Постановление Совета Министров Союзного государства от 6 октября 2011 г. N 26 "О научно-технической программе Союзного государства "Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе" (с изменениями и дополнениями)

Постановление Совета Министров Союзного государства
от 6 октября 2011 г. N 26
"О научно-технической программе Союзного государства "Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе"

С изменениями и дополнениями от:

11 октября 2013 г.


Совет Министров Союзного государства постановляет:

1. Утвердить научно-техническую программу Союзного государства "Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе" (шифр "Прамень"), далее - Программа, представленную Министерством промышленности и торговли Российской Федерации и Национальной академией наук Беларуси (прилагается).

2. Осуществить финансирование Программы в 2011 - 2014 годах из бюджета Союзного государства в объеме 1184000,0 тыс. рублей, в том числе за счет долевых отчислений Российской Федерации - 770000,0 тыс. рублей, за счет долевых отчислений Республики Беларусь - 414000,0 тыс. рублей.

3. Финансирование Программы в 2011 году в объеме 134440,0 тыс. рублей (доля Российской Федерации - 87340,0 тыс. рублей, доля Республики Беларусь - 47100,0 тыс. рублей) осуществлять в соответствии со статьей 12 Декрета Высшего Государственного Совета Союзного государства от 17 марта 2011 г. N 1 "О бюджете Союзного государства на 2011 год" по согласованию с Парламентским Собранием Союза Беларуси и России.

4. Постоянному Комитету Союзного государства в месячный срок внести изменения в сводную бюджетную роспись доходов и расходов бюджета Союзного государства на 2011 год по расходам, предусмотренным в пункте 3 настоящего постановления, и направить необходимые документы о внесении изменений в установленном порядке в Министерство финансов Республики Беларусь и Министерство финансов Российской Федерации.

5. Настоящее постановление вступает в силу со дня его подписания.


Председатель Совета Министров
Союзного государства

В. Путин


Информация об изменениях:

Постановлением Совета Министров Союзного государства от 11 октября 2013 г. N 5 Программа изложена в новой редакции

См. текст Программы в предыдущей редакции

Научно-техническая программа Союзного государства
"Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе" на 2011-2015 годы (Шифр "Прамень")
(утв. постановлением Совета Министров Союзного государства от 6 октября 2011 г. N 26)
(в редакции постановления Совета Министров Союзного государства от 11 октября 2013 г. N 5)


Перечень
сокращений, условных обозначений, символов, единиц и терминов


Обозначение

Описание

АФАР

Активная фазированная антенная решетка

Дж

Джоуль - единица измерения энергии

ИК

Инфракрасный

КПД

Коэффициент полезного действия

МИС

Монолитная интегральная схема

ППМ

Приёмо-передающий модуль

РЛС

Радиолокационная станция

РЭБ

Радиоэлектронная борьба

СВЧ

Сверхвысокие частоты

ЭКБ

Электронная компонентная база

кГЦ

Килогерц - единица измерения частоты, 1 Кц = Гц

ГГЦ

Гигагерц - единица измерения частоты, 1 ГГц = Гц

мкм

Микрометр - единица измерения длины и расстояния, 1 мкм = м

нм

Нанометр - единица измерения длины и расстояния, 1 нм = м

Вт

Ватт - единица измерения мощности

мВТ

Милливатт - единица измерения мощности, 1 мВт = Вт

нс

Наносекунда единица измерения времени, 1 не = с

Лямбда - обозначение длины волны излучения


1. Содержание проблемы, обоснование ее актуальности и необходимости разработки и реализации Программы для решения проблемы


Одним из важных аспектов сотрудничества Российской Федерации и Республики Беларусь, декларированных Договором о создании Союзного государства от 8 декабря 1999 года, является создание и эффективное функционирование общего научно-технического и производственного потенциала на основе реализации совместных научно-технических программ с учетом тенденций и перспектив научно-технического прогресса ведущих стран мирового сообщества.

Научно-техническая программа Союзного государства "Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе" (шифр "Прамень"), далее Программа, разработана Министерством промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) и Национальной академией наук Республики Беларусь (НАН Беларуси) в соответствии с Постановлением Совета Министров Союзного государства от 06 октября 2011 г. N 26.

Программа сформирована с учетом проекта государственной программы "Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности" (перечень государственных программ Российской Федерации утвержден распоряжением Правительства Российской Федерации от 11.11.2010 г. N 1950-р), а также с учетом результатов федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2002-2006 годы, целей и задач федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники на 2008-2015 годы" (утверждена постановлением Правительства Российской Федерации от 26.11.2007 г. N 809), перечня критических технологий Российской Федерации (Указ Президента Российской Федерации от 07.07.2011 г. N 899), Перечня технологических платформ, утвержденного решением президиума Правительственной комиссии по высоким технологиям и инновациям от 21.02.2012 г. N 2 (технологическая платформа "СВЧ технологии"), Указа Президента Республики Беларусь от 06.07.2005 г. N 315 "Об утверждении приоритетных направлений научно-технической деятельности в Республике Беларусь", "Государственной программы развития радиоэлектронной промышленности Республики Беларусь на 2006-2010 годы" (постановление Совета Министров Республики Беларусь от 20.12.2005 г. N 1493).

Программа направлена на решение задач обеспечения жизнедеятельности, безопасности, качества жизни и экономики современных высокоразвитых государств, которые во все большей степени решаются с применением сложных технических систем, в первую очередь на основе прорывных технологий наноэлектроники и микроэлектроники, так как они позволяют обеспечить реализацию важнейших стратегических вопросов развития государств - участников Союзного государства, в том числе:

- укрепление обороноспособности;

- эффективное развитие ключевых отраслей народного хозяйства - связи, телекоммуникаций, высокопроизводительных систем и устройств хранения, обработки и передачи информации, всепогодной радиолокации,транспорта и других;

- повышение уровня качества жизни граждан, на основе реализации результатов разработок в области микроэлектроники, оптоэлектроники и радиоэлектроники, направленных на решение социально-значимых задач, таких как повышение безопасности и эффективности воздушного, морского и автомобильного транспорта, контроль окружающей среды с целью повышения уровня экологической безопасности, медицинского обслуживания и других аспектов социально-экономического развития.


1.1 Содержание проблемы


В настоящее время проблема создания наноэлектронных гетероструктур на различных полупроводниковых, в том числе на широкозонных материалах является одной из наиболее значимых и наиболее сложных проблем в физико-технологическом аспекте их реализации. Она становиться еще более актуальной для решения перспективных в научном и практическом плане задач достижения высоких технических и эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона.

Полупроводниковые гетероструктуры представляют собой сложные структуры, изготавливаемые путем эпитаксиального выращивания двух и более монокристаллических слоев полупроводниковых материалов различного химического состава с толщинами слоев от нескольких единиц до сотен нанометров, в которых важнейшая роль принадлежит переходному слою, т.е. границе раздела двух веществ (материалов). Конструкция и качество изготовления полупроводниковых гетероструктур определяют предельные свойства всех современных твердотельных электронных и оптоэлектронных изделий.

Поэтому именно полупроводниковые гетероструктуры являются фундаментальной основой для создания современных электронных и оптоэлектронных приборов и все шире применяются в науке, промышленности, связи, энергетике, коммунальном хозяйстве, медицине, на транспорте, а также для создания устройств специального назначения (радиолокация, системы связи, аппаратура РЭБ, радиоразведка и приборы ночного видения).

На приборах с гетероструктурами построены многие устройства средств связи, суммарный мировой годовой объём выпуска которых составляет в денежном выражении 160 млрд. долларов.

СВЧ МИС занимают всё более значимое место в общем мировом выпуске интегральных схем, общий объём которых составляет более 3,6 млрд. долларов в год. Полупроводниковые лазеры, разработка технологии производства которых предлагается в большинстве мероприятий Программы, выпускаются в мире в объёме более 3 млрд. долларов в год, при этом удельный вес полупроводниковых лазеров в общемировом объёме производства лазеров постоянно увеличивается.

В основе всех новейших технологий полупроводниковых приборов лежит фундаментальное понятие гетероструктуры как главнейшего из новейших структурных образований, основанного на квантоворазмерных эффектах в физических конструкциях при применении современных полупроводниковых материалов. Разнообразие типов и параметров разрабатываемых СВЧ-транзисторов и МИС, лазеров и других оптоэлектронных приборов на различные частоты излучения, а также требование организации их промышленного производства приводит к необходимости создания промышленных технологий целого семейства гетероструктур с оптимальной для каждого применения конструкцией.

Причины возникновения проблемы. Основной причиной возникновения проблемы для Российской Федерации и Республики Беларусь является тот факт, что в последние годы снижены темпы развития полупроводниковой электроники и прежде всего из-за отсутствия технологического оборудования, обеспечивающего проектные нормы менее 100 нм и соответствующие технологии. Это может сказаться на уровне социально-экономического развития и особо на обороноспособности государств - участников Союзного государства.

Обоснование необходимости решения проблемы. Проблемой, решаемой при реализации Программы, является:

- разработка перспективных конструктивно-технологических решений полупроводниковых гетероструктур, необходимых для создания конкурентоспособных изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений специального и двойного применения;

- получение опережающих научно-технических и практических результатов, позволяющих ликвидировать существующее технологическое отставание при разработке и производстве полупроводниковых гетероструктур;

- решение задач импортозамещения и разработки на принципиально новой конструктивно-технологической основе перспективных систем для широкого круга социально-экономических задач и задач оборонного назначения государств - участников Союзного государства.

В целом выполнение Программы позволит внести существенный вклад в выполнение задач, стоящих перед полупроводниковой СВЧ техникой в части создания и освоения серийного производства широкой номенклатуры МИС в наиболее востребованных в настоящее время диапазонах сантиметровых и миллиметровых длин волн.

Не менее важным в плане обеспечения обороноспособности государств - участников Союзного государства является разработка технологии изготовления полупроводниковых лазеров, предусмотренная в Программе. Основные области применения разрабатываемых в Программе лазерных полупроводниковых диодов и излучателей охватывают лазерные и светодиодные системы инфракрасной подсветки приборов ночного видения, бортовые волоконно-оптические линии связи, беспроводную оптическую связь, лазерные дальномеры, целеуказатели, системы наведения высокоточного оружия, медицинские системы лазерной терапии двойного назначения, ИК-спектрометры для обнаружения газов и взрывчатых веществ.

Выполнение предлагаемой Программы позволит создать необходимую компонентную базу - то есть фундамент для совершенствования и развития нового поколения систем специального и двойного назначения. На основе разрабатываемых в программе мощных СВЧ-транзисторов на гетероструктурах широкозонных полупроводников будут созданы новые поколения АФАР для локаторов наземного, корабельного воздушного базирования, систем ПВО. Новая ЭКБ позволит повысить предел дальности обнаружения цели в 1,8 - 2 раза, разрешение по дальности и угловым координатам систем ПВО в 2 - 2,5 раза. Использование разрабатываемой ЭКБ в истребителях пятого поколения позволяет увеличить дальность обнаружения цели со 110 км до 200 км, что увеличивает эффективность данного вида вооружения в 14 - 17 раз по сравнению с истребителями четвёртого поколения.

Даже краткое перечисление применений СВЧ-транзисторов, МИС, полупроводниковых лазеров свидетельствует об исключительной необходимости решения проблем, сформулированных в Программе. Технологии создания полупроводниковых гетероструктур, разрабатываемые в данной Программе - одна из немногих научно-технических областей, где сохранился и поддерживается на мировом уровне научный, технологический и кадровый потенциал, как в Российской Федерации, так и в Республике Беларусь. Именно на использовании этого фактора и планируется разработка инновационных электронных компонент и приборов. Теоретическая база, связанная с разработкой гетероструктур, по научно-техническим направлениям предусмотренным в настоящей Программе, базируется на работах академика РАН России Ж.И. Алферова, за которые он удостоен Нобелевской премии.


1.2 Обоснование актуальности Программы для решения проблемы


Актуальность Программы состоит в разработке инновационных технологий создания гетероструктур на основе неорганических полупроводниковых материалов и широкой номенклатуры СВЧ-транзисторов, МИС и полупроводниковых лазеров. Разрабатываемые в Программе технологии относятся к критическим в соответствии с перечнем "Приоритетных направлений развития науки, технологий и техники и перечня критических технологий Российской Федерации" (утвержден Указом Президента Российской Федерации от 07.07.2011 г. N 899) и включают в свой состав нанотехнологии и наноматериалы, технологии создания электронной компонентной базы, а также технологии обработки, хранения, передачи и защиты информации, в Республике Беларусь соответствуют Указу Президента Республики Беларусь от 22 июля 2010 г. N 378 "Об утверждении приоритетных направлений научно-технической деятельности в Республике Беларусь на 2011 - 2015 годы" (в разделах соответствующих критическим технологиям: эпитаксиальные технологии полупроводниковых наногетероструктур; производство лазерно-оптического и плазменного оборудования и приборов; производство электронных приборов и устройств, в том числе сверхвысокочастотного диапазона, на основе квантоворазмерных гетероструктур) и Постановлению Совета Министров Республики Беларусь от 19 апреля 2010 г. N 585 "Об утверждении перечня приоритетных направлений фундаментальных и прикладных научных исследований Республики Беларусь на 2011-2015 годы" по разделам новые оптические, волоконно-оптические и нелинейно-оптические компоненты, материалы и покрытия; новые материалы для приборов функциональной микро-, опто-, нано- и СВЧ-электроники.


1.3 Обоснование необходимости разработки и реализации Программы для решения проблемы


Программа объединяет в себе мероприятия, результатом реализации которых будет являться не только создание конкретных СВЧ-транзисторов и лазеров, но и разработка перспективных промышленных технологий полупроводниковых квантово-размерных гетероструктур. Разрабатываемые технологии являются основой для развития ряда направлений микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники. Объединение усилий российских и белорусских предприятий совместно с национальными академиями наук послужит созданию основы развития научно-производственного потенциала государств - участников Союзного государства в этих областях электронной промышленности.

Все предлагаемые к разработке технологии, приборы и устройства соответствуют лучшим мировым образцам, а по некоторым параметрам и превосходят их, что обеспечит превышение указанного паритета к 2015 году. Следует учесть, что некоторые разрабатываемые технологии и приборы находятся в списке "ограниченных" к поставке государствам-участникам Союзного государства. Поэтому реализация предлагаемой Программы позволит, параллельно с созданием передовой технологической базы микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники, обеспечить конкурентоспособность, независимость и безопасность государств - участников Союзного государства по отношению к ведущим странам мирового сообщества.

Целесообразность реализации Программы в рамках Союзного государства обусловлена наличием совместных разработок академических институтов государств - участников Союзного государства, а также выполненными ранее работами рядом российских и белорусских предприятий. Эти работы показывают наличие существенного научного и технического задела, что подготавливает серьезную почву для обеспечения успешного выполнения поставленных в Программе проблем при относительно низких затратах на ее выполнение.

По оценкам экспертов Российской академии наук и Национальной академии наук Республики Беларусь разрабатываемые технологии и приборы имеют высокий уровень востребованности как на российском и белорусском, так и на мировом рынках.

Все научно-технические мероприятия, содержащиеся в Программе, полностью соответствуют государственным приоритетам Российской Федерации и Республики Беларусь по развитию науки, технологий и техники.

В Российской Федерации соответствуют ряду пунктов "Приоритетных направлений развития науки, технологий и техники и перечня критических технологий Российской Федерации" (утвержден Указом Президента Российской Федерации от 07.07.2011 г. N 899), а именно: "Безопасность и противодействие терроризму", "Индустрия наносистем", "Информационно-телекоммуникационные системы", "Перспективные виды вооружения, военной и специальной техники", "Транспортные и космические системы", "Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика". Предлагаемые программные мероприятия развивают и дополняют мероприятия действующих в настоящее время федеральных целевых программ: "Развитие оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации на 2007-2010 годы и на период до 2015 года", "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технического комплекса России на 2007-2012 годы". В Республике Беларусь - Указу Президента Республики Беларусь от 22.07.2010 г. N 378 "Об утверждении приоритетных направлений научно-технической деятельности в Республике Беларусь на 2011-2015 годы" и Постановлению Совета Министров Республики Беларусь от 19.04.2010 г. N 585 "Об утверждении перечня приоритетных направлений фундаментальных и прикладных научных исследований Республики Беларусь на 2011-2015 годы".


2. Цели и задачи, срок реализации, показатели оценки достижения целей Программы


2.1 Цели и задачи Программы


Целью Программы является создание конструкций и технологий производства перспективных полупроводниковых гетероструктур и на их основе конкурентоспособных изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений специального и двойного применения для решения широкого круга социально-экономических и оборонных задач государств - участников Союзного государства, в том числе импортозамещающих изделий, по своим количественным характеристикам и параметрам отвечающих перспективным требованиям по частотам и длинам волн, удельным мощностям, срокам службы и другим эксплуатационным характеристикам, а также конкурентоспособной продукции на рынках государств - участников Союзного государства и мирового сообщества.

