 9002 90 000 0 |
| |сравнению со сплошной заготовкой с теми же| |
| |апертурой и толщиной; | |
| | | |
| 6.1.4.3.2. |Необработанные подложки, обработанные|7014 00 000 0; |
| |подложки с поверхностным покрытием| 9001 90 000 0 |
| |(однослойным или многослойным,| |
| |металлическим или диэлектрическим,| |
| |проводящим, полупроводящим или| |
| |изолирующим) или имеющие защитные пленки; | |
| | | |
| 6.1.4.3.3. |Сегменты или системы зеркал,| 900190 000 0; |
| |предназначенные для сборки в космосе в| 9002 90 000 0 |
| |оптическую систему с входной (сборной)| |
| |апертурой, равной или больше одного| |
| |оптического метра в диаметре; | |
| | | |
| 6.1.4.3.4. |Изготовленные из композиционных| 9003 90 000 |
| |материалов, имеющих коэффициент линейного| |
| |температурного расширения, равный или| |
| |меньше 5 х 10(-6) в любом направлении | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении компонентов оптических систем,| |
| |указанных в пунктах 6.1.4.3 - 6.1.4.3.4,| |
| |см. также пункты 6.1.4.1 - 6.1.4.1.4| |
| |раздела 2 | |
| | | |
| 6.1.4.4. |Оборудование для оптического контроля: | |
| | | |
| 6.1.4.4.1. |Специально разработанное для поддержания|9031 49 900 0; |
| |профиля поверхности или ориентации|9032 89 000 9 |
| |оптических компонентов, пригодных для| |
| |применения в космосе и определенных в| |
| |пункте 6.1.4.3.1 или 6.1.4.3.3; | |
| | | |
| 6.1.4.4.2. |Имеющее управление, слежение, стабилизацию|9031 49 900 0; |
| |или юстировку резонатора в полосе частот,|9032 89 000 9 |
| |равной или выше 100 Гц, и погрешность 10| |
| |мкрад или менее; | |
| | | |
| 6.1.4.4.3. |Кардановы подвесы, имеющие все следующие|8412 21 200 9; |
| |характеристики: |8412 31 000; |
| | | |
| |а) максимальный угол поворота более 5°; |8479 89 970 8; |
| | |9032 81 000 9; |
| | | |
| |б) ширину полосы, равную или выше 100 Гц; |9032 89 000 9 |
| | | |
| |в) ошибки угловой ориентации, равные или| |
| |меньше 200 мкрад; и | |
| | | |
| |г) имеющие любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| |диаметр или длину по главной оси более| |
| |0,15 м, но не более 1 м и допускающие| |
| |угловые ускорения более 2 рад/с(2); или| |
| |диаметр или длину по главной оси более 1 м| |
| |и допускающие угловые ускорения более 0,5| |
| |рад/с(2); | |
| | | |
| 6.1.4.4.4. |Специально разработанное для сохранения| 9032 89 000 9 |
| |настройки фазированной антенной решетки| |
| |(ФАР) или фазированных сегментов систем| |
| |зеркал, содержащих зеркала с диаметром| |
| |сегмента или длиной по главной оси 1 м или| |
| |более | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении оборудования для оптического| |
| |контроля, указанного в пунктах 6.1.4.4 -| |
| |6.1.4.4.4, см. также пункты 6.1.4.2 -| |
| |6.1.4.2.4 раздела 2 | |
| | | |
| 6.1.4.5. |Асферические оптические элементы, имеющие|9001 90 000 0; |
| |все следующие характеристики: | 9002 90 000 0 |
| | | |
| |а) наибольший размер оптической апертуры| |
| |более 400 мм; | |
| | | |
| |б) шероховатость поверхности менее 1 нм| |
| |(среднеквадратичную) на выборочном участке| |
| |длиной, равной или превышающей 1 мм; и | |
| | | |
| |в) абсолютную величину коэффициента| |
| |линейного температурного расширения менее| |
| |3 x 10(-6)/К при температуре 25°С | |
| | | |
| |Технические примечания: | |
| | | |
| |1. Асферический оптический элемент - любой| |
| |элемент, используемый в оптической| |
| |системе, оптическая поверхность или| |
| |поверхности которого разработаны| |
| |отличающимися от формы идеальной сферы | |
| | | |
| |2. Изготовители не нуждаются в измерении| |
| |шероховатости поверхности, указанной в| |
| |подпункте "б" пункта 6.1.4.5, за| |
| |исключением тех случаев, когда оптический| |
| |элемент разработан или изготовлен с целью| |
| |соответствия или превышения определенного| |
| |параметра | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 6.1.4.5 не применяется к| |
| |асферическим оптическим элементам, имеющим| |
| |любые из следующих характеристик: | |
| | | |
| |а) наибольший размер оптической апертуры| |
| |менее 1 м и отношение фокусного расстояния| |
| |к апертуре, равное или больше 4,5:1; | |
| | | |
| |б) наибольший размер оптической апертуры,| |
| |равный или больше 1 м, и отношение| |
| |фокусного расстояния к апертуре, равное| |
| |или больше 7:1; | |
| | | |
| |в) разработанным как линзы Френеля, "рыбий| |
| |глаз", пластины, призмы или дифракционные| |
| |оптические элементы; | |
| | | |
| |г) изготовленным из боросиликатного| |
| |стекла, имеющего коэффициент линейного| |
| |температурного расширения более 2,5 х| |
| |10(-6)/К при температуре 25°С; или | |
| | | |
| |д) являющимся отражательными оптическими| |
| |элементами для рентгеновских лучей,| |
| |обладающим свойствами внутреннего| |
| |отражения (например, зеркала для| |
| |рентгеновских трубок) | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |Для асферических оптических элементов,| |
| |специально разработанных для| |
| |литографического оборудования, см. пункт| |
| |3.2.1 | |
| | | |
| |Лазеры | |
| | | |
| 6.1.5. |Лазеры, компоненты и оптическое| |
| |оборудование: | |
| | | |
| |Примечания: | |
| | | |
| |1. Импульсные лазеры включают лазеры,| |
| |генерирующие импульсы на фоне непрерывной| |
| |накачки | |
| | | |
| |2. Эксимерные, полупроводниковые,| |
| |химические лазеры, лазеры на оксиде| |
| |углерода (СО) и диоксиде углерода (СО2) и| |
| |одноимпульсные лазеры на неодимовом стекле| |
| |определяются только по пункту 6.1.5.4 | |
| | | |
| |3. Пункт 6.1.5 включает волоконные лазеры | |
| | | |
| |4. Контрольный статус лазеров,| |
| |использующих преобразование частоты| |
| |(изменение длины волны) другим способом,| |
| |чем накачка лазера другим лазером,| |
| |определяется как параметрами выходного| |
| |излучения лазера, так и параметрами| |
| |частотно-преобразованного оптикой| |
| |излучения | |
| | | |
| |5. По пункту 6.1.5 не контролируются| |
| |следующие лазеры: | |
| | | |
| |а) рубиновые с выходной энергией менее| |
| |20 Дж; | |
| | | |
| |б) азотные; | |
| | | |
| |в) криптоновые | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |КПД "от розетки" определяется как| |
| |отношение выходной мощности (или средней| |
| |выходной мощности) лазерного излучения к| |
| |общей электрической входной мощности,| |
| |необходимой для работы лазера, включая| |
| |электроснабжение/регулирование имощности и| |
| |терморегулирование/теплообмен | |
| | | |
| 6.1.5.1. |Неперестраиваемые непрерывные (работающие| 9013 20 000 0 |
| |в непрерывном режиме) лазеры, имеющие| |
| |любую из следующих характеристик: | |
| | | |
| |а) длину волны излучения менее 150 нм и| |
| |выходную мощность более 1 Вт; | |
| | | |
| |б) длину волны излучения 150 нм или более,| |
| |но не превышающую 520 нм, и выходную| |
| |мощность более 30 Вт | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По подпункту "б" пункта 6.1.5.1 не| |
| |контролируются аргоновые лазеры, имеющие| |
| |выходную мощность, равную или меньше| |
| |50 Вт; | |
| | | |
| |в) длину волны излучения более 520 нм, но| |
| |не превышающую 540 нм, и имеющие любое из| |
| |следующего: | |
| |выходную мощность в режиме генерации одной| |
| |поперечной моды более 50 Вт; или | |
| |выходную мощность в многомодовом режиме| |
| |генерации поперечных мод более 150 Вт; | |
| | | |
| |г) длину волны излучения более 540 нм, но| |
| |не превышающую 800 нм, и выходную мощность| |
| |более 30 Вт; | |
| | | |
| |д) длину волны излучения более 800 нм, но| |
| |не превышающую 975 нм, и имеющие любое из| |
| |следующего: | |
| |выходную мощность в режиме генерации одной| |
| |поперечной моды более 50 Вт; или | |
| |выходную мощность в многомодовом режиме| |
| |генерации поперечных мод более 80 Вт; | |
| | | |
| |е) длину волны излучения более 975 нм, но| |
| |не превышающую 1150 нм, и имеющие любое из| |
| |следующего: | |
| | | |
| |1) в режиме генерации одной поперечной| |
| |моды имеющие любое из следующего: | |
| |КПД "от розетки" более 12% и выходную| |
| |мощность более 100 Вт; или | |
| |выходную мощность более 150 Вт; или | |
| | | |
| |2) в многомодовом режиме генерации| |
| |поперечных мод имеющие любое из| |
| |следующего: | |
| |КПД "от розетки" более 18% и выходную| |
| |мощность более 500 Вт; или | |
| |выходную мощность более 2 кВт | |
| | | |
| | Примечание. | |
| | | |
| |По подпункту 2 вышеупомянутого пункта "е"| |
| |не контролируются многомодовые (по| |
| |поперечной моде) промышленные лазеры с| |
| |выходной мощностью более 2 кВт, но не| |
| |превышающей 6 кВт, общей массой более| |
| |1200 кг. Для целей настоящего примечания| |
| |под общей массой понимается масса всех| |
| |компонентов, необходимых для работы лазера| |
| |(например, лазер, источник питания,| |
| |теплообменник), но за исключением внешних| |
| |оптических устройств для преобразования| |
| |и/или транспортировки лазерного пучка; | |
| | | |
| |ж) длину волны излучения более 1150 нм, но| |
| |не превышающую 1555 нм, и имеющие любое из| |
| |следующего: | |
| |выходную мощность в режиме генерации одной| |
| |поперечной моды более 50 Вт; или | |
| |выходную мощность в многомодовом режиме| |
| |генерации поперечных мод более 80 Вт; или| |
| | | |
| |з) длину волны излучения более 1555 нм и| |
| |выходную мощность более 1 Вт; | |
| | | |
| 6.1.5.2. |Неперестраиваемые импульсные лазеры,| 9013 20 000 0 |
| |имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | | |
| |а) длину волны излучения менее 150 нм и| |
| |имеющие любое из следующего: | |
| |выходную энергию в импульсе более 50 мДж и| |
| |пиковую мощность более 1 Вт; | |
| |или среднюю выходную мощность более 1 Вт; | |
| | | |
| |б) длину волны излучения 150 нм или более,| |
| |но не превышающую 520 нм, и имеющие любое| |
| |из следующего: | |
| | | |
| |1) выходную энергию в импульсе более| |
| |1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт;| |
| |или | |
| | | |
| |2) среднюю выходную мощность более 30 Вт | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По подпункту 2 вышеупомянутого пункта "б"| |
| |не контролируются аргоновые лазеры со| |
| |средней выходной мощностью, равной или| |
| |меньше 50 Вт; | |
| | | |
| |в) длину волны излучения более 520 нм, но| |
| |не превышающую 540 нм, и имеющие любое из| |
| |следующего: | |
| | | |
| |1) в режиме генерации одной поперечной| |
| |моды имеющие любое из следующего: | |
| |выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и| |
| |пиковую мощность более 50 Вт; или | |
| |среднюю выходную мощность более 50 Вт; или| |
| | | |
| |2) в многомодовом режиме генерации| |
| |поперечных мод имеющие любое из| |
| |следующего: | |
| |выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и| |
| |пиковую мощность более 150 Вт; или | |
| |среднюю выходную мощность более 150 Вт; | |
| | | |
| |г) длину волны излучения более 540 нм, но| |
| |не превышающую 800 нм, и имеющие любое из| |
| |следующего: выходную энергию в импульсе| |
| |более 1,5 Дж и пиковую мощность более| |
| |30 Вт; | |
| | | |
| |или среднюю выходную мощность более 30 Вт;| |
| | | |
| |д) длину волны излучения более 800 нм, но| |
| |не превышающую 975 нм, и имеющие любое из| |
| |следующего: | |
| | | |
| |1) длительность импульса, не превышающую| |
| |1 мкс, и имеющие любое из следующего: | |
| |выходную энергию в импульсе более 0,5 Дж и| |
| |пиковую мощность более 50 Вт; | |
| |среднюю выходную мощность в режиме| |
| |генерации одной поперечной моды более| |
| |20 Вт; или | |
| |среднюю выходную мощность в многомодовом| |
| |режиме генерации поперечных мод более| |
| |50 Вт; или | |
| | | |
| |2) длительность импульса более 1 мкс и| |
| |имеющие любое из следующего: | |
| |энергию в импульсе более 2 Дж и пиковую| |
| |мощность более 50 Вт; | |
| |среднюю выходную мощность в режиме| |
| |генерации одной поперечной моды более| |
| |50 Вт; или | |
| |среднюю выходную мощность в многомодовом| |
| |режиме генерации поперечных мод более| |
| |80 Вт; | |
| | | |
| |е) длину волны излучения более 975 нм, но| |
| |не превышающую 1150 нм, и имеющие любое из| |
| |следующего: | |
| | | |
| |1) длительность импульса, не превышающую| |
| |1 нс, и имеющие любое из следующего: | |
| |выходную пиковую мощность в импульсе более| |
| |5 ГВт; | |
| |среднюю выходную мощность более 10 Вт; или| |
| |выходную энергию в импульсе более 0,1 Дж; | |
| | | |
| |2) длительность импульса более 1 нс, но| |
| |не превышающую 1 мкс, и имеющие любое из| |
| |следующего: | |
| |в режиме генерации одной поперечной моды| |
| |имеющие любое из следующего: | |
| |- пиковую мощность более 100 мВт; | |
| |- среднюю выходную мощность более 20 Вт,| |
| |конструктивно ограниченную максимальной| |
| |частотой повторения импульсов, равной или| |
| |меньше 1 кГц; | |
| |- КПД "от розетки" более 12%, среднюю| |
| |выходную мощность более 100 Вт и способные| |
| |работать с частотой повторения импульса| |
| |более 1 кГц; | |
| |- среднюю выходную мощность более 150 Вт| |
| |и способные работать при частоте| |
| |повторения импульсов более 1 кГц; или | |
| |- выходную энергию в импульсе более 2 Дж;| |
| |или | |
| |в многомодовом режиме генерации поперечных| |
| |мод имеющие любое из следующего: | |
| |- пиковую мощность более 400 мВт; | |
| |- КПД "от розетки" более 18% и среднюю| |
| |выходную мощность более 500 Вт; | |
| |среднюю выходную мощность более 2 кВт; или| |
| |- выходную энергию в импульсе более 4 Дж;| |
| |или | |
| | | |
| |3) длительность импульса более 1 мкс и| |
| |имеющие любое из следующего: | |
| |в режиме генерации одной поперечной моды| |
| |имеющие любое из следующего: | |
| |- пиковую мощность более 500 кВт; | |
| |- КПД "от розетки" более 12% и среднюю| |
| |выходную мощность более 100 Вт; или | |
| |- среднюю выходную мощность более 150 Вт;| |
| |или | |
| |в многомодовом режиме генерации поперечных| |
| |мод имеющие любое из следующего: | |
| |- пиковую мощность более 1 мВт; | |
| |- КПД "от розетки" более 18% и среднюю| |
| |выходную мощность более 500 Вт; или | |
| |среднюю выходную мощность более 2 кВт; | |
| | | |
| |ж) длину волны излучения более 1150 нм, но| |
| |не превышающую 1555 нм, и имеющие любое| |
| |из следующего: | |
| | | |
| |1) длительность импульса, не превышающую| |
| |1 мкс, и имеющие любое из следующего: | |
| |выходную энергию в импульсе более 0,5 Дж и| |
| |пиковую мощность более 50 Вт; | |
| |среднюю выходную мощность в режиме| |
| |генерации одной поперечной моды более| |
| |20 Вт; или | |
| |среднюю выходную мощность в многомодовом| |
| |режиме генерации поперечных мод более| |
| |50 Вт; или | |
| | | |
| |2) длительность импульса более 1 мкс и| |
| |имеющие любое из следующего: | |
| |выходную энергию в импульсе более 2 Дж и| |
| |пиковую мощность более 50 Вт; | |
| |среднюю выходную мощность в режиме| |
| |генерации одной поперечной моды более| |
| |50 Вт; или | |
| |среднюю выходную мощность в многомодовом| |
| |режиме генерации поперечных мод более| |
| |80 Вт; или | |
| | | |
| |з) длину волны излучения более 1550 нм и| |
| |имеющие любое из следующего: | |
| |выходную энергию в импульсе более 100 мДж| |
| |и пиковую мощность более 1 Вт; или | |
| |среднюю выходную мощность более 1 Вт; | |
| | | |
| 6.1.5.3. |Перестраиваемые лазеры, имеющие любую из| 9013 20 000 0 |
| |следующих характеристик: | |
| | | |
| | Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 6.1.5.3 включает титано-сапфировые| |
| |(Ti:Al2O3), тулий-YAG (Tm:YAG), тулий-YSGG| |
| |(Tm:YSGG) лазеры, лазеры на александрите| |
| |(Сг:ВеА12О4), лазеры на центрах окраски,| |
| |лазеры на красителях и жидкостные лазеры | |
| | | |
| |а) длину волны излучения менее 600 нм и| |
| |имеющие любое из следующего: | |
| |выходную энергию в импульсе более 50 мДж и| |
| |пиковую мощность более 1 Вт; или | |
| |среднюю выходную мощность или мощность| |
| |непрерывного излучения более 1 Вт; | |
| | | |
| |б) длину волны излучения 600 нм или более,| |
| |но не превышающую 1400 нм, и имеющие любое| |
| |из следующего: | |
| |выходную энергию в импульсе более 1 Дж и| |
| |пиковую мощность более 20 Вт; или | |
| |среднюю выходную мощность или мощность| |
| |непрерывного излучения более 20 Вт; или | |
| | | |
| |в) длину волны излучения более 1400 нм и| |
| |имеющие любое из следующего: | |
| |выходную энергию в импульсе более 50 мДж и| |
| |пиковую мощность более 1 Вт; или | |
| |среднюю выходную мощность или мощность| |
| |непрерывного излучения более 1 Вт; | |
| | | |
| 6.1.5.4. |Другие лазеры, не контролируемые по| |
| |пунктам 6.1.5.1-6.1.5.3: | |
| | | |
| 6.1.5.4.1. |Полупроводниковые лазеры: | |
| | | |
| |Примечания: | |
| | | |
| |1. Пункт 6.1.5.4.1 включает| |
| |полупроводниковые лазеры, имеющие| |
| |оптические волоконные выходы | |
| | | |
| |2. Контрольный статус полупроводниковых| |
| |лазеров, специально разработанных для| |
| |другого оборудования, определяется по| |
| |контрольному статусу этого другого| |
