Electronic semiconductor devices. Terms and definitions
УДК 621.385.83:006.354
ОКС 31.100
Дата введения - 1 марта 2024 г.
Введен впервые
Полужирный и светлый шрифты в тексте не приводятся
Предисловие
1 Разработан Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт")
2 Внесен Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"
3 Утвержден и введен в действие Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 31 октября 2023 г. N 1308-ст
4 Введен впервые
Введение
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области электровакуумных электронно-полупроводниковых приборов.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина во всех видах документации, входящих в сферу действия работ по стандартизации, при этом не входящая в скобки часть термина образует его краткую форму. Краткая форма может быть также представлена аббревиатурой.
Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два (три, четыре и т.п.) термина, имеющие общие терминоэлементы.
В алфавитном указателе данные термины приведены отдельно с указанием номера статьи.
В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.
Приведенные определения допускается при необходимости изменять введением в них производных признаков, раскрывая значения используемых в них терминов с указанием объектов, входящих в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, - светлым.
Термины и определения, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении А.
1 Область применения
Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные электронно-полупроводниковые приборы, применяемые в радиоэлектронной аппаратуре, и устанавливает термины и определения понятий в области электровакуумных электронно-полупроводниковых приборов.
Настоящий стандарт не распространяется на приборы сверхвысокочастотного диапазона (СВЧ).
Термины, установленные настоящим стандартом, предназначены для применения во всех видах документации и литературы в области электронно-полупроводниковых приборов, входящих в сферу работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.
Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и производственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации электровакуумных электронно-полупроводниковых приборов в соответствии с действующим законодательством.
2 Термины и определения
Основные термины и определения
1 электронно-полупроводниковый прибор; ЭПП: Электровакуумный прибор для усиления тока (мощности), в котором используется эффект умножения тока в мишени ЭПП, бомбардируемой электронным лучом.
2 электронно-полупроводниковый прибор с модуляцией по плотности; ЭППП: Электронно-полупроводниковый прибор, в котором входной сигнал управляет плотностью тока электронного луча, попадающего на мишень ЭПП.
3 электронно-полупроводниковый прибор с модуляцией по отклонению; ЭППО: Электронно-полупроводниковый прибор, в котором входной сигнал отклоняет электронный луч в плоскости, перпендикулярной к направлению его движения, изменяя долю полного тока электронного луча, попадающего на мишень ЭПП.
4 электронно-полупроводниковая лампа с сеточным управлением; ЭПЛ: Электронно-полупроводниковый прибор с модуляцией по плотности, в котором управление электронным лучом осуществляется с помощью управляющей сетки.
5 ключевой электронно-полупроводниковый прибор; КЭПП: Электронно-полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в ключевых схемах в качестве коммутаторов импульсов тока короткой длительности.
6 генераторный электронно-полупроводниковый прибор; ГЭПП: Электронно-полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления и генерирования колебаний.
7 эффект умножения тока в ЭПП: Процесс генерации в мишени ЭПП электронно-дырочных пар под воздействием бомбардировки ее электронным лучом.
Конструктивные элементы
8 катодно-сеточный блок ЭПЛ: Совокупность конструктивно объединенных элементов ЭПЛ, исключающая катод и сетку, предназначенная для эмитирования электронов и управления электронным лучом.
9 отклоняющая система ЭППО: Совокупность конструктивно-объединенных элементов ЭППО, предназначенная для отклонения электронного луча в плоскости, перпендикулярной к направлению его движения.
10 корректирующая отклоняющая система ЭППО: Отклоняющая система ЭППО, предназначенная для исходной установки электронного луча.
11 анод ЭПП: Электрод ЭПП, предназначенный для создания ускоряющего и фокусирующего электростатического поля.
Примечание - В случае нескольких анодов различают анод 1, анод 2 и т.д. по порядку их расположения относительно управляющего электрода.
12 мишень ЭПП: Полупроводниковая(ые) структура(ы), в которой(ых) в результате бомбардировки электронным лучом возникает ток за счет генерации электронно-дырочных пар.
Примечание - В качестве мишени, как правило, служат диодные структуры и диоды с барьером Шоттки.
13 блок мишени ЭПП: Совокупность конструктивно объединенных элементов ЭПП, включающая мишень.
14 выводы мишени ЭПП: Выводы блока мишени ЭПП, через которые протекает основной ток внешней электрической цепи.
Примечание - Один из выводов мишени может быть соединен с анодом.
Основные параметры ЭПП и параметры режима
15 напряжение запирания ЭПП: Напряжение управляющего электрода или управляющей сетки ЭПП (измеряется относительно катода), при котором величина тока электронного луча принимает заданную малую величину.