Заявляемая цель в соответствии с Договором о создании Союзного государства (статьи 17 и 18 Договора), обеспечивает развитие вооруженных сил и реализацию других мер для поддержания обороноспособности государств - участников Союзного государства на основе совместной разработки и производства оборонного и других государственных заказов, формирование общего научного, технологического и информационного пространства, решение задач охраны окружающей среды, экологической безопасности, предупреждения природных и техногенных катастроф и ряда других.

Задачами Программы являются:

1. Разработка конструктивно-технологических решений гетероструктур в системах материалов , и для нескольких групп применений в областях микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений, которые должны обеспечивать стандартизацию конструкций по областям применения и промышленное производство гетероструктур на пластинах диаметром не менее 76 мм;

2. Разработка технологий промышленного производства групп изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений на основе конструктивно-технологических решений гетероструктур и технологий их промышленного производства, которые должны соответствовать базовым технологиям Временного положения "Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Пластины с кристаллами заказанных элементов. Общие технические условия", ФГУ 22ЦНИИИ Минобороны России, 2009 г. и могут быть использованы в качестве технологий двойного применения;

3. Разработка конструкций и отработка технологий промышленного производства изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений с использованием разработанных в Программе гетероструктур и технологий их производства.

Реализация задач Программы позволяет обеспечить разработку:

1. Технологии изготовления гетероструктур на полупроводниковых материалах группы и СВЧ МИС с перспективными требованиям по частотам и длинам волн (в том числе Х-диапазона 8-12 ГГц, К - диапазона в 36 ГГц и W -диапазона в 93 ГГц, сроком службы до 20000 часов и удельным мощностям, соответствующим зарубежным аналогам и другим эксплуатационным характеристикам для создания на их основе новейших систем радиолокации с АФАР и радиовидения, имеющих двойное применение;

2. Технологии изготовления гетероструктур с двойным электронным ограничением на базе широкозонных полупроводников, позволяющих изготавливать СВЧ-транзисторы, гибридно-монолитные и монолитные интегральные схемы частотного диапазона выше 10 ГГц, повышенной мощности (до 5 Вт/мм) и высокой радиационной стойкости для создания на их основе систем глобальной космической связи, радиолокации и мобильных систем связи двойного применения.

3. Технологии изготовления мощных полупроводниковых лазеров (мощность до 15 Вт) и сверхмощных лазерных линеек и матриц (мощность до 5 кВТ) в ближней и средней ИК областях (с длиной волны генерации нм) и наработкой на отказ по числу импульсов на структурах мышьяковых соединений для создания на их основе систем целеуказания, метрологии, строительства, мониторинга окружающей среды, медицинского назначения и спецприменений;

4. Принципиально нового лазерного излучателя в зелёной области спектра на основе конвертора соединений нитридов третьей группы и селенидов второй группы для создания на их основе перспективных оптических систем, в том числе с длиной волны генерации 500-550 нм.

В рамках настоящей Программы разработке и последующей коммерциализации подлежат следующие группы изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений:

- СВЧ монолитные интегральные схемы миллиметрового диапазона длин волн для развития систем связи, радиолокационных станций и систем радиопротиводействия;

- мощные СВЧ транзисторы и СВЧ монолитные и гибридно-монолитные интегральные схемы для ППМ АФАР;

- мощные непрерывные диодные лазеры и сверхмощные квазинепрерывные лазерные линейки и матриц;

- лазерные источники накачки твердотельных лазеров и лазерных излучателей дальномеров;

- мощные полупроводниковые импульсные лазеры ближнего ИК-диапазона;

- полупроводниковые лазеры и светодиоды на среднюю ИК-область спектра;

- QWIP-матрицы для фотоприёмных модулей в двух средних ИК-диапазонах;

- полупроводниковые лазерные конвертеры зеленого спектрального диапазона.

Детальный перечень продукции, разрабатываемой в рамках Программы с указанием областей ее применения, приведен в Таблице 5 "Перечень создаваемой по Программе "Прамень" электронной продукции, области её применения и прогнозируемые потребность и объёмы спроса производства в 2016 г.".

Необходимость разработки указанных изделий определена на основании их потребности в новых или усовершенствованных технологиях, комплектующих изделиях предприятий-изготовителей продукции для ВПК, транспорта, метеорологии, медицины, металлообработки и других, что обеспечивает достижимость цели Программы.

Решение задач Программы осуществляется путем выполнения комплекса совместных мероприятий Таблица 2 "Перечень мероприятий, содержание работ, результаты, сроки их выполнения по программе "Прамень".

Реализация Программы в части освоения технологии создания мощных СВЧ приборов, импульсных и непрерывных полупроводниковых лазеров ближнего и среднего ИК-диапазона позволит сэкономить значительные валютные средства за счет отказа от закупок зарубежных материалов и комплектующих. При существующих ограничениях на продажу в ряд стран СНГ высокотехнологичных изделий, реализация мероприятий Программы открывает широкие возможности для разработки и серийного изготовления конкурентоспособной на мировом рынке продукции, для защиты рынков Российской Федерации и Республики Беларусь от иностранных производителей.

Использование научно-технической продукции, полученной при реализации мероприятий данной Программы, будет осуществляться в порядке, установленном национальными законодательствами и принятыми нормативно-правовыми актами Союзного государства по урегулированию вопросов, касающихся права собственности на результаты совместной научно-технической деятельности.

Созданные новые виды лазерных приборов, устройств преобразования световой энергии, СВЧ-элементов для перспективных систем передачи данных, основанных на теории квантовой оптики, квантовых и нанотехнологий, предусмотренных к выполнению в Программе "Прамень", будут предложены для их использования в разработках Фонда "Сколково".


2.2 Срок реализации Программы


Программу предлагается реализовать за 5 лет, в срок с 2011 г. по 2015 г.


2.3 Показатели оценки достижения целей Программы


Количественные и качественные результаты, намечаемыми к достижению в результате реализации цели Программы являются:

- Общее количество разработанных образцов изделий, в том числе:

- количество разработок, выполненных по Программе, которые превосходят технические требования аналогичных мировых разработок по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам по отношению ко всем разработкам;

- количество разработок, выполненных по Программе, отвечающих перспективным техническим требованиям по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам по отношению ко всем разработкам;

- количество разработок, выполненных по Программе, которые отвечают техническим требованиям по импортозамещению по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам по отношению ко всем разработкам;

- Количество патентов и других объектов интелектуальной# собственности (научно-техническая документация).

- Количество разработанных технологий.

Указанные целевые индикаторы равным образом применимы к каждому мероприятию Программы.

Определение целевого индикатора выполнения Программы базируется на технических параметрах электронных изделий и приборов, построенных на соответствующих гетероструктурах (Таблица 1).


Таблица 1


Технические параметры электронных изделий и приборов по Программе


N

Наименование технических параметров

Электронные изделия и приборы

Единица измерения

2011 г.

2015 г.

Мировые показатели*

1

Частотный диапазон

Тестовый транзистор характеризации гетероструктур InAlAs/InGaAs

ГГц


93

93

2

Плотность поверхностных дефектов

Эпитаксиальные гетероструктуры InAlAs/InGaAs

300-500

80-120

80-120

3

Плотность дислокаций

Слои полупроводниковых гетероструктур GaN

4

Удельная мощность на единицу ширины затвора

Полевой транзистор на GaN

Вт/мм

5

Выходная мощность в непрерывном режиме

Полевой транзистор на GaN

Вт

6

МИС усилителя мощности на частоте 10 ГГц

-

20

5

7

Гибридно-монолитный усилитель мощности на частоте 10 ГГц

-

30

20

8

Выходная оптическая мощность

Непрерывные полупроводниковые диодные лазеры

9

Модули с волоконным выводом

100-200

10

Сверхмощные лазерные линейки

100

11

Сверхмощные лазерные матрицы

<10000

12

Импульсные диодные лазеры

с длиной волны мкм

Вт

150-300

13

с длиной волны мкм

Вт

Отсутствуют

14

Полупроводниковый лазерный конвертор

Вт

Отсутствуют

15

Импульсных лазерных диодов

Вт

50 -100

200-300

100 - 200

16

Энергия в импульсе

Импульсные твердотельные лазеры с диодной накачкой

с длиной волны мкм

мДж

1,5-3

17

с длиной волны мкм

1-2

с длиной волны мкм

3

18

Излучатели для дальномеров на длине волны 1,5 мкм

6,5 - 10

19

Излучатели для дальномеров на длине волны 1,06 мкм

-

80

60

20

Удельная выходная оптическая мощность

Непрерывные диодные лазеры

мВт/мкм

21

Импульсные диодные лазеры с длиной волны

1000-1500

22

Импульсные диодные лазеры с длиной волны мкм

Отсутствуют


* - В качестве мировых показателей принят диапазон параметров продуктов, производимых или тех, о начале производства которых объявлено ведущими зарубежными компаниями, удерживающими совокупно более 50% мирового рынка соответствующих продуктов. Данные показатели являются обобщением опубликованных данных за последний календарный год. Список использованных источников приведён ниже:

1) Laser Focus World Issue 1 January 2011. ANNUAL REVIEW AND FORECAST

2) Laser Focus World Issue 12 December 2010 Global laser market expected to recover positive trend in 2010

3) Laser Technik Journal Issue 3, June 2010 Resetting the Laser Market Growth Returns, but to a More "Grown Up" Industry Volume 7, Issue 3, June 2010 r.

4) Europhotonics July 2010 European Laser Market Looks Up, Despite a Down Economy

5) Лазер Информ (Бюллетень Лазерной Ассоциации N 3-12, 2010.

6) R&D Magazine, 2010 - 2011.

7) LED's magazine March 2010 LCD backlights and lighting drive largest growth yet seen in HB-LED market

8) Online Digests of The International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology "Sharing Ideas Throughout the Industry" http://gaasmantech.org/. 2010 - 2011

9) Microwave Journal. Online issues http://www.mwjournal.com/Journal/, 2010 - 2011

10) Microvawe Products Digest. Online issues http://www.mpdigest.com, 2010 - 2011

11) Military & Aerospace Electronics. Online issues http://www.militaryaerospace.com, 2010 - 2011

12) Digests of IEEE MTT-S International Microwave Symposiums. Online at http://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome.isp?punumber=00460 , 2010 - 2011

13) Proceedings of IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposiums. Online at http://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome.isp?punumber=1000611, 2010 - 2011.

Обзоры:

1) Мировой и российский рынок лазерного оборудования (лазеров). Автор: Discovery Research Group, февраль 2011

2) Маркетинговое исследование рынка лазерного оборудования (лазеров) Автор: Маркетинговая группа Techart, Май 2010

3) The Worldwide Market for Lasers: Market Review and Forecast 2011. Автор: Strategies Unlimited, апрель 2010


3. Система мероприятий Программы


Программа включает научно-исследовательские и опытно-конструкторские (НИОКР) работы, направленные на восстановление на новом уровне паритета с постоянно прогрессирующей аналогичной зарубежной техникой. В Программе учтены первоочередные потребности в гетероструктурах нового поколения, приборов и систем на их основе для предприятий и организаций Республики Беларусь и Российской Федерации, занимающихся созданием средств гражданской, специальной техники и техники двойного применения.

Предлагаемая Программа направлена на решение ряда сложных научно-технических проблем и носит комплексный характер. Для обеспечения достижения поставленной цели и оптимального решения всех задач применен программно-целевой подход, обеспечивающий системное решение поставленных задач в рамках единой научно-технической программы для развития научно-технологического потенциала государств - участников Союзного государства для производства современной инновационной конкурентоспособной радиоэлектронной продукции и дальнейшего развития кооперационных связей России и Беларуси.


3.1 Программные мероприятия и проблемы, решаемые при их реализации


Для достижения поставленной цели Программы, по реализации сформулированных в Программе задач, работы будут выполняться по следующим важнейшим мероприятиям, которые направлены на решение определенных проблем.

Мероприятие 1. ОКР "Разработка ряда СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфных и метаморфных гетероструктур соединений ".

Конечный продукт предназначен для производства приемопередатчиков систем передачи информации по скрытым и защищенным цифровым радиоканалам и приемопередающих модулей АФАР бортовых систем самонаведения.

Проблема. В Российской Федерации и в Республике Беларусь в настоящее время нет технологий изготовления полупроводниковых гетероструктур, обеспечивающих производство элементной базы в частотных диапазонах от К до W-диапазонов, отсутствуют современные методы проектирования интегральных схем на основе таких гетероструктур, что полностью исключает развитие широкого класса радиоэлектронных устройств, работающих на частотах 36 и 93 ГГц.

Способы решения данной проблемы.

1. Разработать на технологической базе российских предприятий промышленные технологии роста псевдоморфных, метаморфных и гибридных типа FET/HBT гетероструктур AlGalnAs, реализованные на установках молекулярно-пучковой эпитаксии российского производства. Данный способ решения позволит после завершения Программы наладить промышленное производство гетероструктур в необходимых количествах вне зависимости от импортного технологического оборудования.

2. В процессе разработки технологии роста гетероструктур в тесной кооперации с предприятиями Российской Федерации и Республики Беларусь (с использованием опыта и программных продуктов, а также технологических возможностей предприятий) разработать библиотеку стандартных элементов, принципов и правил проектирования интегральных схем и систем на кристалле на основе псевдоморфных, метаморфных и гибридных типа FET/HBT гетероструктур. После завершения Программы такое решение позволит организовать производство СВЧ микросхем по принципу дизайн-центр и кристальное производство. К созданной производственной схеме в дальнейшем могут быть подключены любые заинтересованные предприятия электронной промышленности обоих государств.

Мероприятие 2. ОКР "Разработка мощных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем для приёмопередающих модулей активных фазированных антенных решёток на основе гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением".

Конечный продукт предназначен для производства метеолокаторов, локаторов наземного, корабельного, воздушного базирования, систем ПВО.

Проблема. В Российской Федерации и в Республике Беларусь в настоящее время нет технологий изготовления полупроводниковых гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением, обеспечивающих производство элементной базы для активных фазированных антенных решёток. Отсутствуют современные методы проектирования интегральных схем на основе таких гетероструктур, что полностью исключает разработку и производство широкого класса радиоэлектронных устройств двойного применения повышенной мощности и повышенной температурной стойкости.

Способы решения проблемы.

1. Разработать на технологической базе российских предприятий промышленную технологию роста гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением. В процессе отработки конструкции и предварительного технологического процесса выращивания гетероструктуры исследовать полученные гетероструктуры на предприятии в Республике Беларусь, где имеется необходимое оборудование и технологический опыт, на оптимальность с точки зрения приборного применения. По результатам тестирования доработать конструкцию гетероструктуры и довести технологию выращивания до промышленного уровня на однотипных отечественных установках молекулярно-пучковой эпитаксии большей производительности. Такое решение позволит после завершения Программы наладить производство гетероструктур в необходимых количествах вне зависимости от импортного технологического оборудования.

2. В процессе разработки технологии роста гетероструктур на основе тесной кооперации предприятий обоих государств (с использованием опыта, программных продуктов и имеющихся технологических возможностей предприятий) разработать физическую модель СВЧ-транзистора, физико-топологический базис, принципы и Правила проектирования (Design Kit) монолитных интегральных схем на основе гетероструктур AlGaN/GaN. На основе разработанных гетероструктур AlGaN/GaN и Правил проектирования разработать монолитные и монолитно-гибридные интегральные схемы с ранее недостижимыми мощностными характеристиками. После завершения Программы такое решение позволит организовать производство СВЧ-транзисторов и монолитных и монолитно-гибридных интегральных схем по принципу дизайн-центр и кристальное производство. К созданной производственной схеме в дальнейшем возможно подключение других предприятий электронной промышленности обоих государств.

Мероприятие 3. ОКР "Разработка мощных непрерывных диодных лазеров на основе гетероструктур и модулей с волоконным выводом на их основе для высокоэффективной торцевой накачки твердотельных лазеров".

Конечный продукт используется для создания медицинских лазерных систем используемых для лечения онкологических заболеваний, хирургии, стоматологии, систем атмосферной передачи данных и управления оружием в условиях радиоэлектронного противодействия.

Проблема. В настоящее время твердотельные лазеры с торцевой диодной накачкой серийно выпускаются ведущими мировыми компаниями в США, Японии, Германии. Однако для накачки активной среды в них используются системы накачки на основе одиночных диодов с мощностью до 4 - 6 Вт, излучение которых объединяется с помощью оптических систем, либо с помощью волоконных объединителей излучения. Наличие сложных систем объединения излучения большого числа диодов не позволяет получить малые весогабаритные характеристики лазеров, снижает их КПД и эксплуатационную надёжность.

Способы решения проблемы. Имеющийся в Российской Федерации научный и технологический задел по созданию мощных полупроводниковых гетероструктур и опыт изготовления мощных полупроводниковых лазеров на их основе позволит разработать опытные образцы непрерывных диодов мощностью 15 Вт, длиной волны излучения 808 нм, а также модули на их основе мощностью 100 Вт. Для решения этой задачи потребуются разработка конструкции специальной лазерной гетероструктуры со сверхнизкими оптическими потерями, разработка планарной технологии изготовления чипов мощных непрерывных диодных лазеров и разработка технологии сборки диодных лазеров и модулей с волоконным выводом излучения.