| |оборудования | |
| | | |
|6.1.5.4.1.1.|Одиночные полупроводниковые лазеры,| 8541 40 100 0 |
| |работающие в режиме генерации одной| |
| |поперечной моды, имеющие любую из| |
| |следующих характеристик: | |
| | | |
| |а) длину волны, равную или меньше 1510 нм,| |
| |и среднюю выходную мощность или мощность| |
| |непрерывного излучения более 1,5 Вт; или | |
| | | |
| |б) длину волны более 1510 нм и среднюю| |
| |выходную мощность или мощность| |
| |непрерывного излучения более 500 мВт; | |
| | | |
|6.1.5.4.1.2.|Одиночные многомодовые (по поперечной| 8541 40 100 0 |
| |моде) полупроводниковые лазеры, имеющие| |
| |любую из следующих характеристик: | |
| | | |
| |а) длину волны менее 1400 нм и среднюю| |
| |выходную мощность или мощность| |
| |непрерывного излучения более 10 Вт; | |
| | | |
| |б) длину волны, равную или больше 1400 нм,| |
| |но менее 1900 нм, и среднюю выходную| |
| |мощность или мощность непрерывного| |
| |излучения более 2,5 Вт; или | |
| | | |
| |в) длину волны, равную или больше 1900 нм,| |
| |и среднюю выходную мощность или мощность| |
| |непрерывного излучения более 1 Вт; | |
| | | |
|6.1.5.4.1.3.|Отдельные линейки полупроводниковых| 8541 40 100 0 |
| |лазеров, имеющие любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| | | |
| |а) длину волны менее 1400 нм и среднюю| |
| |выходную мощность или мощность| |
| |непрерывного излучения более 80 Вт; | |
| | | |
| |б) длину волны, равную или больше 1400 нм,| |
| |но менее 1900 нм, и среднюю выходную| |
| |мощность или мощность непрерывного| |
| |излучения более 25 Вт; или | |
| | | |
| |в) длину волны, равную или больше 1900 нм,| |
| |и среднюю выходную мощность или мощность| |
| |непрерывного излучения более 10 Вт; | |
| | | |
|6.1.5.4.1.4.|Решетки полупроводниковых лазеров,| 8541 40 100 0 |
| |содержащие, по крайней мере, одну линейку,| |
| |контролируемую по пункту 6.1.5.4.1.3 | |
| | | |
| |Технические примечания: | |
| | | |
| |1. Полупроводниковые лазеры обычно| |
| |называются лазерными диодами | |
| | | |
| |2. Линейка состоит из многочисленных| |
| |полупроводниковых лазерных излучателей,| |
| |выполненных в виде кристалла (чипа) таким| |
| |образом, чтобы центры испускаемых лучей| |
| |находились на параллельных траекториях | |
| | | |
| |3. Решетки полупроводниковых лазеров| |
| |получают путем размещения линеек друг над| |
| |другом или иным способом их сборки так,| |
| |чтобы центры испускаемых лучей находились| |
| |на параллельных траекториях; | |
| | | |
| 6.1.5.4.2. |Лазеры на оксиде углерода (СО), имеющие| 9013 20 000 0 |
| |любую из следующих характеристик: | |
| | | |
| |а) выходную энергию в импульсе более 2 Дж| |
| |и пиковую мощность более 5 кВт; или | |
| | | |
| |б) среднюю выходную мощность или мощность| |
| |непрерывного излучения более 5 кВт; | |
| | | |
| 6.1.5.4.3. |Лазеры на диоксиде углерода (СО2), имеющие| 9013 20 000 0 |
| |любую из следующих характеристик: | |
| | | |
| |а) мощность непрерывного излучения более| |
| |15 кВт; | |
| | | |
| |б) длительность импульсов в импульсном| |
| |режиме более 10 мкс и имеющие любое из| |
| |следующего: | |
| |среднюю выходную мощность более 10 кВт;| |
| |или | |
| |пиковую мощность более 100 кВт; или | |
| | | |
| |в) длительность импульсов в импульсном| |
| |режиме, равную или меньше 10 мкс, и| |
| |имеющие любое из следующего: | |
| |энергию в импульсе более 5 Дж; | |
| |или среднюю выходную мощность более| |
| |2,5 кВт; | |
| | | |
| 6.1.5.4.4. |Эксимерные лазеры, имеющие любую из| 9013 20 000 0 |
| |следующих характеристик: | |
| | | |
| |а) длину волны излучения, не превышающую| |
| |150 нм, и имеющие любое из следующего:| |
| |выходную энергию в импульсе более мДж;| |
| |или | |
| |среднюю выходную мощность более 1Вт; | |
| | | |
| |б) длину волны излучения более 150 нм, но| |
| |не превышающую 190 нм, и имеющие любое из| |
| |следующего: | |
| |выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж;| |
| |или | |
| |среднюю выходную мощность более 120 Вт; | |
| | | |
| |в) длину волны излучения более 190 нм, но| |
| |не превышающую 360 нм, и имеющие любое из| |
| |следующего: | |
| |выходную энергию в импульсе более 10 Дж;| |
| |или | |
| |среднюю выходную мощность более 500 Вт;| |
| |или | |
| | | |
| |г) длину волны излучения более 360 нм и| |
| |имеющие любое из следующего: | |
| |выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж;| |
| |или | |
| |среднюю выходную мощность более 30 Вт | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |Для эксимерных лазеров, специально| |
| |разработанных для литографического| |
| |оборудования, см. пункт 3.2.1; | |
| | | |
| 6.1.5.4.5. |Химические лазеры: | |
| | | |
|6.1.5.4.5.1.|Лазеры на фториде водорода (HF); | 9013 20 000 0 |
| | | |
|6.1.5.4.5.2.|Лазеры на фториде дейтерия (DF); | 9013 20 000 0 |
| | | |
|6.1.5.4.5.3.|Переходные лазеры: | |
| | | |
|6.1.5.4.5.31|Кислородно-йодные (О2-I) лазеры; | 9013 20 000 0 |
| | | |
|6.1.5.4.5.32|Фторид дейтерия-диоксид-углеродные| 9013 20 000 0 |
| |(DF-CO2) лазеры; | |
| | | |
| 6.1.5.4.6. |Одноимпульсные лазеры на неодимовом| 9013 20 000 0 |
| |стекле, имеющие любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| | | |
| |а) длительность импульса, не превышающую| |
| |1 мкс, и выходную энергию в импульсе| |
| |более 50 Дж; или | |
| | | |
| |б) длительность импульса более 1 мкс и| |
| |выходную энергию в импульсе более 100 Дж| |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Термин "одноимпульсные" относится к| |
| |лазерам, которые или испускают одиночный| |
| |импульс, или имеют временной интервал| |
| |между импульсами более одной минуты; | |
| | | |
| 6.1.5.5. |Следующие компоненты: | |
| | | |
| 6.1.5.5.1. |Зеркала, охлаждаемые либо активным|9001 90 000 0; |
| |методом, либо методом тепловой трубы | 9002 90 000 0 |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Активным охлаждением является метод| |
| |охлаждения оптических компонентов, в| |
| |котором используется течение жидкости по| |
| |субповерхности (расположенной обычно менее| |
| |чем в 1 мм под оптической поверхностью)| |
| |оптического компонента для отвода тепла от| |
| |оптики: | |
| | | |
| 6.1.5.5.2. |Оптические зеркала или прозрачные или|9001 90 000 0; |
| |частично прозрачные оптические или| 9002 90 000 0 |
| |электрооптические компоненты, специально| |
| |разработанные для использования с| |
| |контролируемыми лазерами; | |
| | | |
| 6.1.5.6. |Оптическое оборудование следующих видов: | |
| | | |
| 6.1.5.6.1. |Оборудование, измеряющее динамический| 9031 49 900 0 |
| |волновой фронт (фазу), использующее по| |
| |крайней мере 50 позиций на волновом фронте| |
| |луча, имеющее любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| | | |
| |а) частоту кадров, равную или выше 100 Гц,| |
| |и фазовую дискриминацию, составляющую по| |
| |крайней мере 5% от длины волны луча; или | |
| | | |
| |б) частоту кадров, равную или выше 1000| |
| |Гц, и фазовую дискриминацию, составляющую| |
| |по крайней мере 20% от длины волны луча; | |
| | | |
| 6.1.5.6.2. |Оборудование лазерной диагностики,| 9031 49 900 0 |
| |способное измерять погрешности углового| |
| |управления положением луча лазера| |
| |сверхвысокой мощности, равные или меньше| |
| |10 мкрад; | |
| | | |
| 6.1.5.6.3. |Оптическое оборудование и компоненты,| 9013 90 900 0 |
| |специально разработанные для использования| |
| |в системе лазера сверхвысокой мощности с| |
| |фазированными решетками для суммирования| |
| |когерентных лучей с точностью 1/10 длины| |
| |волны или 0,1 мкм, в зависимости от того,| |
| |какая из величин меньше; | |
| | | |
| 6.1.5.6.4. |Проекционные телескопические оптические| 9002 19 000 0 |
| |системы, специально разработанные для| |
| |использования с системами лазеров| |
| |сверхвысокой мощности | |
| | | |
| |Датчики магнитного и электрического полей | |
| | | |
| 6.1.6. |Магнитометры, магнитные градиентометры,| |
| |внутренние магнитные градиентометры,| |
| |подводные датчики электрического поля и| |
| |компенсационные системы, указанные ниже, и| |
| |специально разработанные для них| |
| |компоненты: | |
| | | |
| 6.1.6.1. |Следующие магнитометры и их подсистемы: | |
| | | |
| 6.1.6.1.1. |Использующие технологию сверхпроводящих|9015 80 110 0, |
| |материалов (сверхпроводящих квантовых| 9015 80 930 0 |
| |интерференционных датчиков или СКВИДов) и| |
| |имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | | |
| |а) системы СКВИДов, разработанные для| |
| |стационарной эксплуатации, без специально| |
| |разработанных подсистем, предназначенных| |
| |для уменьшения шума в движении, и имеющие| |
| |среднеквадратичный уровень шума| |
| |(чувствительность), равный или меньше| |
| |(лучше) 50 фТ, деленных на корень| |
| |квадратный из частоты в герцах, на частоте| |
| |1 Гц; или | |
| | | |
| |б) системы СКВИДов, специально| |
| |разработанные для устранения шума в| |
| |движении и имеющие среднеквадратичный| |
| |уровень шума (чувствительность)| |
| |магнитометра в движении меньше (лучше) 20| |
| |пТ, деленных на корень квадратный из| |
| |частоты в герцах, на частоте 1 Гц; | |
| | | |
| 6.1.6.1.2. |Использующие технологии оптической накачки|9015 80 110 0; |
| |или ядерной прецессии| 9015 80 930 0 |
| |(протонной/Оверхаузера), имеющие| |
| |среднеквадратичный уровень шума| |
| |(чувствительность) меньше (лучше) 20 пТ,| |
| |деленных на корень квадратный из частоты в| |
| |герцах | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении магнитометров и их подсистем,| |
| |указанных в пунктах 6.1.6.1.1 и 6.1.6.1.2,| |
| |см. также пункты 6.1.5.1.1 и 6.1.5.1.2| |
| |раздела 2; | |
| | | |
| 6.1.6.1.3. |Использующие технологию феррозондов|9015 80 110 0; |
| |(магнитомодуляционных датчиков), имеющие| 9015 80 930 0 |
| |среднеквадратичный уровень шума| |
| |(чувствительность), равный или меньше| |
| |(лучше) 10 пТ, деленных на корень| |
| |квадратный из частоты в герцах, на частоте| |
| |1 Гц; | |
| | | |
| 6.1.6.1.4. |Магнитометры с катушкой индуктивности,|9015 80 110 0; |
| |имеющие среднеквадратичное значение уровня| 9015 80 930 0 |
| |шума (чувствительности) меньше (лучше),| |
| |чем любой из следующих показателей: | |
| | | |
| |а) 0,05 нТ, деленные на корень квадратный| |
| |из частоты в герцах, на частоте ниже 1 Гц;| |
| | | |
| |б) 1 х 10(-3) нТ, деленные на корень| |
| |квадратный из частоты в герцах, на частоте| |
| |1 Гц или выше, но не выше 10 Гц; или | |
| | | |
| |в) 1 х 10(-4) нТ, деленные на корень| |
| |квадратный из частоты в герцах, на| |
| |частотах выше 10 Гц; | |
| | | |
| 6.1.6.1.5. |Волоконно-оптические магнитометры со|9015 80 110 0; |
| |среднеквадратичным уровнем шума| 9015 80 930 0 |
| |(чувствительностью) меньше (лучше) 1 нТ,| |
| |деленной на корень квадратный из частоты в| |
| |герцах; | |
| | | |
| 6.1.6.2. |Подводные датчики электрического поля,| 9015 80 110 0;|
| |имеющие уровень шума (чувствительность),| 9015 80 930 0;|
| |измеренный на частоте 1 Гц, меньше (лучше)| 9030 |
| |8 нВ/м, деленных на корень квадратный из| |
| |частоты в герцах; | |
| | | |
| 6.1.6.3. |Следующие магнитные градиентометры: | |
| | | |
| 6.1.6.3.1. |Магнитные градиентометры, использующие|9015 80 110 0; |
| |наборы магнитометров, контролируемых по| 9015 80 930 0 |
| |пункту 6.1.6.1; | |
| | | |
| 6.1.6.3.2. |Волоконно-оптические внутренние магнитные|9015 80 110 0; |
| |градиентометры со среднеквадратичным| 9015 80 930 0 |
| |уровнем шума (чувствительностью) градиента| |
| |магнитного поля меньше (лучше) 0,3 нТ/м,| |
| |деленных на корень квадратный из частоты в| |
| |герцах; | |
| | | |
| 6.1.6.3.3. |Внутренние магнитные градиентометры,|9015 80 110 0; |
| |использующие технологию, отличную от| 9015 80 930 0 |
| |волоконно-оптической, со| |
| |среднеквадратичным уровнем шума| |
| |(чувствительностью) градиента магнитного| |
| |поля меньше (лучше) 0,015 нТ/м, деленных| |
| |на корень квадратный из частоты в герцах; | |
| | | |
| 6.1.6.4. |Компенсационные системы для магнитных|9015 80 110 0; |
| |датчиков или подводных датчиков|9015 80 930 0; |
| |электрического поля, дающие в результате| 9030 |
| |рабочие характеристики, равные или лучше,| |
| |чем контрольные параметры, указанные в| |
| |пункте 6.1.6.1, 6.1.6.2 или 6.1.6.3 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении компенсационных систем,| |
| |указанных в пункте 6.1.6.4, см. также| |
| |пункт 6.1.5.2 раздела 2; | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 6.1.6 не контролируются| |
| |приборы, специально разработанные для| |
| |рыбопромыслового применения или| |
| |биомагнитных измерений в медицинской| |
| |диагностике | |
| | | |
| |Гравиметры | |
| | | |
| 6.1.7. |Гравиметры и гравитационные| |
| |градиентометры: | |
| | | |
| 6.1.7.1. |Гравиметры, разработанные или| 9015 80 930 0 |
| |модифицированные для наземного| |
| |использования, со статической точностью| |
| |меньше (лучше) 10 микрогалей | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 6.1.7.1 не контролируются| |
| |наземные гравиметры типа кварцевых| |
| |элементов (Уордена); | |
| | | |
| 6.1.7.2. |Гравиметры, разработанные для мобильных| 9015 80 930 0 |
| |средств, имеющие все следующие| |
| |характеристики: | |
| | | |
| |а) статическую точность меньше (лучше) 0,7| |
| |миллигалей; и | |
| | | |
| |б) рабочую точность меньше (лучше) 0,7| |
| |миллигалей со временем выхода на| |
| |устойчивый режим регистрации менее 2 мин| |
| |при любой комбинации присутствующих| |
| |корректирующих компенсаций ивлияния| |
| |движения; | |
| | | |
| 6.1.7.3. |Гравитационные градиентометры | 9015 80 930 0 |
| | | |
| |Радиолокаторы | |
| | | |
| 6.1.8. |Локационные системы, оборудование и узлы,| |
| |имеющие любую из следующих характеристик,| |
| |и специально разработанные для них| |
| |компоненты: | |
| | | |
| 6.1.8.1. |Работают на частотах от 40 ГГц до 230 ГГц| 8526 10 000 |
| |и имеют любую из следующих характеристик:| |
| | | |
| |а) среднюю выходную мощность более| |
| |100 мВт; или | |
| | | |
| |б) точность обнаружения 1 м или меньше| |
| |(лучше) по дальности и 0,2 градуса или| |
| |меньше (лучше) по азимуту; | |
| | | |
| 6.1.8.2. |Имеют перестраиваемую рабочую полосу| 8526 10 000 |
| |частот, ширина которой превышает +- 6,25%| |
| |от центральной рабочей частоты | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Центральная рабочая частота равна половине| |
| |суммы наибольшей и наименьшей номинальных| |
| |рабочих частот; | |
| | | |
| 6.1.8.3. |Имеют возможность работать одновременно на| 8526 10 000 |
| |двух или более несущих частотах; | |
| | | |
| 6.1.8.4. |Имеют возможность работы в режимах| 8526 10 000 |
| |радиолокационных станций (РЛС) с| |
| |синтезированной апертурой или обратной| |
| |синтезированной апертурой или в режиме| |
| |локатора бокового обзора воздушного| |
| |базирования | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении локационных систем,| |
| |оборудования и узлов, указанных в пункте| |
| |6.1.8.4, см. также пункт 6.1.6.1 раздела| |
| |2; | |
| | | |
| 6.1.8.5. |Включают фазированные антенные решетки с| 8526 10 000 |
| |электронным управлением диаграммой| |
| |направленности; | |
| | | |
| 6.1.8.6. |Определяют высотные одиночные цели | 8526 10 000 |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 6.1.8.6 не контролируется| |
| |прецизионное радиолокационное оборудование| |
| |для контроля захода на посадку,| |
| |соответствующее стандартам ИКАО; | |
| | | |
| 6.1.8.7. |Специально разработаны для воздушного| 8526 10 000 |
| |базирования (устанавливаются на воздушном| |
| |шаре или летательном аппарате) и имеют| |
| |допплеровскую обработку сигнала для| |
| |обнаружения движущихся целей; | |
| | | |
| 6.1.8.8. |Используют обработку сигналов локатора с| 8526 10 000 |
| |применением: | |
| | | |
| |а) методов расширения спектра РЛС; или | |
| | | |
| |б) методов радиолокации с быстрой| |
| |перестройкой частоты | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении РЛС, указанных в пункте| |
| |6.1.8.8, см. также пункт 6.1.6.2 раздела| |
| |2; | |
| | | |
| 6.1.8.9. |Обеспечивают наземное функционирование с| 8526 10 000 |
| |максимальной инструментальной дальностью| |
| |действия более 185 км | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 6.1.8.9 не контролируются: | |
| | | |
| |а) обзорные РЛС для рыболовецких целей; | |
| | | |
| |б) наземные РЛС, специально разработанные| |
| |для управления воздушным движением в| |
| |случае, когда они удовлетворяют всем| |
| |следующим условиям: имеют максимальную| |
| |инструментальную дальность действия 500 км| |
| |или менее; сконфигурированы так, что| |
| |данные с РЛС о цели могут быть переданы| |
| |только в одну сторону от места нахождения| |
| |локатора к одному или нескольким| |
| |гражданским центрам управления воздушным| |
| |движением (УВД) на маршруте; | |
| |не содержат средств для дистанционного| |
| |управления скоростью сканирования локатора| |