16 пробивное напряжение мишени ЭПП: Напряжение смещения мишени ЭПП, вызывающее пробой перехода мишени, т.е. увеличение тока через переход сверх заданного значения.
17 напряжение [ток] начального смещения электронного луча ЭППО: Напряжение [ток] корректирующей отклоняющей системы ЭППО, необходимое для смещения электронного луча в исходное положение при нулевом значении входного напряжения отклоняющей системы.
18 ток утечки мишени ЭПП: Ток мишени ЭПП без воздействия на нее электронного луча при заданных напряжении смещения мишени и температуре мишени.
19 ток мишени ЭПП: Ток входной цепи ЭПП.
20 напряжение смещения мишени ЭПП: Разность потенциалов между выводами мишени ЭПП.
Примечание - Направление приложения напряжения соответствует обратному направлению перехода мишени (повышению потенциального барьера перехода).
21 напряжение смещения управляющего электрода [управляющей сетки] ЭПП: Постоянное напряжение управляющего электрода [управляющей сетки] ЭПП.
22 напряжение катода: Разность потенциалов между катодом и общей точкой ЭПП.
23 входное напряжение сетки ЭПЛ: Изменяющееся напряжение, подаваемое на управляющую сетку ЭПЛ, вызывающее изменение тока электронного луча.
24 рабочее напряжение управляющего электрода ЭППО: Напряжение управляющего электрода ЭППО (измеряется относительно катода), обеспечивающее заданный уровень тока электронного луча.
25 входное напряжение (отклоняющей системы ЭППО): Напряжение, подаваемое на вход отклоняющей системы ЭППО и осуществляющее отклонение электронного луча в плоскости перпендикулярной его движению.
26 длительность фронта импульса тока мишени ЭПП: Время увеличения тока мишени ЭПП от заданного нижнего уровня до заданного верхнего уровня (в процентах от максимального значения) при подаче отпирающего импульса.
Примечание - Как правило, рассматривают уровни 10 % и 90 %.
27 длительность спада импульса тока мишени ЭПП: Время уменьшения тока мишени ЭПП от заданного верхнего уровня до заданного нижнего уровня (в процентах от максимального значения).
Примечание - Как правило, рассматривают уровни 90 % и 10 %.
28 мощность, рассеиваемая мишенью ЭПП: Мощность, рассеиваемая блоком мишени ЭПП в виде тепла.
Алфавитный указатель терминов на русском языке
анод ЭПП |
|
блок мишени ЭПП |
|
блок ЭПЛ катодно-сеточный |
|
выводы мишени ЭПП |
|
ГЭПП |
|
длительность спада импульса тока мишени ЭПП |
|
длительность фронта импульса тока мишени ЭПП |
|
КЭПП |
|
лампа с сеточным управлением электронно-полупроводниковая |
|
мишень ЭПП |
|
мощность, рассеиваемая мишенью ЭПП |
|
напряжение входное |
|
напряжение запирания ЭПП |
|
напряжение катода |
|
напряжение мишени ЭПП пробивное |
|
напряжение начального смещения электронного луча ЭППО |
|
напряжение отклоняющей системы ЭППО входное |
|
напряжение сетки ЭПЛ входное |
|
напряжение смещения мишени ЭПП |
|
напряжение смещения управляющего электрода ЭПП |
|
напряжение смещения управляющей сетки ЭПП |
|
напряжение управляющего электрода ЭППО рабочее |
|
прибор с модуляцией по отклонению электронно-полупроводниковый |
|
прибор с модуляцией по плотности электронно-полупроводниковый |
|
прибор электронно-полупроводниковый |
|
прибор электронно-полупроводниковый генераторный |
|
прибор электронно-полупроводниковый ключевой |
|
система ЭППО отклоняющая |
|
система ЭППО отклоняющая корректирующая |
|
ток мишени ЭПП |
|
ток начального смещения электронного луча ЭППО |
|
ток утечки мишени ЭПП |
|
ЭПЛ |
|
ЭПП |
|
ЭППО |
|
ЭППП |
|
эффект умножения тока в ЭПП |
Ключевые слова: приборы электронно-полупроводниковые, термины, определения.
Если вы являетесь пользователем интернет-версии системы ГАРАНТ, вы можете открыть этот документ прямо сейчас или запросить по Горячей линии в системе.
Национальный стандарт РФ ГОСТ Р 71070-2023 "Приборы электронно-полупроводниковые. Термины и определения" (утв. и введен в действие приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 31 октября 2023 г. N 1308-ст)
Опубликование:
Российский институт стандартизации, Москва, 2023 г.
Дата введения - 1 марта 2024 г.