В свою очередь предприятия Республики Беларусь разработают опытные образцы твёрдотельных лазеров на кристаллах ванадата иттрия с накачкой излучением мощных диодных лазеров и модулей с волоконным выводом излучения, разработанных и изготовленных в России. К особенностям таких лазерных кристаллов относятся: широкие спектры поглощения излучения накачки, обусловливающие высокий КПД лазеров; их хорошие термооптические характеристики, позволяющие получать высокие мощности генерируемого излучения. Кроме того, данные кристаллы имеют сравнительно невысокую стоимость и производятся в Республике Беларусь. Всё это обеспечит выпуск конкурентоспособных лазеров ближнего ИК-диапазона и приборов на их основе с учетом взаимовыгодной научно-технической кооперации российских и белорусских предприятий.

Мероприятие 4. ОКР "Разработка сверхмощных квазинепрерывных лазерных линеек и матриц на основе гетероструктур для боковой накачки твердотельных лазеров".

Конечный продукт является основным узлом лазерных систем для раскроя металлов и композитных материалов, систем дальнего и сверхдальнего космического позиционирования, систем космической навигации, управления космическими беспилотными объектами, систем подавления ПРО.

Проблема. В настоящее время российские и белорусские предприятия, имея большой задел и возможности разработки мощных твердотельных лазеров с диодной накачкой, начали отставать в их производстве и применении в связи с невозможностью использовать в них мощных лазерных линеек и матриц. Применение импортных изделий для промышленного производства невозможно, поскольку они являются продуктами двойных технологий и поставляются только на основании разрешения (лицензии) от правительства страны-экспортёра. Серийное производство сверхмощных лазерных линеек и матриц в Российской Федерации и Республике Беларусь отсутствует, несмотря на то, что технология их производства включена в список технологий, критических для национальной безопасности. Продукты, предлагаемые к разработке в настоящей Программе, по своим параметрам соответствуют лучшим из коммерчески доступных мировых образцов.

Способы решения проблемы. Будут проведены работы по разработке сверхмощных квазинепрерывных лазерных линеек и матриц на основе гетероструктур для боковой накачки твердотельных лазеров, в том числе: разработка технологии изготовления чипов сверхмощных квазинепрерывных лазерных линеек с выходной оптической мощностью 200 Вт, разработку и изготовление специализированного технологического оборудования и технологии сборки сверхмощных лазерных линеек и матриц на их основе.

Опытные образцы сверхмощных лазерных линеек и матриц на их основе будут изготовлены на предприятии России и предназначены для боковой накачки мощных твердотельных лазеров.

Необходимым компонентом решения проблемы является разработка квантрона (твердотельного лазера с диодной накачкой) и проведение его комплексного тестирования. Эти работы будут выполнены на предприятии в Республике Беларусь. Указанное устройство является универсальной основой и базовым элементом для построения различных типов лазеров с диодной накачкой и определяющим образом влияет на характеристики таких устройств.

Мероприятие 5. ОКР "Разработка квазинепрерывных (импульсных) твердотельных лазеров с диодной накачкой на основе полупроводниковых гетероструктур для технологических применений".

Конечный продукт является основным узлом лазерных систем для обработки металлов и композитных материалов, а также хирургических и терапевтических медицинских приборов. Разработанные в ходе выполнения данного мероприятия импульсные твердотельные лазеры УФ, видимого и инфракрасного диапазона спектра позволят создавать на их основе лазерные системы самого различного назначения (технологического, специального, медицинского и научного применения).

Проблема. В настоящее время на мировом рынке происходит массовая замена ламповой накачки твердотельных лазеров на накачку лазерными диодами. Подобный способ накачки является основой для создания современных электронных устройств и систем и массово применяется в промышленности для обработки материалов, в передовых научных исследованиях, связи, энергетике, медицине, на транспорте, а также для создания приборов специального назначения. Уровень развития этих технологий определяет конкурентоспособность, независимость и безопасность государств, обладающих ими. В государствах-участниках Союзного государства отсутствует серийное производство высокоэффективных квазинепрерывных импульсных твердотельных лазеров с диодной накачкой на основе полупроводниковых гетероструктур для технологических применений, что обуславливает недостаточную технологическую отработку и соответственно техническую оснащенность ведущих промышленных предприятий.

Способы решения проблемы. Осуществить на одном из российских предприятий разработку импульсных твердотельных лазеров с диодной накачкой на основе полупроводниковых гетероструктур для технологических применений. Работа включает создание оптической схемы накачки на основе мощных лазерных диодов собственного производства, расчет и макетирование резонатора импульсного твердотельного лазера, а также разработку и изготовление электронного блока управления системой оптической накачки. Кроме того, будет изготовлен опытный образец твердотельного лазера с диодной накачкой для технологических применений с длиной волны генерации 1064 нм и энергией в импульсе 1,5 мДж.

В Республике Беларусь будут разработаны твердотельные лазеры с диодной накачкой УФ и видимого диапазонов спектра с длиной волны генерации 266 и 532 нм и энергией в импульсе 1,5 и 0,8 мДж, включая разработку конструкторской документации и изготовление по ней опытных образцов прибора. Данные лазеры будут разработаны с учетом жестких требований, предъявляемых к промышленному технологическому оборудованию, и по своим техническим характеристикам будут соответствовать лучшим мировым аналогам и требованиям, предъявляемым разработчиками оптоэлектронных систем специального назначения к лазерам такого типа. Такие лазеры требуют использования специальных высококачественных нелинейных кристаллов для преобразования частоты генерации лазера с длиной волны 1064 нм. Высококачественные нелинейные кристаллы производятся в Республике Беларусь, которые имеют сравнительно невысокую стоимость.

Мероприятие 6. ОКР "Разработка лазерных излучателей для дальномеров, работающих в безопасном для глаз диапазоне спектра (1,5 мкм) с использованием лазерных источников накачки на основе полупроводниковых гетероструктур".

Конечный продукт является основным узлом гражданских и армейских (поля боя) дальномеров.

Проблема. В последние годы в области дальнометрии всё более актуальным становится задача использования лазеров с полупроводниковой накачкой, которые характеризуются более высокими параметрами и, принципиально, обладают большим сроком службы, чем традиционные лазеры с ламповой накачкой. Несмотря на актуальность развития такого направления техники и достижения ряда предприятий России (ФГУП "НИИ "Полюс", Институт лазерной физики, ГОИ им. С.И. Вавилова, ОАО "ЛОМО" и др.) в создании опытных образцов дальномеров на основе твердотельных лазеров с диодной накачкой, пригодного для серийного производства дальномера с диодной накачкой, пока не имеется.

Способы решения проблемы. На предприятиях Республики Беларусь имеется определённый научно-технологический задел по разработке схем таких лазеров. Переход в области дальнометрии для оборонной тематики, маркшейдерского дела, строительства, к лазерам с диодной накачкой позволит приступить к выпуску нового класса приборов, обладающих улучшенными эксплуатационными параметрами, а также меньшей стоимостью.

В ходе работ по данному проекту в Российской Федерации должны быть созданы излучатели для дальномеров на основе твёрдотельных лазеров с диодной накачкой с длиной волны генерации 1,5 мкм и энергией в импульсе 2 мДж, 8 мДж и 25 мДж, а также излучатели в инфракрасном диапазоне спектра (1,06 мкм) с энергией в импульсе 80 мДж для различных классов дальномеров. Работа включает создание оптической схемы излучателя для дальномера с использованием мощных диодных лазерных источников накачки собственного производства, разработку и изготовление блока управления лазерным источником накачки, разработку и изготовление системы оптического затвора резонатора.

В свою очередь, в Республике Беларусь будет разработан приемный тракт дальномера, компоновка излучателя и приемного тракта в едином корпусе с учетом жестких требований, предъявляемых к изделиям специального назначения, и будут изготовлены опытные образцы двух базовых блоков дальномеров с дальностью действия 10 000 м и 5 000 м при точности м, а также опытные образцы двух базовых блоков дальномеров с излучателями с длиной волны 1,064 мкм и энергией в импульсе 80 мДж и длиной волны 1.5 мкм и энергией в импульсе 25 мДж для измерения расстояния до 25 км.

Мероприятие 7. ОКР "Разработка мощных полупроводниковых импульсных лазеров ближнего ИК диапазона на квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/AlGaAs и приборов на их основе".

Конечный продукт предназначен для изготовления систем навигации, измерения дистанции, атмосферных лидаров, подсветки целей, авиационных прицелов, лазерных систем технологической обработки материалов.

Проблема. Состоит в разработке технологии мощных импульсных полупроводниковых лазеров ближнего ИК диапазона и приборов на их основе.

Способы решения данной проблемы:

1. Разработка технологии лазерных гетероструктур методом газофазной эпитаксии из гидридов и металлорганических соединений для импульсных мощных полупроводниковых лазеров, в том числе туннельно-связанных полупроводниковых наноструктур для эпитаксиально-интегрированных мощных источников излучения. При этом в максимально возможной степени будут учтены фундаментальные причины ограничения максимально достижимой оптической мощности в полупроводниковом лазере.

2. Разработка планарной конструкции и технологии изготовления одиночного полупроводникового лазера будет направлена в первую очередь на увеличение температурной стабильности характеристик полупроводниковых лазеров. Для изготовления мощных полупроводниковых импульсных лазеров будут проведены разработка конструкции и планарных технологических операций по изготовлению мезаполосковой конструкции эпитаксиально - интегрированных лазерных структур и конструкции и технологии изготовления лазерных диодов мощностью Вт в импульсном режиме.

3. Разработка мощных высокочастотных импульсных источников питания для полупроводниковых лазеров будет направлена на достижение максимальной оптической мощности в импульсе путем подбора частоты и длительности импульса тока накачки полупроводникового лазера.

4. Разработка опытных образцов оптических систем специального назначения нового поколения с улучшенными характеристиками по дальности действия, массогабаритным параметрам и энергопотреблению.

Мероприятие 8. ОКР "Разработка полупроводниковых лазеров и светодиодов на среднюю ИК-область спектра для экологического мониторинга и медицинской диагностики и QWIP-матриц для фотоприёмных модулей".

Конечные продукты используются для мониторинга окружающей среды, непрерывного контроля за технологическими процессами, медицинской диагностики, а также для создания приборов ночного видения поля боя и охраны периметров специальных объектов (например, охрана государственной границы).

Проблема. Состоит в разработке технологии полупроводниковых лазерных, светодиодных и фотоприемных наногетероструктур в том числе с набором квантовых ям (QW), в создании перестраиваемых полупроводниковых лазеров и модулей, светодиодов и многоэлементных светодиодных линеек, фотоприемных матриц для двух спектральных диапазонов.

Способы решения проблемы:

1. Разработка конструкции и технологии выращивания лазерных и светодиодных наногетероструктур GalnAsSb/GaSb и InAsSb/InAs методом газофазной эпитаксии из гидридов и металлорганических соединений.

2. Разработка конструкции и технологии выращивания эпитаксиальных гетероструктур с набором квантовых ям (QW) GaAlAs/GaAs.

3. Разработка постростовых технологий изготовления чипов QWIP-матриц для спектральных диапазонов 3 - 5 и 8 -10 мкм.

4. Разработка постростовой технологии изготовления чипов лазеров и светодиодов средней ИК области, работающих при комнатной температуре.

5. Изготовление опытной партии лазеров с максимумами излучения на 2,0 мкм, 2,35 мкм, 3,4, 3,7 и 4,0 мкм с мощностью 1-5 мВт, а также набор светодиодов, спектры излучения которых покрывают спектральный диапазон 1,6 - 4,6 мкм.

6. Разработка конструкторской и технологической документации, программы и методик испытаний диодных лазеров и светодиодов в средней ИК-области спектра.

7. Разработка опытных образцов оптических анализаторов в средней ИК области для определения концентраций углекислого газа, измерение содержания воды в нефти и других химических веществ.

Мероприятие 9. НИОКР "Разработка конструкции и технологии молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур и интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия".

Конечный продукт предназначен для создания систем проекционного лазерного телевидения, локальных волоконно-оптических линий связи, систем атмосферной и подводной лазерной локации и навигации, систем оптической записи информации повышенной плотности специального и общегражданского применения. По состоянию на 2011 год разработка лазерных конвекторов в мире находится в стадии лабораторных исследований и далека от завершения.

Проблема. Состоит в необходимости разработки технологии лазерных гетероструктур с квантовыми точками CdSe, создании на их основе и исследовании интегрального лазерного конвертера зеленого спектрального диапазона (500-550 нм), накачиваемого сине-фиолетовым излучением лазеров и светодиодов на основе .

Способы решения проблемы.

1. Разработка оптимальной конструкции лазерных наногетероструктур с целью получения минимальной пороговой плотности мощности при оптической накачке и максимальной квантовой эффективности в зеленом спектральном диапазоне (500-550 нм). В процессе разработки будут использованы различные технологические и концептуальные подходы к формированию активной области в наногетероструктурах.

2. Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур для интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия.

3. Исследования по оптимизации конструкции II-VI/III-N лазерного конвертера с накачкой излучением промышленно изготавливаемых инжекционных источников света на основе нитрида галлия. Изготовление экспериментального образца и исследование его характеристик в импульсном и непрерывном режимах.

Сводный перечень программных мероприятий с указанием номенклатуры НИОКР, объемов финансирования, сроков выполнения и основных технических характеристик разрабатываемых приборов по каждому из мероприятий и Программы в целом представлены в Таблице 2.

Все мероприятия Программы базируются на перспективных и современных технологиях по созданию гетероструктур с квантовыми ямами и точками на основе различных полупроводниковых материалов. Поэтому теоретические, научно-практические и экспериментальные исследования, планируемые в Программе по выяснению сложных физических процессов, вопросов конструирования гетероструктур и приборов нового поколения, оптимизации параметров лазеров и транзисторов, являются ее базой и средством для решения актуальных и перспективных технических и технологических проблем.

Использование сложившейся специализации и кооперации позволяет прежде всего использовать максимальную компетентность участников, а также избежать финансовых затрат на создание необходимых производств и инфраструктуры. По всем мероприятиям программы "Прамень" в Республике Беларусь имеются технологические мощности по сборке и испытаниям функциональных изделий радиоэлектроники (радаров, лидаров, дальномеров, газоанализаторов и т.д.). Производство ключевого компонента - наногетероструктур - осуществляется в России, основываясь на созданных технологических мощностях и технологическом заделе. Распределение работ, проводимых в рамках реализации мероприятий Программы в привязке к территориям государств - участников Союзного государства представлено в Таблице 3. В мероприятиях Программы отсутствует дублирование государственных и ведомственных программ государств - участников Союзного государства. Следует отметить, что результаты реализации мероприятий предлагаемой Программы системно дополнят результаты проводимых в настоящее время федеральных целевых программ и государственных программ Российской Федерации, и республиканских программ Республики Беларусь, и от одновременного выполнения данной Программы, других национальных и союзных программ можно ожидать существенного синергетического эффекта.

Предлагаемые программные мероприятия соответствуют оборонным, а также социально-экономическим интересам государств - участников Союзного государства (статьи 17 и 18 Договора о создании Союзного государства). Указанные мероприятия направлены на развитие высокотехнологичных секторов промышленности, занимающихся созданием и производством изделий и устройств, предназначенных для использования в оборонно-промышленном комплексе и в системах гражданского назначения.


Таблица 2


Перечень
мероприятий, содержание работ, результаты, сроки их выполнения по программе "Прамень"


Наименование мероприятий, содержание работ

Сроки выполнения, годы

Объём финансирования, млн. руб.

Всего:

в том числе:

из бюджета Союзного государства,

Всего

Россия

Беларусь

Внебюджетные средства:

Всего

Россия

Беларусь

Ожидаемые результаты

Всего

2011 г.

2012 г.

2013 г.

2014 г.

2015 г.


1. ОКР "Разработка ряда СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфных и метаморфных гетероструктур соединений ".

1.1. Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии и изготовление опытной партии гетероструктур с высокой подвижностью электронов в системе материалов InAlAs/InGaAs на подложках InP(GaAs) для СВЧ-устройств мм диапазона.

1.2. Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии и изготовление опытной партии гетероструктур гетеробиполярных транзисторов в системе материалов InAlAs/InGaAs/InP для СВЧ-устройств мм диапазона.

1.3. Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии и изготовление опытной партии гетероструктур резонансно-туннельных диодов в системе материалов InAlAs/InGaAs/InP для устройств миллиметрового диапазона.

1.4. Разработка методов физико-топологического и схемотехнического проектирования МИС миллиметрового диапазона.

1.5. Разработка комплекта КД и ТД на эпитаксиальные гетероструктуры для приборов миллиметрового диапазона. Разработка комплекта КД и ТД на линейку СВЧ-МИС миллиметрового диапазона.

1.6. Изготовление опытных и экспериментальных образцов комплектов МИС мм диапазона.

1.7. Разработка на базе российских предприятий промышленных технологий роста псевдоморфных и метаморфных гетероструктур AlGalnAs, реализованных на установках молекулярно-пучковой эпитаксии российского производства, а также технологий роста гибридных гетероструктур типа FET/HBT.

1.8. Разработка базовой (стандартизованной) технологии изготовления монолитных интегральных схем, в том числе Правил проектирования (Design Kit) на основе метаморфных и псевдоморфных гетероструктур, содержащих библиотеки стандартных элементов.