| |из центра УВД на маршруте; и должны| |
| |устанавливаться для постоянной работы; | |
| | | |
| |в) локаторы для слежения за| |
| |метеорологическими воздушными шарами; | |
| | | |
| 6.1.8.10. |Являются лазерными локационными станциями|9015 10 100 0; |
| |или лазерными дальномерами (ЛИДАРы),|9015 10 900 0; |
| |имеющими любую из следующих характеристик:|9031 80 340 0; |
| | |9031 80 910 0 |
| |а) пригодные для применения в космосе; или| |
| | | |
| |б) использующие методы когерентного| |
| |гетеродинного или гомодинного| |
| |детектирования и имеющие угловое| |
| |разрешение меньше (лучше) 20 мкрад | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 6.1.8.10 не контролируются| |
| |ЛИДАРы, специально разработанные для| |
| |геодезических или метеорологических целей;| |
| | | |
| 6.1.8.11. |Имеют подсистемы обработки сигнала со| 8526 10 000 |
| |сжатием импульса с любой из следующих| |
| |характеристик: | |
| | | |
| |а) коэффициентом сжатия импульса более| |
| |150; или | |
| | | |
| |б) шириной импульса менее 200 нс | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении локационных систем,| |
| |оборудования и узлов, указанных в пункте| |
| |6.1.8.11, см. также пункт 6.1.6.3 раздела| |
| |2; | |
| | | |
| 6.1.8.12. |Имеют подсистемы обработки данных,| 8526 10 000 |
| |обеспечивающие любое из нижеследующего: | |
| | | |
| |а) автоматическое сопровождение цели,| |
| |обеспечивающее при любом повороте антенны| |
| |определение прогнозируемого положения цели| |
| |на время, превышающее время до следующего| |
| |прохождения луча антенны; | |
| | | |
| |б) вычисление скорости цели от активной| |
| |РЛС, имеющей непериодическое (варьируемое)| |
| |сканирование; | |
| | | |
| |в) обработку сигнала для автоматического| |
| |распознавания образов (выделение| |
| |признаков) и сравнения с базами данных| |
| |характеристик цели (формы сигналов или| |
| |формирование изображений) для| |
| |идентификации или классификации целей; или| |
| | | |
| |г) наложение и корреляция или синтез| |
| |данных о цели от двух или более| |
| |пространственно распределенных и| |
| |взаимосвязанных радиолокационных датчиков| |
| |для усиления распознавания целей | |
| | | |
| |Примечания: | |
| | | |
| |1. По подпункту "а" пункта 6.1.8.12 не| |
| |контролируются средства выдачи сигнала для| |
| |предупреждения столкновений в системах| |
| |контроля воздушного движения, морских или| |
| |прибрежных РЛС | |
| | | |
| |2. По подпункту "г" пункта 6.1.8.12 не| |
| |контролируются системы, оборудование и| |
| |узлы, используемые для контроля морского| |
| |движения | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении локационных систем,| |
| |оборудования и узлов, указанных в| |
| |подпункте "в" пункта 6.1.8.12, см. также| |
| |пункт 6.1.6.4 раздела 2 и пункт 6.1.3| |
| |раздела 3 | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 6.1.8 не контролируются: | |
| | | |
| |а) обзорные РЛС с активным ответом; | |
| | | |
| |б) радиолокаторы, устанавливаемые на| |
| |гражданский автотранспорт; | |
| | | |
| |в) дисплеи или мониторы, используемые для| |
| |управления воздушным движением (УВД),| |
| |имеющие не более 12 различимых элементов| |
| |на 1 мм; | |
| | | |
| |г) метеорологические локаторы | |
| | | |
| 6.2. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование | |
| | | |
| 6.2.1. |Акустика - нет | |
| | | |
| 6.2.2. |Оптические датчики - нет | |
| | | |
| 6.2.3. |Камеры - нет | |
| | | |
| |Оптика | |
| | | |
| 6.2.4. |Следующее оптическое оборудование: | |
| | | |
| 6.2.4.1. |Оборудование для измерения абсолютного| 9031 49 900 0 |
| |значения коэффициента отражения с| |
| |погрешностью +- 0,1%; | |
| | | |
| 6.2.4.2. |Оборудование, отличное от оборудования для| 9031 49 900 0 |
| |измерения оптического поверхностного| |
| |рассеяния, имеющее незатемненную апертуру| |
| |с диаметром более 10 см, специально| |
| |разработанное для бесконтактного| |
| |оптического измерения неплоскостности| |
| |оптической поверхности (профиля) с| |
| |точностью 2 нм или меньше (лучше) от| |
| |требуемого профиля | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 6.2.4 не применяется к микроскопам | |
| | | |
| 6.2.5. |Лазеры - нет | |
| | | |
| 6.2.6. |Датчики магнитного и электрического полей| |
| |- нет | |
| | | |
| |Гравиметры | |
| | | |
| 6.2.7. |Оборудование для производства, юстировки и| 9031 80 380 0 |
| |калибровки гравиметров наземного| |
| |базирования со статической точностью лучше| |
| |0,1 миллигала | |
| | | |
| |Радиолокаторы | |
| | | |
| 6.2.8. |Импульсные локационные системы для| 8526 10 000 9 |
| |измерения поперечного сечения, имеющие| |
| |длительность передаваемых импульсов 100 нс| |
| |или менее, и специально разработанные для| |
| |них компоненты | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении импульсных локационных систем,| |
| |указанных в пункте 6.2.8, см. также пункт| |
| |6.2.1 разделов 2 и 3 | |
| | | |
| 6.3. |Материалы | |
| | | |
| 6.3.1. |Акустика - нет | |
| | | |
| |Оптические датчики | |
| | | |
| 6.3.2. |Материалы оптических датчиков: | |
| | | |
| 6.3.2.1. |Теллур (Те) с чистотой 99,9995% или более;| 2804 50 900 0 |
| | | |
| 6.3.2.2. |Монокристаллы (включая пластины с|3818 00 900 0; |
| |эпитаксиальными слоями) любого из| 8107 90 000 0 |
| |следующего: | |
| | | |
| |а) теллурида цинка-кадмия (CdZnTe) с| |
| |содержанием цинка менее 6% по мольным| |
| |долям; | |
| | | |
| |б) теллурида кадмия (CdTe) любой чистоты;| |
| |или | |
| | | |
| |в) теллурида ртути-кадмия (HgCdTe) любой| |
| |чистоты | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Мольная доля определяется отношением молей| |
| |ZnTe к сумме молей CdTe и ZnTe,| |
| |присутствующих в кристалле | |
| | | |
| 6.3.3. |Камеры - нет | |
| | | |
| |Оптика | |
| | | |
| 6.3.4. |Следующие оптические материалы: | |
| | | |
| 6.3.4.1. |Заготовки из селенида цинка (ZnSe) и|2830 90 850 0; |
| |сульфида цинка (ZnS), полученные| 2842 90 100 0 |
| |химическим осаждением из парогазовой фазы,| |
| |имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | | |
| |а) объем более 100 куб. см; или | |
| | | |
| |б) диаметр более 80 мм и толщину 20 мм или| |
| |более; | |
| | | |
| 6.3.4.2. |Були любых из нижеперечисленных| |
| |электрооптических материалов: | |
| | | |
| 6.3.4.2.1. |Арсенат титанила-калия (КТА); | 2842 90 800 0 |
| | | |
| 6.3.4.2.2. |Селенид серебра-галлия (AgGaSe2); или | 2842 90 100 0 |
| | | |
| 6.3.4.2.3. |Селенид таллия-мышьяка (Tl3A_sSe3,| 2842 90 100 0 |
| |известный также как TAS); | |
| | | |
| 6.3.4.3. |Нелинейные оптические материалы, имеющие| 7020 00 800 0 |
| |все следующие характеристики: | |
| | | |
| |а) кубичную восприимчивость (хи 3) 10(-6)| |
| |кв. м/В2 или более; и | |
| | | |
| |б) время отклика менее 1 мс; | |
| | | |
| 6.3.4.4. |Заготовки карбида кремния или осажденных|2849 20 000 0; |
| |материалов бериллия-бериллия (Ве/Ве) с| 8112 19 000 0 |
| |диаметром или длиной главной оси более 300| |
| |мм; | |
| | | |
| 6.3.4.5. |Стекло, в том числе кварцевое стекло,| 700100 910 0; |
| |фосфатное стекло, фторофосфатное стекло,|7001 00 990 0; |
| |фторид циркония (ZrF4) и фторид гафния| 7020 00 800 0 |
| |(HfF4), имеющее все следующие| |
| |характеристики: | |
| | | |
| |а) концентрацию гидроксильных ионов (ОН-)| |
| |менее 5 частей на миллион; | |
| | | |
| |б) интегральные уровни чистоты по металлам| |
| |лучше 1 части на миллион; и | |
| | | |
| |в) высокую однородность (флуктуацию| |
| |коэффициента преломления) менее 5 х| |
| |10(-6); | |
| | | |
| 6.3.4.6. |Искусственный алмаз с поглощением менее| 7104 20 000 0 |
| |10(-5) см(-1) в диапазоне длин волн от 200| |
| |нм до 14 000 нм | |
| | | |
| |Лазеры | |
| | | |
| 6.3.5. |Синтетические кристаллические материалы| |
| |(основа) лазера в виде заготовок: | |
| | | |
| 6.3.5.1. |Сапфир, легированный титаном; | 7104 20 000 0 |
| | | |
| 6.3.5.2. |Александрит | 7104 20 000 0 |
| | | |
| 6.3.6. |Датчики магнитного и электрического полей| |
| |- нет | |
| | | |
| 6.3.7. |Гравиметры - нет | |
| | | |
| 6.3.8. |Радиолокаторы - нет | |
| | | |
| 6.4. |Программное обеспечение | |
| | | |
| 6.4.1. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное для разработки или| |
| |производства оборудования, контролируемого| |
| |по пункту 6.1.4, 6.1.5, 6.1.8 или 6.2.8 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении программного обеспечения,| |
| |указанного в пункте 6.4.1, см. также пункт| |
| |6.4.1 разделов 2 и 3 | |
| | | |
| 6.4.2. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное для использования| |
| |оборудования, контролируемого по пункту| |
| |6.1.2.2, 6.1.8 или 6.2.8 | |
| | | |
| 6.4.3. |Иное программное обеспечение, кроме| |
| |указанного в пунктах 6.4.1 и 6.4.2: | |
| | | |
| |Акустика | |
| | | |
| 6.4.3.1. |Программное обеспечение следующих видов: | |
| | | |
| 6.4.3.1.1. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное для формирования| |
| |акустического луча при обработке в| |
| |реальном масштабе времени акустических| |
| |данных для пассивного приема с| |
| |использованием буксируемых гидрофонных| |
| |решеток; | |
| | | |
| 6.4.3.1.2. |Исходная программа для обработки в| |
| |реальном масштабе времени акустических| |
| |данных для пассивного приема с| |
| |использованием буксируемых гидрофонных| |
| |решеток; | |
| | | |
| 6.4.3.1.3. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное для формирования| |
| |акустического луча при обработке| |
| |акустических данных в реальном масштабе| |
| |времени при пассивном приеме донными или| |
| |погруженными кабельными системами; | |
| | | |
| 6.4.3.1.4. |Исходная программа для обработки в| |
| |реальном масштабе времени акустических| |
| |данных для пассивного приема донными или| |
| |погруженными кабельными системами | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении программного обеспечения,| |
| |указанного в пункте 6.4.3.1, см. также| |
| |пункт 6.4.2 разделов 2 и 3; | |
| | | |
| 6.4.3.2. |Оптические датчики - нет; | |
| | | |
| 6.4.3.3. |Камеры - нет; | |
| | | |
| 6.4.3.4. |Оптика - нет; | |
| | | |
| 6.4.3.5. |Лазеры - нет; | |
| | | |
| |Датчики магнитного и электрического полей | |
| | | |
| 6.4.3.6. |Программное обеспечение следующих видов: | |
| | | |
| 6.4.3.6.1. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное для компенсационных систем| |
| |магнитного и электрического полей для| |
| |магнитных датчиков,разработанных в целях| |
| |работы на подвижных платформах; | |
| | | |
| 6.4.3.6.2. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное для обнаружения аномалий| |
| |магнитного и электрического полей на| |
| |подвижных платформах; | |
| | | |
| |Гравиметры | |
| | | |
| 6.4.3.7. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное для коррекции влияния| |
| |движения гравиметров или гравитационных| |
| |градиентометров; | |
| | | |
| |Радиолокаторы | |
| | | |
| 6.4.3.8. |Программное обеспечение следующих видов: | |
| | | |
| 6.4.3.8.1. |Программы для применения программного| |
| |обеспечения для управления воздушным| |
| |движением, установленные на компьютерах| |
| |общего назначения, находящихся в центрах| |
| |управления воздушным движением и| |
| |обладающих любой из следующих| |
| |возможностей: | |
| | | |
| |а) одновременной обработкой и отображением| |
| |более 150 траекторий систем; или | |
| | | |
| |б) приемом радиолокационной информации о| |
| |целях от более чем четырех активных РЛС; | |
| | | |
| 6.4.3.8.2. |Программное обеспечение для разработки или| |
| |производства обтекателей антенн| |
| |радиолокаторов, которые: | |
| | | |
| |а) специально разработаны для защиты| |
| |фазированных антенных решеток с| |
| |электронным управлением диаграммой| |
| |направленности, контролируемых по пункту| |
| |6.1.8.5; и | |
| | | |
| |б) обеспечивают средний уровень боковых| |
| |лепестков более чем на 40 дБ ниже| |
| |максимального уровня главного луча | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Средний уровень боковых лепестков,| |
| |указанный в подпункте "б" пункта| |
| |6.4.3.8.2, измеряется целиком для всей| |
| |решетки, за исключением диапазона углов, в| |
| |который входят главный луч и первые два| |
| |боковых лепестка по обе стороны главного| |
| |луча | |
| | | |
| 6.5. |Технология | |
| | | |
| 6.5.1. |Технологии в соответствии с общим| |
| |технологическим примечанием для разработки| |
| |оборудования, материалов или программного| |
| |обеспечения, контролируемых по пунктам 6.1| |
| |- 6.4 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий, указанных в пункте| |
| |6.5.1, см. также пункт 6.5.1 разделов 2 и| |
| |3 | |
| | | |
| 6.5.2. |Технологии в соответствии с общим| |
| |технологическим примечанием для| |
| |производства оборудования или материалов,| |
| |контролируемых по пункту 6.1, 6.2 или 6.3 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий, указанных в пункте| |
| |6.5.2, см. также пункт 6.5.2 разделов 2 и| |
| |3 | |
| | | |
| 6.5.3. |Другие технологии: | |
| | | |
| 6.5.3.1. |Акустика - нет; | |
| | | |
| 6.5.3.2. |Оптические датчики - нет; | |
| | | |
| 6.5.3.3. |Камеры - нет; | |
| | | |
| 6.5.3.4. |Оптика | |
| | | |
| 6.5.3.4.1. |Технология покрытия и обработки оптических| |
| |поверхностей, требуемая для достижения| |
| |однородности 99,5% или лучше, для| |
| |оптических покрытий заготовок диаметром| |
| |или длиной по главной оси более 500 мм и с| |
| |общими потерями (поглощение и рассеяние)| |
| |менее 5 х10° | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |См. также пункт 2.5.3.6; | |
| | | |
| 6.5.3.4.2. |Технология изготовления оптических| |
| |деталей, использующая технику алмазной| |
| |обработки, дающей точность финишной| |
| |обработки неплоских поверхностей площадью| |
| |более 0,5 кв. м с наибольшим| |
| |среднеквадратичным отклонением от заданной| |
| |поверхности менее 10 нм; | |
| | | |
| 6.5.3.5. |Лазеры | |
| | | |
| 6.5.3.5.1. |Технологии, требуемые для разработки,| |
| |производства или использования| |
| |специализированных диагностических| |
| |инструментов или мишеней в испытательных| |
| |установках для испытаний лазеров| |
| |сверхвысокой мощности или испытаний, или| |
| |оценки стойкости материалов, облучаемых| |
| |лучами лазеров сверхвысокой мощности; | |
| | | |
| 6.5.3.6. |Датчики магнитного и электрического полей| |
| |- нет | |
| | | |
| 6.5.3.7. |Гравиметры - нет | |
| | | |
| 6.5.3.8. |Радиолокаторы - нет | |
|-----------------------------------------------------------------------|
| Категория 7. Навигация и авиационная электроника |
|-----------------------------------------------------------------------|
| 7.1. |Системы, оборудование и компоненты | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |Для автоматических систем управления| |
| |подводных аппаратов - см. категорию 8, для| |
| |РЛС - категорию 6 | |
| | | |
| | | |
| 7.1.1. |Акселерометры, перечисленные ниже, и| |
| |специально разработанные для них| |
| |компоненты: | |
| | | |
| 7.1.1.1. |Линейные акселерометры, имеющие любую из| 9014 20; |
| |следующих характеристик: | 9032 89 000 9 |
| | | |
| |а) определенные (по паспорту) для работы| |
| |при значениях линейных ускорений, равных| |
| |15 g или меньше, и имеющие любое из| |
| |следующего: | |
| |стабильность смещения менее (лучше) 130| |
| |микро g относительно фиксированной| |
| |калиброванной величины на протяжении| |
| |одного года; или | |
| |стабильность масштабного коэффициента| |
| |менее (лучше) 0,013% относительно| |
| |фиксированной калиброванной величины на| |
| |протяжении одного года; | |
| | | |
| |б) определенные (по паспорту) для работы| |
| |при значениях линейных ускорений,| |
| |превышающих 15 g,и имеющие все следующее: | |
| |повторяемость смещения менее (лучше)| |
| |5000 микро g | |
| |на протяжении одного года; и | |
| |повторяемость масштабного коэффициента| |
| |менее (лучше) 0,25% на протяжении одного| |
| |года; или | |
| | | |
| |в) предназначенные для использования в| |
| |инерциальных навигационных системах или| |
| |системах наведения и определенные (по| |
| |паспорту) для работы при значениях| |
| |линейных ускорений превышающих 100 g | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |Для угловых или вращающихся акселерометров| |
| |см. пункт 7.1.2 | |
| | | |
| 7.1.1.2. |Угловые или вращающиеся акселерометры,| 9014 20; |
| |определенные (по паспорту) для работы при| 9032 89 000 9|
| |значениях линейных ускорений, превышающих| |
| |100 g | |
| | | |
| 7.1.2. |Гироскопы или датчики угловой скорости,| 9014 20 200; |
| |имеющие любую из следующих характеристик,| 9032 89 000 9 |
| |и специально разработанные для них| |
| |компоненты: | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |Для угловых или вращающихся акселерометров| |
| |см. пункт 7.1.1.2 | |
| | | |
| |а) стабильность смещения,| |
| |измеренную в условиях приложения| |
| |нормальной силы тяжести (1 g) на| |
| |протяжении одного месяца, относительно| |
| |фиксированной калиброванной величины менее| |
| |(лучше) 0,5 градуса в час и определенные| |
| |(по паспорту) для работы при значениях| |
| |линейных ускорений до 100 g включительно; | |
| | | |
| |б) угловой случайный дрейф, равный или| |
| |меньше (лучше) 0,0035 градуса, деленного| |
| |на корень квадратный из времени в часах;| |
| |или | |
| | | |
| |Примечание. | |
| |По подпункту "б" пункта 7.1.2 не| |
| |контролируются механические гироскопы с| |
| |вращающимся ротором | |
| | | |
| |в) диапазон измеряемой угловой скорости,| |
| |равный или больше 500 градусов в секунду,| |
| |и имеющие любое из следующего: | |
| |стабильность смещения, измеренную| |
| |в условиях приложения нормальной силы| |
| |относительно фиксированной калиброванной| |
| |величины тяжести (1 g) на протяжении трех| |
| |минут, менее (лучше) 40 градусов в час;| |
| |или | |
| |угловой случайный дрейф, равный или меньше| |
| |(лучше) 0,2 градуса, деленного на корень| |
| |квадратный из времени в часах; или | |
| | | |
| |г) определенные (по паспорту) для работы| |
| |при значениях линейных ускорений,| |
| |превышающих 100 g | |
| | | |
| 7.1.3. |Инерциальные системы и специально| |
| |разработанные компоненты: | |
| | | |
| 7.1.3.1. |Инерциальные навигационные системы (ИНС)|9014 10 000 0; |
| |на кардановом подвесе или бесплатформенные| 9014 20 |
| |и инерциальное оборудование, разработанное| |
| |для летательных аппаратов, наземных| |
| |средств передвижения, судов (надводных или| |
| |подводных) или космических аппаратов для| |
| |навигации, ориентации в пространстве,| |
| |наведения или управления, имеющие любую из| |
| |следующих характеристик, и специально| |
| |разработанные для них компоненты: | |
| | | |
| |а) навигационную ошибку (чисто| |
| |инерциальную) после нормальной выставки от| |
| |0,8 морской мили (1500 м) в час кругового| |
| |вероятного отклонения (КВО) или меньше| |
| |(лучше); или | |
| | | |
| |б) предназначенные для работы при линейных| |
| |ускорениях выше 10 g; | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Круговое вероятное отклонение - это радиус| |
| |круга в круговом нормальном распределении,| |
| |включающего 50% проведенных отдельных| |
| |измерений, или радиус круга, в котором| |
| |распределяется 50% вероятности нахождения| |
| |в нем; | |
| | | |
| 7.1.3.2. |Гибридные инерциальные навигационные| |
| |системы, сопряженные с глобальной| |
| |навигационной спутниковой системой| |
| |(системами) (GNSS) или с навигационной| |
| |системой (системами) на основе эталонных| |
| |баз данных (DBRN) для навигации,| |
| |ориентации в пространстве, наведения или| |
| |управления после нормальной выставки,| |
| |имеющие навигационную точность определения| |
| |местоположения ИНС после потери связи с| |
| |GNSS или DBRN на время до 4 минут меньше| |
| |(лучше) 10 м КВО | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |К системам, указанным в пункте 7.1.3.2,| |
| |относятся как ИНС, так и другие автономные| |
| |навигационные вспомогательные средства,| |
| |которые встраиваются (вставляются) в| |
| |конструкцию с целью улучшения ее| |
| |характеристик; | |
| | | |
| 7.1.3.3. |Инерциальное измерительное оборудование|9014 10 000 0; |
| |для определения курса или истинного| 9014 20; |
| |(географического) севера, имеющее любую|9014 80 000 0; |
| |из следующих характеристик, а также| |
| |специально разработанные компоненты для| 9014 90 000 0 |
| |него: | |
| | | |
| |а) разработанное для определения курса или| |
| |истинного (географического) севера с| |
| |точностью, равной или менее (лучше) 0,007| |
| |градуса, умноженного на секанс широты, что| |
| |соответствует среднеквадратичной| |
| |погрешности, равной 6 угловым минутам или| |
| |менее (лучше) от действующего значения на| |
| |45 градусах широты; или | |
| | | |
| |б) разработанное с уровнем ударной| |
| |нагрузки до нерабочего состояния в 900 g и| |
| |более при продолжительности в 1 мс или| |
| |более | |
| | | |
| 7.1.3.4. |Инерциальное измерительное оборудование,| 9014 20 200; |
| |включающее инерциальные измерительные| 9032 89 000 9 |
| |устройства (IMU) и инерциальные системы| |
| |отсчета (IRS), объединенные с| |
| |акселерометрами или гироскопами,| |
| |контролируемыми по пункту 7.1.1 или 7.1.2| |
| |соответственно, и специально разработанные| |
| |для него компоненты | |
| | | |
| |Примечания: | |
| | | |
| |1. Параметры, указанные в пунктах 7.1.3.1| |
| |и 7.1.3.2, применимы для любого из| |
| |следующих условий среды: | |
| | | |
| |а) суммарная эффективная случайная| |
| |вибрация на входе равна 7,7 g| |
| |(среднеквадратичная величина) в первые| |
| |полчаса и полная продолжительность| |
| |испытания вдоль каждой из трех взаимно| |
| |перпендикулярных осей составляет полтора| |
| |часа, при этом случайная вибрация| |
| |характеризуется следующими параметрами:| |
| |постоянная величина спектральной плотности| |
| |мощности 0,04 g /Гц в частотном интервале| |
| |от 15 Гц до 1000 Гц; и спектральная| |
| |плотность мощности спадает в зависимости| |
| |от частоты от 0,04 g2 /Гц до 0,0 lg2 /Гц в| |
| |частотном интервале от 1000 Гц до 2000 Гц;| |
| | | |
| |б) способность достигать угловых скоростей| |
| |по одной или нескольким осям, равных +2,62| |
| |рад/с (150 град/с) или выше; или | |
| | | |
| |в) условий, указанных в национальных| |
| |стандартах, положения которых эквивалентны| |
| |пунктам "а" и "б" настоящего примечания | |
| | | |
| |2. Пункт 7.1.3 не применяется к| |
| |инерциальным навигационным системам,| |
| |сертифицированным для применения на| |
| |гражданских летательных аппаратах | |
| | | |
| |3. Подпункт "а" пункта 7.1.3.3 не| |
| |применяется к теодолитовым системам,| |
| |включающим инерциальное оборудование,| |
| |специально разработанным для гражданских| |
| |исследовательских целей | |
| | | |
| 7.1.4. |Гироастрокомпасы и другие устройства,| 9014 20; |
| |которые обеспечивают определение| 9014 80 000 0 |
| |местоположения или ориентацию посредством| |
| |автоматического слежения за небесными| |
| |телами или спутниками с точностью по| |
| |азимуту, равной или меньше (лучше) 5| |
| |угловых секунд | |
| | | |
| 7.1.5. |Приемная аппаратура глобальных| 9014 20; |
| |навигационных спутниковых систем (GPS или| 9014 80 000 0 |
| |ГЛОНАСС), имеющая любую из следующих| |
| |характеристик, и специально разработанные| |
| |для нее компоненты: | |
| | | |
| |а) использующая дешифровку; или | |
| | | |
| |б) использующая антенну с управляемым| |
| |положением нуля диаграммы направленности | |
| | | |
| 7.1.6. |Бортовые альтиметры, работающие на|8526 10 000 9; |
| |частотах вне полосы от 4,2 ГГц до 4,4 ГГц| 8526 91 200 0 |
| |включительно, имеющие любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| | | |
| |а) имеют управление мощностью; или | |
| | | |
| |б) используют амплитудную модуляцию с| |
| |фазовым сдвигом | |
| | | |
| 7.1.7. |Подводные гидролокационные навигационные| 9014 80 000 0;|
| |системы, использующие допплеровские или| 9015 80 930 0;|
| |корреляционные гидродинамические лаги,| 9015 80 990 0 |
| |объединенные с курсовым излучателем,| |
| |имеющие точность определения| |
| |местоположения, равную или меньше (лучше)| |
| |3% кругового вероятного отклонения (КВО)| |
| |пройденного расстояния, и специально| |
| |разработанные для них компоненты | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 7.1.7 не применяется к системам,| |
| |специально разработанным для установки на| |
| |надводные суда, или системам, требующим| |
| |акустических радиомаяков или буев для| |
| |предоставления данных о местоположении | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |Для акустических систем см. пункт 6.1.1.1,| |
| |для аппаратуры гидролокационных| |
| |корреляционных и допплеровских лагов см.| |
| |пункт 6.1.1.2. | |
| |Для других морских систем см. пункт 8.1.2 | |
| | | |
| 7.2. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование | |
| | | |
| 7.2.1. |Оборудование для испытаний, калибровки или|9031 10 000 0; |
| |юстировки, специально разработанное для| 903120 000 0; |
| |оборудования, контролируемого по пункту| 9031 80 |
| |7.1 | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 7.2.1 не контролируется| |
| |оборудование для испытаний, калибровки или| |
| |юстировки для технического обслуживания по| |
| |первому или второму уровню | |
| | | |
| |Технические примечания: | |
| | | |
| |1. Техническое обслуживание по первому| |
| |уровню. | |
| |Повреждение инерциального навигационного| |
| |устройства на летательном аппарате| |
| |обнаруживается по показаниям устройства| |
| |контроля и отображения информации или по| |
| |сообщению сигнализации от соответствующей| |
| |подсистемы. Следуя инструкциям руководства| |
| |по эксплуатации, определяется заменяемый| |
| |блок, являющийся причиной нарушения. Затем| |
| |оператор заменяет этот блок запасным | |
| | | |
| |2. Техническое обслуживание по второму| |
| |уровню. | |
| |Неисправный заменяемый блок отправляется в| |
| |ремонтную организацию (непосредственно| |
| |производителю или организации,| |
| |ответственной за техническое обслуживание| |
| |по второму уровню). В ремонтной| |
| |организации неисправный блок испытывается| |
| |соответствующими средствами, в целях| |
| |проверки и поиска неисправного модуля| |
| |сборки. Эта сборка заменяется запасной в| |
| |заводских условиях. Поврежденная сборка| |
| |(или, возможно, блок целиком) возвращается| |
| |изготовителю. | |
| |Техническое обслуживание по второму уровню| |
| |не включает извлечение подпадающих под| |
| |контроль акселерометров и гироскопических| |
| |датчиков из заменяемой в заводских| |
| |условиях сборки | |
| | | |
| 7.2.2. |Оборудование, специально разработанное для| |
| |измерения характеристик зеркал кольцевых| |
| |лазерных гироскопов. | |
| | | |
| 7.2.2.1. |Рефлектометры, имеющие точность измерений| 9031 80 |
| |в 10 миллионных долей или меньше (лучше); | |
| | | |
| 7.2.2.2. |Профилометры, имеющие точность измерений в| 9031 80 |
| |0,5 нм (5 ангстрем) или меньше (лучше) | |
| | | |
| 7.2.3. |Оборудование, специально разработанное для| 8413; |
| |производства оборудования, контролируемого| 8421 19 200; |
| |по пункту 7.1 | 8421 19 700; |
| | |9031 10 000 0; |
| | |9031 20 000 0; |
| | | 9031 80 |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 7.2.3 включает: | |
| | | |
| |а) испытательные установки для| |
| |регулирования гироскопов; | |
| | | |
| |б) установки для динамической балансировки| |
| |гироскопов; | |
| | | |
| |в) установки для испытания гиромоторов; | |
| | | |
| |г) установки для наполнения и откачки| |
| |рабочего вещества гироскопа; | |
| | | |
| |д) центрифуги для гироподшипников; | |
| | | |
| |е) установки для выравнивания осей| |
| |акселерометра | |
| | | |
| |ж) намоточные станки для волоконно-| |
| |оптических гироскопов | |
| | | |
| 7.3. |Материалы - нет | |
| | | |
| 7.4. |Программное обеспечение | |
| | | |
| 7.4.1. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |разработки или производства оборудования,| |
| |контролируемого по пункту 7.1 или 7.2 | |
| | | |
| 7.4.2. |Исходная программа для использования в| |
| |любом инерциальном навигационном| |
| |оборудовании, включая инерциальное| |
| |оборудование, не контролируемое по пункту| |
| |7.1.3 или 7.1.4, либо в инерциальных| |
| |курсовертикалях | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 7.4.2 не контролируются исходные| |
| |программы для использования в инерциальных| |
| |курсовертикалях с кардановым подвесом | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Инерциальная курсовертикаль, как правило,| |
| |отличается от инерциальной навигационной| |
| |системы (ИНС) тем, что она обеспечивает| |
| |информацией об угловых координатах| |
| |летательного аппарата и обычно не дает| |
| |информации об ускорении, скорости и| |
| |пространственных координатах, которую дают| |
| |ИНС | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении программного обеспечения,| |
| |указанного в пункте 7.4.2, см. также пункт| |
| |7.4.1 раздела 2 | |
| | | |
| 7.4.3. |Иное программное обеспечение, кроме| |
| |указанного в пунктах 7.4.1 и 7.4.2: | |
| | | |
| 7.4.3.1. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |улучшения эксплуатационных характеристик| |
| |или уменьшения навигационной ошибки систем| |
| |до уровней, указанных в пункте 7.1.3,| |
| |7.1.4 или 7.1.7 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении программного обеспечения,| |
| |указанного в пункте 7.4.3.1, см. также| |
| |пункт 7.4.2.1 раздела 2 и пункт 7.4.1| |
| |раздела 3; | |
| | | |
| 7.4.3.2. |Исходная программа для гибридных| |
| |интегрированных систем, которые улучшают| |
| |эксплуатационные характеристики или| |
| |уменьшают навигационную ошибку систем до| |
| |уровней, указанных в пункте 7.1.3 или| |
| |7.1.7, при непрерывном совмещении| |
| |курсовых данных с любыми из следующих| |
| |данных: | |
| | | |
| |а) данными по скорости от допплеровской| |
| |РЛС или гидролокатора; | |
| | | |
| |б) справочными данными от глобальной| |
| |навигационной спутниковой системы (GPS или| |
| |ГЛОНАСС); или | |
| | | |
| |в) данными от навигационных систем на| |
| |основе эталонных баз данных (DBRN) | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении программного обеспечения,| |
| |указанного в пункте 7.4.3.2, см. также| |
| |пункт 7.4.2.2 раздела 2 и пункт 7.4.2| |
| |раздела 3; | |
| | | |
| 7.4.3.3. |Исходная программа для интегрированных| |
| |авиационных или космических систем,| |
| |которая объединяет данные измерений| |
| |датчиков и использует экспертные системы | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении программного обеспечения,| |
| |указанного в пункте 7.4.3.3, см. также| |
| |пункт 7.4.2.3 раздела 2; | |
| | | |
| 7.4.3.4. |Исходная программа для разработки любого| |
| |из следующего: | |
| | | |
| 7.4.3.4.1. |Цифровых систем управления полетом для| |
| |общего управления полетом; | |
| | | |
| 7.4.3.4.2. |Интегрированных систем управления| |
| |двигателями и полетом; | |
| | | |
| 7.4.3.4.3. |Электродистанционных или| |
| |оптико-дистанционных систем управления| |
| |полетом; | |
| | | |
| 7.4.3.4.4. |Отказоустойчивых или реконфигурируемых| |
| |активных систем управления полетом; | |
| | | |
| 7.4.3.4.5. |Бортового автоматического| |
| |радиопеленгационного оборудования; | |
| | | |
| 7.4.3.4.6. |Систем воздушных сигналов, основанных на| |
| |измерении статического давления на| |
| |поверхности летательного аппарата; или | |
| | | |
| 7.4.3.4.7. |Растровых индикаторов, проецирующих| |
| |показания приборов на лобовом стекле, или| |
| |трехмерных дисплеях | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении программного обеспечения,| |
| |указанного в пунктах 7.4.3.4.1 - 7.4.3.4.4| |
| |и 7.4.3.4.7, см. также пункты 7.4.2.4 -| |
| |7.4.2.4.5 раздела 2; | |
| | | |
| 7.4.3.5. |Программное обеспечение систем| |
| |автоматизированного проектирования,| |
| |специально разработанное для разработки| |
| |активных систем управления полетом,| |
| |многоканальных систем| |
| |электродистанционного или| |
| |оптико-дистанционного управления| |
| |вертолетом или систем управления| |
| |циркуляцией в целях создания управляющих| |
| |сил и моментов или компенсации реактивного| |
| |момента ротора вертолета, технологии| |
| |разработки которых контролируются по| |
| |пункту 7.5.4.2, 7.5.4.3.1 или 7.5.4.3.2 | |
| | | |
| 7.5. |Технология | |
| | | |
| 7.5.1. |Технологии в соответствии с общим| |
| |технологическим примечанием для разработки| |
| |оборудования или программного обеспечения,| |
| |контролируемых по пункту 7.1, 7.2 или 7.4 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий, указанных в пункте| |
| |7.5.1, см. также пункт 7.5.1 раздела 2 | |
| | | |
| 7.5.2. |Технологии в соответствии с общим| |
| |технологическим примечанием для| |
| |производства оборудования, контролируемого| |
| |по пункту 7.1 или 7.2 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий, указанных в пункте| |
| |7.5.2, см. также пункт 7.5.2 раздела 2 | |
| | | |
| 7.5.3. |Технологии в соответствии с общим| |
| |технологическим примечанием для ремонта,| |
| |капитального ремонта или восстановления| |
| |оборудования, контролируемого по пунктам| |
| |7.1.1 - 7.1.4 | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 7.5.3 не контролируются| |
| |технологии технического обслуживания,| |
| |непосредственно связанного с калибровкой,| |
| |демонтажем или заменой неисправных или| |
| |непригодных к эксплуатации блоков| |
| |аппаратуры гражданских летательных| |
| |аппаратов, заменяемых эксплуатирующей или| |
| |ремонтной организацией в соответствии с| |
| |процедурами, описанными в технических| |
| |примечаниях к пункту 7.2.1 | |
| | | |
| 7.5.4. |Иные технологии, кроме указанных в пунктах| |
| |7.5.1 - 7.5.3: | |
| | | |
| 7.5.4.1. |Технологии разработки или производства: | |