1.9. Разработка и изготовление на основе гибридных гетероструктур системы на кристалле (многофункциональной МИС) в составе МШУ и ЗУ.

1.10. Апробация указанных библиотек и принципов путем разработки и изготовления опытных образцов монолитных интегральных схем:

- усилителя мощности 36 ГГц и выходной мощностью 17 дБм (далее - МИС УМ);

преобразователя частоты 93 ГГц и потерями

- преобразования 12 дБ (далее - МИС ПЧ) для систем радиолокации и связи.


2011 - 2015

674,55


449,7

_____

295,7

154,0


224,85

_____

147,85

77,0

46,2


30,8

_____

20,0

10,8


15,4

_____

10,0

5,4

161,7


107,8

_____

70,0

37,8


53,9

_____

35,0

18,9

179,7


119,8

_____

81,0

38,8


59,9

_____

40,5

19,4

150,9


100,6

_____

65,5

35,1


50,3

_____

33,00

17,3

136,05


90,7

_____

59,2

31,5


45,35

_____

29,35

16,0

Опытная партия гетероструктур InAlAsinGaAs на подложках InP(GaAs) для СВЧ-устройств с рабочими частотами 36 и 93 ГГц.

Опытные образцы комплектов МИС мм-диапазона для систем радиолокации и связи:

- усилитель 36 ГГц, выходная мощность 17 дБм;

- преобразователь частоты 93 ГГц, потери преобразования 12 дБ.

Технологическая документация (ТД) с литерой "" на эпитаксиальные гетероструктуры с привязкой к Российскому технологическому оборудованию.

Конструкторская (КД) и технологическая документация (ТД) с литерой "" на МИС мм диапазона.

Конструкция и технология изготовления методом молекулярно-пучковой эпитаксии гибридных гетероструктур типа FET/НВТ.

Опытный образец системы на кристалле (многофункциональная МИС) в составе малошумящий усилитель и защитное устройство.

Правила проектирования (Design Kit) МИС в частотном диапазоне 34 - 37 ГГц основе метаморфных и псевдоморфных гетероструктур.

2. ОКР "Разработка мощных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем для приёмо-передающих модулей активных физических решеток на основе гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением".


2.1. Разработка конструкций гетероструктур на основе GaN/AlGaN с двойным электронным ограничением.

2.2. Разработка технологии изготовления гетероструктур на основе GaN/AlGaN с двойным электронным ограничением.

2.3. Изготовление опытной партии гетероструктур на основе GaN/AlGaN с двойным электронным ограничением.

2.4. Разработка конструкторской и технологической документации, программы и методик испытаний гетероструктур на основе GaN/AlGaN с двойным электронным ограничением.

2.5. Проведение испытаний гетероструктур на соответствие требованиям СВЧ-устройств с рабочими частотами в X- диапазоне.

2.6. Разработка топологии комплектов транзисторов и МИС для АФАР на основе гетероструктур GaN/AIGaN с двойным электронным ограничением.

2.7. Изготовление опытных образцов транзисторов и МИС для АФАР и проведение их испытаний.

2.8. Исследование возможности получения высококачественных гетероструктур для мощных СВЧ МИС с помощью комбинированной молекулярно-пучковой эпитаксии на плазменно активированном азоте и аммиачной эпитаксии.

2.9. Исследование гетероструктур, полученных в процессе отработки конструкции и предварительного технологического процесса выращивания на предприятии в Республике Беларусь.

2.10. По результатам испытаний оптимизация конструкции гетероструктуры и доводка технологии выращивания до промышленного уровня на однотипных отечественных установках молекулярно-пучковой эпитаксии большей производительности.

2.11. Разработка физической модели СВЧ транзистора, физико-топологического базиса и принципов проектирования интегральных схем на основе гетероструктур AlGaN/GaN.

2.12. Разработка Правил проектирования МИС усилителей мощности Х-диапазона на основе гетероструктур AlGaN/GaN, содержащих библиотеку стандартных элементов.

2.13. Верификация указанных моделей и принципов их построения путем разработки топологии и изготовления опытных образцов транзисторов с рабочим диапазоном частот 0-10 ГГц и монолитно- интегральной схемы усилителя мощности (далее - МИС УМ) с выходной мощностью 38 дБм для АФАР:

- разработка на основе Правил проектирования конструкции и изготовление монолитного СВЧ усилителя мощности для АФАР с выходной мощностью 20 Вт;

- разработка на основе Правил проектирования конструкции и изготовление гибридно-монолитного СВЧ модуля усилителя мощности для АФАР с выходной мощностью 44 дБм (30 Вт).

2011 - 2015

877,5


585,0

_____

363,0

222,0


292,5

_____

181,5

111,0

27,6


18,4

_____

12,0

6,4


92

_____

6,0

3,2

179,7


119,8

_____

78,0

41,8


59,9

_____

39,0

20,9

214,2


142,8

_____

89,5

53.3


71,4

_____

46,5

24,9

220,5


147,0

_____

95,5

51,5


73,5

_____

48,0

25,5

235,5


157,0

_____

88,0

69,0


78,5

_____

42,0

36,5

Опытная партия гетероструктур GaN/AlGaN с электронной подвижностью не менее 1300 и слоевой электронной концентрацией не менее .

КД и ТД с литерой "" на гетероструктуры с привязкой к Российскому технологическому оборудованию.

Конструкторская документация с литерой "" на транзисторы и МИС. Опытные образцы транзисторов и МИС усилителей мощности (выходная мощность 38 дБм) для АФАР X-диапазона.

Правила проектирования (Design Kit) МИС усилителей мощности в Х-диапазоне частот.

Монолитный СВЧ усилитель мощности для АФАР с выходной мощностью 20 Вт.

Гибридно-монолитный СВЧ модуль усилителя мощности для АФАР с выходной мощностью 44 дБм (30 Вт).

3. ОКР "Разработка мощных непрерывных диодных лазеров на основе гетероструктур и модулей с волоконным выводом на их основе для высокоэффективной торцевой накачки твердотельных лазеров".

3.1. Разработка конструкции лазерной гетероструктуры.

3.2. Разработка технологии изготовления чипов мощных непрерывных диодных лазеров с выходной оптической

мощностью 15 Вт.

3.3. Разработка технологии сборки диодных лазеров.

3.4. Разработка конструкции и технологии сборки модулей с волоконным выводом излучения.

3.5. Разработка конструкторской и технологической документации, программы и методик испытаний диодных лазеров.

3.6. Изготовление опытной партии и проведение испытаний мощных непрерывных диодных лазеров.

3.7. Разработка конструкторской документации на твердотельный лазер квазинепрерывного режима работы с торцевой накачкой диодными модулями, изготовление и испытание опытного образца твердотельного лазера.

2011 - 2014

111,0


74,0

_____

48,0

26,0


37,0

_____

24,0

13,0

21,0


14,0

_____

9,0

5,0


7,0

_____

4,5

2,5

33,3


22,2

_____

14,4

7,8


11,1

_____

7,2

3,9

33,3


22,2

_____

14,4

7,8


11,1

_____

7,2

3,9

23,4


15,6

_____

10,2

5,4


7,8

_____

5,1

2,7


Опытная партия мощных непрерывных диодных лазеров на основе GaAs и его твердых растворов с выходной оптической мощностью 15 Вт, длиной волны генерации 808 нм. Опытная партия модулей с волоконным выводом излучения и выходной оптической мощностью 100 Вт при диаметре волокна 400 мкм.

Технологическая документация с литерой "" на технологию изготовления чипов мощных непрерывных лазеров, на технологию сборки лазеров и модулей с волоконным выводом излучения.

Конструкторская документация с литерой "" на мощные непрерывные диодные лазеры и модули с волоконным выводом излучения.

Опытный образец твердотельного лазера квазинепрерывного режима работы с мкм, частотой повторения импульсов кГц, длительностью импульсов нсек, средней мощностью Вт для дальнометрических и информационных систем.

Конструкторская документация с литерой "" на твердотельный лазер квазинепрерывного режима работы.

4. ОКР "Разработка сверхмощных квазинепрерывных лазерных линеек и матриц на основе гетероструктур для боковой накачки твердотельных лазеров".

4.1. Разработка технологии изготовления чипов сверхмощных квазинепрерывных лазерных линеек с выходной оптической мощностью 200 Вт.

4.2. Разработка и изготовление специализированного технологического оборудования для сборки сверхмощных лазерных линеек.

4.3. Разработка технологии сборки сверхмощных лазерных линеек и матриц на их основе.

4.4. Разработка конструкторской и технологической документации, программы и методик испытаний сверхмощных лазерных линеек и матриц на их основе.

4.5. Изготовление опытных образцов сверхмощных лазерных линеек и матрицы на их основе. Проведение их испытаний.

4.6. Создание стенда для сборки, наладки и тестирования квантронов с диодной накачкой.

4.7. Разработка оптической схемы накачки и расчет энергетических характеристик квантрона.

4.8. Сборка и проведение тестирования опытного образца квантрона с диодной накачкой.

2011 - 2014

69,0


46,0

_____

30,0

16,0


23,0

_____

15

8,0

13,8


9,2

_____

6,0

3,2


4,6

_____

3,0

1,6

20,7


13,8

_____

9,0

4,8


6,9

_____

4,5

2,4

20,7


13,8

_____

9,0

4,8


6,9

_____

4,5

2,4

13,8


9,2

_____

6,0

3,2


4,6

_____

3,0

1,6


Опытные образцы мощных квазинепрерывных диодных линеек на основе GaAs и его твердых растворов с выходной оптической мощностью 200 Вт, длиной волны генерации 808 нм и матрица на их основе с выходной оптической мощностью 10 кВт.

Конструкторская и технологическая документация с литерой "" на мощные квазинепрерывные диодные линейки и матрицы на их основе.

Оптическая схема и энергетический расчет квантрона с диодной накачкой

Опытный образец квантрона с диодной накачкой

Протокол тестирования опытного образца квантрона с диодной накачкой.

5. ОКР "Разработка квазинепрерывных импульсных твердотельных лазеров с диодной накачкой на основе полупроводниковых гетероструктур для технологических применений".

5.1. Разработка оптической схемы накачки, расчет и макетирование резонатора импульсного твердотельного лазера с длиной волны генерации 1064 нм, энергией в импульсе 1,5 мДж, средней выходной мощностью 10 Вт и качеством лазерного пучка и импульсного твердотельного лазера с длиной волны генерации 266 нм, энергией в импульсе 1,5 мДж, средней выходной мощностью 0,02 Вт.

5.2. Разработка и изготовление электронного блока управления системой оптической накачки.

5.3. Разработка конструкторской документации для излучателя твердотельного лазера с диодной накачкой с длиной волны генерации 1064 нм, энергией в импульсе 1,5 мДж, средней выходной мощностью 10 Вт и качеством лазерного пучка и импульсного твердотельного лазера с длиной волны генерации 266 нм, энергией в импульсе 1,5 мДж, средней выходной мощностью 0,02 Вт.

5.4. Создание стенда для сборки, наладки и тестирования лазеров с диодной накачкой.

5.5. Расчет и макетирование импульсного твердотельного лазера с генераторам второй гармоники гармоник с длиной волны генерации 532 нм, энергией в импульсе 0,8 мДж, средней выходной мощностью 5 Вт и качеством лазерного пучка и импульсного твердотельного лазера с длиной волны генерации 266 нм, энергией в импульсе 1,5 мДж, средней выходной мощностью 0,02 Вт.

5.6. Разработка конструкторской документации для излучателя твердотельного лазера с диодной накачкой с длиной волны генерации 532 нм, энергией в импульсе 0,8 мДж, средней выходной мощностью 5 Вт и качеством лазерного пучка и импульсного твердотельного лазера с длиной волны генерации 266 нм, энергией в импульсе 1,5 мДж, средней выходной мощностью 0,02 Вт.


123,0


82,0

_____

40,0

42,0


41,0

_____

20,0

21,0

21,6


14,4

_____

8,0

6,4


7,2

_____

4,0

3,2

39,9


26,6

_____

12,0

14,6


13,3

_____

6,0

7,3

42,9


28,6

_____

12,0

16,6


14,3

_____

6,0

8,3

18,6


12,4

_____

8,0

4,4


6,2

_____

4,0

2,2


Опытный образец твердотельного лазера с диодной накачкой для технологических применений с длиной волны генерации 1064 нм энергией в импульсе 1,5 мДж средней выходной оптической мощностью 10 Вт и качеством лазерного пучка а также блоки питания и управления лазером.

Опытный образец твердотельного лазера с диодной накачкой для технологических применений с длиной волны генерации 532 нм, энергией в импульсе 0,8 мДж, средней выходной оптической мощностью 5 Вт соответственно, и качеством лазерного пучка .

Опытный образец твердотельного лазера с диодной накачкой с длиной волны генерации 266 нм, энергией в импульсе 1,5 мДж, средней выходной оптической мощностью 0,02.

6. ОКР "Разработка лазерных излучателей для дальномеров, работающих в безопасном для глаз диапазоне спектра (1,5 мкм) с использованием лазерных источников накачки на основе полупроводниковых гетероструктур".

6.1. Разработка оптической схемы излучателя для дальномера с использованием лазерных источников накачки на основе полупроводниковых гетероструктур.

6.2. Разработка и изготовление блока управления лазерным источником накачки.

6.3. Разработка и изготовление системы оптического затвора резонатора.

6.4. Разработка конструкторской и технологической документации, программы и методик испытаний лазерных излучателей для дальномеров.

6.5. Изготовление опытной партии и проведение испытаний.

6.6. Разработка и изготовление двух базовых блоков дальномеров. Испытания базовых блоков, оснащённых излучателями.

6.7. Создание высокоэнергетичных твердотельных лазерных излучателей для дальномеров с использованием лазерных источников накачки на основе полупроводниковых гетероструктур, работающих в безопасном для глаз диапазоне спектра (1,5 мкм) и энергией в импульсе 25 мДж, а также в инфракрасном диапазоне спектра (1,06 мкм) с энергией в импульсе 80 мДж для различных классов дальномеров ближнего и среднего радиуса действия (до 25 км), в том числе:

- разработка оптических схем высокоэнергетичных твердотельных лазерных излучателей для дальномеров с использованием мощных диодных лазерных источников накачки;

- разработка и изготовление блока управления лазерным источником накачки;

- изготовление опытных образцов высокоэнергетичных твердотельных лазерных излучателей для дальномеров на основе твердотельных лазеров с диодной накачкой;

- проведение предварительных и приемочных испытаний опытных образцов высокоэнергетичных твердотельных лазерных излучателей для дальномеров;

- изготовление комплекта конструкторской документации с литерой "" на высокоэнергетичные твердотельные лазерные излучатели для дальномеров.

6.8. Изготовление комплекта конструкторской документации с литерой "" на блоки управления лазерными источниками накачки.

6.9. Разработка и изготовление базовых блоков лазерных дальномеров с излучателями с длиной волны 1,064 мкм и энергией в импульсе 80 мДж и с длиной волны 1,5 мкм и энергией в импульсе 25 мДж для измерения расстояния до 25 км для систем ПВО:

- разработка технического проекта на базовые блоки лазерных дальномеров с длиной волны 1,064 мкм и 1,5 мкм с измеряемой дальностью 25км и частотой измерения дальности до 25 Гц;

- разработка КД на опытные образцы базовые блоки лазерных дальномеров;

- изготовление опытных образцов базовых блоков лазерных дальномеров;

- испытание опытных образцов базовых блоков лазерных дальномеров;

- изготовление комплектов конструкторской документации с литерой "" на базовые блоки лазерных дальномеров.


173,85


115,9

_____

87,9

28,0


57,95

_____

43,95

14,0

16,05


10,7

_____

7,0

3,7


5,35

_____

3,5

1,85

23,4


15,6

_____

10,2

5,4


7,8

_____

5,1

2,7

32,4


21,6

_____

14,2

7,4


10,8

_____

7,1

3,7

40,65


27,1

_____

17,6

9,5


13,55

_____

8,8

4,75

61,35


40,9

_____

38,9

2,0


20,45

_____

19,45

1,0

Опытная партия излучателей для дальномеров на основе твердотельных лазеров с диодной накачкой с энергией в импульсе 8 и 2 мДж и длиной волны генерации 1,5 мкм.

Конструкторская документация с литерой "" на излучатели для дальномеров

Опытные образцы двух базовых блоков дальномеров с основными параметрами:

- дальности 10000 м и 5000 м;

- точности м.

Конструкторская документация с литерой "" на базовые блоки дальномеров.

Опытные образцы высокоэнергетичных твердотельных лазерных излучателей для дальномеров с использованием лазерных источников накачки на основе полупроводниковых гетероструктур, работающих в инфракрасном диапазоне спектра (1,06 мкм) с энергией в импульсе 80 мДж и (1,5 мкм) с энергией в импульсе 25 мДж для различных классов дальномеров ближнего и среднего радиуса действия (до 25 км). Опытные образцы двух базовых блоков лазерных дальномеров с длиной волны 1,064 мкм и энергией в импульсе 80 мДж и с длиной волны 1,5 мкм и энергией в импульсе 25 мДж на излучателе, реализованном с использованием лазерных источников накачки на полупроводниковых гетероструктурах, для измерения расстояния до 25 км для систем ПВО с основными параметрами:

- дальности 25000 м;

- точности м.

Конструкторская документация с литерой "" на базовые блоки лазерных дальномеров.

7. ОКР "Разработка мощных полупроводниковых импульсных лазеров ближнего ИК диапазона на квантоворазмерных гетероструктурах InGaAs/AlGaAs и приборов на их основе".

7.1. Разработка конструкции и технология роста квантоворазмерных лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs для импульсных полупроводниковых лазеров с мощностью 150 Вт с апертурой 100 мкм и с улучшенной диаграммой

направленности в спектральном диапазоне 0.8-1.06 мкм.

7.2. Разработка технологии сборки и монтажа лазерных диодов на теплоотвод, согласованный с источником питания.

7.3. Разработка источников питания (генераторы импульсов тока) для мощных импульсных полупроводниковых лазеров.

7.4. Разработка конструкторской и технологической документации с литерой "" на мощные импульсные полупроводниковые лазеры и источники питания.

7.5. Изготовление опытной партии и проведение испытаний мощных импульсных источников излучения.

7.6. Изготовление опытных образцов лазерных диодных сборок с блоками питания для систем диодной накачки, подсветки, технологических применений и опытных образцов оптических систем специального назначения нового поколения на основе мощных импульсных лазеров. 7.7 Разработка конструкции и технологии роста лазерных квантоворазмерных гетероструктур методом газофазной эпитаксии из гидридов и металлорганических соединений для импульсных мощных полупроводниковых лазеров.

7.8. Разработка планарной конструкции и технологии изготовления одиночного полупроводникового лазера с увеличенной температурной стабильностью характеристик, предназначенных для использования в качестве комплектующих для оптических систем специального назначения.

7.9. Разработка промышленной технологии изготовления туннельно-связанных полупроводниковых наноструктур для эпитаксиально - интегрированных мощных источников излучения.

7.10. Разработка конструкции и планарных технологических операций по изготовлению мезаполосковой конструкции эпитаксиально интегрированных лазерных структур для изготовления мощных полупроводниковых импульсных лазеров.

7.11. Разработка конструкции и технологии изготовления лазерных диодов мощностью Вт в импульсном режиме.

7.12. Разработка мощных высокочастотных импульсных источников питания для полупроводниковых лазеров, обеспечивающих достижение максимальной оптической мощности в импульсе путем подбора частоты и длительности импульса тока накачки полупроводникового лазера.

7.13. Разработка опытных образцов оптических систем специального назначения нового поколения с улучшенными характеристиками по дальности действия, массогабаритным параметрам и энергопотреблению.

7.14. Разработка опытного образца компактного источника излучения с полупроводниковой импульсной накачкой на длину волны 1,06 мкм с пиковой мощностью выходного излучения не менее 1 МВт для переносной системы лазерной эмиссионной спектрометрии.

2011 - 2015

217,05


144,7

_____

114,7

30,0


72,35

_____

57,35

15,00

19,5


13,0

_____

11,0

2,0


6,5

_____

5,5

1,0

43,5


29,0

_____

26,0

3,0


14,5

_____

13,0

1,5

52,5


35,0

_____

30,0

5,0


17,5

_____

15,0

2,5

45,0


30,0

_____

22,0

8,0


15,0

_____

11,0

4,0

56,55


37,7

_____

25,7

12,0


18,85

_____

12,85

6,0

Квантоворазмерные лазерные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs для импульсных полупроводниковых лазеров.

Опытная партия импульсных полупроводниковых лазеров с мощностью 150 Вт с апертурой 100 мкм и с улучшенной диаграммой направленности в спектральном диапазоне 0.8-1.06 мкм.

Электрические схемы и источники питания (генераторы импульсов тока) мощных импульсных полупроводниковых лазеров.

Опытные образцы мощных импульсных полупроводниковых лазеров и источников питания.

Конструкторская и технологическая документация с литерой "" на мощные импульсные полупроводниковые лазеры.

Опытные образцы оптических систем специального назначения нового поколения с улучшенными характеристиками по дальности действия, массогабаритным параметрам и энергопотреблению.

Конструкторская документация с литерой "" на оптические системы специального назначения.

Опытные образцы лазерных диодных сборок с блоками питания для систем диодной накачки, подсветки, технологических применений.

Конструкторская документация с литерой "" на лазерные диодные сборки с блоками питания. Технология изготовления туннельно-связанных полупроводниковых наноструктур для эпитаксиально-интегрированных мощных источников излучения.

Эпитаксиально-интегрированные лазерные структуры для изготовления мощных полупроводниковых импульсных лазеров.

Лазерный диод Вт в импульсном режиме.

Источник излучения с полупроводниковой импульсной накачкой на длину волны 1,06 мкм с пиковой мощностью выходного излучения не менее 1 МВт для переносной системы лазерной эмиссионной спектрометрии.

8. ОКР "Разработка полупроводниковых лазеров и светодиодов на среднюю ИК-область спектра для экологического мониторинга и медицинской диагностики и QWIP-матриц для фотоприёмных модулей".

8.1. Разработка конструкции лазерной гетероструктуры.

8.2. Разработка технологии изготовления

чипов лазеров, работающих при комнатной температуре.

8.3. Разработка технологии сборки диодных лазеров.

8.4. Разработка конструкторской и технологической документации с литерой "" на диодные лазеры в средней ИК-области спектра.

8.5. Изготовление опытной партии лазеров, светодиодов и QWIP-матриц для фотоприёмных модулей, проведение испытаний.

8.6. Разработка конструкций оптического анализатора углекислого газа в атмосфере воздуха и измерителя содержания воды в нефти.

8.7. Изготовление опытных образцов анализатора углекислого газа и измерителя содержания воды в нефти.

8.8. Разработка конструкции и технологии выращивания лазерных и светодиодных наногетероструктур GalnAsSb/GaSb и InAsSb/InAs методом газофазной эпитаксии из гидридов и металлорганических соединений.

8.9. Разработка постростовой технологии изготовления чипов лазеров и светодиодов средней ИК области, работающих при комнатной температуре.

8.10. Разработка постростовой технологии изготовления чипов QWIP-матриц на спектральные диапазоны 3 - 5 мкм и 8 -10 мкм.

8.11. Изготовление опытных образцов лазеров с максимумами излучения на 2,00 мкм, 2,35 мкм, 3,4, 3,7 и 4,0 мкм с мощностью 1-5 мВт, светодиодов спектрального диапазона 1,6-4,6 мкм, а также QWIP-матриц на спектральные диапазоны 3 - 5 мкм и 8 - 10 мкм.

8.12. Разработка конструкторской и технологической документации, программы и методик испытаний диодных лазеров и светодиодов в средней ИК- области спектра и QWIP-матриц для фотоприемных модулей диапазонов 8-10 мкм и 3 - 5 мкм.

8.13. Разработка опытных образцов оптических анализаторов в средней ИК области для определения концентраций углекислого газа, измерения содержания воды в нефти и других химических веществ, а также фотоприемных модулей на основе QWIP-матриц диапазонов 8-10 мкм и 3-5 мкм.

8.14. Разработка опытного образца импульсного параметрического генератора света на среднюю ИК-область с пиковой мощностью выходного излучения не менее 1 кВт и частотой не менее 5 Гц.

2011 - 2015

244,05


162,7

_____

100,2

62,5


81,35

_____

50,1

31,25

19,71


13,14

_____

7,34

5,8


6,57

_____

3,67

2,9

65,4


43,6

_____

26,6

17,0


21,8

_____

13,3

8,5

66,9


44,6

_____

28,6

16,0


22,3

_____

14,3

8,0

56,49


37,66

_____

21,96

15,7


18,83

_____

10,98

7,85

35,55


23,7

_____

15,7

8,0


11,85

_____

7,85

4,0

Гетероструктуры с квантовыми ямами GalnAsSb/GaSb и InAsSb/InAs и технология изготовления лазеров мощностью 1-5 мВт, светодиодов и фотоприёмных матриц.

Опытные образцы лазеров, светодиодов и QWIP-матриц для фотоприёмных устройств среднего ИК диапазона.

Конструкторская и технологическая документация с литерой "" на лазеры, светодиоды и QWIP-матрицы для фотоприёмных модулей.

Опытные образцы оптических анализаторов в средней ИК области для определения концентраций углекислого газа, измерение содержания воды в нефти и других химических веществ.

Конструкторская документация с литерой "" на оптические анализаторы в средней ИК области.

Фотоприемная QWIP матрица на спектральный диапазон 3-5 мкм.

Фотоприемный модуль на основе QWIP-матрицы диапазона 3-5 мкм.

Импульсный параметрический генератор света на среднюю ИК-область с пиковой мощностью выходного излучения не менее 1 кВт и частотой не менее 5 Гц.

9. НИОКР "Разработка конструкции и технологии молекулярно-пучковои эпитаксии гетероструктур и интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия".

9.1. ОКР "Разработка конструкции и технологии молекулярно-пучковои эпитаксии гетероструктур для интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия".

9.2. НИР "Создание и реализация прототипов лазерного конвертера с заложенными параметрами при накачке излучением промышленно изготавливаемых инжекционных источников света на основе нитрида галлия".

2011 - 2014

111,0


74,0

_____

48,0

26,0


37,0

_____

24,0

13,0

16,2


10,8

_____

7,0

3,8


5,4

_____

3,5

1,9

38,85


25,9

_____

16,8

9,1


12,95

_____

8,4

4,55

38,85


25,9

_____

16,8

9,1


12,95

_____

8,4

4,55

17,1


11,4

_____

7,4

4,0


5,7

_____

3,7

2,0


ОКР: КД и ТД с литерой "О" на гетероструктуры для интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона.

Опытная партия гетероструктур для интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона. НИР: Научно-технический отчет по НИР и другая отчетная научно-техническая документация по НИР, предусмотренная ГОСТ, ТЗ и договором.

Программа и методики испытаний экспериментальных образцов по НИР.

Экспериментальные образцы III-N/II-VI лазерного конвертера с накачкой излучением промышленно изготавливаемых инжекционных источников света на основе нитрида галлия по НИР.

Программа и методики испытаний экспериментальных образцов по НИР.

Отчет по патентным исследованиям.

Всего по Программе "Прамень"

2011 - 2015

2601,0


1734.0

_____

1127,5

606,5


867,0

_____

563,75

303,25

201,66


134,44

_____

87,34

47,1


67,22

_____

43,67

23,55

606,45


404,3

_____

263,0

141,3


202,15

_____

131,5

70,65

681,45


454,3

_____

295,5

158,8


227,15

_____

149,5

77,65

586,44


390,96

_____

254,16

136,8


195,48

_____

127,58

67,9

525,0


350,0

_____

227,5

122,5


175,0

_____

111,5

63,5



Порядок выполнения и приемки мероприятий (работ) Программы определяется на этапе согласования технических заданий в соответствии с регламентом, установленным законодательством соответствующего государства - участника.


Таблица 3


Распределение работ, проводимых в рамках реализации мероприятий Программы в привязке к территориям государств - участников Союзного государства


Наименование мероприятий Программы

Работы, проводимые на территории России

Работы, проводимые на территории Беларуси

1. Разработка ряда СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфных и метаморфных гетероструктур соединений

Разработка конструкций гетероструктур для СВЧ устройств мм диапазона и мощных СВЧ транзисторов и МИС:

- с высокой подвижностью электронов в системе материалов InAlAs/InGaAs на подложках InP(GaAs);

- гетеробиполярных транзисторов в системе материалов InAlAs/InGaAs/InP;

- резонансно-туннельных диодов в системе материалов InAlAs/InGaAs/InP.

Разработка промышленных технологий выращивания гетероструктур.

Проведение "планарных" технологических операций (без формирования затвора). Разработка библиотеки стандартных элементов, методов и правил проектирования.

Разработка промышленных технологий роста псевдоморфных и метаморфных гетероструктур AlGalnAs, реализованных на установках молекулярно-пучковой эпитаксии российского производства, а также технологий роста гибридных гетероструктур типа FET/HBT.

Разработка базовой (стандартизованной) технологии изготовления монолитных интегральных схем, в том числе Правил проектирования (Design Kit) на основе метаморфных и псевдоморфных гетероструктур, содержащих библиотеки стандартных элементов.

Разработка конструкций МИС.

Изготовление нанометрового затвора МИС.

Разработка библиотеки стандартных элементов, методов и правил проектирования МИС. Конструирование МИС мм диапазона. Проведение приборных испытаний МИС. Разработка и изготовление на основе гибридных гетероструктур системы на кристалле (многофункциональной МИС) в составе МШУ и ЗУ.

Апробация принципов проектирования и библиотек путем разработки и изготовления опытных образцов монолитных интегральных схем:

- усилителя мощности 36 ГГц и выходной мощностью 17 дБм (далее - МИС УМ);

- преобразователя частоты 93 ГГц и потерями преобразования 12 дБ (далее - МИС ПЧ) для систем радиолокации и связи.

2. Разработка мощных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем для приёмо-передающих модулей активных фазированных решеток на основе гетероструктур AlGaN/GaN с двойным электронным ограничением

Разработка конструкции гетероструктур GaN/AlGaN с двойным электронным ограничением.

Разработка промышленной технологии выращивания гетероструктур. Проведение полного цикла "планарных" технологических операций.

Разработка библиотеки стандартных элементов, методов и правил проектирования.

Исследование возможности получения высокачественных гетероструктур для мощных СВЧ МИС с помощью комбинированной молекулярно-пучковой эпитаксии на плазменно активированном азоте и аммиачной эпитаксии.

Оптимизация конструкции гетероструктуры и доводка технологии выращивания до промышленного уровня на однотипных отечественных установках молекулярно-пучковой эпитаксии большей производительности. Разработка физической модели СВЧ транзистора, физико-топологического базиса и принципов проектирования интегральных схем на основе гетероструктур AlGaN/GaN.

Разработка Правил проектирования МИС усилителей мощности Х-диапазона на основе гетероструктур AlGaN/GaN, содержащих библиотеку стандартных элементов.

Разработка физико-топологических моделей проектирования с учётом нелинейных эффектов СВЧ приборов. Разработка конструкций СВЧ приборов.

Разработка библиотеки стандартных элементов, методов и правил проектирования.

Проведение приборных испытаний СВЧ приборов.

Исследование гетероструктур, полученных в процессе отработки конструкции и предварительного технологического процесса выращивания.

Верификация указанных моделей и принципов их построения путем разработки топологии и изготовления опытных образцов транзисторов с рабочим диапазоном частот 0 - 10 ГГц и монолитно-интегральной схемы усилителя мощности (далее - МИС УМ) с выходной мощностью 38 дБм для АФАР:

- разработка на основе Правил проектирования конструкции и изготовление монолитного СВЧ усилителя мощности для АФАР с выходной мощностью 20 Вт;

- разработка на основе Правил проектирования конструкции и изготовление гибридно- монолитного СВЧ модуля усилителя мощности для АФАР с выходной мощностью 44 дБм (30 Вт).

3. Разработка мощных непрерывных диодных лазеров на основе гетероструктур и модулей с волоконным выводом на их основе для высокоэффективной торцевой накачки твердотельных лазеров

Разработка технологии изготовления чипов мощных непрерывных диодных лазеров. Разработка, изготовление и испытание диодных лазеров на основе гетероструктур. Разработка мощных лазерных диодов и модулей с волоконным выводом.

Разработка схемы торцевой накачки твердотельных лазеров.

Изготовление образцов твердотельных лазеров с диодной накачкой.

Разработка, изготовление и испытание лазерного модуля с волоконным выводом излучения.

4. Разработка сверхмощных квазинепрерывных лазерных линеек и матриц на основе гетероструктур для боковой накачки твердотельных лазеров

Разработка, изготовление и испытание квазинепрерывных лазерных линеек и матриц на основе гетероструктур.

Разработка оптической схемы накачки и расчет энергетических характеристик квантрона.

Создание стенда для сборки, наладки и тестирования квантронов с диодной накачкой.

Сборка и проведение испытаний квантрона.

5. Разработка квазинепрерывных (импульсных) твердотельных лазеров с диодной накачкой на основе полупроводниковых гетероструктур для технологических применений

Разработка оптической схемы накачки, расчет и макетирование резонатора квазинепрерывного (импульсного) твердотельного лазера. Разработка, изготовление и испытание излучателя твердотельного лазера с диодной накачкой. Разработка и изготовление электронного блока управления системой оптической накачки.

Разработка, изготовление и испытание излучателя твердотельного лазера с диодной накачкой с генерацией второй и четвертой гармоник.

Создание стенда для сборки, наладки и тестирования лазеров с диодной накачкой.

Изготовление и проведение испытаний опытных образцов лазеров.

6. Разработка лазерных излучателей для дальномеров, работающих в безопасном для глаз диапазоне спектра (1,5 мкм) с использованием лазерных источников накачки на основе полупроводниковых гетероструктур

Разработка оптической схемы излучателя для дальномера.

Разработка, изготовление и испытания лазерных излучателей для дальномеров на основе твердотельных лазеров с диодной накачкой с энергией в импульсе 8 мДж и 2 мДж и длиной волны генерации 1,5 мкм.