| | | |
| 7.5.4.1.1. |Бортового автоматического| |
| |радиопеленгационного оборудования,| |
| |работающего на частотах выше 5 МГц; | |
| | | |
| 7.5.4.1.2. |Систем воздушных сигналов, основанных| |
| |только на измерении статического давления| |
| |на поверхности летательного аппарата, то| |
| |есть систем, в которых не используются| |
| |обычные датчики воздушных параметров; | |
| | | |
| 7.5.4.1.3. |Растровых индикаторов, проецирующих| |
| |показания приборов на лобовое стекло, или| |
| |трехмерных дисплеев; | |
| | | |
| 7.5.4.1.4. |Инерциальных навигационных систем или| |
| |гироастрокомпасов, содержащих в себе| |
| |акселерометры или гироскопы,| |
| |контролируемые по пункту 7.1.1 или 7.1.2; | |
| | | |
| 7.5.4.1.5. |Электрических приводов (то есть| |
| |электромеханических, электрогидравлических| |
| |и интегрированных исполнительных блоков),| |
| |специально разработанных для основной| |
| |системы управления полетом (прямого| |
| |управления полетом); | |
| | | |
| 7.5.4.1.6. |Распределенных оптических датчиков,| |
| |использующих лучи лазера (групп оптических| |
| |датчиков системы управления полетом),| |
| |специально разработанных для применения в| |
| |активных системах управления полетом; | |
| | | |
| 7.5.4.1.7. |Систем для подводной навигации на основе| |
| |эталонных баз данных (DBRN) с| |
| |использованием гидролокационных или| |
| |гравитационных баз данных, обеспечивающих| |
| |точность позиционирования, равную или| |
| |меньше (лучше) 0,4 морской мили | |
| | | |
| 7.5.4.2. |Технологии разработки, необходимые для| |
| |активных систем управления полетом| |
| |(включая электродистанционные и| |
| |оптико-дистанционные системы управления): | |
| | | |
| 7.5.4.2.1. |Конфигураций, предназначенных для связи| |
| |множества микропроцессоров (бортовых| |
| |компьютеров), реализующих законы| |
| |управления в реальном масштабе времени; | |
| | | |
| 7.5.4.2.2. |Алгоритмов управления с компенсацией| |
| |влияния расположения датчиков или| |
| |динамических нагрузок на конструкцию| |
| |летательного аппарата, то есть с| |
| |компенсацией вибрационного фона датчика| |
| |или смещения датчиков относительно центра| |
| |тяжести; | |
| | | |
| 7.5.4.2.3. |Электронного управления резервированием| |
| |данных или системным резервированием для| |
| |выявления отказа, повышения| |
| |отказоустойчивости, локализации отказа или| |
| |реконфигурации | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 7.5.4.2.3 не контролируется| |
| |технология проектирования физического| |
| |запаса; | |
| | | |
| 7.5.4.2.4. |Управления летательным аппаратом, которое| |
| |позволяет автономно изменять структуру сил| |
| |и моментов в полете в реальном масштабе| |
| |времени; | |
| | | |
| 7.5.4.2.5. |Объединения цифровых систем управления| |
| |полетом, навигации и управления| |
| |двигательной установкой в интегрированную| |
| |цифровую систему управления полетом | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 7.5.4.2.5 не контролируются: | |
| | | |
| |а) технологии разработки интегрированных| |
| |цифровых систем управления полетом,| |
| |навигации и управления двигательной| |
| |установкой для оптимизации траектории| |
| |полета; | |
| | | |
| |б) технологии разработки интегрированных| |
| |авиационных средств навигации при посадке| |
| |и заходе на посадку, объединяющих| |
| |навигационную информацию, поступающую от| |
| |различных инструментальных средств| |
| |обеспечения посадки; | |
| | | |
| 7.5.4.2.6. |Полностью автономной цифровой системы| |
| |управления полетом или управления| |
| |многодатчиковыми системами, в которых| |
| |используются экспертные системы | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |Для технологий электронно-цифровой системы| |
| |управления двигателем (FADEC) см. пункт| |
| |9.5.3.1.9; | |
| | | |
| 7.5.4.3. |Технология разработки следующих| |
| |вертолетных систем: | |
| | | |
| 7.5.4.3.1. |Многокоординатных средств| |
| |электродистанционного или| |
| |оптико-дистанционного управления, в| |
| |которых по крайней мере две из следующих| |
| |функций объединяются в один управляющий| |
| |элемент: | |
| | | |
| |а) общее управление; | |
| | | |
| |б) управление креном; | |
| | | |
| |в) управление рысканием; | |
| | | |
| 7.5.4.3.2. |Систем управления циркуляцией для создания| |
| |управляющих сил и моментов или компенсации| |
| |реактивного момента ротора вертолета; | |
| | | |
| 7.5.4.3.3. |Лопастей несущего винта, сконструированных| |
| |с использованием аэродинамических профилей| |
| |с изменяемой геометрией для систем с| |
| |индивидуально управляемыми лопастями | |
|-----------------------------------------------------------------------|
| Категория 8. Морское дело |
|-----------------------------------------------------------------------|
| 8.1. |Системы, оборудование и компоненты | |
| | | |
| 8.1.1. |Подводные аппараты и надводные суда: | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |Для оценки контрольного статуса| |
| |оборудования подводных аппаратов| |
| |необходимо руководствоваться: для| |
| |оборудования передачи зашифрованной| |
| |информации - частью 2 категории 5 (Защита| |
| |информации); применительно к датчикам -| |
| |категорией 6; для навигационного| |
| |оборудования - категориями 7 и 8; для| |
| |подводного оборудования - пунктом 8.1 | |
| | | |
| 8.1.1.1. |Обитаемые, привязанные к базе подводные|8906 90 100 0; |
| |аппараты, предназначенные для работы на| 8906 90 990 0 |
| |глубинах более 1000 м; | |
| | | |
| 8.1.1.2. |Обитаемые, непривязные подводные аппараты,| |
| |имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | | |
| 8.1.1.2.1. |Спроектированные для работы в автономном| 8906 90 100 |
| |режиме и имеющие все следующие|0; 8906 90 990 |
| |характеристики по подъемной силе: | 0 |
| | | |
| |а) 10% или более их собственного веса| |
| |(веса в воздухе); и | |
| | | |
| |б) 15 кН или более; | |
| | | |
| 8.1.1.2.2. |Спроектированные для работы на глубинах|8906 90 100 0; |
| |более 1000 м; или | 8906 90 990 0 |
| | | |
| 8.1.1.2.3. |Имеющие все следующие характеристики: |8906 90 100 0; |
| | | 8906 90 990 0 |
| | | |
| |а) экипаж из четырех или более человек; | |
| | | |
| |б) возможность автономной работы в течение| |
| |10 часов или более; | |
| | | |
| |в) радиус действия 25 морских миль или| |
| |более; и | |
| | | |
| |г) длину 21 м или менее | |
| | | |
| |Технические примечания: | |
| | | |
| |1. Для целей пункта 8.1.1.2 термин| |
| |"автономная работа" означает, что аппараты| |
| |полностью погружаются без шнорхеля, все их| |
| |системы функционируют и обеспечивают| |
| |плавание на минимальной скорости, при| |
| |которой глубиной погружения можно| |
| |безопасно управлять в динамике с| |
| |использованием только глубинных рулей без| |
| |участия надводного судна поддержки или| |
| |базы на поверхности, на дне или на берегу;| |
| |аппараты имеют двигательную установку для| |
| |движения в подводном и надводном состоянии| |
| | | |
| |2. Для целей пункта 8.1.1.2 термин "радиус| |
| |действия" означает половину максимального| |
| |расстояния, которое может преодолеть| |
| |подводный аппарат | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении подводных аппаратов, указанных| |
| |в пунктах 8.1.1.2 - 8.1.1.2.3, см. также| |
| |пункты 8.1.1.1 - 8.1.1.1.3 разделов 2 и 3;| |
| | | |
| 8.1.1.3. |Необитаемые, привязанные к базе подводные| |
| |аппараты, работоспособные на глубинах| |
| |более 1000 м, имеющие любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| | | |
| 8.1.1.3.1. |Разработанные для самостоятельных маневров|8906 90 100 0; |
| |с применением движителей или тяговых| 8906 90 990 0 |
| |установок, контролируемых по пункту| |
| |8.1.2.1.2; или | |
| | | |
| 8.1.1.3.2. |Имеющие волоконно-оптические каналы|8906 90 100 0; |
| |передачи данных | 8906 90 990 0 |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении подводных аппаратов, указанных| |
| |в пунктах 8.1.1.3 - 8.1.1.3.2, см. также| |
| |пункты 8.1.1.2 - 8.1.1.2.2 раздела 2; | |
| | | |
| 8.1.1.4. |Необитаемые, непривязные подводные| |
| |аппараты, имеющие любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| | | |
| 8.1.1.4.1. |Разработанные для прокладки курса по|8906 90 100 0; |
| |отношению к любому географическому| 8906 90 990 0 |
| |ориентиру в реальном масштабе времени без| |
| |участия человека; | |
| | | |
| 8.1.1.4.2. |Имеющие акустическую связь для передачи|8906 90 100 0; |
| |данных или команд; или | 8906 90 990 0 |
| | | |
| 8.1.1.4.3. |Имеющие волоконно-оптическую связь для|8906 90 100 0; |
| |передачи данных или команд на расстояние| 8906 90 990 0 |
| |более 1000 м | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении подводных аппаратов, указанных| |
| |в пунктах 8.1.1.4 - 8.1.1.4.3, см. также| |
| |пункты 8.1.1.3 - 8.1.1.3.3 раздела 2 и| |
| |пункты 8.1.1.2 - 8.1.1.2.3 раздела 3; | |
| | | |
| 8.1.1.5. |Океанские системы спасения с подъемной|8905 90 100 0; |
| |силой, превышающей 5 МН, для спасения| 8906 90 100 0 |
| |объектов с глубин более 250 м, и имеющие| |
| |любую из следующих составляющих: | |
| | | |
| |а) системы динамического позиционирования| |
| |с максимально допустимым отклонением от| |
| |точки, задаваемой навигационной системой,| |
| |не более 20 м; или | |
| | | |
| |б) системы придонной навигации и| |
| |интегрированные навигационные системы для| |
| |глубин более 1000 м с точностью| |
| |позиционирования не хуже 10 м; | |
| | | |
| 8.1.1.6. |Суда на воздушной подушке с полностью|8906 90 100 0; |
| |гибкой юбкой (завесой воздушной подушки),| 8906 90 990 0 |
| |имеющие все следующие характеристики: | |
| | | |
| |а) максимальную проектную скорость при| |
| |полной загрузке более 30 узлов при| |
| |характерной высоте волны 1,25 м или более| |
| |(состояние моря - 3 балла); | |
| |б) давление в воздушной подушке выше 3830| |
| |Па; и | |
| | | |
| |в) отношение водоизмещения незагруженного| |
| |и полнозагруженного судна менее 0,70; | |
| | | |
| 8.1.1.7. |Суда на воздушной подушке с жесткими|8906 90 100 0; |
| |бортами (с неизменяемой геометрией) с| 8906 90 990 0 |
| |максимальной проектной скоростью,| |
| |превышающей 40 узлов при полной загрузке и| |
| |при характерной высоте волны 3,25 м или| |
| |более (состояние моря - 5 баллов); | |
| | | |
| 8.1.1.8. |Суда на подводных крыльях с активными|8906 90 100 0; |
| |системами для автоматического управления| 8906 90 990 0 |
| |крыльевыми устройствами, с максимальной| |
| |проектной скоростью 40 узлов или более при| |
| |полной загрузке и характерной высоте волны| |
| |3,25 м или более (состояние моря - 5| |
| |баллов); | |
| | | |
| 8.1.1.9. |Суда с малой площадью ватерлинии, имеющие|8906 90 100 0; |
| |любую из следующих характеристик: | 8906 90 990 0 |
| | | |
| |а) водоизмещение при полной загрузке более| |
| |500 тонн с максимальной проектной| |
| |скоростью более 35 узлов при полной| |
| |загрузке и характерной высоте волны 3,25 м| |
| |или более (состояние моря - 5 баллов); или| |
| | | |
| |б) водоизмещение при полной загрузке более| |
| |1500 тонн с максимальной проектной| |
| |скоростью более 25 узлов при полной| |
| |загрузке и характерной высоте волны 4 м| |
| |или более (состояние моря - 6 баллов) | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Судно принадлежит к категории судов с| |
| |малой площадью ватерлинии, если площадь| |
| |ватерлинии при расчетной рабочей осадке| |
| |меньше произведения: 2 х (водоизмещение| |
| |при расчетной рабочей осадке)(2/3) | |
| | | |
| 8.1.2. |Системы и оборудование: | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Для систем подводной связи см. часть 1| |
| |категории 5 (Телекоммуникации) | |
| | | |
| 8.1.2.1. |Системы, оборудование и компоненты| |
| |специально разработанные или| |
| |модифицированные для подводных аппаратов,| |
| |предназначенных для работы на глубинах,| |
| |превышающих 1000 м: | |
| | | |
| 8.1.2.1.1. |Прочные корпуса или оболочки с|8905 90 100 0; |
| |максимальным внутренним диаметром камеры,| 8906 90 990 0 |
| |превышающим 1,5 м; | |
| | | |
| 8.1.2.1.2. |Движители или тяговые установки,| 8501 33 000 2;|
| |приводимые в движение электродвигателями| 8501 33 000 9;|
| |постоянного тока; | 8501 34 000 0 |
| | | |
| 8.1.2.1.3. |Кабели и разъемы для них, использующие|7326 90 980 9; |
| |оптическое волокно и имеющие силовые|8544 70 000 0; |
| |элементы из синтетических материалов; | 9001 10 |
| | | |
| 8.1.2.1.4. |Компоненты (детали), произведенные из| 3921 90 900 0 |
| |материала, указанного в пункте 8.3.1 | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Контролю подлежат также полуфабрикаты,| |
| |изготовленные из контролируемых по пункту| |
| |8.3.1 материалов, когда промежуточная| |
| |стадия производства завершена, но они еще| |
| |не приняли окончательную форму компонента| |
| |(детали); | |
| | | |
| 8.1.2.2. |Системы, специально разработанные или| 9014 80 000 0 |
| |модифицированные для автоматического| |
| |управления движением подводных аппаратов,| |
| |контролируемых по пункту 8.1.1,| |
| |использующие навигационные данные и| |
| |имеющие сервоуправление с замкнутым| |
| |контуром: | |
| | | |
| |а) позволяющие аппарату перемещаться| |
| |вблизи заданного горизонта в пределах 10| |
| |м; | |
| | | |
| |б) удерживающие аппарат в пределах 10 м| |
| |относительно заданного горизонта; или | |
| | | |
| |в) удерживающие аппарат в пределах 10 м| |
| |при следовании по кабелю, лежащему на дне| |
| |или заглубленному в грунт | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении систем автоматического| |
| |управления движением подводных аппаратов,| |
| |указанных в пункте 8.1.2.2, см. также| |
| |пункт 8.1.2.1 раздела 2; | |
| | | |
| 8.1.2.3. |Волоконно-оптические вводы в корпус или|7326 90 980 9; |
| |соединители; |8544 70 000 0; |
| | | 9001 10 |
| | | |
| 8.1.2.4. |Подводные видеосистемы: | |
| | | |
| 8.1.2.4.1. |Телевизионные системы и телевизионные| |
| |камеры: | |
| | | |
|8.1.2.4.1.1.|Телевизионные системы (включающие камеру,| 8517 61 000 2;|
| |аппаратуру контроля и передачи сигнала),| 8517 61 000 8;|
| |имеющие предельное разрешение более 800| 8517 69 900 0;|
| |линий при измерении разрешения в воздушной| 8525 50 000 0 |
| |среде и специально разработанные или| |
| |модифицированные для дистанционной работы| |
| |с подводным аппаратом; | |
| | | |
|8.1.2.4.1.2.|Подводные телекамеры, имеющие предельное| 8525 80 190 0 |
| |разрешение более 1100 линий при измерении| |
| |разрешения в воздушной среде; | |
| | | |
|8.1.2.4.1.3.|Телевизионные камеры для съемки объектов с|8525 80 110 0; |
| |низким уровнем освещенности, специально| 8525 80 190 0 |
| |разработанные или модифицированные для| |
| |использования под водой и содержащие все| |
| |следующие составляющие: | |
| | | |
| |а) электронно-оптические преобразователи,| |
| |которые контролируются по пункту| |
| |6.1.2.1.2.1; и | |
| | | |
| |б) более 150 000 активных пикселей на| |
| |площади твердотельного приемника | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Предельное разрешение в телевидении| |
| |измеряется горизонтальным разрешением,| |
| |обычно выраженным в максимальном числе| |
| |линий по высоте изображения, различаемых| |
| |на тестовой таблице, использующей стандарт| |
| |IEEE 208/1960 или любой эквивалент этого| |
| |стандарта; | |
| | | |
| 8.1.2.4.2. |Системы, специально разработанные или| 8526 91; |
| |модифицированные для дистанционного| 9031 80 910 0 |
| |управления подводным аппаратом, в которых| |
| |использованы способы минимизации эффектов| |
| |обратного рассеяния, включающие в себя| |
| |разнесенные излучатели с селекторным| |
| |импульсом дальности или лазерные системы; | |
| | | |
| 8.1.2.5. |Фотодиапозитивные камеры, специально| 9006 53; |
| |разработанные или модифицированные для| 9006 59 000 9 |
| |подводного применения на глубинах более| |
| |150 м, имеющие формат ленты 35 мм или| |
| |более и любую из следующих составляющих: | |
| | | |
| |а) аннотацию ленты данными, поступающими в| |
| |камеру от внешних источников; | |
| | | |
| |б) автоматическую обратную коррекцию| |
| |фокусного расстояния; или | |
| | | |
| |в) автоматическое управление компенсацией,| |
| |специально разработанное для обеспечения| |
| |возможности использования бокса подводной| |
| |камеры на глубинах, превышающих 1000 м; | |
| | | |
| 8.1.2.6. |Электронные системы формирования сигналов| 8517 61 000 2;|
| |изображения, специально разработанные или| 8517 61 000 8;|
| |модифицированные для подводного| 8517 69 900 0 |
| |использования, способные хранить в| |
| |цифровом формате более 50 экспонированных| |
| |кадров; | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 8.1.2.6 не контролируются| |
| |цифровые камеры, специально разработанные| |
| |для потребительских целей, кроме камер,| |
| |использующих технику мультипликации| |
| |электронного изображения; | |
| | | |