Создание высокоэнергетичных твердотельных лазерных излучателей для дальномеров с использованием лазерных источников накачки на основе полупроводниковых гетероструктур, работающих в безопасном для глаз диапазоне спектра (1,5 мкм) и энергией в импульсе 25 мДж, а также в инфракрасном диапазоне спектра (1,06 мкм) с энергией в импульсе 80 мДж для различных классов дальномеров ближнего и среднего радиуса действия (до 25 км).

Разработка и изготовление блока управления лазерным источником накачки.

Разработка и изготовление и испытания двух базовых блоков дальномеров.

Разработка и изготовление базовых блоков лазерных дальномеров с излучателями с длиной волны 1,064 мкм и энергией в импульсе 80 мДж и с длиной волны 1,5 мкм и энергией в импульсе 25 мДж для измерения расстояния до 25 км для систем ПВО.

7. Разработка мощных полупроводниковых импульсных лазеров ближнего ИК диапазона на квантоворазмерных гетероструктурах InGaAs/AlGa As и приборов на их основе

Разработка конструкции и технологии роста квантоворазмерных лазерных гетероструктур.

Разработка технологии сборки и монтажа лазерных диодов на теплоотвод, согласованный с источником питания. Изготовление и испытания лазерных диодов.

Разработка планарной конструкции и технологии изготовления одиночного полупроводникового лазера с увеличенной температурной стабильностью характеристик, предназначенных для использования в качестве комплектующих для оптических систем специального назначения.

Разработка промышленной технологии изготовления туннельно-связанных полупроводниковых наноструктур для эпитаксиально-интегрированных мощных источников излучения.

Разработка конструкции и планарных технологических операций по изготовлению мезаполосковой конструкции эпитаксиально-интегрированных лазерных структур для изготовления мощных полупроводниковых импульсных лазеров.

Разработка конструкции и технологии изготовления лазерных диодов мощностью Вт в импульсном режиме.

Разработка и создание испытательного стенда для определения характеристик партий полупроводниковых лазерных излучателей для организации мелкосерийного производства лазерных диодных сборок.

Разработка и создание опытной серии блоков питания полупроводниковых лазерных излучателей.

Разработка и создание опытных образцов лазерных диодных сборок и опытных образцов оптических систем специального назначения

Разработка мощных высокочастотных импульсных источников питания для полупроводниковых лазеров, обеспечивающих достижение максимальной оптической мощности в импульсе путем подбора частоты и длительности импульса тока накачки полупроводникового лазера. Разработка опытных образцов оптических систем специального назначения нового поколения с улучшенными характеристиками по дальности действия, массогабаритным параметрам и энергопотреблению.

Разработка опытного образца компактного источника излучения с полупроводниковой импульсной накачкой на длину волны 1,06 мкм с пиковой мощностью выходного излучения не менее 1 МВт для переносной системы лазерной эмиссионной спектрометрии.

8. Разработка полупроводниковых лазеров и светодиодов на среднюю ИК-область спектра для экологического мониторинга и медицинской диагностики и QWIP-матриц для фотоприёмных модулей

Разработка конструкции лазерной гетероструктуры, технологии изготовления диодных лазеров.

Изготовление диодных лазеров и проведение испытаний.

Разработка конструкции гетероструктуры, технологии изготовления кристаллов и QWIP-матриц.

Разработка конструкции и технологии выращивания лазерных и светодиодных наногетероструктур GalnAsSb/GaSb и InAsSb/InAs методом газофазной эпитаксии из гидридов и металлорганических соединений.

Разработка постростовой технологии изготовления чипов лазеров и светодиодов средней ИК области, работающих при комнатной температуре. Разработка постростовой технологии изготовления чипов QWIP-матриц на спектральные диапазоны 3 - 5 мкм и 8 - 10 мкм.

Изготовление опытных образцов лазеров с максимумами излучения на 2,00 мкм, 2,35 мкм, 3,4, 3,7 и 4,0 мкм с мощностью 1-5 мВт, светодиодов спектрального диапазона 1,6-4,6 мкм, а также QWIP-матриц на спектральные диапазоны 3-5 мкм и 8- 10 мкм.

Разработка конструкторской и технологической документации, программы и методик испытаний диодных лазеров и светодиодов в средней ИК-области спектра и QWIP-матриц для фотоприемных модулей диапазонов 8-10 мкм и 3 -5 мкм.

Разработка и изготовление опытных образцов модулей на основе QWIP-матриц для фотоприемных систем среднего ИК-диапазона. Разработка конструкции и изготовление опытных образцов оптических анализаторов в средней ИК области.

Разработка опытных образцов оптических анализаторов в средней ИК области для определения концентраций углекислого газа, измерения содержания воды в нефти и других химических веществ, а также фотоприемных модулей на основе QWIP-матриц диапазонов 8-10 мкм и 3-5 мкм.

Разработка опытного образца импульсного параметрического генератора света на среднюю РЖ-область с пиковой мощностью выходного излучения не менее 1 кВт и частотой не менее 5 Гц.

9. Разработка конструкции и технологии молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур и интегральных полупроводниковых лазерных конвертеров зеленого спектрального диапазона на квантовых точках селенида кадмия с накачкой излучением источников света на основе нитрида галлия

Разработка, изготовление и проведение испытаний гетероструктур с квантовыми точками селенида кадмия для лазерного конвертора.

Моделирование, расчёт и разработка оптической схемы лазерного конвертора зеленого спектрального диапазона зеленого спектрального диапазона.

Разработка конструкции, технологии сборки и изготовление лазерного конвертора зеленого спектрального диапазона.

Проведение испытаний образцов лазерного конвертора зеленого спектрального диапазона.


4. Финансовое обеспечение Программы


Финансирование реализации Программы осуществляется в соответствии с Порядком формирования и исполнения бюджета Союзного государства, утвержденным постановлением Высшего Государственного Совета Союзного государства от 12 апреля 2002 г. N 3, в редакции постановления Высшего Государственного Совета Союзного государства от 15.12.2006 г. N 11 и дополнения, утвержденного постановлением Высшего Государственного Совета Союзного государства от 14.12.2007 г. N 5.


4.1 Обоснование объемов финансовых ресурсов


Запрашиваемые объемы финансовых средств рассчитаны исходя из предлагаемого перечня мероприятий Программы, существующего уровня и порядка ценообразования на сложную научно-техническую продукцию с учетом существующих методик планирования затрат на разработку сложных радиоэлектронных изделий методами прямого калькулирования и экспертных оценок. Расчет цен произведен в ценах соответствующих лет.


4.2 Распределение объемов финансовых ресурсов


Источники финансирования. Финансирование Программы осуществляется за счет средств бюджета Союзного государства и внебюджетных источников. Распределение бюджетного финансирования составляет от Российской Федерации 65%, от Республики Беларусь 35%.

Финансирование Программы со стороны Российской Федерации и Республики Беларусь осуществляется из расчета: на один рубль средств бюджета Союзного государства 0,5 рубля внебюджетных средств. Основным условием привлечения внебюджетных средств является финансовое состояние предприятий-исполнителей, позволяющее использовать в качестве внебюджетного финансирования мероприятий программы их внебюджетные (собственные) средства. Условия привлечения внебюджетных средств будут отражены в государственных контрактах.

Программой не предусматривается привлечение кредитных ресурсов, получаемых в российских и белорусских кредитных организациях.

Участие в финансовом обеспечении реализации Программы государств-участников. Программу предполагается реализовать в течение 2011 - 2015 гг.

Общая потребность в финансовых ресурсах составит 2601,0 млн. российских рублей, в том числе:

- за счет средств бюджета Союзного государства - 1734 млн. российских рублей, из них:

за счет долевых отчислений в бюджет Союзного государства:

Российской Федерации - 1127,5 млн. российских рублей,

Республики Беларусь - 606,5 млн. российских рублей;

- за счет внебюджетных источников - 867,0 млн. российских рублей, в том числе:

Российской Федерации - 563,75 млн. российских рублей;

Республики Беларусь - 303,25 млн. российских рублей.

Расходование денежных средств в Программе "Прамень" предусматривает внесение всех обязательных платежей в государственные бюджеты России и Беларуси в определенных размерах и в установленные сроки в соответствии с действующими в Российской Федерации и Республике Беларусь налоговыми законодательствами.

Финансовые средства в объеме долевых отчислений в бюджет Союзного государства Российской Федерации направляются только российским предприятиям и организациям, а финансовые средства в объеме долевых отчислений в бюджет Союзного государства Республикой Беларусь - только предприятиям и организациям Республики Беларусь.

Распределение финансирования по годам реализации Программы. По всем видам ресурсов сроки их привлечения увязаны со сроками реализации мероприятий Программы.

Распределение объемов финансирования Программы по годам за счет средств бюджета Союзного государства и внебюджетных средств приведено в Таблице 4.


Таблица 4


Объем финансирования и распределение ресурсов по Программе "Прамень"


(млн. рос. руб.)

Источники финансирования

Срок реализации Программы

Всего

В том числе по годам, млн. рос. руб.

2011г.

2012 г.

2013 г.

2014 г.

2015 г.

Всего

2011-2015

2601,0

201,66

606,45

681,45

586,44

525,0

в том числе:








- Российской Федерации


1691,25

131,01

394,5

445,0

381,74

339,0

- Республики Беларусь


909,75

70,65

211,95

236,45

204,70

186,0

из них:








Средства бюджета Союзного государства


всего:

2011-2015

1734,0

134,44

404,3

454,3

390,96

350,0

из них за счет долевых отчислений в бюджет Союзного государства:








- Российской Федерации


1127,5

87,34

263,0

295,50

254,16

227,5

- Республики Беларусь


606,5

47,10

141,30

158,80

136,80

122,5

Внебюджетные источники всего:

2011-2015

867,0

67,22

202,15

227,15

195,48

175,0

из них:








- российских участников


563,75

43,67

131,50

149,5

127,58

111,5

- белорусских участников


303,25

23,55

70,65

77,65

67,9

63,5


Направления расходования средств. Средства бюджета Союзного государства и внебюджетные средства в полном объеме будут направлены непосредственно на проведение научно-исследовательской и опытно-конструкторских работ Программы.

Источниками внебюджетных средств будут собственные средства исполнителей Программы. Они будут направляться на разработку и изготовление оснастки, измерительных и испытательных стендов, нестандартного оборудования, изготовление и закупку нестандартных устройств, аттестацию производственных участков, монтаж оборудования в рамках проведения научно-исследовательской и опытно-конструкторских работ.


5. Организация управления Программой и контроля за ходом ее реализации


Организация и координация работ, а также оперативное управление и контроль в рамках Программы осуществляется государственным заказчиком-координатором и государственным заказчиком в соответствии с "Порядком разработки и реализации программ Союзного государства", утвержденным постановлением Совета Министров Союзного Государства от 11 октября 2000 г. N 7 (в редакции постановления Совета Министров Союзного государства от 23 апреля 2010 г. N 8), "Порядком формирования и исполнения бюджета Союзного Государства, утвержденного постановлением Высшего Государственного Совета Союзного государства от 12 апреля 2002 г. N 3 (в редакции постановления Высшего Государственного Совета Союзного государства от 14 декабря 2006 г. N 11) и законодательством государств - участников Союзного государства.

Государственный заказчик-координатор и государственный заказчик осуществляют свои функции по координации, оперативному управлению и контролю Программы во взаимодействии с Постоянным Комитетом Союзного государства и государственными органами исполнительной власти Российской Федерации и Республики Беларусь.

В соответствии с Концепцией Программы, утвержденной постановлением Совета Министров Союзного государства от 22 апреля 2011 г. N 8 государственными заказчиками Программы от государств-участников являются:

от Российской Федерации - государственный заказчик Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) (распорядитель бюджетных средств на территории Российской Федерации), с возложением на него функции государственного заказчика - координатора,

от Республики Беларусь - государственный заказчик Национальная Академия наук Республики Беларусь (НАН Беларуси) (распорядитель бюджетных средств на территории Республики Беларусь);

головными исполнителями Программы в Российской Федерации - Открытое акционерное общество "Светлана" (ОАО "Светлана"), в Республике Беларусь - Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси (Институт физики НАН).


5.1 Механизм управления Программой


Управление Программой будут осуществлять государственные заказчики в части мероприятий Программы, реализуемых на территории соответствующего государства-участника: на территории Российской Федерации - Минпромторг России, на территории Республики Беларусь - НАН Беларуси. Общее руководство управлением реализацией Программы будет осуществляться государственным заказчиком-координатором - Министерством промышленности и торговли Российской Федерации.

В ходе реализации Программы государственный заказчик-координатор и государственные заказчики осуществляют следующие функции:

Государственный заказчик-координатор Минпромторг России:

осуществляет общее руководство управлением реализации Программы, в том числе координацию действий государственных заказчиков по управлению реализацией Программы;

осуществляет общий контроль за реализацией Программы в целом, целевым и эффективным использованием выделенных на ее реализацию средств бюджета Союзного государства и внебюджетных источников;

ежегодно в установленном порядке представляет в Постоянный Комитет Союзного государства, в экономические и финансовые органы государств-участников сводную заявку с необходимыми обоснованиями на финансирование Программы в целом из бюджета Союзного государства;

взаимодействует с отраслевыми органами Союзного государства и Постоянным Комитетом Союзного государства по всем вопросам реализации и финансирования Программы.

Государственные заказчики Минпромторг России, НАН Беларуси в части мероприятий Программы, относящихся к их компетенции и реализуемых на территории соответствующего государства-участника:

осуществляют управление реализацией мероприятий Программы и несут в установленном порядке ответственность за реализацию мероприятий Программы и достижение их результатов, своевременное, целевое и эффективное использование средств, выделяемых из бюджета Союзного государства;

распределяют средства бюджета Союзного государства, выделенные на реализацию программы, в соответствии с Порядком формирования и исполнения бюджета Союзного государства;

осуществляют контроль за реализацией мероприятий Программы, входят в состав структур, специально создаваемых в соответствии с механизмом контроля за реализацией Программы (если их создание предусматривается);

заключают государственные контракты на выполнение работ по реализации Программы;

ежегодно в течение 30 дней после начала каждого очередного финансового года заключают необходимые для реализации государственных контрактов дополнительные соглашения с головными исполнителями на реализацию мероприятий в соответствующем году;

ежегодно в установленном порядке формируют и представляют государственному заказчику-координатору заявки на финансирование соответствующих мероприятий Программы из бюджета Союзного государства с необходимыми обоснованиями;

в пределах своей компетенции контролируют ход выполнения мероприятий Программы и достижение целевых индикаторов и показателей, установленных Программой, своевременное, целевое и эффективное использование средств, выделенных из бюджета Союзного государства на реализацию Программы и внебюджетных источников;

взаимодействуют между собой, с государственным заказчиком-координатором, другими государственными органами, отраслевыми органами Союзного государства и Постоянным Комитетом Союзного государства по текущим вопросам реализации и финансирования соответствующих мероприятий Программы.

Для осуществления планирования и контроля за научно-техническим уровнем выполняемых работ по Программе НАН Беларуси и Минпромторг России создают научно-технический координационный совет, в состав которого включаются ведущие ученые и специалисты Беларуси и России в области электронной компонентной базы, представители государственных заказчиков Программы, а также заинтересованных министерств и ведомств, предприятий и организаций радиоэлектронного комплекса Беларуси и России.

Научно-технический координационный совет работает на добровольной основе и осуществляет:

- координацию задач по разработке технических требований на работы Программы, формируемых в технических заданиях;

- контроль за научно-техническим уровнем выполняемых работ;

- комплексную экспертизу проектов;

- участие в приемке работ;

- разработку предложений по производству гетероструктур, приборов и систем на их основе.

Для реализации Программы в месячный срок после её утверждения государственные заказчики (Минпромторг России, НАН Беларуси) в соответствии с национальным законодательством заключают государственные контракты на выполнение мероприятий Программы.

Головные исполнители Программы осуществляют:

проведение переговоров и подготовку государственных контрактов по реализации Программы, если условиями государственного контракта с исполнителями не предусматривается возложить на них реализацию всех мероприятий Программы;

сбор и систематизация статистической и аналитической информации о ходе и результатах реализации мероприятий Программы;

организацию оценки и подтверждение показателей результативности и эффективности мероприятий Программы, их соответствие целевым индикаторам и показателям;

организационно-техническое обеспечение работы органов, создаваемых в соответствии с механизмом контроля за реализацией Программы;

организационно-техническое обеспечение заседаний научно-технического координационного совета по Программе;

представление государственным заказчикам статистической (по форме "1-Союз"), аналитической и финансовой отчетности о ходе реализации Программы за отчетный год и планов работ на следующий год.


5.2 Механизм контроля реализации Программы


Для осуществления контроля за ходом реализации Программы, достижением ее целей, своевременным, целевым и эффективным расходованием средств бюджета Союзного государства, соблюдением условий государственных контрактов на реализацию Программы государственный заказчик-координатор (Минпромторг России) совместно с государственными заказчиками (НАН Беларуси):

организуют и обеспечивают ведение отчетности о ходе реализации Программы;

проводят проверки выполнения мероприятий и расходования финансовых средств в ходе реализации Программы и по ее завершении;

создают и формируют научно-технический координационный совет.