| 8.1.2.7. |Системы подсветки, специально| |
| |разработанные или модифицированные для| |
| |подводного использования: | |
| | | |
| 8.1.2.7.1. |Стробоскопические световые системы с|9029 20 900 0; |
| |энергией выхода более 300 Дж в одной| 9405 40 100; |
| |вспышке и частотой более 5 вспышек в| 9405 40 390 |
| |секунду; | |
| | | |
| 8.1.2.7.2. |Аргонодуговые световые системы, специально| 9405 40 100; |
| |разработанные для использования на| 9405 40 390 |
| |глубинах более 1000 м; | |
| | | |
| 8.1.2.8. |Роботы, специально спроектированные для| 8479 50 000 0;|
| |подводного применения, управляемые с| 8479 90 800 0 |
| |использованием специализированного| |
| |компьютера, имеющие любую из следующих| |
| |составляющих: | |
| | | |
| |а) системы, управляющие роботом с| |
| |использованием информации, поступающей от| |
| |датчиков, которые измеряют усилие или| |
| |момент, прикладываемые к внешнему объекту,| |
| |расстояние до внешнего объекта или| |
| |контактное (тактильное) взаимодействие| |
| |между роботом и внешним объектом; или | |
| | | |
| |б) возможность создавать усилие 250 Н или| |
| |более или момент 250 Нм или более и| |
| |имеющие элементы конструкции,| |
| |изготовленные с использованием титановых| |
| |сплавов или композиционных материалов с| |
| |армированием волокнистыми или нитевидными| |
| |материалами | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении роботов, указанных в пункте| |
| |8.1.2.8, см. также пункт 8.1.2.2 раздела| |
| |2; | |
| | | |
| 8.1.2.9. |Дистанционно управляемые шарнирные| 8479 50 000 0;|
| |манипуляторы, специально разработанные или| 8479 90 800 0 |
| |модифицированные для использования с| |
| |подводными аппаратами, имеющими любую из| |
| |следующих составляющих: | |
| | | |
| |а) системы, управляющие манипулятором,| |
| |используя информацию, поступающую от| |
| |датчиков, измеряющих момент или усилие,| |
| |прикладываемые к внешнему объекту, или| |
| |контактное (тактильное) взаимодействие| |
| |между манипулятором и внешним объектом;| |
| |или | |
| | | |
| |б) пропорциональное управление| |
| |ведущий-ведомый или управление с| |
| |применением специализированного| |
| |компьютера, имеющие пять степеней свободы| |
| |или более | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |При определении количества степеней| |
| |свободы в расчет принимаются только| |
| |функции, имеющие пропорциональное| |
| |управление с применением позиционной| |
| |обратной связи или управление с| |
| |применением специализированного| |
| |компьютера; | |
| | | |
| 8.1.2.10. |Независимые от атмосферы энергетические| |
| |системы, специально разработанные для| |
| |применения под водой: | |
| | | |
|8.1.2.10.1. |Независимые от атмосферы энергетические| 8408 10; |
| |системы с двигателями циклов Брайтона или| 8409 99 000 9 |
| |Ренкина, имеющие любую из следующих| |
| |составляющих: | |
| | | |
| |а) химические скрубберы или абсорберы,| |
| |специально разработанные для удаления| |
| |диоксида углерода, оксида углерода и| |
| |частиц из рециркулируемого выхлопа| |
| |двигателя; | |
| | | |
| |б) системы, специально разработанные для| |
| |применения атомарного газа; | |
| | | |
| |в) устройства или глушители, специально| |
| |разработанные для снижения шума под водой| |
| |на частотах ниже 10 кГц, или специально| |
| |смонтированные устройства для подавления| |
| |шума выбросов; или | |
| | | |
| |г) системы, специально разработанные для: | |
| | | |
| |герметизации продуктов реакции или| |
| |регенерации топлива; хранения продуктов| |
| |реакции; и выброса продуктов реакции при| |
| |противодавлении в 100 кПа или выше; | |
| | | |
|8.1.2.10.2. |Изолированные от атмосферы энергетические| 8408 10; |
| |системы с дизельными двигателями, имеющие| 8409 99 000 9 |
| |все следующие характеристики: | |
| | | |
| |а) химические скрубберы или абсорберы,| |
| |специально разработанные для удаления| |
| |диоксида углерода, оксида углерода и| |
| |частиц из рециркулируемого выхлопа| |
| |двигателя; | |
| | | |
| |б) системы, специально разработанные для| |
| |применения атомарного газа; | |
| | | |
| |в) устройства или глушители, специально| |
| |разработанные для снижения шума под водой| |
| |на частотах ниже 10 кГц, или специально| |
| |смонтированные устройства для подавления| |
| |шума выбросов; и | |
| | | |
| |г) специально разработанные выхлопные| |
| |системы с задержкой выброса продуктов| |
| |сгорания; | |
| | | |
|8.1.2.10.3. |Изолированные от атмосферы энергетические| 8409 99 000 9 |
| |системы на топливных элементах (ЭХГ) с| |
| |выходной мощностью, превышающей 2 кВт,| |
| |имеющие любую из следующих составляющих: | |
| | | |
| |а) устройства или глушители, специально| |
| |разработанные для снижения шума под водой| |
| |на частотах ниже 10 кГц, или специально| |
| |смонтированные устройства для подавления| |
| |шума выбросов; или | |
| | | |
| |б) системы, специально разработанные для: | |
| |герметизации продуктов реакции или| |
| |регенерации топлива; | |
| |хранения продуктов реакции; и выброса| |
| |продуктов реакции при противодавлении в| |
| |100 кПа или выше; | |
| | | |
|8.1.2.10.4. |Изолированные от атмосферы энергетические| 8408 10; |
| |системы с двигателями цикла Стирлинга,| 8409 99 000 9 |
| |имеющие все следующие составляющие: | |
| | | |
| |а) устройства или глушители, специально| |
| |разработанные для снижения шума под водой| |
| |на частотах ниже 10 кГц, или специально| |
| |смонтированные устройства для подавления| |
| |шума выбросов; и | |
| | | |
| |б) специально разработанные выхлопные| |
| |системы с выхлопом продуктов сгорания при| |
| |противодавлении в 100 кПа или выше | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении изолированных от атмосферы| |
| |силовых систем, указанных в пунктах| |
| |8.1.2.10 - 8.1.2.10.4, см. также пункты| |
| |8.1.2.3 - 8.1.2.3.4 раздела 2; | |
| | | |
| 8.1.2.11. |Юбки (завесы воздушной подушки),| 8479 90 800 0;|
| |уплотнения и выдвижные элементы, имеющие| 8906 90 100 0;|
| |любую из следующих составляющих: | 8906 90 990 0 |
| | | |
| |а) разработанные для давлений в подушке| |
| |3830 Па или выше, работающие при| |
| |характерной высоте волны 1,25 м или более| |
| |(состояние моря - 3 балла) и специально| |
| |спроектированные для судов на воздушной| |
| |подушке с полностью гибкой юбкой (завесой| |
| |воздушной подушки), контролируемых по| |
| |пункту 8.1.1.6; или | |
| | | |
| |б) разработанные для давлений 6224 Па или| |
| |выше, работающие при высоте волны 3,25 м| |
| |или более (состояние моря - 5 баллов) и| |
| |специально спроектированные для судов на| |
| |воздушной подушке с жесткими бортами (с| |
| |неизменяемой геометрией), контролируемых| |
| |по пункту 8.1.1.7; | |
| | | |
| 8.1.2.12. |Подъемные вентиляторы мощностью более 400| 8414 59 200 0 |
| |кВт, специально разработанные для судов на| |
| |воздушной подушке, контролируемых по| |
| |пунктам 8.1.1.6 или 8.1.1.7; | |
| | | |
| 8.1.2.13. |Полностью погруженные некавитирующие или|7325 99 900 9; |
| |суперкавитационные подводные крылья,|7326 90 980 9; |
| |специально разработанные для судов,| 7616 99; |
| |контролируемых по пункту 8.1.1.8; |8108 90 900 9 |
| | | |
| 8.1.2.14. |Активные системы, специально разработанные|9014 80 000 0 |
| |или модифицированные для автоматического| |
| |управления движением подводных аппаратов| |
| |или судов, контролируемых по пунктам| |
| |8.1.1.6 - 8.1.1.9, подверженных внешним| |
| |(морским) воздействиям; | |
| | | |
| 8.1.2.15. |Винты, системы передачи мощности,| |
| |энергетические установки и системы| |
| |снижения шума: | |
| | | |
|8.1.2.15.1. |Гребные винты или системы передачи| |
| |мощности, специально спроектированные для| |
| |судов на воздушной подушке (с полностью| |
| |гибкой юбкой или с жесткими бортами с| |
| |неизменяемой геометрией), судов на| |
| |подводных крыльях и судов с малой площадью| |
| |ватерлинии, контролируемых по пунктам| |
| |8.1.1.6 - 8.1.1.9: | |
| | | |
|8.1.2.15.1.1|Суперкавитационные, супервентилируемые,| 8487 10 900 0 |
| . |частично погруженные гребные винты,| |
| |рассчитанные на мощность более 7,5 МВт; | |
| | | |
|8.1.2.15.1.2|Системы гребных винтов противоположного|8412 29 200 9; |
| . |вращения, рассчитанные на мощность более| 8487 10 900 0 |
| |15 МВт; | |
| | | |
|8.1.2.15.1.3|Системы, служащие для выравнивания потока| 8412 29 200 9 |
| . |гребного винта, с использованием методов| |
| |устранения завихрений потока до и после их| |
| |образования; | |
| | | |
|8.1.2.15.1.4|Легковесный, высокой мощности (К-фактор|8483 40 510 9; |
| . |превышает величину 300) редуктор; | 8483 40 590 0 |
| | | |
|8.1.2.15.1.5|Системы передачи мощности трансмиссионным| 8483 10 950 0 |
| . |валом, включающие в себя компоненты из| |
| |композиционных материалов и с передаваемой| |
| |мощностью более 1 МВт; | |
| | | |
|8.1.2.15.2. |Следующие гребные винты, энергетические| |
| |установки или системы передачи мощности,| |
| |разработанные для применения на судах: | |
| | | |
|8.1.2.15.2.1|Гребные винты с регулируемым шагом в сборе| 8487 10 900 0 |
| . |со ступицей, рассчитанные на мощность| |
| |более 30 МВт; | |
| | | |
|8.1.2.15.2.2|Тяговые электродвигатели с жидкостным| 8501 34 000 0 |
| . |внутренним охлаждением и выходной| |
| |мощностью, превышающей 2,5 МВт; | |
| | | |
|8.1.2.15.2.3|Движители на эффекте сверхпроводимости или| 8501 20 000 9 |
| . |непрерывно работающие магнитоэлектрические| |
| |движители с выходной мощностью,| |
| |превышающей 0,1 МВт; | |
| | | |
|8.1.2.15.2.4|Системы передачи мощности трансмиссионным| 8483 10 950 0 |
| . |валом, включающие в себя компоненты из| |
| |композиционных материалов и с передаваемой| |
| |мощностью более 2 МВт; | |
| | | |
|8.1.2.15.2.5|Вентилируемые гребные винты или системы на| 8487 10 900 0 |
| . |их базе, рассчитанные на мощность более| |
| |2,5 МВт; | |
| | | |
|8.1.2.15.3. |Следующие системы снижения шума,| |
| |разработанные для применения на судах| |
| |водоизмещением 1000 тонн или более: | |
| | | |
|8.1.2.15.3.1|Системы снижения шума под водой на|4016 10 000 0; |
| . |частотах ниже 500 Гц, состоящие из|4016 99 970 9; |
| |составных демпфирующих оснований|4017 00 000 0; |
| |(моторам), для акустической изоляции|8409 99 000 9; |
| |дизельных двигателей, дизель-генераторных| 8412 29 200 9 |
| |агрегатов, газовых турбин, газотурбинных| |
| |генераторных установок, движителей или| |
| |главных редукторов, специально| |
| |разработанных для звуковой или| |
| |виброизоляции, имеющие среднюю массу,| |
| |превышающую 30% массы монтируемого| |
| |оборудования; | |
| | | |
|8.1.2.15.3.2|Активные системы снижения шума или| 8479 89 970 8;|
| . |шумоподавления, или магнитного пеленга,| 8543 20 000 0;|
| |специально разработанные для| 8543 70 900 0 |
| |трансмиссионных систем, включающие| |
| |электронные системы управления, работающие| |
| |в режиме активного снижения вибрации| |
| |оборудования путем генерирования| |
| |антишумовых или антивибрационных сигналов,| |
| |направленных непосредственно на источник| |
| |шума | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении систем снижения шума,| |
| |указанных в пунктах 8.1.2.15.3 -| |
| |8.1.2.15.3.2, см. также пункты 8.1.2.4 -| |
| |8.1.2.4.2 раздела 2 и пункт 8.1.2 раздела| |
| |3; | |
| | | |
| 8.1.2.16. |Водометные (гидрореактивные) движители| 8412 29 200 9 |
| |насосного типа с выходной мощностью,| |
| |превышающей 2,5 МВт, в которых| |
| |используются расширяющееся сопло и техника| |
| |кондиционирования потока направляющим| |
| |устройством в целях повышения| |
| |эффективности движителя или снижения| |
| |генерируемых движителем и| |
| |распространяющихся под водой шумов | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении систем движения на струйном| |
| |движителе, указанных в пункте 8.1.2.16,| |
| |см. также пункт 8.1.2.5 раздела 2; | |
| | | |
| 8.1.2.17. |Автономные аппараты для погружения и| 9020 00 000 0 |
| |подводного плавания с дыхательным| |
| |устройством замкнутого или полузамкнутого| |
| |типа | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 8.1.2.17 не контролируются| |
| |индивидуальные аппараты для личного| |
| |пользования, следующие вместе с| |
| |пользователем | |
| | | |
| 8.2. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование | |
| | | |
| 8.2.1. |Гидроканалы, имеющие шумовой фон ниже 100| 9031 20 000 0 |
| |дБ (эталон - 1 мкПа, 1 Гц) в частотном| |
| |диапазоне от 0 Гц до 500 Гц, разработанные| |
| |для измерения акустических полей,| |
| |генерируемых гидропотоком около моделей| |
| |движительных систем | |
| | | |
| 8.3. |Материалы | |
| | | |
| 8.3.1. |Пеноматериалы с упорядоченной структурой,| 3921 90 900 0 |
| |(синтактические пены) разработанные для| |
| |применения под водой, имеющие все| |
| |следующие характеристики: | |
| | | |
| |а) работоспособные на глубинах более 1000| |
| |м; и | |
| | | |
| |б) плотность менее 561 кг/куб. м | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Пеноматериалы с упорядоченной структурой| |
| |состоят из полимерной матрицы и полых| |
| |микросфер из пластика или стекла | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |См. также пункт 8.1.2.1.4 | |
| | | |
| 8.4. |Программное обеспечение | |
| | | |
| 8.4.1. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |разработки, производства или применения| |
| |оборудования или материалов,| |
| |контролируемых по пунктам 8.1 - 8.3 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении программного обеспечения,| |
| |указанного в пункте 8.4.1, см. также пункт| |
| |8.4.1 разделов 2 и 3 | |
| | | |
| 8.4.2. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |разработки, производства, текущего| |
| |ремонта, капитального ремонта или| |
| |восстановления чистоты поверхности,| |
| |повторной обработки гребных винтов,| |
| |специально разработанных для снижения их| |
| |шума под водой | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении специфического программного| |
| |обеспечения, указанного в пункте 8.4.2,| |
| |см. также пункт 8.4.2 раздела 2 | |
| | | |
| 8.5. |Технология | |
| | | |
| 8.5.1. |Технологии в соответствии с общим| |
| |технологическим примечанием для разработки| |
| |или производства оборудования или| |
| |материалов, контролируемых по пунктам 8.1| |
| |- 8.3 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий, указанных в пункте| |
| |8.5.1, см. также пункт 8.5.1 разделов 2 и| |
| |3 | |
| | | |
| 8.5.2. |Иные технологии, кроме указанных в пункте| |
| |8.5.1: | |
| | | |
| 8.5.2.1. |Технологии разработки, производства,| |
| |текущего ремонта, капитального ремонта или| |
| |восстановления чистоты поверхности,| |
| |повторной обработки гребных винтов,| |
| |специально разработанных для снижения их| |
| |шума под водой | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий, указанных в пункте| |
| |8.5.2.1, см. также пункт 8.5.2 раздела 2; | |
| | | |
| 8.5.2.2. |Технологии капитального ремонта или| |
| |восстановления чистоты поверхности| |
| |оборудования, контролируемого по пункту| |
| |8.1.1, 8.1.2.2, 8.1.2.10, 8.1.2.15 или| |
| |8.1.2.16 | |
|-----------------------------------------------------------------------|
| Категория 9. Авиационно-космическое дело и двигатели |
|-----------------------------------------------------------------------|
| 9.1. |Системы, оборудование и компоненты | |
| | | |
| 9.1.1. |Газотурбинные авиационные двигатели,| 8411 11 000 0;|
| |имеющие любое из следующего: | 8411 81 000; |
| | | |
| |а) использующие любые технологии,| 8411 82 |
| |контролируемые по пункту 9.5.3.1: или | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По подпункту "а" пункта 9.1.1 не| |
| |контролируются газотурбинные авиационные| |
| |двигатели, удовлетворяющие всему| |
| |нижеследующему: | |
| | | |
| |а) сертифицированные гражданским| |
| |авиационным ведомством государства,| |
| |являющегося участником Вассенаарских| |
| |договоренностей по экспортному контролю за| |
| |обычными вооружениями, товарами и| |
| |технологиями двойного применения (ВД); и | |
| | | |
| |б) предназначенные для полета невоенного| |
| |пилотируемого летательного аппарата, для| |
| |которого с этим конкретным типом двигателя| |
| |государством, являющимся участником ВД,| |
| |был выдан один из следующих документов: | |
| |сертификат гражданского типа; или | |
| |авнозначный документ, признанный| |
| |Международной организацией гражданской| |
| |авиации ICAO) | |
| | | |
| |б)# разработанные для полета летательного| |
| |аппарата, предназначенного для перемещения| |
| |с крейсерской скоростью, равной 1 М или| |
| |выше, в течение более 30 мин. | |
| | | |
| 9.1.2. |Морские газотурбинные двигатели со| 8411 82 200; |
| |стандартной по ISO эксплуатационной| 8411 82 600; |
| |мощностью 24 245 кВт или более и удельным| 8411 82 800 0 |
| |расходом топлива, не превышающим 0,219| |
| |кг/кВт.ч, в диапазоне мощностей от 35% до| |
| |100% и специально разработанные агрегаты и| |