Государственный заказчик-координатор (Минпромторг России) представляет отчетность по Программе (статистическая, аналитическая, итоговая) в целом. Государственные заказчики (НАН Беларуси), исполнители мероприятий Программы представляют отчетность в части закрепленных за ними мероприятий (работ).

Непредставление отчетности в установленные сроки или нарушение требований к ее содержанию, выявление органом, исполняющим бюджет, и (или) органами финансового контроля, фактов нецелевого использования бюджетных средств, выделенных на реализацию Программы, а также иные причины, предусмотренные нормативными актами Союзного государства, являются основаниями для приостановления финансирования Программы за счет средств бюджета Союзного государства с направлением уведомления в течение семи дней с момента принятия этого решения государственному заказчику-координатору Программы (Минпромторг России) и государственному заказчику (НАН Беларуси), допустившему нарушение, а также Парламентскому Собранию Союза Беларуси и России, Министерству финансов Республики Беларусь и Федеральному казначейству (Казначейство России).

Перечень показателей, порядок, сроки и форма представления статистической отчетности устанавливаются статистическими органами государств-участников по согласованию с экономическими органами государств-участников. Статистическая отчетность представляется в соответствии с постановлением Государственного комитета Российской Федерации по статистике от 26 декабря 2003 года N 115 и постановлением Национального статистического комитета Республики Беларусь от 13 сентября 2011 года N 252.

В тех случаях, когда в статистической отчетности о ходе реализации Программы, имеются расхождения между суммами выделенных средств, их фактическим поступлением и кассовым исполнением в прилагаемой пояснительной записке приводятся соответствующие разъяснения.

За непредставление в установленный срок статистической отчетности должностные лица государственных заказчиков (государственных заказчиков-координаторов), ответственные за представление государственной статистической отчетности, несут ответственность, предусмотренную законодательством государств-участников.

Аналитическая отчетность (аналитический отчет) представляется ежегодно в следующие адреса и сроки:

головными исполнителями - государственным заказчикам (государственному заказчику-координатору и государственным заказчикам) - до 15 февраля;

государственными заказчиками - государственному заказчику-координатору, Постоянному Комитету Союзного государства, экономическим министерствам соответствующих государств-участников - до 1 марта;

государственными заказчиками-координаторами - Постоянному Комитету Союзного государства и экономическим министерствам государств-участников - до 1 апреля.

В аналитическую отчетность включается:

информация о ходе выполнения мероприятий Программы и соответствии полученных результатов заданиям Программы;

информация о приемке результатов выполнения мероприятий Программы государственными заказчиками;

сведения о достигнутых в отчетном году показателях, их соответствии целевым индикаторам и другим показателям, установленным Программой;

данные об объемах, направлениях расходования, целевом использовании финансовых средств - в целом и по мероприятиям Программы с разбивкой по источникам финансирования;

информация об использовании полученных результатов;

сведения о внесенных в Программу дополнениях и изменениях;

информация (предложения) о возможности использовании полученных результатов в государственных программах Российской Федерации и республиканских программах Республики Беларусь в виде отдельного приложения;

выводы и предложения, в том числе о необходимости внесения в Программу соответствующих изменений или ее досрочном прекращении, об использовании полученных результатов, включая результаты интеллектуальной деятельности с предложениями по их коммерциализации.

В отчетном году после завершения Программы государственный заказчик-координатор (Минпромторг России) совместно с государственным заказчиком (НАН Беларуси) подготавливает и не позднее трех месяцев по истечении установленного в Программе срока ее реализации направляет в Постоянный Комитет Союзного государства, Комитет государственного контроля Республики Беларусь, Счетную палату Российской Федерации, экономические и финансовые министерства, а также в министерства (ведомства) государств-участников, ответственные за формирование и реализацию государственной политики в области науки и технологий государств-участников итоговый отчет о выполнении Программы в целом и эффективности использования финансовых средств за весь период ее реализации.

В итоговый отчет включается информация (сведения, данные) за последний год реализации Программы в объеме, установленном Порядком разработки и реализации программ Союзного государства для аналитической отчетности, а также информация:

о результатах реализации Программы в целом, включая результаты интеллектуальной деятельности, их соответствии целям и задачам Программы, целевым индикаторам и другим показателям, установленным в Программе;

об объемах, направлениях расходования, целевом использовании финансовых средств в целом и по видам источников финансирования;

о результатах проверок государственными заказчиками хода и итогов выполнения мероприятий Программы, целевого и эффективного использования средств бюджета Союзного государства, выделенных на реализацию Программы, и привлеченных из внебюджетных источников;

о результатах оценки вновь созданных и приобретенных объектов собственности (включая интеллектуальную), их государственной регистрации и правовой охране, постановке на учет;

информация (предложения) о возможности использовании полученных результатов в государственных программах Российской Федерации и республиканских программах Республики Беларусь в виде отдельного приложения;

о фактическом или планируемом использовании полученных результатов, включая результаты интеллектуальной деятельности, и предложения об их коммерциализации, о внедрении и эффективности инноваций.

В итоговый отчет по результатам выполнения Программы включается информация (предложения) о возможности использовании полученных результатов в государственных программах Российской Федерации и республиканских программах Республики Беларусь в виде отдельного приложения.

В конце итогового отчета приводится оценка ожидаемого влияния результатов реализации Программы на различные сферы экономики, формулируются выводы об эффективности реализации Программы и предложения о дальнейшей работе по решению заявленной в Программе проблемы и использованию полученных результатов.

Материалы по вопросу об итогах реализации Программы подготавливаются и вносятся на рассмотрение Совета Министров Союзного государства государственным заказчиком-координатором (Минпромторг России) совместно с государственным заказчиком (НАН Беларуси) в порядке и в сроки, установленные Регламентом Совета Министров Союзного государства, с учетом следующего:

перед внесением в Совет Министров Союзного государства материалы направляются также на заключение в те же республиканские органы государственного управления и федеральные органы исполнительной власти, с которыми осуществлялось согласование проекта программы, а также, в зависимости от характера полученных результатов, в министерства (ведомства) государств-участников, ответственные за формирование и реализацию государственной политики в области имущественных отношений, и (или) интеллектуальной собственности;

к материалам прилагается итоговый отчет о результатах реализации Программы и заключение контрольных органов государств-участников по нему.

Приемка результатов реализации Программы в целом осуществляется после завершения всех программных мероприятий совместной комиссией, формируемой государственным заказчиком-координатором (Минпромторг России) по согласованию с государственным заказчиком (НАН Беларуси). В состав совместной комиссии по приемке результатов выполнения Программы в целом включаются представители государственных заказчиков, заинтересованных министерств и ведомств государств-участников, ведущие ученые и специалисты; в них также могут входить представители Постоянного Комитета Союзного государства и контрольных органов. Состав совместной комиссии утверждается приказом руководителя государственного заказчика-координатора.

Решения о внесении в Программу изменений, продлении сроков реализации или досрочном прекращении реализации Программы принимает Совет Министров Союзного государства.

При необходимости внесения изменений в Программу, включая продление сроков ее реализации, государственный заказчик-координатор совместно с государственными заказчиками вносит в Совет Министров Союзного государства соответствующее предложение с обоснованиями. Продление срока реализации Программы допускается не более чем на один год.

Предложения о внесении изменений в Программу отражаются в ежегодных аналитических отчетах.

В случае утраты актуальности решения проблемы посредством реализации действующей Программы, по решению Совета Министров Союзного государства Программа может быть досрочно прекращена.


6. Ожидаемые результаты реализации Программы


6.1 Основные ожидаемые результаты реализации Программы


Практическая значимость Программы и эффективность её мероприятий отражены в Таблице 5, где представлен перечень создаваемой электронной продукции по мероприятиям Программы, информация по областям применения этой продукции с указанием видов конечных изделий, а также прогнозируемые объёмы их выпуска в 2016 году. Технические параметры и характеристики конечных изделий соответствуют и в большинстве случаев превосходят аналогичные мировые образцы, что подтверждается результатом анализа, проведенным НАН Беларуси и Минпромторгом России.


Таблица 5


Перечень
создаваемой по Программе "Прамень" электронной продукции, области её применения и прогнозируемые потребность и объёмы спроса производства в 2016 г.


N мероприятия

Наименование научно-технической продукции, которая будет разработана в ходе реализации мероприятий Программы "Прамень"

Область применения научно-технической продукции, которая будет разработана по программе "Прамень"

Прогнозируемая потребность продукции по состоянию на 2016 год

Прогнози руемая цена изделия

Прогнозируемый объём спроса продукции при сохранении динамики цен

по изделию

всего по мероприятию

шт.

тыс.руб.

млн. руб.

млн. руб.

1

СВЧ МИС на GaAs 36 ГГц

Приемопередатчики системы передачи информации по скрытым и защищенным цифровым радиоканалам

25 000

23

575

1646,6

СВЧ МИС на GaAs 93 ГГц

Приемопередающие модули АФАР бортовых систем самонаведения

7 200

25

180

СВЧ СнК на GaAs 36 ГГц

Приемо-передатчики систем передачи информации по скрытым и защищенным радиоканалам

20000

27

540,0

СВЧ СнК на GaAs 36 ГГц

Приемо-передатчики бортовых систем точного наведения на цель

7200

28

201,6

МФ МИС МШУ с защитным устройством

Приемники систем передачи "точка - точка", радиоперехвата и радиоэлектронного противодействия

10000

15

150,0

2

СВЧ транзистор на GaN X диапазона ( ГГц)

Метеолокаторы: выходной усилитель ППМ АФАР

15 000

15

225

1545,0

АФАР судовой РЛС, системы радиовидения: выходной усилитель

10 000

18

180

СВЧ МИС для АФАР на GaN X диапазона ( ГГц)

Метеолокаторы: предварительный усилитель ППМ АФАР

15 000

20

300

Гибридно-монолитный СВЧ модуль усилителя мощности для АФАР с выходной мощностью 30 Вт Х-диапазона ( ГГц)

Выходной усилитель ППМ АФАР

35000

24

840

3

Полупроводниковый лазерный диод 15 Вт в непрерывном режиме, нм

Медицинские применения (хирургия, косметология, стоматология, онкология и пр.). Накачка твердотельных лазеров различного применения

2 500

20

50

150

Лазерный модуль с волоконным выводом 100 Вт, d=400 мкм

Для обработки материалов и для накачки твердотельных лазеров

250

350

88

Твердотельный лазер с диодной накачкой

Датчик метеорологический для мониторинга окружающей среды

60

200

12

4

лазерная линейка 200 Вт, нм

Для накачки твердотельных лазеров

1200

20

24

105

матрица лазерных линеек 5 и 10 кВт,

Для накачки твердотельных лазеров

60

700

42

квантрон с диодной накачкой

Для построения твердотельных лазеров

130

300

39

5

твердотельные лазеры с диодной накачкой ( нм и нм)

Технологические применения (маркировка, гравировка, клеймо, обработка и резка материалов и пр.)

160

700

112

112

6

твердотельный лазер с диодной накачкой и прицел с дальномером на его основе, 10 км

Для стрелкового оружия

120

500

60

193.0

твердотельный лазер с диодной накачкой и прицел с дальномером на его основе, 5 км

Для стрелкового оружия

400

100

40

Высокоэнергетичный твердотельный лазерный излучатель 1,5 мкм с энергией в импульсе 25 мДж и прицел с дальномером на его основе, 25 км

Дальномеры с использованием лазерных источников накачки

20

2150

43

Высокоэнергетичный твердотельный лазерный излучатель 1,06 мкм с энергией в импульсе 80 мДж и прицел с дальномером на его основе, 25 км

Дальномеры с использованием лазерных источников накачки

25

2000

50,0

7

Лазерный диод (100-150 Вт в импульсном режиме)

для медицинских применений и обработки материалов

400

13

5

319,0

Диодная матрица (1-2 кВт в импульсном режиме)

Для атмосферных лидаров в навигационных системах аэродромов, для нанопорошковой металлургии

400

70

28

Электронный блок питания и стабилизации

Для одиночного полупроводникового импульсного лазера (< 100 нc)

200

35

7

Электронный блок питания и стабилизации

Для матрицы полупроводниковых диодов в импульсном режиме (<100 нc)

400

175

70

Система инфракрасной подсветки на основе матрицы полупроводниковых лазерных диодов, работающих импульсном режиме, мкм

Системы ночной визуализации (двойного применения)

100

100

10

Устройство маркировки на основе матрицы полупроводниковых лазерных диодов, работающих импульсном режиме, мкм

Технологические применения (устройства гравировки, маркировки и пр.)

50

1000

50

Эпитаксиально-интегрированные лазерные структуры для изготовления мощных полупроводниковых импульсных лазеров

Производство лазеров специального назначения

300

240

72

Лазерный диод Вт в импульсном режиме

Медицинская аппаратура, Обработка материалов

3500

22

77

8

Лазерный модуль мкм

Газоанализаторы различного назначения

600

30

18

392,5

Электронный блок питания и стабилизации

Для лазерного модуля

500

13

6,5

Светодиодные матрицы на основе светодиодов мкм

Газоанализаторы различного назначения

15 000

1

15

QWIP-матрицы для фотоприёмных модулей в среднем ИК диапазоне

Системы тепловидения

100

300

30

Анализатор

Мониторинг окружающей среды, технологические применения

800

18

14,5

Анализатор

Системы контроля для обеспечения безопасности в горнорудной промышленности

400

20

8

Анализатор

Технологический контроль содержания воды в нефти и нефтепродуктах

400

20

8

Фотоприемная QWIP матрица на спектральный диапазон 3-5 мкм

Приборы и системы тепловидения бортового и корабельного базирования

500

585

292,5

9

Интегральный полупроводниковый лазерный конвертор, нм

Системы проекционного лазерного телевидения, цветной печати, локации и навигации, медицинские применения

1600

75

120

120


Прогнозируемый общий объём спроса на продукцию по всем мероприятиям программы в 2016 г. составит 4 583,1 млн. руб.

Разработка новых технологий и новейших изделий микро-, нано- и оптоэлектроники позволит резко снизить отставание в технологическом плане от новейших достижений мировой техники и обеспечить независимость от импорта важнейших изделий электроники для промышленности и применения в системах двойного назначения.

Программа направлена на разработку импортозамещающих технологий и приборов, а также на осуществление совместной политики Союзного государства в области военно-технического сотрудничества.

Выполнение Программы будет способствовать более глубокой и всесторонней кооперации российских и белорусских научных организаций в создании и развитии передовых и востребованных во всем мире полупроводниковых технологий.

В результате реализации Программы предполагается обеспечить:

- создание перспективной компонентной базы, необходимых для выпуска высокотехнологичной наукоемкой радиоэлектронной продукции мирового уровня для важнейших технических систем двойного применения (воздушный, морской и наземный транспорт, ракетно-космическая техника, машиностроительное, энергетическое оборудование, вычислительная техника, системы управления, навигации, связи и информатики, медицинская техника, образование, экологический контроль и др.);

- разработку высокоэффективных промышленных технологий, отработку требований к созданию технологического и метрологического оборудования, необходимых для технического перевооружения предприятий, производящих конкурентоспособную продукцию;

- создание научно-технической базы для развития и технологического перевооружения предприятий, разрабатывающих и производящих перспективную компонентную базу для внутреннего и мирового рынка, на основе новых технических решений, технологий, специального технологического и метрологического оборудования;

- повышение уровня научно-технической, экономической и технологической независимости государств - участников Союзного государства в части разработки и применения изделий на основе гетероструктур в перспективных системах вооружений и техники гражданского назначения.

Результаты, полученные при выполнении Программы, в полной мере будут использованы в работах по обеспечению Федеральных целевых программ и государственных программ Российской Федерации и республиканских программ Республики Беларусь, выполняемыми предприятиями государств - участников Союзного государства.


6.2 Показатели выполнения мероприятий программы "Прамень"


Научно-технический уровень планируемых работ характеризуется техническими параметрами электронных изделий и приборов (Таблица 1) и показателями выполнения мероприятий Программы "Прамень" (Таблица 6).


Таблица 6


Показатели выполнения мероприятий программы "Прамень"



Целевые индикаторы


2012 г.

2015 г.

1

Общее количество разработанных образцов изделий, в том числе:

шт.

15

35

1.1

Количество разработанных образцов изделий, которые превосходят технические требования аналогичных мировых разработок по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам

шт.

1

9

1.2

Количество разработанных образцов изделий, которые отвечают перспективным техническим требованиям по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам

шт.

3

12

1.3

Количество разработанных образцов изделий, которые отвечают техническим требованиям по импортозамещению по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам

шт.

9

22

2

Количество патентов и других объектов интелектуальной# собственности (научно-техническая документация)

шт.

5

14

3

Количество разработанных технологий

шт.

3

16


Планируемые целевые индикаторы (Таблица 6) полностью соответствуют современному уровню мировых достижений.

В рамках реализации Программы в соответствии с ГОСТ 2.103-68 "ЕСКД. Стадии разработки" производится изготовление и испытание установочной серии для последующей передачи на серийное (массовое) производство гетероструктур и изделий на их основе. Перечни изделий, в которых используются опытные образцы гетероструктур, определены в Таблице 5.