| |компоненты для таких двигателей | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Термин "морские газотурбинные двигатели"| |
| |включает промышленные или авиационные| |
| |газотурбинные двигатели, приспособленные| |
| |для применения в корабельных| |
| |электрогенераторных или силовых установках| |
| | | |
| 9.1.3. |Специально разработанные агрегаты и|8411 99 001 1; |
| |компоненты, при производстве которых| 8411 99 009 |
| |используются технологии, контролируемые по| |
| |пункту 9.5.3.1, для следующих| |
| |газотурбинных двигателей: | |
| | | |
| |а) контролируемых по пункту 9.1.1; | |
| | | |
| |б) место разработки или производства| |
| |которых либо не известно производителю,| |
| |либо они разрабатываются и производятся в| |
| |государствах, не являющихся участниками| |
| |Вассенаарских договоренностей по| |
| |экспортному контролю за обычными| |
| |вооружениями, товарами и технологиями| |
| |двойного назначения | |
| | | |
| 9.1.4. |Ракеты-носители и космические аппараты | 8802 60; |
| | | 9306 90 |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |По пункту 9.1.4 не контролируются полезные| |
| |нагрузки | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |Для контрольного статуса оборудования,| |
| |входящего в состав полезной нагрузки| |
| |космического аппарата, см. соответствующие| |
| |категории | |
| | | |
| 9.1.5. |Жидкостные ракетные двигатели, содержащие| 8412 10 000 9 |
| |любую из систем или компонентов,| |
| |контролируемых по пункту 9.1.6 | |
| | | |
| 9.1.6. |Системы и компоненты, специально| |
| |разработанные для жидкостных ракетных| |
| |двигателей: | |
| | | |
| 9.1.6.1. |Криогенные машины, бортовые сосуды Дьюара,| 8412 90 800 0 |
| |криогенные тепловые трубы или криогенные| |
| |системы, специально разработанные для| |
| |использования в космических аппаратах и| |
| |допускающие потери криогенной жидкости| |
| |менее 30% в год; | |
| | | |
| 9.1.6.2. |Криогенные контейнеры или рефрижераторные| 8412 90 800 0 |
| |системы с замкнутым циклом, способные| |
| |обеспечивать температуру 100 К (-173°С)| |
| |или ниже, для летательных аппаратов,| |
| |способных поддерживать скорость полета,| |
| |превышающую 3 М, ракет-носителей или| |
| |космических аппаратов; | |
| | | |
| 9.1.6.3. |Системы хранения или передачи шугового| 7311 00; |
| |водорода; | 8413 19 000 0 |
| | | |
| 9.1.6.4. |Турбонасосы высокого давления (выше 17,5| 8413 19 000 0 |
| |МПа), компоненты насосов или объединенные| |
| |с ними газогенераторы, либо системы,| |
| |управляющие подачей газа к турбине; | |
| | | |
| 9.1.6.5. |Камеры сгорания высокого давления (выше| 8412 90 200 0 |
| |10,6 МПа) и сопла для них; | |
| | | |
| 9.1.6.6. |Системы хранения топлива, в которых| 8412 29 890 9;|
| |используются принципы его капиллярного| 8479 89 970 8 |
| |удержания или принудительной подачи| |
| |вытеснительными диафрагмами; | |
| | | |
| 9.1.6.7. |Форсунки жидкого топлива с единичными|8412 90 800 0; |
| |калиброванными отверстиями диаметром 0,381| 9306 90 900 0 |
| |мм или менее (площадью сечения 1,14 х| |
| |10(-3) кв. см или менее для некруглых| |
| |отверстий), специально разработанные для| |
| |жидкостных ракетных двигателей; | |
| | | |
| 9.1.6.8. |Монолитные сопловые блоки или выходные| 3801; |
| |конусы из материала углерод-углерод с| 8412 90; |
| |плотностью более 1,4 г/куб. см и| 9306 90 |
| |прочностью при растяжении более 48 МПа | |
| | | |
| 9.1.7. |Твердотопливные ракетные двигатели,| 8412 10 000 9 |
| |обладающие любой из следующих| |
| |характеристик: | |
| | | |
| |а) суммарным импульсом более 1,1 МНс; | |
| | | |
| |б) удельным импульсом на уровне моря 2,4| |
| |кНс/кг или более при давлении в камере| |
| |сгорания 7 МПа; | |
| | | |
| |в) относительной массой двигателя более| |
| |88% от массы ступени (ракеты) и| |
| |относительной массой заряда твердого| |
| |топлива более 86% от массы двигателя; | |
| | | |
| |г) включают любые из компонентов,| |
| |контролируемых по пункту 9.1.8; | |
| | | |
| |д) наличием изолирующих покрытий в системе| |
| |"корпус - заряд", выполняющих функции| |
| |теплозащиты, прочного механического| |
| |сцепления топлива с корпусом и| |
| |препятствующих проникновению химических| |
| |продуктов горения твердого топлива в| |
| |материал корпуса двигателя | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Для целей подпункта "д" пункта 9.1.7| |
| |термин "прочное механическое сцепление"| |
| |означает прочность соединения, равную или| |
| |превышающую прочность топлива | |
| | | |
| 9.1.8. |Компоненты, специально разработанные для| |
| |твердотопливных ракетных двигателей: | |
| | | |
| 9.1.8.1. |Изолирующие покрытия с закладными|4016 10 000 0; |
| |элементами для повышения прочности топлива|4016 99 970 9; |
| |в системе "корпус - заряд", выполняющие|4017 00 000 0; |
| |функции теплозащиты, прочного|8412 90 200 0; |
| |механического сцепления топлива с корпусом| 8803 90 900 0 |
| |и препятствующие проникновению химических| |
| |продуктов горения твердого топлива в| |
| |материал корпуса двигателя | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Для целей пункта 9.1.8.1 термин "прочное| |
| |механическое сцепление" означает прочность| |
| |соединения, равную или превышающую| |
| |прочность топлива; | |
| | | |
| 9.1.8.2. |Полученные намоткой корпуса из| 9306 90 |
| |композиционных материалов с диаметром| |
| |больше 0,61 м или имеющие показатель| |
| |эффективности конструкции (PV/W) более 25| |
| |км | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Показатель эффективности конструкции| |
| |(PV/W) - это разрушающее внутреннее| |
| |давление (Р), умноженное на объем сосуда| |
| |(V) и деленное на общий вес сосуда| |
| |высокого давления (W); | |
| | | |
| 9.1.8.3. |Сопла двигателей с тягой, превышающей 45| 9306 90 |
| |кН, или скоростью уноса массы в| |
| |критическом сечении менее 0,075 мм/с; | |
| | | |
| 9.1.8.4. |Системы управления вектором тяги на основе|8412 90 200 0; |
| |поворотной камеры (соплового блока) или| 9306 90 |
| |путем вдува газа в закритическую часть| |
| |сопла, имеющие любую из следующих| |
| |характеристик: | |
| | | |
| |а) возможность поворота относительно| |
| |произвольной оси (две степени свободы) на| |
| |угол более +- 5град; | |
| | | |
| |б) скорость вращения вектора тяги 20| |
| |град/с или более; или | |
| | | |
| |в) ускорение вращения вектора тяги 40| |
| |град/с2 или более | |
| | | |
| 9.1.9. |Гибридные ракетные двигательные установки|8412 10 000 9; |
| |с: | 8412 90 200 0 |
| | | |
| |а) суммарным импульсом, превышающим 1,1| |
| |МНс; или | |
| | | |
| |б) пустотной тягой, превышающей 220 кН | |
| | | |
| 9.1.10. |Специально разработанные компоненты,| |
| |системы и конструкции для ракет-носителей,| |
| |двигательных установок ракет-носителей или| |
| |космических аппаратов: | |
| | | |
| 9.1.10.1. |Компоненты и конструкции массой более 10|2804 50 100 0; |
| |кг, специально разработанные для|2818 20 000 0; |
| |ракет-носителей, изготовленные из|2849 20 000 0; |
| |композиционных материалов с металлической,| 3801; |
| |полимерной, керамической или|3926 90 970 5; |
| |интерметаллидной матрицей, контролируемых|6815 99 000 0; |
| |по пункту 1.3.7 или 1.3.10 |6903 10 000 0; |
| | |7019 11 000 0; |
| | |7019 12 000 0; |
| | | 7019 19; |
| | |7019 40 000 0; |
| | |7019 51 000 0; |
| | |7019 52 000 0; |
| | |7019 59 000 0; |
| | |8101 99 100 0; |
| | |8102 95 000 0; |
| | |8108 90 300 9; |
| | |8108 90 500 9; |
| | |8108 90 600 2; |
| | |8108 90 600 8; |
| | | 8412 90; |
| | |8803 90 900 0; |
| | | |
| |Примечание. | 9306 90 |
| | | |
| |Ограничение по весу не относится к| |
| |головным обтекателям; | |
| | | |
| 9.1.10.2. |Компоненты и конструкции, контролируемые|2804 50 100 0; |
| |по пунктам 9.1.5 - 9.1.9, специально|2818 20 000 0; |
| |разработанные для двигательных установок|2849 20 000 0; |
| |ракет-носителей, изготовленные из| 3801; |
| |композиционных материалов с металлической,|3926 90 970 5; |
| |полимерной, керамической или|6815 99 000 0; |
| |интерметаллидной матрицей, контролируемых|6903 10 000 0; |
| |по пункту 1.3.7 или 1.3.10; |7019 11 000 0; |
| | |7019 12 000 0; |
| | | 7019 19; |
| | |7019 40 000 0; |
| | | 7019 51000 0; |
| | |7019 52 000 0; |
| | |7019 59 000 0; |
| | |8101 99 100 0; |
| | |8102 95 000 0; |
| | |8108 90 300 9; |
| | |8108 90 500 9; |
| | |8108 90 600 2; |
| | |8108 90 600 8; |
| | | 8412 90; |
| | |8803 90 900 0; |
| | | 9306 90 |
| | | |
| 9.1.10.3. |Элементы конструкций и изоляционные|8803 90 900 0; |
| |системы, специально разработанные для| 9306 90 |
| |активного управления динамической| |
| |чувствительностью или деформацией| |
| |конструкций космического аппарата; | |
| | | |
| 9.1.10.4. |Жидкостные ракетные двигатели| 8412 10 000 9 |
| |многократного включения с| |
| |тяговооруженностью, равной или больше 1| |
| |кН/кг, и временем срабатывания (временем,| |
| |необходимым для достижения 90% полной| |
| |номинальной тяги от момента пуска) менее| |
| |0,03 с | |
| | | |
| 9.1.11. |Прямоточные воздушно-реактивные двигатели,| 8412 10 000 9 |
| |пульсирующие воздушно-реактивные двигатели| |
| |или двигатели комбинированного цикла и| |
| |специально разработанные для них| |
| |компоненты | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении двигателей и их компонентов,| |
| |указанных в пункте 9.1.11, см. также пункт| |
| |9.1.1 разделов 2 и 3 | |
| | | |
| 9.1.12. |Беспилотные воздушные летательные| |
| |аппараты (БЛА), взаимосвязанные системы,| |
| |оборудование и компоненты: | |
| | | |
| 9.1.12.1. |БЛА, имеющие любое из следующего: | 8802 20 000 0;|
| | | 8802 30 000 8;|
| |а) автономное управление полетом и| 8802 40 001 9,|
| |бортовые средства навигации (например,| 8802 40 003 9,|
| |автопилот с инерциальной навигационной| 8802 40 004 9;|
| |системой); илисистемой); или | 8802 40 009 9;|
| | | 9306 90 |
| |б) возможность управления полетом| |
| |за пределами прямой видимости оператором| |
| |(например, телевизионное дистанционное| |
| |управление) | |
| | | |
| 9.1.12.2. |Взаимосвязанные системы, оборудование и| 8407 10 000 0;|
| |компоненты: | 8411 11 000 0;|
| | | 8411 12; |
| |а) оборудование, специально разработанное| 8525 80; |
| |для дистанционного управления БЛА,| 8526 10 000; |
| |определенных в пункте 9.1.12.1; | 8526 91 800 0;|
| | | 8526 92 000 9;|
| |б) системы наведения или управления| 8803 30 000 0;|
| |другие, чем контролируются в категории 7,| 8803 90 900 0;|
| |специально разработанные для объединения в| 9007 10 000 0;|
| |одно целое с БЛА, определенными в| 9014 10 000 0;|
| |пункте 9.1.12.1; | 9014 20 800; |
| | | 9014 80 000 0 |
| |в) оборудование и компоненты, специально| |
| |разработанные для переделки пилотируемого| |
| |летательного аппарата в БЛА,| |
| |определенный в пункте 9.1.12.1 | |
| | | |
| |г) поршневые или роторные| |
| |воздушно-реактивные двигатели внутреннего| |
| |сгорания, специально разработанные или| |
| |модифицированные для полета БЛА на высоте| |
| |более 15 240 м (50 000 футов) | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 9.1.12 не применяется к моделям| |
| |летательных аппаратов | |
| | | |
| 9.2. |Испытательное, контрольное и| |
| |производственное оборудование | |
| | | |
| 9.2.1. |Оборудование, инструменты или| |
| |приспособления, специально разработанные| |
| |для производства методом литья рабочих и| |
| |сопловых лопаток газовых турбин или| |
| |элементов бандажа: | |
| | | |
| 9.2.1.1. |Оборудование для направленной| 8486 10 000 9 |
| |кристаллизации или выращивания| |
| |монокристаллов; | |
| | | |
| 9.2.1.2. |Керамические стержни или формы | 6903 90 900 0 |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении керамических стержней,| |
| |указанных в пункте 9.2.1.2, см. также| |
| |пункт 9.2.1 раздела 2 | |
| | | |
| 9.2.2. |Системы управления в режиме онлайн (в|8537 10 100 0; |
| |реальном масштабе времени),|8537 10 910 9; |
| |контрольно-измерительные приборы (включая|9031 80 980 0; |
| |датчики) или оборудование для|9032 89 000 9 |
| |автоматического сбора и обработки| |
| |информации, специально предназначенные для| |
| |разработки газотурбинных двигателей, узлов| |
| |или компонентов, включающих технологии,| |
| |контролируемые по пункту 9.5.3.1 | |
| | | |
| 9.2.3. |Оборудование, специально разработанное для| 8459 61; |
| |производства или испытаний щеточных| 8459 69; |
| |уплотнений газовых турбин, разработанных| 9024 10; |
| |для функционирования при окружных| 9031 20 000 0 |
| |скоростях на концах лопаток, превышающих| |
| |335 м/с, и температуре выше 773 К (500°С),| |
| |и специально спроектированные компоненты| |
| |или принадлежности для него | |
| | | |
| 9.2.4. |Инструменты, штампы или зажимные| 8515 80 100 0;|
| |приспособления для твердофазного| 8466 |
| |соединения титановых, жаропрочных| |
| |никелевых или интерметаллидных лопаток с| |
| |дисками газовых турбин, описанных в пункте| |
| |9.5.3.1.3 или 9.5.3.1.6 | |
| | | |
| 9.2.5. |Системы управления в режиме онлайн (в| |
| |реальном масштабе времени),| |
| |контрольно-измерительные приборы (включая| |
| |датчики) или оборудование для| |
| |автоматического сбора и обработки| |
| |информации, специально разработанные для| |
| |использования с любым из следующего: | |
| | | |
| 9.2.5.1. |Аэродинамическими трубами, разработанными| 9031 20 000 0 |
| |для скоростей 1,2 М или более | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 9.2.5.1 не применяется к| |
| |аэродинамическим трубам, специально| |
| |разработанным для образовательных целей и| |
| |имеющим размер рабочей части трубы| |
| |(измеренный в поперечном сечении) менее| |
| |250 мм | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Размер рабочей части трубы определяется по| |
| |диаметру окружности, стороне квадрата или| |
| |наибольшей стороне прямоугольника,| |
| |измеренной в месте наибольшего сечения; | |
| | | |
| 9.2.5.2. |Устройствами для моделирования условий| 9031 20 000 0 |
| |обтекания на скоростях, превышающих 5 М,| |
| |включая тепловые, плазменно-дуговые,| |
| |импульсные и ударные аэродинамические| |
| |трубы, а также аэрогазодинамические| |
| |установки и легкогазовые пушки; или | |
| | | |
| 9.2.5.3. |Аэродинамическими трубами или| 9031 20 000 0 |
| |устройствами, исключая аэродинамические| |
| |трубы или устройства с двумерными| |
| |сечениями, имеющими возможность| |
| |моделировать поток с числом Рейнольдса,| |
| |превышающим 25 х 10(6) | |
| | | |
| 9.2.6. |Оборудование для виброакустических| 9031 20 000 0 |
| |испытаний, допускающее создание уровней| |
| |звукового давления 160 дБ или выше| |
| |(соответствует 20 мкПа), номинальной| |
| |мощностью 4 кВт или более, рабочей| |
| |температурой в камере, превышающей 1273 К| |
| |(1000°С), и специально разработанные для| |
| |него кварцевые нагреватели | |
| | | |
| 9.2.7. |Оборудование, специально разработанное для|9022 29 000 0; |
| |проверки работоспособности ракетных| 9024 10; |
| |двигателей с использованием технологий| 9031 |
| |неразрушающего контроля, которые не| |
| |включают послойный рентгеновский контроль| |
| |или проведение физико-химических анализов | |
| | | |
| 9.2.8. |Датчики, специально разработанные для| 9025 19 800 9;|
| |непосредственного измерения поверхностного| 9027 80 990 9 |
| |трения на стенке испытательной установки в| |
| |потоке с температурой торможения,| |
| |превышающей 833 К (560°С) | |
| | | |
| 9.2.9. |Оснастка, специально разработанная для| 8462 99 200 1;|
| |производства методами порошковой| 8462 99 800 1 |
| |металлургии деталей ротора газотурбинного| |
| |двигателя, способных работать при уровне| |
| |напряжения 60% предела прочности при| |
| |растяжении или более и температуре металла| |
| |873 К (600°С) или выше | |
| | | |
| 9.2.10. |Оборудование, специально разработанное для| 9031 10 000 0;|
| |производства БЛА и взаимосвязанных систем,| 9031 20 000 0;|
| |оборудования и компонентов, контролируемых| 9031 80 980 0 |
| |по пункту 9.1.12 | |
| | | |
| 9.3. |Материалы - нет | |
| | | |
| 9.4. |Программное обеспечение | |
| | | |
| 9.4.1. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |разработки оборудования или технологии,| |
| |контролируемых по пункту 9.1, 9.2 или| |
| |9.5.3 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении программного обеспечения,| |
| |указанного в пункте 9.4.1, см. также пункт| |
| |9.4.1 разделов 2 и 3 | |
| | | |
| 9.4.2. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |производства оборудования, контролируемого| |
| |по пункту 9.1 или 9.2 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении программного обеспечения,| |
| |указанного в пункте 9.4.2, см. также пункт| |
| |9.4.2 разделов 2 и 3 | |
| | | |
| 9.4.3. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |использования в цифровой системе| |
| |управления двигателем в силовых| |
| |установках, контролируемых по пункту 9.1,| |