7. Вопросы собственности


До принятия нормативных актов Союзного государства по реализации Соглашения между Российской Федерацией и Республикой Беларусь о регулировании вопросов собственности Союзного государства права на объекты собственности, созданные или приобретенные за счет средств бюджета Союзного государства, распределяются между Республикой Беларусь и Российской Федерацией в соответствии с вкладом (долями отчислений государств-участников на реализацию Программы), при этом:

Права собственности на объекты, созданные или приобретенные на территориях Российской Федерации и Республики Беларусь в рамках Программы, принадлежат Союзному государству, а до оформления собственности Союзного государства в определенном законодательством Союзного государства порядке - Российской Федерации и Республике Беларусь в соответствии с национальным законодательством.

По завершении Программы государственный заказчик-координатор совместно с государственными заказчиками вносит в Совет Министров Союзного государства предложения по правам владения и пользования результатами интеллектуальной деятельности, полученными в рамках Программы в Российской Федерации и в Республике Беларусь.

Учет указанных результатов осуществляется в порядке, установленном законодательством Союзного государства, а до его разработки - законодательством соответствующего государства-участника.

До принятия нормативных правовых актов Союзного государства, регулирующих правоотношения относительно объектов интеллектуальной собственности, к подлежащим охране объектам интеллектуальной собственности, созданным российскими организациями, применяются действующие нормы законодательства Российской Федерации (Гражданский кодекс Российской Федерации, часть четвертая), созданным белорусскими организациями - применяются действующие нормы законодательства Республики Беларусь (Гражданский кодекс Республики Беларусь, раздел V; Закон Республики Беларусь от 16.12.2002 N 160-3 "О патентах на изобретения, полезные модели, промышленные образцы").

Соответствующие положения включаются в государственные контракты на реализацию Программы.


8. Оценка ожидаемой социально-экономической и экологической эффективности Программы


Реализация Программы позволит обеспечить следующие показатели экономической эффективности:

- Решить задачи создания инновационной продукции двойного применения на основе использования гетероструктур новых поколений и изделий на их основе, в том числе обеспечить возможность создания вооружения, военной и специальной техники нового поколения, что повысит обороноспособность и безопасность государств - участников Союзног государства;

- Повысить эффективность и конкурентоспособность изделий на гетероструктурах специального и двойного применения на внутреннем и внешнем рынках, доведя уровень поставок на внешний рынок к 2015 году ориентировочно до 0,6 %, а к 2019 г - до 1,4% от общего мирового уровня, что покроет первоочередную необходимую потребность Союзного государства для решения специальной и общегражданской продукции;

- Обеспечить технологическую независимость и технологический уровень радиоэлектронного комплекса государств - участников Союзного государств при производстве гетероструктур, соответствующий мировому уровню;

- Способствовать реализации инфраструктуры проектирования и производства гетероструктур, приборов систем, том числе на создание центров проектирования компонентной базы, блоков и узлов аппаратуры, специализированных производств по заказу гетероструктур, научно-технологических, метрологических и испытательных центров;

- организовать с использованием гетероструктур производство массовой интеллектуально насыщенной и конкурентоспособной высокотехнологичной радиоэлектронной продукции, реализующих современные виды систем жизнеобеспечения, коммунального обслуживания, медицины, информационных и телекоммуникационных услуг и другие.

Экономическая эффективность Программы может быть оценена с использованием целевых показателей экономической эффективности и экономического эффекта от ее реализации.

Ключевые экономические показатели Программы приведены в Таблице 7.


Таблица 7


Основные экономические показатели программы "Прамень"


(млн. рос. руб.)

Наименование показателей

Значение

Общий объем финансирования программы (в ценах соответствующих лет)

2601,0

в том числе:


средства Союзного государства бюджета

1734,0

внебюджетные средства

867,0

Показатели коммерческой эффективности

Чистый дисконтированный доход (ЧДД) в 2019 году

697,59

Срок окупаемости по чистой прибыли предприятия (СО), лет

8,1 лет

Индекс доходности (рентабельность) по чистой прибыли (ИД)

1,30

Уровень безубыточности

0,26

Показатели бюджетной эффективности

Налоги, поступающие в национальные бюджеты и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования

5332,32

Бюджетный эффект

3922,09

Индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям в национальные бюджеты

3,8

Удельный вес средств бюджета Союзного государства в общем объеме финансирования (степень участия государств - участников Союзного государства)

0,56

Срок окупаемости бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям в национальные бюджеты (Соб), лет

5,8 лет


По результатам расчётов экономической эффективности, приведенным в Таблице 7, можно сделать следующие выводы:

- Дисконтированные доходы бюджета более чем в 3,5 раза превышают дисконтированные расходы, что показывает высокую экономическую эффективность предлагаемой Программы;

- Показатели коммерческой окупаемости проекта (срок окупаемости 8,1 года, внутренняя доходность 17,71%) соответствуют мировой практике для проектов такого класса;

- Чистый дисконтированный доход бюджета составляет более 3922,09 млн. руб., что также свидетельствует о высокой экономической эффективности предлагаемой Программы.

В социально-экономической сфере реализация Программы позволит:

- обеспечить интеллектуализацию труда и среды обитания и расширения возможности использования радиоэлектроники и информационных систем;

- увеличить число рабочих мест в радиоэлектронном комплексе, снизить отток талантливой части научно-технических кадров, повысить спрос на квалифицированные научно-технические кадры, обеспечить привлечение молодых специалистов и ученых и улучшить возрастную структуру кадров;

- существенно повысить технологический уровень производства гетероструктур, который обеспечит снижение трудовых затрат на создание новых классов радиоэлектронной аппаратуры и систем и улучшит условия труда.

Экологическая эффективность Программы позволяет:

- Обеспечить новый уровень химической обработки на базе плазмохимических процессов, позволяющими исключить использование кислот и органических растворителей, а также экологически чистыми технологиями нанесения электролитических покрытий по замкнутому циклу, утилизацией и нейтрализацией отходов непосредственно в технологическом цикле;

- Использовать высокоэффективные методы подготовки чистых сред и сверхчистых реактивов в замкнутых циклах, внедрением систем экологического мониторинга окружающей территории для производств электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники, кластерными технологическими системами обработки структур и приборов в технологических объемах малой величины с непосредственной подачей реагентов контролируемого минимального количества, которые могут использоваться в других отраслях (методы ультрафильтрации; технологии улавливания и нейтрализации вредных веществ, обработки по замкнутым циклам; получение сверхчистой воды и сверхчистых реактивов, экологически чистые методы утилизации отработанной аппаратуры);

- Разработать технологии утилизации гетероструктур, приборов и радиоэлектронной аппаратуры на их основе в рамках развиваемых технологий поддержания жизненного цикла.


Приложение 1


Паспорт
программы Союзного Государства "Прамень"


Наименование Программы

"Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе", (шифр Прамень").

Дата принятия решения о разработке Программы (наименование, номер и дата нормативного акта)

Постановление Совета Министров Союзного государства от "22" апреля 2011 г. N 8

Государственный заказчик-координатор

Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России)

Государственные заказчики

Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России)

Национальная академия наук Беларуси (НАН Беларуси)

Головные исполнители

От Российской Федерации - Открытое акционерное общество "Светлана" (ОАО "Светлана"), г. Санкт-Петербург От Республики Беларусь - Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси (Институт физики НАН), г. Минск

Цели и задачи

Цель Программы - создание конструкций и технологий производства перспективных полупроводниковых гетероструктур и на их основе конкурентоспособных изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений специального и двойного применения для решения широкого круга социально-экономических и оборонных задач государств - участников Союзного государства, в том числе импортозамещающих изделий, по своим количественным характеристикам и параметрам, отвечающих перспективным требованиям по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам и конкурентной продукции рынков государств - участников Союзного государства и мирового сообщества.

Задачами Программы являются:

1. Разработка конструктивно-технологических решений гетероструктур в системах материалов , и для нескольких групп применений в областях микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений, которые должны обеспечивать стандартизацию конструкций по областям применения и промышленное производство гетероструктур на пластинах диаметром не менее 76 мм;

2. Разработка технологий промышленного производства групп изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений на основе конструктивно-технологических решений гетероструктур и технологий их промышленного производств, которые должны соответствовать базовым технологиям Временного положения "Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Пластины с кристаллами заказанных элементов. Общие технические условия", ФГУ 22ЦНИИИ Минобороны России, 2009 г. и могут быть использованы в качестве технологий двойного применения;

3. Разработка конструкций и отработка технологий промышленного производства изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений с использованием разработанных в Программе гетероструктур и технологий их производства.

Реализация задач Программы позволяет обеспечить разработку:

1. технологии изготовления гетероструктур на полупроводниковых материалах группы и СВЧ МИС с перспективными гребованиям по частотам и длинам волн (в том числе Х-диапазона 8-12 ГГц, К - диапазона в 36 ГГц и W - диапазона в 93 ГГц, сроком службы цо 20000 час. и удельным мощностям, соответствующим зарубежным аналогам и другим эксплуатационным характеристикам для создания на их основе новейших систем радиолокации с АФАР и радиовидения, имеющих двойное применение;

2. технологии изготовления гетероструктур с двойным электронным ограничением на базе широкозонных полупроводников, позволяющих изготавливать СВЧ транзисторы частотного диапазона выше 10 ГГц, повышенной мощности (до 5 Вт) и высокой радиационной стойкости для создания на их основе систем глобальной космической связи, радиолокации и мобильных систем связи двойного применения.

3. технологии изготовления мощных полупроводниковых лазеров (мощность до 15 Вт) и сверхмощных лазерных линеек и матриц (мощность до 5 кВТ) в ближней и средней ИК областях (с длиной волны генерации нм) и наработкой на отказ по числу импульсов на структурах мышьяковых соединений для создания на их основе систем целеуказания, метрологии, строительства, мониторинга окружающей среды, медицинского назначения и спецприменений;

4. принципиально нового лазерного излучателя в зелёной области спектра на основе конвертора соединений нитридов третьей группы и селенидов второй группы () для создания на их основе перспективных оптических систем, в том числе с длиной волны генерации 500-550 нм.

Указанные задачи определены на основании потребности в новых или усовершенствованных технологиях, комплектующих изделиях предприятий-изготовителей продукции для ВПК, транспорта, метеорологии, медицины, металлообработки и других, что обеспечивает достижимость цели Программы.

Целевые индикаторы и показатели

Количество разработанных образцов изделий - 35, в том числе:

Количество разработанных образцов изделий, которые превосходят требования аналогичных мировых разработок по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам - 9;

Количество разработанных образцов изделий, которые отвечают перспективным требованиям по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам - 12;

Количество разработанных образцов изделий, которые отвечают требованиям по импортозамещению по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам - 22;

Количество патентов и других объектов интелектуальной# собственности (научно-техническая документация) - 14;

Количество разработанных технологий - 16.

Срок реализации

2011-2015 гг.

Объёмы и источники финансирования

Общая потребность в финансовых ресурсах составит 2601,0 млн. российских рублей, в том числе:

- за счет средств бюджета Союзного государства - 1734,0 млн. российских рублей, из них:

- за счет долевых отчислений Российской Федерации в бюджет Союзного государства: - 1127,5 млн. российских рублей, за счет долевых отчислений Республики Беларусь в бюджет Союзного государства - 606,5 млн. российских рублей;

- за счет внебюджетных источников - 867,0 млн. российских рублей, из них: в Российской Федерации - 563,75 млн. российских рублей;

в Республике Беларусь - 303,25 млн. российских рублей. Бюджетные средства используются для проведения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ.

Распределение бюджетных средств Союзного государства по годам:

2011 г. - 134,44 млн. российских рублей, в том числе:

Российская Федерация - 87,34 млн. российских рублей, Республика Беларусь - 47,10 млн. российских рублей.

2012 г. - 404,30 млн. российских рублей, в том числе:

Российская Федерация - 263,00 млн. российских рублей, Республика Беларусь - 141,30 млн. российских рублей.

2013 г. - 454,3 млн. российских рублей, в том числе:

Российская Федерация - 295,50 млн. российских рублей, Республика Беларусь - 158,80 млн. российских рублей.

2014 г. - 390,96 млн. российских рублей, в том числе:

Российская Федерация - 254,16 млн. российских рублей, Республика Беларусь - 136,8 млн. российских рублей.

2015 г. - 350,00 млн. российских рублей, в том числе:

Российская Федерация - 227,50 млн. российских рублей, Республика Беларусь - 122,50 млн. российских рублей.

Распределение внебюджетных средств по годам:

2011 г. - 67,22 млн. российских рублей, в том числе:

Российская Федерация - 43,67 млн. российских рублей, Республика Беларусь - 23,55 млн. рублей.

2012 г. - 202,15 млн. российских рублей, в том числе:

Российская Федерация - 131,5 млн. российских рублей, Республика Беларусь - 70,65 млн. российских рублей.

2013 г. - 227,15 млн. российских рублей, в том числе:

Российская Федерация - 149,5 млн. российских рублей, Республика Беларусь - 77,65 млн. российских рублей.

2014 г. - 195,48 млн. российских рублей, в том числе:

Российская Федерация - 127,58 млн. российских рублей, Республика Беларусь - 67,9 млн. российских рублей.

2015 г. - 175,00 млн. российских рублей, в том числе:

Российская Федерация - 111,5 млн. российских рублей, Республика Беларусь - 63,5 млн. российских рублей.

Ожидаемые конечные результаты реализации Программы

Технологическое обеспечение, необходимое для создания промышленного производства гетероструктур, составляющих фундаментальную основу современных электронных и оптоэлектронных приборов, и, тем самым, ликвидация технологического отставания при разработке и производстве полупроводниковых гетероструктур.

- Создание конструкций, технологий и основ промышленного производства широкой номенклатуры перспективных изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники в наиболее востребованных в настоящее время диапазонах сантиметровых и миллиметровых длин волн, в том числе:

- СВЧ монолитные интегральные схемы миллиметрового диапазона длин волн для развития систем связи, радиолокационных станций и систем радиопротиводействия;

- мощные СВЧ-транзисторы и СВЧ монолитные интегральные схемы для ППМ АФАР;

- мощные непрерывные диодные лазеры и сверхмощные квазинепрерывные лазерные линейки и матриц;

- лазерные источники накачки твердотельных лазеров и лазерных излучателей дальномеров;

- мощные полупроводниковые импульсные лазеры ближнего ИК диапазона;

- полупроводниковые лазеры и светодиоды на среднюю ИК-область спектра;

- QWIP-матрицы для фотоприёмных модулей в среднем ИК-диапазоне;

Создание компонентной базы лазерных излучателей для обеспечения производства лазерных и светодиодных систем инфракрасной подсветки приборов ночного видения; бортовых волоконно-оптических линий связи; беспроводной оптической связи; лазерные дальномеров целеуказателей; систем наведения высокоточного оружия, медицинских систем лазерной терапии двойного назначения и др.

В целом выполнение Программы позволит создать необходимую компонентную базу - фундамент для совершенствования и развития нового поколения систем специального и двойного назначения.

Повышение уровня научно-технической, экономической и технологической независимости Союзного государства в части разработки и применения изделий на основе гетероструктур в перспективных системах вооружений и техники гражданского назначения.

Разработка и освоение производства 35 унифицированных изделий электронной и оптоэлектронной техники, в том числе, 16 стандартных технологических процесса, 3 комплекта Правил проектирования СВЧ изделий. Три из разрабатываемых продуктов превысят мировой уровень;

Сохранение и создание 850 - 1100 новых рабочих мест в организациях высокотехнологичных отраслей промышленности;

Уменьшение материало- и энергоемкости производства, снижение экологической нагрузки, улучшение условий труда;

Формирование научных и технологических предпосылок для кардинального изменения структуры экспорта в пользу наукоемкой продукции с увеличением ее доли в 2019 году по отношению к 2010 году не менее чем в 23 раза за счет повышения потребительских свойств, конкурентоспособности выпускаемой продукции, закрепления традиционных и освоения новых сегментов мирового рынка;

Обеспечение налоговых поступлений в бюджет от организаций-исполнителей и пользователей результатами Программы в размере до 9845,60 млн. рублей, что превысит размер инвестиций и создаст бюджетный эффект в размере более 3922,09 млн. рублей;

Обеспечение индекса доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований - 3,78, при коммерческом индексе доходности 1,30.


Заместитель Министра
промышленности и торговли
Российской Федерации

Ю.Б. Слюсарь


Заместитель Председателя
Президиума Национальной
академией наук
Республики Беларуси

В.Г. Гусаков



Постановление Совета Министров Союзного государства от 6 октября 2011 г. N 26 "О научно-технической программе Союзного государства "Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе"


Настоящее постановление вступает в силу со дня его подписания


Текст постановления официально опубликован не был


В настоящий документ внесены изменения следующими документами:


Постановление Совета Министров Союзного государства от 11 октября 2013 г. N 5

Откройте актуальную версию документа прямо сейчас или получите полный доступ к системе ГАРАНТ на 3 дня бесплатно!

Получить доступ к системе ГАРАНТ

Если вы являетесь пользователем интернет-версии системы ГАРАНТ, вы можете открыть этот документ прямо сейчас или запросить по Горячей линии в системе.