| |или оборудования, контролируемого по| |
| |пункту 9.2: | |
| | | |
| 9.4.3.1. |Программное обеспечение| |
| |электронно-цифровых систем управления для| |
| |силовых установок, испытательных стендов| |
| |аэрокосмических систем или| |
| |воздушно-реактивных двигателей; | |
| | | |
| 9.4.3.2. |Отказоустойчивое программное обеспечение| |
| |электронно-цифровых систем управления для| |
| |силовых установок и соответствующих| |
| |испытательных стендов | |
| | | |
| 9.4.4. |Иное программное обеспечение, кроме| |
| |указанного в пунктах 9.4.1 - 9.4.3: | |
| | | |
| 9.4.4.1. |Программное обеспечение для| |
| |математического моделирования двух - или| |
| |трехмерного вязкого течения, основанное на| |
| |данных испытаний в аэродинамических трубах| |
| |или на данных летных испытаний,| |
| |используемое для моделирования потока| |
| |внутри двигателя | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении программного обеспечения,| |
| |указанного в пункте 9.4.4.1, см. также| |
| |пункт 9.4.3.1 раздела 2; | |
| | | |
| 9.4.4.2. |Программное обеспечение для испытаний| |
| |авиационных газотурбинных двигателей,| |
| |агрегатов или компонентов, специально| |
| |разработанное для сбора, предварительной| |
| |обработки и анализа данных в реальном| |
| |масштабе времени и способное обеспечить| |
| |управление с обратной связью, включая| |
| |динамическую адаптацию испытуемых изделий| |
| |или условий испытаний в ходе проведения| |
| |эксперимента; | |
| | | |
| 9.4.4.3. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное для управления направленной| |
| |кристаллизацией или формированием| |
| |монокристалла | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении программного обеспечения,| |
| |указанного в пункте 9.4.4.3, см. также| |
| |пункт 9.4.3.2 раздела 2; | |
| | | |
| 9.4.4.4. |Программное обеспечение в виде исходного| |
| |кода, объектного кода или машинного кода,| |
| |требующееся для применения активных| |
| |компенсационных систем в целях управления| |
| |концевыми зазорами рабочих лопаток | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Пункт 9.4.4.4 не применяется к| |
| |программному обеспечению, которое входит в| |
| |состав оборудования или| |
| |требуется для технического обслуживания,| |
| |связанного с калибровкой, ремонтом или| |
| |модернизацией системы управления с| |
| |активной компенсацией зазора | |
| | | |
| 9.4.4.5. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное или модифицированное для| |
| |применения БЛА и взаимосвязанных систем,| |
| |оборудования и компонентов, онтролируемых| |
| |по пункту 9.1.12; | |
| | | |
| 9.4.4.6. |Программное обеспечение, специально| |
| |разработанное для разработки внутренних| |
| |каналов охлаждения рабочих и сопловых| |
| |лопаток газовых турбин и элементов| |
| |бандажа авиационных газотурбинных| |
| |двигателей; | |
| | | |
| 9.4.4.7. |Программное обеспечение, имеющее все| |
| |следующие характеристики: | |
| | | |
| |а) являющееся специально разработанным для| |
| |прогнозирования термодинамических,| |
| |горения в газотурбинных двигателях; и| |
| | | |
| |б) обладающее возможностью прогнозирования| |
| |термодинамических, газодинамических| |
| |характеристик и условий горения на основе| |
| |теоретических моделей, тестированных по| |
| |характеристикам реальных газотурбинных| |
| |двигателей (экспериментальных или| |
| |серийных) | |
| | | |
| 9.5. |Технология | |
| | | |
| |Примечание. | |
| | | |
| |Технологии разработки или производства,| |
| |определенные в пункте 9.5 для газотурбин-| |
| |ных двигателей, остаются таковыми, когда| |
| |они используются как технологии, применя-| |
| |емые для ремонта, модернизации или| |
| |капитального ремонта. Из пункта 9.5| |
| |исключаются технические данные, чертежи| |
| |или эксплуатационная документация,| |
| |непосредственно связанные с поверкой,| |
| |демонтажем или заменой поврежденных или| |
| |неремонтопригодных заменяемых блоков,| |
| |включая замену двигателей в целом или их| |
| |модульных блоков | |
| | | |
| 9.5.1. |Технологии в соответствии с общим| |
| |технологическим примечанием для разработки| |
| |оборудования, определенного в подпункте| |
| |"б" пункта 9.1.1, пунктах 9.1.4-9.1.12 или| |
| |9.2, или программного обеспечения,| |
| |определенного в пункте 9.4 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий, указанных в пункте| |
| |9.5.1, см. также пункт 9.5.1 разделов 2 и| |
| |3 | |
| | | |
| 9.5.2. |Технологии в соответствии с общим| |
| |технологическим примечанием для| |
| |производства оборудования, определенного в| |
| |подпункте "б" пункта 9.1.1, пунктах 9.1.4| |
| |- 9.1.11 или 9.2 раздела 1 | |
| | | |
| |Особые примечания: | |
| | | |
| |1. В отношении технологий, указанных в| |
| |пункте 9.5.2, см. также пункт 9.5.2| |
| |разделов 2 и 3 | |
| | | |
| |2. Для технологии по восстановлению| |
| |контролируемых конструкций из| |
| |композиционных материалов объемной или| |
| |слоистой структуры см. пункт 1.5.2.6 | |
| | | |
| 9.5.3. |Иные технологии, кроме указанных в пунктах| |
| |9.5.1 и 9.5.2: | |
| | | |
| 9.5.3.1. |Технологии, требуемые для разработки или| |
| |производства любых из следующих| |
| |компонентов или систем газотурбинных| |
| |двигателей: | |
| | | |
| 9.5.3.1.1. |Лопаток газовых турбин или элементов| |
| |бандажа, полученных из сплавов| |
| |направленной кристаллизацией (DS) или из| |
| |монокристаллических сплавов (SC), имеющих| |
| |в направлении <001> (по Миллеру) ресурс| |
| |длительной прочности, превышающий 400 ч| |
| |при температуре 1273 К (1000°С) и| |
| |напряжении 200 МПа, базирующийся на| |
| |усредненных показателях свойств материала | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий разработки или| |
| |производства компонентов газотурбинных| |
| |двигателей, указанных в пункте 9.5.3.1.1,| |
| |см. также пункт 9.5.3.1.1 разделов 2 и 3; | |
| | | |
| 9.5.3.1.2. |Многофорсуночных камер сгорания,| |
| |работающих при средних температурах на| |
| |выходе из камеры сгорания выше 1813 К| |
| |(1540°С), или камер сгорания с| |
| |термически разгруженными жаровыми трубами,| |
| |с неметаллическими жаровыми трубами или с| |
| |жаровыми трубами, включающими| |
| |неметаллические сегменты | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий разработки или| |
| |производства компонентов газотурбинных| |
| |двигателей, указанных в пункте 9.5.3.1.2,| |
| |см. также пункт 9.5.3.1.2 раздела 2; | |
| | | |
| 9.5.3.1.3. |Компонентов, изготовленных из любых| |
| |нижеследующих материалов: | |
| |а) композиционных материалов с полимерной| |
| |матрицей, разработанных для применения при| |
| |температуре выше 588 К (315°С); | |
| | | |
| |б) композиционных материалов, определенных| |
| |в пункте 1.3.7, с металлической,| |
| |керамической или интерметаллидной матрицей| |
| |или армированных интерметаллидными| |
| |материалами; или"; | |
| | | |
| |в) композиционных материалов,| |
| |определенных в пункте 1.3.10 и| |
| |изготовленных с использованием полимеров,| |
| |определенных в пункте 1.3.8 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий разработки или| |
| |производства компонентов газотурбинных| |
| |двигателей, указанных в пункте 9.5.3.1.3,| |
| |см. также пункт 9.5.3.1.3 раздела 2 и| |
| |пункт 9.5.3.1.2 раздела 3; | |
| | | |
| 9.5.3.1.4. |Неохлаждаемых рабочих и сопловых лопаток| |
| |газовых турбин, элементов бандажа или| |
| |других компонентов, спроектированных для| |
| |работы в газовом потоке с полной| |
| |температурой (температурой торможения| |
| |потока) 1323 К (1050°С) или выше при| |
| |установившемся режиме работы двигателя в| |
| |условиях международной стандартной| |
| |атмосферы (ISA) на уровне моря | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий разработки или| |
| |производства компонентов газотурбинных| |
| |двигателей, указанных в пункте 9.5.3.1.4,| |
| |см. также пункт 9.5.3.1.4 раздела 2; | |
| | | |
| 9.5.3.1.5. |Охлаждаемых рабочих и сопловых лопаток| |
| |газовых турбин, элементов бандажа,отличных| |
| |от описанных в пункте 9.5.3.1.1 и| |
| |работающих в газовом потоке с полной| |
| |температурой (температурой торможения| |
| |потока) 1643 К (1370°С) или выше при| |
| |установившемся режиме работы двигателя в| |
| |условиях международной стандартной| |
| |атмосферы (ISA) на уровне моря | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |В пунктах 9.5.3.1.4 и 9.5.3.1.5 термин| |
| |"установившийся режим" определяет условия| |
| |работы двигателя, при которых параметры| |
| |двигателя, такие, как сила тяги/мощность,| |
| |число оборотов в минуту и другие, не имеют| |
| |существенных отклонений при постоянных| |
| |значениях температуры окружающей среды и| |
| |давления на входе в двигатель | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий разработки или| |
| |производства компонентов газотурбинных| |
| |двигателей, указанных в пункте 9.5.3.1.5,| |
| |см. также пункт 9.5.3.1.5 раздела 2; | |
| | | |
| 9.5.3.1.6. |Жестко соединенных лопаток с дисками| |
| |газовых турбин; | |
| | | |
| 9.5.3.1.7. |Компонентов газотурбинного двигателя,| |
| |произведенных с использованием технологии| |
| |диффузионной сварки, определенной в| |
| |пункте 2.5.3.2; | |
| | | |
| 9.5.3.1.8. |Элементов ротора газотурбинного двигателя| |
| |из материалов, полученных методом| |
| |порошковой металлургии и определенных в| |
| |пункте 1.3.2.2 | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий разработки или| |
| |производства компонентов, указанных в| |
| |пункте 9.5.3.1.8, см. также пункт| |
| |9.5.3.1.6 раздела 2; | |
| | | |
| 9.5.3.1.9. |Электронно-цифровых систем управления| |
| |газотурбинными двигателями и двигателями с| |
| |комбинированным циклом и относящихся к ним| |
| |диагностических устройств, датчиков и| |
| |специально спроектированных компонентов | |
| | | |
| |Особое примечание. | |
| | | |
| |В отношении технологий разработки или| |
| |производства систем и компонентов,| |
| |указанных в пункте 9.5.3.1.9, см. также| |
| |пункт 9.5.3.1.7 раздела 2; | |
| | | |
|9.5.3.1.10. |Систем регулирования геометрии| |
| |газовоздушного тракта и соответствующих| |
| |систем контроля для: | |
| | | |
| |а) турбин газогенераторов; | |
| | | |
| |б) турбин вентиляторов или свободных| |
| |турбин; | |
| | | |
| |в) реактивных сопел; или | |
| | | |
| |Примечания: | |
| | | |
| |1. Системы регулирования геометрии| |
| |газовоздушного тракта и соответствующие| |
| |системы контроля, указанные в пункте| |
| |9.5.3.1.10, не включают в себя лопатки| |
| |входного направляющего аппарата (ВНА),| |
| |вентиляторы с поворотными лопатками (с| |
| |изменяемым шагом), регулируемые| |
| |направляющие аппараты и клапаны отбора| |
| |воздуха для компрессоров | |
| | | |
| |2. Пункт 9.5.3.1.10 не применяется к| |
| |технологиям разработки или производства| |
| |систем управления геометрией газового| |
| |потока для реверса тяги | |
| | | |
|9.5.3.1.11. |Пустотелых лопаток вентилятора; | |
| | | |
| 9.5.3.2. |Технологии, требуемые для разработки или| |
| |производства любого из следующих изделий: | |
| | | |
| 9.5.3.2.1. |Моделей, предназначенных для испытаний в| |
| |аэродинамических трубах и оборудованных| |
| |бесконтактными датчиками, способными| |
| |передавать данные системе сбора и| |
| |регистрации информации; | |
| | | |
| 9.5.3.2.2. |Лопастей воздушных винтов или| |
| |турбовентиляторных двигателей, выполненных| |
| |из композиционных материалов и| |
| |рассчитанных на мощность более 2000 кВт| |
| |при скорости обтекания воздушного потока| |
| |более 0,55 М; | |
| | | |
| 9.5.3.3. |Технологии, требуемые для разработки или| |
| |производства компонентов газотурбинных| |
| |двигателей, использующие для сверления| |
| |отверстий обработку лазером, водяной| |
| |струей, электрохимическую обработку (ЭХО)| |
| |или станки электроискровой обработки (СЭО)| |
| |для получения отверстий, имеющих любой из| |
| |следующих наборов параметров: | |
| | | |
| 9.5.3.3.1. |Все следующие характеристики: | |
| | | |
| |а) глубина более 4 диаметров; | |
| | | |
| |б) диаметр менее 0,76 мм; и | |
| | | |
| |в) углы наклона, равные или меньше 25| |
| |град.; или | |
| | | |
| 9.5.3.3.2. |Все следующие характеристики: | |
| | | |
| |а) глубина более 5 диаметров; | |
| | | |
| |б) диаметр менее 0,4 мм; и | |
| | | |
| |в) углы наклона более 25 град. | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Применительно к пункту 9.5.3.3 угол| |
| |наклона измеряется от плоскости,| |
| |касательной к поверхности| |
| |аэродинамического профиля в точке, где ось| |
| |отверстия выходит на поверхность; | |
| | | |
| 9.5.3.4. |Технологии, требуемые для разработки или| |
| |производства вертолетных систем передачи| |
| |мощности или систем передачи мощности на| |
| |летательном аппарате с поворотным крылом| |
| |или поворотными винтами; | |
| | | |
| 9.5.3.5. |Технологии разработки или производства| |
| |дизельного двигателя наземной силовой| |
| |установки, имеющего все нижеследующие| |
| |характеристики: | |
| | | |
| |а) общий объем 1,2 куб. м или меньше; | |
| | | |
| |б) полную выходную мощность более 750 кВт,| |
| |измеренную по стандартам 80/1269/ЕЕС, ИСО| |
| |2534 или по их национальным эквивалентам;| |
| |и | |
| | | |
| |в) объемную мощность более 700 кВт/куб. м| |
| |общего объема | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Общий объем: произведение трех линейных| |
| |ортогональных размеров, измеренных| |
| |следующим образом: длина - длина| |
| |коленчатого вала от фланца до наружной| |
| |поверхности маховика; ширина - наибольшее| |
| |из следующих измерений: | |
| | | |
| |а) наибольшее расстояние между крышками| |
| |клапанного механизма; | |
| | | |
| |б) расстояние между наружными кромками| |
| |головок цилиндров; или | |
| | | |
| |в) диаметр кожуха маховика; высота -| |
| |наибольшее из следующих измерений: | |
| | | |
| |а) расстояние от оси коленчатого вала до| |
| |верхней плоскости крышки клапанного| |
| |механизма (или головки цилиндра) плюс| |
| |удвоенная длина хода поршня; или | |
| | | |
| |б) диаметр кожуха маховика | |
| | | |
| 9.5.3.6. |Технологии, требуемые для производства| |
| |специально разработанных компонентов для| |
| |дизельных двигателей с высокой выходной| |
| |мощностью: | |
| | | |
| 9.5.3.6.1. |Технологии, требуемые для производства| |
| |систем двигателя, имеющего все| |
| |нижеперечисленные компоненты,| |
| |изготовленные из керамических материалов,| |
| |определенных в пункте 1.3.7: | |
| | | |
| |а) гильзы цилиндров; | |
| | | |
| |б) поршни; | |
| | | |
| |в) головки цилиндров; и | |
| | | |
| |г) один или более иных компонентов| |
| |(включая выпускные каналы, детали| |
| |турбонаддува, направляющие втулки| |
| |клапанов, сборки клапана или изолированные| |
| |топливные инжекторы); | |
| | | |
| 9.5.3.6.2. |Технологии, требуемые для производства| |
| |систем турбонаддува с одноступенчатыми| |
| |компрессорами, имеющие все следующие| |
| |характеристики: | |
| | | |
| |а) степень сжатия 4 или выше; | |
| | | |
| |б) производительность в диапазоне от 30| |
| |кг/мин до 130 кг/мин; и | |
| | | |
| |в) способность изменять сечение потока| |
| |внутри компрессора или турбины; | |
| | | |
| 9.5.3.6.3. |Технологии, требуемые для производства| |
| |специально спроектированных многотопливных| |
| |систем впрыска топлива (например,| |
| |дизельного и топлива для реактивных| |
| |двигателей), работающих в диапазоне| |
| |изменения вязкости топлива от 2,5| |
| |сантистокса при температуре 310,8 К| |
| |(37,8°С) (дизельное топливо) до 0,5| |
| |сантистокса при температуре 310,8 К| |
| |(37,8°С) (бензин), характеризующихся всем| |
| |нижеследующим: | |
| | | |
| |а) инжектируемым объемом, превышающим 230| |
| |куб.мм на один впрыск в один цилиндр; | |
| | | |
| |б) деталями специально разработанного| |
| |электронного регулятора переключения и| |
| |автоматического измерения характеристик| |
| |топлива для обеспечения определенного| |
| |значения момента вращения с применением| |
| |соответствующих датчиков; | |
| | | |
| 9.5.3.7. |Технологии, требуемые для разработки или| |
| |производства дизельных двигателей с| |
| |высокой выходной мощностью, с твердой,| |
| |газофазной или жидкопленочной (или их| |
| |комбинациями) смазкой стенок цилиндров,| |
| |позволяющей работать при температуре выше| |
| |723 К (450°С), измеряемой на стенке| |
| |цилиндра в верхней предельной точке| |
| |касания верхнего поршневого кольца | |
| | | |
| |Техническое примечание. | |
| | | |
| |Дизельные двигатели с высокой выходной| |
| |мощностью - это двигатели с номинальной| |
| |частотой вращения 2300 об/мин и более при| |
| |приложении среднего эффективного давления| |
| |торможения 1,8 МПа или выше | |
\-----------------------------------------------------------------------/
Если вы являетесь пользователем интернет-версии системы ГАРАНТ, вы можете открыть этот документ прямо сейчас или запросить по Горячей линии в системе.